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전기·전자 > 광전자
먼저 GaN 나노막대(120)를 에피텍셜 성장시키고 그 다음에 GaN 나노막대(120)를 씨앗층으로 하여 GaN 나노막대(120) 상에 두께 200 μm 이상의 GaN 후막(30)을 성장시키면 GaN 후막(30)도 GaN 나노막대(120)와 동일한 방향으로 우선 배향된 에피텍셜층이 된다. 그 다음에 GaN 후막(30)을 조심스럽게 분리해 내면 이를 차후에 GaN층을 에피텍셜 성장시키기 위한 기판으로 사용할 수 있다.먼저 GaN 나노막대(120)를 에피텍셜 성장시키고 그 다음에 GaN 나노막대(120)를 씨앗층으로 하여 GaN 나노막대(120) 상에 두께 200 μm 이상의 GaN 후막(30)을 성장시키면 GaN 후막(30)도 GaN 나노막대(120)와 동일한 방향으로 우선 배향된 에피텍셜층이 된다. 그 다음에 GaN 후막(30)을 조심스럽게 분리해 내면 이를 차후에 GaN층을 에피텍셜 성장시키기 위한 기판으로 사용할 수 있다.본 발명에 의하면, 먼저 GaN 나노막대(120)를 에피텍셜 성장시키고 그 다음에 GaN 나노막대(120)를 씨앗층으로 하여 GaN 나노막대(120) 상에 GaN 후막(30)을 성장시키면 GaN 후막(30)도 GaN 나노막대(120)와 동일한 방향으로 우선배향된 에피텍셜층이 된다. 따라서 GaN 후막(30)을 조심스럽게 분리해 내면 이를 차후에 GaN층을 에피텍셜 성장시키기 위한 기판으로 사용할 수 있다.본 발명은 상기 실시예에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.
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- 효성특허법률사무소
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- 2007-03-15
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본 발명은 피조리물 표면을 갈색으로 변화시킬 수 있는 반도체 레이저 다이오드의 근적외선 광원을 가진 가열조리장치에 관한 것으로, 가열조리장치는 0.6 내지 1.6μm파장을 가지며, 20W내지 200W의 광출력을 갖는 반도체 레이저 다이오드 어레이(32) 및 가열조리장치내에 마이크로파를 제공하기 위한 마그네트론(22)을 포함한다. 이러한 가열조리장치에 적절한 전원을 인가함으로써 마그네트론(22)에 의해 피조리물을 가열하고, 조리된 피조리물을 반도체 레이저 다이오드 어레이(32)의 근적외선 광으로 조사함으로써 피조리물의 표면을 갈색화할 수 있다. 또한 동일한 전원과 유사한 종류의 변환 에너지를 이용함으로써 가열조리장치의 구성이 간단해지고, 이용이 극히 편리해 질수 있다. 피조리물을 수용하며, 내측벽이 근적외선 광을 반사할 수 있는 조리실을 갖는 하우징(10)과; 상기 조리실내로 마이크로파를 제공하도록 상기 하우징내에 설치되는 발생수단(20)과; 상기 조리실내로 근적외선 광을 제공하도록 상기 하우징내에 설치되며 하나이상의 반도체 레이저를 갖는 반도체 레이저 다이오드 어레이 수단(30)과; 상기 마이크로파 발생수단과 상기 반도체 레이저 다이오드 어레이수단에 선택적으로 전원을 제공하는 전원공급수단(40)을 포함하는 가열조리장치.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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전기·전자 > 광전자
본 발명은 반도체 표면의 원형 그레이팅을 이용한 표면 방출형 레이저 다이오드와 그 어레이에 관한 것이다.; 본발명의 일실시예에 따라 레이저 다이오드의 광공진기(혹은 광 공동)는 반도체 표면의 원형 그레이팅에 의해 제공되어 반도체 표면으로 방출된다. ; 또한 레이저 다이오드에 전류를 인가하는 접속층은 하나이상의 전극으로 구성되어 레이져 방출방향을 변조할 수 있다.; 상기 원형 그레이팅은 또한 통상의 수직 광 공진기를 이용한 표면 방출형 레이저 다이오드에 적용할 수 있으며 상기 원형 그레이팅의 형상을 등거리 동심원형, 비등거리 동심원형 또는 비등거리 비동심 원형으로 구현할 경우 상기 하나 이상의 전극으로 구성된 접속층의 사용과 함께 레이저 빔의 초점거리, 방향 등을 변조할 수 있다. 