일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 반도체 검사 장치에 관한 것으로, 특히 온도에 관련한 환경에서, 반도체 온도응력 검사를 수행하도록 하는 다변수 제어방법 및 장치에 관한 것이다. 다변수제어방법 및 장치는 온도쳄버를 플랜트로 간주하고, 이 시스템의 성능을 최적화시켜 쳄버내의 온도분포를 정밀하게 한 것으로, 제어부에 대하여 적어도 하나이상의 출력과 입력으로 되는 다변수 제어모델로 간주하여 출력과 입력을 테스트하여 온도모델을 결정하고, 온도모델에 따른 파라메타를 추정하여 시스템식별을 하며, 이후 최적이득, 최적상태추정기 이득을 계산하고 이에 근거하여 디지탈 제어파라메타로 변환하여 최적제어를 한다.본 기술은 시스템의 설계에 따라 쳄버의 온도를 정밀하게 조절하도록 온도모델에 대한 파라메타추정, 시스템 식별을 하게 되고, 성능지수를 최소화하면서 안정도, 강인성을 유지하도록 다변수 제어를 적용하므로 제어부에 관련하여 가제어성, 안정도, 근궤적, 최대오버슈트,상승시간, 정착시간들에 대한 모든 주변 환경을 고려한 최적의 제어를 달성할수 있다. 이에 따라 쳄버내온도는 내부 온도차에 따른 외란 제어부의 잡음, 정상오차 등을 최소화하여 신뢰성있는 온도제어를 달성하고 있다.
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- 호서대학교
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- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 반도체 집적회로의 제조방법에 관한 것으로, 특히 금속배선공정에서 금속 배선층 간의 절연물질의 유전상수를 최소화하여 저항(R)과 축전용량(C)의 곱(RC)으로 표현되는 지연시간(delay)을 감소시킴으로써 소자의 동작속도를 향상시키기 위한 새로운 반도체 집적회로의 제조방법에 관한 것이다. 종래의 반도체 집적회로에 있어서 금속 배선층간 절연물질은 실리콘 산화막(SiO2 )으로 이의 상대유전상수는 약 3.9의 값을 갖는데 반하여, 본 발명에 의하여 형성되는 금속 배선층간 절연물질은 진공으로 하거나 공기 또는 불활성 기체를 이용하므로 이 경우 상대유전상수는 자연에서 존재하는 최소 값인 1.0 또는 이에 근접한 값을 갖게 되어 약 4배의 정보처리 속도 향상 효과를 가져온다. 본 발명에 의한 반도체 집적회로 내의 금속 배선층 형성공정에 있어서 층간 절연층의 형성은 금속 배선층 사이에 바나듐 금속을 먼저 형성한 다음에 과산화수소(H2 O2 )를 이용하여 바나듐 금속을 용해하여 제거하는 단계를 거치게 된다. 다른 방법으로는 바나듐 산화막(V2 O5 )을 형성한 다음에 수증기(H2 O)를 이용하여 바나듐 금속을 용해시켜 제거한다.현재의 실리콘 산화막은 이러한 요구에 부응하는 배선층간 절연물질로 사용할 수 없으므로, 새로운 절연물질이 국내외적으로 폭넓게 연구 개발되고 있다. 새로운 물질로는 SiOF, 비정질 탄소박막, 테프론과 같은 저유전율 물질을 들수 있는데, 이들 물질은 반도체 집적회로 제작 상의 용이성과 이러한 저유전율 물질과 집적회로 내의 다른 물질 간 상호 반응 등의 신뢰성이 검증되어야 하며 이들의 유전상수 또한 2~3 정도의 비교적 큰 값이어서 요구되는 저유전율에는 미치지 못하고 있는 실정이다. 이에, 본 발명은 상기한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 배선층간 절연물질의 유전상수를 최소화 하는 신뢰성 높은 반도체 집적회로의 제조방법을 제공하고자 하는 것이다.
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- 호서대학교
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- 2006-05-24
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전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 이산 웨이브렛 변환 계산을 위한 시스톨릭 어레이 구조에 있어서, 저주파 웨이브렛 필터와 고주파 웨이브렛 필터의 계수들을 저장하고 있으며 입력 값과 저장 값을 곱하여 출력하는 프로세싱 엘리먼트에 의하여 한 레벨의 분석 웨이브렛의 계산 및 한 레벨의 합성 웨이브렛의 계산시 고주파 필터 출력과 저주파 출력을 번갈아서 계산하여 다음 레벨에서 사용되지 않는 출력 시퀀스를 계산하지 않도록 하는 것임을 특징으로 하는 이산 웨이브렛 변환 계산을 위한 시스톨릭 어레이 구조를 제시한다.이산 웨이브렛 변환을 위한 고주파 웨이브렛 필터 G와 저주파 웨이브렛 필터 H의 전달함수가 다음과 같이 주어질 때, 입력 시퀀스 an에 대하여 저주파 출력 시퀀스 vn, 고주파 출력 시퀀스 un을 출력하는 이산 웨이브렛 변환을 위한 시스톨릭 어레이 구조에 있어서, 저주파 웨이브렛 필터 계수(hn)와 고주파 웨이브렛 필터 계수(gn)이 저장되어 있으며 입력 a, b, e에 대하여 a, ahn+d+e, ahn를 출력하는 프로세싱 엘리먼트(PE)의 어레이를 구성하되, 입력 시퀀스 an중 짝수 성분(a2n)은 h0, g0가 저장된 프로세싱엘리먼트의 입력(a)이 되고, 입력 시퀀스 an중 홀수 성분(a2n+1)은 h1, g1가 저장된 프로세싱엘리먼트의 입력(a)이 되고, h2n, g2n이 저장된 프로세싱엘리먼트의 출력중 a은 다음 단계의 h2n, g2n이 저장된 프로세싱 엘리먼트의 입력(a)이 되고, h2n+1, g2n+1이 저장된 프로세싱 엘리먼트의 출력중 a은 다음 단계의 h2n+1, g2n+1이 저장된 프로세싱 엘리먼트의 입력(a)이 되고, h2n, g2n이 저장된 프로세싱엘리먼트의 출력중 ahn+d+e은 앞 단계의 h2n, g2n이 저장된 프로세싱엘리먼트의 입력(d)이 되고, h2n+1, g2n+1이 저장된 프로세싱엘리먼트의 출력중 ahn+d+e은 앞 단계의 h2n+1, g2n+1이 저장된 프로세싱엘리먼트의 입력(d)이 되고, h2n+1, g2n+1이 저장된 프로세싱엘리먼트의 출력중 aㆍhn은 h2n, g2n이 저장된 프로세싱엘리먼트의 입력(e)이 되도록 함에 의하여 h0, g0가 저장된 프로세싱엘리먼트의 출력(c)이 저주파 출력 시퀀스중 짝수 성분(v2n), 과 고주파 출력 시퀀스 중 홀수 성분(u2n)이 번갈아가면서 출력하는 것임을 특징으로 하는 이산 웨이브렛 변환을 위한 시스톨릭 어레이 구조.
