일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
축전지용 커넥터에 관한것으로, 본 고안의 커넥터는 축전기선과 축전지선이 양단에 각각 마련되며, 일측 상면에는 축전지의 단자가 각각 삽입되며 상대적으로 큰 직경을 갖는 단자 삽입구명이 상,하로 관통 형성된 도전성 몸체와 몸체의 각 내면에 길이 방향으로 슬라이딩이 가능하게 설치되며, 그 일측면에 단자와 동일 반경을 갖는 가압홈이 형성된 슬라이더와 슬라이더를 선택적으로 가압하여, 단자를 몸체의 단자 삽입구멍상에 가압지지하므로써, 인접된 축전지간의 단자를 선택적으로 접속 및 단락시키는 스위칭 수단을 포함한다. 따라서 축전지들간의 단자접속 및 분리가 매우 용이하여 작업성의 향상을 꾀할 수 있으며, 특히 쇼트 등에 의한 감전사고를 미연에 방지할 수 있게되고, 장시간 사용에도 변형이 발생되지 않음으로써, 부품교환이 불필요하여 단가절감을 도모할 수 있다.새로이 설계된 커넥터는 기존의 전기자동차용으로 2000년까지 사용되리라 예상되는 연축전자용의 단자에 적합하도록 설계되었으며 볼트와 너트를 이용하지 않고 커넥터에 연결된 스위치를 좌우로 누름으로써 내부의 슬라이더의 이동에 의해 축전자단자를 잡거나 놓을 수 있다. 연결방법으로는 커넥터(1)과 같이 축전지선내부에 스위치를 넣어 좀더 안전한 설계가 될 수 있고 또한 거넥터(2)와 같이 스위치를 외부로 두어 축전지선에 흐르는 전류의 흐름을 원활하게 하는 설계가 될 수도 있다. 제작시 스위치를 제외한 모든 부분은 납으로 제작하고 스위치부는 플라스틱류의 전기가 흐르지 않는 재료를 이용한다. 커버는 플라스틱으로 제작하여 전체적인 커넥터를 덮게하여 안전한 연결부위가 되게한다.
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- 한국자동차연구원
- 등록일
- 2004-11-09
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기시스템
일반 상용차 수동변속기의 Change Lever Transmission이 기계적으로 직접 연결되어 운전자가 변속시 조작성 및 조작력에 어려움을 겪고 잇으니 공압제어형 상용차변속기제어시스템(ACT System)은 Change Lever 와 Transmission 의 기계적인 연결을 전기-공기-제어기구 등으로 사용하므로써 조작력 및 조작성을 크게 향상시켜 운전자에게 피고경감, 정비자에게 유지관리의 편익을 제공하는 변속장치 특히 공압제어형 상용차변속기제어시스템(ACT System)용 TCU를 개발하는데 목적이 있다.자동차에 있어서 엔진의 회전력은 회전속도의 변화에 관계없이 거의 일정하지만 출력은 회전속도에 따라서 크게 변화하는 특성이 있다 그러나 자동차가 필요로하는 구동력은 도로의 상태, 주행속도, 적재하중 등에 따라 변화된다, 이같은 상황을 해결하기 위하여 사용되는 것이 Transmission으로써 엔진과 추진축 사이에 설치하여 엔진의 출력을 자동차의 주행속도에 알맞게 적절한 단수로 Change Lever를 변속하면 Transmission은 회전력과 속도를 바꾸어서 구동바퀴로 전달하는 기능을 수행한다.
