일반기술
기계 > 기타 에너지·환경기계
본 기술은 태양열 진공 축열 탱크에 관한 것으로, 상세하게는 축열 탱크 내의 온수 온도를 장기간 일정하게 유지시킬 수 있는 태양열 진공 축열 탱크에 관한 것이다. 기존에 외주면에 보온재로 쓰인 폴리우레탄으로는 가열관내의 데워진 온수를 보온하기에는 외기 온도의 영향에 따라 태양열로부터 집열된 열매체의 온도와 축열 탱크의 저장 온도가 직접적으로 영향을 받아 열손실이 너무 많이 발생된다. 이에 본 기술은 이러한 단점을 보안하기 위해 축열 탱크에서 열교환으로 얻어진 온수의 온도를 일정하게 유지시킬 수 있도록 진공단열 탱크내에 진공 공간부를 형성시켜 열손실을 줄일수 있었다본 기술은 태양열을 충분히 받을 수 있는 위치의 옥외에 설치된 집열판에 의해 집열된 열에너지를 열교환기를 통해 흡수하여 내부의 온수 온도를 높이게 되고 온도가 상승된 온수를 저장하는 축열 탱크에 있어서 상기 온수가 저장되는 온수저장 탱크와 상기 온수저장 탱크를 감싸는 형태로 설치되며 내부가 진공을 유지하는 진공단열 탱크로 이루어진 것을 특징으로 한다. 따라서 진공단열 탱크와 그 내부의 온수저장 탱크 사이에 진공 공간부를 형성함으로써 온수저장 탱크 내부의 온수가 진공 단열 되어 온수의 온도가 장시간 일정하게 유지되는 효과가 있다
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- 포항공과대학교
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- 2001-05-19
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일반기술
기계 > 단위기계 요소부품
본 기술은 위상지연을 이용하여 물체 표면에서 유동을 발생시킬 수 있는 액츄에이터에 관한 것으로 액츄에이터를 관 내 표면에 설치하여 유체펌프로 이용하거나 물체 표면에 설치하여 물체의 추진력을 발생시키거나 물체 표면의 유동박리등을 제어할 수 있는 장치로 이용될 수 있는 위상지연을 이용하여 물체 표면에서 유동을 발생시킬 수 있는 액츄에이터에 관한 것이다. 기존의 외팔보만을 이용한 표면유동 발생장치는 외팔보의 움직임에 의한 유체 이동량이 그리 많지 않아 보다 효과적으로 표면유동을 제어하거나 유체를 이동시키기 위해 유체의 이동량이 많고 단일방향으로 유체를 이동시키는 표면유동 발생장치가 필요했는데 본 기술은 멤브레인을 외팔보의 공진주파수 근처에서 진동시켜 외팔보의 변위가 멤브레인의 변위보다 약 90도 위상지연이 되어 진동을 하면서 고정평판 위의 유체가 공동안으로 흡입되었다가 다시 외팔보 위쪽으로 배출되는 과정이 반복되어 유체가 고정평판 쪽에서 외팔보 쪽으로 펌핑되는 위상지연을 이용하여 물체 표면에서 유동을 발생시킬수 있는 액츄에이터를 제공한다본 기술은 위상지연을 이용하여 물체 표면에서 유동을 발생시킬 수 있는 액츄에이터에 있어서 멤브레인을 진동 변형시키는 멤브레인 액츄에이터 유닛과 상기 멤부레인의 진동 변형에 의해 외팔보가 공진 주파수 근처에서 위상지연되어 진동 변형되면서 고정평판 위의 유체를 공동 안으로 흡입시켰다가 다시 상기 외팔보 위쪽으로 배출하는 펌프 유닛으로 이루어져 이와 같은 액츄에이터를 관 내 표면에 설치하여 유체펌프로 이용하거나 물체 표면에 설치하여 물체의 추진력을 발생시키거나 물체 표면의 유동박리 등을 제어할 수 있는 장치로 이용할 수 있는 유용한 것이다
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-19
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일반기술
전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)
기존의 열 전달에 있어서 물체의 열적 경계조건을 결정하기 위해서는 물체의 단위면적 당 열에너지의 전달양인 열 유속을 측정하여야 하며 일반적으로 열유속을 측정하기 위하여 열 유속센서들이 사용되고 있는데 측정방법에 따라 구배형(Gradient) 열 유속센서, 과도형(Transient) 열 유속센서 및 평형형(Balanced) 열 유속센서로 크게 분류되며 이중 구배형 열 유속센서는 형태에 따라 층형 게이지(Layed Gauge)의 형태와 원형의 박막 게이지(Circular Thin Foil Gauge)등의 형태로 구분되는데 이러한 열 유속센서를 이용하는 경우 열 유속센서 자체가 측정하고자 하는 표면에서의 열 저항으로 작용하여 열 유속을 교란하게 되므로 열 유속센서에 의한 열 유속 교란을 최소화시키기 위하여 열 유속센서를 가능한 작게 만드는 연구가 수행되어 왔는데 본 기술은 전기도금을 