일반기술
기계 > 단위기계 요소부품
단순 선회형 급기구의 외부에 외부 원통체를 동축으로 형성하고 내외 원통체 사이에 형성된 비선회 기류 통로로부터 토출되는 비선회 공기 유량을 조절할 수 있도록 한 동축 선회형 급기구를 제공하기 위함이다. <구성>내부 원통체(5)의 안쪽인 선회 기류 통로 내에 선회익(7)이 고정 설치되어 있고 그 중앙부에 조절 나사봉(6)이 고정되며, 내부 원통체(5)의 외측으로는 이보다 큰 직경의 외부 원통체(8)가 동축적으로 설치되어 내외부 원통체 사이에 비선회 기류 통로(9)가 형성되는 한편 내부 원통체의 하단 주연부에는 조절 나사봉의 하부 외측에 형성된 나사부(6a)에 나사 결합된 비선회 기류 유량 조절 수단(10)의 원통부(10a)가 결합된다. 비선회 기류 유량 조절 수단은 조절 나사봉에 축방향으로 이동 가능하도록 형성되고 이의 상하 이동에 따라 비선회 기류 통로의 출구측에 변화가 일어나게 되어 비선회 공기의 유량이 조절된다. 비선회 기류 통로로부터 배출된 비선회 공기의 에어커튼 작용으로 주위의 오염된 공기가 혼합되는 것을 막을 수 있다. <효과>공기 조화 등 설비의 기류를 조절할 수 있고, 에어커튼 효과에 의하여 오염되고 더운 공기의 혼합을 차단할 수 있다.1. 급기되는 공기가 선회기류를 형성하게 하는 선회익(7)이 내장된 선회기류급기통로를 가지는 내부원통체(5)와, 이 내부원통체(5)의 외측에 동축적으로 설치되어 내부원통체(5)와의 사이에 환형의 비선회급기통로(9)를 형성하는 외부원통체(8)로 되는 것에 있어서, 상기 내부원통체(5)의 하단부에 나사식으로 상하이동조절가능하게 설치되어 비선회급기통로에서의 유량을 조절하는 비선회기류 유량조절수단(10)을 구비하여서 됨을 특징으로 하는 기류조절이 가능한 동축선회형 급기구.2. 제 1 항에 있어서, 상기 비선회기류 유량조절수단(10)은 내부원통체(5)의 하단외주연부에 결합되는 원통부(10a)와, 이 원통부(10a)의 하단에서 연장되어 기류를 확산시키는 확개부(10b)와, 이 확개부(10b)의 내주면과 그 중심부사이에 방사상으로 연결고정되는 연결봉(10d)와, 이 연결봉(10d)의 중심부에 고정설치된 너트(10c)와, 상기 선회익(7)에고정되어 하향연장되어 상기 너트(10c)와 나사결합되는 조절나사봉(6)으로 구성됨을 특징으로 하는 기류조절이 가능한 동축선회형 급기구
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
조성식(1-x)[Ba(Mg1/3Ta2/3)+xBaWO4으로 표시되고, x의 범위가 0.01 x 0.09임을 특징으로 하는 고주파용 유전체 세라믹스 조성물참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.1. 조성식은 (1-x)[Ba(Mg1/3Ta2/3)O3]+xBaWO4로 표시되고, x의 범위가 0.01≤x≤0.09임을 특징으로 하는 고주파용유전체 세라믹스 조성물
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 세라믹재료
도가니내에서 성장중에 있는 단결정의 액상 원료측으로 도가니의 상부로터 균일한 크기 및 균일한 무게의 원료 정제를 일정한 속도로 공급하여 단결정 성장의 전과정중에 액상의 조성과 깊이가 항시 일정하게 유지되도록 한 Mn-Zn 페라이트 단결정 제조 방법을 제공다. <구성>도가니(1)중의 용융 1차 원료(2)를 종자 결정(3)측으로부터 냉각시켜 단결정의 성장이 이루어지도록 함에 있어 일정량의 2차 원료 정제(4)를 고-액 계면상의 액상에 계속적으로 공급하여 단결정의 길이 방향을 따라 조성 변동이 없는 Mn-Zn페라이트 단결정을 제조하는 방법에 있어서, 1차 원료(2)의 조성은 2차 원료 정제(4) 조성에 비해 Fe2O3가 0.5-1.0mol% 적게, MnO는 0.5-2.0mol% 많게, ZnO는 0.0-1.0mol% 적게 선정하고, 용융 1차 원료(2)가 도가니 하부의 원추형 경사상 단부위에 까지 단결정 성장이 진행되었을 때 2차 원료 정제(4)를 투입하되 이때 고-액 계면위의 액상의 깊이가 15-35mm가 되도록 1차 원료의 양을 조절하는 한편 2차 원료 정제의 용융이 일어나는 백금 미소 도가니(6)와 액상(7)간의 거리가 30-80mm가 되도록 하여 Mn-Zn페라이트 단결정(8)을 성장시켜 Mn-Zn페라이트 단결정을 제조한다.1. 도가니중의 용융 1차원료를 종자결정측으로부터 냉각시켜 단결정의 성장이 이루어지도록 함에 있어 일정량의 2차원료 정제를 고-액계면상의 액상에 계속적으로 공급하여 단결정의 길이방향을 따라 조성변동이 없는 Mn-Zn페라이트단결정을 제조하는 방법에 있어서, 1차원료의 조성은 2차원료 정제조성에 비해 Fe2O3가 0.5-1.0mol% 적게, MnO는 0.5-2.0mol% 많게, ZnO는 0.0-1.0mol% 적게 선정하고, 용융 1차원료가 도가니 하부의 원추형 경사상단부위에까지 단결정 성장이 진행되었을 때 2차원료 정제를 투입하되 이때 고-액계면위의 액상의 깊이가 15-35mm가 되도록 1차원료의 양을 조절하는 한편 2차원료 정제의 용융이 일어나는 백금 미소 도가니와 액상간의 거리가 30-80mm가 되도록 하여 Mn-Zn페라이트 단결정을 성장시킴을 특징으로 하는 Mn-Zn페라이트 단결정 제조방법
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- 한국과학기술연구원
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재료 > 기타 세라믹재료
VTR 자기 헤드의 핵심 소재인 Mn-Zn 페라이트 단결정 성장법에 관한 것으로, 성장로 중에서 성장이 완료된 고온 상태의 Mn-Zn 페라이트 단결정의 냉각시 소정 온도 이하의 냉각을 성장로 외부에서 수행하여 단결정 성장 주기를 단축시키기 위함이다. <구성>조성 조절이 가능한 수정된 브리지만 단결정 성장법을 이용하여, 성장이 완료된 단결정(2)의 냉각 단계에서 성장로(1)의 온도가 400도C로 되었을 때 온도를 고정시킨 후, 400도C의 단결정을 성장로 외부로 꺼내 온도 보호용 내화물(4) 속에 넣고, 이를 온도 조절이 가능한 오븐 중에서 소정의 냉각 속도로 냉각함과 동시에 400도C의 성장로에서 그 다음번의 단결정 성장 작업을 연속적으로 수행함으로써 매번 성장로를 상온에서 400도C까지 승온시키는데 소요되는 시간과 에너지 비용을 절감할 수 있으며, 단결정 성장 주기를 단축시키면서 Mn-Zn 페라이트 단결정을 성장 시킬 수 있다.1. 조성조절이 가능한 수정된 브리지만 단결정 성장방법을 이용하여 Mn-Zn 페라이트 단결정을 성장시키는 방법에 있어서, 성장이 완료된 단결정의 냉각단계에서 성장로의 온도가 400℃로 되었을때 온도를 고정시킨 후, 400℃의 단결정을 성장로 외부로 꺼내 온도보호용 내화물 속에 넣고 이를 온도조절이 가능한 오븐중에서 소정의 냉각속도로 냉각을행함과 동시에 400℃의 성장로에서 그 다음번의 단결정 성장작업을 연속적으로 수행하여 단결정 성장주기를 단축시킴을특징으로 하는 Mn-Zn 페라이트 단결정 성장주기 단축방법.2. 제1항에 있어서, 단결정이 삽입되는 온도보호용 내화물의 온도를 단결정의 온도와 동일하게 400℃로 가열하여 열충격을 방지토록 함을 특징으로 하는 Mn-Zn 페라이트 단결정 성장주기 단축방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
ZnO의 휘발을 억제하고 균일한 특성을 나타내도록 이중 백금관을 통한 용융물 표면으로의 산소 공급이 이루어지도록 하여, 성장로 내부의 산소 분압이 높게 유지되도록 단결정 성장 분위기를 개선하여 고품위의 Mn-Zn 단결정을 고수율로 제조하기 위함이다. <구성>연속 원료 투입 방식의 수정된 브리지만 단결정 성장법을 이용하여, 도가니(3) 주위의 알루미나관(1)의 하부로부터 산소 가스를 유입시킴과 동시에 이중 백금관(8)을 형성하는 원료 정제 투입용 백금관과 그 주위의 가스 공급관(7)사이에 형성된 가스 통로를 통하여 산소 가스를 300-800CC/분으로 유입시켜 가스통로의 하단부에 천공된 다수개(12개 이상)의 가스 분출공(7c)을 통해 도가니중의 용융물(9) 표면측으로 산소 가스를 유입시켜, 용융물 표면 주위의 산소 분압을 높게 유지시킨 상태에서 단결정의 성장이 이루어지도록 한다. 이때 가스 분출공(7c)과 용융물(9) 표면까지의 거리가 너무 가까울 경우에는 백금 미소 도가니(4)가 용융물에 닿게 되고, 너무 멀면 분위기 개선 효과가 떨어지므로, 가스 분출공과 용융물 표면까지의 거리는 40-70MM가 적절하다.1. 연속 원료 투입방식의 수정된 브리지만 단결정 성장방법으로 Mn-Zn 페라이트 단결정을 성장시키는 방법에있어서, 도가니 주위에 알루미나관의 하부로부터 산소가스를 유입시킴과 동시에 이중백금관을 형성하는 원료정제 투입용백금관과 그 주위를 감싸는 가스공급관사이에 형성된 가스통로를 통하여 산소가스를 유입시켜 가스통로의 하단부에 천공된 다수개의 가스분출공을 통하여 도가니중의 용융물 표면측으로 산소가스를 유입시켜 용융물 표면 주위의 산소분압을 높게 유지시킨 상태에서 단결정의 성장이 이루어지도록 함을 특징을 하는 Mn-Zn 페라이트 단결정 성장방법.2. 제1항에 있어서, 이중백금관의 가스공급관으로부터 유입되는 가스유입량이 300∼800㏄/min인 것을 특징으로 하는 Mn-Zn 페라이트 단결정 성장방법.3. 제1항에 있어서, 이중백금관의 가스공급관 하단부에 형성된 가스분출공이 12개 이상이며 가스분출공과 용융물 사이의 거리가 40∼70㎜인 것을 특징으로 하는 Mn-Zn 페라이트 단결정 성장방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