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- 한국자동차연구원
- 등록일
- 2004-11-09
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
산업의 고도성장으로 인하여 많은 공장 및 연구소, 학교, 공공시설물 등에서 폭발성 가스 및 유동성 가스의 생산, 저장, 운송, 사용, 폐기 등으로 인한 폭발사고 및 안전사고로 산업재해가 빈번히 발생되고 있다. 이러한 가스에 의한 위험성은 가연성에 의한, 폭발, 독성가스에 의한 중독, 산소과잉에 의한 물질의 이연화, 산소결핍에 의한 급성중독 등 여러 가지로 존재한다. 그래서 본사에서는 반도체 집적회로 공정을 이용하여 저전력, 저가의 고기능 가스센서를 제조하는 기술을 개발하였다. 이 기술은 여러가지 유해성 혼합가스를 종류별로 구분하고 그 농도를 검지하는 기술이다.본 기술은 가스센스에 관한 것으로, 다음과 같은 특징이 있다.- MEMS를 이용한 가스센서 제조 - 마이크로 센서 ARRAY 형태(2종 이상의 감지막 이용) - 고감도 감지막 제조 및 혼합가스 분류기술 (신경회로망 이용)따라서 본 기술은 가연성에 의한, 폭발, 독성가스에 의한 중독, 산소과잉에 의한 물질의 이연화, 산소결핍에 의한 급성중독 등을 미연에 방지할 수 있는 것이다. 즉 공장 및 연구소, 학교, 공공시설물 등에서 폭발성 가스 및 유동성 가스의 생산, 저장, 운송, 사용, 폐기 등으로 인한 폭발사고 및 안전사고로 산업재해를 방지할 수 있는 것이다.
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- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2004-11-09
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
종래의 기계적 마찰음은 운전자의 신체적 상태 및 자각 상태에 따라, 브레이크 패드의 마모를 경고하기에 불충분하며, 마모의 심각성이 진행되어 차량의 제동 효율을 떨어뜨릴 수 있다. 또한 와이어의 단락에 의한 경고장치는 일반 운전자에게 사전 경고 기능이 없으르로 사고의 위험요소가 존재한다. 이에 본 발명은 브레이크 패드의 마모 정도에 대한 정보를 운전자에게 보여줌으로써 정상적인 제동보다 마모가 진행되었음을 알려주며, 동시에 제동에 대한 대비를 하게 할 수 있으며, 심각한 마모가 발생하기 전에 브레이크 패드의 교체와 같은 대응을 할수 있게 한다. 브레이크 패드의 마모 경고장치에 관한것으로, 브레이크 마찰에 의한 점짐적인 마모가 안전 및 제동특성을 고려한 설정치보다 커지게 되면 운전자에게 브레이크 패드의 마모에 대한 경고를 보내주는 장치 기존의 차량은 기계적 마찰음에 의하여 운전자에게 브레이크 패드의 마모를 경고해주지만, 노약자 및 청각장애인처럼 마찰에 의한 소음으로 브레이크 패드의 마모를 판단하기 어려운 운전자일 경우에는 브레이크 제동 및 안전성에 문제가 발생한다. 이와같은 문제점을 해결하기 위해 브레이크 패드의 마모 정도를 검지하는 경고장치를 통해서 운전자에게 시각적으로 브레이크 패드의 정보를 제공해줌으로써 급작스러운 위험상황에 대처하는 것을 특징으로 한다.
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- 한국자동차연구원
- 등록일
- 2004-11-09
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자요소 기술
