일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
* 원리 및 구성 본 기술은 ITO/n형 반도체층 계면에서 터널링 접합을 이용한 박막 광전지 및 그 제조방법으로 유리 기판 상에 광투과도가 높은 전면 전극과 전면 전극과 n형 반도체층 사이에서 전기적인 전도성 터널링 접촉을 위한 n+ 영역과 이에 접촉하며 밴드 갭 에너지가 넓어서 광투과층으로 작용하는 n형 반도체층과 n형 반도체층과 p/n 접합을 형성하며 광흡수층으로 작용하는 p형 반도체층 및 p형 반도체층과 오믹 접촉을 하는 후면 전극으로 구성되었다. * 개발 배경 광전지는 반도체의 p-n 접합의 특성을 이용하여 태양의 빛에너지를 전기에너지로 변환시키는 장치로 태양전지의 직렬저항을 줄이기 위하여 전면전극으로 ITO를 사용한다. 최근, 전면 전극인 ITO와 n형 반도체인 CdS의 접합에 관한 연구가 활발히 전개되고 있으며, ITO와 CdS는 오믹접합을 하고 있는 것으로 알려져 있다. 그러나 후속공정에서 열처리로 인한 ITO와 CdS의 접합이 샤키 다이오드를 나타냄으로서 전기 전도도를 저하시키는 원인을 초래하며 광전지의 직렬 저항을 증가시켜서 광전지의 효율을 현저히 감소시키는 단점이 있다. * 중요성 및 독창성 본 기술에 의한 광전지는 전면 전극인 인듐주석산화막과 n형 반도체층 사이에 n+ 영역을 형성하여 전기적인 전도성 터널링 접촉을 하여 전기 전도도를 향상시킬 수 있으며 특히, 전면 전극과 n형 반도체층의 접합에서 완충막으로 작용하여 계면간의 결함을 크게 줄여 광전지의 효율을 증가시킬 수 있는 뛰어난 효과가 있다.* 적용제품 및 경쟁제품 본 기술에 의한 ITO/n형 반도체층 계면에서 터널링 접합을 이용한 박막 광전지는 전면 전극인 인듐주석산화막(ITO)과 n형 반도체층인 황화카드뮴 사이에 카드뮴을 도포한 후 어닐링 하여 n + 영역을 형성함으로써 인듐주석산화막과 황화카드뮴 사이에 전기적인 전도성 터널링 접합을 하여 전도도를 향상시킬 수 있다.* 주요 적용 제품- 광전지* 특징 및 장점- 전기적인 전도성 터널링 접합을 하여 전도도를 증가시킨다.- 직렬 저항을 줄여서 광전지 효율을 크게 향상시킨다.
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- 2006-05-18
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일반기술
전기·전자 > 전자기이용 기술
*원리 및 구성본 기술은 비선형 광신호 처리요소인 Mach-Zehnder 간섭계를 이용하여 전광 데이터 변환장치를 형성한다. 이와 같은 장치를 구성함으로서, 요구되는 광소자의 수를 감소시켰고, 병렬 및 직렬 광 데이터의 데이터 형식을 전광학적방식을 이용하여 고속으로 변환할 수 있게 되었다.*개발배경기존의 광학적인 직렬, 병렬 데이터 형식 변환기는 LiNbO3 를 구동하기 위해서 변환 장치의 구조에서 전기적 제어 또는 클럭 신호가 필요하며, LiNbO 3 와 기타 전자소자를 사용하기 때문에 주변 환경이나 인가된 전압의 변화에 따라 바이어스가 불안정하고, 속도 처리에 제한이 있으며, 입력 또는 출력의 채널수가 증가할 경우에 소자의 수가 증가하게 되었다.*중요성 및 독창성본 기술에 따라 직렬에서 병렬로 데이터의 형식을 변환하는 장치는 다파장 클럭 신호의 지연 및 다중화/역다중화 방식과 전광 신호처리 기법을 이용하기 때문에 기존의 데이터 형식 변환 장치에 비해 훨씬 적은 수의 광소자들로 장치를 구성할 수 있으며, 전광 병렬에서 직렬로 데이터의 형식을 변환하는 장치는 하나의 파장 또는 다파장의 클럭 신호의 지연과 전광 신호처리 기법을 이용하여 병렬로 입력되는 광 데이터를 직렬의 광 데이터로 변환하기 때문에 기존의 전기적 장치들의 속도 제한 문제를 개선하여 초고속으로 데이터의 형식을 변환할 수 있다.*적용제품전광 직렬에서 병렬로 혹은 전광 병렬에서 직렬로 데이터의 형식을 변환하는 장치는 전광 통신망을 구축하는 경우에 초고속 광전송, 광 교환, 광 신호 처리, 광 컴퓨팅 장치 등을 보다 현실적으로 구성할 수 있는 유용한 기술이기 때문에 광통신 장치 산업 분야의 수준을 한층 향상시키는 효과가 있다..*특징 및 장점- Mach-Zehnder 간섭계를 이용하여 전광 데이터 변환장치를 구성한다.- 적은 수의 광소자들로 장치를 구성할 수 있다.- 다파장 클럭 신호의 지연이나 다중화/역다중화 방식, 전광 신호처리 기법을 선택적으로 사용한다.- 초고속으로 데이터의 형식을 변환할 수 있다.- 기존의 장치에 비해 보다 안정적으로 데이터의 형식을 변환할 수 있다.