반도체 기판 위에 성장된 제1그레이딩층과; 외부에서 주입된 정공 및 전자가 결합하여 레이저를 발생하는 상기 제1그레이딩 상부에 위치하는 활성층과; 상기 활성층 상부에 위치하는 제2그레이딩층과; 상기 제2그레이팅층 상부에 위치하는제1전도형의 반도체층과; 반도체 상부 표면에 위치하여 상기 반도체 상부 표면의 하부에 2차원 광공진기를 규정하고 상기 2차원 광 공진기에서 발생한 레이저를 상기 반도체 상부 표면으로 방사하는 원형 그레이팅층과; 하나 이상으로 전극으로 구성되며 상기 하나 이상의 전극 각각에 독립적으로 전류를 인가하기 위한 상기 제1전도형의 반도체층 상부에 위치하는 제1접속층을 포함하며; 상기 제1및 상기 제2그레이딩층은 그 밴드갭 에너지가 상기 활성층 쪽으로 갈수로 작아지도록 조성이 변하는 반도체 물질로 구성되며 상기 활성층은 상기 제1및 상기 제2그레이딩층보다 밴드갭 에너지가 크지 않은 반도체 물질로 구성된 원형 그레이팅 표면 방출형 레이저 다이오드.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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전기·전자 > 광전자
본 발명은 반도체 표면의 원형 그레이팅을 이용한 표면 방출형 레이저 다이오드와 그 어레이에 관한 것이다. 본 발명의 일실시예에 따라 레이저 다이오드의 광 공진기(혹은 광 공동)는 반도체 표면의 원형 그레이팅에 의해 제공되어 반도체 표면으로 방출된다. 또한 레이저 다이오드에 전류를 인가하는 접속층은 하나 이상의 전극으로 구성되어 레이저의 방출 방향을 변조할 수 있다.; 상기 원형 그레이팅은 또한 통상의 수직 광 공진기를 이용한 표면 방출형 레이저 다이오드에 적용할 수 있으며 상기 원형 그레이팅의 형상을 등거리 동심원형, 비등거리 동심원형 또는 비등거리 비동심 원형으로 구현할 경우 상기 하나 이상의 전극으로 구성된 접속층의 사용과 함께 레이저 빔의 초점거리, 방향 등을 변조할 수 있으며 본 발명에 따른 원형 그레이팅 표면 방출형 레이저 다이오드를 채용하여 고출력 레이저 다이오드 어레이가 제공된다. 동일한 반도체 기판위에 적어도 두 개 이상의 2차원 광 공진기를 이용한 원형 그레이팅 표면 방출형 레이저 다이오드가 형성되며, 상기 원형 그레이팅 표면 방출형 레이저 다이오드는, 반도체 기판 위에 성장된 제 1 그레이딩층과; 외부에서 주입된 정공 및 전자가 결합하여 레이저를 발생하는 상기 제 1 그레이딩 상부에 위치하는 활성층과; 상기 활성층 상부에 위치하는 제 2 그레이딩층과; 상기 제 2 그레이팅층 상부에 위치하는 제 1 전도형의 반도체층과; 반도체 상부 표면에 위치하여 상기 반도체 상부 표면의 하부에 2 차원 광공진기를 규정하고 상기 2 차원 광 공진기에서 발생한 레이저를 상기 반도체 상부 표면으로 방사하는 원형 그레이팅층과; 하나 이상의 전극으로 구성되며 상기 하나이상의 전극 각각에 독립적으로 전류를 인가하기 위한 상기 제 1 전도형의 반도체층 상부에 위치하는 제 1 접속층을 포함하며; 상기 제 1 및 상기 제 2 그레이딩층은 그 밴드갭 에너지가 상기 활성층 쪽으로 갈수록 작아지도록 조성이 변하는 반도체 물질로 구성되며 상기 활성층은 상기 제 1 및 상기 제 2 그레이딩층보다 밴드갭 에너지가 크지 않은 반도체 물질로 구성된 원형 그레이팅 표면 방출형 레이저 다이오드 어레이.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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전기·전자 > 광전자