본 발명은 일반식( III )의 알데히드와 일반식( II )의 아민 유도체를 용매 존재하에 축합반응시켜 중간체인 일반식( IV )의 이민화합물을 제조하고 카르복시 보호기를 제거하여 일반식(I)로 표시되는 페남 유도체를 제조하는 것으로 일반식(I)은 이성체를 포함한다. 일반식(I)의 화합물은 베타락타마제 저해제로서 기존의 항생제와 일정 비율로 병용하면 항균작용을 증진시키는 유용한 화합물이다.1. 일반식( I )로 표시되는 페남 유도체 및 약제학적으로 허용되는 염 및 일반식( Ia )와 일반식( Ib )로 표시되는 이성체.일반식(I)에 있어서, Q는 수소, 메틸, 할로겐 화합물, 시아노, 알콕시기, 또는 히드록시기를 표시하며, R은 수소, 나트륨, 카르복시 보호기로서 4-메톡시벤질, 디페닐메틸, 4-니트로벤질 또는 알릴에서 페니실린이나 세팔로스포린 화합물 분야에서 분자의 보호기로 유용한 것을 나타내며, n은 0, 1 또는 2의 정수이다.2. 일반식( III )의 알데히드와 일반식( II )의 아민 유도체를 용매 존재하에 축합반응시켜 일반식( IV )로표시되는 이민화합물을 제조하는 반응공정 1과 카르복시 보호기를 제거하는 반응공정 2로 이루어진 것이 특징인 일반식(I)로 표시되는 페남 유도체의 제조방법. 일반식(I)에 있어서, Q는 수소, 메틸, 할로겐 화합물, 시아노, 알콕시기, 또는 히드록시기를 표시하며, R은 수소, 나트륨 또는 칼륨을 표시하며, n은 0, 1 또는 2의 정수이며, 일반식(II)에 있어서, Q는 수소, 메틸, 할로겐 화합물, 시아노기, 알콕시기 또는 히드록시기를 표시하며, 일반식( III )있어서, R'는 카르복시 보호기로서 4-메톡시벤질, 디페닐메틸, 4-니트로벤질 또는 알릴의 페니실린이나 세팔로스포린 화합물 분야에서 분자의 보호기로 유용한 것을 나타내며, n은 0 ∼ 2의 정수이며, 일반식( IV )에 있어서, Q는 수소, 메틸, 할로겐 화합물, 시아노, 알콕시기, 또는 히드록시기를 표시하며,R은 수소, 나트륨, 또는 칼륨을 표시하며, n은 0, 1 또는 2의 정수이다.3. 제 2 항에 있어서, 반응공정 1의 축합반응에 사용되는 용매가 메틸클로리드를 사용하는 것이 특징인 일반식(I)로 표시되는 페남 유도체의 제조방법.4. 제 2 항에 있어서, 반응공정 1의 축합반응이 20 ∼ 25℃에서 30분 ∼ 2시간 반응시키는 것이 특징인 일반식(I)로 표시되는 페남 유도체의 제조방법.5. 제 2 항에 있어서, 반응공정 1의 축합반응에서 pH가 1 ∼ 7로 유지시키는 것이 특징인 일반식(I)로 표시되는 페남 유도체의 제조방법.6. 제 2 항에 있어서, 제 2 공정의 R'을 제거하기 위한 산이 메타크레졸인 것이 특징인 일반식(I)로 표시되는페남 유도체의 제조방법.7. 제 2 항에 있어서, 반응공정 2의 R'을 제거하기 위해 -20 ∼ 100℃에서 1 ∼ 20시간 반응시키는 것이 특징인 일반식(I)로 표시되는 페남 유도체의 제조방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
본 발명은 일반식( II )의 알데히드와 일반식( III )의 할로겐염 유도체를 이중결합시켜 중간체인 일반식( IV )의 비닐 화합물을 제조하고 카르복시 보호기를 제거하여 일반식(I)로 표시되는 신규한 2-베타-알케닐-페남 유도체를 제조하며, 이는 베타락타마제 저해제로서 기존의 항생제와 일정 비율로 병용하면 항균작용을 증진시키는 유용한 화합물이다1. 일반식( I )로 표시되는 2-베타-알케닐-페남 유도체 및 약제학적으로 허용되는 염 및 일반식( Ia )와 일반식( Ib )로 표시되는 이성체.일반식(I)에 있어서, Q는 수소, 메틸, 할로겐 화합물, 시아노, 알콕시기, 또는 히드록시기를 표시하며, R은 수소, 나트륨 또는 칼륨을 표시하고, n은 0, 1 또는 2의 정수이다.2. 일반식( II )의 알데히드와 일반식( III )의 할로겐염 유도체를 용매 존재하에 축합반응시켜 중간체인 일반식( IV )의 비닐화합물을 제조하는 반응공정 I과 카르복시 보호기를 제거하는 반응공정 II로 이루어진 것이 특징인 일반식(I)로 표시되는 2-베타-알케닐-페남 유도체의 제조방법. 일반식(I)에 있어서, Q는 수소, 메틸, 할로겐 화합물, 시아노, 알콕시기, 또는 히드록시기를 표시하며, R은 수소, 나트륨 또는 칼륨을 표시하고, n은 0, 1 또는 2의 정수이며, 일반식(II)에 있어서, R'가 4-메톡시벤질, 디페닐메틸, 4-니트로벤질 또는 알릴의 페니실린이나 세팔로스포린 화합물 분야에서 분자의 보호기로 유용한 유기기를 나타내며, n은 0 ∼ 2이며, 일반식(III)에 있어서, Q가 수소, 메틸, 할로겐 화합물, 시아노기, 알콕시기 또는 히드록시기이며, X가 염소, 브롬또는 요오드를 표시하며, 일반식(IV)에 있어서, Q가 수소, 메틸, 할로겐 화합물, 시아노기, 알콕시기 또는 히드록시기이며, R'가 4-메톡시벤질, 디페닐메틸, 4-니트로벤질 또는 알릴의 페니실린이나 세팔로스포린 화합물 분야에서 분자의 보호기로 유용한 유기기를 표시하며, n은 0 - 2이다.3. 제 2 항에 있어서, 반응공정 I의 축합반응에 사용되는 용매가 메틸클로리드 또는 메틸렌클로리드와 물의비율이 3 : 1의 부피비율로 사용하는 것이 특징인 일반식(I)로 표시되는 2-베타-알케닐-페남 유도체의 제조방법.4. 제 2 항에 있어서, 반응공정 I의 축합반응에 사용되는 염기가 탄산나트륨인 것이 특징인 일반식(I)로 표시되는 2-베타-알케닐-페남 유도체의 제조방법.5. 제 2 항에 있어서, 반응공정 I의 축합반응이 20 ∼ 25℃에서 30분 ∼ 2시간 반응시키는 것이 특징인 일반식(I)로 표시되는 2-베타-알케닐-페남 유도체의 제조방법.6. 제 2 항에 있어서, 반응공정 I의 축합반응에서 pH가 3 ∼ 12로 유지시키는 것이 특징인 일반식(I)로 표시되는 2-베타-알케닐-페남 유도체의 제조방법.7. 제 2 항에 있어서, 반응공정 II의 R'을 제거하기 위한 산이 메타크레졸인 것이 특징인 일반식(I)로 표시되는 2-베타-알케닐-페남 유도체의 제조방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
에너지·자원 > 기타 에너지 절약 기술
v-ti-zr-ni계 또는 mm계에 pd과 ru이 소량 첨가된 수소저장합금을 분쇄하는 분쇄공정과, 상기 분쇄된 수소저장합금분말에 k.b+ ptfe+cmc페이스트 원액을 첨가하여 혼합하는 혼합공정과, 상기 혼합된 페이스트를 다공성 니켈에 충진하는 충진공정과, 다공성 니켈에 충진된 페에스트를 건조하는 건조 공정과, 건조된 전극을압착성형하는 압착성공정의 순서로 수행함을 특징으로 하는 니켈/금속수소 축전지용 페이스트식 금속 수소전극의 제조방법1.수소저장합금 분말과 팽창흑연을 물 또는 알콜로 균일하게 혼합하고, 혼합된 분말을 니켈망에 도포한 후, 건조시켜 압착성형함을 특징으로 하는 니켈/금속수소 축전지용 금속수소전극의 제조방법.2.제1항에있어서, 상기 팽창흑연의 양이 1-20w.%인 것을 특징으로 하는 니켈/금속수소 축전지용 금속수소 전극의 제조방법.3.제1항에있어서, 상기 물 또는 알콜은 산소가 제거된 것이 사용되고, 그양은 5~20wt.% 인것을 특징으로 하는 니켈/금속수소 축전지용 금속수소 전극의 제조방법.4.제1항에있어서, 상기니켈망은 20~24#이고, 압착성형압력은 1~10ton/cm2인 것을 특징으로 하는 니켈/금속수소 축전지용 금속수소전극의 제조방법.
