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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
갈륨 질화물 (GaN) 계열 및 그와 관련된 질화물 합금들은 보라색 레이져 다이오드에 사용하는 고 밀도 데이터 저장 시스템을 위하여 그리고 고 젼력 전자 장치를 위하여 완벽한 시각적 광 스펙트럼 특성을 갖는 풀 칼라 발광 다이오드 (LED)의 재료로서 각광을 받고 있다. 커다란 직경의 GaN 기질이 거의 없기 때문에, GaN 그리고 InGaN, AlGaN 처럼 조합된 물질들에 기초한 장치들은 사파이어와 SiC와 같이 격자가 일치되지 않는 기질 위에 성장한 에피탁셜 박막 필름 위에서 제조된다. 기질과 에피탁셜 박막 필름간의 커다란 격자 불일치는1010 cm2 정도의 전형적인 나선의 전위 밀도가 생겨나게 된다. 이와 같은 높은 전위 밀도는 레이져 장치의 수명과 전자 장치의 캐리어 이동도를 제한하게 된다. 그리고, 도핑시에도 좋지 않은 영향을 미치게 된다. 한편, 측면 에피탁셜 과성장 (LEO)과 펜도에피탁시 (PE) 처럼 전위 밀도를 줄이기 위한 연구들이 진행되어 전위 밀도는 1010 cm2에서 108 cm2 까지 줄일 수 있었으나, 제조 과정동안의 복잡성 때문에 장치의 대량 생산를 위한 적용이 제한되어 있다. 특히, 우수한 특성을 갖는 장치에 적용하기 위해서는 더욱 낮은 전위 밀도를 필요로 한다. 본 기술은 단지 하나의 에피탁셜 성장 단계만으로 다양한 기질 위에 낮은 전위 밀도 GaN 및 관련된 합금 결정의 박막 필름을 제조하는 개발 기술이다. 또한, 본 기술은 Si 위에 GaAs, GaAs 위에 InP와 같이 다른 헤테로 에피탁셜 물질을 제조하는 기술에도 적용이 가능하다. 사파이어 구조 위의 GaN은 나선의 전위 밀도가 107 cm2 이하까지 줄어들었다.LEO와 PE법에 비하여 낮은 나선의 전위 밀도를 나타냄단지 하나의 에피탁셜 성정 단계를 가짐대량 생산이 가능하고 제조 단가가 낮음헤테로 에피탁셜 물질에 적용 가능
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
카본 나노 튜브 (CNT)는 나노기술에 있어서 꽃이라고 할만큼 가장 관심있는 기술이다. 카본 나노 튜브의 독특한 물리적 특성은 구조적 및 기능적 모양, 화학적 센서와 액츄에이터 그리고 생체학적 탐침기 등에 널리 사용되고 있다. 또한, 전자 장치 제조에 있어서 이와 같은 물질의 거대한 잠재적 능력이 증명되고 있다. 특히, p-n접합을 형성하기 위하여 두개의 CNT를 겹칠 때 우수한 특성을 나타내는 것으로 알려지고 있다. 그러나, 이와 같은 두 물질의 겹침은 튜브의 휘어짐이 발생하고 나노튜브 시스템에서 전기적 콘덕턴스 (저항의 역수)를 줄이게 된다.본 기술은 나노 튜브의 휘어짐이 발생하지 않고 나노 사이즈의 p-n-p 또는 n-p-n 접합을 만들어내기 위한 특별한 방법에 대한 개발 기술이다. 본 기술은 전기전자 장치 제조나 생체-나노 장치에 응용이 가능하고, 우수한 전기적 및 광학적 특성을 가진 접합 장치의 제조가 가능하다는 특성을 가지고 있다.두개의 나노 튜브의 겹침에도 휘어짐 없음나노 튜브의 겹침에 따른 전기적 전도성 감소 문제가 해결됨전기적, 생체학적 나노 장치의 제조가 가능
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
반도체 레이저는 획기적인 정보 전송 또는 저장 기술이다. 더 높은 통신 전송율, 대량의 데이터 저장 장치 그리고 모든 색상 디스플레이를 위해, 청색 발광과 같은 더 높은 주파수 반도체 레이저의 개발이 요구되고 있다. 그러나, 이와 같은 레이저에 대한 기술 개발은 기술적 어려움 때문에 제한점이 많다. 본 기술은 시각적으로 녹색과 청색 지역에서 발광하는 III-질화물 그룹에 기초한 고 효율의 VCSEL (vertical-cavity surface-emitting lasers)에 대한 구조와 제조 방법을 개발한 기술이다. 본 기술은 저가의 웨이퍼 생산 기술에 적합하다. 본 기술은 기존 기술에 비해 더 낮은 동작 전압을 가지면서도 효율은 향상되었다. 본 기술의 잇점 중의 하나는 거울 안에서 전위 장벽이 속박되기 때문에 VCSEL을 가로질러 더 낮은 시리얼 전압이 제공된다. 이와 같이 시리얼 전압이 제공되면, 전력소비는 줄어들고, 레이저 내의 열발생으로 인한 부수적인 효율이 증가하게 된다. 또 하나의 잇점은 우수한 전류 제한과 낮은 광학적 손실이다. 한편 본 기술은 최적의 효율을 나타내기 위하여 두가지 형태의 VCSEL을 개발하였다. 전기적으로 주입된 VCSEL : 본 기술은 장치의 활동층에 근접한 레이저 구멍 안에 접촉점을 둠으로써 효율을 높였다. 이와 같이 하면, 장치에서 저항이나 다른 전계 때문에 전자 손실의 가능성을 줄일 수 있다. 이런 접촉점은 VCSEL 출력 주파수에 있어서는 투명하다. 또한, 공기-갭 틈새를 만들기 위하여 선택적으로 애칭이 필요하게 된다. 