일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
표면마이크로머시닝 기술을 이용한 소형가속도계의 개발이 활발히 이루어지고 있는데, 그 이유는 표면 마이크로머시닝을 이용하면 표면 미세구조체를 IC 회로의 제작 공정 후에 비교적 간단하게 형성시킬 수 있고, 몸체 마이크로머시닝을 이용한 경우와 비교하여 면적을 적게 차지하므로 die size를 줄일 수 있으므로 비용절감의 효과도 얻을 수 있기 때문이다. 실리콘 가속도계의 검지방법은 압저항형과 콘덴서를 이용하여 전압형태로 출력을 얻는 것이 주류를 이루어 왔으나, 본 연구에서의 검지방법은 FET(Field Effect Transistor)를 이용하여 전류형태의 출력을 얻어내는 것이다. 이 방법을 채택할 경우 민감도의 향상과 신호처리회로의 단순화가 이루어 질 것으로 예상된다. 기존 가속도계는 저정밀급(해상도: 10-1∼10-2g)도 비교적 고가(＄10∼100/개)이고 중정밀급(해상도: 10-3g정도)도 수백달러의 고가이다. 특히 군수용으로 사용되는 초고정밀급(해상도: 10-5∼10-6g)의 경우는 가격도 초고가 일뿐만 아니라 기술도 공개 되어 있지 않다. 따라서 저가의 가속도계의 개발은 새로운 시장개척과 방대한 시장의 개발을 의미한다고 할 수 있다. 대표적인 응용분야를 살펴보면 shock detector로써의 airbag release와 vibration detector로써의 비행기 날개의 기계적인 stress monitoring 등을 들 수 있다. 특히 자동차에 응용되는 부분으로써는 airbag release 이외에도, automatic door release, active suspension, 그리고 anti-lock brakes 등이 있고, biomedical application으로는 heart wall motion을 monitoring 하는 센서로서 이용될 수 있다. 미세 가공 기술을 이용한 가속도계는 1980년대 말부터 130만개 정도의 수요가 발생하여 390만 달러의 시장을 형성하였고 대략 28.1%의 높은 시장 성장 비율을 기록하였다. 1998년에는 약 1940만개의 수요가 예상되고, 약 4억 5천만불 이상의 시장을 기록 할 것으로 예상된다.
- 보유기관
- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2000-08-29
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 기술은 현재 전량 외국에서 수입 사용하는 교통신호등용 백열전구를 대체하는 반도체 LED를 220V 상용 고전압에서 고효율로 사용하게 하는 교통신호등 LED 전구에 관한 기술임 장점 - 고효율(기존의 전구에 비해 효율이 9배 정도임) - 장수명(기존의 전구에 비해 20배 이상으로 반 영구적) - 수명 및 에너지 절약대비 가격이 저렴함세계 최초로 반도체 LED를 220V 상용 고전압에서 고효율로 사용하게하는 교통신호등 LED 전구로서 국내외 수출 증대에 획기적인 효과가 있을 것으로 생각됨.
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- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2000-08-29
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 전계방출소자 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 다이오드형 전계방출소자에 있어서, 전계방출부의 끝부분과 양극 표면간의 거리를 1㎛ 이하로부터 수백 ㎛에 이르기까지 수십 Å 수준의 분해능으로 조절 가능토록 한 다이오드형 전계방출소자의 전계방출부와 양극간의 거리조절방법에 관한 것이다.본 발명은 다이오드형 전계방출소자의 전계방출부와 양극간의 거리조절방법에 관한 것으로, 음극 기판과 양극 기판 사이에 절연박막 및 홈을 형성시키는 방법에 의해 전계방출부의 끝부분과 양극 표면간의 거리를 1㎛ 이하로부터 수 백 ㎛에이르기까지 수십 Å 수준의 분해능으로 조절할 수 있도록 하여 전계방출부로 부터의 전계 분포를 정확히 실측할 수 있을뿐 아니라 전계방출 전압 및 방출 전류을 효과적으로 제어할 수 있으며, 아울러 전계방출표시소자는 물론 마이크로 팁을이용한 터널링 세서 제조 등에도 응용 가능한 고신뢰성의 다이오드형 전계방출소자를 구현할 수 있게 된다.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-11-22
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 평면형 전계발광소자(Electroluminescent disp ay :ELD)의 작동을 위하여 사용되는 산화물 절연막을 비정질(amorphouse)로 하여 증착온도를 낮추어 ITO와 증착 산화물 간의 계면 반응을 억제하고 또한 비정질 막의 고유한 특성인유전강도의 증가와 소자로서 이용되었을 때 투명도의 증가를 도모하는 비정질 강유전성 절연막의 증착과 사용에 관한 것이다.계면층에 의한 빛의 산란이발생하지 않으므로, 광학적 특성의 향상을 기대할 수 있다.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-11-22
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명에 의한 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자(electro-luminescentdisplay device) 및 그 제조방법은, Si 기판 상에 소정 패턴의 식각마스크를 형성하는 공정과; 상기 식각마스크를 이용한 식각공정으로 Si 기판을 식각하여 측면에 Si 마이크로-미러를 갖는 웰을 형성하는 공정과; 상기 기판의 웰 밑면 상에 하부절연층을 형성하는 공정과; 상기 하부절연층 상에 발광층을 형성하는 공정과; 상기 발광층상에 상부절연층을 형성하는 공정 및; 상기 상부절연층 상에 상부전극을 형성하는 공정으로 이루어져, 1)종래 SiO2 박막 미러에 의해 Si 마이크로-미러의 식각 표면특성을 매우 평탄(smooth)하게 형성할 수 있게 되므로 난반사를 줄일 수 있고, 공정재현성이 뛰어나다는 잇점을 가지며, 2)발광층의 측면으로 방출되는 빛을 마이크로-미러를 통해 전면방출시 효과적으로 이용할 수 있으므로, 전면방출 만을 갖는 종래의 ELD 소자에 비해 휘도 특성을 10배 이상 개선할 수 있을 뿐 아니라 발광효율도 2배 이상 상승시킬 수 있게 된다.1. 기판의 상부에 하부절연층, 미러, 발광층, 상부절연층 및 상부전극이 순차적으로 적층된 전계발광표시소자에 있어서, 상기 기판은 측면부가 경사지게 형성되며, 그 측면부에 Si 마이크로-미러를 갖으며, 그 저면이 평탄한 함몰지역이 형성되어 있으며, 상기 미러를 제외한 하부절연층, 발광층, 상부절연층 및 상부전극이 상기 기판의 함몰지역 저면으로 부터 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자.2. 제 1 항에 있어서, 상기 Si 마이크로-미러는 사면 또는 이면 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자.3. 제 1 항에 있어서, 상기 전계발광표시소자는 기판의 웰 밑면과 하부절연층 사이에 위치하는 하부전극을 더포함하여 된 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자.4. 제 1 항에 있어서, 상기 함몰지역을 갖는 기판의 상부와 하부절연층의 사이에 위치하여 그 기판의 상부면형상을 그대로 유지하며, 그 재질이 Al, Mo, Ta, W중 선택된 어느 하나로 이루어지는 금속층을 더 포함하여 된 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자.5. Si 기판의 상부에 하부절연층을 증착하는 하부절연층 형성공정과; 그 하부절연층의 상부에 산화막, 다결정실리콘, 산화막을 순차적으로 증착하여 평면형박막 미러를 형성하는 미러형성공정과; 상기 박막 미러의 상부에 발광층.상부절연층 및 상부전극을 순차적으로 증착하고, 기판상에 증착된 상기 하부절연층, 박막 미러, 발광층, 상부절연층 및상부전극을 패터닝하는 박막 증착 및 패턴 형성공정으로 이루어지는 전계발광 표시소자의 제조방법에 있어서, 상기 하부절연층 형성공정은 Si 기판을 그 Si 기판의 상부일부영역을 소정두께로 식각하여 측면이 경사지며, 그 저면이 평탄한 함몰지역을 형성하고, 그 함몰지역이 형성된 Si 기판상에 하부절연층을 증착하고, 상기 미러형성공정을 제조공정에서 제외시킴과 아울러 상기 박막 증착 및 패턴 형성공정은 상기한 박막을 증착한 후, 상기 하부절연층, 발광층, 상부절연층 및상부전극의 일부를 식각하여, 그 잔존하는 하부절연층, 발광층, 상부절연층 및 상부전극의 적층구조가 상기 기판에 형성한 함몰지역의 평탄한 저면상에 위치하도록 패터닝하는 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자의 제조방법.6. 제 5 항에 있어서, 상기 Si 기판에 함몰지역을 형성할때 사용하는 식각마스크는 직사각형 모양의 창이 형성된 구조 또는 스트라이프 모양의 창이 형성된 구조를 가지는 것을 사용하여 그 함몰지역의 측면이 하부절연층, 발광층,상부절연층 및 상부전극 적층구조의 이면 또는 사면에 위치하도록 그 함몰지역을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자의 제조방법.7. 