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본 발명은 일산화탄소(CO) 가스를 선택적으로 감지하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 감지재료로서 CuO가 첨가된 Zn 2 SnO 4 를 사용하면 일산화탄소 가스에 대해 비교적 저온 범위에서도 선택성이 뛰어난 가스 센서를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 따라 상기 감지재료에 대해 SnO 2 또는 ZnO를 전극으로 사용하거나 혼합하여 사용하여도 일산화탄소 가스에 대한 감도와 선택성이 우수한 센서를 얻을 수 있다. 0.001 내지 20 몰％의 CuO가 함침된 Zn 2 SnO 4 /SnO 2 적층 소결체 또는 Zn 2 SnO 4 /ZnO 적층 소결체를 가스감응층으로 하는 가스센서를 150℃ 내지 350℃에서 작동시켜 일산화탄소 가스를 선택적으로 감지하는 방법
본 발명은 유기금속 화학증착법에 의한 산화아연-마그네슘 박막의 제조방법에 관한 것으로서, 아연-함유 유기금속 및 마그네슘-함유 유기금속, 및 산소-함유 기체 또는 유기물을 별개의 라인을 통해 반응기에 주입시키고, 10 -3 내지 760 mmHg의 압력, 200 내지 800℃의 내부온도를 갖는 반응기 조건하에서, 상기 반응물질들의 유량을 각각 0.1 내지 10 sccm, 5 내지 50 sccm 및 20 내지 100 sccm의 범위로 조절함으로써 마그네슘의 몰분율을 제어함을 통해 기재 위에 상기 박막을 성장시키는 것을 포함하며, 본 발명에 따른 유기금속 화학증착법에 의하면, 대량생산이 가능하고 결정성이 우수한 산화아연-마그네슘 박막을 제조할 수 있다. 아연-함유 유기금속, 마그네슘-함유 유기금속, 및 산소-함유 기체 또는 유기물을 별개의 라인을 통해 반응기에 주입시키면서 기재 위에 막을 성장시키는 것을 특징으로 하는, 유기금속 화학증착법에 의한 Zn 1-x Mg x O (0<x<1) 박막의 제조방법.
본 발명은 유기금속 화학증착법에 의한 산화마그네슘계 박막의 제조방법에 관한 것으로서, 마그네슘-함유 유기금속 및 산소-함유 기체 또는 유기물을 반응기에 주입시키면서 10 -3 내지 760 mmHg의 압력, 200 내지 700℃의 내부온도 조건하에서 다양한 기재 위에 막을 성장시키는 것을 포함하는 본 발명에 따른 유기금속 화학증착법에 의하면, 결정형 기재뿐만 아니라 무정형 기재상에서도 결정성이 우수한 산화마그네슘계 박막을 성장시킬 수 있다. 마그네슘-함유 유기금속의 증기, 및 산소-함유 기체 또는 산소-함유 유기용매를 별개의 라인을 통해 반응기에 주입시키면서 기재와 접촉시켜 기재 위에 막을 성장시키는 것을 특징으로 하는, 유기금속 화학증착법에 의한 산화마그네슘계 박막의 제조방법.
본 발명은 초전도 마그네슘 보라이드(Magnesium Boride: MgB 2 ) 박막, 그 제조방법 및 이의 제조장치를 제공한다. 상기 제조방법은 기판상에 보론 박막을 형성하는 단계; 및 보론 박막이 형성된 기판과 마그네슘을 열처리한 다음, 이를 냉각시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 명시된 방법으로 박막을 제조하면, 기판에 수직하게 c축 배향성을 갖는 초전도 마그네슘보라이드 박막을 얻을 수 있다. 본 발명에 의해 제조된 마그네슘보라이드 박막은 초전도체 박막을 이용하는 전자장비 예를 들어, 미세자기장을 탐지하는 초전도양자간섭소자(SQUIDs)를 이용하는 의료용 정밀진단 장비와 위성통신에서 사용되는 마이크로파 통신장비, 조셉슨 소자 등에 이용이 가능하며, 이를 이용하며 컴퓨터를 제작하면 현재의 경우보다 연산속도가 100배 이상 향상되는 컴퓨터를 제조하는 것이 가능해진다. (a) 기판상에 보론 박막을 형성하는 단계; 및 (b) 보론 박막이 형성된 기판과 마그네슘을 열처리한 다음, 이를 냉각시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 초전도 마그네슘보라이드(MgB 2 ) 박막의 제조방법.