이와 같이 하므로써, 광학적 손실을 줄이고 큰 면적의 접촉점을 가진 작은 측면 지역에 대해 전류를 제한하게 된다. 본 기술의 제조 물질과 방법은 상이한 온도 팽창 때문에 물질의 쪼개짐을 억제한다. 전자빔이 주입된 VCSEL : 본 기술의 레이저는 내부적인 전계-발광 전자 소스 또는 외부적인 전자 빔에 의하여 가동될 수 있고 높은 강도와 우수한 열-저하 특성을 가진 간단한 제조 특성으로서 특징지을 수 있다. 구멍 내부에 전계-발광 전자 소스의 제조는 거울을 통한 주입 전자를 전송하는 단계를 생략할 수 있다. 따라서, 전송 단계에서 발생하는 손실을 줄일 수 있게 된다.데이터 전송, 저장용 레이저 개발 기술기존 기술의 문제점인 청색 발광의 문제 해결최적의 효율을 나타내기 위하여 전기적으로 주입된 VCSEL과 전자빔이 주입된 VCSEL 두가지 형태의 장치 제
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
준-밀리미터와 낮은 밀리미터 파장 주파수를 가진 반도체 장치 발진기는 공명 터널 다이오드 (RTD)를 사용하도록 요구되고 있다. RTD는 반도체 장치에 있어 712GHz의 가장 높은 진동을 나타내도록 설계되었으며, 지금까지 역대 가장 높은 주파수 트랜지스터 발진기는 213GHz였다. 그러나, RTD는 효율적 응용을 어렵게 하는 불요(不要)진동 (타고난 직류 마이너스 저항 때문에 발생)을 나타낸다. 한편, 기존의 회로 석판 기술을 사용하여 장치의 동작 원리는 100GHz정도까지 실리콘 쌍극 트랜지스터의 주파수 능력을 업그레이드할 수 있다. 또한, HBT가 100 – 400GHz에서 쉽게 동작할 수 있도록 한다. 본 기술은 BIPOLITT (Bipolar Injection and Transit Time)라고 명명된 새로운 준-밀리미터와 낮은 밀리미터 파장 수송 시간 장치에 관한 기술이다. 본 기술은 RF 전력을 발생시키기 위하여 헤테로접합 쌍극 트랜지스터 (HBT)와 유사한 구조에서 드리프트 지역 안으로 쌍극의 주입을 사용하고 있다. 준-밀리미터와 낮은 밀리미터 파장 주파수에서 동작 특성은 RTD에 필적할만한 우수한 마이너스 저항과 효율을 나타낸다. 그렇지만, RTD의 문제점인 불요진동의 문제는 전혀 없다. 본 기술은 주입 잠금 증폭기 모드에서도 동작이 가능하며, 1THz까지 동작하는 초고주파 소스까지 응용 가능하다.기존의 HBT 기술을 응용한 새로운 기술 개발RTD에 비해 저렴하고 RTD의 단점 해결주입 잠금 증폭기 모드에서도 적용 가능기존의 IMPATT에 비해 우수하고 RTD에 필적할만한 동작 특성
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
산화물 반도체 전계 트랜지스터 (MOSFET)는 전류와 전압의 이득을 모두 제공할 수 있기 때문에 반도체 요소에서 폭넓게 사용되고 있다. MOSFET에 있어서, 게이트는 장치의 소스와 드레인 단자사이의 영역을 의미하게 된다. 전압은 게이트를 제어하기 위하여 사용되고 전류는 소스와 드레인 사이를 흐르게 된다. 게이트 길이는 소스와 드레인 영역사이의 거리를 나타내고 실리콘 기반의 MOSFET 장치에 있어서 중요한 요소이다. 본 기술은 수평의 터널 전류를 사용하므로써 MOSFET 장치에 있어서 게이트 길이를 측정하고 구하는 특별한 방법을 개발하였다. 본 기술은 대량 생산 라인에서 제조 과정의 조건을 제어할 수 있으며, CMOS의 기술에 응용할 수 있다. 한편, 본 기술은 0.1 마이크로미터 이하의 게이트 길이를 정확하게 측정할 수 있고, 간단한 조작법으로 인해 장치의 동작 특성을 보여주는 시간을 단축시킬 수 있다.게이트 길이 측정 가능대량 생산시의 제어 가능 (일정한 게이트 길이 제어 가능)수평 터널 전류를 사용한 정확한 계산
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
(In, Ga, Al)N 물질 시스템에 기초한 평면 레이저의 제조는 데이터 저장과 여가가지 시각적 광 응용장치의 발전에 크게 기여한다. 그러나, 현재의 기술들은 평면 반도체 레이저용 거울을 만들 수 없다는 단점을 가지고 있다. 본 기술은 갈륨-질화물과 다른 비큐빅 물질에서 절개면 거울을 만들기 위하여 시각적인 기술을 개발하였다. 본 기술의 원리는 비큐빅 기질 위에 에피탁시 하게 성장된 금속 질화물 처럼, 비큐빅 물질의 층에서 큐빅 평면을 따라 쪼개진 작은면을 제조한 것이다. 이와 같은 과정을 거쳐 최종적으로, 광학적으로 평평한 큐빅 반사 평면이 비큐빅 기질 위에 에피탁시 하게 성장된 층에 대해 수직적으로 제조된다. 한편, 비큐빅 기질 위에 에피탁시 하게 층을 성장시키는 것은 먼저, 비큐빅 기질 위에 완충층에 에피탁시 하게 성장시킨 후, 비큐빅층에 장치층을 성장시키게 된다. 비큐빅 기질 위에 층을 에피탁시 하게 성장시키는 것은 예로서, 사파이어 위에 GaN을 에피탁시하게 성장시키는 것을 포함한다. 