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- 2006-05-18
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전기·전자 > 무선통신소자
* 원리 및 구성 본 기술은 CDMA RF 신호 전송을 위한 레이저 다이오드의 비선형 왜곡 보상 회로에 대한 것으로 입력된 코드분할 다중접속 무선신호의 합과 궤환된 신호를 합하는 전기신호 결합기와 합해진 전기신호를 광신호로 변환하는 레이저 다이오드, 변환된 광신호를 각각 50%씩 출력신호와 궤환용 신호로 분배하기 위한 광 커플러, 궤환된 광신호를 전기신호로 변환하기 위한 광 검출기, 검출된 신호를 레이저 다이오드로 입력된 신호레벨과 같도록 조정하는 전기신호 증폭기, 레이저 다이오드로 입력되기 이전의 신호를 180°의 위상을 변화시켜 주는 180°위상변환기, 위상 변환된 신호와 전기신호 증폭기의 출력신호를 결합하기 위한 전기신호 결합기, 결합된 신호를 180°의 위상을 변화시키는 180°위상 변환기로 구성되어 있다. * 개발 배경 현재 기하급수적으로 늘어나고 있는 이동전화, 인터넷 통신을 통한 정보를 빠른 속도로 송수신하는 기술을 요구하는 실정에서 최근 무선 통신 기술의 발전으로 무선 통신 서비스가 기존의 유선망 서비스보다 망의 트래픽(traffic)을 초과하는 현상이 더 많이 발생하고 있다. 이러한 통신 서비스 환경의 변화에 대처하기 위해 이미 미국이나 일본에서는 기지국간을 광섬유로 연결하여 간단하고 경제적인 시스템을 실현하고자 노력 중이다. * 중요성 및 독창성 본 기술에 의한 레이저 다이오드 비선형 보상 회로는 무선 신호를 광신호로 변환할 때 요구되는 높은 선형성의 레이저 다이오드 없이도 기존의 레이저 다이오드의 왜곡 보상 회로를 통해 높은 선형성을 가진 에리저 다이오드와 거의 동일한 전송 성능을 나타내므로 광 이동통신망 구현을 경제적으로 할 수 있어 시스템의 전송 성능을 향상시키고 향후 광 이동통신망 구축 시 전송성능과 경제적인 송수신 장치의 실현을 가능하게 한다.* 적용제품 및 경쟁제품 기존의 이동 통신망에서 무선신호를 송수신하는 기지국과 이동 통신 신호의 교환전송을 담당하는 중앙국을 광섬유로 연결하여 구성하는 부반송파 다중화 시스템은 간단하고 경제적 시스템 구현이 가능하다는 장점이 있으나 전송성능이 레이저 다이오드의 비선형에 의해 크게 영향을 받는다. 본 기술에 의한 수신단 장치 및 방법은 CDMA 신호 환경 하에서 새로운 레이저 다이오드 비선형 보상기 구조를 통해 시스템의 전송성능을 현저히 향상시킬 수 있다.* 주요 적용 제품- 네트워크* 특징 및 장점- 광 이동통신망 구현을 경제적으로 할 수 있어 코드분할 다중접속 무선신호를 광신호로 변환하여 전송하고 광신호를 전기신호로 변환하여 신호를 복구하는 시스템의 전송 성능을 향상시킨다.- 향후 광 이동통신망 구축 시 높은 전송성능과 경제적인 송수신 장치의 실현을 현실적으로 가능하게 한다.
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- 고려대학교
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- 2006-05-18
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일반기술
전기·전자 > 무선통신소자
본 발명은 기존의 고정 호스트에 제공되는 인터넷 전화 서비스를 이동 호스트에게도 제공하기 위하여 기존의 이동 인터넷 프로토콜과 H.323시스템의 통합구조이다. 본 발명을 통해 H.323시스템 구조를 그대로 유지하면서 IP기반 네트워크상에서 고정/이동 호스트에게 음성전송이 가능하게 되었다. 본 발명은 이동 환경에서 인터넷 전화 서비스를 제공하기 위한 이동 인터넷 프로토콜(Mobile IP)와 H.323의 통합 구조에 관한 것으로 H.323의 시스템 구조를 그대로 유지하면서 이동 인터넷 프로토콜의 이동성 기술을 융합함으로써 IP 기반의 네트워크상에서 고정 호스트뿐만 아니라, 이동중인 호스트에게까지 음성 전송이 가능하도록 한 것이고 현재 IETF 이동 인터넷 프로토콜에서 제안된 표준안을 확장함으로써, 인트라 도메인에서의 IP 이동성 제공이 가능하도록 하였으며, 인터 도메인에서의 IP 이동성을 제공하기 위하여 게이트웨이에서의 다중 연결 유지방법을 사용함으로써 기존의 H.323 표준의 최소 변경과 추가적인 개체의 정의가 필요없이 기존 H.323 시스템들과 호환성을 유지할 수 있는 매우 뛰어난 발명인 것이다.이동 인터넷 전화 서비스를 위한 이동 인터넷 프로토콜 적용 방법에 의한 이동 노드가 이동하는 경우의 등록 방법은 외부 에이전트(FA)의 주기적인 광고 메시지 송신하는 단계(S1)와; 이동 노드(MN)이 홈 지역에 존재하는가 확인하는 단계(S2)와; 홈 지역의 외부 에이전트(FA)에게 등록 메시지 송신하는 단계(S3)와; 홈 지역의 외부 에이전트(FA)는 등록 메시지를 홈 에이전트(HA)에게 송신하는 단계(S4)와; 홈 에이전트(HA)는 수신한 등록 메시지를 홈 이동 게이트키퍼(MGK)에게 송신하고, 이동 노드(MN)을 홈 지역 외부 에이전트(FA)에게로 터널링하는 단계(S5)와; 홈 이동 게이트키퍼(MGK)는 이동 노드(MN)의 위치 정보를 갱신하고 홈 지역의 외부 에이전트(FA)에게 응답 메시지 전송하는 단계(S6)와; 홈 지역의 외부 에이전트(FA)가 응답 메시지를 이동 노드(MN)에게 전송하는 단계(S7)와; 외부 지역의 외부 에이전트(FA)에게 등록 메시지 송신하는 단계(S8)와; 외부 지역의 외부 에이전트(FA)는 홈 지역의 홈 에이전트(HA)에게 등록 메시지 송신하는 단계(S9)와; 홈 에이전트(HA)는 등록 메시지를 홈 이동 게이트키퍼(MGK)에게 송신하는 단계(S10)와; 홈 이동 게이트키퍼(MGK)는 수신한 등록 메시지에 따라 이동 노드(MN)의 위치를 갱신하고 외부 지역의 외부 이동 게이트키퍼(MGK)에게 H.323 등록 요청 메시지 송신하는 단계(S11)와; 외부 지역의 외부 이동 게이트키퍼(MGK)는 등록 수락 또는 거부 메시지를 이동 노드(MN)과 홈 이동 게이트키퍼(MGK)에게 송신하는 단계(S12)와; H.323의 호 설정 방법을 사용하여 새로운 호 설정 단계(S13)와; 통신 재개 단계(S14)로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 이동 인터넷 전화 서비스를 위한 이동 인터넷 프로토콜 적용 방법.