본 발명은 시각도에 따라 각각 다른 파장의 빛을 발진하는 광양자테(photonic quantum ring) 레이저를 이용한 각도 및 고도 측정장치에 관한 것으로서, 상부반사판과 하부반사판 사이에 판상구조로 형성되어 그 테두리 부근에서 판상면의 수직선에 대한 시각도(θ)에 따라 각각 다른 파장의 빛을 발진시키는 광양자테(photonic quantum ring) 레이저와, 상기 광양자테 레이저에서 발진된 빛을 굴절 및 반사시키는 반사표적과, 상기 반사표적에서 굴절 및 반사된 빛을 모아 그 파장 특성을 검출하는 광 스펙트럼 분석기(optical spectrum analyzer)를 포함함으로써, 측정하고자 하는 각도 및 고도에 따라 각각 다른 파장을 검출하게 된다. 광양자테 레이저를 이용한 각도 및 고도 측정장치에 있어서, 상부반사판과 하부반사판 사이에 판상구조로 형성되어 그 테두리 부근에서 판상면의 수직선에 대한 시각도(θ)에 따라 각각 다른 파장의 빛을 발진시키는 광양자테(photonic quantum ring) 레이저; 상기 광양자테 레이저에서 발진된 빛을 굴절 및 반사시키는 반사표적; 상기 반사표적에서 굴절 및 반사된 빛을 모아 그 파장 특성을 검출하는 광 스펙트럼 분석기(optical spectrum analyzer)를 포함하는 것을 특징으로하는 광양자테 레이저를 이용한 각도 및 고도 측정장치.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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전기·전자 > 광전자
본 발명은 광양자테 레이저 다이오우드(photonic quantum ring: PQR)에 관한 것으로, 수평면으로 뻗은 다수 층이 수직 방향을 따라 교대로 적층되어, n 형 다중층 분산형 브랙 반사기(distributed Bragg reflector: DBR)와 p 형 다중층 DBR 사이에 끼워진 활성 영역의 테두리를 따라 수직축 방향에 대한 경사각의 함수로 표현되는 일정한 범위의 다양한 파장의 빛이 발진되며, 상기 발진된 빛이 투과되도록 피복층이 상기 활성층을 둘러싸고, 상기 활성 영역에서 3차원 발진된 빛이 보여지고 감지될 수 있도록 스트립형(striped) 또는 분리형 상부 전극을 상부 다중충 DBR의 상단부에 침착함으로써, 수 μA의 문턱전류로 동작하고, 스펙트럼의 파장 피크가 온도에 대해 T 1/2 의존성을 가지며, 문턱전류가 직경의 제곱에 비례하는 광양자테 레이저 다이오우드의 특성을 이용한 대용량의 고집적 반도체 레이저 다이오우드를 제작할 수 있다. 수평면을 따라 형성된 다수 개의 층이 수직으로 적층되는 광양자테(photonic quantum ring : PQR) 레이저 다이오우드에 있어서, n 형 다중층 분산형 브랙 반사기(distributed Bragg reflector: DBR)와 p 형 다중층 DBR 사이에 끼워져서, 수직축 방향에 대한 경사각의 함수로 표현되는 일정한 범위 내의 다수 개의 파장을 갖는 빛을 그 테두리를 따라 발진시키는 활성 영역; 보다 큰 굴절률을 갖고 상기 활성 영역을 둘러싸면서 발진된 빛을 투과시키되, 상기 빛은 등평면 환형 레일리 구속 조건(in-plane annular Rayleigh confinement)에 의해 구속되는 피복층; 수직 공동 표면 방출형 레이저(vertical cavity surface emiting laser: VCSEL)의 서로 연결된 고리형 상부 전극과는 달리, 상기 활성 영역에서 3차원 발진이 보여지고 감지될 수 있도록 형성된 스트립형(striped) 또는 분리형 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 광양자테 레이저 다이오우드.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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전기·전자 > 광전자
본 발명은 화학식 1로 표시되는 청색 발광 화합물 및 그 제조방법 및 이 청색 발광 화합물을 채용하고 있는 표시소자를 제공한다.; [화학식 1] [IMAGE 1] ; 상기식중, ; [IMAGE 2] ; 이고, X는 -O-, -S-, -NH-, -NCH 3 -, -NCH 2 CH 3 -, -NCH 2 (CH 2 ) n CH 3 -, -NCOOCH 3 -이고, n은 1 내지 20의 정수이고, Y1, Y2, Y3 및 Y4는 서로에 관계없이 페닐기, 알킬페닐기, 비페닐기, 알킬비페닐기, 나프틸기 및 알킬나프틸기로 이루어진 군으로부터 선택된다. 화학식 1의 화합물은 청색 영역의 형광을 방출하는 물질로서, 이 물질은 유기 전자발광소자의 홀수송층, 전자수송층, 또는 발광층 형성 재료로 매우 유용하다. 따라서, 이러한 화학식 1의 화합물을 이용하면 유기 전자발광소자의 발광 효율, 구동개시전압, 휘도 등의 성능을 향상시킬 수 있다. 