이용한 초소형 열유속 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히 낮은 열 유속에서 높은 측정 정확도를 갖는 미세 열 유속센서 및 그 제조방법에 관한 것으로 열 유속센서 연구에 새로운 가능성을 열었다본 기술은 MEMS (Micro Electro Mechanical System) 기술을 이용해 낮은 열유속 범위에서도 높은 감도와 정확도 및 공간 분해능을 가지는 미세 열 유속센서(Micro Heat Flux Sensor) 및 그 제조 방법을 제공하며 본 기술에 따른 미세 열유속센서는 열 유속이 측정될 물체의 벽면에 접촉되는 실리콘 기판과 상기 실리콘 기판의 상면에 형성되는 금 박막층과 상기 금 박막층 위에 형성되는 구리 도금층으로 이루어진 수용부와 상기 수용부의 구리 도금층으로부터 전달되는 열을 중심으로 모아서 상측으로 이동시키는 원기둥 형상의 열 이동부와 상기 열 이동부의 측면을 둘러싸는 형태로 상기 수용부의 구리 도금층 상면에 형성되는 단열층과 상기 단열층의 상면에 상기 원기둥 형상의 열 이동부로부터 전달되는 열을 중심으로부터 방사 방향으로 분산시키기 위해 중심이 상기 열 이동부와 접하도록 형성되고 상면 중앙부와 주변부에 각각 제1온도측정지점과 제2온도측정지점이 형성된 측정부와 상기 측정부의 제1 및 제2온도측정지점의 온도차를 측정하는 온도계를 포함하는 미세 열 유속센서 및 그 제조방법을 제공하므로 열경로의 저항을 줄이고 단열층의 단열효과를 높임으로써 높은 정확도와 감도로 열 유속을 측정할 수 있는 효과를 가진다
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- 포항공과대학교
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- 2001-06-21
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일반기술
기계 > 단위기계 요소부품
본 기술은 소정의 이송대상물을 이송 중에 진동을 유발하는 산업용 이송기기에 있어서 유연보에 의한 진동을 최소화하는 이송기기의 진동억제장치에 관한 것이다. 기존의 기술에 있어서는 주행용 바퀴의 마찰력 등에 의해 발생되는 외란에 대해서는 보상을 하지 못하기 때문에, 대차를 정확하게 이동시키기가 어려운 결점이 있다. 이에 본기술은 이송대상물의 수직위치가 변하지 않을 때 본 기술의 입력성형방법은 기존의 테오에 의한 펄스열성형기법과 싱어에 의한 임펄스성형기법에 의한 방법에 비해 대차를 구동하는 구동력과 이동 중의 유연보의 처짐을 작게하고 잔류진동을 억제하면서 대차를 원하는 위치에 정확하게 위치시켜 준다본 기술은 스태커크레인, 고가사다리차, 및 천장크레인 등등 산업현장에서 사용되는 각종 이송기기가 중량물을 이송할 때 이송기기의 유연구조물 혹은 천장크레인 등의 로프에 발생하는 진동을 억제하고 각종 외란에 대해 보상하여 이송 대상물을 원하는 위치에 정확하게 위치시키기 위하여 사용할수 있는 이송기기의 진동억제장치이다. 이러한 본 기술의 보상부는 대차에 마찰력 등의 외란이 들어와도 외란이 없는 이상적인 대차가 입력 성형기에서 제공되는 성형된 입력에 의해 움직일 때의 궤적을 실제의 대차가 따라가도록 한다. 이송대상물의 수직위치가 변하지 않을 때의 본 발명에서의 입력성형방법은 유연보에 초기진동이 있는 경우, 이송대상물의 수직위치가 변할 때, 및 이송대상물이 사각형궤적을 따르도록 할 때 등에 용이하게 응용할 수 있다
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- 포항공과대학교
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- 2001-05-19
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일반기술
전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)