제 5 항에 있어서, 상기 Si 기판은 KOH + 물로 이루어진 혼합 수용액으로 식각하여 그 함몰지역의 측면 및저면에 미러를 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자의 제조방법.8. 제 5 항에 있어서, 상기 하부절연층 형성공정은 함몰지역이 형성된 Si 기판상에 Al, Mo, Ta, W중 선택된어느 하나를 증착하여 하부전극을 형성하는 단계를 더 포함하여 된 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자의 제조방법.9. 제 5 항에 있어서, 상기 Si 기판을 유리기판으로 대체하여 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를갖는 전계발광표시소자의 제조방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 전기장발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 전기장발광소자는 인가되는 전기장의 세기에 비해 발광층의 내부로 주입되는 전자의 수가 적어 휘도특성 및 발광효율이 저하되는 문제점이 있었다. 이러한 문제점을 감안한 본 발명은 발광층과 절연층의 사이에 계면구조물을 삽입하여 화소 면적의 변화없이 발광층과 절연층의 사이의 계면의 표면적을 증가시킴으로써, 전기장발광소자의 휘도와 발광효율을 증가시키는 효과가 있다.1. 배면전극(6)의 상부에 형성한 하부 절연층(3)과; 상기 하부 절연층(3)의 상부에 형성한 요철형의 계면구조물(7)과; 상기 요철형의 계면구조물(7)의 상부에 순차적으로 형성한 발광층(4), 상부 절연층(5), 투명전극(2)으로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 전기장발광소자.2. 제 1항에 있어서, 상기 요철형의 계면구조물(7)은 원추형 또는 사각뿔형 또는 사각형의 요철구조를 갖는것으로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 전기장발광소자.3. 제 1항 또는 2항에 있어서, 상기 요철형의 계면구조물(7)은 실리콘 기판 또는 실리콘을 기초로한 유리계또는 Al, Mo, Ta, W, Ti 등의 금속인 것을 특징으로 하는 전기장발광소자.4. 실리콘 기판을 사용하여 요철형의 계면구조물(7)을 형성하는 단계와; 상기 요철형의 계면구조물(7)의 하부에 물리적 또는 화학적 기상 증착법을 사용하여 SiO2, SiOXNY, BaTa2O6, Ta2O5, Al2O3, BaTiO3 등을 증착하여 하부 절연층(3)을 형성하는 단계와; 상기 요철형의 계면구조물(7)의 상부에 ZnS, SrS, CaS, CaGa2S4, BaGa2S4,SrGa2S4 등의 모체에 Mn 또는희토류원소(Tb, Ce, Tm, Eu, Pr)를 첨가한 발광층(4)을 전자선증착법으로 증착하는 단계와; 상기 발광층(4)의 상부에 상부 절연층(5)을 증착하는 단계와; 상기 상부 절연층(5)의 상부 및 하부 절연층(6)의 하부에 ITO막이 증착된 실리콘 또는ZnO:Al 박막을 증착하여 투명전극(2) 및 배면전극(6)을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 전기장발광소자 제조방법.5. 제 4항에 있어서, 상기 요철형의 계면 구조물을 형성하는 단계는 실리콘 기판의 상부에 식각 마스크용의열산화막을 성장시키는 단계와; 사진식각공정을 사용하여 상기 기판의 일면에 원형, 정사각형 또는 직선형의 창을 형성하는 단계와; 소정 온도에서 상기 노출된 원형, 사각형 또는 직선형으로 노출된 상기 실리콘 기판을 식각하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전기장발광소자 제조방법.6. 제 4항 또는 제 5항에 있어서, 상기 실리콘 기판은 4인치의 크기, 530 청구항 7. 제 5항에 있어서, 상기 열산화막은 0.2 두께로 성장시키는 것을 특징으로 하는 전기장발광소자 제조방법. 청구항 8. 제 4항에 있어서, 상기 실리콘 기판을 식각하는 단계는 110~115℃의 온도분위기에서 식각하는 것을 특징으로 하는 전기장발광소자 제조방법.청구항 9. 제 4항에 있어서, 상기 요철형 계면구조물은 실리콘을 기초로한 유리계 또는 Al, Mo, Ta, W, Ti 등의 금속재료를 사용하는 것을 특징으로 하는 전기장발광소자 제조방법
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 전기장 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 전기장 발광소자는 하부 절연층으로 비정질 또는 다결정 BaTiO3를 사용하여 하부 절연층을 증착한 이후의 공정에서 고온을 사용하는 경우 그 특성이 열화되어 누설전류가 증가되고, 항복 전기장강도가 저하되어 전기장 발광소자의 구동을 목적으로 전기장을 인가하는 경우 그 전기장 발광소자가 쉽게 파괴되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 하부 절연층을 유전상수값이 큰 다결정 BaTiO3와 절연특성이 우수한 비정질 BaTiO3를 적층하여 형성함으로써, 휘도의 포화가 일어나는 고전압에서도 파괴되지 않고 안정된 동작을 하는 효과와 아울러 그 휘도특성이 우수하여 저전압에서 사용이 가능한 효과가 있다.1. 유리기판의 상부에 형성한 투명전극과, 상기 투명전극의 상부에 증착한 하부 절연층과, 상기 하부 절연층의 상부에 순차적으로 형성한 발광층, 상부 절연층, 알루미늄전극을 포함하는 전기장 발광소자에 있어서, 상기 하부 절연층은 순차적으로 증착된 다결정 BaTiO3, 비정질 BaTiO3로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자. 2. 제 1항에 있어서, 상기 발광층의 두께는 400~700nm인 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자.3. 제 1항에 있어서, 상기 상부 절연층은 SiOXNY인 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자.4. 제 1항 또는 제 3항에 있어서, 상기 상부 절연층의 두께는 300nm인 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자. 5. 유리기판상에 투명전극을 증착하는 단계와; RF 반응성 스퍼터 장치를 이용한 스퍼터링방법을 사용하여 상기 투명전극의 상부에 다결정 BaTiO3, 비정질 BaTiO3를 순차적으로 증착하여 하부 절연층을 형성하는 단계와; 상기 하부절연층상에 ZnS을 증착하여 발광층을 형성하는 단계와; 상기 발광층의 박막 결정성 향상을 위하여 진공 열처리하는 단계와; 상기 발광층상에 상부 절연층을 증착하는 단계와; 상기 상부 절연층의 상부에 열증착법으로 알루미늄을 증착한후 패터닝하여 상호 소정 간격으로 이격되도록 다수의 알루미늄전극을 형성하는 단계로 이루어 진 것을 특징으로 하는 전기장발광소자 제조방법.6. 제 5항에 있어서, 상기 유리기판은 직경 4인치, 두께 1/4인치의 BaTiO3 세라믹 소결체를 사용하여 된 것을특징으로 하는 전기장 발광소자 제조방법.7. 제 5항에 있어서, 상기 하부 절연층을 증착하는 단계는 알에프 전력밀도 2.5W/cm2, 기체 압력 8mtorr, 반응기체로 주입된 산소분압 약 10%, 기판온도 550℃의 공정 분위기에서 증착하는 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자 제조방법.8. 제 5항에 있어서, 상기 하부절연층을 증착하는 단계가 완료된 시점에서의 기판온도는 약 280℃인 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자 제조방법.9. 제 5항에 있어서, 상기 발광층을 형성하는 단계는 진공도 5×10-5torr, 기판온도 180~220℃의 공정분위기에서 전자선증착법으로 Mn으로 도핑된 ZnS를 450~700nm 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자 제조방법.10. 제 5항에 있어서, 상기 발광층을 형성하는 단계는 Pr, Ce를 각각 0.1~0.3 mol % 첨가한 ZnS를 450~700nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자 제조방법.11. 제 5항에 있어서, 상기 발광층을 형성한 후 진공열처리 하는 단계는 1시간동안 기판의 온도를 450℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자 제조방법.12. 제 5항에 있어서, 상기 상부 절연층을 증착하는 단계는 SiOXNY를 300nm 두께로 증착하는 것을 특징으로 전기장 발광소자 제조방법.13. 제 5항에 있어서, 상기 알루미늄전극을 형성하는 단계는 열증착법으로 알루미늄을 150nm두께로 증착하고,그 증착된 알루미늄을 리프트 오프공정으로 패터닝하는 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자 제조방법