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- 2000-12-15
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일반기술
에너지·자원 > 기타 에너지 절약 기술
본 발명은 니켈/금속수소 축전지용 금속수소전극의 제조방법에 관한 것으로, 아크용해로 혹은 고온유도용해로에서 제조한 수소저장합금에 수소를 흡탈착시켜 -325#로 분쇄한 후, 1∼20wt.%의 팽창흑연과 혼합한다. 혼합시 균일한 혼합을 위하여 산소가 제거된 물, 알콜 등을 5∼20wt.%첨가한다. 이처럼 산소를 제거하는 이유는 전극의 산화를 방지하기 위한 것이다. 혼합된 분말은 20∼24# 정도의 니켈망에 도포한 후 건조시키고, 1∼10ton/cm2의 압력으로 압착성형하여 전극을 제조하도록 한 것이다.이러한 본 발명은 팽창흑연을 수소저장합금분말과 혼합하여 니켈망에 압착성형하여 금속수소전극을 제조함으로써 전극의 가공성을 향상시키고, 수소저장합금의 미분화에 의한 탈락을 방지하여 전극의 안정성 및 수명을 연장시키며, 도전재 및 결합재의 양을 감소시킴으로써 전극용량을 증대시키는 효과가 있으며, 또한, 전극의 가공성이 우수해지기 때문에 전극제조설비가 간소화되어 제조원가를 절감하는 이점도 있다.1.수소저장합금 분말과 팽창흑연을 물 또는 알콜로 균일하게 혼합하고, 혼합된 분말을 니켈망에 도포한 후, 건조시켜 압착성형함을 특징으로 하는 니켈/금속수소 축전지용 금속수소전극의 제조방법.2.제1항에있어서, 상기 팽창흑연의 양이 1-20w.%인 것을 특징으로 하는 니켈/금속수소 축전지용 금속수소 전극의 제조방법.3.제1항에있어서, 상기 물 또는 알콜은 산소가 제거된 것이 사용되고, 그양은 5~20wt.% 인것을 특징으로 하는 니켈/금속수소 축전지용 금속수소 전극의 제조방법.4.제1항에있어서, 상기니켈망은 20~24#이고, 압착성형압력은 1~10ton/cm2인 것을 특징으로 하는 니켈/금속수소 축전지용 금속수소전극의 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
에너지·자원 > 기타 에너지 절약 기술
전해철을 분쇄하는 공정과, 분쇄된 철분말을 페이스트 원액과 혼합하는 페이스트공정과, 페이스트를 집전체에 도포하는 공정과, 페이스트를 건조하는 공정과, 건조된 페이스트를 수소분위기에서소결하는 공정과, 소결도니 페이스트를 수소과전압이 높은 금속으로 피복처리하는 공정의 순서로 수행함을 특징로 하는 니켈/철축전지용 철전극의 제조방법.1.전해철을 분쇄하는 공정과, 분쇄된 철분말을 페이스트 원액과 혼합하는 페이스트공정과,페이스트를 집전체에 도포하는 공정과,페이스트를 건조하는 공정과, 건조된 페이스트를 수소과전압이 높은 금속으로 피복처리하는 공정의 순서로 수행함을 특징으로 하는 니켈/철 축전지용 철전극의 제조방법.2.제1항에 있어서, 상기 피복처리공정은 수소과전압이 높은 금속의 Chloride,nitrate,sulfate,oxide화합물을 산용액 혹은 증류수에 용해한 용액이나 이용액에 환원제를 첨가한 용액에 철전극을 침적하여 철표면에 금속을 석출시키는 화학적 환원방법으로 피복처리한 것임을 특징으로 하는 니켈/철 축전지용 철전극의 제조방법.3.제2항에 있어서, 상기 수소과전압이 높은 금속은 Bi,Sn,Sb,Cb,Ti,Te,Co중에서 선택된 어느하나인것을 특징으로하는 니텔/철 축전지용 철전극의 제조방법.4.제2항에 있어서, 상기금속피복처리 용액의 조성은 산농도 0.1~3M, 금속이온농도 0.1~50g/1 환원제농도 0.1~50g/1인 것을 특징으로 하는 니켈/철 축전지용 철 전극의 제조방법.5. 전해처을 분쇄하는 공정과, 분해된 철분말을 수소과전압이 높은 금속으로 피복처리하는 공정과, 피복처리된 철입자를 페이스트 원액과 혼합하는 페이스트공정과,페이스트를 집전체에 도포하는 공정과, 페이스트를 건조하는 공정과, 건조된 페이스트를 수소분위기에서 소결하는 공정의 순서로 수행함을 특징으로 하는 니켈/철 축전지용 철전극의 제조방법.6.제5항에 있어서, 상기 피복처리공정은 수소과전압이 높은 금속의 Chloride,nitrate,,Sulfate,oxide화합물을 산용액 혹은 증류수에 용해한 용액이나 이용액에 환원제를 첨가한 용액에 철입자를 침적하여 철표면에 금속을 석출시키는 화학적 환원방법으로 피복처리한 것임을 특징으로 하는 니켈/철 축전지용 철전극의 제조방법.7.제6항에 있어서, 상기 수소과전압이 놓은 금속은 Bi,Sn,Sb,Cd,Ti,Te,Co중에서 선택된 어느하나인 것을 특징으로 하는 니켈/철 축전지용 철전극의 제조방법.8.제6항에 있어서, 상기 금속피복처리 용액의 조성은 산농도 0.1~3M, 금속이온농도 0.1~50g/1 환원제농도 1~50g/1인 것을 특징으로 하는 니켈/철 축전지용 철전극의 제조방법.
