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전기·전자 > 생활가전기기 (F43)
김밥 보관 장치는 김밥 전문 식당이나 음식점에서 이미 만들어진 김밥의 온도 및 습기를조절하여 쾌적한 상태에서 변질되지 않도록 보관하기 위한 장치에 관한 것이다. 김밥 전문점을 애용하다 보면 항상 미리 말아놓은 김밥보다는 지금 막 말은 따뜻한김밥을 원하는 손님들의 요구와 본인도 미리 말아놓아서 차갑게 식은 김밥보다는따뜻한 김밥을 원하고 분식점 입장에서도 한참 바쁜 시간대에 (점심시간등) 김밥 마는 수고를 줄이기 위하여 이 장치를 고안하게 되었다 - [특허실용] 등록번호 20-2005-0005014 - 보관장치 용 전용 "상표" 상표등록 준비중 ;;;1. 특별한 기술력과 설비 장비가 없어도 제품생산이 가능하다 2. 제품 단가가 낮다 -> 제품 설계 시 고가 부품을 제외한 상용 부품으로 설계 (ex: 바이메탈 , 온도센서 , 가열코일 , 자외선 살균램프 등) 3.현재 관련제품 출시가 전혀 되어있지 않은 상태라 시장선점의 효과가 있다 4.장비 히트시 브랜드 인지도 상승및 매출 상승 효과기대 -> 장비 특허로인한 고정수입 및 지속적인 독점 납품 및 A/S 가능 5.실제 판매용으로 의 연구개발이 선행되야한다 ->최적 온도 및 향 선택 등등의 초기 연구개발비용 발생
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- 돈암삼성아파트
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- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 전원소자(전지포함)기술
본 발명에 따른 MEMS 기술을 이용한 고온/대전류용 초소형 기계적 논리소자는 고정부, 지지부, 돌기와 식각홀을 갖는 평판으로 이루어진 구조물과, 구동전극 및 출력전극을 서로 연결구성하여 다양한 논리소자를 구성할 수 있도록 한 것으로, 기존의 전자소자를 이용한 논리소자와는 달리 열 에너지에 의한 전자, 정공쌍 형성에 의한 스위칭 소자의 등가저항 변화가 없기 때문에 동작온도가 높거나 큰 전류가 필요한 응용에서도 오동작이나 동작 특성 변화의 우려가 없는 이점과, 또한, 기계적 스위칭 동작에 의해 논리소자가 동작하기 때문에 스위칭-오프상태에서 누설전류가 없으며, 항복전압이 매우 높은 이점을 가지도록 한 것이다.상술한 바와 같은 본 발명에 따른 고온/대전류용 초소형 기계적 논리소자는 고정부, 지지부, 돌기와 식각홀을 갖는 평판으로 이루어진 구조물과, 구동전극 및 출력전극을 서로 연결 구성하여 다양한 논리소자를 구성할 수 있도록 한 것이다. 따라서, 이와 같이 MEMS 기술로 제작되는 초소형 기계 구조물로 논리소자를 구성하게 되면, 기존의 전자소자를 이용한 논리소자와는 달리 열 에너지에 의한 전자, 정공쌍 형성에 의한 스위칭 소자의 등가저항 변화가 없기 때문에 동작온도가 높거나 큰 전류가 필요한 응용에서도 오동작이나 동작 특성 변화의 우려가 없는 이점이있다. 또한, 기계적 스위칭 동작에 의해 논리소자가 동작하기 때문에 스위칭-오프상태에서 누설전류가 없으며, 항복전압이 매우 높은 이점을 가지는 것이다.
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- 고려대학교
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- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
본 발명은 자기 랜덤 액세스 메모리(자기 메모리)(magnetic random access memory)에 사용하는 자기 터널 접합에 관한 것으로, 구체적으로는 비정질 CoFeSiB 층을 포함하는 자유층을 구비하는 자기 터널 접합에 관한 것이다. 이러한 자유층은 CoFeSiB 단일층 이거나 CoFeSiB/Ru/CoFeSiB 구조의 합성 반강자성체(SAF: synthetic antiferromagnet)이다.본 발명은 자기 랜덤 액세스 메모리(자기 메모리)(magnetic random access memory)에 사용하는 자기 터널 접합에 관한 것으로, 구체적으로는 비정질 CoFeSiB 층을 포함하는 자유층을 구비하는 자기 터널 접합에 관한 것이다. 이러한 자유층은 CoFeSiB 단일층 이거나 CoFeSiB/Ru/CoFeSiB 구조의 합성 반강자성체(SAF: synthetic antiferromagnet)이다.본 발명에 따라 비정질 CoFeSiB 단일층 또는 비정질CoFeSiB/Ru/비정질CoFeSiB 구조의 합성 반강자성(SAF: synthetic antiferromagnet)층의 자유층을 가지는 자기 터널 접합을 제공하여 서브 마이크로 미터 크기의 셀을 가지는 자기 터널 접합의 형성에서 낮은 스위칭 자기장(4~6 Oe)과 큰 자기저항비(18~28%)를 제공할 수 있다.본 발명에 따라 비정질 CoFeSiB 단일층 또는 비정질CoFeSiB/Ru/비정질CoFeSiB 구조의 합성 반강자성(SAF: synthetic antiferromagnet)층의 자유층을 가지는 자기 터널 접합을 제공하여 서브 마이크로 미터 크기의 셀을 가지는 자기 터널 접합의 형성에서 낮은 스위칭 자기장(4~6 Oe)과 큰 자기저항비(18~28%)를 제공할 수 있다.