통상적으로 EL시트는 물질의 열방사와는 다른 원리로, 전계를 걸어주는 것에 의해 빛을 내는 소자로서 알려져 있으며, 통상적으로 LCD(Liquid Crystal Display)의 후면발광체, 광고용 조명 램프 등으로 널리 사용되어져 왔다. 또한, 최근에는 시트별 형태에 적당한 크기로 제작되는 것이 좋은 응용물 예컨대 팝 광고물, 액자, 간판 등의 사인(sign)물에 더욱 광범위하게 사용되고 있는 실정이다.본 기술은 초박형필름에 원하는 도안 및 디자인 형태로 형광층, 유전층, 전극 및 보호층을 스크린 프린팅으로 인쇄하여 초슬림 발광포스터를 제조하는 기술로서 광고, 인테리어, 조명 뿐만 아니라 특수복, 안전관리 제품 등 그 적용범위가 무궁무진하다.각종 응용물의 사인 또는 광고용 조명 램프 등으로 사용되고 있는 전계발광시트(EL시트)의 개선된 제조방법이 개시되어 있다. 응용물의 제작과정에서 발생되는 재료 로스 및 제작 작업의 번거로움을 해결하기 위한 전계분할 발광포스터의 구조는, 투명전극인 ITO필름의 상부에 형광체 보호용 투명 절연층을 형성하는 공정과; 상기투명 절연층의 상부에 분할발광 구조를 갖도록 설정된 패턴형태로 형성된 형광층과, 상기 형광층의 상부에 형성된 절연층과, 상기 절연층의 상부에서 상기 형광층과 같은 패턴의 배면 전극과, 상기 배면 전극의 상부에 홀들을 형성시키는 분리발광면 절연막과, 상기 분리발광면 절연막의 홀들을 연결하여 상기 배면 전극에 전원을 공급하기 위한 홀 연결 버스 바를 형성하는 특징에 의해 형광체 파괴 현상에 기인한 수명감소를 방지하고 응용물의 형상대로 전계발광시트를 제조함으로서 응용물 제작의 소재로만 이용되어 오던 것을 직접 응용물로 제작함으로 그 활용 범위가 넓어진다.본 기술을 통해 얻을 수 있는 효과는 다음과 같다.-초박형 초슬림으로 설치공간이 자유로움. -냉발광형으로 화재의 위험이 없다. -초절전형으로 기존 광고물에 비해 70%전력 절감 -스크린 인쇄기법으로 양산이 용이
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- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2005-01-03
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 비정질 실리콘의 높은 광 감도를 이용해, 유리기판 위에 증착하여 만든 광센서로 광학 및 보조장치들을 필요로 하지 않아 가격 및 크기에 큰 경쟁력을 가지고 있다. 기존의 CCD 타입은 보통 Linear Type의 센서이며, CMOS는 면적을 스캔하는 센서이기는 하나, 그 크기에 규제를 많이 받고 있다. 하지만, 본 센서는 Glass 위에 TFT-LCD 라인에 의해 생산이 되어져 면적에 구애받지 않는 센서 Array를 제작할 수 있다. 이러한 생산 양식은 얇고 넓으며 렌즈나 구동 모터 등이 필요치 않은 박막 트랜지스터형 광센서를 제작 가능하게 한다.- 센서 Array를 구성하는 각 단위 Cell 중심의 투명 창을 통해 빛을 통과시킨다. - 각 단위 Cell의 센서부는 대상체에서 반사된 빛에 반응을 하게 된다. - 대상체의 명암차이로 인해 전류 발생량이 다르게 되며, 이러한 차이를 전압으로 변경하여 이미지화 하게 된다. - 감광성을 최대화하기 위해 Photo-Sensor와 Document간의 거리가 최소화 될수 있도록 설계가 되어져 있다. 현재 박막 트랜지스터형 광센서를 사용한 스캐닝장치는 출시되어있지 않으며 반도체 센서를 사용한 제품들이 출시되어있다. 그 중 명함인식기의 경우, 여러 회사에서 제품을 생산하고 있으나, 제품에 거울이나 프리즘과 같은 광학기기 사용으로 두께와 무게가 증가하여 휴대용으로 사용하기에는 무리가 있다. 우리가 제안하고 있는 양면스캐너는 양면을 스캐닝 하면서도 기존스캐너보다 슬림하여 1cm이하의 얇은 두께의 제품을 구현할 수 있을 뿐만 아니라, 그 무게 또한 기존 스캐너보다 가볍다. 기존 스캐너에 대한 또 다른 경쟁우위들은, 본 스캐너가 총 면적을 같은 시간에 스캔하는 area 형태인데 반해 기존 스캐너의 경우 스캔 대상물을 따라 linear 형태로 스캔을 하기 때문에, 속도 또한 본 스캐너가 상대적으로 빠를 수밖에 없으며, 대상물의 왜곡도 거의 없다. 뿐만 아니라 기존 스캐너와 같이 전압구동 방식의 변환기를 사용하지 않아 칩면적이 작아졌고 전력소비가 적어 휴대용 기기에 매우 적합하다.