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 차세대 진공 전자 소자의 진공 패키징 방법 및 장치에 대한 내용이다. 기존 방법은 배기용 세관을 이용하는 것으로서 구조물에 의한 물리적 한계로 인하여 진공 효율 감소, out-gas로 인한 진공도 악화 및 소자 체적의 증가라는 단점을 가지고있었다. 상기 발명은 유리-유리 기판간의 접합을 이용하여 상기의 문제점들을 해결하고 효율적으로 패키징하는 방법을 제시하였으며, 또한 이러한 기술을 응용하기 위한 장치를 개발하고 제안하였다. 발명은 물리증착(physical vapour deposition : PVD)법에 의해 제조된 전계방출소자용 발광체 및 그 제조방법에 관한것으로, 유리기판 상에 물리적증착법으로 ZnO:Zn 발광박막을 형성한 뒤 상기 ZnO:Zn 박막 표면에 도전성박막을 코팅하여발광체 제조를 완료하므로써, 1) 발광막의 두께와 발광체의 열처리 온도 및 분위기 변화를 통하여 에미터의 동작 특성에맞는 발광문턱과 여러계조의 휘도 및 발광색을 일정 범위내에서 변화시킬 수 있으며, 2) 공정이 용이하고 공정 단가가 낮은 물리증착법(예컨대, 스퍼터법이나 증착법)을 통하여 초박막 상태로도 결정성이 뛰어난 발광막을 얻을 수 있게 되어 고해상도를 요하는 대면적 전계방출소자에 적용할 수 있다는 이점을 갖는다
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 고진공 장치 내에서의 유리기판 사이의 접합을 이용한 전계방출표시소자의 진공 실장(Vacuum Packaging)에 관한 것으로, 종래의 배기용 관을 사용하는 경우에 발생하는 여러 가지 문제점, 즉, 봉입시 발생하는 미세한 가스에 의해서도 패널 내부의 진공도가 크게 영향을 받게 되며, 또한 배기용 관의 일부가 전계방출표시소자에 남아 패널의 두께가 두꺼워지게 되고, 관의 길이와 구멍 크기에 의해서 가스 배기가 방해를 받는 등의 문제점을 해결하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 의한 전계방출표시소자 진공실장(Vacuum Packaging) 장치 및 방법은 배기를 할 수 있는 구멍이 미리 형성되어 있는 전계방출표시소자를 고진공 장치 내부에 장착하고, 고온 배기를 통해 전계방출표시소자 패널 내부의 가스분자를 모두 배기한 후, 유리 기판 조각을 전계방출표시소자의 구멍에 맞닿게 하고 일정한 온도에서 직류 전압을 인가하여 유리-유리 접합을 수행하므로써, 전계방출표시소자의 진공 실장이 이루어진다.이로써, 전계방출표시소자의 진공실장이 용이하게 달성될 수 있고, 소자 패널 사이의 진공도가 향상되는 등 우수한 특성의 전계방출표시소자 제공할 수 있다.1. 챔버(1)와, 상기 챔버를 고진공 상태로 만드는 진공펌프(3), 상기 챔버내부의 일측에 배치되어 있는 전계방출표시소자 수용부로서, 상기 수용부는 양 패널중 하나에 배기용 구멍이 형성되어 있는 전계방출표시소자(14)를 가열하기 위한 소자 가열장치(6)와, 전계방출표시소자를 지지하기 위한 고정대(10)를 포함하는 전게방출표시소자 수용부와, 상기 전계방출표시소자 수용부에 대향하여 상기 챔버내에 배치되며, 전계방출표시소자의 상기 배기용 구멍에 접합될 유리기판 조각(17)를 지지하는 유리기판 조각 고정대(11)와, 상기 유리기판 조각 고정대를 상기 전계방출표시소자 수용부방향으로 구동하기 위한 고정대 구동 받침대(12)및 상기 유리기판 조각을 가열하기 위한 유리기판 조각 가열장치(7)를 포함하는 유리기판 조각 수용부와, 상기 소자 가열장치(6)와 전계방출표시소자 고정대(10)에 연결되어, 상기 소자의 온도를 측정하고 소자 가열장치를 통하여 소자를 소정온도로 조절하는 소자 온도 조절장치(5)와, 상기 유리기판 조각 가열장치(7)와 유리기판 조각 고정대(11)에 연결되어, 유리기판 조각의 온도를 측정하고 유리기판 조각 가열장치를 통하여 유리기판 조각을 소정온도로 조절하는 유리기판 조각온도 조절장치(4), 및 상기 전계방출표시소자에는 양극(+)이, 접합되어야 하는 유리기판 조각에는 음극(-)이 연결되어 소자 및 유리기판 조각에 직류전압을 공급하기 위한 전원공급장치(13)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 진공 실장 장치.2. 제 1항에 있어서, 상기 장치가 상기 전계방출표시소자 고정대(10)에 부착되어 전게방출표시소자(14)의 온도를 측정하기 위한 센서(8)및 상기 유리기판 조각 고정대(11)에 부착되어 유리기판 ㅗㅈ각(17)의 온도를 측정하기 위한 센서(9)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 진공 실장 장치.3. 상기 제 1항 또는 2항에 의한 장치를 사용하여 전게방출표시소자를 진공실장하는 방법으로서, 상기 전계방출표시소자의 양 패널 중 하나에 배기를 할 수 있는 배기용 구멍을 미리 형성하는 공정과, 상기 전계방출표시소자의 배기용 구멍이 형성된 캐소드 뒷면에 상기 배기용 구멍을 둘러싸는 전극용 금속 박막을 형성하는 공정과, 상기 금속 박막상에 접합에 관여하는 실리콘 박막을 형성하는 공정과, 상기 전계방출표시소자 및 구멍을 실장하기 위한 유리 기판 조각을 진공챔버 내부에 장착하는 공정과,상기 챔버내부가 10/(8)~3×10/(8)torr의 진공도를 가지도록 상기 챔버내부를 배기하고, 350℃~400℃의 온도에서 상기 전계방출표시소자 패널 내부의 가스분자 및 유리기판 조각 내부의 가스분자를 모두 고온 배기하는 공정과, 상기 전계방출표시소자와 유리기판 조각의 온도를 서서히 감소시켜 250~300℃정도의 유리-유리 접합온도를 유지하는 공정과, 상기 유리 기판 조각을 전계방출표시소자의 배기용 구멍에 맞닿게 하는 공정과, 상기 전계방출표시소자측과 접합될 유리기판 조각 사이에 200~400V의 직류 전압을 인가함으로써 유리-유리 접합을 수행하는 平ㅐ막이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 진공 실장 방법.4. 제 3항에 있어서, 드릴을 이용한 방법 및 아크를 이용한 바업ㅂ중에서 선택되는 한 방법에 의하여 상기 배기용 구멍을 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 진공 실장 방법.5. 제 3항 또는 제 4항에 있어서, 상기 배기용 구멍을 1내지 4개 형성하는 것을 특징으로 하는 전게방출표시소자 진공 실장 방법.6. 제 3항에 있어서, 상기 전계방출표시소자 및 유리기판 조각을 상기 전계방출표시소자 고정대 및 유리기판 조각 고정대에 각각 고정시키므로써 챔버내에 장착하는 것을 특징으로 하는 전게방출표시소자 진공 실장 방법.7. 제 3항 또는 제 6항에 있어서, 상기 전계방출표시소자 고정대를 이용하여 상기 전게방출표시소자의 전극용 금속 박막에 양극(+)을 인가하고, 유리기판 조각 고정대를 이용하여 유리기판 조각에 음극(-)을 인가하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 진공 실장 방법.8. 제 3항 또는 제 6항에 있어서, 상기 전계방출표시소자 고정대 및 유리기판 조각 고정대에 온도 센서를 장착하여 전계방출표시소자 캐소드 뒷면 및 유리기판 조각의 온도를 측정하고, 상기 온도조절장치 및 가열 장치를 이용하여 전계방출표시소자 및 유리기판 조각을 소정 온도로 조절하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 진공 실장 방법.9. 제 3항에 있어서, 상기 유리-유리 접합시 전계방출표시소자와 유리 기판 조각의 온도를 같게 유지하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 진공 실장 방법.10. 제 3항에 있어서, 상기 진공펌프로 로타리 펌프, 터보 펌프, 크라이오 펌프에서 선택되는 하나의 펌프를
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 백색발광용 전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 유리기판 상에 ITO 투명전극을 형성하는 공정과, RF 반응성 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링법으로 상기 투명전극에 하부절연층을 형성하는 공정과, 상기 하부절연층 상에 발광층을 형성하는 공정과, 상기 발광층 상에 상기 하부절연층과 동일한 스퍼터링법으로 상부절연층을 형성하는 공정과, 상기 상부절연층 상에 발광소자 동작특성의 열화현상을 방지하는 완충층을 형성하는 공정과, 상기 완충층 상에 열증착법으로 알루미늄 전극을 증착하는 공정을 통하여 희토류 원소인 Pr을 발광중심으로 한 EL 소자를 제공함으로써 빛의 삼원색인 적, 청, 녹색파장의 발광스펙트럼을 모두 갖는 백색 형광박막이 적층되어 형성된 우수한 색순도를 갖는 백색 발광 EL 평판 표시소자를 구현하도록 한 것이다.1.유리기판과, 상기 유리기판 상에 형성된 투명전극과, 상기 투명전극 상에 형성된 하부절여능과, 상기 하부절연층 상에 형성되어 발광되는 발광층과, 상기 발광층상에 형성된 상부절연층과, 상기 상부절연층 상에 형성되어 발광소자 동작특성의 연화현상을 방지하는 완충층과 상기 완충층 상에 형성된 알루미늄 전극으로 구성함을 특징으로 하는 백색 발광용 전계 발과 소자.2.제2항에 있어서, 상기 상,하부절연층은 BaTa2O2로 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 발광용 전계발광소자.3.