또한, 화학식 1의 화합물은 각종 표시소자의 발색 재료로서 응용가능하다. 화학식 1로 표시되는 청색 발광 화합물: <화학식 1> [IMAGE 15] 상기식중, [IMAGE 16] 이고, X는 -O-, -S-, -NH-, -NCH 3 -, -NCH 2 CH 3 -, -NCH 2 (CH 2 ) n CH 3 -, -NCOOCH 3 -이고, n은 1 내지 20의 정수이고 Y1, Y2, Y3 및 Y4는 서로에 관계없이 페닐기, 알킬페닐기, 비페닐기, 알킬비페닐기, 나프틸기 및 알킬나프틸기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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전기·전자 > 광전자
본 발명은 광반응특성의 곁가지형 디아민 유도체를 포함하는 폴리아미드이미드 광배향성 물질 및 이를 이용함으로 인해 액정의 배향 및 프리틸트각을 임의대로 조절가능한 액정표시소자에 관한 것으로서, 상기 액정표시소자는 제 1 기판 및 제 2 기판과, 상기 제 1,제 2 기판사이에 형성된 액정층과, 상기 제 1 기판 및/또는 제 2 기판 상에 형성된; ; [IMAGE 1] ; 로 표시되는 광배향성 물질을 포함하는 배향막으로 구성되는 것을 특징으로 한다. 하기 화학식 1에 나타내어진 광반응특성의 곁가지형 디아민 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 광배향성 물질. 화학식 1 [IMAGE 8] [상기 식중, a 및 b는 각각 0 내지 4의 정수이고, X 1 및 X 2 는 각각 -CH 2 -, -O-, -COO-, -OOC-, -NHCO-, -CONH-로 이루어진 군으로부터 선택되고, R1 및 R2는 각각 수소, 할로겐기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 탄소수 1내지 100의 알킬기, 할로알킬기, 시아노알킬기, 니트로알킬기, 히드록시알킬기, 시아노할로알킬기, 니트로할로알킬기, 시아노니트로알킬기, 히드록시할로알킬기, 시아노히드록시알킬기, 히드록시니트로알킬기, 탄소수 6 내지 100의 아릴기, 알킬아릴기, 할로아릴기, 할로알킬아릴기, 니트로아릴기, 니트로알킬아릴기, 시아노아릴기, 시아노알킬아릴기, 니트로아릴기, 니트로알킬아릴기, 히드록시아릴기, 히드록시알킬아릴기, 시아노할로아릴기, 시아노할로알킬아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된다.]
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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전기·전자 > 광전자
본 발명은 양극 산화 공정을 이용한 일체형 3극 구조 전계방출 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 즉 본 발명은 유리 및 웨이퍼 기판위에 각 전극과 알루미늄층을 형성하고 양극 산화를 통해 알루미나층에 다수의 나노미터 단위 미세 홀을 형성한 후, 각 미세 홀내에 전계방출을 위한 에미터를 제조하고 양극용 최상부 전극을 알루미나 층위에 밀폐 형성시켜 일체화된 진공 미세 3극 구조의 전계방출 소자를 구현함으로써, 종래의 전자 빔 리소그라피 방법을 이용하지 않고도 일정한 크기와 배열을 가지는 미세 홀을 얻을 수 있으며, 또한 낮은 전압에서도 높은 전류밀도를 가지는 소자를 얻을 수 있게 되는 이점이 있다.양극산화 공정을 이용한 일체형 3극 구조를 가지는 전계방출 소자로서, 지지층 상부에 증착 형성되어 전계 방출 소자의 음극으로 사용되는 하부 전극층과; 균일한 전계방출 특성을 위해 상기 하부 전극 상부에 증착 형성되는 저항층과; 게이트 홀로 사용되는 다수의 미세 홀이 형성된 게이트 절연층과; 상기 게이트 절연층 상부에 형성되는 게이트 전극층과; 상기 게이트 전극 상부에 절연층으로, 게이트 절연층의 홀과 단일채널을 이루는 알루미나층과; 구조의 밀폐와 양극으로 사용되는 상부 전극층과; 상기 게이트 절연층에 형성된 각 미세 홀 내 생성되며, 고 전계에서 전자를 방출하는 에미터 를 포함하는 일체형 3극 구조 전계방출 소자.