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- 고려대학교
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- 2007-03-15
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전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
본 발명은 자기 랜덤 액세스 메모리(자기 메모리)(magnetic random access memory)에 사용하는 자기 터널 접합에 관한 것으로, 구체적으로는 비정질 NiFeSiB 층을 포함하는 자유층을 구비하는 자기 터널 접합에 관한 것이다. 이러한 자유층은 NiFeSiB 단일층 이거나 NiFeSiB/Ru/NiFeSiB 구조의 합성 반강자성체(SAF: synthetic antiferromagnet)이다.본 발명은 자기 랜덤 액세스 메모리(자기 메모리)(magnetic random access memory)에 사용하는 자기 터널 접합에 관한 것으로, 구체적으로는 비정질 NiFeSiB 층을 포함하는 자유층을 구비하는 자기 터널 접합에 관한 것이다. 이러한 자유층은 NiFeSiB 단일층 이거나 NiFeSiB/Ru/NiFeSiB 구조의 합성 반강자성체(SAF: synthetic antiferromagnet)이다.본 발명에 따라 비정질 NiFeSiB 단일층 또는 비정질NiFeSiB/RU/비정질NiFeSiB 구조의 합성 반강자성(SAF: synthetic antiferromagnet)층의 자유층을 가지는 자기 터널 접합을 제공하여 서브 마이크로 미터 크기의 셀을 가지는 자기 터널 접합의 형성에서 낮은 스위칭 자기장(6~8 Oe)과 큰 자기저항비(27 ~30%)를 제공할 수 있다.본 발명에 따라 비정질 NiFeSiB 단일층 또는 비정질NiFeSiB/RU/비정질NiFeSiB 구조의 합성 반강자성(SAF: synthetic antiferromagnet)층의 자유층을 가지는 자기 터널 접합을 제공하여 서브 마이크로 미터 크기의 셀을 가지는 자기 터널 접합의 형성에서 낮은 스위칭 자기장(6~8 Oe)과 큰 자기저항비(27 ~30%)를 제공할 수 있다.
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- 고려대학교
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- 2007-03-15
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전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
금속 덴드라이트를 이용하여 상변화 재료층과의 접촉면적을 감소시킨 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 의한 상변화 메모리 소자는 제 1 전극; 상기 제 1 전극의 상부에 형성된 상변화 재료층; 상기 상변화 재료층의 상부에 형성된 고속 이온 도체층; 상기 고속 이온 도체층의 상부에 형성된 제 2 전극; 및 상기 제 2 전극에 음의 전압이 걸리도록 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극에 일정 전압을 일정 시간 인가함으로써 상기 고속이온도체층을 관통하여 상기 제 2 전극과 상기 상변화재료층을 연결하는 금속 덴드라이트를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.본 발명에 의하면, 비휘발성 상변화 메모리 소자에 있어서 금속 덴드라이트를 사용하여 히팅 전극을 제조함으로써 종래의 포토리소그래피 기술이 가지는 전극 사이즈의 한계를 극복하고 저전력에서 동작하는 메모리소자 구현을 위한 전극 크기를 간단한 방법으로 나노 사이즈만큼 감소시켜 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.본 발명에 의하면, 비휘발성 상변화 메모리 소자에 있어서 금속 덴드라이트를 사용하여 히팅 전극을 제조함으로써 종래의 포토리소그래피 기술이 가지는 전극 사이즈의 한계를 극복하고 저전력에서 동작하는 메모리소자 구현을 위한 전극 크기를 간단한 방법으로 나노 사이즈만큼 감소시켜 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
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- 고려대학교
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- 2007-03-15
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전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
네거티브 기판전압 발생회로가 개시된다. 제1전압발생블록은 소정의 제1레벨의 네거티브전압을 발생한다. 제2전압발생 블록은 제1전압발생블록으로부터 제1레벨의 네거티브전압을 공급받아 소정의 제2레벨의 네거티브 전압을 출력한다. 제1 전압발생블록은, 외부로부터 공급되는 클록 신호를 반전시켜 출력하는 제1인버터, 클록 신호를 수신하여 제1노드를 접지전압으로 프리차지하 제1프리차지수단, 클록 신호를 수신하여 제2노드를 접지전압으로 프리차지하는 제2프리차지수 단, 클록 신호를 수신하여 제1노드에 제1펌핑전압을 발생시키는 제1펌핑수단, 인버터에 의해 반전된 클록 신호를 수신하여 제2노드에 제2펌핑전압을 발생시키는 제2펌핑수단을 구비한다. 이에 의해, 기판 전압을 극대화하여 0.5V 이하의 전원 전압에서 구동되는 논리 회로의 누설 전류 억제에 효과적으로 이용될 수 있다.본 발명에 따른 네거티브 기판전압 발생회로는 종래의 하이브리드 펌핑 회로와 크로스 플 하이브리드 펌핑 회로의 기판 전압을 이중 펌핑 기법을 이용하여 극대화함으로써0 .5V 이하의 낮은 전원 전압에서도 구동되는 논리 회로의 누설 전류를 효과적으로 억제하는데 사용될 수 있다.본 발명에 따른 네거티브 기판전압 발생회로는 종래의 하이브리드 펌핑 회로와 크로스 플 하이브리드 펌핑 회로의 기판 전압을 이중 펌핑 기법을 이용하여 극대화함으로써0 .5V 이하의 낮은 전원 전압에서도 구동되는 논리 회로의 누설 전류를 효과적으로 억제하는데 사용될 수 있다.