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- 조선대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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전기·전자 > 기타 반도체
기체센서는 안정성(stability), 감도(sensitivity), 선택성(selectivity), 신속성(speed), 재현성(reversibility), 신뢰성(reliability) 등이 요구되고 있다. 이러한 기능을 나타내기 위해서는 적절한 열에너지를 가해주어 기체를 감지하는 물질을 활성화 시켜주어야 한다. 이를 위해 종래의 저항성분 대신 정온 특성을 갖는 BaTiO3를 사용해서 센서를 제조하기 위한 기술이다. 이러한 제조 기술을 통해서 신뢰성, 안정성, 생산성이 향상된 기체센서를 제조 할 수 있다.정온도 계수 특성이 나타나는 첨가제를 포함하는 티탄산바률 물질을 소결하는 단계와; 상기 소결한 티탄산바륨 물질의 상하측 표면을 폴리싱 및 경면 처리하여 일축 전원을 공급할 정온도 계수 기판으로 형성하는 단계와; 상기 정온도 계수 기판상에 실리콘 수소화물 가스를 이용한 증착법을 이용하여 저온 실리콘 절연막을 형성하는 단계와; 상기 정온도 계수 기판하부에 형성된 상기 저온 실리콘 절연막을 연마법을 사용하여 제거하는 단계와; 상기 저온 실리콘 절연막상에 센싱 영역과 패드 영역을 정의한 후 센싱 물질 및 전극으로 사용할 금(Au) 페이스트를 상기 센싱 영역과 패드 영역에 선택적으로 인쇄하고 열처리하여 센싱 물질 및 정온도 계수 기판에 전원을 공급할 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 센싱 소자 제조 방법.
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- 조선대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 PC 기반의 암호칩 및 플래시 메모리를 이용한 유.에스.비 보안 보조기억장치에 관한 것이다. USB 포트와 직렬 입출력 인터페이스를 가지는 USB 제어기; 및 플래시 메모리와 비밀키 기반의 암호화 알고리즘을 ASIC방식으로 내장한 USB형태의 보안보조기억장치, 기존 PCI 및 ISA 인터페이스 규격의 보안 카드나 복제방지 시스템으로 응용 가능하고, 암호화 카드 등 정보통신 기기의 데이터 암·복호화 모듈에 적용 가능하며, 지능망/이동망/개인휴대 통신망의 통신 장비를 이용한 원격 접속에 있어서 보안 모듈을 활용할 수 있으며, 고속으로 암호화 및 복호화 과정을 실행하여 소프트웨어의 무단 복제 방지와 중요 데이터의 접근 통제 및 중요 데이타를 암호화하는 정보보호 시스템으로 적용할 수 있는 암호화 칩(100)으로 구성된다. 따라서, PC 기반에서 작성되는 데이터에 대한 이동성을 갖는 저장, 데이터 암호화 및 접근 통제 등의 정보보호 및 보조기억의 효과가 있다.컴퓨터에 USB 인터페이스 되는 USB 탭과 USB 보안모듈을 구비한 정보저장 시스템에 있어서, USB(Universal Serial Bus) 포트와 직렬 입출력(Serial IO) 인터페이스를 가지는 USB 제어기(USB Controller)(10); 및 공개키 기반의 비대칭 암호화 알고리즘(RSA)과 비밀키 기반의 대칭 암호화 알고리즘(KSE96) 등의 암호화 알고리즘을 ASIC방식으로 내장되어 USB형태의 보안 모듈뿐만 아니라 PCI 및 ISA 인터페이스 규격의 보안 카드나 복제방지 시스템으로 응용 가능하고, 암호화 카드(Encryption Card) 등 정보통신 기기의 데이터 암복호화 모듈에 적용 가능하며, 지능망/이동망/개인휴대 통신망의 통신 장비를 이용한 원격 접속에 있어서 보안 모듈을 활용할 수 있으며, 고속으로 암호화 및 복호화 과정을 실행하여 상용 소프트웨어의 무단 복제 방지와 중요 데이터의 접근 통제 및 중요 데이타를 암호화하는 정보보호 시스템으로 적용할 수 있는 암호화 칩(Cyper Chip)(100)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 PC 기반의 유.에스.비. 보안 모듈과 암호칩을 사용한 정보 보호 장치.