본 발명은 산화마그네슘(MgO) 박막 성장시 아연을 첨가함으로써 제조된 박막에 관한 것으로, 상기 박막의 제조시 산화아연 상이 분리되지 않는 범위내로 아연을 첨가함으로써 산화마그네슘의 결정을 그대로 유지하면서, 결정성 및 표면 미세구조가 향상되고, 표면 거칠기가 매우 적은 본 발명의 산화마그네슘 박막은 다양한 광 소자 및 전자 소자에 사용될 수 있다. 산화마그네슘 박막을 성장시키는 공정에서, 상분리가 일어나지 않는 범위내에서 아연을 20 몰％ 미만의 양으로 첨가하는 것을 특징으로 하는, 아연-첨가된 산화마그네슘 박막의 제조방법.
본 발명은 유기금속 화학증착법(Metal Organic Chemical Deposition, MOCVD)에 의한 산화아연계 나노선의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 유기금속 화학증착법에 의하면, 직경을 수 나노미터에서 수 마이크로미터의 넓은 범위까지 조절 가능하며, 직경이 비교적 균일할 뿐만 아니라 기재표면에 수직 방향으로 잘 배향되며, 특히, 나노선의 제조시 촉매를 사용하지 않기 때문에 촉매에 의한 오염을 방지할 수 있어 전기적, 광학적 성능이 우수한 산화아연계 나노선을 제조할 수 있다. 아연-함유 유기금속과 산소-함유 기체 또는 산소-함유 유기물을 각각 반응기에 주입하고, 상압 이하의 압력 및 온도 200 내지 1,000 ℃의 반응조건하에서 상기 반응물들을 기상 화학반응시켜, 기재상에 산화아연계 나노선을 증착, 성장시키는 것을 특징으로 하는, 유기금속 화학증착법에 의한 산화아연계 나노선의 제조방법.
본 발명은 결과물중 금속의 총몰수를 기준으로 망간(Mn)이 0.01∼50 몰%가 되도록 산화아연에 망간이 고용된 것을 특징으로 하는 산화아연계 강자성 물질을 제공한다.; 본 발명에 따른, 망간(Mn)이 도핑된 산화아연은 성장시 적정량의, 즉 산화망간 상이 분리되지 않을 정도의 망간(Mn)을 첨가함으로써, 강자성을 띄는 반도체 물질을 합성하여 다양한 광소자 및 전자 소자에 효율적으로 사용될 수 있다. 결과물중 금속의 총몰수를 기준으로 망간(Mn)이 0.01∼50 몰%가 되도록 산화아연에 망간이 고용된 것을 특징으로 하는 산화아연계 강자성 물질.
본 기술은 갈륨나이트라이드계 광소자의 P형 오믹전극 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 기술은 낮은 접촉저항을 가지면서 빛의 투과도가 뛰어나며 열적으로 안정한 갈륨나이트라이드계 (GaN based) 광소자의 P형 오믹전극에 관한 발명으로, 오믹 전극은 낮은 접촉 저항을 가지면서도 빛의 투과도가 뛰어나며 열적으로도 안정한 특징을 가진다. 이를 위해 본 기술에 의한 전극은 기판, 상기 기판상에 형성된 P형 갈륨나이트라이드층 및 상기 P형 갈륨나이트라이드층 상에 형성된 P형 오믹 전극으로 이루어지되, 상기 P형 오믹 전극은 루테늄 산화막, 이리듐 산화막 또는 오스미움 산화막으로 구성하는 것을 특징으로 한다.질화물 반도체 소재 기술은 정보전자 기능소재 전 분야에 적용되는 기술로서 탁월한 광전(발광/수광) 기능과 초고주파-고출력 특성을 이용하는 표시소자, 센서/검출기, 정보통신소자, 이동/위성통신소자 등의 핵심소자로서 광범위하게 활용될 수 있는 기반기술이다. 질화물 반도체 소재는 청색/녹색LED, 단파장 LD 등 기존의 반도체 소재로 해결하지 못하였던 단파장발광 소자에 채용됨으로써 표시소자 분야에 총천연색화와 단파장 반도체 레이저 광원구현에 결정적인 공헌을 하였다. 또한 200~400nm 영역에서 Si을 능가하는 탁월한 수광 기능이 입증되어 자외선(UV) 광 검출기에 활용되고 있고 Si이 접근할 수 없는 수십~수백GHz 영역의 초고주파 특성과 특유의 결정성 때문에 차세대 통신용 소자 및 FED(Field Emission Display)의 에미터팁(Emitter Tip)으로 활용될 전망이다.