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- 고려대학교
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- 2007-03-15
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전기·전자 > 전력제어 기술
본 발명은 교류 전동기의 구동 및 절연 진단 장치에 관한 것이다. 본 발명은 3상 교류 전압을 공급하는 전원 공급부, 상기전원 공급부에 연결되며 교류 전동기를 구동할 때 활성화되는 제1 접속부, 상기 전원 공급부에 연결되며 상기 교류 전동기의 고정자 권선의 절연을 진단할 때 활성화되는 제2 접속부, 상기 제1 접속부에 연결되며 상기 제1 접속부로부터 출력되는 3상 교류 전압을 직류 전압으로 정류하는 정류부, 상기 정류부에 연결되며 상기 정류부로부터 출력되는 전압에 포함된 리플전압을 제거하는 평활부, 및 상기 평활부와 상기 제2 접속부에 공통으로 연결되며 상기 평활부로부터 출력되는 직류 전압을 펄스 파형을 갖는 교류 전압으로 변환하여 상기 교류 전동기를 구동하며 상기 제2 접속부로부터 출력되는 3상 교류 전압들 중 하나를 받아서 상기 교류 전동기로 전달하는 변환부를 구비함으로써, 교류 전동기의 고정자 권선의 절연 열화를 사전에 알 수가 있게 되며, 그에 따라 교류 전동기의 고장을 미연에 방지할 수가 있다.본 발명에 따른 교류 전동기의 구동 및 절연 진단 장치(101,401)는 교류 전동기(181,481)를 구동할 뿐만 아니라, 교류 전동기(181,481)가 작동하지 않을 때는 고정자 권선들(185,485)의 절연 상태를 빈번하게 진단할 수가 있다. 이와 같이, 고정자 권선들(185,485)의 절연 상태를 빈번하게 진단함으로써 고정자 권선들(185,485)의 절연 열화를 조기에 진단할 수가 있다.따라서, 고정자 권선들(185,485)의 절연 열화가 심해질 경우에는 빨리 조치를 취함으로써 교류 전동기(181,481)의 고장을 미연에 방지할 수가 있으며, 교류 전동기(181,481)를 이용하여 동작하는 시스템의 신뢰도가 크게 향상된다. 또한, 본 발명에 따른 교류 전동기의 구동 및 절연 진단 장치(101,401)는 저렴한 비용으로 구성될 수가 있다.
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- 고려대학교
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 전원소자(전지포함)기술
고속 아날로그 논리곱 회로가 개시된다. 고속 아날로그 논리곱 회로는, 게이트단자 및 제1단자에는 각각 제1입력신호 및 제1전류원의 출력전류가 입력되고 제2단자는 제1공통노드에 연결되는 제1PMOS 트랜지스터, 게이트단자에는 반전된 제 1입력신호가 입력되고 제1단자는 제1PMOS 트랜지스터의 제1단자에 접속되는 제2PMOS 트랜지스터, 게이트단자에는 제2입력신호가 입력되고 제1단자 및 제2단자는 각각 제2PMOS 트랜지스터의 제2단자 및 제1공통노드에 연결되는 제 3PMOS 트랜지스터, 게이트단자에는 반전된 제2입력신호가 입력되고 제1단자 및 제2단자는 각각 제2PMOS 트랜지스터의 제2단자 및 제2공통노드에 연결되는 제4PMOS 트랜지스터, 게이트단자에는 제2입력신호가 입력되고 제1단자는 제1 공통노드에 연결되는 제1NMOS 트랜지스터, 게이트단자에는 반전된 제2입력신호가 입력되고 제1단자 및 제2단자는 각각 제2공통노드 및 제1NMOS 트랜지스터의 제2단자에 연결되는 제2NMOS 트랜지스터, 게이트단자에는 제1입력신호가 입력되고 제1단자 및 제2단자는 각각 제1PMOS 트랜지스터의 제2단자 및 제2전류원에 연결되는 제3NMOS 트랜지스터, 게이트단자에는 반전된 제1입력신호가 입력되고, 제1단자 및 제2단자는 각각 제2공통노드 및 제2전류원에 연결되는 제 4NMOS 트랜지스터, 일단은 소정의 전압레벨의 직류전원에 연결되고 타단은 각각 제1공통노드 및 제2공통노드에 연결되는 복수의 저항을 갖는다.본 발명에 따른 고속 아날로그 논리곱 회로에 의하면, 바이폴라 구동기의 형태를 사용함으로써 기논리곱 회로의 출력신호의 주파수나 스윙폭의 동작범위에 제한을 받지 않으며, 논리곱 회로의 소비전력을 절감시킬 수 있다.본 발명에 따른 고속 아날로그 논리곱 회로에 의하면, 바이폴라 구동기의 형태를 사용함으로써 기논리곱 회로의 출력신호의 주파수나 스윙폭의 동작범위에 제한을 받지 않으며, 논리곱 회로의 소비전력을 절감시킬 수 있다.