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- 조선대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
○ 기술발명의 목적: 반도체 재료들을 이용한 소형 연료전지의 bipolar plate 제작 방법○ 기술 요약 및 특징: 본 발명은 소형 연료전지, 직접메탄올 연료전지 등의 제작에 이용되는 bipolar plate를 반도체 재료(Si, SiC/Si)를 이용하여 제작하는 기술이다.먼저 실리콘 혹은 Si 위에 증착된 탄화규소 박막 표면 위에 사진공정과 습식 (혹은 건식) 식각공정 을 이용하여 연료가 흐를 수 있는 유로를 형성한다. 그 구조 위에 화학기상증착법, 분자선증착법, 플라즈마화학기상증착법 혹은 스퍼터링법을 이용하여 SiO2 (혹은 SiNX) 절연체 박막을 증착한다. 끝으로 그 위에 금속접합공정을 이용하여 집전체 역할을 하는 금속 (Pt, Ru, Pd, Au)을 접합하여 반도체 재료를 이용한 bipolar plate를 제작한다. 이렇게 제작된 bipolar plate를 소형 연료전지 제작에 이용한다.○ 색인어: 연료전지, bipolar plate, 반도체 재료 (Si, SiC/Si), 금속접합, 식각(에칭)본 발명은 가) bipolar plate 재료로 Si과 SiC/Si 반도체를 사용하는 기술, 나) 실리콘 표면 위에 탄화규소 (SiC)박막을 형성하는 기술, 다) 이들 반도체 표면을 사진공정과 습식 (혹은 건식) 식각공정을 이용하여 기체 (혹은 액체) 연료의 유로를 형성하는 기술, 라) 이들 반도체 표면 위에 절연체인 SiNx 또는 SiOx 를 형성하는 기술, 마) 상기 유로가 형성된 기판위에 금속접합을 하는 기술, 바) 이들 반도체 재료로 제작한 bipolar plate를 이용하여 연료전지를 제작하는 기술로 이루어져 있다.[실시예 1] 실리콘 기판위에 탄화규소박막을 형성하는 기술실리콘 기판위에 SiC를 박막을 성장하기 위해 기판을 15×15mm2의 크기로 절단하였다. Si의 표면에 존재할 수 있는 유기물과 자연 산화막 등의 불순물을 제거하기 위하여 아세톤으로 3분 동안 초음파 세척을 후 후, 5% 희석된 HF수용액에 3분간 처리하여 N2 기체로 건조시킨다. 이러한 전처리 과정을 한 후 기판을 반응기내에 장착하고 30분 동안 감압한 후 반응기내의 잔류기체를 완전히 제거하기 위해 수소기체로 10분 동안 purging하였다. 장착중에 발생할 수 있는 산화막을 제거하기 위해 수소분위기에서 1100℃까지 승온하여 5분 동안 수소 식각을 유지한 후 상온까지 냉각하였다. 냉각된 Si 기판위에 SiC를 성장하기 위해 25℃/sec의 속도로 승온한 후 공급기체인 TMS을 공급하여 100㎛의 두께를 갖는 SiC를 성장하였다.[실시예 2] Si과 SiC/Si 반도체 표면에 습식 (혹은 건식) 식각공정을 이용하여 연료 (기체 및 액체)의 유로를 형성하는기술반도체 재료를 bipolar plate에 이용하기 위해 Si과 SiC 및 SiC/Si 반도체 표면에 연료의 유로를 형성하기 위해, 먼저 다음과 같이 사진•식각공정을 실시한다. 포토레지스트를 반도체 표면 위에 균일하게 코팅시킨 후 표준 노광공정을 이용하여 P/R에 stripe line 식각한다. 이 때 선폭길이는 500㎛, 선폭간격은 300㎛, 그리고 깊이는 200㎛를 유지하도록 만든다. P/R에 형성된 선폭을 반도체 표면에 동일 크기로 전송하여 유로를 만들기 위해 식각공정을 수행한다.
- 보유기관
- 전북대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 기판과 기판상에 쇼트키 장벽으로 형성되는 소스 및 드레인과 소스 및 드레인을 감싸며 기판상에 형성되는 게이트 유전체층과 게이트 유정체층 상에 형성되는 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 장벽 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법을 제안한다. 본 발명은 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로 기판위에 형성된 소스/드레인을 쇼트키 장벽으로 하여 도핑하지 않아도 되고, 대기상태에서는 전력소모가 거의 없는 정상 오프형 쇼트키 장벽 전계효과 트렌지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 쇼트키 장벽FET 및 그 제조방법은 , 기판위에 형성된 소스/드레인을 쇼트키장벽으로 하여 별도의 도핑 공정을 필요로 하지 않으며, 대기상태에서는 차단전류가 수 nA 수준으로 전력소모가 거의 없는 정상 오프형 FET를 제공할 수 있다. 또한 FET의 기판으로 GaN 반도체를 이용하여 고출력,고주파 전자소자로의 활용을 극대화 시킬 수 있다. 또한 GaN 반도체의 이온 주입과 1500℃ 이상에서의 활성화 공정을 배제할 수 있어 제조공정이 보다 간소화되고, 용이하게 할 수 있다. 또한 CMOS 기술에서 나타나는 DIBL문제를 완화시킬 수 있게 한다. 또한 기판으로 Si를 이용할 경우, 반도체의 대형화 추세에 탄력적으로 적응할 수 있고, 저비용으로 구현할 수 있게 한다.