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
생리활성이 우수하고, 내성균에 효과가 있으며, DHP-1 효소에 대한 안정성이 우수한 피롤리디닐티오계 카바페넴 유도체를 제공한다. [구성]식(II)의 화합물을 염기 존재하에 디페닐클로로포스페이트와 반응시켜 식(III)의 화합물을 생성한다. 화합물(III)을 염기존재하에 식(IV)의 티올 유도체와 반응시켜 식(V)의 보호된 카바페넴을 생성하고, 중간 화합물(V)을 염기 존재하에 트리플루오로 메탄술폰산안하이드라이드와 반응시켜 식(VI)의 중간 화합물을 생성시키고, 고리아민과 반응하여 식(VII)의 중간 화합물을 생성한다. 실릴화된 중간물질(VII)을 초산과 테트라부틸암모늄플루오라이드로 탈실릴화시키고, 보호된 중간화합물(VIII)을 인산염 완충용액과 수소/팔라듐 촉매를 이용하여 일반식(I)의 화합물을 제조한다. R11은 수소 또는 음이온이며, R1이 수소이면 R2는 피로리디닐, 피레필디닐, 3-히드록시피롤리디닐, 4-히드록시피페리디닐, 호모피페리디닐, 티아졸리디닐, 티오모르폴리디닐, 모로폴리닐이며, R1이 음이온이면 R2는 탄소수 5 또는 6개의 고리 화합물이다1. 다음 일반식(Ⅰ)의 피롤리디닐티오계 카바페넴 유도체상기식에서 R1은 수소 또는 음이온이며; R1이 수소이면 R2은 피롤리디닐, 피페리디닐, 3-히드록시피롤리디닐, 4-히드록시피페리디닐, 호모피페리디닐, 티아졸리디닐, 티오모르폴리디닐, 모노폴리닐이며; R1이 음이온이면 R2는 탄소수 5 또는 6개의 고리화합물인 하기 일반식(Ⅰ)과 (2)의 양이온이며;R3는 저급 알코올, 수소, 저급알킬이다.2. 제1항에 있어서, 상기 카바페넴 고리가 (1R, 5S, 6S, 8R)의 광학이성질체 배열을 갖는 것을 특징으로 하는피롤리디닐티오계 카바페넴 유도체.3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 카바페넴 고리의 2 위치에 치환되는 티올 유도체가 (3S, 5S)의 광학 이성질체배열을 갖는 것을 특징으로 하는 피롤리디닐티오계 카바페넴 유도체.4. 다음 단계로 이루어진 R1이 음이온인 제1항의 일반식(I)의 피롤리디닐티오계 카바페넴 유도체의 제조방법.(1) 출발물질로서 다음 일반식(II)의 화합물을 염기 존재하에 디페닐클로로포스페이트와 반응시켜 다음 일반식(III)의 화합물 생성하며;(상기식에서 P1은 보호기로서, 파라니트로벤질, 파라메톡시벤질, 또는 알릴기임)(2) 상기 화합물(Ⅲ)을 염기 존재하에 다음 일반식(IV)의 티올유도체와 반응시켜 일반식(V)의 보호된 카바페넴을 생성하며; (상기식에서 P1는 상기(1)에서 정의된 바와 같으며 P2는 보호기로서 파라니트로벤질옥시카르보닐기임) (3) 상기 일반식(V)의 화합물을 염기 존재하에 메실클로라이드와 반응시켜 일반식(X)의 메실레이트 화합물을 생성한 다음, 요오드나트륨을반응시켜 요오드가 치환된 일반식(XI)의 중간 화합물을 얻고, 실릴화된 중간 화합물(XI)을 초산과 테트라부틸암모늄플루오라이드를 이용하여 탈실릴화된 일반식(XII)의 화합물을 생성하고 이것을 불활성 유기용매중에서 은이온 존재하에 아민또는 항화합물과 반응시켜 일반식(XIII)의 화합물을 생성한 다음, 수소와 팔라듐 촉매로 탈보호화하여 R1이 음이온인 일반식(I)의 화합물을 제조한다.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
본 발명은 아래 일반식(I)의 새로운 카바페넴계 항생제 및 그 제조방법에 관한 것이다.(I)본 발명의 카바페넴계 항생제는 그람 음성균에 탁월한 효과가 있으며 DHP-I효소에 대한 안정성이 우수하다1. 1) 하기의 일반식(I)을 갖는 1-베타-메틸카바페넴 유도체상기식에서, R1는 수소, 메틸, 에틸등 저급알킬, 싸이클로프로필R2는 수소, 메틸, 에틸, 프로필등 저급알킬, 싸이클로프로필 벤질이다.2. 2) 하기 일반식 (II)을 갖는 Thiol 유도체상기식에서, R1는 수소, 메틸, 에틸등 저급알킬, 싸이클로프로필R2는 수소, 메틸, 에틸, 프로필등 저급알킬, 싸이클로프로필벤질이다.3. 하기의 단계로 이루어진 제 1항의 일반식(I)의 1-베타-메틸카바페넴 유도체의 제조방법.(1) 출발물질로서 하기 일반식(III)의 화합물을 염기 존재하에 디페닐클로로포스페이트와 반응시켜 하기 일반식(IV)의 화합물을 생성하는 단계상기식에서, P1은 보호기로서 파라니트로벤질 또는 알릴기이다.(2) 상기 화합물(IV)을 염기 존재하에서 일반식(II)의 티올 유도체와 반응시켜 아래의 일반식(V)의 보호화된 카바페넴을생성하는 단계상기식에서, R1는 수소, 메틸, 에틸등 저급알킬, 싸이클로프로필R2는 수소, 메틸, 에틸, 프로필등 저급알킬, 싸이클로프로필벤질이다.(3) 화합물(V)를 수소와 팔라듐 촉매를 사용하여 탈 보호화 시켜 최종 화합물(VI)을 생성하는 단계
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- 한국과학기술연구원
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 백색발광용 전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 유리기판 상에 ITO 투명전극을 형성하는 공정과, RF 반응성 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링법으로 상기 투명전극에 하부절연층을 형성하는 공정과, 상기 하부절연층 상에 발광층을 형성하는 공정과, 상기 발광층 상에 상기 하부절연층과 동일한 스퍼터링법으로 상부절연층을 형성하는 공정과, 상기 상부절연층 상에 발광소자 동작특성의 열화현상을 방지하는 완충층을 형성하는 공정과, 상기 완충층 상에 열증착법으로 알루미늄 전극을 증착하는 공정을 통하여 희토류 원소인 Pr을 발광중심으로 한 EL 소자를 제공함으로써 빛의 삼원색인 적, 청, 녹색파장의 발광스펙트럼을 모두 갖는 백색 형광박막이 적층되어 형성된 우수한 색순도를 갖는 백색 발광 EL 평판 표시소자를 구현하도록 한 것이다.1.유리기판과, 상기 유리기판 상에 형성된 투명전극과, 상기 투명전극 상에 형성된 하부절여능과, 상기 하부절연층 상에 형성되어 발광되는 발광층과, 상기 발광층상에 형성된 상부절연층과, 상기 상부절연층 상에 형성되어 발광소자 동작특성의 연화현상을 방지하는 완충층과 상기 완충층 상에 형성된 알루미늄 전극으로 구성함을 특징으로 하는 백색 발광용 전계 발과 소자.2.제2항에 있어서, 상기 상,하부절연층은 BaTa2O2로 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 발광용 전계발광소자.3.제1항에 있어서, 상기 발광층은 Pr이 발광중심으로 형성된 것을 특징으로 하는 백색 발광용 전계발광소자.4.제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 발광층은 SrS:Pr,F로 이루어진 것을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자.5.제1항에 있어서,상기 완충층은 SixNr로 이루어진 것을 특징으로 하는 백색발광용 전졔발광소자.6.유리기판 사에 1TO 투명전극을 형성하는 공정과, RF 반응성 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링법으로 상기 투명전극에 하부절연층을 형성하는 공정과 상기 하부절연층 상에 발광층을 형성하는 공정과, 상기 발광층 상에 상기 하부절연층과 동일한 스퍼터링법으로 상부절연층을 형성하는 공정과 상기 상부절연층상에 발광 소자 동작특성의 열화현상을 방지하는 완충층을 형성하는 공정과, 상기 상부 절연층 상에 발과소자 동작특성의 열화현상을 방지하는 완충층을 형성하는 공정과 상기 완충층 상에 열중착법으로 알루미늄전극을 중착하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광 소자의 제조방법.7.제6항에 있어서, 상기 상, 하부절연층은 BaTa2O6로 형성된 것을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자.8.제6항에 있어서, 상기 발광층은 Pr이 발강중심으로 형성된 것을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자의 제조방법.9.