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- 고려대학교
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 전력전자 진단 기술
지연고정루프를 이용한 주파수 체배기가 제공된다. 체배계수제어부는 설정된 체배비에 대응하는 선택신호를 출력한다. 전압제어지연부는 소정의 입력클럭신호를 소정시간 순차적으로 지연시켜 복수개의 전압제어지연신호를 출력한다. 천이감지부는 전압제어지연신호 중에서 선택신호에 대응하는 개수의 전압제어지연신호로부터 상승에지를 감지하고, 상승에지가 감지되면 하강펄스를 출력한다. 다중화부는 선택신호에 대응하는 개수의 전압제어지연신호 중에서 마지막으로 출력되는 신호를 선택하여 입력클럭신호의 위상을 제어하는 위상검출기로 출력한다. 에지결합부는 천이감지부로부터 하강펄스가입력될 때마다 출력신호의 위상을 변경하여 생성한 출력클럭신호를 출력한다. 본 발명에 따르면, 저지터의 특성의 주파수 체배기를 구현할 수 있으며, 주파수 체배비를 동적으로 변화시킴으로써, 하나의 입력 주파수에 대해 다양한 주파수를 얻을 수 있다.본 발명에 따른 지연고정루프를 이용한 주파수 체배기에 의하면, 지연고정루프를 사용하여 주파수를 체배함으로써, 지터의 축적을 방지하여 저지터의 특성의 주파수 체배기를 구현할 수 있다. 또한, 주파수 체배비를 동적으로 변화시킴으로써, 하나의 입력 주파수에 대해 다양한 주파수를 얻을 수 있다. 나아가, 기존의 지연고정루프를 이용한 주파수 체배비는 여러 기생 성분이나 구조의 한계로 고속의 주파수 체배가 불가능하고, 체배비를 변경하기 위해 긴 록킹시간이 필요했으나, 본 발명에 따른 지연고정루프를 이용한 주파수 체배기는 고속의 체배가 가능하고 간단한 디지털 로직으로 주파수 체배기를 한 사이클만에 변경시킬 수 있다.
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- 고려대학교
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 전기전자재료
라디오주파수 인식태그용 안테나 및 이를 포함하는 라디오주파수 인식태그가 제공된다.본 발명에 따른 라디오주파수 인식태그는 내부에 형성되어 있는 회로를 외부로 접속시키기 위한 범프가 그 상면에 마련되어 있는 칩과; 소정두께를 갖는 금속판을 절곡 형성한 것으로서, 대상물의 표면에 면접 고정되며 그 상면 일측에 상기 칩을 구비하는 하부금속방사패치부와, 상기 하부금속방사패치부에 일체를 이루며 상부로 절곡된 쇼팅금속판과, 상기 쇼팅금속판에 일체를 이루며 상기 하부금속방사패치부의 상부로 절곡 연장되는 상부금속방사패치부와, 상기 상부금속방사패치부에 일체를 이루며 하부금속방사패치부 측으로 절곡 연장되어 상기 칩의 범프에 전기적으로 접속하는 급전선로를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. 상기와 같이 이루어지는 본 발명의 라디오 주파수 인식태그는, 그 구성이 매우 간단하고 단순하여 제작이 용이하고 특히 금속성 물체에 적용하더라도 금속장애에 의한 성능의 저하가 없다본 발명에 따른 안테나는 유전체를 전혀 사용하지 않고 하나의 금속판으로 제조할 수 있으므로 저렴한 비용으로 대량생산을 할 수 있으며, 본 발명에 따른 라디오 주파수 인식태그는 별도의 전송선을 두지 않고 금속판의 일부를 절곡하여 급전선로를 제조할 수 있으므로 그 구성이 매우 단순하고 제작이 용이하며 알루미늄캔이나, 컴퓨터, 자동차, 물류용 콘테이너 등의 금속성 물체에 적용하는 경우라도 금속장애에 의한 성능의 저하가 없다.