제1항에 있어서, 상기 발광층은 Pr이 발광중심으로 형성된 것을 특징으로 하는 백색 발광용 전계발광소자.4.제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 발광층은 SrS:Pr,F로 이루어진 것을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자.5.제1항에 있어서,상기 완충층은 SixNr로 이루어진 것을 특징으로 하는 백색발광용 전졔발광소자.6.유리기판 사에 1TO 투명전극을 형성하는 공정과, RF 반응성 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링법으로 상기 투명전극에 하부절연층을 형성하는 공정과 상기 하부절연층 상에 발광층을 형성하는 공정과, 상기 발광층 상에 상기 하부절연층과 동일한 스퍼터링법으로 상부절연층을 형성하는 공정과 상기 상부절연층상에 발광 소자 동작특성의 열화현상을 방지하는 완충층을 형성하는 공정과, 상기 상부 절연층 상에 발과소자 동작특성의 열화현상을 방지하는 완충층을 형성하는 공정과 상기 완충층 상에 열중착법으로 알루미늄전극을 중착하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광 소자의 제조방법.7.제6항에 있어서, 상기 상, 하부절연층은 BaTa2O6로 형성된 것을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자.8.제6항에 있어서, 상기 발광층은 Pr이 발강중심으로 형성된 것을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자의 제조방법.9.제6항 또는 제8항에 있어서, 상기 발광층은 SrS:Pr,F로 형성된 것을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광 소자의 제조방법.10.제6항에 있어서, 상기 완충층은 SixNr로 형성됨을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자으 제조방법.11.제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 상,하부절연층의 박막형성시 Ar:O2에 대한 산소의 비는 10~30%범위에서 가변되며, 기판온도는 50~120℃로 유지되고, 약 200~300nm두께로 박막이 형성됨을 특징으로 하는 백색 발광용 전계발광소자의 제조방법.12.제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 발광층은 Pr을 약 0.4~1.6mol%정도로 첨가한 SrS:Pr,F 분말을 합성하여 두께 4mm인 페릿을 만들고 이 펠릿을 이용하여 전자빔증착법으로 발광층을 약 500~1000nm 두께로 증착시키며, 기관의 온도는 약 300~400℃로 유지하고, 완성된 박막은 400℃에서 진공열처리 함을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자의 제조방법.13.제12항에있어서, 상기 펠릿은 SrS:Pr,F에 대한 무게비가 약9:1이 되도록 유황을 섞은 다음, 상용콜드 프레스법으로 성형시킴을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자의 제조방법.14.제6항또는 제10항에 있어서, 상기 완충층의 기판온도는 약 100~120℃로 유지하고,Ar:N2의 비는 약 15~35%정도로 유지하여 50~100nm의 두께로 형성됨을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자의 제조방법.
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 백색발광용 전계발광표시소자(electroluminescent display)에 관한 것으로, 유리기판 상에 ITO 투명전극을 형성하는 공정과; RF 반응성 스퍼터링 장치를 이용하여 상기 투명전극상에 다층으로 이루어진 제1절연층(예컨대, Si3N4와 BaTiO3가 순차적으로 적층된 2층 구조)을 형성하는 공정과; 상기 제1절연층 상에 발광층(예컨대, ZnS모체에 Pr과 Mn 이원중심을 첨가한 ZnS:Pr, Mn 재질의 발광층)을 형성하는 공정과; 상기 발광층의 박막 결정성 향상 및 발광중심인 Pr과 Mn의 효과적인 확산을 위하여 상기 패턴이 형성된 기판 전면을 진공열처리하는 공정과; 상기 발광층 상에 제2절연층(예컨대, 단일층의 Si3N4/BaTiO)을 형성하는 공정과; 상기 제2절연층 상에 반응성 스퍼터링법으로 SiOXNY 절연막을 적층하여 보호층을 형성하는 공정 및; 상기 보호층 상에 열증착법으로 알루미늄을 증착한 후 리프트-오프공정으로 패터닝하여 서로 소정간격 이격되도록 알루미늄 전극을 형성하는 공정을 거쳐 소자제조를 완료하므로써, 1) 종래 Pr 단일중심만을 사용하여 전계발광소자를 제조하였을 경우 발생되었던 녹색이 강한 백색을 띠는 현상을 제거할 수 있게되어 가시광 전 영역에서 고른 발광을 얻을 수 있으며, 2) 다색발광용 전계발광소자를 제조하려는 경우에 있어서도 발광중심으로 첨가한 Pr과 Mn 농도만을 가변시키므로써 원하는 스펙트럼을 얻을 수 있게 되어 고신뢰성의 백색발광용 전계발광소자를 구현할 수 있게 된다.1.유리기판과; 상기유리기판 상에 형서된 투명전극상에 다층으로 형성된 제 1절연층과;상기 제1절연층 상에 형성된 발광층과;상기 발광층 상에 형성된 제2절연층과;상기 제2절연층상에 형성된 보호층과;서로 분리되어 소정간격 이격되도록 상기 보호층상에 형성된 알루미늄 전극으로 이루어져 상기 알루미늄 전극과 투명전극으로 교류전압이 인가되도록 구성됨을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자.2.제1항에 있어서, 다층으로 이루어진 상기 제1절연층은 상기 투명전극상에 BaTiO3와 Si3N4가 순차적으로 중착된 이층구조로 이루어짐을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자.3.제1항에 있어서, 상기 발광층은 ZnS 모체에 Pr과 Mn이원중심을 첨가한 ZnS:Pr,Mn이원중심을 첨가한 ZnS:Pr,Mn으로이루어짐을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자.4.제1항에 있어서, 상기 제2절연층은 Si3N4/BaTiO3로 이루어짐을 특징으로 하는 백색발광용 전계소자.5.제1항에 있어서, 상기 보호층은 SiOxNr절연막으로 이루어짐을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자.6.유리기판 상에 ITO투명전극을 형성하는 공정과;RF반응성 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링법으로 상기 투명전극 상에 다층으로 이루어진 제1절연층을 형성하는 공정과;상기 제1절연층 상에 발광층을 형성하는 공정과;상기 발광층 상에 제2절연층을 형성하는 공정과;상기 제2절연층 상에 반응성-스퍼터링법으로 보호층을 형성하는 공정 및;상기 보호층 상에 연증착법으로 알루미늄을 증착한 후 리프트-오프 공정으로 페터닝하여 서로 소정간격 이격되도록 알루미늄 전극을 형성하는 공정으로 이루어짐을 특징으로하는 백색발광용 전계발광소자 제조방법.7.제6항에 있어서, 다층으로 이루어진 제1절연층은 상기 투명전극 상에는 BaTiO3가 적층되고 상기 BaTiO3 상에 는 Si3N4가 적층된 이층구조를 갖도록 형성됨을 트깅으로 하는 백색발광용 전계발광소자 제조방법.8.제6항에 있어서,상기 제2절연층은 SixNr/BaTiO3의 단일층으로 형성됨을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자 제조방법.9.제6항에 있어서, 상기 전계발광소자의 제1 및 제2절연층은 BaTiO3등과 같은 강유전체계의 박막으로도 형성가능함을 특징으로 하는 백색 발광용 전계발광소자 제조방법.10.제8항에 있어서, 상기 제1및 제2절연층은 직경 3인치 두께 1/8인치의 Si3N4와 BaTiO3세라믹 소결체를 이용한 스퍼터링 타게트로 형성됨을 특징으로 하는 백색 발광용 전계발광소자 제조방법.11.제10항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연층은 진공도 10-3~10-2torr 범위내의 기판온도 120℃상태에서 형성됨을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자 제조방법.12.제11항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연층은 1×10-5torr로 기판온도 450℃에서 1시간 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자 제조방법.17.제6항에 있어서, 상기 보호층은 SiOxNy로 형솽됨을 특징으로 하는 백색발과용 전계발광소자 제조방법.18.제6항 또는 제17항에 있어서, 상기 보호층은 1500A의 두께로 형성됨을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자 제조방법.19.제14항에 있어서, 상기 발광층은 Pr과 Mn이원중심의 농도를 가변하여 색도 조절을 실시하는 것을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자 제조방법.