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- 고려대학교
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- 2006-05-11
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
*기술 개요본 기술은 기존의 평면상의 전극인 캐소드(Cathode), 애노드(Anode) 그리고 게이트(Gate)를 모두 트렌치 구조로 대처한 횡형 트렌치 전극 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터에 관한 것으로 드리프트 층의 폭은 19㎛로 아주 작게 설계하고 모든 전극을 트렌치 구조로 구성함으로써 횡형 트랜치 전극 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터는 소자 크기가 작음에도 불구하고 소자의 중요한 특성인 래칭 전류밀도 특성, 항복특성 그리고 턴 오프 특성에서 다른 소자에 비해 우수한 성능이 있는 뛰어난 발명인 것이다. *기술의 독창성 및 우수성다른 제품에 비해 횡형 트랜치 전극 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터는 소자 크기가 작음에도 불구하고 소자의 중요한 특성인 래칭 전류밀도 특성, 항복특성 그리고 턴 오프 특성에서 다른 소자에 비해 우수한 성능이 있는 뛰어난 발명인 것이다.*기술의 특징 및 장점산화막으로 형성된 p형 기판이 상부에 변조도가 발생하는 n- 드레프트 영역과 상기 n- 드레프트 영역 상부에 위치한 게이트 전극 캐소드 전극 애노드 전극과 상기 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 턴 온 전압이 발생하는 p+ 애노드 영역 및 n+ 버터 영역과 상기 캐소드전극과 게이트 전극 사이에 n+ 캐소드 영역 및 이중 확산 공정으로 이루어진 p+ 캐소드 영역 또는 p- 베이스 영역으로 형성되어 상기 게이트 전극, 캐소드 전극, 애노드 전극이 트렌치형으로 이루어진 것을 특징으로 하는 횡형 트렌치 전극 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터*제품 활용소자 관련 제품트랜치 전극 절연 게이트 트랜지스터
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- 고려대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
* 원리 및 구성 본 기술은 인듐주석산화막 표면 개질을 이용한 박막 광전지 및 그 제조방법에 관한 것으로 유리 기판 상에 인듐주석산화막을 바르고 인듐주석산화막를 이온조사로 표면 처리하여 표면 개질층을 바른다. 표면 개질층에 황화카드뮴을 바르고 n형 반도체인 황화카드뮴에 카드뮴텔루라이드를 발라 이 유리 기판을 염화카드뮴 용액에 침적한 후 열처리 한다. 이 열처리된 카드뮴텔루라이드에 브롬-메타올로 식각한 후 후면전극을 형성하여 박막 광전지를 만든다. * 개발 배경 광전지는 반도체의 p-n 접합의 특성을 이용하여 태양의 빛에너지를 전기에너지로 변환시키는 장치로 지상용 광전지는 주로 박막형이 사용되고 있다. 태양전지의 직렬 저항을 줄이기 위해 전면전극으로 인듐주석산화막을 사용하는데 최근 화학용액증착법으로 형성한 황화카드뮴과 전면전극 인듐주석산화막간의 접합에 관한 연구가 활발히 전개되고 있다.* 중요성 및 독창성 본 기술에 의한 박막 광전지는 병렬 저항을 줄여서 광전지 효율을 크게 향상시키는 데 효과가 있어 반도체 산업에 매우 유용하게 쓰일 것이다.* 적용제품 및 경쟁제품 본 기술은 전면전극인 인듐주석산화막의 표면을 이온조사를 통하여 표면처리하여 표면개질층을 만들어 n형 반도체층인 황화카드뮴과의 접합을 높이고 표면개질을 통하여 표면에너지를 높이고 접촉각을 줄여 인듐주석산화막과 황화카드뮴의 접합성을 높였다. 이로 n형 반도체의 광투과도와 표면평탄도 및 미세 조직의 치밀성을 향상시킬 수 있는 인듐주석산화막 표면 개질을 이용한 박막 광전지를 만들었다.* 주요 적용 제품- 반도체* 특징 및 장점- 균일 핵생성 및 성장한 입자를 현저히 감소시켜서 황화카드뮴의 광투과도를 향상시킨다.- 막을 치밀하게 형성하고 카드뮴/황의 비가 1:1로 되어, 열처리로 인한 금속성 카드뮴 입자의 형성을 줄일 수 있다.- 병렬 저항을 줄여서 광전지 효율을 크게 향상시킬 수 있다.
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- 고려대학교
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 영상처리에 관한 것으로, 복제 방지 및 효율적인 압축을 할 수 있는 객체 단위로 트랜스코딩하는 방법 및 그 장치이다. 영상을 포함하는 입력 데이터를 영상내의 객체의 모양, 크기, 대비 및 연결성에 따라 객체들로 분할하는 단계, 분할된 객체들에 대해서 각 객체별로 소정의 중요도 인덱스(INDEX)를 결정하는 단계 및 객체별 중요도 인덱스를 공간영역 또는 주파수 영역에서 대응하는 객체에 워터마크로 삽입하여 영상을 포함하는 입력 데이터를 부호화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.객체별 중요도를 고려한 객체 기반의 트랜스코딩 방법 및 그 장치로서, 영상을 포함하는 입력 데이터를 영상내의 객체의 모양, 크기, 대비 및 연결성에 따라 객체들로 분할하고, 분할된 객체들에 대해서 각 객체별로 소정의 중요도 인덱스(index)를 결정하며, 객체별 중요도 인덱스를 공간영역 또는 주파수 영역에서 대응하는 객체에 워터마크로 삽입하여 영상을 포함하는 입력 데이터를 부호화하는 단계를 포함하여, 객체별 중요성에 따른 값이 워터마크로 삽입되며, 워터마크와 연관되어 각 객체별로 다른 비트율을 할당하여 트랜스코딩하게 되어, 객체별 중요도를 객체에 삽입하고, 그 중요도에 따른 압축을 객체별로 실행할 수 있다.효과적으로 비디오 및 영상 데이터를 전송할 수 있으며, 중요한 객체는 그렇지 않은 객체보다 선명하게 표시할 수 있으며, 독특한 워터마크를 통해 불법적인 복제를 방지하여 통신망을 통한 저작물 유통이 활발해지는 효과가 있다.