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- 고려대학교
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 전력변환 신호처리 기술
본 고안은 후방감지 기능을 가지고 있는 LED전구에 관한 것으로, 제어유닛, 경고음 발생유닛 및 후진 등 이 하나의 하우징에 상호 연동가능하게 설치되어진 구조를 이루므로, 종래 후진 등 을 설치하거나 교체하듯이 본 발명에 따른 후방 감지기 하우징을 차량에 설치하는 것만으로 후방감지기를 구성하는 모든 구성요소들을 손쉽게 설치할 수 있게 되고, 각 구성요소들 간의 상호 연계작동을 위한 별도의 배선작업이 불필요하게 된다본 고안은 일정한 거리범위 내의 차량 후방에 물체가 존재하는지의 여부를 감지하고, 일정한 거리범위 내의 차량 후방에 존재하는 물체와의 이격 거리를 측정하는 거리측정센서로부터의 측정신호를 입력받아서 경고음 발생 유닛의 작동을 제어하는 제어유닛에 의해 작동 제어되어, 음향신호를 외부로 출력하는 경고음 발생유닛으로 이루어진 차량의 후방감지기에 있어서, 상기 거리측정센서는 물체 투과성이 우수한 마이크로파 센서이고, 제어유닛에 의해 작동 제어되는 저온 발열특성을 갖춘 후진등이 보강되며, 이들 구성요소들이 연결단자를 갖춘 하나의 후방감지기 하우징에 상호 연동가능하게 설치되는 것을 특징으로 하는 구조를 같는다.
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- (재)광주테크노파크
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은, 브러시리스 직류 전동기의 역기전력이 제로가 되는 제로 크로싱 시점에 따라 상기 브러시리스 직류 전동기를 제어하는 방법으로서, 단계들 (a) 내지 (d)를 포함한다. 단계 (a)에서는, 브러시리스 직류 전동기가 구동된다. 단계 (b)에서는, 브러시리스 직류 전동기의 비여자상 전압(Va)이 일정한 비율로 변하는 직선의 1차 함수가 구해진다. 단계 (c)에서는, 상기 1차 함수가 사용되어, 브러시리스 직류 전동기의 비여자상 전압(Va)이 브러시리스 직류 전동기의 전원의 직류-링크 전압의 절반(Vdc/2)과 같아지는 제로 크로싱 시간(tZCP)이 계산된다. 단계 (d)에서는, 계산된 상기 제로 크로싱 시간(tZCP)이 사용되어 제로 크로싱 시점이 판단되고, 판단된 제로 크로싱 시점에 따라 브러시리스 직류 전동기가 제어된다.본 발명에 따른 브러시리스 직류 전동기의 제어 방법에 의하면, 상기 1차 함수를 이용하여 확률적으로 정확도가 높은 상기 제로 크로싱 시간(tZCP)이 계산되고, 계산된 제로 크로싱 시간(tZCP)이 사용되어 상기 제로 크로싱 시점이 판단된다. 이에 따라, 비여자상 전압의 스위칭 리플과 무관하게 제로 크로싱 시점이 검출되므로, 제로 크로싱 시점의 정확도가 높아질 수 있다. 본 발명은, 상기 실시예에 한정되지 않고, 청구범위에서 정의된 발명의 사상 및 범위 내에서 당업자에 의하여 변형 및 개량될 수 있다
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- 고려대학교
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 미소·극미소 전자시스템
본 발명은 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자에 관한 것이다. 기판; 상기 기판 상에 적층된 하지층; 상기 하지층 상에 형성된 자성층 및 비자성층들로 이루어진 자기 저항 구조체를 포함하는 자기 저항 소자에 있어서, 상기 하지층은 비정질 TixAl1-x(0<x<1)를 포함하는 소자 구조를 제공한다.본 발명은 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자에 관한 것이다. 기판; 상기 기판 상에 적층된 하지층; 상기 하지층 상에 형성된 자성층 및 비자성층들로 이루어진 자기 저항 구조체를 포함하는 자기 저항 소자에 있어서, 상기 하지층은 비정질 TixAl1-x(0<x<1)를 포함하는 소자 구조를 제공한다.본 발명에 따른 자기저항소자는, 하지층 및/또는 상지층을 비정질 TixAl1-x(0<x<1)으로 형성함으로써, 고온으로 가열되는 경우에도 자기저항비 등의 주요 특성이 크게 저하되지 않으면서, 표면 조도를 향상시키고 저항 특성을 개선시키는 효과가 있다.본 발명에 따른 자기저항소자는, 하지층 및/또는 상지층을 비정질 TixAl1-x(0<x<1)으로 형성함으로써, 고온으로 가열되는 경우에도 자기저항비 등의 주요 특성이 크게 저하되지 않으면서, 표면 조도를 향상시키고 저항 특성을 개선시키는 효과가 있다.