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- JSCNI
- 등록일
- 2004-11-12
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 반도체 공정에서 웨이퍼의 고정 및 이송에 사용되는 척으로써 세라믹 유전체와 세라믹 전극을 사용하여 균일하고 높은 척력을 나타내는 신개념 세라믹스 정전척 제조 기술- 반도체 공정의 대구경화에 따라 균일한 척력을 나타내는 정전척의 수요가 급증하고 있으며 그 해결 방안이 세라믹스 정전척임.- 그러나 대부분의 세라믹스 정전척은 금속 전극을 사용하고 있으며 세라믹스와 금속사이의 특성의 부조화로 계면 균열발생, 내구성 저하, 척력의 불균일성 등의 문제가 대두됨.- 반면 본 기술의 세라믹스 전극을 정전척에 사용할 경우 상기의 문제를 해결할 수 있으며 독창적인 원천기술이기 때문에 세라믹스 정전척 시장의 대부분을 점유하고 있는 일본의 기술 독점에 대응할 수 있음.- 그 외에 공업용 정전척 분야에도 활용 가능함.- 종래의 금속 전극 대신에 전도성 세라믹 전극을 이용한 정전척으로써 유전체 세라믹스 층과 물성이 유사한 세라믹스 전극을 사용하기 때문에 상호 접합성이 좋고 열팽창계수 차이가 없어 계면 균열등이 발생하지 않아 내구성이 우수함.- 유전체증과 전극층이 호환성이 우수하여 면상 전극의 설계가 가능하기 때문에 면적에 관계없이 균일한 척력을 발생시킬 수 있어 대구경 웨이퍼 공정에 적합- 직류전압 (3kV) 인가시 최대 흡착력 1685gf 발생 (4inch 웨이퍼 기준)
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- 한국화학연구원
- 등록일
- 2004-11-15
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 종래의 반사경을 이용한 대칭형 광섬유 격자 제조 장치를 레이져 빛이 광섬유에 보다 용이하게 대칭적으로 조사되도록 개선하여, 복굴절 현상을 더욱 현저하게 감소시켜 편광에 따른 광섬유 격자의 피크 변화를 더욱 크게 줄일 수 있고, 그에따라 편광에 따른 손실차를 크게 낮출 수 있도록 한 것이다. 본 기술은 이송수단의 구동에 따라 광섬유의 양단을 잡고 주기적으로 직선 이동하는 광섬유 이동장치 광섬유 이동장치와 별도로 고정 설치되고, 그 중심부에 광섬유가 지나는 홀이 형성된 45°경사의 거울, 거울로부터 소정의 거리로 떨어진 위치에 광섬유 이동장치와 별도로 고정 설치되고, 그 중심부에는 광섬유가 지나는 홀이 형성된 오목 반사경, 거울의 위쪽에 고정 설치된 애퍼쳐(aperture)를 갖는 링, 링의 위쪽에 고정 설치된 제2볼록렌즈, 제2볼록렌즈의 위쪽에 고정 설치되어 광원으로부터 빛을 최초로 통과시키는 제1볼록렌즈로 구성된 개선된 반사경을 이용한 대칭형 광섬유 격자 제조 장치를 제공한다.본 기술에 따른 개선된 반사경을 이용한 대칭형 광섬유격자 제조 장치에 의하면, 종래의 반사경을 이용한 대칭형 광섬유 격자 제조 장치와는 달리, 레이져 빛이 광섬유에 보다 용이하게 대칭적으로 조사되도록 반사경 및 부수 장비를 고정 설치하고, 광섬유 이동장치를 이용하여 광섬유를 주기적으로 이동시키는 방식을 채택함으로써, 복굴절 현상을 더욱 현저하게 감소시켜 편광에 따른 광섬유 격자의 피크 변화를 더욱 크게 줄일 수 있고, 그에따라 편광에 따른 손실차를 크게 낮출 수 있다. 그에따라, 기존의 대칭형 광섬유 격자보다 수득율이 높고 특성이 좋은 광섬유 격자를 제조할 수 있다. 또한, 본 기술의 장치에 의하여 제조된 광섬유 격자는 광필터와 광섬유 분산보상소자에 유용하게 적용할 수 있는데, 즉 기존의 광섬유 격자로 제조된 필터보다 투과특성이 우수하고, 특히 복굴절율을 극감시켜 편광에 민감한 시스템에 유용하게 적용할 수 있고, 또는 분산보상용으로 사용되는 광섬유 격자의 길이는 수십 cm 에서 수십 m로 비교적 길기 때문에 복굴절이 큰요소로 작용하는 바 본 기술의 장치로 제조된 광섬유 격자는 복굴절성을 극감시켰으므로 길이가 긴 광섬유 격자 응용 소자에 매우 적합하게 적용할 수 있다.