- 보유기관
- 경북대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 형광체를 포함하는 잉크 조성물에 관한 것으로, 구체적으로는 잉크젯 방식에 의한 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)용 형광막 제조에 유리하게 사용될 수 있는 잉크 조성물에 관한 것이다.*플라즈마 디스플레이 패널은, 불활성 기체의 방전시 발생되는 플라즈마로부터 발출되는 진공 자외선( 파장 약 147nm)이 형광막에 충돌하여 가시광 영역의 적색, 녹색 및 청색광 등으로 바뀌는 현상을 이용한 평판 표시장치의 하나로서, 풀컬러 표시가 가능하고, 빠른 응답속도를 가지며, 시야각이 넓고, 40인치 이상의 대형 표시장치 구현이 용이하다는 점에도 고해상도 텔레비전(HDTV) 등의 차세대 디스플레이의 하나로 주목받고 있다.-기존의 PDP용 형광막 형성 방법이 가지고 있는 문제점을 개선하여 압전형의 잉크젯 노즐을 통해 토출이 가능하도록 나노크기의 형광체 분말을 제조하고, 또한 이 나노크기의 형광체 분말을 이용하여 형광체 잉크 제조시 형광체 분말의 용매 내에서의 균일한 분산을 가능케하는 분산제, 실란커플링제, 이온부여제로 구성된 조성물 즉 바인더 폴리머를 포함하지 않는 형광체 잉크 조성물 및 이를 사용하여 잉크젯 방식에 의한 PDP용 형광막을 얻는 방법을 개발하였다.-본 발명에 따른 수성 형광체 잉크 조성물은 잉크젯 방식에 의한 분사시 노즐 막힘이 없고, 분산성이 우수하며, 한경 친화적이고, 소성 후 잔류 카본이 없으므로 휘도가 높은 고해상도 PDP용 형광막 제작에 유리하게 사용될 수 있다.
- 보유기관
- 한국화학연구원
- 등록일
- 2006-11-08
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 소수성 기판의 표면개질에 의한 잉크젯용 고농도 수계 금속 나노졸의 미세라인 형성방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 양이온 고분자 전해질 또는 비이온성 계면활성제를 사용한 적층기법에 의하여 소수성 기판을 개질하여 친수화 시킴으로써 금속염 수용액에 고분자 전해질을 첨가하여 고분자-금속염 착체를 형성시킨 후 이를 환원제 처리하여 제조한 100nm 이하 크기의 고종도 수계 금속나노 졸을 이용하여 직접 잉크젯 기법으로 기판상에 미세라인을 형성할 수 있도록 한 소수성 기판의 표면개질에 의한 잉크젯용 고종도 수계 금속 나노 졸의 미세라인 형성방법에 관한 것이다.-소수성 기판을 친수처리 하는 간단한 방법으로 미세라인을 형성할 수 있기 때문에 평판디스플레이 패널용 전극 소재로서 매우 유용할 것으로 기대되며, 이외에서 미세전극을 필요로 하는 각종 소자에 적용 가능할 것으로 기대된다.-최근, 잉크젯 기법을 PDP 뿐만 아니라 LCD,OLED,FED 등과 같은 모든 평판 디스플레이 분야의 전극형성을 비롯하여 기타 제조 공정에 이용하려는 움직임이 활발히 진행되고 있어 디스플레이에서 잉크젯 기법의 시장은 더욱 확산 될 것임.
- 보유기관
- 한국화학연구원
- 등록일
- 2006-11-08
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
*원리 및 구성본 발명은 알킬숙시닉이미드 측쇄가 도입된 지방족 고리계 가용성 폴리이미드 수지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 산이무수물 단량체와 디아민 단량체를 용액 중합하여 제조하되, 산이무수물 단량체로서 특정 구조의 지방족 고리계 테트라카르복실산 화합물을 필수 조성성분으로 사용하고, 방향족 디아민 단량체로서 저극성이 알킬숙시닉이미드 측쇄기를 갖는 방향족 디아민 화합물을 필수 조성성분으로 사용하여 중합 제조된 것으로, 내열성, 용해성, 표면강도특성, 투명성, 낮은 표면 극성, 및 액정의 수직 배향성이 우수한 신규 구조의 가용성 폴리이미드 수지에 관한 것이다.*배경일반적으로 폴리이미드 수지라 함은 방향족 테트라카르복실산 또는 그 유도체와 방향족 디아민 또는 방향족 디이소시아네이트를 축중합한 후, 이미드화하여 제조되는 고내열성 수지를 일컫는다. 폴리이미드 수지는 사용된 단량체의 종류에 따라 여러 분자구조를 가질 수 있다. 일반적으로 방향족 테트라카르복실산 성분으로서는 피로멜리트산이무수물(PMDA) 또는 비프탈산이무수물(BPDA)를 사용하고 있고, 방향족 디아민 성분으로서는 파라-페닐렌디아민(p-PDA), 메타-페닐렌디아민(m-PDA), 4,4-옥시디아닐린(ODA), 4,4-메틸렌디아닐린(MDA), 2,2-비스아미노페닐헥사풀루오로프로판(HFDA), 메타비스아미노페녹시디페닐설폰(m-BAPS), 파라비스아미노페녹시디페닐설폰(p-BAPS), 1,4-비스아미노페녹시벤젠(TPE-Q), 1,3-비스아미노페녹시벤젠 (TPE-R), 2,2-비스아미노페녹시페닐프로판(BAPP), 2,2-비스아미노페녹시페닐헥사풀루오로프로판(HFBAPP) 등의 방향족 디아민을 사용하고 있다.*종래기술현재까지 개발된 지방족 고리기가 주쇄에 도입된 액정배향막용 폴리이미드계 수지는 선경사각의 발현을 위해 저극성 알킬기가 측쇄로 도입되어 사용되고 있으며, 용매에 용해되는 가용성 폴리이미드계 수지 및 폴리아믹산계 수지가 대표적이다.그러나 가용성 폴리이미드계 수지의 경우 용매에 대한 용해성이 미흡하여 인쇄성이 양호하지 않은 단점이 있으며 폴리아믹산계 배향막의경우에는 높은 표면 극성을 말미암아 전압보유율(VHR)이 감소하는 단점이 있다. 뿐만 아니라, 다양한 구동 모드에 대응할 수 있는 배향막으로서의 응용을 위해서는 선경사가의 제어가 요구되고 있다.*특징 및 장점본 발명의 저극성 알킬기가 치환된 숙시닉이미드계 측쇄기를 갖는 가용성 폴리이미드수지를 함유하는 폴리아믹산 조성물은 기존에 발표된 바 없는 신규 물질임.1)본 발명의 폴리아믹산 유도체는 저극성 알킬기가 치환된 숙시닉이미드계 측쇄기의 도입에 의해 액정에 대한 안정성이 특히 개선된 신규 고분자임.2)본 발명의 저극성 알킬기가 치환된 숙시닉이미드계 측쇄기를 갖는 가용성 폴리이미드수지를 함유하는 폴리아믹산 조성물은 가용성 폴리이미드 수지 및 폴리아믹산의 조성비 조절에 의해 공정성 및 전기광학특성이 조절이 용이함.3)본 발명의 저극성 알킬기가 치환된 숙시닉아미드계 측쇄기를 갖는 가용성 폴리이미드 수지를 함유하는 폴리아믹산 조성물은 가용성 폴리미이드 수지의 적절한 사용비율 조절에 의해 액정을 수직 배향시킬 수 있는 신규 화합물임.