기존에는 조향각과 경사각을 기계적으로 측정하는 방법 중에 먼저 조향각은 포텐쇼미터의 원리를 이용하여 회전각을 가변저항으로 감지하여 각도로 환산하여 사용한다. 그러나 포텐쇼미터의 크기를 작게 하기 어렵기 때문에 경사에 따라 기울어진 추의 위치를 포토센서로 감지하여 이를 각도로 환산하여 사용하지만 이 포토센서는 작은 경사각의 측정은 가능하지만 큰 경사각에 대한 측정은 못하게 되는 문제점이 있다. 이에 본 기술은 멤스(MEMS : Micro Electro Mechanical System)기술을 이용한 경사각 감지센서 제조 방법에 관한 것으로 특히 경사각 각도에 따라 원형채널에 위치한 수은이 중력으로 인해 아래로 굴러가면 전류가 금속전극으로부터 수은을 통해 다른 금속전극으로 나갈 때 경사각에 따라 두 전극의 길이가 달라져 가변저항이 되고 이 가변저항의 변화로 경사각의 측정을 가능하게 한다본 기술은 멤스(MEMS)기술을 이용한 경사각 감지센서 제조 방법으로 유리기판 위에 크롬웰 전극을 수직 이륙(lift-off)으로 공정하고 리가(LIGA) 공정을 이용하여 피엠엠에이(PMMA(polymethylmethacrylate)) 감광재로 둥근 채널로 형성한다. 이후 크롬웰(Chromel)전극이 수직 이륙된 유리기판과 둥근 채널로 형성된 PMMA를 조립한 후 둥근 채널 속에 수은방울을 넣고 크롬웰 전극 유리기판을 접합한다. 이후 수은이 중력의 영향으로 PMMA 채널을 따라 바닥으로 내려가면서 변화되는 크롬웰 전극의 저항치의 변화량을 이용해 경사진 곳의 기울기를 측정하고 각도 센서에 의해 큰 각에서부터 작은 각까지 광범위한 측정범위가 되고 센서의 크기가 작으므로 그 적용이 용이하다는 효과가 있다
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-19
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일반기술
통신 > 안테나
본 기술은 표면안테나의 구조 및 그를 이용한 통신기기에 관한 것으로 보다 상세하게는 외부표면판, 방사층, 유전층, 접지층, 코어층, 내부표면판, 흡수층 및 안테나피드의 각층을 차례로 접착제에 의해 접착하여 고도의 송수신 능력을 구비한 소형의 표면안테나와 그를 채용하여 콤팩트한 상태로 전자파신호를 송수신할 수 있는 통신기기에 관한 것이다. 기존에는 이동통신기기 및 휴대용 컴퓨터에서 통신을 수행하기 위해서 크기 및 중량을 증가시키고 제한된 정보만을 송수신하거나 송수신 능력을 향상시키기 위해서 안테나를 더 크게 하여야 하는 송수신장치를 사용하여 문제점이 있었다. 본 기술은 송수신 능력은 훨씬 향상되지만 부피와 무게의 증가는 최소화하는 표면안테나의 구조를 제공하고 상기 표면안테나를 송수신장치를 요하는 통신기기에 적용하여 통신기기 자체를 콤팩트하게 하는 통신기기를 제공하도록 한다본 기술은 얇은 방사층과 접치층의 사이에 상대적으로 두꺼운 유전층을 두고 방사층과 내통하여 상기 유전층, 접지층을 관통하는 구조로 통신기기의 전자회로로 연결되는 동축선(coaxial line)의 안테나피드를 포함하는 표면안테나를 제공하여 상기 방사층의 상부에는 외부표면판이 있어 레이돔역할을 수행하고 상기 접지층의 하부에는 코어층, 내부표면판 및 흡수층이 차례로 형성되며 상기 표면안테나를 채용하는 통신기기를 제공하여 통신기기의 외부 또는 내부의 일부 또는 전체의 표면에 표면안테나가 장착되며 표면안테나를 장착한 통신기기를 제공하는데 상기 표면안테나는 통신기기의 외부 또는 내부의 일부 또는 전체 표면에 장착되어 통신시 펼치거나 접거나 할 수 있는 구조를 가지므로 안테나의 구조를 소형화 할 수 있고 그 안테나를 채택한 통신기기를 소형화할 수 있다
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-19
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
아연산화물 박막에 첨가되어 있는 도판트를 활성화시킬 수 있는 아연산화물 반도체 제조방법에 관한 것이다.일반적으로 캐리어의 농도 및 이동도가 향상된 n형 또는 p형 아연산화물 반도체의 박막을 제조하기 위하여 로(Furnace)에서 후 공정으로 열처리공정을 실시하지만, 공정에 많은 시간이 소요되고 전체적인 도판트의 분포가 불균일하게 되어 양질의 박막 제작에 어려움이 있었다. 또한 도판트 원자들의 확산이 이루어질 경우 첨가된 도판트들이 박막내에서 다른 원소들과 반응하여 결함으로 작용하는 화합물을 만들게 됨으로써 양질의 고농도 아연산화물 반도체 박막을 제작할 수 없다아연산화물 박막내에 첨가된 도판트를 활성화시킴으로써 전기광학적이 특성이 향상된 아연산화물 반도체의 제조방법을 제공하는 것이다.도판트가 첨가된 아연산화물 박막이 증착된 기판을 열처리 반응기에 안착시키고, 도판트가 활성화되도록 아연산화물 박막을 급속 열처리하는 것을 특징으로 한다. 아연산화물 박막을 급속 열처리 함으로써 도판트 및 산소가 확산할 시간을 주지 않기 때문에 도판트의 확산으로 인한 도핑농도의 불균일이나 도핑효율의 감소를 방지할 수 있고, 전기 광학적 특성이 향산된 n형 아연산화물 반도체를 제작할 수 있으므로 발광다이오드, 레이저다이오드 및 자외선 센서등의 광전소자의 개발에 기여할 수 있으며 상온에서 다결정으로 성장된 알루미늄이 도핑된 아연산화물 박막의 경우에 급속 열처리를 통해서 전기적 광학적 특성을 크게 향상시킬 뿐 아니라, 열처리를 실시하기 위해 반응기 내의 분위기를 반드시 산소분위기로 형성할 필요하 없이 여러 종류의 기체분위기에서도 가능하게 됨으로써 아연산화물 반도체를 이용한 광전소자를 용이하게 제조할 수 있다