Ta막을 포함하는 적층 구조의 금속막을 열처리함으로써 얻어지는 오믹 전극 및 이를 포함하는 반도체 소자와, 이들의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 오믹 전극은 AlGaN 화합물 반도체층 위에 Ta막을 형성하고, 상기 Ta막 위에 Al막을 포함하는 적층 구조의 금속층(multi-layered metal layer)을 형성하고, 상기 Ta막 및 적층 구조의 금속층이 형성된 결과물을 열처리하는 방법에 의하여 형성된다. 본 발명에 따른 오믹 전극에서는 열처리시 생성된 TaN상에 의하여 향상된 오믹 저항치가 얻어진다. 화합물 반도체층 위에 오믹 전극을 형성하기 위한 적층 구조에 있어서, 상기 화합물 반도체층 위에 상기 화합물 반도체층과 접하도록 형성된 Ta막과, 상기 Ta막 위에 형성되고, Ti막 및 Al막이 순차 적층된 이중충으로 이루어지는 Al 함유 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층 구조.
본 기술은 미세 입자의 원료가 되는 고체 분말을 소정의 형틀 내에서 가압, 가열하여 고형화시킨 후에 고형화된 고체 시편을 펄스 레이저를 이용하여 미세 입자화함으로써 미세입자의 생성 효율을 향상시킨 미세입자의 제조 방법 및 그 장치에 관한 것이다. 본 기술에 따른 장치는, 미세 입자를 생성하기 위한 원료로서의 고체 분말을 가압, 가열하여 고형화된 고체 분말 덩어리 시편을 만들기 위한 가압 가열수단 및 고형화된 고체 분말 덩어리 시편에 레이저 펄스를 조사하여 어블레이션시켜 미세 입자를 생성하기 위한 수단을 포함하여 된 것을 특징으로 한다. 미세 입자를 제조하는 방법에 있어서, 미세 입자를 생성하기 위한 원료로서의 고체 분말을 가압, 가열하여 고형화된 고체 분말 덩어리 시편을 만드는 단계 및 고형화된 고체 분말 덩어리 시편에 레이저 펄스를 조사하여 어블레이션(ablation) 시켜 미세 입자를 생성하는 단계를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 미세 입자 제조방법이다.
본 발명은 금속/나노소재 이종접합구조체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 기재 위에 수직 내지는 일방향으로 성장된 나노소재에 금속을 증착시키는 본 발명의 방법에 의하면, 나노소재의 팁(tip) 부위에 다양한 전극물질이 선택적으로 증착된, 금속/나노소재 이종접합구조체를 제조할 수 있으며, 본 발명에 따른 이종접합구조체는 나노 크기의 전자소자, 센서, 광소자, 자성소자 등에 이용될 수 있다. 기재 위에 수직 내지는 일방향으로 성장된 나노소재에 금속을 증착시키는 것을 포함하는, 금속/나노소재 이종접합구조체(heterostructure)의 제조방법.
본 발명은 ZnO 계열의 상온 투명 강자성 반도체와, 이를 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명의 ZnO 계열의 상온 폴리머 미세 바늘 어레이는, 큐리에(Curie) 온도가 500K 이상이며, 전자띠 간격이 넓어 광학적으로 투명하거나 또는 엷은 색깔을 나타낼 수 있는 물질로서, 제조단가가 저렴하고, 환경친화적인 물질이다. 이러한 특성을 갖는 ZnO 계열의 상온 투명 강자성 반도체는 투스핀트로닉스의 반도체로서 응용가능하며, 투명 자석으로서 자기광학적 전류 또는 자기장의 센서로 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 자기광학적 편광의 각도 센서 및 광학적 모듈레이터로서도 활용될 수 있다. 화학식 1로 표시되는 화합물: <화학식 1> Zn (1-x-y) M x A y O 상기식중, M은 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전이 금속이고, A는 구리(Cu)이고, x는 0.01 내지 0.15이고, y는 0.001 내지 0.01이다.