- 보유기관
- 한국화학연구원
- 등록일
- 2006-11-08
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전기·전자 > 기타 반도체
*원리 및 구성본 발명은 반도체 및 전자산업에 절연물질로 널리 사용되는 폴리이미드 필름의 유전율에 관한 것이다. 폴리이미드 합성시 불소기를 도입하는 기존의 방식과는 상이하게 제조된 필름 표면 위에 직접 불소화 처리를 함으로써 보다 간편하고, 안정적으로 불소기를 도입시킬 수 있다. 또한 직접 불소화 처리시 필름표면에 도입되는 불소함량을 조절할 수 있다. 필름의 표면에 도입된 불소함량이 증가함에 따라 폴리이미드의 유전율은 감소하며, 폴리이미드의 우수한 기계적·열적 성질에는 큰 영향을 미치지 않으면서 유전율만을 감소 시킨다. 본 발명은 이러한 특성을 가지는 폴리이미드의 직접 불소화 처리 방법 및 활용에 관한 것을 제공한다.*배경근래 들어 더욱 가속화되어지고 있는 반도체 및 전자산업에 있어서 소자의 고성능 기술개발 이외에 그 특성을 충분히 발휘할 수 있는 ILD(Interlayer dielectric) 물질에 관한 기술의 개발이 많이 이루어지고 있다. ILD 물질에 있어서 유전율이 중요한 이유는 첫째, 고집적회로에서 신호지연의 감소, 둘째, 상호 신호방해 (cross-talk) 방지, 셋째, 신호방해 방지로 회로밀도의 증가로 인한 고집적화/소형화 가능, 넷째, 소형화 고집적화로 가격절감 및 칩성능의 획기적 향상 가능, 다섯째, 전기·전자용 필름으로써 구부릴 수 있고 움직이는 회로의 구성이 가능하고 3차원 회로구성 및 고밀도 배선이 가능하여 컴퓨터 및 주변기기, 통신장비, 의료장비, 항공우주용 전자장비 등에 사용가능하기 때문이다.일반적으로 유전율이란 유전체, 즉 부도체의 전기적인 특성을 나타내는 중요한 특성 값으로 평소에 다양한 방향으로 각자 흩어져 있던 + - 모멘트(moment) 성분은 외부에서 걸린 전자계의 교류변화에 맞추어 편극된다. 이렇듯 외부의 전자계의 변화에 대해 물질 내부의 + - 모멘트가 편극되는 정도를 유전율이라고 표현할 수 있다.*종래기술현재까지의 폴리이미드 상의 불소 치환의 방법은 폴리이미드 합성시 이무수물(Dianhydride)과 디아민(Diamine) 단량체를 사용하여 합성하게 되는데, 이때 불소기를 갖는 이무수물을 이용하여 합성함으로써 폴리이미드 분자구조 내에 불소기를 치환하게 된다. 이렇게 불소 치환된 폴리이미드는 기존의 것에 비하여 분자구조 내에 비교적 불소의 큰 부피에 기인하여 자유부피 (free volume)가 증가하고, 전자편극이 낮은 불소가 치환됨으로써 폴리이미드의 유전율이 감소된다. 그러나 이 방법은 합성시 불소기를 도입한 단량체를 사용하기 때문에 제조 상의 번거로움이 있으며, 일반적으로 폴리이미드의 유전율은 불소 함량에 의존하여 그의 함량의 증가에 따라 감소된다는 사실에도 불구하고 불소 함량을 조절하는 것이 곤란하다는 문제점이 있다. *특징 및 장점1)간단한 방법으로 폴리이미드의 불소함량 제어가 가능. 2)기계적 및 열적 물성에는 영향을 미치지 않음.3) 낮은 유전율과 우수한 기계적·열적 물성을 요구하는 반도체 및 전자산업에 절연물질로서 유용하게 이용할 수 있음.
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- 한국화학연구원
- 등록일
- 2006-11-08
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 이동통신 단말기 및 휴대폰용 저전력 전력증폭기에 관한 것으로, 이동통신 단말기, 휴대폰 등 무선이동통신에 사용되는 단말기에서 RF 송신기로부터 출력된 신호를 증폭시켜 안테나로 전송하는 무선 통신시스템의 핵심 RF 부품이다.전력 증폭기 회로에서 최대 출력에서는 선형성을 만족 시키면서, 최대 사용 빈도를 갖는 영역에서는 효율을 증대 시켜 배터리의 사용 시간을 연장한다.본 기술은 저소비 전력 시스템에서의 높은 효율을 얻는 전력증폭기에 관한 것으로, 현재의 기술 발전 추세를 감안하면 미래의 휴대 단말은 종래의 음성 서비스 위주의 서비스에서 탈피하여 음성, 인터넷, 동영상, 전자서명/계측/제어 등 다양한 서비스를 제공할 수 있어야 하고, 이를 구현하기 위하여 복합 기능과 높은 전송속도가 요구되며, 이에 수반하여 전력소모가 가장 핵심문제로 대두되고 있다. 따라서 경제적인 측면에서 휴대단말기의 세계적인 제품 경쟁력 우위를 지속적으로 유지하고 다양한 부가 서비스의 창출을 위하여 저소비 전력 부품의 구현이 필수적이다. 시기적으로도 현재 본격적인 기술개발이 진행되고 있는 기술 분야로서, 칩의 면적 최소화, 아날로그 소자의 이득개선, 누설전류의 방지, 다중 동작전압 및 클럭 게이팅 회로설계, 혼합모드 통신방식, 지능형 전송 프로토콜 등이 핵심 기술로 부각되고 있다. 특히 신호의 송신을 위해서는 필수적인 핵심 부품인 전력증폭기는 휴대용 이동통신 단말기에서 전력 소모가 가장 많다. 따라서 이동 통신 단말기 및 휴대폰에 사용되는 전력 증폭기 회로를 저소비 전력화함으로써 저소비 전력 시스템의 다기능화, 복합기능의 구현이 가능하여 새로운 이동 통신 서비스 산업이 활성화 되고, 개인은 단말기 하나로 여러 생활편의 기능을 서비스 받을 수 있을 것이다.