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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일반기술
기계 > 기타 산업·일반기계
비 접촉식으로 반발력을 발생시키는 도어 클로우져에 관한 기술이다. 종래의 유압식 도어 클로우져는 피스톤과 실린더 사이의 마찰로 인해 마모가 발생하고, 이로 인하여 도어의 회전속도를 감소시키기 위한 오일의 반발력이 감소하여, 도어가 닫히는 속도를 일정하게 조절할 수 없고, 재활용시 오일로 인한 환경오염의 문제가 있었다. 이러한 문제를 해결하고자 자석과 전기동 원판을 이용하여 비접촉식으로 반발력을 발생시키는 도어 클로우져를 제공한다 도어가 닫힐 때, 입력회전축이 회전하고, 입력회전축과 변속기어박스를 통해 연결된 출력회전축이 입력회전축보다 100배 정도의 빠른 속도로 회전하면서 전기동 원판을 회전시킨다. 이때 전기동 원판 내부에서 유도되는 와전류와, 전기동 원판의 일측 상,하면과 소정간격을 두고 위치한 자석으로부터 나오는 자속사이의 상호작용에 의하여 반발력을 발생시키도록 구성된다. 도어 클로우져는 비접촉식으로 반발력을 발생시켜, 마모가 발생하지 않으므로 수명이 길고, 오일로 인한 환경오염 등의 문제를 일으키지 않는다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
질화물반도체 소자에 사용되는 오믹금속전극 제조방법에 관한 것이다.종래의 Au대신에 Ru와 RuOx를 커버층으로 사용함으로써 대기중의 산소, 탄소 및 H2O등과 같은 오염원의 침입을 방지하고, 접촉층-질화물 반도체 계면에 안정한 금속-갈륨 금속간 화합물이 형성되도록 한 p형 오믹금속전극과,종래의 Ni이나 Pt대신에 Ru를 확산장벽으로 사용함으로써 열처리시 오믹 특성에 도움이 되는 티타늄 질화물과 같은 금속-질화물상의 계면의 붕괴없이 효과적으로 형성되도록 한 n형 오믹금속전극의 제조방법을 제공한다질화물반도체 소자에 사용되는 오믹금속전극 제조방법에 관한 것으로서, Ru 및 RuOx를 커버층으로 사용하는 p형 오믹금속 제조방법 또는 Ru를 확산방지막으로 사용하는 n형 오믹금속전극 제조방법에 관한 것이다.p형 질화물반도체 상에 접촉층 및 Ru층을 순차적으로 형성하고, 산소함유 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하는 것과,p형 질화물반도체 상에 접촉층 및 Ru층을 순차적으로 형성하고, 상기 Ru층을 산소분위기에 노출시킨 후에 열처리하는 단계를 포함하는 것과,p형 질화물 반도체상에 접촉층, 금속층 및 RuOx층을 순차적으로 형성하고, 열처리하는 단계를 포함하는 것과,n형 질화물 반도체상에 접촉층, Ru층 및 도전층을 순차적으로 형성하고 열처리하는 단계를 포함하는 것을 각각의 특징으로 하는 오믹금속전극 제조방법에 관한 것이다.우수한 열적, 전기적 특성에 의해서 금속-질화물반도체 계면에서의 전기적 손실이 줄어들게 되고, 이로인해 구조적 특성상의 퇴화가 방지되어 단파장 청색/녹색 레이저 다이오드 및 초고속 전자소자 개발등에 있어서, 고품위 광소자/전자소자 개발을 구현하는데 큰 파급효과를 미치게 된다
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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일반기술
화학공정 > 고분자 가공공정 기술
폴리이미드의 제조에 사용되는 3,6-다이((3,5-비스트리플로오로메틸)벤젠)피로멜리틱다이안하이드라이드 단량체의 제조에 관한 기술이다. 폴리이미드는 우수한 기계적, 전기적 특성을 가지고 있어 다양한 분야에서 사용되고 있으나, 낮은 용해성으로 인해 가공성이 낮고, 낮은 유전상수와 높은 절연특성을 요구하는 마이크로일렉트로닉스 분야의 소재로서 개선되어야 할 많은 문제점이 있었다. 특히 주쇄에 유연성기를 도입하여 낮은 용해성을 개선하는 종래의 방법은 유리전이온도를 낮추게되는 문제를 발생시켰다. 이러한 가공성의 문제를 해결함과 동시에 높은 유리전이온도와, 낮은 유전상수를 가지는 폴리이미드의 제조를 위한 단량체와 이의 제조방법을 제공한다반데르발스 반지름이 작고 전기음성도와 이종 원소간의 결합에너지가 매우 큰 불소를 함유하는 벤젠 치환체를 리지드(rigid)한 구조를 지닌 피로멜리틱다이안하이드라이드 유도체에 도입하여 3,6-다이((3,5-비스트리플로오로메틸)벤젠)피로멜리틱다이안하이드라이드 단량체를 합성하고, 이를 이용하여 폴리이미드를 제조한다. 상기의 폴리이미드는 높은 유리전이온도, 낮은 유전상수, 낮은 흡습율 및 우수한 용해도를 가져, 전자소재로서 사용될 수 있는 장점을 가진다