- 보유기관
- 고려대학교
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 영상·음향기기
디지털 카메라의 초점값 연산자 획득 방법, 이를 이용한 디지털 카메라의 렌즈 거리 결정 방법과 장치 및 상기 초점값 연산자 획득 방법을 컴퓨터에서 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록매체가 제공된다. 그 디지털 카메라의 초점값 연산자 획득 방법은 (a) 이미지데이터를 블록단위로 나누는 단계; (b) 상기 블록을 구성하는 픽셀 각각에 대해 DCT연산하여 픽셀별로 DCT 연산값을 구하는 단계; (c) 상기 (a)단계 및 (b)단계를 렌즈거리별로 결정되는 소정 개수의 이미지에 대해 수행하는 단계; (d) 상기 (c)단계에서 구해진 픽셀별 DCT 연산값이 크고, 상기 픽셀별 DCT 연산값의 렌즈거리별 분포가 선형적인 분포를 갖는 주파수영역의 주파수 순서위치(sequency)를 구하는 단계; (e) 상기 주파수 순서위치들 중에서 DCT 계산량이 가장 작은 주파수 순서위치를 최종 주파수 순서위치로 결정하는 단계; 및 (f) 상기 결정된 주파수 순서위치에 대해, 상기 DCT 연산에 사용된 DCT 연산식을 이용해 초점값 연산자의 계수를 구하여 초점값 연산자를 획득하는 단계를 포함함을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 셀룰러 폰에 탑재된 디지털 카메라에서도 선명한 영상을 얻기 위한 렌즈거리를 구할수 있다. 이는 연산의 횟수가 크게 감소하며, 부동 소수점의 곱셈에 소요되는 시간과 Binary Shift에 소요되는 연산 시간을 크게 줄일 수 있기 때문이다.본 발명에 의한 디지털 카메라의 초점값 계산을 위한 연산자 획득 방법과, 이를 이용한 디지털 카메라의 렌즈 거리 결정 방법 및 장치에 의하면, 셀룰러 폰에 탑재된 디지털 카메라에서도 선명한 영상을 얻기 위한 렌즈거리를 구할 수 있다.이는 영상의 초점값을 검출할 수 있는 DCT 연산의 결과는 8 x 8 샘플을 기본으로 하였을 때 (4, 4) 지점의 값이 초점값을 가장 잘 반영하고, 이 방법을 이용할 경우, 기존의 DCT 알고리즘을 이용한 기능에서는 10개의 DCT 결과값이 필요한데 반해 본 발명에서는 한 개의 DCT 결과값만이 필요하기 때문에 연산의 횟수는 10%로 감소하기 때문이다.또한 8 x 8 픽셀 영역에서 DCT를 시행할 경우 총 64개의 계수가 필요하며, DCT에서 계수는 Cosine값이기 때문에 대부분 부동 소수점 연산을 필요로 하게 된다. 하지만 (4, 4) 좌표의 DCT값을 구하기 위해서는 0.354, 0.25, 0.5의 계수가 필요한 데, 이들 계수들과의 곱은 디지털 시스템에서 몇 번의 Binary Shift로 대체할 수 있다. 부동 소수점의 곱셈에 소요되는 시간과 Binary Shift에 소요되는 시간을 비교하면 후자가 훨씬 작기 때문에 연산 시간을 줄이는 데 큰 도움이 된다.
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- 고려대학교
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- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명에 따른 반도체 소자내의 불순물 농도분포 측정시스템은 주사탐침현미경(100), 상기 주사탐침현미경의 일부 구성요소로서, 통전이 가능하도록 고경도의 전도성 박막이 적층되어 있는 실리콘 탐침(10), 상기 실리콘 탐침(10)의 외팔보(11)에 연결되어 교류전류를 공급하며, 상기 실리콘 탐침(10)과 반도체 소자 샘플간의 접점에서 발생하는 열전전압 신호를 분리하는 록인 증폭기(200), 상기 반도체 소자 샘플의 하부에 연결되어 통전이 되도록 하는 반도체 샘플 고정부(300),상기 반도체 샘플 고정부(300)에 연결되어 신호측정시 구동전압을 제거하는 가변저항기(400), 및 상기 가변저항기(400)에 연결되어 탐침이 반도체 샘플 표면을 주사하는 동안 전류의 크기를 일정하게 유지시키는 부가저항(500)을 구비하는 것을 특징으로 하며, 대기중에서 작동이 가능한 접촉식 측정방법으로서 접촉면적이 감소함에 따라 분해능 및 측정감도가 향상되는 나노스케일의 공간 분해능을 가지고, 비파괴적인 측정시스템으로서, 도핑되는 불순물이 n형인지 p형인지를 신속히 판별할 수 있을뿐만 아니라, 지면형상과 불순물의 농도를 동시에 측정할 수 있다는 장점이 있다.본 발명에 따른 반도체 소자내의 불순물 농도분포 측정시스템은 대기중에서 작동이 가능한 접촉식 측정방법으로서 접촉면적이 감소함에 따라 분해능 및 측정감도가 향상되는 나노스케일의 공간 분해능을 가지며 비파괴적인 측정시스템이라는 장점이 있고, 도핑되는 불순물이 n형인지 p형인지를 신속히 판별할 수 있을뿐만 아니라, 지면형상과 불순물의 농도를 동시에 측정할 수 있다.본 발명에 따른 반도체 소자내의 불순물 농도분포 측정시스템은 대기중에서 작동이 가능한 접촉식 측정방법으로서 접촉면적이 감소함에 따라 분해능 및 측정감도가 향상되는 나노스케일의 공간 분해능을 가지며 비파괴적인 측정시스템이라는 장점이 있고, 도핑되는 불순물이 n형인지 p형인지를 신속히 판별할 수 있을뿐만 아니라, 지면형상과 불순물의 농도를 동시에 측정할 수 있다.