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- 한국전자통신연구원
- 등록일
- 2006-11-28
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전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 광도파로소자에 관한 것으로서, 특히 광도파로 소자의 입출력부가 한쪽에 있는 소자의 제작에 관한 것이다. 입력과 출력이 양단에 있는 종래의 광도파로 소자는 광이 들어가는 쪽과 광이 나가는 쪽이 도파로의 양단에 위치해 있다. 그러므로 광섬유를 광도파로에 접속할 때는 광섬유를 양쪽에 붙여야 한다. 보통 이러한 정렬과정은 시간이 많이 소요되는 공정으로 생산성이 낮다. 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은, 도파로 소자의 한쪽에 입력부와 출력부가 동시에 존재하게 하여 광섬유를 한쪽에만 부착하면 되므로 광정렬에 드는 시간이 줄어들고 생산성을 높일 수 있는 입출력부가 한쪽 방향에 위치하는 광도파로 소자를 제공하고자 하는 목적을 가지고 있다.광도파로소자의 입력과 출력이 한쪽에 위치한 광도파로소자를 제작하기 위해서는 입력된 광의 방향을 입력쪽으로 반사시키는 기능을 가져야 한다. 보통 광을 반사시키기 위해서는 거울과 같은 것을 사용하면 된다. 이러한 반사기능을 갖는 구조는- 첫째, 도파로의 끝을 연마한 후 골트코팅(gold coating)하는 방법이 있다. - 두 번째로는 도파로를 90도 각도로 꺾어 놓고 45도 방향으로 반사판을 삽입하는 방법이 있다. - 세 번째, 그레이팅(grating)을 만들어서 광을 반사시키는 방법이 있고, - 네 번째, 도파로 끝에 골드 코팅하여 광을 반사시키는 방법이다. 이와같이 본 발명은 광섬유를 광도파로에 접속할 때 광섬유를 양쪽에 붙여야 하는 불편한 점을 해결함으로써, 이러한 시간이 많이 소요되는 정렬과정을 줄여주는 효과가 있으므로 생산성이 높아지는 효과가 있다.
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- (주)엘에스전선
- 등록일
- 2007-01-30
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 매장형 이종접합구조 레이저 다이오드의 제작방법에 관한 것으로, 상세하게는 GaInAsP/InP BH LD의 제조 공정중 메사를 형성하고 전류차단층을 형성하는 공정을 단 한번의 액상성장법(LPE : Liquid Phase Epitaxy)을 이용하여 제작할 수 있도록 한 제작 방법에 관한 것이다. 반도체 레이저라고도 하는 레이저 다이오드의 중요한 응용분야로는 현재 광섬유통신이나 광메모리, 콤팩트디스크의 광원으로서의 활용이 매우 활발하다. 광섬유통신분야에 있어서는 광전송로인 광섬유의 전송손실은 1.2㎛ 내지 1.7㎛ 파장영역에서 최소가 되기 때문에, 광섬유를 이용하는 장거리 통신에 사용할 수 있는 1㎛ 파장의 광을 발진하는 레이저 다이오드가 개발되고 있다. 장거리 광통신에 사용되는 레이저 다이오드의 전형적인 파장은 1.3㎛, 1.55㎛, 그리고 1.2㎛ 이다.종래의 InP계 BH LD는 일반적으로 액상성장법(LPE : Liquid Phase Epitaxy)에 의하여 제작되는데, 매장형 이종접합구조를 제작하는 공정에 있어서 산화규소막을 마스크로 사용하여 Br-메탄올계나 HBr계 에칭액을 사용하여 메사를 형성하고 전류차단층을 성장시켜야 하므로 에칭 및 세정공정을 여러 번 거치게 되어 제작과정이 복잡하다는 단점이 있었다.종래기술에 있어서의 제작과정을 단축시키는 문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 InP계 BH LD를 제작함에 있어서 산화규소막 스트라이프를 이용하여 멜트백으로 메사를 형성하고 이어서 전류차단층을 성장시킴으로써 BH LD의 제작공정을 단축할 수 있는 방법을 제공함을 목적으로 하고 있다.본 발명은, InP계 BH LD를 제작함에 있어서, n-InP 기판에 n-InP 버퍼층, InGaAsP 활성층, p-InP 클래드층 및 p-InGaAsP 캡층을 차례로 성장시키는 단계와, 상기 캡층을 제거한 후, 상기 클래드층 위에 산화규소막으로 스트라이프를 형성하는 단계와, 액상성장법에 의하여 멜트백으로 메사를 형성하고, 전류차단층을 성장시키는 단계와, 상기 산화규소막 스트라이프를 제거한 후 p-InP 층 및 p-InGaAsP 층을 차례로 성장시키는 단계, 그리고 p-전극으로서 캡층(52) 위에 Ti/Pr/Au 를 증착하고, 래핑공정에 의하여 n-InP 기판을 연마하여 전체두께가 100 내지 250㎛ 가 되도록 한 다음, n-전극으로서 n-InP에 Cr/Au를 증착하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 제작 방법이다. 종래의 액상성장법에 의한 BH LD의 제작방법에 있어서 메사구조를 형성하는 공정은 Br-메탄올계나 HBr계 에칭액을 사용하여 메사에칭하고 전류차단층을 성장시키는 과정으로 되어 있기 때문에 여러 번의 에칭 및 세정공정이 이용되어야 하는 것에 반하여, 본 발명에 있어서는 산화규소막 스트라이프를 이용하여 한번의 LPE 공정에 의하여 멜트백으로 메사를 형성하고 이어서 전류차단층을 성장시키고 있다. 따라서 Br-메탄올계나 HBr계 에칭액을 사용하는 별도의 메사에칭공정을 수행하지 않아도 되므로 종래 기술에 의한 제작 방법에 비하여 제작공정이 단축되어 공정단순화에 따른 비용절감 효과가 있다.