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
액정 또는 광학재료로 사용되는 폴리이소시아네이트 및 그의 제조방법에 관한 기술이다. 종래의 이소시아네이트 중합방법은 수율이 낮고, 분자량 분포의 조절에 문제가 있으며, 부반응이 우세하여 삼량체가 형성되는 문제가 있다. 또한 트리에톡시실릴프로필이소시아네이트의 중합시 리간드를 사용하여 삼량화를 방지하나, 이 방법에 적용할 수 있는 단량체는 상대적으로 입체장애가 큰 사슬을 갖는 이소시아네이트에만 적용가능한 한계가 있다. 이러한 한계를 극복하여, 삼량체의 형성을 억제하고, 분자량의 분포를 조밀하게 하는 폴리이소시아네이트의 제조방법을 제공한다알킬기, 알킬실릴기, 알콕시실릴기, 카바메이트기를 갖는 이소시아네이트 단량체와 개시제, 테트라히드로퓨란 용매 및 나트륨테트라페닐보레이트를 고진공과 저온에서 10-150 분간 중합하여 폴리이소시아네이트를 합성한다. 상기의 폴리이소시아네이트는 광학적 활성을 가지며, 액정재료 및 광학재료로 이용할 수 있다
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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일반기술
보건·의료 > 원료의약 대량제조 기술
하이드록시 벤조산의 형광파장의 측정을 통한 퍼옥시/수퍼옥사이드 라디칼을 측정하는 방법에 관한 것이다.종래의 방법은, 테트라니트로메탄, 사이토크롬 C, 니트로블루 테트라조리움등이 수퍼옥사이드 라디칼과 반응하여 광학적 흡광성을 갖는 물질을 생산하여 반응산물의 흡광도를 측정하여 수퍼옥사이드 라디칼의 농도를 측정하는 것으로써, 이는 형광광도에 비해서 감도가 떨어져 미량 분석에 이용하기에는 적합치 않다.퍼옥시/수퍼옥사이드 라디칼을 3가철 이온(Fe3+), 과산화수소 및 하이드록시 벤조산과의 화학반응을 통하여 형광성이 있는 하이드록시 벤조산의 방출파장을 측정하여 퍼옥시/수퍼옥사이드 라디칼을 측정하는 방법에 관한 것이다.하이드록시 벤조산의 형광을 이용한 높은 감도로 미량측정을 요구하는 대기, 의약 등 여러 분야로의 응용이 가능하다. 또한 고급산화공정에서의 산화반응 메카니즘을 규명하고 또 퍼옥시/수퍼옥사이드 라디칼을 변환시켜 산화력이 더 큰 하이드록시 라디칼을 생성시켜 고급산화공정에 이용하여 폐수처리의 효율을 향상시킬 수 있고 고도정수처리에도 이용할 수 있다
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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일반기술
화학공정 > 전지 제조 공정 기술
비수용액 상에서 직접 메탄올 연료전지용 전극촉매를 제조하는 콜로이드 방법에 있어서, 질소 분위기하에 수불혼화성 유기용매 중에서 염화백금 및 비수용성 제2금속 염화물을 수소화붕소리튬(LiBH4)으로 환원시켜 콜로이드 상의 백금 합금 나노 입자를 형성한 후, 백금 합금 입자를 열처리 없이 건조시켜 직접 메탄올 연료전지용 백금 합금 전극촉매의 제조기술로 다음과 같은 단계를 취한다.1) 염화백금과 비수용성 제2금속 염화물을 백금과 제2금속(전이금속 계열, 염화추테늄 또는 염화몰리브덴)이 1-2:1의 원자 비율의 양으로 수불혼화성 용매(THF, ACN, 피리딘, DMF)에 첨가하여 부분적 가열과 격렬한 교반으로 용해시킨다.2) 위의 결과물에 수불혼화성 용매 중의 0.01-0.5몰 수소화붕소리튬(LiBH4)용액을 첨가해 콜로이드상의 백금 합금 나노 입자를 형성한다. 용매를 제거하여 백금 합금 입자를 분리한 다음, 기존의 열처리 대신에, 분리된 입자를 벤젠 및 증류수의 혼합용매에 분산시킨 후 동결 건조시킴으로써 분말상의 백금 합금 입자를 제조한다직접 메탄올 연료전지는 메탄올의 산화시 부산물로서 일산화탄소(CO)를 발생시켜 연료전지의 전극 촉매로서 사용된 백금에 대해 피독(poisoning)현상을 일으켜 메탄올 산화반응의 성능저하 문제가 있어 이를 해결하기 위해, 환원제를 사용하여 나노 입자를 만드는 침전법이 있으나 이는 물에 잘 녹는 금속 염화물만 사용해야 하는 한계를 갖고, 비수용성 금속 염화물 사용 시 카본과 함께 물에 분산시켜 사용하는 방법이 있으나 이는 고온 열처리로 입자 크기의 증가를 가져와 불균일 분포를 갖는다. 