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- 연세대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술의 목적은 추가적인 하향채널의 자원의 소모없이, 멀티미디어 데이터의 전송 품질 평가를 수행할 수 있는 방법 및 장치를 제공하는데 있다. 송신기는 채널을 통하여 멀티미디어 데이터를 송신하는 단계, 멀티미디어 데이터를 수신한 수신기는, 멀티미디어 데이터 전송의 에러 정보를 귀환채널을 통하여 송신기로 전송하는 단계, 송신기는 귀환된 에러 정보를 이용하여 수신기에서의 수신데이터를 추정하는 단계 및 송신기는 기준 데이터와 추정된 수신데이터를 비교하여 수신데이터의 전송품질을 평가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.본 기술의 전송 데이터 측정방법 및 장치에 의하면, 송신기측에서 전송된 멀티미디어 데이터에 대한 품질평가를 수행한다. 본 발명에 의하면, 수신기측에서는 전송된 멀티미디어 데이터에 대한 평가를 수행하지 않고, 수신기측은 다만 전송된 데이터에 에러가 발생한 경우에 에러 정보를 송신기측으로 귀환한다. 송신기측은 귀환된 에러정보와 전송한 멀티미디어 데이터를 비교하여, 에러가 포함된 멀티미디어 데이터를 시뮬레이션함으로써, 전송 데이터의 품질을 평가할 수 있다.이러한 평가 결과에 따라, 송신기측은 비디오 전송시에 적절한 조치를 취할 수 있다. 또한 전송 서비스 제공자등은, 이러한 평가 결과를 활용하여, 서비스 이용자들의 상태를 모니터링할 수 있으며, 이용자와의 서비스 계약시 등에 활용할 수 있다.- 수신기측에서 전송 데이터의 품질 평가를 수행하지 않으므로, 송신기는 평가를 위한 파라미터 데이터를 전송할 필요가 없다. 따라서, 전송 데이터의 품질 평가를 위하여 추가적으로 하향 채널의 대역폭 자원이 소모되지 않는다. - 송신기측에서 전송 데이터의 품질 평가 결과에 따라, 현재의 전송 상태를 적절히 변경하는 조치를 취함으로, 멀티미디어 데이터 전송의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
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- 연세대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
* 원리와 구성 단열을 위한 진공상태의 하우징, 하우징의 상부로 헤드가 노출되어 있고, 하우징내에 상/하냉각부가 포함되어 지지봉에 의하여 상냉각부가 지지되도록 되어 있는 GM냉각기, GM냉각기의 하냉각부와 냉각봉을 통하여 연결되어 전도냉각되고, 지지봉에 의하여 지지되도록 되어 있는 초전도자석, 초전도자석에 전원을 공급하는 금속전선과 HTS전선으로 이루어진 이중전선을 GM냉각기와 연결하여 전도냉각하도록 되어 있는 써멀링크를 포함하여 이루어진 써멀링크를 구비한 직류리액터이다.* 개발배경초전도 한류기는 계통안정화용 조류기 외에도 송배전설비 보호용으로 사용될 수 있으므로 수요가 엄청나다. 선진국에서는 이미 15kV급 소용량 초전도 한류기를 성공적으로 개발한 바 있고, 현재는 100-300MVA급의 대용량 초전도 한류기 개발 계획을 수립하여 진행 중에 있고, 국내의 경우 현재 6.6kV급 고온초전도 한류기 개발을 목표로 연구가 진행되고 있다. 초전도 한류기의 핵심기술은 대용량 초전도코일 제작기술, 코일 보호 기술, 대용량 전력전자회로 기술, 전력계통 적용 및 운전 기술, 초전도 한류기용 저온유지장치(cryostat) 기술 등이다.* 중요성및 독창성첫째, GM냉각기를 이용하여 전도냉각 시스템을 소형화시켜 콤팩트하고 제조단가가 낮은 직류리액터를 제공하는 것과,둘째, 초전도자석으로 전력을 인가하는 전선을 진공 중에서 냉각기로 직접 전도냉각하는 수단을 통하여 전선의 발열로 초전도자석의 초전도 상태가 파괴(quench)되는 것을 방지하는 것과,셋째, 특별고압 이상의 전압대에서 운전되는 전도냉각 초전도 전력기기의 절연을 성공적으로 수행하도록 하는 수단을 제공한다.* 적용제품 및 관련시장직류리액터* 주요적용제품직류리액터* 특징및 장점냉각기, 특히 GM(Gifford-McMahon) 냉각기를 사용하여 전도냉각되는 전도냉각방식의 초전도전자석을 사용하는 직류리액터에 관한 것으로, 직류리액터는 단열을 위한 진공상태의 하우징, 하우징의 상부로 헤드가 노출되어 있고, 하우징 내에 상/하냉각부가 포함되어 지지봉에 의하여 상냉각부가 지지되도록 되어 있는 GM냉각기, GM냉각기의 하냉각부와 냉각봉을 통하여 연결되어 전도냉각되고, 지지봉에 의하여 지지되도록 되어 있는 초전도자석, 초전도자석에 전원을 공급하는 금속전선과 HTS전선으로 이루어진 이중전선을 GM냉각기와 연결하여 전도냉각하도록 되어 있는 써멀링크를 포함하여 이루어진다. 이러한 직류리액터는 GM냉각기를 이용하므로 전도냉각 시스템을 소형화시켜 콤팩트하고 제조단가가 낮으며, 써멀링크를 통하여 초전도자석으로 전력을 인가하는 전선을 진공 중에서 냉각기로 직접 전도냉각하는 수단을 통하여 전선의 발열로 초전도자석의 초전도 상태가 파괴(quench)되는 것을 방지할 수 있고, 동박판과 PI필름 사이에 인듐판을 개재하여 접촉면적을 증가시키면서 주 절연물인 PI필름의 열화를 방지할 수 있다.
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- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
* 원리 와 구성 외주면에 일정 간격으로 단절되어 층을 이루는 나선형 권선홈이 형성된 FRP 피복층이 코팅되어 있되, 나선형 권선홈의 각 층에는 판전선이 먼저 권선홈을 채우도록 권선된 후 상하로 나뉘어 이중 권선층을 형성하게 되고, 이 이중 권선층을 이루는 판전선사이 및 각 이중 권선층 사이에는 스페이서가 개재되도록 되어 있는 초전도자석용 보빈. * 개발배경초전도의 성질을 가진 전자석을 만들 수 있다면 전력 손실이 없는 전자석을 만들 수 있을 것'이라고 생각하여 연구를 지속해 왔다.* 중요성및 독창성-전도성이 좋은 구리재의 보빈 몸체에 확실한 절연을 달성하면서도 진공하 20K 정도에서 내구성을 유지할 수 있는 피복층을 제공.-피복층에 권선의 용이성을 위한 수단을 제공.-보빈을 다층으로 분리하여 초전도자석의 오류 수정,보완을 용이하게 하는 것.-보빈을 다시 분할하여 운전의 안정성을 획득하고 외형적인 변형을 방지하도록 하는 것.-직류리액터, 더 나아가 한류기의 열적 안정성, 내구성 및 운전 안정성을 보장하는 것.* 적용제품 및 관련시장차세대초전도응용기술개발사업이 시작되어 전력분야 응용을 위한 초전도 선재 및 응용기기의 연구개발이 진행되고 있다. 전력분야에서 응용이 기대되는 분야는 선재로서 초전도 케이블, 초전도 변압기, 초전도 한류기, 초전도 모터 등이고 벌크 형태로 초전도 플라이휠 저장장치를 들 수 있다.* 주요적용제품초전도 케이블, 초전도 변압기, 초전도 한류기, 초전도 모터* 특징및 장점냉각기, 특히 GM(Gifford-McMahon) 냉각기를 사용하여 전도냉각되는 전도냉각방식의 초전도전자석을 위한 보빈에 관한 것으로, 초전도자석용 보빈은 외주면에 일정 간격으로 단절되어 층을 이루는 나선형 권선홈이 형성된 FRP 피복층이 코팅되어 있되, 나선형 권선홈의 각 층에는 판전선이 먼저 권선홈을 채우도록 권선된 후 상하로 나뉘어 이중 권선층을 형성하게 되고, 이 이중 권선층을 이루는 판전선 사이 및 각 이중 권선층 사이에는 스페이서가 개재되도록 되어 있으며, 바람직하기로는 보빈의 층을 이루는 각 나선형 권선홈 마다 각각 분리되도록 되어 있되, 각각의 보빈층은 그 보빈층에 수직 형성된 결합공에 삽입되는 볼트와 너트로 결합되도록 되어 있는 것이 좋고, 보다 바람직하기로는 보빈은 각 보빈층 마다 다수의 분원편(分圓片)을 이루도록 분할되어 있되, 각 분원은 서로 접합되어 있는 것이 좋다. 이러한 다층의 또는 분원편이 모인 보빈을 통하여 무거운 보빈을 다루기 용이하게 하여 운반 및 권선을 쉽게 하고, 조립 및 운전시 발생될 수 있는 초전도자석 오류의 수정/보완을 용이하게 할 수 있다.
