일반기술
전기·전자 > 전력제어 기술
본 발명은 물 저장탱크형 정수설비에 설치된 주제어기와, 이런 주제어기의 원격지인 관리실에 설치된 수신기간에 약품 재고량 데이터와 시스템 작동상태 정보데이터를 무선 전송하여 실시간으로 작동 상태를 파악할 수 있는 소독약품 자동 투입시스템 및 그의 제어방법을 제공하려는 것이다. 본 발명의 소독약품 자동 투입시스템은 주 제어회로(110)로 알약 재고량 데이터와 시스템 작동상태 데이터를 무선으로 전송하는 주 제어기(100)와; 이런 주 제어기(100)로부터 전송된 데이터를 수신기 제어회로(201)로 수신하는 수신기(200)와; 주 제어회로(110)의 제어신호로 모터(380)의 작동을 제어하여 알약을 개별적으로 물 저장탱크(10)의 내부에 투입시키는 약품투입기(300)와; 주 제어회로(110)의 작동에 필요한 전원을 공급함과 동시에, 주 제어회로(110)에 접속된 배터리(119)를 충전시키는 태양열 전지(400)와; 물 저장탱크(10)의 내부에서 상하방향으로 소정 간격을 유지하는 복수의 수위센서(511, 512, 513)로 수위를 감지하여 주 제어회로(110)에 수위 감지신호를 전송하는 수위센서 어셈블리(500)를 포함한다.
- 보유기관
- (재)전남테크노파크
- 등록일
- 2008-10-31
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 기술은 기판, 및 상기 기판 상에 형성된 산화물계 나노 소재로 이루어진 기재를 포함하는 광촉매에 관한 것이다. 본 기술의 광촉매는 동일성분을 갖는 종래의 광촉매에 비하여 부피 대 면적비가 크며 나노 크기로 조절된 광촉매층을 가짐으로써, 우수한 광분해 효과를 나타낸다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2008-10-31
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 기술은 신규 형광물질 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 1,4-비스(디브로모비닐)벤젠 (1,4-bis[dibromovinyl]benzene) 및 2,5-비스(디브로모비닐)티오펜 (2,5-bis[bromovinyl]thiophene)의 소노가시라 반응 (Sonogashira reaction)에 의해 합성된 하기 화학식 1로 기재되는 신규 형광물질 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 기술의 형광물질은 방향족 핵 (aromatic nuclei)과 주변 잔기 (peripheral moieties)에 따라 남색에서부터 붉은 빛의 오렌지색까지 다양한 범위에서 방출 최대치를 나타내므로 전자 및 광자 분야에 있어 변조가능한 (tunable) 형광물질로 유용하게 사용될 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2008-10-31
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일반기술
전기·전자 > 교통전기
본 기술은 감지기둥을 갖는 미세질량 측정 센서에 관한 것으로서, 감지기둥을 갖는 멤브레인 구조를 이용하여, 부착되는 물질에 의한 강성변화에 따른 공진주파수의 변화를 측정함으로써, 측정된 공진주파수의 변화량을 물질의 질양으로 정확하게 환산할 수 있도록 하는데 특징적인 목적이 있다.이러한 특징적인 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 소정 반견(a)과 두께(h)를 갖는 판 형성의 멤브레인: 기둥형상으로 소정 길이(H)를 갖으며 연장되되, 그 일면은 멤브레인의 중앙부에 부착되며 타면은 측정물질이 부착되는 감지기둥: 및 멤브레인의 소정 위치에 증착되는 압전체:를 포함한다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2008-10-31
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 기술은 탄소나노튜브를 압전소자에 의해 변형시킬 때 일어나는 저항의 변화를 이용하여 스위칭이 되는 신개념의 트랜지스터와 이를 이용한 비휘발성 메모리를 제공하는 것을 목적으로 한다.상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 탄소나노튜브의 양단부에 각각 전기적으로 접촉되는 소스 전극과 드레인 전극을 포함하고, 상기 탄소나노튜브의 일측에 압전소자가 배치되어 있어, 상기 압전소자에 의한 상기 탄소나노튜브의 변형을 통해 스위칭이 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 트랜지스터를 제공한다. 또한 상기 압전소자로 형상 기억 메모리 압전소자(shape piezoelectric actuator)를 사용할 경우, 비휘발성 메모리로의 응용이 가능하다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2008-10-31