한편, 수용액상에서 직접 메탄올 연료전지용 전극촉매 제조하는 콜로이드 방법은 환원제의 종류와 각 과정의 pH조절과 열처리의 단점을 갖고, 비수용액상에서 직접 메탄올 연료전지용 전극촉매 제조하는 콜로이드 방법도 있으나 공정이 복잡하고 필수적 열처리공정에 의해 입자 크기가 다소 증가하는 한계를 갖는다. 따라서 수불혼화성 유기용매와 수소화붕소리튬(LiBH4)환원제를 이용하여 열처리 없이도 염화백금과 비수용성 제2금속 염화물로부터 입자 크기가 최소화된 직접 메탄올 연료전지용 백금 합금 전극촉매를 제조하였다.위의 방법으로 좁은 크기 분포와 2nm 이하의 평균 크기를 갖는 백금 합금 입자를 기존에 비해 훨씬 간편하게 제조할 수 있으며, 백금 합금 입자는 무공해 에너지원인 직접 메탄올 연료전지의 양질의 전극 촉매로서 사용되어 메탄올 산화반응의 성능 향상을 가져올 수 있다
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-26
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
질화물 반도체 소자에서 개발된 오믹(Ohmic) 접촉 물질 시스템에 금(Au)을 커버층으로 사용되고 있으나 대기중 산소가 반도체 접촉층까지 침투하여 금속층 계면에 산화 오염층이 형성되어 오믹특성이 깨어져 이를 해결하기 위해, 산소 침입을 막고 빛의 투과성질을 개선시키기 위한 금속 오믹 접촉시스템의 개발 노력으로 S.J. Pearton에 의해 발표된 기술은 비접촉 저항영역에 문제가 있고, 무라카미에 의해 발표된 Ta/Ti 접촉 시스템 기술은 비접촉저항은 우수하나 상온에서 인정되지 않는 한계점을 나타내고 있다. 따라서 열적/화학적/구조적 안정성이 우수한 루세니윰을 커버층으로 사용하여 대기 중 산소 영향에 안정하고 광투과율 향상 및 낮은 비접촉 저항을 갖는 우수한 오믹 접촉이 형성되도록 하는 금속 박막을 제공하게 되었다반도체 기판위에 오믹 전극 금속을 증착하여 접촉층을 형성한 후 접촉층 위에 루세니윰을 증착하여 커버층을 형성하는 금속박막 제조방법으로 아래와 같은 단계를 따른다.1) 각종 반도체 기판 위에 오믹 전극 금속을 증착한 접촉층형성2) 접촉층 위에 루세니윰을 증착한 커버층을 포함한 오믹 접촉층 금속 박막 상기 커버층에 루세니윰 산화층을 더 포함하여 반도체와 금속층 계면이 산소의 영향을 거의 받지 않아 산화오염층 형성이 방지되어 금속-반도체 간 장벽의 높이를 더욱 효과적으로 낮출수 있도록 한다. 아울러 전기적으로 안정한 오믹 접촉이 가능해짐로 소자 개발시 계면에 발생되는 열에 의한 자연 배출구의 기능까지 더 하게 되어 열적 특성이 우수한 소자 개발이 가능하다
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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일반기술
화학공정 > 기타 분자·나노 화학공정 기술
나노 입자와 고분자 물질을 이용한 나노 복합체 제조방법에 관한 기술이다. 나노 입자를 블록 고분자에 선택적으로 도입하려는 시도가 많이 있었으나, 나노 입자와 고분자간의 친화력이 없는 이유로, 성공적으로 도입된 예는 많지 않으며, 이러한 나노 입자의 선택적 도입을 이용한 응용의 예는 더욱 찾아보기 어렵다. 이에, 금속 및 세라믹 나노 입자와 블록공중합체로 이루어진 유기/무기 나노 복합체를 제조하여 나노 입자를 안정화시키고, 블록공중합체의 한쪽 블록에만 나노 입자가 선택적으로 도입된 나노 복합체를 제공한다나노 복합체로 제조하고자 하는 물질을 가공하여 나노 입자를 제조하고, 이와는 별도로 블록공중합체를 제조한 후, 상기 나노 입자를 구조적 친화력을 이용한 결합방법과 정전기적 인력을 이용한 결합방법 중에서 한 방법을 선택하여 상기 블록공중합체에 선택적으로 도입시켜 나노 복합체를 형성한다. 여기에서 구조적 친화력을 이용한 결합방법은 상기 블록공중합체와 유사 또는 동일구조의 고분자 물질을 선택하여 상기 나노 입자의 표면을 코팅하여 결합시키는 방법을 사용할 수 있으며, 정전기적 인력을 이용한 결합방법은 나노 입자를 음전하로 하전시키고, 블록공중합체에 양전하를 부가하여 결합시키는 방법을 사용할 수 있다. 상기의 나노 복합체는, 나노 입자가 선택적으로 도입되고, 나노 입자가 매우 안정적으로 결합되는 특성을 가진다
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