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- 2007-08-10
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전기·전자 > 광전자
본 발명에서는, 복잡한 패키징 공정을 거치지 않고 제조될 수 있으며, 더욱 감소된 웰의 직경과 더욱 감소된 캐소드와 애노드 사이의 간격을 갖는, 일체형 3극 구조 FED를 제공한다. 또한, 본 발명에서는 양극산화법을 포함하는, 일체형 3극구조 FED 제조방법을 제공한다. 본 발명의 일체형 3극구조 FED는 애노드 절연층을 매개체로 하여 전면패널과 배면패널이 한 몸체를 형성한다. 기판; 상기 기판 위에 위치하는 캐소드층; 상기 캐소드층 위에 위치하며, 규칙적인 패턴으로 배열된 다수의 미세홀을 갖는 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 위에 위치하며, 상기 게이트 절연층의 미세홀 패턴과 실질적으로 일치하는 패턴으로 배열된 다수의 미세홀을 갖는 게이트 전극층; 상기 게이트 전극층 위에 위치하며, 상기 게이트 절연층의 미세홀 패턴과 실질적으로 일치하는 패턴으로 배열된 다수의 미세홀을 갖는 애노드 절연층; 상기 게이트 절연층의 미세홀, 상기 게이트 전극층의 미세홀 및 상기 애노드 절연층의 미세홀에 의하여 형성되는 웰 내에 위치하며, 상기 캐소드층에 부착되어 있는 에미터; 상기 애노드 절연층 위에 위치하는 형광체층; 및 상기 형광체층 위에 위치하는 애노드층을 포함하며, 상기 애노드 절연층이 상기 형광체층에 직접 부착되어 분리된 방전공간을 형성하고, 상기 애노드층이 상기 방전공간을 밀폐하는 것을 특징으로 하는 일체형 3극구조 FED.
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- 2007-08-10
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전기·전자 > 광전자
본 발명은 차량 충돌 방지용 지능형 도로 시스템에 관한 것으로, 특히 도로의 제 1격벽에 설치되어 레이저 광을 송신하는 광 송신부와, 도로의 제 1격벽과 마주보는 제 2격벽에 설치되어 광 송신부의 레이저 광을 수신하며 이를 송신하는 제 1광 송/수신부와, 제 1광 송/수신부에서 송신된 광의 단속 정보와 함께 차량간 거리 관련 정보를 전송하는 광 선로와, 제 1광 송/수신부의 광을 상기 광 선로에 접합하는 광 접합점과, 광 접합점을 통해 광 선로에서 전송된 광을 수신받아 제 1격벽 방향으로 송신하는 제 2광 송/수신부와, 차량에 설치되어 제 2광 송/수신부의 광을 수신받아 이를 전송하는 광 수신부와, 광 수신부에서 수신된 광의 단속 정보와 거리 관련 정보에 따라 해당 차량과 전방 차량간의 거리 이상을 알리는 차량의 전자제어장치(ECU)를 포함한다. 그러므로 본 발명은 광 송/수신과 광선로를 이용하여 도로에 주행중인 전방 및 반대 차선 차량들의 거리를 감지할 수 있어 차량 충돌 사고를 방지할 수 있다. 차량 충돌을 방지하기 위한 시스템에 있어서, 도로의 제 1격벽에 설치되어 레이저 광을 송신하는 광 송신부와, 상기 도로의 제 1격벽과 마주보는 제 2격벽에 설치되어 상기 광 송신부의 레이저 광을 수신하며 이를 송신하는 제 1광 송/수신부와, 상기 제 1광 송/수신부에서 송신된 광의 단속 정보와 함께 차량간 거리 관련 정보를 전송하는 광 선로와, 상기 제 1광 송/수신부의 광을 상기 광 선로에 접합하는 광 접합점과, 상기 광 접합점을 통해 상기 광 선로에서 전송된 광을 수신받아 상기 제 1격벽 방향으로 송신하는 제 2광 송/수신부와, 상기 차량에 설치되어 상기 제 2광 송/수신부의 광을 수신받아 이를 차량의 전자제어장치(ECU)에 전송하는 광 수신부를 포함하며 상기 차량의 전자제어장치(ECU)는 상기 광 수신부에서 수신된 광의 단속 정보와 차량간 거리 관련 정보에 따라 해당 차량과 전방 차량간의 거리 이상을 알리는 것을 특징으로 하는 차량 충돌 방지용 지능형 도로 시스템.
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- 2007-08-10
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전기·전자 > 광전자
본 발명은 광양자테(PQR) 레이저를 이용한 디스플레이 소자에 관한 것으로, 3차원 토로이달 공진기 구조에서 기인한 다파장 발진 특성을 갖는 광양자테 레이저를 적색(R)과 녹색(G) 및 청색(B) 중 어느 하나의 발광 파장대역에서 발진시킴으로써, LED보다 낮은 문턱전류와 수nm∼수십nm의 엔벨로프 파장영역에서 다파장 모드를 가지는 PQR 레이저의 다파장 발진특성 및 발진모드간 간격 조절을 통해 색감과 고휘도는 LED처럼 유지되면서도 보다 저전력을 소모하는 디스플레이 소자를 제공하는 이점이 있다.본 발명은 광양자테(PQR) 레이저를 이용한 디스플레이 소자에 관한 것으로, 3차원 토로이달 공진기 구조에서 기인한 다파장 발진 특성을 갖는 광양자테 레이저를 적색(R)과 녹색(G) 및 청색(B) 중 어느 하나의 발광 파장대역에서 발진시킴으로써, LED보다 낮은 문턱전류와 수NM∼수십NM의 엔벨로프 파장영역에서 다파장 모드를 가지는 PQR 레이저의 다파장 발진특성 및 발진모드간 간격 조절을 통해 색감과 고휘도는 LED처럼 유지되면서도 보다 저전력을 소모하는 디스플레이 소자를 제공하는 이점이 있다.