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 청색발광용 전계발광표시소자(electroluminescent display)에 관한 것으로, 유리기판 상에 ITO 투명전극을 형성하는 공정과; RF 반응성 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링법으로 상기 투명전극 상에 제1절연층을 형성하는 공정과; 상기 제1절연층 상에 다층구조( SrS와 SrS:Ce층을 두층 이상 연속 교번하는 구조 예컨대, SrS-SrS:Ce-SrS 다층구조)를 갖는 발광층을 형성하는 공정과; 상기 발광층 상에 제2절연층을 형성하는 공정과; 상기 제2절연층 상에 반응성 스퍼터링법으로 보호층을 헝성하는 공정 및: 상기 보호층 상에 열증착법으로 알루미늄을 증착한 후 리프트-오프공정으로 패터닝하여 서로 소정간격 이격되도륵 알루미늄 전극을 형성하는 공정을 거쳐 소자제조를 완료하므로써, 1) 일차전자의 발생 및 가속층과 발광이 일어나는 층을 공간적으로 분리하는 발광층 구조를 가지게 되어 종래의 단일 SrS:Ce 구조와 비교해볼 때, 동일한 두께의 발광층을 형성하는 경우 상대적으로 높은 휘도특성을 얻을 수 있으며, 2) 발광중심을 다층구조의 중간에 도핑하므로써 발광중심인 Ce가 안정화된 결정장내에 위치하게되므로, 발광색이 안정될 뿐 아니라 동작시간 경과에 따른 특성변화를 상대적으로 감소시킬 수 있는 고신뢰성의 전계발광소자를 구현할 수 있게 된다.1.유리기판과; 상기 유리기판 상에 형성된 투명전극과;상기 투명전극보다 좁은 폭을 가져 투명전극의 에지부분 일부가 드러나도록 상기 투명전극 상에 형성된 제1절연층과;상기 제1절연층보다 좁은 폭을 가져 제1절연층의 에지부분 일부가 드러나도록 상기 제1절연층 상에 형성된 제2절연층과; 상기 제2절연층 상에 형성된 보호층과; 서로 분리되어 소정간격 이격되도록 상기 보호증 상에 형성된 알루미늄 전극으로 이루어져 상기 알루미늄 전극과 투명전극으로 교류전압이 인가되도록 구성됨을 특징으로 하는 청색발과용 전계발광 소자.2.제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연층은 Si3N4로 이루어짐을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자.3.제1항에 있어서, 상기 발광층은 모체층과 발광중심을 포함하는 모체층이 연속 교번되는 구조로 이루어짐을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자.4.제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 발광층은 SrS 와 SrS:Ce층이 두층 이상 연속 교번되는 구조로 이루어짐을 특징으로 하는 청색발과용 전계발광소자.5.제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 모체층은 ZnS,CaS등의 Ⅱ-Ⅵ화합물중 선택된 어느 하나로 이루어짐을 특징으로 하는 청색 발광용 전계발광소자.6.제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 발광중심은 전이원소 또는 히토류 원소중 선택된 어느하나로 이루어짐을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자.7.제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 발광층은 SrS-SrS:Ce-SrS의 다층구조로 이루어짐을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광 소자.8.유리기판상에 ITO투명 전극을 형성하는 공정과; RF반응성 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링법으로 상기 투명전극 상에 제1절연층을 형성하는 공정과;상기 제1절연층 상에 다층구조를 갖는 발광층을 형성하는 공정과; 상기 발광층 상에 제2절연층을 형성하는 공정과;상기 제2절연층 상에 반응성 스퍼터링법으로 보호층을 형성하는 공정 및 ;상기 보호층 사에 열증착법으로 알루미뉴을 증착한 후 리프트-오프 공정으로 패터닝하여 서로 소정간격 이격되도록 알루미늄 전극을 형성하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법.9.제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연층은 Si3N4로 형성됨을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법.10.제8에 있어서, 상기 보호막은 SiOxNy로 형성됨을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법.11.제8항에 있어서, 상기 발광층은 모체층과 발광중심을 포함하는 모체층이 연속교번되도록 형성됨을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법.12.제8항 또는 제11항에 있어서, 상기 발광층은 SrS와 SrS:Ce층이 두층이상 연속 교번되도록 형성됨을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법.13.제11항에 있어서, 상기 모체층은 ZnS,CaS,SrS등의 Ⅱ-Ⅵ화합물 중 선택된 어느 하나로 형성됨을 특징으로 하는 청색 발과용 전계발광소자 제조방법.14.제11항에 있어서, 상기 발광중심은 전이 원소 또는 회토류 원소 중 선택 된 어느 하나로 형성 됨을 특징으로 하는 청색 발광용 전계발광소자 제조방법.15.제8항에 있어서, 상기 발광층 SrS-SrS:Ce-SrS로 형성됨을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법.16.제8항 또는 제15항에 있어서, 상기 발광층은 로드-락으로 장착되어 있는 MSD장치를 이용하여 세개의 PBN도가니에 발광층 조성원료인 Sr,S,Ce을 각각 담은 후 각 도가니에 담긴 재료의 녹는점 온도를 히터를 사용하여 정밀제어하고 증착소도를 일정하게 유지한뒤 증착하고자 하는 원료를 제1절연체 및 투명전극이 형성된 기판상으로 순차적으로 날려 증착시키되 발광중심이 포함된 SrS:Ce 모체 층을 상기 SrS모체층 중간에 증착되도록 형성시키는 것을 특징으로 하는 청색 발과용 전걔발광소자 제조방법.17.제15항 또는 제16항에 있어서, SrS-SrS:Ce-SrS다층 구조로 이루어진 상기 발광층 증착시의 기판온도는 350℃로 형성됨을 특징으로 하는 청색 발과용 전계발과소자 제조방법.18.제16항에 있어서, 상기 발광층의 박막조성은 각 원료물질을 담고 잇는 도가니의 온도를 가변시켜 조절함을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법.19.제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연층은 직경 3인치 두께 1/8인치의 Si3N4세라믹 소결체를 이용한 스퍼터링 타게트로 형성됨을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법.20.제8항 또는 제19항에 있어서, 상기 제1및 제2절연층은 진공도 10-3-10-2torr범위내의 기판온도 120℃ 상태에서 형성됨을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법.21.제20항에 있어서, 상기 제1및 제2절연층은 O2/Ar=0-40%내의 스퍼터링 분위기 하에서 RF파워밀도 2-6W/cm 로 형성됨을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법.2
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본 발명은 전자선 증착된 막이나 스퍼터링된 막을 중간 삽입층로 이용하여 실리콘 직접 접합 공정과, 이러한 직접 접합 공정을 이용하여 소자를 진공 실장하는 공정 및 실리사이드 제조 공정에 관한 것이다. 본 발명에 의할 경우, 종래 직접 접합 방법으로 접합할 수 없었던 금속 등의 막이나 실리콘 기판이 아닌 유리 기판 등의 다른 기판에 대해서도 접합이 가능하고, 이러한 직접 접합 방법을 이용하여 고진공을 요하는 진공 소자를 진공 실장할 수 있으며 또한, 내화성 금속 실리사이드를 산화되지 않게 형성할 수 있는 장점이 있다.1. 접합될 두 장의 기판을 깨끗이 세척하고 한쪽 기판에 중간 삽입층을 형성하는 공정과, 이후 상기 두 장의기판 표면을 친수화하는 공정과, 이후 상기 두 장의 기판을 서로 맞닿게 하여 초기 접합을 이루는 공정과, 이후 초기 접합이 이루어진 기판쌍을 열처리 하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 중간 삽입층을 이용한 직접 접합 공정.2. 제1항에 있어서, 상기 중간 삽입층은 전자선 증착된 막이나 스퍼터링된 막을 이용하는 것을 특징으로 하는중간 삽입층을 이용한 직접 접합 공정.3. 접합될 두 장의 기판을 깨끗이 세척하고 한쪽 기판에 중간 삽입층을 형성하고 진공을 실장할 수 있도록 기판을 식각하는 공정과, 이후 상기 두 장의 기판 표면을 친수화하는 공정과, 이후 상기 두 장의 기판을 서로 맞닿게 하고진공을 실장하는 공정과, 이후 진공이 실장된 기판쌍을 열처리 하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 중간 삽입층을 이용한 직접 접합 공정을 이용하는 전계방출 소자의 진공 실장 공정.4. 제3항에 있어서, 상기 중간 삽입층은 전자선 증착된 막이나 스퍼터링된 막을 이용하는 것을 특징으로 하는중간 삽입층을 이용한 직접 접합 공정을 이용하는 전계방출 소자의 진공 실장 공정.5. 접합될 두 장의 기판을 깨끗이 세척하고 한쪽 기판에 내화성 금속 및 중간 삽입층을 증착하는 공정과, 이후 상기 두 장의 기판 표면을 친수화하는 공정과, 이후 친수화 처리 된 상기 두 장의 기판을 서로 맞닿게 하여 직접 접합을 하는 공정과, 이후 열처리 공정으로 실리사이드막을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 중간 삽입층을이용한 직접 접합 공정을 이용하는 실리사이드 제조 공정.6. 제5항에 있어서, 상기 중간 삽입층은 전자선 증착된 막이나 스퍼터링된 막을 이용하는 것을 특징으로 하는중간 삽입층을 이용한 직접 접합 방법을 이용한 실리사이드 제조 공정