레이저를 이용하는 질화물 반도체의 억셉터 활성화 방법에 관한 것이다.MOCVD법으로 p형 질화갈륨박막을 성장시킬 경우, 수소원자가 p형 질화갈륨 내에 존재하는 Mg 억셉터와 결합하여 Mg-H 복합체를 형성하여 Mg 억셉터가 활성되지 않는다.Mg 억셉터 활성화방안으로 전자빔 조사법은 스캔시간이 느려서 실용화가 거의 불가능하고, 열처리법을 이용하는 경우는 약 20분 이상의 처리시간이 소요되며, 자외선 램프를 이용하는 경우에는 약 60분 이상의 처리시간 및 열처리가 병행되어야 하는 문제가 있었다.수분 이내의 짧은 시간내에 간단하게 질화물 반도체 내의 억셉터를 활성화시킬 수 있는 질화물 반도체의 억셉터 활성화 방법을 제공한다질화물 반도체 내의 정공농도가 증가되도록 질화물 반도체에 레이저를 조사하여 상기 질화물 반도체에 도핑된 억셉터를 활성화시키는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체의 억셉터 활성화 방법에 관한 것이다.레이저는 1.5~6.5eV 범위의 에너지를 가지는 것이 바람직하며, 상기 억셉터는 Mg, Zn, Be, Cd, Ba, Ca 또는 C일 수 있다.수분이내에 질화물 반도체 내의 억셉터를 활성화시킬 수 있으므로 소자의 대량생산에 적합하며, 빔 균일화 렌즈를 사용할 경우에는 대면적의 소자 전체를 손쉽게 활성화시킬 수 있고, 레이저를 사용하기 때문에 매우 얕은 깊이만을 선택적으로 활성화시킬 수 있다
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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일반기술
화학공정 > 기타 화학공정
반도체 패키지용 에폭시 봉지재의 주성분인 실리카와 에폭시 수지간의 접착력 향상을 위하여 에폭시 수지와 화학적 결합이 가능한 반응기를 함유한 아민계 화합물, 1,2-에폭시-5-헥센, 알릴머캅탄 및 알릴알콜 중에서 선택된 단량체로 실리카를 플라즈마 중합 코팅방법으로 표면 개질시키고, 이 표면개질된 실리카를 사용하여 에폭시 봉지재를 제조함으로써 종래에 비해 환경친화적이며 에폭시 봉지재의 각종 물성을 우수하게 개선시킨 표면 개질된 실리카와 그 제조방법 및 장치에 관한 것이다.종래 실레인 커플링제에 의한 실리카의 표면개질을 통한 에폭시 봉지재의 물성 향상방법은 용매를 사용하므로 환경오염을 유발시킬 수 있고, 그 처리시간이 길고, 처리 후 실레인 커플링제의 가수분해와 축합반응의 결과로 실리카가 변질되거나 응집되는 현상이 발생되어 에폭시 봉지재의 물성저하를 초래하였다.플라즈마 중합코팅 기술이 기질과의 접착력을 향상시키는 점을 에폭시 봉지재에 적용하였다반도체 패키지에 사용되는 에폭시 봉지재용 실리카에 있어서, 상기 실리카의 표면이 아민계 화합물, 1,2-에폭시-5-헥센, 알리머캅탄 및 알릴알콜 중에서 선택된 것으로 플라즈마 중합 코팅되어 표면개질된 에폭시 봉지제용 실리카를 특징으로 하며 아민계 화합물로는 1,3-다이아미노프로판, 알릴아민, 피롤등을 사용할 수 있다.또한, 실리카를 플라즈마 중합으로 코팅시키는 방법에 있어서, 실리카를 플라즈마 중합반응기에 주입한 후 반응기 내 공기압력을 1*10-3torr까지 떨어뜨리는 단계, 상기 압력이 떨어진 플라즈마 중합 반응기에 아민계 화합물, 1,2-에폭시-5-헥센, 알리머캅탄 및 알릴알콜 중에서 선택된 것을 반응기 안으로 유입시키는 단계, 플라즈마 중합조건을 설정하고 반응기를 회전시키는 단계로 이루어지는 표면개질된 에폭시 봉제제용 실리카의 제조방법을 특징으로 한다.에폭시 봉지재가 종래에 비해 환경친화적고 경제적이며 각종 제반 물성이 우수하게 개선되어 반도체 패키지용으로 유용하게 사용할 수 있다
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- 특허법인충정
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- 2001-05-30
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
비닐-페닐피리딘 단량체와 이를 이용하여 고분자를 제조하는 방법에 관한 기술이다. 현재까지는 페닐피리딘에 대한 연구가 유기 단분자에 국한되어 있으며, 이를 단량체로 사용하여 고분자를 합성한 예가 보고되지 않고 있다. 이에, 신규 비닐-페닐피리딘 단량체와, 이를 이용하여 제조되고 광 기능성 재료로 유용한 신규 고분자를 제공한다비닐-페닐 보로닉산과 2-브로모피리딘을 알칼리금속 염기 및 팔라듐 테트라키스트리페닐포스핀 촉매하에서 스즈키 커플링 반응을 시켜 비닐-페닐 피리딘 단량체를 제조한다. 또는 포르밀페닐 보로닉산과 2-브로모피리딘을 알칼리금속 염기 및 팔라듐 테트라키스트리페닐포스핀 촉매하에서 스즈키 커플링 반응을 시켜 포르밀페닐피리딘을 제조하고, 이를 메틸트리페닐 포스포늄 브로마이드 및 나트륨 하이드라이드 존재하에 위티히 반응을 시켜 비닐-페닐피리딘 단량체를 제조할 수도 있다. 이렇게 제조된 비닐-페닐피리딘 단량체는 다양한 중합방법으로 고분자화 할 수 있다. 상기의 신규 단량체를 이용하여 중합체를 합성하면, 블록의 길이나 크기 및 조성의 제어가 가능하고, 이러한 고분자를 이리듐, 루데늄 또는 플레티늄과 같이 광적특성을 가지는 금속화합물과 착체를 형성하여 광기능성 재료로 사용할 수 있