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 기술은 고유전율 박막에 인시튜(in-situ)로 도펀트(dopant)를 포함시키고, 도펀트의 위치 및 프로파일을 정확하게 조절할 수 있어 유전체의 특성을 향상시킴과 동시에, 공정수를 절감하고 공정온도를 낮춤으로써 생산성을 향상시키며 제조비용도 현저하게 절감할 수 있는 고유전율 박막의 형성방법을 제공하는데 목적이 있다.상기 목적을 달성하기 위해 본 기술은, 증착법을 통해 기판상에 고유전율 박막을 형성하는 방법으로, (a) 금속 전구체와 상기 금속을 산화시킬 수 있는 물질을 주입하여 박막을 형성하는 단계와, (b) 금속 전구체, 상기 금속을 산화시킬 수 있는 물질, 및 도펀트(dopant)를 포함하는 물질을 주입하여 도펀트(dopant)가 포함된 박막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 (b) 단계를 상기 (a)단계의 실시 전, 후 또는 중간에 실시하여, 형성된 박막에서 도펀트(dopant)가 포함된 박막의 위치 또는 두께 프로파일을 조절함으로써 소자의 특성을 변화시키는 고유전율 박막 형성 방법을 제공한다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2008-10-31
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 화화물 반도체를 기반으로 하는 전계효과형 메타모픽(metamorphic) 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT : high electron mobility transistor)를 제작하는 방법에 있어, T-게이트를 기판상에 안정적으로 형성하는 방법에 관한 것으로서 기판 위에 복수의 레지스트를 순차적으로 적층하는 단계; 상기 적층된 레지스트에 전자빔 리소그래피를 이용하여 T형 패턴을 형성하는 단계; 상기 T형 패턴이 형성된 기판 위에 게이트 금속층을 형성하는 단계; 접착부재를 상기 적층된 레지스트의 최상층에 형성된 게이트 금속층과 접착되도록 한 후 상기 접착부재를 분리시킴으로써 상기 게이트 금속층을 제거하는 단계; 및 상기 적층된 레지스트를 모두 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 또한 기판 위에 복수의 에피텍셜층이 형성된 화합물 반도체에 있어서, 캡층의 하부에 형성된 식각방지층을 고농도로 도핑함으로써 반도체 소자의 기생 저항을 줄이는 것을 또 다른 특징으로 한다. 본 발명에 따르면 접착 부재를 이용한 금속 제거 기법을 이용하여 안정적으로 미세 게이트를 형성할 수 있으며, 고농도 도핑된 인듐인 식각 방지층을 도입한 에피 구조를 이용하여 기생 저항 성분을 줄임으로써 초고속 동작이 가능한 고전자 이동도 트랜지스터 제조 기법을 제공한다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2008-10-31
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술에서 래치를 포함하는 동기 소자로 구성된 디지털 회로를 위한 블랙 박스 타이밍 모델링 방법이 개시된다. 본 기술은 동기 소자를 거치지 않는 입력 및 출력 간의 딜레이 정보를 제공하는 콤비네셔날 딜레이 아크(combinational delay arc) 특성화 단계, 동기 소자에 연결되는 입력에 대해 동기 소자의 클록의 라이징 또는 폴링 에지에 대한 홀드 시간(hold time)을 추출하고 이를 이용하여 홀드 시간 아크(hold time arc)를 형성하는 홀드 시간 아크 특성화 단계, 동기 소자에 연결되는 입력에 대해 동기 소자의 클록의 라이징 또는 폴링 에지에 대한 셋업(setup) 시간을 추출하고 이를 이용하여 셋업 시간 아크(setup time arc)를 형성하는 셋업 시간 아크 특성화 단계, 및 적어도 상기 셋업 시간 아크에 부분적으로 기반하여, 출력에 연결된 가장 가까운 동기 소자의 클록의 라이징 또는 폴링 에지를 기준으로 출력에서의 출발 시간 정보를 제공하는 클록-대-출력 딜레이 아크(clock-to-output delay arc) 특성화 단계를 포함한다. 본 기술은 상위 레벨의 검증에서 래치 기반 디자인 내부를 재검증하는 노력 없이 효율적으로 사용될 수 있어 전반적인 검증에 드는 시간을 줄일 수 있고 모델 사이즈 측면에서도 기존의 모델에 비해 줄어든다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2008-10-31