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- (주)엘에스전선
- 등록일
- 2007-01-30
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 수평형 브리지만(Horizontal Bridgman)법에 의한 고품위 n-형 GaAs 단결정 성장방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 Si를 3×1018cm-3이상 도우핑하여 에치피드밀도(EPD, etch pitdensity) 500cm-2의 고품위가 40% 이상 확보되도록 하는 n-형 GaAs 단결성 성장방법에 관한 것이다.광소자용 재료로 각광받는 GaAs 재료는 현재 그것이 갖는 여러가지 우수한 특성임에도 불구하고, Si처럼 범용되지 못하고 있다. 즉, GaAs의 열전도도가 Si보다 3.5배 낮고, 기계적 성질도 2배이하이기 때문에 결정성장시 각종 결함 즉 쌍정(twin)이나 다결정화(poly-crystal)등이 쉽게 유발되어 원하는 단결정을 얻기가 어려운 단점이 있다. 따라서, 본 발명은 이러한 문제점을 해소시키기 위히여 결정 성장조건을 미시적인 측면에 이르기까지 정밀제어하여, n-형 GaAs의 최적성장조건을 적용함으로써, 비교적 균질적이고, 수율이 높은(〉75%)단결정 성장이 가능한 방법을 제공하고자 한다.본 발명의 방법은 고품위 n-형 GaAs 단결정 성장을 위하여 Si을 (3∼5)×1018cm-3정도 도핑하는 경우에, 성장시 유발되는 GaAs 고-액 계면의 불안정성 요인을 인위적으로 제어하기 위하여-첫째, 열적 균형을 고려한 성장조건을 적용하였고-둘째, 성장이 진행함에 따라 잉곳트에 따라 열처리 효과가 가해지도록 앰푸울 끝부위에서부터 비교적 평평한 온도대를 1050℃∼1100℃ 정도로 두어 성장후 열응력이 크지 않도록 하였다.-셋째, 냉각속도를 제어하여 고품위성이 재현성 있게 확보되도록 한다.본 발명은 고품위 재현성을 확보하기 위하여 열적 균형을 가장 중요한 변수로 감안하여, 제 GaAs 용융부는 1240∼1250℃의 온도 영역을 갖게 하고, 앰푸울의 끝부위는 1100∼1050℃가 되게하여, 온도구배가 1230∼1240℃사이에서 5℃/cm, 1240℃∼1250℃ 사이에서는 1℃/cm 이하로 되게 하고, 성장속도는 시이드부는 3mm/시간, 쇼울더부는 5mm/시간, 잉곳트 보디부는 4mm/hr로 효율적으로 제어하며, 냉각속도를 1200∼1000℃까지는 1℃/분, 1000∼800℃까지는 2℃분, 800℃ 이하에서는 10℃/분 정도로 제어함으로써 Si농도가 (3×5)×1018cm-3만큼 도핑된 경우, 양질의 n-형 잉곳트가 얻어지며, 조업재현성도 75% 이상이 되게 된다.
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- (주)엘에스전선
- 등록일
- 2007-01-30
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
셀룰로오스로 만든 유연성이 있고 가벼우며 값싼 유연 디스플레이 장치인 전자디스플레이 종이(E-paper)에 관한 것으로서, 유연성이 부족한 유리 기판이나 자원공해가 있는 플라스틱 기판으로 된 전자종이의 단점을 극복하기 위하여 생분해성이 있는 셀룰로오스로 전자종이의 셀구조물을 만들고 전기장을 가했을 때 색이 변하는 발광체나 반사체를 삽입 후 셀룰로오스와 같은 천연 투명재료로 밀봉, 투명전극을 상하면에 설치하여 양방향또는 한 방향으로 디스플레이가 되도록 한 전자 디스플레이 종이의 개념과 제조방법<사업성>셀룰로오스 전자종이의 제조, 관련 부품 및 응용제품의 제조에 이르는 기술을 가지고 기업화가 가능.<시장성>생분해성이 있는 셀룰로오스 종이로 유연한 디스플레이 장치인 전자종이를 구현함으로서 자원공해가 없는 자연친화적이고 저가격이며 다양한 응용성을 갖는 디스플레이를 만들 수 있고, 따라서 종이의 부가가치를 높이며 치열한 전자종이의 국제적 기술경쟁에서 차별화를 이루어 국가의 미래기술의 발전을 이룩. 유연 디스플레이를 적용할 수 있는 분야에는 모두 적용이 가능하므로 시장성이 매우 넓음
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2007-06-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 반도체 레이저장치에 관한 것으로서, 특히 클래드층과 활성층 사이의 에너지 밴드 차이를 증가시켜서 활성층으로부터의 누설전류를 줄일 수 있게 한 것에 관한 것이다.종래의 양자 우물구조에서는 양자효과에 의해서 발진파장에 해당하는 에너지 폭은AlxlGa1-xAs에 해당하는 것으로 이때 제 1 및 제 2클래드층(2, 4)과의 에너지 밴드 차이가 줄어들고, 따라서 누설 전류가 증가하게 된다. 그러므로 레이저장치의 신뢰성과 열적특성이 저하되어 광통신장치등과 같이 고도의 신뢰성을 요하는 반도체에서는 양자 우물 구조의 우수한 특성을 살릴 수 없게 된다. 그리고 에너지,밴드폭을 증가시키기 위해서는 제 1 및 제 2래드층(2,4)의 Al 조성비를 증가시키면 되나 이것은 Al 산화등에 의한 신뢰성 저하의 요인이 된다.본 기술은 클래드층과 활성층의 에너지 밴드를 증가시키고 활성층 클래드층간의 에너지 밴드를 증가시켜서 누설전류를 줄일 수 있는 반도체 레이저장치를 얻을 수 있게 된 유용한 것이다.본 기술은 클래드층과 활성층 사이의 에너지 밴드차이를 증가시켜 활성층올 부터의 누설전류를 줄일 수 있게 한 것에 목적을 둔 것이다.이를 위해 제 1 및 제 2클래드층은 InGaP로 하고 양자우물구조 활성층은 InGaAs나 AlGaAs로 하여서 클래드층이 활성층에 비해 에너지 밴드폭이 크게 하여 활성층으로 부터의 누설전류를 줄 일 수 있게 한다.