본 발명에 따른 블록 공중합체는 특정 온도 또는 특정 압력에서만 나노 구조를 형성하며, 수평균 분자량의 조절에 따라 상기 온도 영역 및 압력 영역의 범위를 조절할 수 있다. 상기 블록 공중합체가 나노 구조를 갖게 되면 편광된 빛에 대한 산란강도가 변하며 물리적인 성질인 모둘러스와 점도가 급격히 증가하게 된다. 따라서 특정화된 온도에서의 나노 구조를 요구하는 공정이나 광학적 성질 변화로 인한 온도 센서로 활용 가능할 뿐만 아니라 압력 센서로도 응용될 수 있다. 특정 온도 또는 압력영역에서만 나노구조를 형성하는 하기 식 1의 폴리스티렌-폴리펜틸메타크릴레이트 블록 공중합체. [IMAGE 2] (1) (상기 식 중, x 및 y는 부피분율로서 0.15≤x≤0.85 이고 x+y=1임).
본 발명은 다중벽 구조의 산화아연계 나노선 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따라 산화아연 나노선 위에 금속, 반도체, 유전체 등 다양한 이종물질을 코팅시켜 제조된 다중벽(core-shell) 구조의 산화아연계 나노선은, 다기능을 갖는 다양한 나노선이 단일선으로 제작될 수 있어 집적화가 용이하고, 다양한 나노소자의 핵심부품을 제조할 수 있어 다기능 집적형 나노소자 및 나노시스템을 구현하는데 유리하게 이용될 수 있다. 산화아연 나노선 위에, 마그네슘(Mg), 카드뮴(Cd), 망간(Mn), 아연(Zn), 코발트(Co), 이들의 합금 및 이들의 산화물 중에서 선택된 전이금속계 물질, 질화물 반도체 또는 유전체가 이종물질로서 코팅된, 다중벽 구조의 산화아연계 나노선.
본 발명은 화학식 1의 2,2'-비스{3-아미노-4-{ω-[4-(4-R-페닐)페녹시]알킬옥시}페닐}헥사플루오로프로판에 관한 것으로서, 이로부터 제조된 폴리이미드는 기존의 방향족 폴리이미드에 비해 유기용매에 대한 용해성이 향상될 뿐만 아니라 액정의 수직 배향성이 우수하여 잔상 소거 시간이 짧은 액정 배향제 및 액정표시소자의 제조에 매우 유용하다: ; ; [화학식 1] [IMAGE 1] ; 상기 식에서, m은 2 내지 24의 정수이고,; R은 수소, 시아노, 할로겐, 비치환되거나 할로겐 치환된 선형 또는 분지형 C 1-12 알킬 또는 알콕시이다. 화학식 1의 2,2'-비스{3-아미노-4-{ω-[4-(4-R-페닐)페녹시]알킬옥시}페닐}헥사플루오로프로판: 화학식 1 [IMAGE 19] 상기 식에서, m은 2 내지 24의 정수이고, R은 수소, 시아노, 할로겐, 비치환되거나 할로겐 치환된 선형 또는 분지형 C 1-12 알킬 또는 알콕시이다.
본 발명은 기체주입형 음향렌즈를 부착하는 음향집중 스피커의 제작방식과 그에 따른 가청거리 제한의 원리에 관한 것으로, 특히 음향렌즈 출구의 직경 크기에 대하여 2~3배 되는 근접거리에 있는 청취자에게만 음이 효과적으로 미치게 하고 주변 지역으로 음의 발산을 최대한 제한하는 소음방지 목적의 음향장치에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명은, 서로 다른 기체간의 경계면에서 발생하는 음향굴절의 자연법칙을 이용하여, 스피커의 음원 진동판에서 발산되는 음파에 대하여 근접거리 초점형성을 조장하여 음파의 퍼짐을 지역적으로 최대한 억제하는 방식으로, 고음 및 저음의 음원 진동판의 동심원 결합 설치방식, 기체 음향렌즈의 얇은 막의 탄성력과 기하적 대칭성에 관련된 근접 음파굴절의 상승작용 분석, 스피커 내부에 설치되는 흡음성 복합소재의 잡음방지 효과에 특징이 있다. 본 발명에서는 약 20cm 구경의 음향굴절렌즈를 소형 스피커의 음원 진동판에 부착하여서 근접거리 50cm에서 60dB 정도(사람의 목소리 청취시 음의 세기)의 근접장 청취공간을 구현하므로 가청거리 제한의 효과를 얻을 수 있었다. 근접 거리에서 가청 주파수 대의 음향을 집중하는 음향 집중 스피커로서, 공기와는 밀도가 다른 기체를 주입한 음향 렌즈와, 상기 음향 렌즈와 동심축 상에 결합된 음원 발생 장치와, 상기 음향 렌즈와 상기 음원 발생 장치를 둘러싸는 방음 음향통 을 구비하는 스피커.