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
기판 상부에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상부에 탄소 나노튜브를 형성하는 단계; 및 상기 탄소 나노튜브가 형성된 절연층의 탄소용융 환원 (carbothermal reduction) 반응으로 절연층에 나노트렌치를 형성하는 단계를 포함하는 탄소 나노튜브를 이용한 절연층의 식각 방법과 이를 이용하여 제조된 나노 구조물이 제공된다. 본 발명의 식각 방법에 따르면 식각을 위한 비싼 기계 장비 및 복잡한 전처리 과정을 필요로 하는 기존의 방법에 비하여 간단하며, 또한 환경과 신체에 유독한 화학 약품을 사용하지 않아 친환경적이고, 0.5 내지 300 nm 의 평균 지름을 가지는 탄소 나노튜브를 이용하여 기존의 방법으로는 구현하기 어려운 0.5 내지 500 nm 의 평균 폭을 가지는 절연층의 나노트렌치를 제조할 수 있다. 또한, 상기 절연층의 나노트렌치를 이용하여 고밀도 집적화 소자용 나노 구조물을 제공할 수 있다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2008-10-31
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 기술은 반도체 소자의 T-게이트를 형성한다는 것으로, 이를 위하여 본 기술은, 게이트 머리 부분보다 상대적으로 폭이 좁은 게이트 발이 직선 형태로 형성되는 T-게이트를 형성하는 종래 방법과는 달리, 반도체 기판 상에 각기 다른 전자빔 감도를 갖는 제 1 레지스트, 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트를 도포하고, 제 1 레지스트, 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트가 도포된 반도체 기판 상에 전자빔을 이용한 제 1 노광 공정을 수행한 후 제 3 레지스트를 선택적으로 현상하며, 제 3 레지스트가 선택 현상된 폭보다 상대적으로 넓은 영역의 제 2 레지스트를 선택 현상하여 게이트 머리 영역을 정의하고, 제 3 레지스트 및 제 2 레지스트가 각각 선택 현상된 반도체 기판 상에 전자빔을 이용한 제 2 노광 공정을 수행한 후 제 1 레지스트를 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트의 현상보다 상대적으로 저온에서 굴곡진 형태로 선택 현상하며, 선택 현상된 제 1 레지스트, 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트에 따라 금속 물질을 증착한 후 제 1 레지스트, 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트를 제거하여 게이트 머리 및 게이트 발을 갖는 T-게이트를 형성함으로써, 전자빔을 이용한 제 1 및 제 2 노광 공정과 각기 다른 용액 및 온도에서의 현상을 통해 굴곡진 형태의 게이트 발을 갖는 안정적인 T-게이트를 형성할 수 있는 것이다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2008-10-31
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일반기술
전기·전자 > 영상·음향기기
본 기술의 초음파 스피커 시스템은, 효율적으로 큰 초음파 음압을 발생시키고 제작 단가를 낮추는 초음파 발생기를 응용하여, 입력 신호를 처리하는 신호 처리 모듈, 상기 신호 처리 모듈에서 발생된 신호를 증폭시키는 신호 증폭기, 및 상기 신호 증폭기에서 증폭한 신호에 의하여 초음파 음압을 발생시키는 초음파 발생기를 포함하며, 상기 초음파 발생기는 적어도 일면에 요부와 철부을 형성하는 방사판을 포함한다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2008-10-31
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일반기술
전기·전자 > 전력시스템
본 기술은 직렬공진 전파정류출력 회로를 사용하여 변압기 2차측의 다이오드가 영전류 스위칭을 할 뿐만 아니라 변압기 1차측의 능동클램프 회로가 누설인덕턴스에 저장된 에너지의 방전경로를 제공하여 누설인덕턴스의 에너지를 재활용할 수 있고, 더불어서 두 개의 주(main) 스위치(S1, S2)가 모두 소거되었을 때 입력인덕터에 흐르는 전류를 상기 능동클램프 회로의 콘덴서로 흐르게 함으로써 0.5보다 작은 시비율에서도 동작하여 넓은 입력전압 범위에서도 전력변환효율을 높일 수 있고 스위치의 전압 스트레스는 기존의 전류원 푸쉬풀 회로보다 작게 할 수 있는 능동클램프를 이용한 전류원 푸쉬풀 직류-직류 컨버터에 관한 것이다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2008-10-31