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- 2006-05-24
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전기·전자 > 기타 전기/전자
가상 영상 합성 장치 및 그 방법과 상기 방법을 실현시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 관한 것이다. 다중의 원형 블럽을 이용하여 원영상과 가상 영상을 합성하기 위한 가상 영상 합성 장치에 있어서, 입력되는 영상의 초기 프레임에 대한 블럽의 특성 파라미터를 추출하기 위한 제 1추출 수단, 이전 프레임에서 결정된 블럽의 특성 파라미터를 이용하여 해당 프레임에서의 블럽의 중심점을 추적하기 위한 추적 수단 및 블럽의 중심점을 이용하여, 텍스처 매핑 방식으로 가상 영상을 합성하기 위한 합성 수단을 포함하는 가상 영상 합성 장치이다.다중의 원형 블럽을 이용하여 원영상과 가상 영상을 합성하기 위한 가상 영상 합성 장치에 있어서,입력되는 영상의 초기 프레임에 대한 블럽의 특성 파라미터를 추출하기 위한 제 1추출 수단, 이전 프레임에서 결정된 블럽의 특성 파라미터를 이용하여 해당 프레임에서의 블럽의 중심점을 추적하기 위한 추적 수단 및 블럽의 중심점을 이용하여, 텍스처 매핑 방식으로 가상 영상을 합성하기 위한 합성 수단을 포함하되, 추적 수단은 블럽의 추적 구간을 결정하기 위한 제 1결정 수단, 블럽의 추적 구간 내에서 블럽의 이진 영상을 추출하기 위한 제 4추출 수단, 영상에서 보드의 비율에 따라, 추적 윈도우를 결정하기 위한 제 2결정 수단, 추적 윈도우 안에 블럽이 포함된 경우에는, 이전 프레임의 레이블값으로 영역 확장을 수행하기 위한 제 2레이블링 수단, 레이블링된 블럽의 특성 파라미터를 추출하기 위한 제 5추출 수단, 특성 파라미터를 참조로, 원하는 블럽을 선별하기 위한 선별 수단 및 추적 윈도우 안에 블럽이 포함되지 않은 경우에는 소실된 블럽의 중심점을 예측하여 현재 블럽의 위치를 결정하기 위한 예측 수단을 포함하고, 예측 수단의 소실된 블럽의 위치의 예측은, 주변의 모든 방향성 벡터의 변화량의 평균값을 적용하는 것을 특징으로 한다.적응형 추적 윈도우를 이용한 다중 블럽 추적을 수행하고, 블럽의 특성 파라미터를 이용하여 블럽 추출을 함으로써, 마커가 틀어지거나 휘었을 때에도 원영상과 가상 영상을 자연스럽게 합성할 수 있도록 하는 효과가 있다. 다중의 원형 블럽을 이용하여 원영상과 가상 영상을 합성하기 위한 가상 영상 합성 장치는, 입력되는 영상의 초기 프레임에 대한 블럽의 특성 파라미터를 추출하기 위한 제 1추출 수단, 이전 프레임에서 결정된 블럽의 특성 파라미터를 이용하여 해당 프레임에서의 블럽의 중심점을 추적하기 위한 추적 수단 및 블럽의 중심점을 이용하여, 텍스처 매핑 방식으로 가상 영상을 합성하기 위한 합성 수단을 포함한다. 적응형 윈도우를 이용한 다중 블럽 추적을 수행하고, 블럽의 특성 파마미터를 이용하여 블럽 추출을 함으러써, 마커가 틀어지거나 취었을 때에도 원영상과 가상영상을 자연스럽게 합성할 수 있는 효과를 갖는다.또한, 원형의 블럽 마커를 이용하여 초기 프레임에 대한 특성 파라미터를 추출하고, 이후 프레임에 대해서는 추적 구간에 대하여만 블럽 추적을 수행함으로써 블럽 추적에 소요되는 시간을 줄일 수가 있다.
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- 연세대학교
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- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
* 원리 와 구성 램프관과, 램프관의 끝단부 부근의 외표면에 형성되는 전도체 외부 전극과, 램프관 주위에 감겨지면서 그 일단이 전원과 전기적으로 연결되고 그 타단이 외부 전극과 전기적으로 연결되는 전도체 코일을 포함하는 것을 특징으로 하는 무전극 자외선 램프, 방전용의 직관형 램프관과, 램프관의 끝단부 부근의 외표면에 소정 폭으로 일정한 면적을 가지도록 형성되는 방전용 전도체 외부 전극과, 램프관 주위에 감겨진 상태에서 외부 전극으로 인가되는 각 전원공급선의 일측 일단에 연결되고 그 타단이 외부 전극과 연결되는 전도체 코일을 포함한다. * 개발배경기존의 무전극 자외선 램프는 단순히 외부 전극만을 설치하는 형태의 용량형 무전극 자외선 램프는 외부 전극 부근의 쉬쓰(sheath)에서 이온 가속으로 인한 전력 소모가 상당하여, 기존의 필라멘트 전극을 사용한 램프에 비해 광효율의 향상을 기대할 수 없어서 상용화에 불리하다.* 중요성및 독창성종래 용량형 무전극 자외선 램프의 효율을 향상시킬 수 있는 외부 전극 구조를 제공한다. 더불어, 기존의 필라멘트 전극을 사용한 자외선 램프보다 높은 자외선 강도를 갖고, 높은 광효율을 갖는 용량형 무전극 자외선 램프를 제공한다.* 적용제품 및 관련시장무전극 자외선 램프* 주요적용제품무전극 자외선 램프* 특징및 장점종래 용량형 무전극 자외선 램프의 효율을 향상시킴과 동시에 기존 필라멘트 전극을 사용한 자외선 램프보다 높은 자외선 강도를 갖고, 높은 광효율을 갖는 용량형 무전극 자외선 램프를 제공하기 위하여, 램프관과, 램프관의 끝단부 부근의 외표면에 형성되는 전도체 외부 전극과, 램프관 주위에 감겨지면서 그 일단이 전원과 전기적으로 연결되고 그 타단이 외부 전극과 전기적으로 연결되는 전도체 코일을 포함하는 무전극 자외선 램프를 제공한다. 여기서, 코일은 램프관에 설치되는 절연 구조물 위에 램프관으로부터 이격되도록 감겨지고, 램프관의 외표면과 코일 사이에 공기층이 존재하는 것이 바람직하다. 또한, 전원으로부터 코일로 전기적으로 연결되는 부분을 제외한 부분을 차폐하도록 외부 전극 및 코일을 감싸는 전도체 포일을 추가적으로 포함하는 것이 좋다. 아울러, 외부 전극 및 코일은 램프관의 양단에 설치되는 것이 좋고, 전원은 코일에 먼저 인가된 후 외부 전극으로 인가되는 것이 좋다.