본 기술은 GaN 레이져 제조 기술이 빠르게 발전할 수 있고, 대량 생산의 가능성을 제시하였다. 그리고 본 기술은GaN 레이저의 저항을 줄이고, 홀 주입 효율을 증가시키는 잇점이 있다. 한편, 질화물 레이저는 높은 온도에 잘 견디고 장수명의 특성을 가지고 있어 내구성이 중요시되는 응용 장치에 적합하다. 또한, In/GaN 물질은 모든 시각적 스펙트럼을 포함하는 넓은 스펙트럼 영역을 가지면서 새로운 디스플레이용으로 사용될 수 있는 가능성을 나타낸다. 본 기술은 GaN, 사파이어 그리고 ZnOdhk 같은 비큐빅 물질에서 평행의 절개면을 만들 수 있으며 다양한 파장의 레이저와 집적 회로 등의 여러 가지 장치에 적용할 수 있다. 본 기술은 레이저와 쌍극자 트랜지스터 같은 장치에서 중요한 홀 밀도를 크게 증가시키는 장점도 가지고 있다. 기존 레이져 재료들의 문제점들은 질화물 재료를 사용하므로써 많은 문제점들을 해결할 수 있고, 청색이나 자외선 평면 레이져 시장에서 각광을 받을 것이다.레이저용 거울 제조 가능홀 주입 밀도가 크게 증가모든 색을 낼 수 있는 스펙트럼 영역 포함높은 온도에 잘 견디고 수명이 길다.대량 생산이 가능
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- 2003-01-27
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 영상 탐지자를 이용하여 기존의 기술에 비해 15,000배나 빠르게 이차원 표면을 분석할 수 있다. 본 기술의 ChemMap 프로그램은 먼저 영상 탐지자를 통해 얻은 공간적으로 분석된 분광학적 정보로부터 일차원적인 화학 구성요소를 빠르게 계산한 후, 계산된 일차원적인 윤곽으로부터 만들어진 샘플에 대하여 이차원적인 화학 구성요소의 지도로 바꾸게 된다. 기존 기술이 화학적 구성요소에 대해 최종 분석까지 11시간이 걸리는 것에 비해 본 기술은 10분 정도의 짧은 시간 내에 화학적 지도를 그려낼 수 있다. 또한, 일반적으로 많이 사용되고 있는 IBM PC에서 사용할 수 있고, 운영 방법이 편리하다는 장점을 가지고 있다. 그리고, 데이터를 저장하기 위하여 40kB 정도의 작은 용량으로도 가능하고, 현재 사용되고 있는 전류 영상 탐지자 장치를 보충 할 수 있다. 본 기술은 일차원적 데이터를 가지고 이차원적 입체를 그릴 수 있기 때문에 반도체나 박막 필름 등과 같은 다양한 물질의 제조 공정에 사용할 수 있다.10분 정도의 짧은 시간에 데이터 수집40kB의 작은 데이터 저장 용량 필요IBM PC에서 운용 가능
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- 2003-01-27
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전기·전자 > 기타 전기시스템
본 고안은 현재의 요금표시 기능을 갖는 전력량계에 관한 것으로, 일반 가정 수용기에 설치하여 정밀전력량, 역률측정용 전일전력량, 역률측정용 무효전력량 및 최대 수요전력을 계측하여 사용자나 검침자에게 총사용 전력량, 월사용 전력량, 월사용 요금, 및 현재의 사용요금을 알려주도록 하여 전기의 사용에 따른 경각심을 불러일으키면서 절전을 실천할 수 있도록 한 현재의 요금표시 기능을 갖는 전력량계에 관한 것이다.일반적으로 전력량계라 함은 일정한 시간 내에 소비되는 전력의 합계를 누산하여 표시하면서 요금을 산정하는데 이용하기 위해 유효전력량을 검침하도록 한 것임은 이미 잘 알려진 사실이다. 그리고 유효전력량을 측정하기 위하여 보통의 전력량계를 이용하게 되면 전일 전력량 및 최대수요전력의 정밀한 측정을 위해 정밀 전력량계를 사용하고, 다시 역률 측정에 의한 무효 전력량을 측정하기 위하여 타임스위치와 무효전력량계를 추가로 설치하여야 하였다. 또한 수용가나 전력공급처의 입장에서 시간대별로 사용 전력량을 측정하여 전력수급계획을 세우는데 자료를 제공할 필요가 있다. 본 고안은 계기용 변류기와 조합하여 사용하며 정밀 전력량계, 역률측정용 전일전력랑계, 역률측정용 무효전력량계 및 타임스위치의 기능을 동시에 갖도록 하면서 시간대별로 사용 전력량을 표시하도록 한 복합계기를 제안하여 일부 이용하고 있다.본 고안은 변류기에서 측정한 전류치를 변환시킨 전압치와 계기용 변압기에서 측정하여 펄스폭을 변조한 전압치를 이용하여 유효펄스를 출력하고, 계기용 변압기에서 이상부 및 펄스폭 변조부를 경유한 전압치에서 위상값을 출력하며, 전류치에서 변환된 전압치와 상기 펄스폭 변조부를 경유한 전압치에서 무효펄스를 출력하고, 유효펄스와 위상값 및 무효펄스에 대하여 계기의 동작 및 상태, 전력량, 최대수요전력, 현재 수요전력 및 현재의 사용요금을 표시함으로써 사용자가 쉽고 간단하게 전력수급상태를 파악하면서 지금 불필요하게 사용되고 있는 전력의 유무를 알 수 있어 절전을 실행하기에 용이하도록 하였다.사용자가 쉽고 간단하게 전력수급상태를 파악하면서 지금 불필요하게 사용되고 있는 전력의 유무를 알 수 있어 절전을 실행하기에 용이하도록 함.