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
[구성]기존의 구형 반사경 대신 역반사체판을 사용하여 각종 용도에 맞는 홀로그래픽 스크린을 제작하는 방법과 역반사체판을 제작하는 방법을 개시하였다. 구형 반사경을 사용하여 홀로 그래픽 스크린을 제작하는 종래의 방법을 개시하였다. 구형반사경을사용하여 홀로그래픽 스크린을 제작하는 종래의 방법은 스크린의크기및 초점거리가제한되고 스크린 특성을 최적화하기가 어려운 단점이 있다, 본 발명에서는 초서형 코너 큐브(corner cube) 가 면 배열된 평판으로 서각각의 코너 큐브에서 반사된 반사광이 입사광의 진행 방향을 역으로 되돌아 나가는 특성을 갖는 역반사체판을 사용하여 홀로그래픽 스크린 만들었다. 이에 따라 구형 반사경을 이용하여 스크린을 만들 때와 비교하여 가변 초점 거리를 가지며 회절 효율이 뛰어나고 또한 크기에 제한이 없는 홀로 그래픽 스크린을 만들 수 있었다. 대형 홀로그래픽 스크린은 역반사체판의 조합이나 필름형 홀로 그래픽 스크린을 사용하여 제작가능하다. 산광기와 창이 열린 마스크를 사용하면 주사레이저 빔에 의해서도 시역의 재생이 가능한 홀로그래픽 스크린을 만들 수 있다.기존의 구형 반사경 대신 역반사체판을 사용하여 각종 용도에 맞는 홀로그래픽 스크린을 제작하는 방법과 역반사체판을제작하는 방법을 개시하였다. 구형 반사경을 사용하여 홀로 그래픽 스크린을 제작하는 종래의 방법을 개시하였다. 구형반사경을사용하여 홀로그래픽 스크린을 제작하는 종래의 방법은 스크린의크기및 초점거리가제한되고 스크린 특성을 최적화하기가 어려운 단점이 있다, 본 발명에서는 초서형 코너 큐브(corner cube) 가 면 배열된 평판으로 서각각의 코너 큐브에서 반사된 반사광이 입사광의 진행 방향을 역으로 되돌아 나가는 특성을 갖는 역반사체판을 사용하여 홀로그래픽 스크린만들었다. 이에 따라 구형 반사경을 이용하여 스크린을 만들 때와 비교하여 가변 초점 거리를 가지며 회절 효율이 뛰어나고 또한 크기에 제한이 없는 홀로 그래픽 스크린을 만들 수 있었다. 대형 홀로그래픽 스크린은 역반사체판의 조합이나필름형 홀로 그래픽 스크린을 사용하여 제작가능하다. 산광기와 창이 열린 마스크를 사용하면 주사레이저 빔에 의해서도시역의 재생이 가능한 홀로그래픽 스크린을 만들 수 있다
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
[구성]본 발명은, 열적으로 안정된 나노 결정립의 실리콘 결정상을 비정질 실리콘내에서 급속 열처리와 같은 후속 공정없이 직접 형성시키기 위하여, 실리콘 웨이퍼 기판 또는 상기 실리콘 웨이퍼 기판 위에 실리콘 산화막이 형성된 기판을 제조하는 단계; ECR-CVD 법으로, 상기 기판을 상온 내지 200℃의 온도 범위로 유지하고, 원료 가스로 고순도 실란을 사용하고 운반 가스로 불활성 가스를 사용하여 반응 챔버내의 압력을 7 - 9×10-4 Torr로 유지하면서, 상기 기판 위에, 비정질 실리콘 박막내의 실리콘 결정립의 직경이 나노미터 크기인 비정질 실리콘 박막을 증착하는 단계;로 이루어지는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립 제조 방법을 제공한다.1. 실리콘 위에퍼 기판 또는 상기 실리콘 웨이퍼 기판 위에 실리콘 산화막이 형성된 기판을 제조하고, ECR-CVD법으로, 상기 기판 위에, 비정질 실리콘 박막내의 실리콘 결정립의 직경이 10nm이하가 되도록 비정질 실리콘 박막을, 후속 공정 없이 성장 조절함으로써 상온에서 안정된 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 실리콘 박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립의 제조 방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 성장은, 원료 가스로 고순도 실란을 사용하고 운반 가스로 불활성 가스를 사용하여 반응 챔버내의 압력을 7-9×10/(4)Torr로 유지하여 행해지는 것을 특징으로 하는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립의 제조 방법.3. 제 1항에 있어서, 상기 기판의 온도를 상온 내지 200℃의 온도 범위로 유지하는 것을 특징으로 하는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립의 제조 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
<목적>AC FTEL을 이용한 휴대형 표시 시스템의 구성시 리프레쉬 구동법 및 주사 순서 반전 구동법 위해 요구되는 전원의 종류 수를 감소시키며, AC TFEL 구동시 AC TFEL 소자 양 전극간의 전위에 의해 빛을 발하게 되는 것을 감안하여 AC FTEL 소자에서 요구되는 상대 전위차를 이용한 구동 전압을 제공한다. <구성>2개의 전원 공급부와 이들 전압간의 상대 전위차를 이용하여 리프레쉬 구동에 필요한 3개의 전원을 공급함에 있어서, 전원 공급부(21)는 +Vth+Vm의 전압을, 전압 공급부(22)는 +Vth의 전압을 각각 출력하고, 상대 전위차 발생부(23)는 전원 공급부의 출력 전압(+Vth+Vm), +Vth을 이용하여 열전극에 공급한 전압 Vc, 기준 전압 Vg, 행전극 전압 Vr을 생성하게 된다. 그리고, 상대 전위차 발생부에서 출력되는 전압 Vc은 푸쉬풀 구조의 구동 집적 소자인 피모스의 소오스에 공급되고, 출력 전압 Vg는 피모스와 직렬 접속된 엔모스의 소오스에 공급된다. 그 피모스 및 엔모스의 게이트 신호에 따라 그 피모스의 드레인과 엔모스의 드레인 공통 접속점에서 열전극 전압이 출력되고, 또한, 상대 전위차 발생부에서 출력되는 전압 Vr은 오픈 드레인 구조의 회로 소오스에 공급되므로, 엔모스의 게이트 신호에 따라 이의 드레인에서 행전극 전압이 출력된다.1. 발광문턱전압+변조전압(+V..+V..)을 출력하는 전원공급부(21)와, 발광문턱전압(+V..)을 출력하는 전원공급부(22)와, 입력클럭신호를 직접, 지연 및 반전시켜 공급받고 상기 전원공급부(21), (22)의 출력전압(+V..+V..),(+V..)의 레벨로 스위칭한 후 오아, 앤드조합하여 연전극전압(V0), 기준전압(V..)을 공급받아 입력게이트신호에 따라 푸쉬풀동작하면서 연전극 전압을 출력하는 푸쉬풀구조의 구동 집적소자(PM21,NM21)와, 상기 상대전위차 발생부(23)로부터 행전극전압을 공급받아 입력 게이트신호에 따라 그 행전극 전압을 출력하는 오픈드레인구조의 구동 집적소자(NM22)로 구성한 것을 특징으로 하는 상대 전위차를 이용한 교류구동형 박막 전계발광소자 구동회로.2. 제 1항에 있어서, 상대전위차 발생부(23)는 입력클럭신호 소정시간 지연시키는 RC지연소자(R31,C31)와, 상기 RC지연소자(R31, C31)의 출력신호를 반전출력하는 인버터(I31)와, 상기 입력클럭신호를 반전출력하는 인버터(I32)와, 상기 입력클럭신호, 인버터(I31)의 출력신호에 따라 각기 스위칭되면서 발광문턱전압(V..)~GND레벨의 교류전압을 출력하고, 그 각 경로의 출력전압을 오아연산하여 기준전압(V..)을 생성하는 기준전압 발생부(4I)와, 상기 입력클럭신호, 인버터(I31)의 출력신호에 따라 각기 스위칭되면서 발광문턱전압+변조전압(+V..+V..)~GND레벨의 교류전압을 각각의 경로로 출력하고, 그 각 경로의 출력전압을 오아연산하여 열전극전압(V..)을 생성하는 열전극전압 발생부(42)와, 상기 인버터(I32)외 출력신호, RC지연소자(R31,C31)의 출력신호에 의해 각기 스위칭되면서 발광문턱전압+변조전압(+V..+V(m))~GND레벨의 교류전압을 각각의 경로로 출력하고, 그 각 경로의 출력전압을 앤드연산하여 행전극전압(V..)을 생성하는 행전극전압 발생부(43)로 구성한 것을 특징으로 하는 상대전위차를 이용한 교류구동형 박막 전계발광소자 구동회로.3. 입력클럭신호에 따라 구동전압(V..)을 스위칭하여 V..~GND레벨로 증폭 출력하는 전압 스위칭회로(Ⅱ)와, 상기 입력클럭신호를 반전출력하는 인버터(I11)와, 상기 인버터(I11)의 출력신호에 따라 구동전압(V.)을 스위칭하여 V..~GND레벨로 증폭되고, 상기 스위칭회로(11)의 출력신호와 반전관계의 전압을 출력하는 전압 스위칭회로(12)를 이용하여 상기 전압 스위칭회로(11),(12)의 출력전압으로 스위칭하여 그의 차전압(V..~-V..)을 얻을 수 있게 구성한 것을 특징으로 하는 상대전위차를 이용한 교류구동형 박막 전계발광소자 구동회로.4. 제 3항에 있어서, 전압 스위칭회로(11)는 입력클럭신호에 따라 온, 오프되는 포토커플러(PC11)와, 상기 입력클럭신호를 반전출력하는 인버터(I10)와, 상기 포토커플러(PC11)및 인버터(I10)의 출력신호에 의해 스위칭 구동되면서 상기 입력클럭신호에 동기된 V..~O[V]레벨의 전압을 출력하는 트랜지스터(Q11),(Q12)로 구성한 것을 특징으로 하는 상대전위차를 이용한 교류구동형 박막 전계발광소자 구동회로.