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- 2001-05-30
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
고온의 녹는점을 가지는 금속을 이용하여 고온에서도 안정한 고품위 오믹접촉을 형성시킨, n형 산화아연계 반도체를 이용한 발광 다이오드에 사용되는 금속전극 및 그 제조방법에 관한 것이다.광소자 구현을 위해서는 반도체와 금속간에 양질의 오믹접촉을 형성해야 하므로, n형 산화아연계 반도체에서 오믹접촉 특성의 저하를 극복하고자 반응층과 주입층 사이에 아연의 외부확산을 억제시키는 확산장벽으로 여러 금속을 사용하였지만 300℃ 이상의 고온에서는 만족할 만한 효과를 거두지 못했다. 고온에서 열적, 전기적, 구조적으로 우수한 오믹접촉을 형성하는 n형 산화아연계 반도체를 이용한 발광다이오드용 금속전극 및 그 제조방법을 제공한다.1500~3500℃의 녹는점을 가지는 전이금속 또는 전이금속으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 함금으로 이루어지거나 In 또는 In 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 이때 전이금속은 Ru, Hf, Ir, Mo, Re, W, V, Pt, Pd 또는 Ta으로 이루어지며, In 화합물은 InSn, InZn, InMg 또는 InGa으로 이루어진다.상기의 n형 산화아연계 반도체를 이용한 발광다이오드용 금속 전극은 고온에서도 낮은 비접촉저항 및 평탄한 금속전극 표면을 유지하여 산화아연계 반도체의 발광소자 및 레이저 다이오드 개발에 이용될 수 있고, 고온에서 안정한 산화물층을 전도층 및 확산장벽으로 이용하게 됨으로써 발광다이오드 제작시 부가적 공정을 줄일 수 있으므로 산화아연계 반도체의 상업화를 가속화시킬 것이다.
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
질화갈륨계 반도체는 절연체인 사파이어(a-Al2O3) 기판 상에 성장시켜 p-n 접합 형태의 질화갈륨계 발광다이오드에 이용하고 있다. 종래 사파이어 기판상에 박막을 형성하는데 있어, 상대적으로 비저항이 큰 p형 질화갈륨 박막에서의 전류 확산이 크게 저하되어 전류의 불균일을 초래하고 전류가 국부 영역에 집중적으로 흘러 발광에 대한 신뢰성에도 문제점을 가지고 있어, 이를 해결하기 위해 투명전극을 형성하여 전류 확산층(current spreading layer)으로 이용하였으나, 투명전극의 두께에 따라 비접촉저항이 변화됨으로써 투명전극으로 적절한 비접촉저항을 형성하기가 어려운 문제점을 갖게 된다. 따라서 투명전극의 필요 없이 전극의 구조 변화만으로 전류의 균일한 분포가 가능한 질화갈륨계 발광다이오드를 제공하고자 한다전류의 균일한 분포를 이루는 전극구조를 가진 질화갈륨계 발광다이오드를 실현하기 위하여 다음과 같은 구조를 갖는 발광다이오드를 제공한다. 기판상에 자신들끼리 연결되는 복수의 제1핑거 및 이와 더 낮게 위치한 제2핑거, 제1핑거와 제2핑거가 교대로 배열되는 n형 질화갈륨 박막, 상기 박막위의 제1핑거들 상면의 발광층, 그 위의 p형 질화갈륨계 박막, 상기 p형 질화갈륨계 박막상의 상기 제1핑거들과 같은 형상의 p형 전극 및 상기 n형 질화갈륨계 박막의 상기 제2핑거들 상에 상기 제2핑거들과같은 형상으로 형성되는 n형 전극이 구비된 질화갈륨계 발광다이오드(도면참조) 이때 기판은 사파이어로 이루어지며 상기 기판과 상기 n형 질화칼륨계 박막 사이에 완충층이 더 구비되거나, 제1핑거들 및 상기 제2핑거들이 스트라이프 타입도 가능하며 상기 p형 질화갈륨계 박막 및 사기 n형 질화갈륨계 박막은 질화갈륨, 알루미늄질호갈륨 또는 인듐질화갈륨으로 이루어져도 좋고, 발광층은 양자우물 구조로 하여도 좋다
- 보유기관
- 특허법인충정
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- 2001-05-30
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