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- 연세대학교
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- 2006-05-24
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술의 목적은 평가시간을 단축할 수 있음은 물론 실시간으로 평가를 수행하고 정해진 기준에 따라 객관적인 평가를 수행할 수 있는 동영상 화질평가 장치 및 방법을 제공하는데 있다.동영상 화질평가 장치는 원래의 동영상인 소스 영상을 입력하기 위한 소스영상입력부 평가대상이 되는 영상을 입력 받기 위한 평가대상 영상입력부, 소스영상입력부로 입력되는 소스영상의 외곽선 영역을 추출하기 위한 외곽선 추출부, 외곽선추출부의 출력영상으로부터 마스크 이미지를 생성하기 위한 마스크 이미지 생성부, 소스영상입력부로 입력되는 영상 중 마스크 이미지에 대응하는 영상 및 평가대상 입력부로 입력되는 영상을 입력으로 하여 외곽선 최대 신호대 잡음비를 산출하는 신호대잡음비산출부 및 신호대잡음비산출부의 출력 데이터로부터 화질을 평가하는 화질 평가부를 포함하는 것을 특징으로 한다.원래 동영상인 소스 동영상 시퀀스의 각 이미지에 외곽선 추출 알고리즘을 적용하여 외곽선 동영상 시퀀스를 생성하고, 소스 동영상 시퀀스와 평가대상 동영상 시퀀스 사이의 외곽선 영역들의 화소에 대한 자승평균오차를 산출하며, 자승평균오차에 대한 최대신호대잡음비를 산출하고, 최대신호대잡음비에 따라 평가를 산출함으로써, 평가시간을 단축할 수 있다.본 기술에 따른 동영상 화질 평가장치 및 방법에 의하면, 평가시간을 단축할 수 있음은 물론 실시간으로 정해진 기준에 따라 객관적인 평가를 수행할 수 있다.
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- 연세대학교
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- 2006-05-24
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전기·전자 > 기타 전기 응용 기술
* 원리 와 구성입력된 음성 신호를 성도 전달함수를 나타내는 스펙트럼 정보와 여기 신호 성분으로 구분하며, 이들 각각을 모델링하고 양자화하여 표준 부호화를 수행함으로써 표준 부호화된 비트열을 생성하는 표준음성 부호화부, 상기 스펙트럼 정보와 여기 신호 성분 각각에 대해 양자화되지 않은 신호와 표준음성 부호화부에 의해 양자화된 신호 사이의 오차를 각각 구하고, 구해진 각 오차에 대해 추가적인 양자화를 수행하여 부호화된 비트열을 생성하는 품질향상 부호화부 및 각 부호화부에서 얻어진 비트열을 다중화시켜서 전송하는 다중화부를 포함하는 추가 비트 할당 기법을 이용한 음성 부호화 및 복호화를 위한 송신기. * 개발배경기존의 음성신호를 디지털화하여 처리하는 방식에는 다양한 부호화 방식이 있는데 양자화 오차가 큰 문제,스펙트럼 정보의 왜곡이 커지는 현상, 음성의 품질이 저하되는 문제점을 안고있다.* 중요성및 독창성파라미터 도메인인 LSP 양자화 혹은 LSP 보간 과정과, 여기 신호의 양자화 과정에 할당하여 적은 비트만을 사용하여 효율적으로 성능을 향상.종래의 음성부호화기와 호환이 가능하면서 추가 비트 할당을 통해 고음질의 음성신호를 서비스할 수 있는 품질향상 부호화부와 품질향상 복호화부를 갖는 음성 부호화 및 복호화를 위한 송수신기를 제공.* 적용제품 및 관련시장고음질의 음성 서비스 시장에서 활용이 가능하다.* 주요적용제품표준 음성 부호화기* 특징및 장점고품질 음성처리 시스템에서 음성 부호화기의 성능 향상을 위해 추가 비트를 할당 기법을 이용한 음성 부호화기 및 음성 복호화기에 관한 것으로, 추가 비트 할당 기법은 음성 저장 혹은 전송 시스템에서 사용되는 기존의 저대역 음성부호화 표준안과 비트-호환을 유지하면서 그 성능을 향상시키는 방법이다. 기존의 음성부호화기의 구조에 품질향상부를 삽입하고 적당한 추가 비트를 할당하여 기존의 부호화기의 비트-호환을 유지하면서 음성 품질의 향상이 가능하다. 대부분의 음성부호화기는 음성 발성 모델에 기반하여 음성의 스펙트럼에 해당하는 성도(vocal tract)의 전달 함수와 여기 신호로 나누어 양자화하므로, 추가 비트를 음성 도메인이 아닌 파라미터 도메인에서 스펙트럼 정보와 여기 신호 모델링 과정에 할당하는 것을 특징으로 한다. 스펙트럼 정보를 보다 정확하게 모델링하기 위해 LSP 양자화 과정에 직렬 양자화 기법을 사용하거나 LSP의 보간 과정에서 Frame-fill 기법을 적용하여 보간 함수 정보에 비트를 할당한다. 기존의 음성부호화기와 비트-호환이 가능하므로 음성 저장 시스템뿐만 아니라 통신 시스템에서도 사용가능하며, 채널 혹은 미디어의 상황에 따라 전송률의 가변적 사용이 가능하므로 채널 상황에 따라 유연하게 대처하여 효율적인 음성 서비스를 제공할 수 있는 효과가 있다.