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- 2003-05-23
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
가스 이온 챔버, 액체 이온화 탐지자, 화합물 반도체 탐지자와 같은 방사선 탐지의 기초인 대부분의 이온화가 하나의 분극 형태인 전하 캐리어의 빈약한 수집 때문에 매우 힘들게 된다. 한 예로서, 기초적인 평행 전극 탐지자 형태를 사용했을 때 탐지자 에너지 분해능은 크게 감소하게 된다. 오래전부터, 가스와 액체 탐지자들은 하나의 캐리어 형태의 수집을 우선적으로 인식하는 허공에 매달린 그리드 전극 구조 (Frisch grid)를 사용하므로써 이와 같은 문제들을 해결할 수 있었다. 그러나 이 기술은 반도체 결정 내에 그리드 전극 구조를 만들기 어렵기 때문에 반도체 탐지자에는 적용하기가 매우 힘들다. 본 기술은 Frisch 그리드 대신에 준-평면 전극 구조를 사용한 특별한 전하 감지 기술을 개발하였다. 본 기술에서 개발한 새로운 준-평면 전극은 반도체 탐지자에 제조하기 쉽고, 빈약한 홀 수집에도 우수한 에너지 분해능을 나타낸다. 에너지 분해능의 특성 강화는 CdTe, CdZnTe, Hgl2 그리고 GaAs와 같은 혼합물 반도체에서 특히 우수하게 나타난다. 본 기술의 탐지자들은 실온에서 동작할 수 있고, 고가의 그리고 저온에서 사용되는 Ge 감마선 탐지자에 대항할 수 있는 기술로 오래도록 개발되어 왔다. 본 기술은 다른 기술에 비해 경쟁력 있고, 실용적이며 높은 분해능을 가진 실온 동작 특성이 강화된 반도체 탐지자이다. 또한, 본 기술의 전하 감지 기술은 높은 위치 감지 특성을 가지고 있기 때문에 간단한 펄스 증폭 장치를 사용하여 영상화를 실행하는 것도 가능하다. 이와 같은 특성은 공간적, 전력적인 소비가 많은 증폭기를 필요로 하는 전통적인 다중 요소 탐지자 시스템에 대비되는 특성이다. 본 기술의 가장 특성을 한마디로 다시 요약한다면, 높은 분해능과 높은 위치 감지 특성을 가진 실온 동작 반도체 탐지자를 만드는 것이 가능하다는 것이다.실온 동작 가능높은 분해능과 높은 위치 감지 특성준-평면 전극을 사용한 높은 전하 감지 능
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
복합 고분자는 고분자의 작용 잇점과 기계적 특성을 가지고 반도체의 특성이 결합된 특별한 반도체 물질이다. 발광 다이오드, 발광 전기화학 셀, 고분자 그리드 트리오드 (플라스틱 트랜지스터의 새로운 구조), 전계 트랜지스터, 광전지 셀, 광 탐지자 그리고 광연결기와 같이 복합 고분자로 만들어진 다양한 고성능 광학 장치들이 우수한 특성을 나타내는 것이 증명되었다. 즉, 광학 장치의 영역이라고 할 수 있는 모든 분야에서 우수한 특성을 나타낸다. 많은 경우에 있어, 이와 같은 고분자 기반의 장치들은 무기 물질에 견줄만하거나 오히려 보다 나은 특성을 나타내는 상태이다. 그러나, 아직 이와 같은 수준에 도달하지 못한 분야가 고상 레이저 분야라고 할 수 있다. 본 기술은 반도체 발광 복합 고분자인 고상 레이저를 개발한 기술이다. 복합 고분자의 박막 필름은 100W/cm2 정도의 증폭된 자발적 발산을 위한 문턱 특성을 보인다. 한편, 다양한 공명자 구조는 마이크로 구멍 레이저, 분할된 피드백 레이저, “속삭이는 통로 (whispering gallery)” 모드 레이저 같은 고분자 레이져에 사용되어왔다. 본 복합 고분자 레이져 기술의 특징은 적은 물질 손실을 가지며 높은 이득을 나타내고, 좁은 이득을 나타내며100W/cm2 정도의 문턱을 가진 증폭된 자발적 발산 특성을 보인다는 것이다.본 기술은 레이저 물질로서 독특한 특성을 갖는 반도체 발광 복합 고분자이며, 기존 기술들이 가지고 있던 문제점들을 해결한 기술이다. 또한, 본 기술은 마이크로 또는 그 이하의 이득 길이를 가지고 있고 따라서 마이크로 단위의 두께를 가진 박막 고체 필름으로써 낮은 주입 문턱을 가진 레이트 동작 특성을 보인다. 본 기술은 복합 고분자로 이루어진 고상 레이저 특성 층을 만들었다. 본 기술의 복합 고분자는 기저 상태와 여기 상태를 갖는 복합 고분자이고 묽지 않은 박막 필름을 형성한다. 이와 같이 하므로써 다음과 같은 특성을 갖는다. 1) 기저상태에서 적어도 10의 4승 정도의 흡수 계수와 1 마이크로 이하의 흡수 깊이를 가진 강한 흡수를 나타낸다, 2) 여기 상태에서 효율적인 발광 발산을 한다. 이 발광은 기저 상태 흡수에 비해 낮은 에너지쪽으로 이동한다. 3) 광에서 유도된 흡수에 의하여 뒤덮여지지 않는 자극된 발광을 나타낸다.복합 고분자를 고상 레이저에 적용할 수 없었던 문제점 해결복합 고분자가 마이크로 이하의 이득 길이를 가짐낮은 주입 문턱을 가지고 레이저가 동작함기저 상태에서 강한 흡수력을 나타내고, 여기 상태에서 효율적인 발광을 나타냄