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- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 등록일
- 2004-11-12
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 에피 구조의 패턴을 먼저 형성한 후에 에피 구조를 결정 성장함으로써 인듐 성분이 높은 채널층의 두께 증가를 실현하여 속도 특성 및 잡음 특성을 향상시킬 수 있도록 한 고속 전자 이동 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로 평면형의 기판 위의 넓은 면적에 p-HEMT 에피 구조를 먼저 결정 성장한 후 메사 구조로 식각하는 방식으로 p-HEMT 소자를 제조하는 전술한 종래 방법과는 달리, 마스크를 이용하는 식각 공정으로 반도체 기판상에 메사 패턴 또는 트랜치 패턴을 먼저 형성한 후 또는 유전체막을 이용하여 패턴을 형성한 후 에피 구조를 결정 성장한다.본 기술은 메사 패턴이 없는 기판에 에피 구조를 성장하는 것에 비해 채널층의 인듐 성분을 더 높게 성장할 수 있어 채널층의 전자 속도를 더욱 향상시킬 수 있고, 채널층을 두껍게 형성할 수 있어 채널층내 2차원 전자의 밀도를 증가시킬 수 있다. 또한 메사 패턴 외부에서 발생하는 미스피트 디스로케이션에 영향을 받아 메사 패턴 내부에서 미스피트 디스로케이션이 증가하게 되는 것을 확실히 차단할 수 있어, 종래 방법에 따라 제조되는 p-HEMT 소자에 비해 속도 특성 및 잡음 특성을 대폭 개선할 수 있다.
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- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 등록일
- 2004-11-12
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술의 공진 터널링 전자장치는 복수 개의 비정질 실리콘 양자점이 분포하는 전위 장벽층을 포함함으로써, 전자의 공진 터널링 효과를 증대시켜 상온의 낮은 동작 전압에서 높은 피크 전류와 낮은 피크 전류를 구현할 수 있어서 높은 피크-밸리 전류비를 얻을 수 있다.본 기술은 초고속 논리장치 및 스위칭 장치 등으로 응용 가능하다. 또한, 실리콘 양자점의 개수를 변화시켜, 양자 속박 준위의 변화 및 양자 속박 준위의 개수를 변화하는 등 다양한 형태로 반도체 장치의 논리 소자로서 응용 가능하다. 본 기술의 공진 터널링 전자장치는 에미터층과 콜렉터층 사이에 위치하도록 기판 상에 형성되며 복수 개의 비정질 실리콘 양자점이 분포하는 전위 장벽층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 등록일
- 2004-11-12
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술은 MOSFET용 에피구조물 및 이를 이용한 소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 기술의 제 1측면에 의한 본 기술의 에피구조물은 반절연 InP 기판과, 기판상에 성장시킨 불순물이 도핑되지 않은 InAlAs 또는 InP 버퍼층과, 버퍼층상에 성장시킨 InGaAs 채널층과, InGaAs 채널층상에 성장시킨 InP 산화방지층 및 InP 산화방지층상에 성장시킨 고농도 N형 불순물로 도핑된 InGaAs 오믹/산화층을 포함하는 MOSFET용 에피구조체를 포함한다. 또한 본 기술은 구조의 에피 구조물을 이용한 소자 제작시 산화막의 형성단계에서 액상산화공정 및 산소플라즈마 처리공정의 2단계 산화공정을 수행하여 안정적이고 균일한 소자특성을 가지는 소자를 구현할 수 있다.본 기술의 InGaAs 채널 및 InP 채널 MOSFET 에피 구조는 양질의 균일한 산화막을 형성할 수 있도록 설계되어 균일한 특성의 소자를 제작할 수 있고, 수율이 높은 MMIC의 개발에 활용될 수 있다. 또한 본 기술의 InGaAs 채널 및 InP 채널 MOSFET 에피 구조를 이용한 소자 제작 공정은 낮은 오믹 저항, 낮은 누설 전류, 높은 항복전압 등의 우수한 특성을 갖는 InGaAs 또는 InP 채널 MOSFET의 제작을 가능하게 하여 GaAs MOSFET을 이용한 MMIC에 비해 속도 특성, 잡음 특성, 전력 특성 등이 우수하고, 초 광대역의 신호처리에 사용될 수 있는 MMIC의 개발에 활용될 수 있다.