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- 연세대학교
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- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명에서는 기존의 범용 횡형 트렌치 절연 게이트 바이폴라 트렌지스터보다 우수한 래칭 전류밀도와 항복특성을 갖는 p+다이버터구조를 갖는 횡형 트렌치 전극형 IGBT를 제안하였다. 본 발명은 p+다이버터를 갖는 동시에 모든 전극이 트렌치 산화막으로 형성되어, 래칭 전류밀도가 증가하고, 기존의 범용횡형 트렌치 절연 게이트 바이폴라 트렌지스터의 항복전압보다 높은 항복전압을 얻을 수 있다. 본 발명은 p+ 다이버터를 갖는 동시에 모든 전극이 트렌치 산화막으로 형성되어 래칭 전류밀도도 증가하고 기존의 범용 횡형 트렌치 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 항복전압보다 높은 항복전압을 얻을 수 있는 다이버터 구조의 횡형트렌치 전극 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터에 관한 것으로 산화막으로 형성된 p형 기판 상부에 n- 드래프트 영역을 형성하여 애노드 전극과 캐소드 사이에는 p+ 다이버터 구조를 형성함으로써 본 발명 p+ 다이버터 구조의 횡형 트렌치전극 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터는 기존의 횡형 트렌치 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 보다 더 높은 전류밀도와 순방향 전압에서 사용할 수 있는 매우 뛰어난 효과가 있다.횡형 트렌치 전극 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 애노드 전극(1), 캐소드 전극(2) 및 게이트 전극(3)이 모두 트렌치 산화막으로 구성되고, 상기 애노드 전극(1)과 캐소드 전극(2) 사이에 다이버터 구조를 형성한 것을 특징으로 하는 다이버터 구조의 횡형 트렌치 전극 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터. 본 발명은 p+ 다이버터를 갖는 동시에 모든 전극이 트렌치 산화막으로 형성되어 래칭 전류밀도도 증가하고 기존의 범용 횡형 트렌치 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 항복전압보다 높은 항복전압을 얻을 수 있는 다이버터 구조의 횡형 트렌치 전극 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터에 관한 것으로 산화막으로 형성된 p형 기판 상부에 n- 드래프트 영역을 형성하여 애노드 전극과 캐소드 사이에는 p+ 다이버터 구조를 형성함으로써 본 발명 p+ 다이버터 구조의 횡형 트렌치 전극 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터는 기존의 횡형 트렌치 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 보다 더 높은 전류밀도와 순방향 전압에서 사용할 수 있는 매우 뛰어난 효과가 있다.
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- 고려대학교
- 등록일
- 2006-05-11
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
*기술개요본 기술은 수평형 트렌치 전극형 이중 채널 에미터 스취치 사이리스터를 제안하였다. 제안된 소자는 소자의 응용에 많은 문제점을 야기시키는 스냅 백현상을 보이지 않고 있으며, 기존의 소자에 비해 넓은 안전동작영역을 갖는다. 제작된 소자를 IC에 응용할 수 있음과 동시에 칩을 구현했을때 시스템의 소형화에도 일익을 담당할 것으로 판단된다. * 특징 독창성횡형 이중 채널 에미터 스위치 사이리스터에 있어서, 게이트 전극, 캐소드 전극, 애노드 전극이 트렌치 산화막 구조로 형성되고, n+ 플로팅 영역이 트렌치 전극사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 횡형 트렌치 전극 이중 채널 에미터 스위치 사이리스터.* 기술의 특징 전압을 높임과 동시에 래칭 전류 밀도를 그대로 유지하면서 스냅-백 현상이 거의 없는 트렌치 전극 구조의 이중 채널 에미터 스위치 사이리스터에 관한 것으로 산화막으로 형성된 p형 기판 상부에 n- 드리프트 층 영역을 형성하고 각각의 캐소드 전극, 게이트 전극, 애노드 전극을 트렌치 형 구조로 형성함으로써 스냅-백 현상이 거의 없고 2차적으로 발생하는 기생사이리스터에 의한 래치 업이 늦게 발생하여 기존의 소자에 비해 넓은 안전동작영역을 갖고 기존의 범용 수평형 에미터 스위치 사이리스터와 달리 높은 내압을 유지하고 전력반도체 산업의 스마트 파워 직접회로로 제작된 소자를 IC에 응용하여 시스템을 소형화할 수 있는 뛰어난 효과가 있다.*제품활용 분야--전력반도체 산업의 스마트 파워 직접회로로 제작된 소자를 IC에 응용하여 시스템을 소형화할 수 있는 뛰어난 효과가 있다.--제작된 소자를 IC에 응용할 수 있음과 동시에 칩을 구현했을때 시스템의 소형화에도 일익을 담당
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- 고려대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
* 원리 및 구성 반도체 소자의 제조에 있어서 티타늄과 백금의 멀티레이어를 매스킹 물질로 이용하여 기판의 특정한 영역에만 다공질 실리콘을 만들 수 있게 하여 매스킹과 전극으로 동시에 사용하는 섀도우 마스크의 사용을 배제할 수 있어 공수를 줄이고 품질의 저하를 방지하는 다공질 실리콘 형성방법을 제시한다. 단결정 실리콘 기판에 산화막을 성장시키고 기판 하부의 산화막을 식각하여 알루미늄을 증착하고 활성화하여 전극을 만든다. 기판 상부에 포토레지스터를 코팅하고 현상하여 기판 상부에 티타늄과 백금을 순서대로 증착하고 리프트오프 공정으로 금속을 패터닝하고 어닐링을 실시하여 다공질 실리콘이 형성될 영역의 산화막을 식각한다. 또한 양극산화반응으로 불산과 에탄올의 혼합용액 속에서 다공질 실리콘을 성장시켜 티타늄과 백금의 멀티레이어를 매스킹 물질로 이용한 다공질 실리콘을 만든다.* 개발 배경 통상적으로 다공질 실리콘을 불산 혼합용액 속에서 선택적으로 형성할 때 질화막을 매스킹 물질로서 사용하는데, 이들을 패터닝 하기 위해서는 건식 식각 공정이 필요하며 알루미늄 전극을 사용하면 증착 및 식각 공정에서 다공질 실리콘의 특성에 영향을 줄뿐만 아니라 공정수가 증가한다.* 적용제품 및 경쟁제품 본 기술은 기판의 특정한 영역에만 다공질 실리콘을 형성함에 따라 매스킹과 전극으로 동시에 사용하고 섀도우 마스크의 사용을 배제할 수 있어 공수를 절감하고 품질의 저하를 방지하는 티타늄과 백금의 멀티레이어를 매스킹 물질로 이용한 다공질 실리콘 형성방법이다.* 주요 적용 제품- 다공질 실리콘 형성* 특징 및 장점- 다공질 실리콘 형성 시 공수를 줄이고 품질의 저하를 방지할 수 있다.