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- 고려대학교
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- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 소프트 스위칭 기술
본 발명은 역 채널 구조에서 캐소드와 애노드 사이에 p채널을 형성함과 아울러 p+영역을 지정하여 그 위에 게이트 단자를 만들어 래치 업 성능을 향상시키고 스위칭을 고속으로 수행 할 수 있도록 한 아이지비티의 제조방법에 관한 것으로, 이러한 본 발명은 도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 p 기판을 형성하는 단계와, 상기 p 기판 상에 얇은 매몰 산화막을 성장시킨 후, 그 위에 n에피층을 형성하는 단계와, 상기 n에피층의 일측에 p형의 불순물이온을 주입하여 소정 깊이 p-/p+베이스영역을 형성하는 단계와, 상기 n에피층의 타측에 p형의 불순물이온을 주입하여 소정 깊이 p+링을 형성하는 단계와, 상기 p-/p+베이스영역에 n형의 불순물이온을 주입하여 소정 깊이 n+영역을 형성하는 단계와, 상기p-/p+베이스영역 상에 제1게이트전극 및 캐소드전극을 형성하는 단계와, 상기 p+링 상에 애노드전극을 형성하는 단계와, 상기 캐소드전극과 애노드전극 사이에 제2게이트전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다이상에서 상기한 바와 같이 본 발명은 전력 IC용 IGBT의 래치 업 특성 특성과 턴 오프 특성을 개선하기 위하여 p 채널게이트와 p+링을 추가시킨 새로운 구조의 IGBT를 제시한 다음, 제시된 구조의 타당성을 검증하기 위해 2-D 시뮬레이터인 메디시(MEDICI)를 이용하여 전기적인 특성을 분석하였다. 그 결과 래치업을 발생시키는 전압은 20배 그리고 전류밀도에 있어서는 100배의 개선 효과를 가져올 수 있었으며, 특히 턴 오프 특성에 있어서는 2∼8배 정도의 빠른 특성을 보여주고 있으며, 동시에 IGBT의 턴 오프 특성 중 가장 큰 단점이라고 할 수 있는 테일 전류 특성을 제거하여 고속스위칭에 적합하다는 것을 알 수 있다.
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- 고려대학교
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- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 폴딩 비터비 검출기의 트렐리스를 4상태에서 2상태로 상태천이도를 간소화시켜고 ACS 회로와 PM 회로는ACS 회로와 PM셀의 크기를 줄여 하드웨어의 면적과 소비전력을 줄일 수 있는 것으로 비터비 검출기의 구조를 줄이기위해 제안된 폴딩 비터비 검출기보다 더 적은 수의 회로를 이용하여 비터비 검출기를 설계하고 폴딩 비터비 검출기에비해 ACS 회로 구성에 필요한 가산기와 증감기의 개수를 줄여서 PN 회로 구성에 필요한 멀티플렉서와 플립플롭의 개수도 반으로 줄임에 따라 회로의 칩 면적을 줄일 수 있고 사용자의 요구에 따라 그 변형이나 적용분야가 다양한 뛰어난효과가 있다.이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 비터비 검출기의 구조를 줄이기 위해 제안된 폴딩 비터비 검출기보다 더 적은 수의 회로를 이용하여 비터비 검출기를 설계하여 폴딩 비터비 검출기에 비해 ACS 회로 구성에 필요한 가산기와 증감기의개수를 줄였으며 PM 회로 구성에 필요한 멀티플렉서와 플립플롭으 개수도 반으로 줄임에 따라 회로의 칩 면적을 줄일수 있는 효과가 있으며 사용자가 요구에 따라 그 변형이나 적용분야가 다양한 효과가 있으므로 전자제조 산업상 매우유용한 발명인 것이다.
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- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 중성자 핵전환(Transmutation) 도핑(doping) 공정을 이용하여 반도체 나노선에 중성자를 조사하여 불순물로 작용하는 원자들을 생성하는 방법에 관한 것으로서, 기판 상부에 반도체 나노선을 성장시키는 성장과정; 반도체 나노선에 중성자를 조사하여 상기 반도체 나노선 내부에 존재하는 원자들에 변환을 주는 핵전환공정을 이용하여 상기 반도체 나노선을 도핑하는 도핑과정; 및 상기 중성자가 도핑된 반도체 나노선을 열처리하는 열처리과정으로 이루어진 것을 특징으로 한다.상기와 같은 구성 및 작용 그리고 바람직한 실시예를 가지는 본 발명은 중성자 핵전환(Transmutation) 도핑(doping) 공정을 이용하여 반도체 나노선에 중성자를 조사하여 불순물로 작용하는 원자들을 생성하여 반도체 나노선에 불순물이 균일하게 도핑될 수 있도록 하는 효과가 있다.또한, 본 발명은 반도체 나노선에 중성자를 조사하여 도핑한 후에 반도체 물질을 열처리를 하여 반도체 나노선에 불순물이 균일하고 일정하게 도핑되도록 하는 효과를 달성한다.또한, 본 발명은 도핑한 반도체 나노소자를 열처리함으로써 빠른 중성자에 의해서 발생된 데미지를 제거해 줄뿐만 아니라 열중성자에 의해 발생된 원치 않는 효과도 제거할 수 있도록 하는 효과를 달성한다.또한, 본 발명은 반도체 나노선에 중성자 핵전환 도핑을 이용하여 불순물을 치환하는 방법을 이용하는 것으로 나노선을 나노소자로서의 응용 가능하도록 하여 나노소자에 대한 연구가 산업화에 이용될 수 있도록 하는 효과를 달성한다.또한, 본 발명은 중성자의 조사시간을 조절하여 원하는 농도의 불순물 도핑이 가능하도록 하여 나노소자로서의 이용효과를 향상시킬 수 있도록 하는 효과를 달성한다.또한, 본 발명은 열처리를 이용하여 도핑된 불순물이 구성원자 사이에 자리잡게 하여 균일하게 도핑되도록 하는 효과를 달성한다.