본 발명은 산화아연(ZnO)계 나노바늘, 이의 제법 및 이를 이용한 전계방출 소자(Field Emission Display, FED)에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 유기금속 화학증착법(Metal Organic Chemical Deposition, MOCVD)에 의해 제조된 산화아연계 나노바늘은 한쪽 끝의 곡률반경이 수 나노미터 이하로 매우 예리하기 때문에 전계방출 특성이 우수하여 전계방출 에미터(emitter)로 사용될 수 있으며, 또한, 촉매를 사용하지 않는 유기금속 화학증착법에 의해 성장되므로 결함이 적고, 결정성이 매우 우수할 뿐만 아니라, 면적이 큰 기판 상에서도 길이, 두께 및 밀도분포가 균일하게 수직 방향으로 잘 배향되기 때문에 차세대 평판 디스플레이인 전계방출 소자 등에 유리하게 이용될 수 있다. 길이가 100 nm 내지 5 ㎛이고, 한쪽 끝의 곡률반경이 1 내지 5 nm인 산화아연계 나노바늘.
본 발명은 산화아연(ZnO)계 p-n 이종접합(heterojunction) 구조체, 이의 제법 및 이를 이용한 소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 p-타입 반도체 박막 위에 n-타입 산화아연계 나노막대를 유기금속 화학증착법(Metal Organic Chemical Deposition, MOCVD)에 의해 수직 방향으로 성장시켜 제조된 p-n 이종접합 구조체는, 발광 다이오드와 같은 반도체 발광소자, 트랜지스터, 광검출 소자, 감지소자 등과 같은 나노 소자 및 이들의 어레이(array)를 구현하는데 유리하게 이용될 수 있다. p-타입 반도체 박막 위에 n-타입 산화아연(ZnO)계 나노막대가 수직방향으로 성장되고 상기 박막상에 성장된 ZnO계 나노막대들 사이의 팁 부분을 제외한 빈 공간이 절연물질로 채워져 있는 p-타입 반도체와 n-타입 산화아연계 나노막대의 p-n 이종접합 구조체를 포함하는 나노소자.
; 본 발명은 기재 상에 일방향으로 나노막대를 성장시켜 나노소재를 형성한 다음, 상기 나노막대의 팁 부위에 나노 형광체를 증착시킴으로써 나노 형광체/나노소재 이종접합구조체를 제조하는 방법 및 그 방법에 의해 제조된 나노 형광체/나노소재 이종접합구조체를 제공한다. 기재 상에 일방향으로 성장된 나노막대를 포함하는 나노소재; 및 상기 나노막대의 팁 부위에 선택적으로 증착된 나노 형광체를 포함하는, 나노 형광체/나노소재 이종접합구조체.
유기 발광 다이오드를 제공한다. 본 발명은 유리 기판 상에 양극이 형성되어 있고, 상기 양극 상에 정공 주입층이 형성되어 있다. 상기 정공 주입층은 전이 금속층으로 구성할 수 있다. 상기 전이 금속층의 예로는 Ir, Ru, V, Rh, Ni 또는 Co막을 들 수 있다. 상기 정공 주입층 상에는 정공 수송층이 형성되어 있고, 상기 정공 수송층 상에는 발광층 및 음극이 순차적으로 형성되어 있다. 본 발명의 유기 발광 다이오드는 양극막과 정공 수송층 사이에 전이 금속층으로 정공 주입층을 형성하여 정공 주입 장벽을 낮추어 줌으로써 턴온 전압 및 작동 전압을 낮출 수 있다. 유리 기판 상에 형성된 양극; 상기 양극 상에 형성된 전이 금속층으로 구성되고, 상기 양극과 정공 수송층 사이의 정공 주입 장벽을 낮추는 역할을 수행하는 정공 주입층; 상기 정공 주입층 상에 형성된 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 형성된 발광층; 및 상기 발광층 상에 형성된 음극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.