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- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 반도체 결정의 성장을 제어하는 기술로, 액체수용, 수직경사 냉동법을 이용한 것이다.본 기술은 사용공정이 용이할 뿐 아니라, 열분해 보론 질화물 도가니에서 갈륨 아세나이드의 결정 성장동안 무작위적인 핵 형성과 적층을 막는다. 이와 같은 과정은 결정의 왜곡 밀도 (결정의 왜곡 현상이 일어나면 결정의 특성이 떨어지는 경우가 많음.)를 낮게하고, 결정의 직경을 제어할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 본 기술은 대표적으로 갈륨 아세나이드 결정 성장에 적용할 수 있지만 다른 반도체 물질의 결정 성장을 제어에도 적용될 수 있다. 본 기술은 왜곡 밀도가 낮고, 결정의 직경을 제어할 수 있으며, 무작위적인 결정 핵 형성을 제어할 수 있다는 특성을 가진다.무작위적인 결정 핵 형성 방지결정의 직경을 제어할 수 있음. 나노 결정 제조 가능결정의 왜곡 현상을 크게 줄일 수 있음
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- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
위폐검출장치 요약서[요약]본 발명은 위폐검출장치에 관한 것으로 특히 감별대상(위조지폐, 수표, 어음, 당좌, 상품권, 신용, 직불카드)을 위폐감출장치의 투입구에 넣으면 위폐검출장치에 의해 판별된다. 이장치는 크게 두가지로 대상물에 자외선과 자성이 서로 혼합하여 감별할 수 있도록 구성되어 있다.1. 자외선을 이용한 방식1)포토센서: 커버의 내측으로 투입 되었는지 판별하는 기능2)형광램프 구동회로부: 상기 포토센서의 출력신호에 따라 형광램프에 전원을 공급하여 점등 시키는 기능3)수광센서: 구동회로부에 통과된 감별대상물에 의해 반사된 자외선이 반사광량을 검출하는 기능4)제1 비교회로부: 상기 수광센서의 기능을 통해 검출된 자외선의 반사광량과 진폐에 의해 반사되는 자외선의 반사량인 기설정된 기준값을 서로 비교하여 진폐여부를 나타내며 비교 신호로 출력하는 기능2. 자성을 이용한 방식1)마그네틱 센서: 상기 커버의 내측으로 투입된 감별대상물에 함유하고 있는 자성을 검출하는 기능2)제2 비교회로부: 상기 마그네틱 센서를 통해 검출된 자장과 진폐에서 검출되는 자장인 기설정된 기준값을 서로 비교하여 진폐여부를 나타내는 비교신호를 출력하는 기능3)경고발생 구동회로부: 상기 제1 및 제2 비교회로부의 출력신호에 따라 부저와 발광다이오드를 구동하여 위폐의 검출을 사용자에게 사전에 알려주는 기능● 특 징1. 초정밀 위조지폐 감별 달러, 엔화, 위안, 어음, 수표, 상품권에 대하여 100% 감별2. 최첨단 멀티기능이 국내 최초의 계수형 위폐감별기 1) 달러, 외국화폐의 독특한 섬유질 2) 적외선(IR)을 통한 패턴인식 3) 마그네틱 잉크 4) UV 형광 램프 - 지질의 특성유지 5) 지폐의 함유된 철 성분 감지 인식3. 지폐 계수기형의 위폐감별기 지폐 계수기형의 신기술을 개발하여 지폐를 낱장씩 삽입하는 번거로움을 제거4. 고속의 정확한 계수 TYPE의 위폐감별 분당 900매 고속계수형 위폐감별기 빠른속도, 정확한 감별로 업무의 효율성을 극대화5. 사용자의 다양한 Needs에 대응 달러, 국내 고액권, 상품권, 카드에 대하여 사용자 용도에 맞게 선택사용이 가능6. 지폐의 투입방향에 관계없이 위폐를 감별 위폐의 전후, 앞뒷면, 상하 관계없이 사방향으로 투입 위폐감별시 발행년도 및 방향을 구분하는 번거로움 및 시간적 Loss를 제거7. Upgrade의 간편화 향후 발행될 신권 및 새로운 위폐에 대응할 수 있도록 설계, 순수 국내기술 및 소프트웨어를 개발하여 신속하게 업그레이드를 할 수 있습니다.