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- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
선형뺄셈기를 이용한 저전력 전압 증폭기 및 이를 이용한 아날로그-디지털 변환기가 개시된다. 그 저전력 전압 증폭기는 두 개의 입력단자를 가지며, 두 입력단자의 신호의 차를 출력하되, 두 입력단자 중 하나는 전원전압과 연결되고 다른 하나는 제1입력신호와 연결되는 선형뺄셈기; 제2입력신호와 연결되는 게이트 단자, 접지와 연결되는 드레인단자, 및 출력신호와 연결되는 소스단자를 구비하며, 벌크노드가 그 소스단자에 연결되는 제1PMOS 트랜지스터; 및 선형뺄셈기의 출력단자와 연결되는 게이트 단자, 전원전압과 연결되는 소스 단자 및 제1PMOS 트랜지스터의 소스단자와 연결되는 드레인 단자를 구비하며, 벌크노드가 그 소스 단자와 연결되며, 제1PMOS트랜지스터의 소스-게이트 전압과 동일한 소스-게이트 전압을 갖는 제2PMOS 트랜지스터를 포함함을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 전력소모와 차지하는 면적을 효과적으로 줄일 수 있다. 특히 상기 저전력 전압증폭기를 이용한 아날로그-디지털 변환기에 의하면, 파이프라인 아날로그-디지털 변환기의 각 단에 종래의 연산증폭기를 이용한 잔여증폭기 대신 본 발명에 의한 선형뺄셈기를 이용한 전압증폭기를 이용할 경우, 전력소모와 칩 면적을 효과적으로 줄일 수 있다.본 발명에 따른 선형뺄셈기를 이용한 저전력 전압 증폭기에 의하면, 전력소모와 차지하는 면적을 효과적으로 줄일 수 있다. 특히 상기 저전력 전압증폭기를 이용한 아날로그-디지털 변환기에 의하면, 파이프라인 아날로그-디지털 변환기의 각 단에 종래의 연산증폭기를 이용한 잔여증폭기 대신 본 발명에 의한 선형뺄셈기를 이용한 전압증폭기를 이용할 경우, 전력소모와 칩 면적을 효과적으로 줄일 수 있다.본 발명에 따른 선형뺄셈기를 이용한 저전력 전압 증폭기에 의하면, 전력소모와 차지하는 면적을 효과적으로 줄일 수 있다. 특히 상기 저전력 전압증폭기를 이용한 아날로그-디지털 변환기에 의하면, 파이프라인 아날로그-디지털 변환기의 각 단에 종래의 연산증폭기를 이용한 잔여증폭기 대신 본 발명에 의한 선형뺄셈기를 이용한 전압증폭기를 이용할 경우, 전력소모와 칩 면적을 효과적으로 줄일 수 있다.
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자요소 기술
본 발명은 평평한 시료의 먼 장(far field) 영역에서 시료에 대해 수직으로 입사하는 평면 전자기파에 대한 차폐효율을측정하는 방법 및 장치에 관한 것으로 라디오파 및 마이크로파 발생장치, 라디오파 및 마이크로파 신호검출기, 감쇠기(attenuator), 시료받침대, 증폭기, 동축선으로 측정장치를 구성하고 상기 시료받침대를 지름 3.04(±0.2)㎜의 내부도체와, 안쪽 지름이 7.0(±0.2)㎜인 외부도체로 동축케이블로 형성하여 TEM(Transverse eletromagnetic) 모드만이전파되는 측정 가능 주파수 상한이 19.0㎓이며 사용 가능한 시료는 평평한 모양의 평판형 또는 박막형 시료, 섬유체 및벌크(bulk) 형태의 전기적, 자기적 특성을 가진 모든 시료와, 다층막도 측정이 가능한 뛰어난 발명인 것이다.이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 시료받침대를 사용하여 19.0㎓ 영역까지 전자기파 차폐재료 차폐효율을 측정할수 있고, 전자기파 차폐효율을 측정할 수 있는 시료는 평평한 형태의 평판형 시료 및 얇은 박막, 섬유체, 그리고 두께가일정한 벌크(bulk) 형태의 전기적 또는 자기적 성질을 띄고 있는 모든 시료에 적용되며 단일층 또는 다층구조에 적용가능한 효과가 있으므로 무선통신산업, 디스플레이, 전자기파 차폐재료산업상 매우 유용한 발명인 것이다.
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