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- 2007-08-10
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전기·전자 > 광전자
본 발명에서는, 길이가 균일한 CNT를 에미터로서 채용한, 3극구조 FED용 필드 에미터 어레이 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에서 제공하는 3극구조 FED용 필드 에미터 어레이는, 기판; 상기 기판 위에 위치하는 캐소드층; 상기 캐소드층 위에 위치하며, 규칙적인 패턴으로 배열된 다수의 미세홀을 갖는 제1 알루미나층; 상기 제1 알루미나층 위에 위치하며, 상기 제1 알루미나층의 미세홀의 크기 와 같거나 보다 더 큰 다수의 웰을 갖는 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 위에 위치하며, 상기 게이트 절연층의 웰 패턴과 실질적으로 일치하는 패턴으로 배열된 다수의 웰을 갖는 게이트 전극층; 상기 제1 알루미나층의 미세홀 내에 위치하며, 그 기부가 상기 캐소드층과 접촉하고 있는 탄소나노튜브 에미터;를 포함하며, 모든 상기 탄소나노튜브 에미터의 길이가 실질적으로 일정하고, 상기 탄소나노튜브 에미터의 모든 선단이 상기 게이트 절연층의 상부 표면 아래에 위치하며, 상기 탄소나노튜브 에미터의 적어도 일부의 선단이 상기 게이트 절연층의 웰 내의 공간에 노출되어 있다. 기판; 상기 기판 위에 위치하는 캐소드층; 상기 캐소드층 위에 위치하며, 규칙적인 패턴으로 배열된 다수의 미세홀을 갖는 제1 알루미나층; 상기 제1 알루미나층 위에 위치하며, 상기 제1 알루미나층의 미세홀의 크기와 같거나 보다 더 큰 다수의 웰을 갖는 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 위에 위치하며, 상기 게이트 절연층의 웰 패턴과 실질적으로 일치하는 패턴으로 배열된 다수의 웰을 갖는 게이트 전극층; 상기 제1 알루미나층의 미세홀 내에 위치하며, 그 기부가 상기 캐소드층과 접촉하고 있는 탄소나노튜브 에미터;를 포함하며, 적어도 일부의 상기 탄소나노튜브 에미터의 선단이 상기 게이트 절연층의 웰 내의 공간에 노출되어 있는, 필드 에미터 어레이.
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- 2007-08-10
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전기·전자 > 광전자
볼록면(convex) 위스퍼링 갤러리 모드를 이용한 발광 소자, 발광 소자 어레이 및 그 제조 방법이 개시된다. 상기 볼록면 위스퍼링 갤러리 모드를 이용한 발광 소자는 활성영역을 포함한 다수의 층들이 수직으로 적층되는 PIN형 반도체를 이용한 발광 소자에 있어서. 높은 밴드갭 에너지를 가지는 제1 층 및 낮은 밴드갭 에너지를 가지는 제2 층이 교대로 적층됨으로써 다수의 양자 우물들을 가지는 활성영역; 상기 활성영역의 상하에 각각 위치하는 P 분산형 브래그 반사판(P-DBR: P-distributed Bragg Reflection) 및 N 분산형 브래그 반사판(N-DBR: N-distributed Bragg Reflection); 및 상기 PIN형 반도체에 수직으로 형성되는 소정의 직경을 가지는 홀(hole)을 포함하는 발광 소자로, 상기 홀 주변의 활성영역을 따라 다수의 파장을 가지는 빛이 발진하며, 상기 제1 층 및 상기 제2 층은 Al x Ga 1- x As층을 포함하고, 상기 활성영역에 만들어지는 상기 홀의 직경은 보통 수 um 이상의 크기를 가지는 것을 특징으로 한다. 이로써, 폴리이미드 공정, 메탈 공정 등의 후속공정 없이도 고집적 발광 소자 어레이를 제조할 수 있는 효과가 있다. 활성영역을 포함한 다수의 층들이 수직으로 적층되는 PIN형 반도체를 이용한 발광 소자에 있어서, 높은 밴드갭 에너지를 가지는 제1 층 및 낮은 밴드갭 에너지를 가지는 제2 층이 교대로 적층됨으로써 다수의 양자 우물들을 가지는 활성영역; 상기 활성영역의 상하에 각각 위치하는 P 분산형 브래그 반사판(P-DBR: P-distributed Bragg Reflection)과 N 분산형 브래그 반사판(N-DBR: N-distributed Bragg Reflection); 및 상기 PIN형 반도체에 수직으로 형성되는 소정의 직경을 가지는 홀(hole)을 포함하고, 상기 제1 층 및 상기 제2 층은 Al x Ga 1-x As층을 포함하며, 상기 발광 소자는 상기 홀 주변의 활성영역을 따라 다수의 파장을 가지는 빛이 발진하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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전기·전자 > 광전자