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- 2001-01-17
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
[구성]본 발명은 종래의 마스타 유리나 피에조 소자를 사용하지 않고, HOE 제작용 감광판과 물체로 사용되는 반사경을 포함하는 카세트를 굴절률 정합액 통에 잠수(Immerse) 고정시켜 구성한, 레이저 빔을 이용한 반사형 HOE 제작 장치에 관한 것이다. 본 발명의 장치에 따르면, 입사 레이저 빔에 의한 굴절률 정합액의 가열로 반사파의 위상을 교란시켜 기생 또는 의사 간섭 무늬를 제거한다. 이 굴절률 정합액은 그 내에 첨가된 적정량의 광 흡수 염료에 의해 가열이 가속된다. 홀로그래픽 감광판의 유액으로서 DCG를 사용하는 경우는 굴절률 정합액에 첨가되는 광 흡수 염료로서 이 DCG의 감광제를 사용하므로 DCG로부터 정합액 내로 이 감광제가 유출되어 나오지 못하게 된다. 본 발명의 장치에 따르면, 굴절률 정합액 통(Index Matching Liquid Bath) 외에는 별다른 반사파의 위상 교란 수단을 필요로 하지 않으므로, 제작이 용이하고 소정의 크기와 형태를 가진 고화질의 HOE를 만들 수 있다.1. 레이저 빔을 사용해서 반사형 홀로그래픽 광학 소자를 제작하기 위한 장치에 있어서, 물체로 사용되는 반사경, 및 상기 카세트를 수용하며 입사되는 레이저 빔을 흡수하는 영료가 함유된 굴절 정합액이 들어있는 통-상기 카세트와 상기 통 사이, 상기 홀로그래픽 감광판의 유액층과 상기 반사경의 반사면 사이, 그리고 상기 홀로그래픽 감광판의 상부에는 상기 굴절률 정합액이 채워짐-을 구비하는 반사형 홀로그래픽 광학 소자 제작 장치.2. 제 1항에 있어서, 상기 카세트 내의 홀로그래픽 감광판 위에 배치되어 있으며 상기 홀로그래픽 감광판과 동일한 굴절률을 가진 창문용 광학 유리판을 더 포함하며, 상기 홀로그래픽 감광판과 상기 광학 유리판 사이에는 상기 굴절률 정합액이 채워지는 반사형 홀로그래픽 광학 소자 제작 장치.3. 제 1항에 있어서, 상기 반사경은 상기 카세트 내부의 밑면에 반사면을 위로하여 배치되고, 상기 카세트에는 홈이 설치되어 있어서 노광 후 상기 반사경과 상기 홀로그래픽 감광판을 쉽게 꺼낼 수 있게 되어 있는 반사형 홀로그래픽 광학 소자 제작 장치. 4. 제 3항에 있어서, 상기 반사경과 상기 홀로그래픽 감광판 사이의 상기 반사경의 가장자리 부근에 상기 반사경의 반사경 표면과 상기 홀로그래픽 감광판의 유액층이 서로 접촉되지 않고 전 표면에 걸쳐 일정한 간격을 유지하도록 지지 블럭이 더 배치되며, 상기 지지 블럭의 수는 상기 홀로그래픽 감광판이 상기 반사경의 반사면 위에 가장 안정되게 배치될 수 있는 최소의 수인 반사형 홀로그래픽 광학 소자 제작 장치.5. 제 2항에 있어서, 상기 홀로그래픽 감광판과 상기 광학 유리판 사이에 채워진 굴절률 정합액은 상기 입사 레이저 빔에 의해 가열되며, 상기 가열로 인한 상기 굴절률 정합액의 굴절률 변화량은 상기 광학 유리판과 공기와의 접촉면에서 재반사된 빔의 광 경로차가 상기 입사 레이저 빔의 한 파장 이상이 되는 반사형 홀로그래픽 광학 소자 제작 장치.6. 제 5항에 있어서, 상기 굴절률 정합액은 모세관 현상에 의해 상기 카세트 내의 반사경의 반사면과 상기 홀로그래픽 감광판의 유액층 사이의 공간을 기포없이 채울 수 있는 특성을 가지는 반사형 홀로그래픽 광학 소자 제작 장치.7. 6항에 있어서, 상기 반사경과 상기 홀로그래픽 감광판의 유액층 사이의 공간 내에 채워진 굴절률 정합액이 상기 입사 레이저 빔에 의해 가열됨에 따라 생기는 상기 굴절률 정합액의 굴절률 변화량은 상기 반사경의 반사경 표면에서의 반사빔에 광 경로차를 주며, 상기 반사경과 상기 홀로그래픽 감광판의 유액층 사이의 거리는 상기 광 경로차가 상기 입사 레이저 빔의 1/10파장 이하가 되도록 정해지는 반사형 홀로그래픽 광학 소자 제작 장치.8. 제 2항에 있엇, 상기 창문용 광학 유리판은 노광 조건에 따라 형태가 다른것을 사용할 수 있는 반사형 홀로그래픽 광학 소자 제작 장치.9. 제 8항에 있어서, 상기 창문용 광학 유리판은 상기 굴절률 정합액 표면에 떠있고, 상기 입사 레이저 빔의 위치에 따라 상기 카세트와의 상대적 위치가 달라지는 반사형 홀로그래픽 광학 소자 제작 장치.10. 제 5항에 있어서, 상기 굴절률 정합액 속에는 상기 입사 레이저 빔을 흡수하는 염료가 포함되어, 상기 창문용 광학 유리판과 공기의 접합면 또는 상기 굴절률 정합액과 공기의 접합면에서 반사된 반사파의 위상이 교란됨으로써 상기 반사파와 상기 통 속의 다른 빔들과의 간섭이 일어나지 않는 반사형 홀로그래픽 광학 소자 제작 장치.11.제 1항에 있어서, 상기 굴절률 정합액이 들어있는 통의 입사 빔쪽에 있는 한쪽 면은 광학 유리에 의한 창으로 되어 있고 맞은편 면은 흡수성이 강한 중성 유리로 되어 있어, 상기 카세트 내의 반사경에서 반사된 빔이 상기 중성 유리에 의해 흡수되어 상기 입사 레이저 빔이 큰 입사각으로 상기 카세트에 입사하여도 반사파가 생기지 않도로고 되어 있는 반사형 홀로그래픽 광학 소자 제작 장치.