- 보유기관
- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 등록일
- 2004-11-12
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일반기술
전기·전자 > 소자응용 기술
본 기술은 다중모드 광도파로에서의 모드 필터링 및 선택 방법과 그를 이용한 광도파로 증폭기, 반도체 레이저, VCSEL에 관한 것으로서, 광도파로의 클래드 부분에 주기적인 굴절률 변화를 줌으로써 얻을 수 있는 필터링 또는 선택효과에 의해 단면 방향에 대하여 단일모드만이 도파될 수 있도록 하고, 이를 EDF, 반도체 레이저, VCSEL 등의 광소자에 적용하는 것에 관한 것이다.본 기술의 모드 필터링 방법은 코어와 클래드로 이루어진 다중모드 광도파로의 클래드 부분을 주기적인 굴절률 구조를 갖도록 하여 어느 특정 모드의 단면 방향 파장에 대해서만 반사율을 크게 하고 그외 다른 모드에 대해서는 반사율을 작게 함으로써 다중모드의 어느 특정한 모드만이 도파로를 따라서 투과됨을 특징으로 한다.
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- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 등록일
- 2004-11-12
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
본 기술은 마이크로 어셈블리(mico assembly) 등에 있어서 마이크로 일레트로 미케니칼(microelectro-mechenical, MEM)시스템에 관한 것으로, 특히 장거리 구동이 가능한 5개 또는 6개의 회전관절을 갖는 마이크로 구동기에 관한 것이다.본 기술에 따른 마이크로 구동기(100)는 소정의 폭과 길이로 된 상부측의 2개의 연동바(121,122)가 회전목관절(17)로 회동가능하게 연결되고 각 연동바(121,122)의 타측단부에 각각 구동 증폭바(111 또는 112)가 회전어깨관절(161 또는 162)로 회동가능하게 연결되어 대략 5각형 형태를 취하고, 두 개의 구동증폭바(111, 112)는 소정의 간격을 갖고 나란히 배치되어 그 각각의 자유단부를 각각 기판에 회전고정관절(151, 152)로 회동가능하게 고정되어 2자유도 움직임을 갖도록 함에 그 특징이 있다.
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- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 등록일
- 2004-11-12
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 기존의 Ballistic 콜렉터 HBT 구조에서 전자 발사구조를 형성시키기 위한 고 불순물 농도의 n+콜렉터 층을 낮은 불순물 도핑의 그레이딩된 AlxGa1-xAs층으로 대체하여 HBT의 항복전압을 증가시키고, 그로 인해 고전압 동작에서 HBT의 속도 특성을 더욱 향상시킬 수 있는 이중 이종접합 쌍극성 트랜지스터에 관한 것으로 본 기술에 따른 이중 이종접합 쌍극성 트랜지스터는, 반도체 기판상에 형성된 GaAs 서브콜렉터 층과, InGaP 콜렉터 층과, AlxGa1-xAs 그레이딩 층과, GaAs 제 1 스페이서 층과, GaAs 베이스 층과, GaAs 제 2 스페이서 층 및, InGaP 또는 AlGaAs 에미터 층과, GaAs 에미터캡 층으로 구성되며, InGaP 콜렉터 층은, GaAs 서브콜렉터 층의 상부에 형성된 제 1 n- 콜렉터 층과, 제 1 n- 콜렉터 층의 상부에 형성된 제 1 n+ 콜렉터 층과, 제 1 n+ 콜렉터 층의 상부에 형성된 p+ 콜렉터 층과, p+ 콜렉터 층의 상부에 형성된 제 2 n- 콜렉터 층으로 구성된 이중 이종접합 쌍극성 트랜지스터를 제공한다.DHBT 구조에서 콜렉터로 사용되는 InGaP를 낮은 불순물 도핑의 그레이딩된 AlxGa1-xAs층으로 대체하므로써, HBT의 항복전압을 증가시키고 그로 인해 고전압 동작에서 속도 특성을 더욱 향상시킬 수 있는 ballistic 콜렉터 이중 이종접합 쌍극성 트랜지스터를 제공하는데 그 목적이 있다.