본 발명은 이종접합 소자 제작을 위한 게이트층의 선택 에칭 방법에 관한 것으로서, GaAs/Al x Ga 1-x As (x 는 0.1 내지 1.0의 수이다)로 구성된 이종접합 반도체 기판위에 반도체 소자를 제작할 때, 50% 구연산 수용액과 과산화수소를 1:1 내지 3:1 범위의 중량비로 혼합한 용액을 사용하여 GaAs 층만을 선택적으로 에칭하는 본 발명에 따르면, 종래의 건식에칭에 의한 격자결함 형성 등의 단점 및 종래의 습식에칭에 의해 발생되는 에칭의 불균일도 등의 단점을 해결할 수 있으며, 동시에 소자특성의 균일도가 우수한 GaAs HEMT 소자를 제작할 수 있다. GaAs/Al x Ga 1-x As (x 는 0.1 내지 1.0의 수이다)로 구성된 이종접합 반도체 기판의 GaAs층의 에칭 방법에 있어서, 50% 구연산 수용액과 과산화수소를 1:1 내지 3:1 범위의 중량비로 혼합한 용액을 사용하여 GaAs 층만을 선택적으로 에칭하는 방법.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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전기·전자 > 광전자
Al x Ga 1-x As 에피층 식각액 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 식각액은 H 3 PO 4 , H 2 O 2 및 CH 3 OH의 혼합액으로 이루어진다. 본 발명에 따른 식각액을 사용하여 Al x Ga 1-x As (0≤x≤1) 에피층을 식각하면 등방성 식각 특성이 얻어져 수직 프로파일을 가지는 측면을 가지는 메사를 형성할 수 있으며, GaAs층과 AlGaAs층과의 식각 선택비가 1에 가까워 메사의 측면에서 매끄러운 표면 형상이 얻어진다.H3PO4, H2O2 및 CH3OH의 혼합액으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 AlxGa1-xAs (0≤x≤1) 에피층 식각액.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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본 기술은 대형 건축물이나 조경시설을 야간에 조명하는데 사용할 수 있도록 형성된 컬러광 프로젝터에 관한 것으로서, 광원과, 광출사용 개구를 갖는 내부 공간 내에 광원이 설치되며 광원으로부터 출사된 광 중 내부공간 내로 입사된 광을 개구를 향해 반사시킬 수 있도록 형성된 반사경 유니트와, 반사경 유니트가 장착되는 본체와, 제1 및 제2 컬러 필터가 한 조를 이루어 반사경 유니트의 개구를 통해 출사되는 광의 출사경로를 가로지르는 방향을 따라 상호 반대방향으로 진행되면서 밀착 및 분리될 수 있게 본체에 설치된 적어도 하나의 필터 유니트와, 필터 유니트의 컬러 필터의 이송을 제어하는 구동유니트를 구비한다. 이러한 컬러광 프로젝터에 의하면, 고출력용의 직관형 광원을 적용할 수 있으면서도 필터를 셧터방식으로 왕복시켜 제어할 수 있어 컬러표시를 독립적으로 수행할 수 있는 장점을 제공한다.본 발명에 따른 컬러광 프로젝터는 광원과 광출사용 개구를 갖는 내부 공간 내에 상기 광원이 설치되며 광원으로부터 출사된 광 중 내부공간 내로 입사된 광을 개구를 향해 반사시킬 수 있도록 형성된 반사경 유니트와 반사경 유니트가 장착되는 본체와 제1 및 제2 컬러 필터가 한 조를 이루어 반사경 유니트의 개구를 통해 출사되는 광의 출사경로를 가로지르는 방향을 따라 상호 반대방향으로 진행되면서 밀착 및 분리될 수 있게 상기 본체에 설치된 적어도 하나의 필터 유니트와 터 유니트의 컬러 필터의 이송을 제어하는 구동유니트를 구비한다.바람직하게는 필터 유니트는 반사경 유니트의 개구와 대향되는 부분에 투광구가 형성되어 있으며 본체에결합되는 지지플레이트와 지지플레이트의 투광구를 상호 밀착 및 분리에 의해 개폐시킬 수 있는 크기로 형성된상기 제1 및 제2컬러 필터의 일부가 안착되어 결합될 수 있게 형성된 제1 및 제2 안착 플레이트와 지지플레이트에 치된 모터와 모터에 의해 회전될 수 있게 설치된 와인더와 지지플레이트에 설치된 복수개의 풀리, 안착플레이트의 양단부근에서 주행방향이 상호 반대가 되는 두 개의 궤선을 갖는 궤도를 갖도록 와인더와 풀리 사이에 설치된 와이어;를 구비하고, 제1 및 제2 안착플레이트는 와인더의 회전시 상호 주행방향이 반대가 되게 와이어와 연결된다.