제6항 또는 제8항에 있어서, 상기 발광층은 SrS:Pr,F로 형성된 것을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광 소자의 제조방법.10.제6항에 있어서, 상기 완충층은 SixNr로 형성됨을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자으 제조방법.11.제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 상,하부절연층의 박막형성시 Ar:O2에 대한 산소의 비는 10~30%범위에서 가변되며, 기판온도는 50~120℃로 유지되고, 약 200~300nm두께로 박막이 형성됨을 특징으로 하는 백색 발광용 전계발광소자의 제조방법.12.제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 발광층은 Pr을 약 0.4~1.6mol%정도로 첨가한 SrS:Pr,F 분말을 합성하여 두께 4mm인 페릿을 만들고 이 펠릿을 이용하여 전자빔증착법으로 발광층을 약 500~1000nm 두께로 증착시키며, 기관의 온도는 약 300~400℃로 유지하고, 완성된 박막은 400℃에서 진공열처리 함을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자의 제조방법.13.제12항에있어서, 상기 펠릿은 SrS:Pr,F에 대한 무게비가 약9:1이 되도록 유황을 섞은 다음, 상용콜드 프레스법으로 성형시킴을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자의 제조방법.14.제6항또는 제10항에 있어서, 상기 완충층의 기판온도는 약 100~120℃로 유지하고,Ar:N2의 비는 약 15~35%정도로 유지하여 50~100nm의 두께로 형성됨을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자의 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 백색발광용 전계발광표시소자(electroluminescent display)에 관한 것으로, 유리기판 상에 ITO 투명전극을 형성하는 공정과; RF 반응성 스퍼터링 장치를 이용하여 상기 투명전극상에 다층으로 이루어진 제1절연층(예컨대, Si3N4와 BaTiO3가 순차적으로 적층된 2층 구조)을 형성하는 공정과; 상기 제1절연층 상에 발광층(예컨대, ZnS모체에 Pr과 Mn 이원중심을 첨가한 ZnS:Pr, Mn 재질의 발광층)을 형성하는 공정과; 상기 발광층의 박막 결정성 향상 및 발광중심인 Pr과 Mn의 효과적인 확산을 위하여 상기 패턴이 형성된 기판 전면을 진공열처리하는 공정과; 상기 발광층 상에 제2절연층(예컨대, 단일층의 Si3N4/BaTiO)을 형성하는 공정과; 상기 제2절연층 상에 반응성 스퍼터링법으로 SiOXNY 절연막을 적층하여 보호층을 형성하는 공정 및; 상기 보호층 상에 열증착법으로 알루미늄을 증착한 후 리프트-오프공정으로 패터닝하여 서로 소정간격 이격되도록 알루미늄 전극을 형성하는 공정을 거쳐 소자제조를 완료하므로써, 1) 종래 Pr 단일중심만을 사용하여 전계발광소자를 제조하였을 경우 발생되었던 녹색이 강한 백색을 띠는 현상을 제거할 수 있게되어 가시광 전 영역에서 고른 발광을 얻을 수 있으며, 2) 다색발광용 전계발광소자를 제조하려는 경우에 있어서도 발광중심으로 첨가한 Pr과 Mn 농도만을 가변시키므로써 원하는 스펙트럼을 얻을 수 있게 되어 고신뢰성의 백색발광용 전계발광소자를 구현할 수 있게 된다.1.유리기판과; 상기유리기판 상에 형서된 투명전극상에 다층으로 형성된 제 1절연층과;상기 제1절연층 상에 형성된 발광층과;상기 발광층 상에 형성된 제2절연층과;상기 제2절연층상에 형성된 보호층과;서로 분리되어 소정간격 이격되도록 상기 보호층상에 형성된 알루미늄 전극으로 이루어져 상기 알루미늄 전극과 투명전극으로 교류전압이 인가되도록 구성됨을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자.2.제1항에 있어서, 다층으로 이루어진 상기 제1절연층은 상기 투명전극상에 BaTiO3와 Si3N4가 순차적으로 중착된 이층구조로 이루어짐을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자.3.제1항에 있어서, 상기 발광층은 ZnS 모체에 Pr과 Mn이원중심을 첨가한 ZnS:Pr,Mn이원중심을 첨가한 ZnS:Pr,Mn으로이루어짐을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자.4.제1항에 있어서, 상기 제2절연층은 Si3N4/BaTiO3로 이루어짐을 특징으로 하는 백색발광용 전계소자.5.제1항에 있어서, 상기 보호층은 SiOxNr절연막으로 이루어짐을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자.6.유리기판 상에 ITO투명전극을 형성하는 공정과;RF반응성 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링법으로 상기 투명전극 상에 다층으로 이루어진 제1절연층을 형성하는 공정과;상기 제1절연층 상에 발광층을 형성하는 공정과;상기 발광층 상에 제2절연층을 형성하는 공정과;상기 제2절연층 상에 반응성-스퍼터링법으로 보호층을 형성하는 공정 및;상기 보호층 상에 연증착법으로 알루미늄을 증착한 후 리프트-오프 공정으로 페터닝하여 서로 소정간격 이격되도록 알루미늄 전극을 형성하는 공정으로 이루어짐을 특징으로하는 백색발광용 전계발광소자 제조방법.7.제6항에 있어서, 다층으로 이루어진 제1절연층은 상기 투명전극 상에는 BaTiO3가 적층되고 상기 BaTiO3 상에 는 Si3N4가 적층된 이층구조를 갖도록 형성됨을 트깅으로 하는 백색발광용 전계발광소자 제조방법.8.제6항에 있어서,상기 제2절연층은 SixNr/BaTiO3의 단일층으로 형성됨을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자 제조방법.9.제6항에 있어서, 상기 전계발광소자의 제1 및 제2절연층은 BaTiO3등과 같은 강유전체계의 박막으로도 형성가능함을 특징으로 하는 백색 발광용 전계발광소자 제조방법.10.제8항에 있어서, 상기 제1및 제2절연층은 직경 3인치 두께 1/8인치의 Si3N4와 BaTiO3세라믹 소결체를 이용한 스퍼터링 타게트로 형성됨을 특징으로 하는 백색 발광용 전계발광소자 제조방법.11.제10항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연층은 진공도 10-3~10-2torr 범위내의 기판온도 120℃상태에서 형성됨을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자 제조방법.12.제11항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연층은 1×10-5torr로 기판온도 450℃에서 1시간 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자 제조방법.17.제6항에 있어서, 상기 보호층은 SiOxNy로 형솽됨을 특징으로 하는 백색발과용 전계발광소자 제조방법.18.제6항 또는 제17항에 있어서, 상기 보호층은 1500A의 두께로 형성됨을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자 제조방법.19.제14항에 있어서, 상기 발광층은 Pr과 Mn이원중심의 농도를 가변하여 색도 조절을 실시하는 것을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자 제조방법.