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- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 등록일
- 2004-11-12
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 기술에 따른 메모리 소자는 복수개의 비정질 실리콘 양자점이 분포되어 이루어지는 충전막을 포함한다. 여기서, 충전막은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다. 그리고, 비정질 실리콘 양자점은 1.0 x 1019 ~ 1.0 x 1021 개/cm3 의 밀도로 분포되며, 그 각각이 1.0 ~ 20.0 nm의 크기를 갖는 것이 바람직하다. 충전막의 두께는 3 ~ 100nm인 것이 바람직하다. 본 기술에 따른 메모리 소자는, 일반적인 메모리 소자와 달리 충전막에 비정질 실리콘 양자점을 포함한다. 따라서, 본 기술에 따른 메모리 소자는 기억용량이 크고, 기억저장 시간이 길며, 비휘발성이고, 속도가 빠르면서도 전압의 세기만으로도 쓰기/지우기를 할 수 있다.본 기술이 이루고자 하는 기술적 과제는, 양자점 미세구조를 이용하여 기억용량이 크고, 기억저장 시간이 길며, 비휘발성이고, 속도가 빠르면서도 전압의 세기만으로 쓰기/지우기를 할 수 있는 메모리 소자를 제공하는 데 있다. 본 기술이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 기술적 과제를 달성하는 데 적합한 메모리 소자 제조방법을 제공하는 데 있다.
- 보유기관
- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 등록일
- 2004-11-12
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 수소 이온 주입을 이용하여 우수한 열적 안정성과 낮은 면저항 그리고 낮은 누설 전류 값을 갖는 니켈모노실리사이드(NiSi)의 제조방법으로서, 실리콘 기판에 Ni을 증착하는 단계와, Ni이 증착된 실리콘 기판에 수소이온을 주입하는 단계와, 실리콘 기판을 급속열처리하여 NiSi층을 형성하는 단계를 포함한다.본 기술에 의하면 수소 이온 주입을 이용하여 급속 열처리시 발생하는 NiSi의 산화 현상을 효과적으로 억제하고, 그로 인하여 낮은 면저항과 우수한 열적 안정성, 그리고 낮은 누설전류 값을 갖는 NiSi을 제조할 수 있다. 따라서, 본 기술을 차세대 ULSI 소자에 적용하여 상업화시 고품질의 반도체 소자를 효과적으로 제조할 수 있을 뿐만 아니라 소자의 성능 향상을 극대화 시켜 제품의 경쟁력을 향상시킬 수 있다.
- 보유기관
- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 등록일
- 2004-11-12
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 압축된 신호를 역압축하는 신호 역압축기 및 그 방법에 관한 것으로써, 특히 본 기술에 따른 신호 역압축기 및 그 방법은 루프미러내에 이득이 일정한 SOA(Semiconductor Optical Amplifier)와 편광조절기를 두어 압축신호 중 임의의 펄스를 선택할 수 있는 고속의 스위치로써 작동할 수 있도록 하는 동시에, 역압축되지 않은 압축신호 펄스열의 귀환과 증폭을 위하여 써큘레이터와 증폭기를 사용함으로써 입력단을 통해 입력된 압축신호의 펄스열이 한 비트씩 순차적으로 루프미러의 SOA를 지나면서 위상변화를 겪게하여 루프미러 출력포트에서 간섭결과 역압축되어 신호 역압축기의 출력단을 통해 출력되도록 하고, 역압축되지 않은 비트로 이루어지는 압축신호의 펄스열이 써큘레이터와 증폭기를 거쳐 루프미러로 재입력되도록 구성되어, RZ 패턴의 고속의 압축된 펄스로 이루어진 압축신호를 간단히 제어동기신호를 이용하여 역압축할 수 있도록 하는 동시에 압축신호의 압축비트수가 늘어나더라도 간단히 광 귀환길이 및 SOA의 위치를 조절해 줌으로써 증폭소자 등 기타 하드웨어의 추가적인 사용 없이 압축신호를 역압축할 수 있는 효과가 있다.압축신호를 이루는 펄스열이 순환됨에 따라 펄스열이 시간차를 두고 재입력되어 순차적으로 역압축되도록 하는 귀환 알고리즘이 적용된 신호 역압축기 및 그 방법을 제공하는데 있다.