- 보유기관
- (재)광주테크노파크
- 등록일
- 2007-08-21
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전기·전자 > 광전자
본 발명은 자속 집속 증대 구조를 적용함으로써 자기 광학 도파로층의 특정 영역을 선택적으로 포화 자화시킬 수 있는 자속 집속 증대 구조를 갖는 자기 광학 소자 및 자기 광학 소자의 선택적 포화 자화 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 자속 집속 증대 구조를 갖는 자기 광학 소자는 자기장 인가층과 자기 광학 도파로층이 순차적으로 적층된 구조를 갖으며, 상기 자기 광학 도파로층은 중앙 부위가 여타 부위에 비해 상대적으로 상부로 돌출된 형태를 갖는 릿지(ridge)형 구조이며, 상기 자기 광학 도파로층 중앙 부위의 하부에 구비되는 자기장 인가층의 두께가 여타 부위의 자기장 인가층의 두께보다 작은 것을 특징으로 한다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2007-12-27
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 기술은 영상 정보 피드백을 통한 표면 거칠기 계측시의 레이저 광 제어방법 및 표면 거칠기 계측용 레이저 광 제어장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 영상 정보 피드백을 통한 표면 거칠기 계측시의 레이저 광 제어방법은 레이저를 이용한 피사체의 표면 거칠기 계측에 있어서, 1) 피사체로부터 반사된 정반사광과 난반사광의 각각의 광데이터가 영상 센서에 획득되는 단계 2) 광데이터로부터 피사체의 표면 거칠기를 계측하고, 정반사광의광강도 및 난반사광의확산 정도를 이용하여 계산된 상관 관계를 통하여 각각의 반사광을 블렌딩하는 단계 3) 블렌딩된 반사광의 광강도를 설정기준으로 정규화하는 단계 4) 정규화된 반사광의 광데이터를 레이저 광원이 입력받아 피사체로 입사되는 레이저 광을 제어하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 기술에 따른 영상 정보 피드백을 통한 표면 거칠기 계측시의 레이저 광 제어방법 및 제어장치는 표면 거칠기 측정시 입사광을 적절하게 조절하고 정반사광의 광강도 변화를 정확하게 획득하는 효과가 있으며, 표면 거칠기 산출식을 매끈한 면과 거친 면에 대해 단일화할 수 있는 효과가 있다.
- 보유기관
- 부산대학교
- 등록일
- 2007-12-28
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전기·전자 > 광전자
본 발명은 광학 정반에 손쉽게 고정할 수 있고 광학 부품을 용이하게 정렬시킬 수 있도록 한 핀 방식의 광학 부품 정렬용 고정구에 관한 것이다.이를 위하여, 본 발명은 관통공이 천공된 광학 정반과, 상기 광학 정반 상에 광학 부품을 설치하여 정렬시키기 위한 광학 부품 정렬용 고정구에 있어서, 광학 정반의 관통공에 끼움 결합되되 그 외측 탄성부재에 의해 삽입 깊이가 조절되는 정착부재와, 정착부재의 상단과 나사결합되되 그 상면에 일방향으로 제1슬라이드 홈이 형성된 하단 가이드와, 하단 가이드의 제1슬라이드 홈을 따라 이동가능하게 설치되고 그 상면에 제1슬라이드 홈과 직각 되게 제2슬라이드 홈이 형성된 중단 가이드와, 중단 가이드의 제2슬라이드 홈을 따라 이동가능하게 설치되고 그 상면에 광학부품 안착부가 형성된 상단 가이드로 이루어진 것을 특징으로 한다. 상기의 기술적 구성에 따르면, 본 발명은 더브테일 결속구조를 갖는 다층의 좌우 방향각 가이드 수단을 둠으로써, 광학 정반 상에서 광학 간섭계를 보다 간단히 구성할 수 있고, 그 결과 간섭계 구성의 초보자도 보다 간편한 방법으로 광학 실험을 할 수 있고, 광학 부품의 정렬이 보다 쉬워짐에 따라 다양한 광학 실험을 할 수 있다는 효과가 있다.
- 보유기관
- 조선대학교
- 등록일
- 2007-12-29
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