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- (주)제로원에스
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- 2002-10-12
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전기·전자 > 소자응용 기술
폴더형 휴대폰의 디스플레이부에 양측면에 스피커를 내장하여 소리를 스트레오로 들을 수 있도록하여 소리의 고급화를 추구하고, 또한 디스플레이부를 가로 방향으로 전환하여 동영상등의 정보를 보기 쉽게 하는 폴더형 휴대폰.폴더형 휴대폰의 디스플레이부를 기능적으로 발전 시켜 동영상을 보다 큰 화면에 구현하고 또한 소리의 고급화를 얻기 위하여, 입력부의 휴대폰 본체와 힌지로 연결된 홀더(holder)에 디스플레이부를 축으로 연결하여 90도 회전 가능하게 함으로서 디스플레이부를 가로 방향으로 전환할 수 있게하여 동영상 등을 사람에게 보다 익숙하고 편안한 가로 방향 화면으로 볼 수 있게 되고, 또한 디스플레이부의 양측면에 스피커를 내장하여 소리를 스트레오로 들을 수 있게하여 폴더형 휴대폰을 고급화 한것을 특징으로 한다.실용신안 및 의장등록을 마쳤으며 기술 이전과 관련하여 라이센싱 등 협의 가능합니다.
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- 2002-10-14
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
현재 기계적인 마이크로주입 장치는 많은 형태의 압전, 열, 형상 기억 합금 그리고 정전기 활동 메커니즘을 이용한다. 방향성 마이크로주입 시스템은 액츄에이터처럼 전기 영동, 자기수력역학 그리고 열적으로 유도된 표면 장력의 원리를 이용한다. 그밖의 방향성 마이크로주입 시스템은 유전체 필름 위에 전기습식 응용 (EWOD)이 있다. 이 기술에서 유전체 필름의 표면 특성은 전계를 사용하여 공수성의 또는 친수성의 상태로 변화시킬 수 있다. 이와 같은 과정은 표면 상태에 의존하여 표면 위에 액체의 작은 방울을 잇거나 펼칠 수 있게 한다. 본 기술은 표면이나 채널에서 액체 조각을 자르거나 움직이기 위하여 활동성 이동 원리를 가진 EWOD를 이용한 마이크로주입 시스템을 개발한 것이다. 본 시스템은 액체가 움직이는 것을 통하여 전극 영역으로 나누어진다. 액체와 전극 사이에 전기의 전위를 적용하므로써 영역의 공수성과 친수성 특성이 변화한다. 이와 같은 현상은 영역을 통하여 액체를 이동시킨다. 이 영역에서 연속적인 전위 공급에 의하여 비스듬히 움직일 수 있는 더 작은 조각으로 나누어질 수 있다. 이와 같은 시스템을 가진 장치가 디지털화된 유체 회로이다. 낮은 전력 소비를 가지고 액체의 효과적인 변형더 낮은 전압 및 에너지 소비 그리고 더 높은 속도기계적인 부품이 이동 불필요긴 수명과 우수한 신뢰
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
MEMS와 광학 장치들은 에어백, 화학적 센서, 생물학적 센서와 같은 다양한 센서분야에서 응용된다. 완전한 능동소자 MEMS를 만들기 위하여, 마이크로 엑츄에이터는 감지와 동작이 가능한 지능형 마이크로 시스템을 만들도록 개발되어야 한다. 그러나, 현재 MEMS 장치를 만들기 위하여 사용되는 IC 기반의 마이크로 기계화 과정은 이와 같은 목표를 성취하는데 많은 한계점을 가지고 있다. 대부분의 IC 기반 마이크로 기계화 과정은 높은 화면비를 가진 복잡한 3차원 마이크로 부품 생산이 불가능하다. 단지 몇 개의 반도체와 다른 물질들만 이와 같은 방법으로 제조될 수 있을 뿐이다. 또한, 이와 같은 방법은 스마트 세라믹, 기능성 고분자 그리고 금속 합금처럼 다른 중요한 공학적 물질들과 융합을 이루지 못한다. 이와 같은 기술에 대한 대안으로서 X선 LIGA와 마이크로 스테레오리소그래피 등이 있으나, 이 기술들은 산업에 적용하기 힘들고, 동작 비용, 제한된 분해능 그리고 제한된 대비 등의 단점이 있다. 본 기술은 3차원 마이크로 또는 나노구조를 만들기 위한 마이크로 스테레오리소그래피를 이용한 기술이다. 본 기술은 금속, 세라믹, 반도체와 같은 많은 물질로부터 3차원 구조를 만들기 위하여 동적 마스크를 사용하였다.복잡한 3차원의 마이크로 또는 나노 구조의 제조 가능다중의 마스크가 필요 없음활동성 마스크 사용
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
현재 질화물 기술은 극성을 가지고 c-축으로 성장한 질화물 필름을 이용하는데, 이와 같은 극성을 가진 c-축 성장은 헤테로에피탁셜 필름에서 보여지는 자발적인, 압전의 특성을 가진 분극의 배열 형태를 나타내는 것이다. “고유 (Built-in)” 정전계는 c-평면 질화물 구조에서 자발적인 그리고 압전 특성에서 유도된 분극으로부터 발생한다. 분극 영역은 광학전기 및 전자 질화물 장치의 실행 특성에 역효과를 줄 수 있다. 예를 들어, 분극 영역은 레이저 다이오드와 발광 다이오드에서 캐리어 재결합률을 줄일 수 있다. 그러나, 비극성의 질화물 반도체의 성장은 왈츠 질화물 양자 구조에서 분극에 의해 유도된 전계를 제거하는 수단으로 사용된다. 본 기술은 헤테로에피탁셜 a-평면 GaN 필름에서 왜곡 밀도를 줄이기 위한 방법을 개발한 것이다. 비극성 a-평면 GaN 필름에서 왜곡의 줄임은 독특한 측면 과성장 기술을 이용한 것이다. 낮은 왜곡 밀도를 가진 비극성 GaN은 높은 실행 특성을 나타내고 분극이 없는 (Al, B, In, Ga)N-기반 장치에 대해 버퍼 층으로 사용될 수 있다.질화물 반도체에서 왜곡 밀도를 줄임장치의 실행 특성 향상