- 보유기관
- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 등록일
- 2004-11-12
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술은 아연산화물 반도체의 표면을 수소를 포함하는 플라즈마로 처리하여 아연산화물 반도체내의 결함들을 비활성화(passivation)시킴으로써 도핑의 효과가 잘 나타나도록 하여, 아연산화물 반도체와 금속이 서로 오믹접촉될 수 있도록 하는 아연산화물 반도체의 금속배선 형성방법에 관한 기술이다."본 기술은 반응기 내의 서셉터 상에 아연산화물 반도체가 증착된 기판을 안착시키고, 반응기 내에 수소를 포함하는 플라즈마를 형성하여 반응기 내의 압력이 1 mTorr ~ 1 Torr이고 온도가 0∼400℃인 조건에서 아연산화물 반도체의 표면을 플라즈마에 노출시킨 다음에 금속 배선을 형성하는 것을 특징으로 한다.이 때, 수소를 포함하는 기체에 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 제논(Xe), 및 라돈(Rn)으로 이루어진 불활성기체 군으로부터 선택된 어느 하나를 더 포함시키거나, 또는 적어도 이들 중의 어느 하나를 포함하는 혼합기체를 더 포함시키는 것이 바람직하다. 본 기술에 의하면, 간단한 방법으로 낮은 비접촉저항을 얻을 수 있을 뿐만 아니라 우수한 광학적 특성도 얻을 수 있다. 또한, 본 기술은 고온 공정이 필요치 않으므로 기존의 화합물 반도체에서 사용되는 고온 열처리에 의해 야기될 수 있는 소자의 성능저하도 피할 수 있다."
- 보유기관
- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 등록일
- 2004-11-12
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술은 액상산화에 의한 InGaAs 산화막의 형성방법에 관한 것으로, 본 기술의 산화막 형성방법은 산성도가 조절된 소정의 액상산화용액에 의해 InGaAs 내의 Ga 및 As를 산화하는 단계와, 전기 단계에서 산화된 InGaAs 산화막내의 금속 In을 산소 플라즈마 처리하여 산화하는 단계를 포함하는 InGaAs 산화막의 형성방법을 포함한다.전기전도도가 매우 낮고 계면 상태밀도가 낮은 양질의 InGaAs 산화막의 형성이 가능해진다. 따라서 이를 이용해 제조되는 MISFET(또는 MOSFET)는 속도특성 및 잡음특성이 우수하여 초광대역의 신호처리용 소자 및 MMIC의 개발에 활용이 가능하다.
- 보유기관
- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 등록일
- 2004-11-12
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
본 기술은 염 (salt)의 형태로 존재하는 유기산이나 아미노산 혹은 단백질과 같은 유기물로부터 이온 교환막을 이용한 이온 치환반응을 통해 순수한 형태의 유기물을 생산하는 방법에 관한 것으로, 양이온 교환막 또는 음이온 교환막으로만 구성된 전기투석 스택에서 산 또는 염기용액을 이용해 H+ 또는 OH- 이온으로 유기물염에 존재하는 무기양이온 또는 무기음이온을 치환함으로써 순수한 형태의 유기물을 생산하는 방법에 관한 것이다. 본 기술의 이온 교환막을 이용한 유기물 생산방법은 이온 교환막의 배열과 용액의 흐름을 조절함으로써 종래의 방법보다 제조공정의 운전이 간편하고 환경친화적이며, 제조비용을 절감하면서 고효율로 순수한 형태의 유기물을 생산할 수 있다.본 기술은 이온 교환막과 산/염기 용액을 이용해 정제된 유기물염 (유기산염 또는 아미노산염)으로부터 이온 치환반응을 통해 유기물 (유기산 또는 아미노산)을 생산하는 방법을 제공한다. 또한, 본 기술은 이온 치환반응을 통해 유기물염으로부터 유기물을 생산하는 장치를 제공한다. 본 기술의 유기물 생산방법은 양이온 교환막과 산용액, 또는 음이온 교환막과 염기용액으로 구성된 전기투석 시스템을 이용하여 H+ 이온 또는 OH- 이온을 각각 유기물염에 존재하는 무기양이온 또는 무기음이온과 치환시킴으로써 순수한 유기물을 생산하는 것을 특징으로 한다. 본 기술은 양이온 교환막으로만 이루어진 전기투석 스택에 유기물염과 산용액을 흘려주어 H+ 이온이 유기물염에 존재하는 무기양이온을 치환함으로써 순수한 유기물을 회수하거나, 음이온 교환막으로만 이루어진 스택에 유기물염과 염기용액을 흘려주어 OH- 이온이 유기물염에 존재하는 무기음이온과 치환하게 함으로써 순수한 유기물을 회수하는 것을 특징으로 한다.
- 보유기관
- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 등록일
- 2004-11-12
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