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- 고려대학교
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
반도체 재료에서의 큰 발명의 효과로 다가오고 있는 전극구조와 그 제조방법에 대한 기술로서 다공질 실리콘 다이어프램에 캐리어 주입을 위한 전극 구조 및 제조방법에 관한 것으로 단결정 실리콘 기판에 산화막(SiO2)을 성장시키는 단계와, 불필요한 실리콘 기판을 제거하기 위해 벌크 마이크로머시닝 기술을 이용한 이방성 식각을 실시하는 단계와, 산화막 식각 및 인(P) 이온 주입 단계와, 포토레지스터를 스핀 코팅하고 산화막 식각하는 단계와, 보론(B) 이온 주입 단계와, 포토레지스터를 제거하고 활성화하는 단계와, 티타늄(Ti)과 백금(Pt)을 증착하고 리프트 공정을 이용한 패터닝 및 어닐링을 수행하는 단계와, 알루미늄을 증착하고 어닐링하는 단계와, 산화막 식각 후 양극산화반응하는 단계로 이루어지므로써 정공과 전자를 다공질 실리콘 다이어프램에 동시에 주입할 수 있는 수평 구조의 애노드와 캐소드를 형성 기술과 그 제조 방법을 제공하여 다공질 실리콘을 이용한 발광소자와 광센서와 습도 센서 등의 센서 소자를 제작할 수 있는 뛰어난 효과가 있다. 중앙 저면부에 요홈을 형성하고 상기 요홈의 상면에 다공질 실리콘층이 형성된 실리콘 기판과 상기 다공질 실리콘층이 형성된 부분과, 요홈의 좌우 실리콘 기판 상하에 도포되어 적층된 산화막층과 상기 실리콘 기판 하부에 도포된 산화막층에 걸쳐 상기 실리콘 기판의 요홈부 저면까지 오믹접촉되는 알루미늄층과 상기 상측 산화막층에 티타늄/배금 재질로 부착되어 적층되는 금속층과 상기 다공질 실리콘층에 일정 간격을 두고 같은 선상에 매립시킨 N+, P+ 전극 상부에 티타늄/백금 재질의 금속을 부착한 캐소드, 에노드 전극 단자(2, 3)로 구성된 것을 특징으로 하는 다공질 실리콘 다이어프램에 캐리어 주입을 위한 전극 구조로서 앞으로의 반도체 재료에서 큰 호응을 얻을 수 있을 것으로 예상된다.
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- 고려대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
* 원리 와 구성 k는 GF(2m) 상의 임의의 정수이고, P는 GF(2m) 상에서 정의된 타원 곡선 위의 임의의 점이라고 정의할 때 m비트로 구성된 정수(k)와 점(P)들을 곱셈하는 스칼라 곱셈기에 있어서, 제로(0)와 m비트의 정수(k)를 저장하며, 클럭 신호에 동기되어 제로(0)와 m비트의 정수(k)를 병렬로 출력하며, 이 때 제로(0)를 최상위 자리에 위치시키고 다음에 m비트들 중 최상위 비트들부터 순서대로 정렬하여 출력하는 레지스터, 레지스터에서 출력되는 비트들 중에서 최상위 3비트들을 입력하고 이들에 대해 부쓰 알고리즘을 수행하여 출력하는 부쓰 연산부 및 레지스터에 연결되며, 병렬로 출력되는 제로(0)와 m비트의 정수(k)를 입력하고, m비트들의 최하위 비트에서 제로(0) 방향으로 2단계 쉬프트시킨 다음 레지스터로 전달하는 쉬프터를 구비하는 것을 특징으로 한다.* 개발배경kP를 계산함에 있어 k의 이진 표현에 대한 리던던시(redundancy)를 사용한다. 하지만 k를 NAF 형태로미리 바꾸어야 한다는 단점* 중요성및 독창성곱셈 속도가 빨라진 부쓰 알고리즘을 이용한 스칼라 곱셈기를 제공하는 것* 적용제품 및 관련시장부쓰 알고리즘을 이용한 스칼라 곱셈기* 주요적용제품부쓰 알고리즘을 이용한 스칼라 곱셈기* 특징및 장점부쓰 알고리즘을 이용한 스칼라 곱셈기에 관한 것으로서, k는 GF(2m) 상의 임의의 정수이고, P는 GF(2m) 상에서 정의된 타원 곡선 위의 임의의 점이라고 정의할 때 m비트로 구성된 정수(k)와 점(P)들을 곱셈하는 스칼라 곱셈기에 있어서, 제로(0)와 m비트의 정수(k)를 저장하며, 클럭 신호에 동기되어 제로(0)와 m비트의 정수(k)를 병렬로 출력하며, 이 때 제로(0)를 최상위 자리에 위치시키고 다음에 m비트들 중 최상위 비트들부터 순서대로 정렬하여 출력하는 레지스터, 레지스터에서 출력되는 비트들 중에서 최상위 3비트들을 입력하고 이들에 대해 부쓰 알고리즘을 수행하여 출력하는 부쓰 연산부 및 레지스터에 연결되며, 병렬로 출력되는 제로(0)와 m비트의 정수(k)를 입력하고, m비트들의 최하위 비트에서 제로(0) 방향으로 2단계 쉬프트시킨 다음 레지스터로 전달하는 쉬프터를 구비함으로써 곱셈 속도가 빨라진다.
- 보유기관
- 연세대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
* 원리 및 구성 반도체 회로를 제조할 때, 화학적 기계적 연마 시 구리 배선의 디싱을 감소시키는 방법으로 기판 상에 형성된 절연막에 배선을 할 수 있도록 배선용 홈을 만들고 배선용 홈을 매입하도록 절연막에 구리층을 만들고 염기성의 슬러리를 사용하고 연마패드와 구리층 사이에 전기장을 인가하며 화학적 기계적 연마를 한다. 본 제조 장법의 전기장을 인가하는 단계는 반도체 웨이퍼 뒷면 및 연마패드 뒷면에 구리판을 부착하는 것에 의하고 반도체 웨이퍼와 연마패드 사이에 전해 전류가 흐르지 않기 때문에 전해연마가 일어나지 않는 것이 특징이다.* 개발 배경 반도체 제조 과정 중 절연막 표면 상에 배리어층의 잔류물을 완전히 제거하기 위한 과연마가 행해지면서 디싱이 발생한다. 디싱은 배선 저항 및 접선 저항이 증가하며 전자 이동 경향을 일으킬 우려가 있어 반도체 장치의 신뢰도를 떨어트린다.* 중요성 및 독창성 본 기술은 전기장을 인가하는 공정에 의해 절연막과 구리배선의 선택비를 조절하여 간단하고 효율적으로 디싱을 억제하여 반도체의 신뢰도를 높였다.* 적용제품 및 경쟁제품 본 기술에 따르면 금속과의 연마 선택비에 의하여 디싱 발생을 최소화시킴으로써 반도체 집적회로의 평단화를 향상시킬 수 있다. 또한 매우 정밀한 표면을 필요로 하는 각종 전자부품의 가공분야에서 광학용 창의 표면 각공에 이르기까지 적용이 가능하다.* 주요 적용 제품- 반도체* 특징 및 장점- 반도체 제조 시 디싱을 효과적으로 억제하여 반도체의 신뢰도를 높인다.
- 보유기관
- 고려대학교
- 등록일
- 2006-05-18
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