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- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
[구성]광원으로 레이저를 사용하고, 감광성 물질을 원통형 렌즈의 형태로 경화시킬수 있도록 레이저 광선의 강도 분포를 조절할 수 있는 마스크를 사용하여 레이저 광선을 주사시킴으로써, 원하는 특성을 가지는 렌티큘라 판 또는 릴리프 렌즈 라스터 스크린을 제작할 수 있는 방법이 제공된다. 본 발명에 의한 렌티큘라 판 제작 장치는 레이저 광선을 감광성 물질층에 조사하여 렌티큘라 판을 제작하기 위한 장치로서, 레이저로부터 생성된 레이저 광선을 소정 직경의 평행 광선이 되도록 하기 위한 광선 평행화기, 광선 평행화기로부터 출력된 레이저 광선이 소정 강도 분포를 가지도록 하기 위한 마스크, 감광성 물질층이 도포되어 있는 감광판, 상기 감광판과 상기 마스크 사이의 광경로 상에 배치되어, 마스크를 통과한 레이저 광선이 감광판 상의 감광성 물질층의 원하는 부위에 정확하게 맺히게 하기 위한 조절 수단, 감광판의 원하는 위치에 소정 강도 분포를 가지는 레이저 광선이 조사되도록 조절 수단 및 상기 마스크를 제어하기 위한 제어 수단을 포함하여 구성되어 있다.1. 레이저 광선을 감광성 물질층에 조사하여 렌티큘라 판을 제작하기 위한 장치에 있어서, 상기 레이저 광선을 소정 직경의 평행 관선이 되도록 하기 위한 광선 평행화기,상기 광선 평행화기로부터 출력된 레이저 광선이 소정 강도 분포를 가지도록 하기 위한 마스크, 감광성 물질층이 도포되어 있는 감광판, 상기 감광판과 상기 마스크 사이의 광경로 상에 배치되어, 상기 마스크를 통과한 레이저 광선이 상기 감광판 상의 감광성 물질층의 원하는 부위에 정확하게 맺히게 하기 위한 조절 수단, 및 상기 감광판의 원하는 위치에 소정 강도 분포를 가지는 레이저 광선이 조사되도록 상기 조절 수단 및 상기 마스크를 제어하기 위한 제어 수단을 포함하는 장치.2. 제 1항에 있어서, 상기 마스크는 소정 투과 함수를 가지는 개구면을 포함하여, 상기 평행화기로부터 출력된 광선이 상기 개구면을 통과함에 따라 소정 강도 분포를 가지느 ㄴ레이저 광선이 형성괴는 장치.3. 제 2항에 있어서, 상기 투과함수 T(y)는 +&alpha:-y-αI-IndxT(x)으로 표시되고, 여기서 x는 렌즈의 중심을 통과하는 원통형 렌즈의 장축 방향의 축 상의 좌표,y는 x축과 수직이며 렌즈의 중심을 통과하는 원통렌즈의 단축 방향의 축상의 좌표이고,w..는 입사 레이저 광선의 반경,...는 감광성 물질의 흡수 계수 (Absorption coefficoient), R은 렌티큘라 판상의 렌즈의 y방향 곡률 반경, l..는 레이저 광선의 중심에서의 광 강도, l..는 y방향으로 원하는 두께의 렌즈를 형성하기 위해 필요한 광 강도, T(x)는 x방향 투과함수로서 임의의 값인 장치.4. 제 3항에 있어서, 상기 입사 레이저 광선의 x 방향 및 y방향 직경이 서로 다른 장치.5. 제 2항에 있어서, 상기 개구면은 상기 소정 투과 함수에 비례하는 밀도 분포를 가지고 레이저 광선을 통과시킬 수 있는 물질로 이루어지며, 상기 개구면을 통과한 레이저 광선이 상기 소정 투과 함수에 해당하는 강도 분포를 가지는장치.6. 제 2항에 있어서, 상기 개구면은 레이저 광선을 통과시키면서 상기 소정 투과 함수에 비례하는 밀도 분포를 가지도록 조정이 가능한 공간 광 변조기이고, 통과된 레이저 광선이 상기 소정 투과 함수에 해당하는 강도 분포를 가지도록 하는 장치.7. 제 1항에 있어서, 상기 조절 수단은 상기 마스크를 통과한 레이저 광선이 감광판 상에 소정 크기로 조사되도록 하기 위한 수단 및 상기 마스크를 통과한 레이저 광선을 가로 세로 방향으로 이동시키기 위한 수단을 포함하는 장치.8. 제 1항에 있어서, 상기 조절 수단은 상기 마스크를 통과한 레이저 광선이 감광판 상에 소정 크기로 조사되도록 하기 위한 수단 및 상기 감광판을 가로 세로 방향으로 이동시키기 ㅜ이한 수단을 포함하는 장치.9. 제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 마스크를 통과한 레이저 광선이 감광판 상에 소정 크기로 조사되도록 하기 위한 수단은 회절 광학 소자를 포함하는 영상 광학용 렌즈인 장치.10. 제 1항에 있어서, 상기 감광판에 도포되어 있는 감광성 물질층의 두께는 제작하고자 하는 렌티큘라 판의 두께와 같거나 그보다 두꺼운 장치.11. 제 1항에 있어서, 상기 감광판은 도포된 상기 감광성 물질층이 광경화성 물질로 된 장치.12. 제 12항에 있어서, 상기 광경화성 물질은 DCG(Dichromatic Gelatine)인 장치.13. 레이저 광선을 감광판 상에 도포되어 있는 감광성 물질층에 조사하여 렌티큘라 판을 제작하는 방법에 있어서, 상기 레이저 광선을 소정 직경의 평행 광선이 되도록 하는 단계, 상기 평행화된 레이저 광선이 소정 강도 분포를 가지도록 마스킹하는 단계, 및 상기 마스킹된 레이저 광선이 상기 감광판 상의 감광성 물질층의 원하는 부위에 정확하게 맺히도록 조준하는 단계를 포함하는 방법.14. 제 14항에 있어서, 상기 마스킹 단계는 상기 평행화된 레이저 광선을 소정 투과 함수를 가지는 개구면으로 통과시키는 단계를 포함하는 방법.15. 제 14항에 있어서, 상기 투과함수 T(y)는 +&alpha:-y-αI-IndxT(x) 으로 표시되고, 여기에서 x는 렌즈의 중심을 통과하는 원통형 렌즈의 장축 방향의 축 상의 좌표,y는 x축과 수직이며 렌즈의 중심을 통과하는 원통렌즈의 단축 방향의 축상의 좌표이고,w..는 입사 레이저 광선의 반경,...는 감광성 물질의 흡수 계수 (Absorption coefficoient), R은 렌티큘라 판상의 렌즈의 y방향 곡률 반경, l..는 레이저 광선의 중심에서의 광 강도, l..는 y방향으로 원하는 두께의 렌즈를 형성하기 위해 필요한 광 강도, T(x)는 x방향 투과함수로서 임의의 값인 방법.16. 제 16항에 있어서, 상기 입사 레이저 광선의 x방향 및 y방향 직경이 서로 다른 방법.17. 제 15항에 있어서, 상기 개구면은 상기 소정 투과 함수에 비례하는 밀도 분포를 가지고 레이저 광선을 통과시킬 수 있는 물질
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 오렌지색 발광 산화인듐박막의 형성방법에 관한 것으로, 넓은 에너지 밴드갭(3.6 eV) 구조를 가진 산화인듐(In2O3)박막으로부터 상온에서 안정된 가시광의 발광특성을 나타내어 박막을 형성함으로써 가시광 영역의 광소자에 응용할 수 있도록 하는 방법을 제공하려는 것으로, 열진공증착기를 이용하여 인듐을 증착하는 공정과, 열처리공정에 의하여 미소결정립을 갖는 다결정 산화인듐박막을 형성함으로써 노화 현상없이 안정되고 강한 오렌지색(1.95 eV) 발광특성을 얻을 수 있다. 따라서 본 발명은 넓은 에너지 밴드갭 구조를 갖는 절연성 산화인듐 재료로부터 상온 가시광의 발광특성을 나타내는 미소결정립의 다결정구조를 제작하는 방법을 제공함으로써 광소자에의 응용가능성을 제공할 수 있는 것이다.1. 실리콘, 유리, 수정 및 몰리브덴 중에서 선택되는 어느 하나의 기판 위에 금속인듐을 80~200nm의 두께로 증착시키고, 상기 금속인듐을 증착된 기판을 질소가스분위기에서 500~900℃의 온도범위에서 30분 내지 2시간 동안 후열처리함으로써, 상온에서 안정된 오렌지색(1.95eV)의 발광특성이 있는 40~60nm크기의 미소 결정립을 갖는 다결정 산화인듐 박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 오렌지색 발광 산화인듐 박막의 형성방법
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
비정질 실리콘 양자점 미세구조를 포함하는 실리콘 질화물 박막, 이의 형성 방법 및 이를 이용한 발광소자에 관한 것이다.종래, 기저체 또는 장벽층의 재료로 실리콘 산화물, 실리콘 질화물을 이용하는 방법, 또는 미세구조를 비정질 실리콘으로 형성하는 방법이 제시되었으나, 발광효율 증가 및 발광의 단파장화에 한계가 있었다.실리콘 발광소자에 적용한 경우 발광효율을 높이고 단파장 발광이 가능한 실리콘 미세구조를 형성하기 위해 실리콘 질화물 기저체 및 상기 기저체 내에 형성된 비정질 실리콘 양자점 미세구조를 포함하는 실리콘 질화물 박막 및 이를 이용한 발광소자에 관한 것이다."비정질 실리콘 양자점 미세구조"는 실리콘 질화물을 기저체로 하고, 여기에 크기가 수 나노미터 수준인 미세한 비정질상의 실리콘 입자가 분산되어 있는 양자점 미세구조를 의미한다.실리콘 질화물 기저체 및 상기 기저체 내에 형성된 비정질 실리콘 양자점 미세구조를 포함하는 실리콘 질화물박막에 관한 것으로, 실리콘원 가스와 질소원 가스를 1:1000 내지 1:2000의 비율로 화학기상 증착법, 분자선 켜쌓기법, 이온 주입법 또는 플라즈마 증진된 화학기상 증착법등의 박막 성장 시스템에 공급하여 기판상에 상기 실리콘 질화물 박막을 제조하는 방법 및, 상기 실리콘 질화물 박막을 포함하는 실리콘 발광 소자를 제공한다.상기 박막을 채용한 실리콘 발광소자는 기존의 실리콘 반도체 기술을 그대로 활용하여 제작될 수 있으며, 발광효율이 우수하고, 녹색 및 청색과 같은 단파장 영역을 비롯한 가시광선 영역에서의 발광도 가능하다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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