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 청색발광용 전계발광표시소자(electroluminescent display)에 관한 것으로, 유리기판 상에 ITO 투명전극을 형성하는 공정과; RF 반응성 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링법으로 상기 투명전극 상에 제1절연층을 형성하는 공정과; 상기 제1절연층 상에 다층구조( SrS와 SrS:Ce층을 두층 이상 연속 교번하는 구조 예컨대, SrS-SrS:Ce-SrS 다층구조)를 갖는 발광층을 형성하는 공정과; 상기 발광층 상에 제2절연층을 형성하는 공정과; 상기 제2절연층 상에 반응성 스퍼터링법으로 보호층을 헝성하는 공정 및: 상기 보호층 상에 열증착법으로 알루미늄을 증착한 후 리프트-오프공정으로 패터닝하여 서로 소정간격 이격되도륵 알루미늄 전극을 형성하는 공정을 거쳐 소자제조를 완료하므로써, 1) 일차전자의 발생 및 가속층과 발광이 일어나는 층을 공간적으로 분리하는 발광층 구조를 가지게 되어 종래의 단일 SrS:Ce 구조와 비교해볼 때, 동일한 두께의 발광층을 형성하는 경우 상대적으로 높은 휘도특성을 얻을 수 있으며, 2) 발광중심을 다층구조의 중간에 도핑하므로써 발광중심인 Ce가 안정화된 결정장내에 위치하게되므로, 발광색이 안정될 뿐 아니라 동작시간 경과에 따른 특성변화를 상대적으로 감소시킬 수 있는 고신뢰성의 전계발광소자를 구현할 수 있게 된다.1.유리기판과; 상기 유리기판 상에 형성된 투명전극과;상기 투명전극보다 좁은 폭을 가져 투명전극의 에지부분 일부가 드러나도록 상기 투명전극 상에 형성된 제1절연층과;상기 제1절연층보다 좁은 폭을 가져 제1절연층의 에지부분 일부가 드러나도록 상기 제1절연층 상에 형성된 제2절연층과; 상기 제2절연층 상에 형성된 보호층과; 서로 분리되어 소정간격 이격되도록 상기 보호증 상에 형성된 알루미늄 전극으로 이루어져 상기 알루미늄 전극과 투명전극으로 교류전압이 인가되도록 구성됨을 특징으로 하는 청색발과용 전계발광 소자.2.제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연층은 Si3N4로 이루어짐을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자.3.제1항에 있어서, 상기 발광층은 모체층과 발광중심을 포함하는 모체층이 연속 교번되는 구조로 이루어짐을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자.4.제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 발광층은 SrS 와 SrS:Ce층이 두층 이상 연속 교번되는 구조로 이루어짐을 특징으로 하는 청색발과용 전계발광소자.5.제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 모체층은 ZnS,CaS등의 Ⅱ-Ⅵ화합물중 선택된 어느 하나로 이루어짐을 특징으로 하는 청색 발광용 전계발광소자.6.제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 발광중심은 전이원소 또는 히토류 원소중 선택된 어느하나로 이루어짐을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자.7.제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 발광층은 SrS-SrS:Ce-SrS의 다층구조로 이루어짐을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광 소자.8.유리기판상에 ITO투명 전극을 형성하는 공정과; RF반응성 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링법으로 상기 투명전극 상에 제1절연층을 형성하는 공정과;상기 제1절연층 상에 다층구조를 갖는 발광층을 형성하는 공정과; 상기 발광층 상에 제2절연층을 형성하는 공정과;상기 제2절연층 상에 반응성 스퍼터링법으로 보호층을 형성하는 공정 및 ;상기 보호층 사에 열증착법으로 알루미뉴을 증착한 후 리프트-오프 공정으로 패터닝하여 서로 소정간격 이격되도록 알루미늄 전극을 형성하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법.9.제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연층은 Si3N4로 형성됨을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법.10.제8에 있어서, 상기 보호막은 SiOxNy로 형성됨을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법.11.제8항에 있어서, 상기 발광층은 모체층과 발광중심을 포함하는 모체층이 연속교번되도록 형성됨을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법.12.제8항 또는 제11항에 있어서, 상기 발광층은 SrS와 SrS:Ce층이 두층이상 연속 교번되도록 형성됨을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법.13.제11항에 있어서, 상기 모체층은 ZnS,CaS,SrS등의 Ⅱ-Ⅵ화합물 중 선택된 어느 하나로 형성됨을 특징으로 하는 청색 발과용 전계발광소자 제조방법.14.제11항에 있어서, 상기 발광중심은 전이 원소 또는 회토류 원소 중 선택 된 어느 하나로 형성 됨을 특징으로 하는 청색 발광용 전계발광소자 제조방법.15.제8항에 있어서, 상기 발광층 SrS-SrS:Ce-SrS로 형성됨을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법.16.제8항 또는 제15항에 있어서, 상기 발광층은 로드-락으로 장착되어 있는 MSD장치를 이용하여 세개의 PBN도가니에 발광층 조성원료인 Sr,S,Ce을 각각 담은 후 각 도가니에 담긴 재료의 녹는점 온도를 히터를 사용하여 정밀제어하고 증착소도를 일정하게 유지한뒤 증착하고자 하는 원료를 제1절연체 및 투명전극이 형성된 기판상으로 순차적으로 날려 증착시키되 발광중심이 포함된 SrS:Ce 모체 층을 상기 SrS모체층 중간에 증착되도록 형성시키는 것을 특징으로 하는 청색 발과용 전걔발광소자 제조방법.17.제15항 또는 제16항에 있어서, SrS-SrS:Ce-SrS다층 구조로 이루어진 상기 발광층 증착시의 기판온도는 350℃로 형성됨을 특징으로 하는 청색 발과용 전계발과소자 제조방법.18.제16항에 있어서, 상기 발광층의 박막조성은 각 원료물질을 담고 잇는 도가니의 온도를 가변시켜 조절함을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법.19.제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연층은 직경 3인치 두께 1/8인치의 Si3N4세라믹 소결체를 이용한 스퍼터링 타게트로 형성됨을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법.20.제8항 또는 제19항에 있어서, 상기 제1및 제2절연층은 진공도 10-3-10-2torr범위내의 기판온도 120℃ 상태에서 형성됨을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법.21.제20항에 있어서, 상기 제1및 제2절연층은 O2/Ar=0-40%내의 스퍼터링 분위기 하에서 RF파워밀도 2-6W/cm 로 형성됨을 특징으로 하는 청색발광용 전계발광소자 제조방법.2
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[구성]다음 일반식( )로 표시되는 삼불화메틸 디히드로록사티인 화합물, 식중, r은 아미노기 또는 알콕시기이다. 아미노기는 -nr1(r2)로 표시되며, r1 과 r2는 서로 같거나 다를수 있고 수소, 탄소수 6이하의 알킬기, 페닐, 클로로페닐, 브로모페닐, 플루오페닐 등으로 표시되는 할로페닐, 메틸페닐, 에틸페닐, 프로필레닐,이소프로필페닐, 디메틴페닐, 디에틸페닐 등으로 표시되는 알킬페닐, 멕톡시페닐, 에톡시페닐, 디메톡시페닐, 디에톡시페닐 등으로 표시되는 알콕시페닐, 니트로페닐, 시아노페닐, 히드록시페닐, 페닐페닐, 아세틸페닐, 벤조일페닐, 삼플루오르메틸페닐 등으로 표시되는 방향족기, 모르폴린등의 6각 고리 화합물이며, 알콕시기는 -or3로 표시되는데 r3는 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 또는 헥실 등으로 표시되는 탄소수 6이하의 지방족 알킬기이고; n은 0,1,또는 2이다.1.다음 일반식(I)로 표시되는 삼불화메틸 디히드로옥사티인 화합물.식중, R은 아미노기 또는 알콕시기이다.아미노기는 -NR1(R2)로 표시되면,R1과 R2는 서로 같거나 다를 수 있고, 수소,탄소수 6이하의 알킬기,페닐,클로로페닐,브로모페닐, 플무오로페닐 등으로 표시되는 할로페닐,메틸페닐,에틸페닐,프로필페닐, 이소프로필페닐, 디메틸페닐,디에틸페닐 등으로 표시되는 알킬페닐,메톡시페닐, 에톡시페닐, 디에톡시페닐 등으로 표시되는 알콕시페닐, 니트로페닐, 시아노페닐, 히드록시페닐, 페닐페닐,아세틸페닐,벤조일페닐, 삼플루오르메틸페닐 등으로 표시되는 방향족기, 모르폴린 등의 6각 고리 화합물이며, 알코기기는 -OR3로 표시되는데 R3는 수소,메틸,에틸,프로필,부틸,펜틸,쪼는 핵실 등으로 표시되는 타소수 6이하의 지방족 알킬기이고;n은 0,1또는 2이다.2.