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 고압대용량 전력변환 기술
본 고안은 소형 변압기에 관한 것이다.요즈음은 전자산업의 발달로 인해 많은 사람들이 이용하는 전기전자 제품들의 크기가 소형경량화 되고 있음은 이미 주지된 사실이다. 그리고 전기전자 제품을 구성하는 부품들 중에는 외부로부터 공급되는 전원을 기기의 특성에 맞는 전원의 크기로 변화시키는 변압기가 많은 크기와 무게를 차지하게 되므로 이로 인해 전기전자 제품의 크기나 무게를 줄이는 데에 한계가 있게 되었다.종래의 소형 변압기는 페라이트 코어에 의한 코어손과 1차측 및 2차측 권선의 코일손이 커지는 것을 방지하기 위하여 페라이트 코어를 다수 적층하였으므로 크기와 무게가 커지게 되는 단점이 있었다. 그리고 상기 페라이트 코어의 외부에 저항과 인덕턴스에 의한 목적하는 전원을 얻기 위한 1차측 권선과 2차측 권선을 감아주어야 하므로 코일의 굵기에 의해 크기와 무게가 늘어나면서 그에 따른 제작원가도 많아지게 되는 등의 문제점이 있었다. 따라서 변압기를 사용하는 전기전자 제품의 크기와 무게를 줄이는 데에 한계성을 갖게 되는 요인이 되었다.본 고안은 자기밀도가 높은 페라이트 코어를 G 코어 계열의 것을 사용하면서 적층되는 페라이트 코어의 수를 줄이도록 하고, 상기 페라이트 코어의 1차측과 2차측에는 직경이 작은 권선을 권취하면서 직경이 작아지는 데에 따라 변압기의 임피던스가 줄어드는 것을 방지하기 위하여 1차측 권선과 2차측 권선의 턴 수를 얼마간 늘려주도록 하여 저항과 전류에 의한 전압이 목적한 것과 동일하도록 함으로써 작은 페라이트 코어와 작은 직경의 코일을 사용하여 크기가 적어지면서 목적하는 전류와 전압을 얻을 수 있도록 한 것이다.작은 페라이트 코어와 작은 직경의 코일을 사용하여 크기가 적어지면서 목적하는 전류와 전압을 얻을 수 있음.
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-05-23
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일반기술
전기·전자 > 생활가전기기 (F43)
본 고안은 자외선 램프를 이용한 전기 조리기구에 관한 것으로, 특히 밥솥의 뚜껑 내면에 자외선 램프를 부착하여 조사되는 자외선에 의해 밥솥의 밥이 장시간 보관에도 부패하는 것을 억제하며, 각종 세균의 발생 및 성장을 저지하여 보온 상태에서 장시간 밥이 변하게 되는 현상을 방지하도록 한 자외선 램프를 이용한 전기 조리기구에 관한 것이다.일반적으로 밥솥은 밀폐된 용기의 내부에 쌀과 물을 적정량 넣은 후 히터에서 발생되는 열에 의해 익혀주어 밥을 짓는 취사에 많이 이용하고 있음은 이미 주지된 사실이다. 그리고 상기의 밥솥이 단순히 밥을 익히는 취사의 기능 외에도 익혀진 밥의 온도가 낮아지지 않도록 하면서 장시간 보존하도록 하는 보온의 기능을 겸하여 하고 있다. 즉, 취사 시에는 메인 히터와 보조 히터가 모두 발열하도록 하여 높은 온도에 의해 빠른 취사가 가능하도록 하고, 취사가 완료된 후에는 온도감지 결과에 의해 일정한 온도보다 낮아질 경우에만 보조 히터에 전기 에너지가 공급되도록 하여 보온의 기능을 갖도록 한다. 그러나 상기와 같은 종래의 밥솥은 밥을 취사한 후 보온할 때 보관 시간이 경과함에 따라 밥의 색상이 변하는 변색이 발생함은 물론, 냄새가 발생하여 밥맛이 매우 저하되는 단점이 있었다.더구나 요즈음 사용되는 많은 밥솥은 익은 밥이 상하지 않도록 하는 구성은 없고, 단지 일본국 공개특허공보 평5-31024호(취반기)에 의해 알려진 바와 같이 씻은 쌀을 취사시까지 밥솥에서 불릴 때 외부 온도에 의해 쌀과 물이 동결되는 것을 방지하기 위한 열원부를 갖는 취반기에 씻은 쌀과 물을 부패시키지 않도록 살균하기 위한 자외선, 마이크로파, 감마선,오존 등을 발생하는 장치를 구비하도록 한 것이 제안되었다.본 고안은 자외선 램프를 이용한 전기 조리기구에 관한 것으로, 밥솥 본체의 상단에 결합되어 개폐되는 개폐용 뚜껑의 내부에 내부 뚜껑을 부착하고, 내부 뚜껑의 저면에 자외선 램프를 설치하여 밥솥의 내부에 자외선을 조사하도록 하고, 자외선 램프에 공급되는 전원은 취사가 완료된 상태에서 뚜껑이 닫힌 경우에만 공급되고 뚜껑을 개방하면 전원의 공급이 차단되도록 함으로써 취사가 완료된 밥의 부패를 억제하고 각종 세균의 발생 및 성장을 저지하여 보온시 시간이 경과하여도 밥의 품질이 저하되지 않도록 한 것이다.취사가 완료된 밥의 부패를 억제하고 각종 세균의 발생 및 성장을 저지하여 보온시 시간이 경과하여도 밥의 품질이 저하되지 않도록 함.