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- 한국산업기술진흥원
- 등록일
- 2007-07-31
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 청색 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 특히 활성층을 텐셜-스트레인을 갖는 ZnSSe 양자우물로 구성하고, 클래드층을 ZnSe에 격자 정합한 MGZnSSe를 이용하여 임계전류밀도를 낮추고 발진파장을 짧게 할 수 있게 한것에 관할 것이다. 종래의 양자 우물 레이저 다이오드는, 활성층 양자우물의 광이득이 ZnSe의 경우 아주 작기 때문에 이를 극복하기 위하여 활성층 격자 상수가 클래드층의 격자상부보다 커지도록 Cd를 소향(25% 이하) ZnSe에 첨가하여 광이득을 높인 구조를 사용하는데, 이는 바이액시알컴프레시브 스트레임을 활성층에 인가하기 위한 것이고 반면에 Cd가 첨가되면 실제로 상온에서 500nm이하로 레이저를 발진시킬 수 없는 문제점이 따르게 된다.본 기술은 청색 반도체 레이저 다이오드의 발진파장을 매우 짧은 파장(500nm 이하)로 할 수 있게 되며, 발진개시 전류밀도의 낮은 임계전류밀도에서 동작시킬 수 있게 된 것이다.본 기술은 텐셜-스트레인을 갖는 양자우물 구조를 사용하여 레이저의 발진파장을 상온 (500nm)이하로 줄일 수 있게 한 것에 목적을 둔것이다.본 기술은 활성층과 클래드층과의 에너지 간격을 유지하고 활성층의 원자간격이 클래드층의 원자간격보다 적게한 텐셜-스트레인을 갖도록 양자우물층을 형성하여 청록색 레이점을 단파장화 한 것을 특징으로 한다.
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 등록일
- 2007-07-31
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 레이저 다이오드의 구동에 따른 광 출력 및 신뢰성을 향상하기에 적당하도록 한 화합물 반도체 레이저 다이오드에 관한 것이다.종래에는 제1,2클래드층에 의하여 발생하는 액티브층의 전류 제한 효과가 가이드층에 의해 감소하므로써 고 전류 인가시 액티브층에서 가이드층 및 제1클래드층으로 전류가 오버플로우 되므로 고축력 동작에 한계가 있었으나, 본 기술에서는 제1클래드층 및 전파인층을 형성하는 물질중 A1의 조성비를 액티브층을 형성하는 물질중의 A1조성비 보다0.3이상 크게하므로써 액티브층의 전류 제한 효과는 종래에 비하여 2배 이상 크므로 발진 개시 전류가 많고 고 전류 인가시에도 캐리어 오버플로우가 발생하지 않기 때문에 초 고 출력을 얻을 수 있으므로 결점을 개선 시킬 수 있는 것이다.기판상에 성장된 CBL층과, CBL층을 에칭 한 후 제1클래드층 및 액티브층을 형성하며 액티브층위에 형성되어 전류 제한 효과를 크게하는 컨파인층과, 컨파인층위에 형성되어 상기 액티브층에 의해 발생된 빛이 분산되도록 하는 베리드층과, 베리드층 위에 제2클래드층 및 콘택층을 차례로 형성한 것을 특징으로 한다.
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 등록일
- 2007-07-31
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 포토 다이오드에 관한 것으로 포토 전류(Iphoto)/암전류(Idark)비를 향상시키기 위한 것이다.종래에는 하부전극 위에 고농도 n형 광전변환층, 진성 광전변화층, 고농도 P형 광전변환층, 상부투명전극이 차례로 적층된 구조로써, 에너지 밴드 갭(Eg)이 1.7eV 정도인 진성 광변환층에 트랩이 존재할 경우 암전류가 높아져서 포토 다이오드 특성이 저하되었다.본 기술은 종래 구조에서 고농도 p형 광전변환층 대신 다이아몬드 박막이 형성된 구조로써, 다이아몬드 박막으로 암전류를 제어할 수 있으므로 포토 전류에 여러 레벨을 만들어 하이 그레이 스케일 레벨을 갖도록 할 수 있어 포토 전류/암전류비가 증가되므로 포토 다이오드의 특성을 향상시킬 수 있다.하부전극과, 하부전극위에 형성되는 소정 도전형 광전변환층과, 소정 도전형 광전변환층위에 형성되는 진성 광전변환층과, 진성 광전변환층 위에 형성되어 암전류를 제어한는 다이아몬드 박막과, 다이아몬드 박막위에 형성된 상부투면전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 등록일
- 2007-07-31
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