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일반기술
전기·전자 > 전력시스템
본 기술은 예를 들어 1KW급 이상의 큰 용량에도 사용할 수 있는 풀-브릿지 능동 클램프 회로(full-bridge active clamp circuit)를 이용하여 주스위치 도통 및 소거 시 변압기의 누설인덕턴스에 저장된 에너지에 의해서 일차측 스위치들이 영전압 스위칭(zero-voltage switching)을 하여 고속 스위칭으로 인한 전력손실을 줄일 수 있는 풀-브릿지 능동 클램프 직류-직류 컨버터에 관한 것이다. 이를 위한 본 기술은, 변압기에 의해 구분되는 일차측 회로부와 이차측 회로부를 포함하며; 상기 일차측 회로부는 풀-브릿지 능동 클램프 회로부로서 입력 콘덴서(Cd)와, 2개의 주스위치(S1, S2), 2개의 부스위치(S3, S4) 및 클램프 콘덴서(Cc)를 구비하여 이루어지고; 상기 이차측 회로부는 출력전압을 정류하기 위한 출력 정류 회로부인 것을 특징으로 한다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2008-10-31
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 기술은 신규한 전구체 조합을 이용하여 우수한 특성의 하프늄 실리케이트 박막을 성장시키는 원자층 화학 증착법에 관한 것이다. 원자층 화학증착법은 기판 표면에서 전구체간 리간드 치환반응을 통해 박막이 성장되는 방법이기 때문에 전구체의 선택이 박막특성에 크게 영향을 준다. 본 기술에서 사용된 적용된 전구체 조합은 추가적인 산화제 없이 금속(M1=Hf 혹은 Si)-알콕사이드와 금속(M2=Hf 혹은 Si)-알킬아마이드를 사용하여 삼성분계 금속산화막을 성장시킬 수 있다. 본 기술에 따른 전구체조합을 원자층 화학증착법에 적용하면, 높은 유전상수(k), 큰 밴드갭에너지 (Eg), 우수한 열적안정성, 우수한 계면특성, 우수한 층 덮임률을 가진 수 나노두께의 하프늄 실리케이트 박막을 얻을 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2008-10-31
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 기술은 기판 상부에 형성된 유기 반도체층, 게이트 절연층을 통하여 상기 유기 반도체층에 전압을 인가하는 게이트 전극, 상기 유기 반도체층에 접하면서 상기 유기 반도체층에 전압을 인가하고 서로 일정 거리 이격되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극으로 구성된 유기 박막 트랜지스터를 제공한다. 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 금층 또는 금 합금층과, 상기 금층 또는 금 합금층 상에 형성된 금 산화층을 포함하여 이루어지고, 상기 금 산화층은 상기 유기 반도체층과 접하여 전계 효과 전하 이동도를 증가시킨다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2008-10-31
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 기술은 산화아연계 미세 구조물을 선택적으로 성장시키는 방법 및 그 제조된 산화아연계 미세 구조물에 관한 것이며, 더욱 구체적으로 본 발명은 기판 상에 유기물 또는 무기물을 코팅하는 단계, 물리적 또는 화학적 식각 방법을 이용하여 기판 상에 특정한 위치와 일정한 간격을 가지는 패턴을 가하는 단계, 수열 합성법, 물리기상 증착법, 화학기상 증착법 등 다양한 성장방법을 통해서 상기 패턴이 가해진 위치에 선택적으로 산화아연계 미세 구조물를 성장시키는 단계를 포함하는 산화아연계 미세 구조물의 선택성장 방법 및 이로부터 제조된 산화아연계 미세 구조물을 제공한다
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2008-10-31
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일반기술
전기·전자 > 제어·자동화