(a) 다음 일반식(IV)의 화합물을 비활성 유기용매 중에서 또는 유기용매 없이 염소와 반응시켜 다음 일반식(V)의 화합물을 제조한 다음;(b)(a)단계에서 얻어진 일반식(V)의 화합물을 비호라성 유기용매 중 염기 존재하에 2-머캡토에탄올과 반응시킴으로서 다음 일반식(VI)및 일반식(VII)의 혼합물을 제조하고;(c)(b)단계에서 얻어진 일반식(VI)및 일반식(VII)의 혼합물을 비활성 유기용매 중, 티오닐 클로라이드와 염기를 차례로 반응시켜 다음 일반식(X)의 디히드로옥사티인 유도체를 제조한 다음;(d)(c)단계에서 얻은 일반식(x)의 디히드로옥사티인 유도체를 가수분해하여 다음 일반식(XI)의 카르복실산을 얻고;(e)(d)단계에서 얻은 일반식(XI)의 카르복실산을 아민 또는 알코올과 반응시키는 것으로 되는다음 일반식(xII)의 화합물의 제조방법.상기식 들 중 R'은 메틸기 또는 에틸기이고 R은 아미노기 또는 알콕시기로서, 아미노기는 -NR1(R2)로 표시되며,R1과 R2는 서로 같거나 다를 수 있고, 수소,탄소수 6이하의 알킬기,페닐,이소프로필페닐,디메틸페닐,디에틸페닐 등으로 표시되는 알킬페닐,메콕시페닐,에톡시페닐,디메톡시페닐,디에톡시페닐 등으로 표시되는 알콕시페닐, 니트로페닐,시아노페닐, 히드록시페닐,페닐페닐,아세틸페닐,벤조일페닐,삼플루오르페닐 등으로 표시되는 방향족기,모르폴린 등의 6각 고리 화합물이고, 알콕시기는 -OR3로 표시되는데 R3는 수소,메틸,에틸,프로필,부틸,펜틸,또는 핵실 등으로 표시되는 탄소수 6이하의 지방족 알킬기이다.3.다음 일반식(XII)의 화합물 1당량을 촉매 존재 또는 부재하에 과산화수소수와 메타클로로피벤조산 중에서 선택된 산화제 1당량으로 산화시키는 것으로 이루어지는 다음 일반식(XIII)의 화합물을 제조하는 방법.상기식 중 R은 상기 정의한 바와같음.4.다음 일반식(XII)의 화합물 1당량을 촉매 존재 또는 부재항에 과산화수소수와 메티클로로퍼벤조산 중에서 선택된 산화제 2당량으로 산화시키는 것으로 이루어지는 다음 일반식(ⅩⅣ)의 화합물을 제조하는 방법.5.제2항에 있어서, a),b),c)단계에서 사용되는 비활성 유기용매가 벤젠,조실렌,에테르 및 염화 메틸렌 중에서 선택되는 것이 특징인 방법.6.제2항에 잇어서, a),b)단계의 반응온도가 0내지 50℃인 것이 특징인 방법.7.제2항에 있어서, c)단계의 반응온도가 0내지 100℃인 것이 특징인 방법.8.제3항에 있어서, 반응온도가 0내지 100℃인 것이 특징인 방법.9.제4항에 있어서, 반응 온도가 0내지 100℃인 것이 특징인 방법.10.제2항에 있어서,b)및 c)단계에서 사용되는 염기가 트리메틸아민,트리부틸아민,피리딘 중에서 선택된 유기 염기이거나,수산화나트륨 또는 수산화칼륨과 같은 무기염기인 것이 특징인 방법.10.제2항에 있어서,b)및c)단계에서 사용되는 염기가 트리부틸아민,트리부틸아미,피리딘 중에서 선택된 유기염기이거나,수산화나트륨 또는 수산화칼륨과 같은 무기염기인 것이 특징인 방법.11.제3항에 있어서,반응용매가 메틸렌클로라이드,클로로포륨,아세트산 에틸,벤젠,톨루엔, 및 아세트산 중에서 선택된 유기용매인 것이 특징인 방법.12.제4항에 있어서, 반응용매가 메틸렌클로라이드,클로로포륨,아세트산 에틸,벤젠,톨루엔,및 아세트산 중에서 선택된 유기용매인 것이 특징인 방법.13.제3항에 있어서,벤젠셀레닌산 촉매 존재하에 반응시키는 것이 특징인 방법.14.제4항에 있어서,벤젠셀레닌산 촉매 존재하에 반응시키는 것이 특징인 방법.15.다음 일반식(I)의 삼불화메틸 디히드로옥사타인 화합물을 유효성분으로 하는 살균제. 식중에 R은 아미노기 또는 알콕시기이다.아미노기는 -NR1(R2)로 표시되며, R1과R2는 서로 같거나 다를 수 잇고 수소, 탄소수 6이하의 알킬기,페닐,클로로페닐,브로모페닐,플루오로페닐 등으로 표시되는 할로페닐,메킬페닐,에틸페닐,츨로필페닐,이소프로필페닐,디메틸페닐,디에틸페닐 등으로 표시되는 알킬
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
[구성]일반식(Ⅰ)로 표시되는 새로운 2-이미노티아졸린 유도체 및 그의 염산염 또는 브롬산염과 그 제조방법에 관한 것으로, 이 화합물은 살균제로 사용가능하며, 특히, 농약살균제로 효과 높은 화학약품이다. 이의 제조는 일반식(Ⅳ)로 표시되는 이소티오시아네이트 유도체와 일반식(Ⅴ)로 표시되는 알킬아민 또는 아릴아민을 비활성 유기 용매중에서 반응시켜 일반식(Ⅵ)으로 표시되는 티오우레아 유도체를 제조하는 제 1 공정과 일반식(Ⅵ)으로 표시되는 티오우레아 유도체와 일반식(Ⅶ)로 표시되는 알파-할로케톤 유도체를 비활성 유기용매중에서 반응시켜 일반식(Ⅰ)로 표시되는 2-이미노티아졸린의 염산염 또는 브롬산염을 제조하는 제 2 공정으로 이루어진다. 일반식(Ⅰ)의 2-이미노티아졸린 유도체는 일반식(Ⅰ)의 염산염 또는 브롬산염을 무기염기 또는 유기염기로 처리하여 염산염이나 브롬산염을 제거시킴으로써 얻을 수 있다.1. 일반식(Ⅰ)로 표시되는 2-이미노티아졸린 유도체 및 그의 염일반식(Ⅰ)에 있어서, R1과 R2는 각각 수소, 메틸, 에틸 페닐, 알콕시카르보닐, 알콕시카르보닐메틸렌, 아미노카르보닐,아미노카르보닐메틸렌 또는 프탈이미딜기를 표시하며, 서로 같거나 다를 수 있고 그 위치가 서로 바뀔수 있으며, R5CO(CH2)n로 표시되는 알콕시카르보닐메틸렌기에서 R5는 메톡시, 에톡시 또는 프탈이미딜기를 표시하며, n은 0 또는 1이며, R6R7NCO(CH2)n 으로 표시되는 아미노카르보닐메틸렌기에서 R6과 R7은 수소, 페닐, 클로로페닐, 프로필페닐 또는 디클로로페닐로구성된 할로페닐, 메틸페닐, 디메틸페닐기로 표시되는 알킬페닐, 메톡시페닐의 알콕시페닐 또는 시아노페닐기이며, n은 0또는 1이며, R3는 메틸, 에틸, 시클로헥실, 비닐메틸기로 표시되는 알킬, 페닐 또는 페닐에틸기로 구성되는 아릴기이며,R4는 페닐, 메틸페닐, 디메틸페닐, 클로로페닐, 브로모페닐, 플루오르페닐, 메톡시페닐, 벤조일페닐, 시아노페닐 또는 페녹시페닐로 구성되는 치환된 페닐기, 피리미딜, 모르포닐 또는 피페리디닐기에서 질소원자 또는 산소원자가 포함된 헤테로고리 화합물을 표시하며, X는 Br 또는 Cl이다.2. 일반식(Ⅳ)로 표시되는 이소티오시아네이트 유도체와 일반식(Ⅴ)로 표시되는 알킬아민 또는 아릴아민을 비활성 유기용매중에서 반응시켜 일반식(Ⅵ)으로 표시되는 티오우레아 유도체를 제조하는 제 1 공정과 일반식(Ⅵ)으로 표시되는 티오우레아 유도체와 일반식(Ⅶ)로 표시되는 알파-할로케톤 유도체를 비활성 유기용매중에서 반응시켜 일반식(Ⅰ')로 표시되는 2-이미노티아졸린의 염을 제조하는 제 2 공정으로 이루어지는 것이 특징인 일반식(Ⅰ')로 표시되는 2-이미노티아졸린의 염산염 또는 브롬산염의 제조방법.(식 중, R1과 R2는 각각 수소, 메틸, 에틸, 페닐, 알콕시카르보닐, 알콕시카르보닐 메틸렌, 아미노카르보닐, 아미노카르보닐메틸렌 또는 파탈이미딜기를 표시하며, 서로 같거나 다를 수 있고 그 위치가 서로 바뀔수 있으며, R5CO(CH2)n 로 표시되는 알콕시카르보닐메틸렌기에서 R5는 메톡시, 에톡시 또는 프탈이미딜기를 표시하며, n은 0 또는 1이며, R6R7NCO(CH2)n 으로 표시되는 아미노카르보닐메틸렌기에서 R6과 R7은 수소, 페닐, 클로로페닐, 프로필페닐 또는 디클로로페닐로 구성된 할로페닐, 메틸페닐, 디메틸페닐기로 표시되는 알킬페닐, 메톡시페닐의 알콕시페닐 또는 시아노페닐기이며, n은 0 또는 1이며, R3는 메틸, 에틸, 시클로헥실, 비닐메틸기로 표시되는 알킬, 페닐 또는 페닐에틸기로 구성되는 아릴기이며, R4는 페닐, 메틸페닐, 디메틸페닐, 클로로페닐, 브로모페닐, 플루오르페닐, 메톡시페닐, 벤조일페닐, 시아노페닐 또는 페녹시페닐로 구성되는 치환된 페닐기, 피리미딜, 모르포닐 또는 피페리디닐기에서 질소원자 또는 산소원자가 포함된 헤테로고리 화합물을 표시함.3. 제2항에 있어서, 제 1 공정에서 사용된 비활성 유기용매가 아세톤, 메틸렌클로라이드, 클로로포름, 에틸아세테이트, 벤젠 및 톨루엔 중에서 선택된 하나 또는 두가지 이상의 혼합용매인 것이 특징인 일반식(Ⅰ)로 표시되는 2-이미노티아졸린의 제조방법.4. 제2항에 있어서, 제 1 공정의 반응을 0 - 80℃의 온도에서 2 - 15시간 동안 수행하는 것이 특징인 일반식(Ⅰ)로 표시되는 2-이미노티아졸린의 제조방법.5. 