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-05-23
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일반기술
전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)
본 고안은 냉온수기에 관한 것으로, 특히 물받이의 하부에 중량 센서를 설치하여 물받이에 특정 양의 잔수가 모이게 되면 이를 중량 센서가 감지하여 취출관에 설치된 밸브를 차단하도록 한 물받이의 만수 감지 센서가 설치된 냉온수기에 관한 것이다.종래의 냉온수기는 케이스의 상면에 생수통이 안착되는 물통받이가 설치되고, 케이스의 내부에는 냉수통과 온수통이 온수 연결관에 의해 연통 되어 상하로 구비되며, 상기 냉수통의 외주연부에는 증발기 파이프가 설치되는 한편 온수통의 하측에는 히터가 설치된다. 냉수통 및 온수통에서 각각 별도로 형성된 연결관은 케이스의 전면부에 노출되어 설치된 냉온수 취출구와 연결된 취출관과 연통 되고, 상기 냉수통과 온수통 및 연결관의 외주연에는 단열부재가 덮여 각각의 수온을 유지하도록 되어 있다. 이와 같이 구성된 냉 온수기는 상기 생수통을 냉온수기 케이스의 상면 물통받이에 생수통의 입구부가 하측으로 향하도록 안착시키면, 생수통의 생수가 아래 방향으로 흐르게 되고, 냉수통에는 생수가 직접 공급되며 온수통에는 온수연결관을 통해 생수가 공급된다. 일정량의 생수가 냉수통과 온수통으로 공급된 후에는 냉수통과 온수통에서 각 취출구를 통해 사용자가 원하는 물을 외부로 취출시킬 때마다 생수통에서 생수의 자중에 의해 냉수통과 온수통으로 일정한 수위를 유지하는 만큼의 생수가 항상 공급된다. 이때, 상기 냉수통으로 공급된 생수는 증발기 파이프에 의해 온도가 낮추어져 저온의 생수로 취출구를 통해사용자에게 공급되며, 온수통으로 공급된 생수는 히터에 의해 가열되고, 고온의 생수로 사용자에게 공급된다. 그리고, 소정의 목적으로 취출구를 개방하다가 또는 부주의로 인해 소량의 생수를 흘리게 되는 경우가 자주 일어나므로 취출구의 하단에 안착턱을 형성하고, 물받이를 얹혀 흘려진 물이 냉온수기 주위를 더럽히는 것을 방지하도록 한다.상기와 같은 구조에 의한 냉온수기의 전면 하부에 설치된 물받이에 소정량 차게 되면 사용자가 그 물받이 그릇을 강제 이격시켜 쏟은 다음 다시 물받이 안착턱에 얹혀 설치하는 것으로 이는 물받이 그릇을 번번이 착탈하여야 하는 불편함으로 인해 만수가 되었는데도 계속해서 사용하는 사용자 때문에 물이 넘쳐 바닥으로 흘러내리게 되므로 비위생적 이어서 보는 이로 하여금 불쾌함을 느끼게 하는 문제점이 있었다.본 고안은 종래와 같은 문제점을 해소하기 위하여 창안한 것으로, 물받이의 하단에 중량 감지 센서를 설치하고, 이 중량 감지 센서에 의해 냉온수를 차단하는 밸브를 구비하여 물받이에 잔수가 일정량이 되면 꼭 버려야만 물이 공급되도록 함으로써, 잔수가 넘쳐나지 않아 항상 위생적으로 사용할 수 있는 효과가 있다.물받이의 하단에 중량 감지 센서를 설치하여 냉온수기를 위생적으로 사용가능.
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-05-23
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일반기술
전기·전자 > 계측기기
본 기술은 다수의 마이크로폰을 배열한 어레이를 이용, 소음원의 공간적 위치를 규명하고 그 궤적을 추적하는 기술이다. 마이크로폰에서 측정하는 음압신호의 크기와 위상차를 이용하여 소음원의 공간적 위치정보를 탐지하는 장치로서 마이크로폰을 구성하는 방법과 측정한 음압신호로부터 소음원의 위치정보를 추적하는 신호처리기술이 포함된다.외국에서도 일부 기업만이 상용화를 시도하는 신기술임. 외국의 경우 교통, 대규모 소음발생시설, 군사적 목적 등으로 폭넓게 응용되고 있는 기술임.● 활용가능분야- 교통, 수송기계, 일반기계장치 등에서 소음원 규명(군사적 이용포함)- 산업 공정에서 기계이상신호 탐지- 상시 원격감시 시스템 설계 및 제작- 화상회의, 원격교육 등에서 말하는 사람 자동추적장치 제작
- 보유기관
- 한국표준과학연구원
- 등록일
- 2006-05-23
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