본 기술은 G 코드 형식의 파트 프로그램을 STEP-NC 언어 형식의 파트 프로그램으로 변환시키는 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 G 코드 형식의 파트 프로그램과 공구 정보로부터 G 코드를 해석하는 과정을 거쳐 가공 공정 정보와 가공 형상 정보 및 가공 방식 정보 등으로 구성되는 STEP-NC 언어 형식의 파트 프로그램을 자동으로 생성해 줌으로써, 현장에서 주로 사용되는 G 코드 형식의 파트 프로그램을 번거로운 수정 없이도 STEP-NC 제어기에 용이하게 적용할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 기술에 따른 G 코드로부터 STEP-NC 파트 프로그램으로 변환하는 방법은, STEP-NC 파트 프로그램을 생성하는데 필요한 G 코드 파트 프로그램, 공구 정보 및 해당 G 코드를 해독할 수 있는 수치 제어기 정보를 입력받는 단계와; 입력받은 G 코드 파트 프로그램을 상기 수치 제어기 종류에 따라 분석하여 G 코드 블록 정보를 생성하는 G 코드 해석 단계와; 상기 G 코드 블록 정보를 이용하여 특징적 블록을 검출하고, 상기 특징적 블록을 경계로 G 코드 블록들을 그룹화하여, 전체 파트 프로그램을 셋업 실행단계(setup workingstep)와 다수의 가공 실행단계(machining workingstep)로 구분되도록 실행단계 단위로 분할하는 단계와; 상기 각 가공 실행단계 별로 그에 대응하는 G 코드 블록 정보를 이용하여, 공구 정보, 기계 기능 정보 및 가공 기술 정보를 생성하고, 상기 공구 정보, 기계 기능 정보 및 가공 기술 정보를 이용하여, 황삭 또는 정삭가공을 구분하는 가공 공정 정보를 생성하는 단계와, 소재영역으로부터 절삭되는 영역을 불리언 작업(boolean operation)으로 제거하여 해당 가공 실행단계의 가공 형상 정보를 생성하는 단계와, 공구의 진입전략, 퇴각 전략 또는 가공 전략을 포함하는 가공 방식 정보를 생성하는 단계를 포함하는 가공 실행단계 내부 정보를 생성하는 단계; 및 상기 각 가공 실행단계의 내부 정보가 모두 생성되면, 상기 가공 실행단계 들을 G 코드 파트 프로그램에서 수행한 가공 공정과 동일한 순서로 나열하여 STEP-NC 파트 프로그램을 생성하는 단계를 포함하여 구성되는 점을 특징으로 한다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2008-10-31
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 기술은 광양자테(PQR; Photonic Quantum Ring) 홀 발광소자에 뾰족한 광섬유를 삽입하고 광섬유와 홀 사이에 인덱스 매칭(index matching) 액을 사용하여 접착함으로써 주위의 충격에 무관하고 광결합 세기를 증가시킬 수 있는 광양자테 홀 발광소자의 버트 커플링 방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 기술은 광양자테(PQR) 홀 발광소자의 버트 커플링 방법에 있어서, 광섬유의 끝단을 뾰족하게 하는 단계와; 상기 광섬유의 뾰족한 끝단을 상기 광양자테 홀에 삽입하는 단계; 및 상기 광섬유와 상기 광양자테 홀을 인덱스 매칭액을 사용하여 접착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2008-10-31
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
본 기술의 광 개폐 장치는, 내부 공간을 가진 차광판과, 상기 차광판의 내부와 통하는 내부 유로를 가지면서 상기 차광판에 결합되는 가동축과, 상기 가동축의 주위를 감싸면서 상기 차광판의 상부에 위치하는 벨로우즈관과, 상기 가동축의 상단에 밀착 결합하고, 상기 가동축의 내부 유로와 이어지는 내부 공간을 가지는 연결관과, 상기 연결관의 측면을 통해 삽입되어 상기 가동축의 내부 유로를 따라 상기 차광판의 내부 공간을 향해 뻗은 냉각 유체 공급관과, 상기 연결관의 측면에 연결되어 상기 연결관의 내부 공간과 연통되는 냉각 유체 회수관, 및 상기 차광판을 개폐 가동시키도록 상기 연결관에 결합되는 가동수단을 포함한다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2008-10-31
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일반기술
전기·전자 > 전력변환 신호처리 기술
기술개요 - 본 기술은 반도체 소자에 관한 것으로서, 특히 이종접합 바이폴라 트랜지스터(Hererojunction Bipola Transistor : 이하 HBT라 칭함)의 구조 및 이를 이용한 전력 증폭기에 관한 것이다.기술특징 - 이종접합 트랜지스터의 병렬 연결에 있어서, 각각의 emitter finger에 독립된 source를 연결한 muli-emitter 구조로서 차등 증폭기 구현에 있어서 효과적으로 처리한 발명과, 각각의 에미터를 두꺼운 금속 도선을 이용하여 열 적으로 단락시켜 전류이득이 급격히 감소하는 현상을 완화시켰다.
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 등록일
- 2008-11-11
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