제2항에 있어서, 제 2 공정에서 사용된 비활성 유기용매가 아세톤, 메틸렌클로라이드, 클로로포름, 에틸아세테이트, 벤젠 및 톨루엔 중에서 하나 또는 두가지 이상의 혼합용매인 것이 특징인 일반식(Ⅰ)로 표시되는 2-이미노티아졸린의 제조방법.6. 제2항에 있어서, 제 2 공정의 반응을 0 - 100℃의 온도에서 2 - 24시간 동안 수행하는 것이 특징인 일반식(Ⅰ)로 표시되는 2-이미노티아졸린의 제조방법.7. 일반식(Ⅰ')로 표시되는 2-이미노티아졸린의 염산염 또는 브롬산염을 상온에서 염기로 처리하고 용매를 사용하여 추출하는 것이 특징인 일반식(Ⅰ)로 표시되는 2-이미노티아졸린의 제조방법.(식 중, R1과 R2는 각각 수소, 메틸, 에틸 페닐, 알콕시카르보닐, 알콕시카르보닐메틸렌, 아미노카르보닐, 아미노카르보닐메틸렌 또는 프탈이미딜기를 표시하며, 서로 같거나 다를 수 있고 그 위치가 서로 바뀔수 있으며, R5CO(CH2)n로 표시되는알콕시카르보닐메틸렌기에서 R5는 메톡시, 에톡시 또는 프탈이미딜기를 표시하며, n은 0 또는 1이며, R6R7NCO(CH2)n 으로표시되는 아미노카르보닐메틸렌기에서 R6과 R7은 수소, 페닐, 클로로페닐, 프로필페닐 또는 디클로로페닐로 구성된 할로페닐, 메틸페닐, 디메틸페닐기로 표시되는 알킬페닐, 메톡시페닐의 알콕시페닐 또는 시아노페닐기이며, n은 0 또는 1이며,R3는 메틸, 에틸, 시클로헥실, 비닐메틸기로 표
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재료 > 기타 세라믹재료
원료분말의 종류가 단순하면서도 제조 공정이 간편한 조성물로서 품질 계수, 유전율, 안정된 공진 주파수의 온도 의존성의 전기적 특성이 향상된 고주파 유전체 자기 조성물을 제조할 수 있도록 한다. <구성>99%의 순도를 갖는 산화지르코늄, 산화티탄 및 산화주석을 일정 비율로 섞어, 나일논 자와 산화지르코늄 볼을 이용 플레너터리 밀로 약 2시간동안 혼합한 후, 혼합된 슬러리는 건조 후 조성에 따라 섭씨 1000-1200도에서 하소한 후 분쇄한다. 분쇄된 혼합 분말을 건식 프레스로 성형하고 성형 시편을 섭씨 1500-1800도의 온도에서 소성한 후 적당한 냉각 속도로 냉각하여 섭씨 1250-1400도의 온도 범위에서 어닐링한다. <효과>위치 변위 시스템이나 유전체 공진기의 재료로 유용하게 이용될 수 있다.1. Zr1－xSnxTiO4계 유전체 자기조성물로서 x는 몰(mol)비로 0.1 ≤ x ≤ 0.4인 것을 특징으로 하는 고주파 유전체 자기조성물.청구항 2. Zr1－xSnxTiO4계 조성으로서 x는 몰(mol)비로 0.1 ≤ x ≤ 0.4의 조성이 되도록 원료분말을 혼합하여 하소한후 1500~1800℃에서 소성하고, 소성 후 냉각중에 1250~1400℃의 온도범위에서 어닐링한 다음 상온에 이르기까지 급냉함을특징으로 하는 고주파 유전체 자기조성물의 제조방법
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
화학공정 > 기타 화학공정
하나 이상의 착색 미립자-마약류 항체가 일시적으로 고정된 멤브레인과, 하나 이상의 마약류 접합 프로브가 영구적으로 고정된 멤브레인으로 이루어지는, 한 종류 또는 물 이상의 마약류를 각 각 또는 동시에 검출하기 위한 건식시험지.1. 검출하고자 하는 마약류의 항체와 착색미립자를 결합시킨 착색미립자-마약류항체 한 종류 이상을 일시적으로 고정시킨, 서당을 처리한 제 1 멤브레인과, 상기 제 1 멤브레인에 길이 방향으로 접하도록 연결되며 검출하고자 하는마약류에 단백질을 접합시킨 마약류-단백질접합체 한 종류 이상을 영구적으로 고정시킨 제 2 멤브레인으로 이루어지며,상기 착색미립자-마약류항체에서 마약류항체의 종류에 따라 결합된 착색미립자의 색이 다른, 한 종류 또는 둘 이상의 마약류를 각각 또는 동시에 검출하기 위한 건식 시험지.2. 제 1 항에 있어서, 상기 착색미립자-마약류항체의 항체가 메탐페타민 항체 또는 몰핀 항체인 것을 특징으로 하는 건식 시험지.3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 멤브레인이 유리섬유 멤브레인이고, 상기 제 2 멤브레인이 나이트로셀룰로오스 멤브레인인 것을 특징으로 하는 건식 시험지.4. 제 1 항에 있어서, 상기 착색미립자-마약류항체가 종류가 다른 항체와 각 항체의 종류에 따라 색이 다른착색미립자가 결합된 두 종류 이상의 착색미립자-마약류항체인 것을 특징으로 하는 건식 시험지.5. a) 검출하고자 하는 마약류의 항체를 제조하고, 각 항체에 대해 서로 다른 색깔의 착색미립자를 결합시켜얻은 착색 미립자-마약류항체 한 종류 이상을 서당을 처리한 제 1 멤브레인에 처리하고; b) 검출하고자 하는 마약류를 단백질에 결합시켜 얻은 마약류-단백질접합체 한 종류 이상을 제 1 멤브레인에 처리하고; c) 상기 제 1 멤브레인과 상기 제2 멤브레인이 서로 길이 방향으로 접하도록 조립하는 것으로 이루어지는, 한 종류 또는 둘 이상의 마약류를 각각 또는 동시에 검출하기 위한 검식 시험지의 제조방법.6. 제 5 항에 있어서, 상기 착색 미립자-마약류 항체의 항체가 메탐페타민 항체 또는 몰핀 항체인 것을 특징으로 하는 제조방법.7. 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 멤브레인이 유리섬유 멤브레인이고, 상기 제 2 멤브레인이 나이트로셀룰로오스 멤브레인인 것을 특징으로 하는 제조방법.8. 제 5 항에 있어서, 상기 착색미립자-마약류항체가 종류가 다른 항체와 각 항체의 종류에 따라 색이 다른착색미립자가 결합된 두 종류 이상의 착색 미립자-마약류항체인 것을 특징으로 하는 제조방법.
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- 2000-12-15
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일반기술
보건·의료 > 임상시험·진단관련
3-치환 세팔로스포린 유도체 및 그의 약리학상 허용 가능한 염 또는 에스테르; 상기 식에서, r1은 티아졸, 2-메틸티오티아졸, 2-페닐티오티아졸, 2-메톡시카르보닐티오펜이며, r2는 수소, 또는 카르복시 보호기로서 p-메톡시벤질, p-니트로벤질, 또는 디페닐메틸이며, r3는 수소, 메틸, 에틸 또는 시클로펜틸이며, r4는 수소, 또는 아미노 보호기로서 간가수분해나 염기가수분해에 의해 쉽게 제거될 수 있는 p-메톡시벤질, p-니트로벤질, 디페닐메틸이고, 파상선은 신 또는 안티 이성체 위치중 어느 한 위치에 있을 수 있음을 의미한다.1.다음 일반식(I)로 표시되는 3-치환 세팔로스포린 유도체 및 그의 약리학상 허용 가능한 염 또는 에스테르:상기식에서,R1은 티아졸,2-메틸리오티아졸,2-메톡시카르보닐리오펜이며, R2는 수소,또는 카르복시 보호기로서 p-메톡시벤질,p-니트로벤질,또는 디페닐메틸이며,R3는 수소,메틸,에틸,또는 시클로펜틸이며,r4는 수소, 또는 아미노 보호기로서 산가수분해나 염기가수분해에 의해 쉽게 제거될 수 있는 p-메톡시벤젠,p-니트로벤질, 디페닐메틸이고,파상선은 신 또는 안티 이성체 위치중 어느 한 위치에 있을 수 있음을 의미한다.2.다음 일반식(IV)의 화합물을 촉매 존재하에 다음 일반식(V)의 헤테로사이클린 틴 화합물과 반응시켜 아미노기가 보호된 다음 일반식(III)의 중간체 화합물을 얻고, 이 화합물의 아미노보호기를 제거하는 제1단계 및 아실화제로서 다음 일반식(II) 으로 표시되는 활성화된 에스테르 화합물을 사용하여, 얻어진 일반식 (III)의 화합물의 7-아미노기를 아실화시키고, 임의로 아미노 보호기 및 카르복시 보호기를 제거하는 제2단계로 이루어진 제1항에 따른 일반식(I)의 세팔로스포린 유도체의 제조방법.상기식에서, R1,R2,R3 및 R4는 제1항에서 정의된 것과 같으며, X는 1-히드록시벤조트리아졸,2-메츠칼로피리딘 또는 2-메르칼로벤조티아졸이며, Y는 트리플루오로메탄슬포닐 또는 에탄슬포닐이며, Z는 트리메틸스타닐, 트리에틸스타닐,또는 트리부틸스타닐이고, R4는 아미노 보호기로서 페닐아세틸,페녹시아세틸,2-티오페닐아세틸,또는 2-푸란일아세틸이다.3.제2항에 있어서, 제1단계에서 촉매가 필라듐 촉매,할로젠화 금속 촉매 및 포스핀 화합물의 혼합물인 것이 특징인 제조방법.
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