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전기·전자 > 기타 반도체
<기술의 개요>본 기술은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 성장된 탄소나노튜브를 홈에 채워 반도체 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.본 기술에 따른 반도체 소자를 제조하는 방법은, 기판 위에 몰드를 패터닝하는 단계 패터닝에 의해 형성된 홈 및 몰드 전면에 탄소나노튜브를 도포하는 단계 몰드 전면에 도포된 탄소나노튜브를 홈에 채워 넣는 단계 및 몰드를 제거하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조방법인 것을 특징으로 이루어진다.<기술의 특징> 기판 상면에 몰드를 패터닝하여 선택적으로 홈을 형성시킨 후 홈 및 몰드 상면에 성장된 탄소나노튜브를 도포하여 탄소나노튜브 구조체를 형성하며, 몰드 상면에 도포 된 탄소나노튜브 구조체를 평평한 도구를 이용하여 홈에 채워 넣어 몰드를 제거하여 반도체 기판상의 소정 영역에 탄소나노튜브를 선택적으로 형성시키는 것을 특징으로 한다.<기술의 장점>대량 합성 및 성장된 우수한 탄소나노튜브를 원하는 부위에 선택적으로 형성시킬 수 있으며, 금속 촉매를 쓰지 않고도 형성할 수 있다.
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- 한국과학기술원
- 등록일
- 2008-05-29
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<기술의 개요>본 기술은 기존의 CMOS 공정에 있어서, 소스와 드레인 영역위에 게르마늄(GE)을 증착하고 후속 열공정(RAPID THERMAL ANNEALING; RTA)을 통하여 SI1-XGEX 물질의 융기된 소스/드레인(ELEVATED SOURCE/DRAIN; ESD)을 형성함으로써 소스/드레인간의 저항을 줄이고, SI1-XGEX와 SI사이의 불순물 확산율의 차이를 통해 얕은 소스/드레인 접합영역(SHALLOW SOURCE/DRAIN JUNCTION DEPTH)을 형성하며, SI1-XGEX에서 GE의 성분비가 증가함에 따라 상승하는 가전자 에너지대역(VALANCE ENERGY BAND)의 변화로 에너지 밴드갭(ENERGY BAND GAP)을 작게하여 전위장벽을 높이는 효과가 있다. 이로서 펀치드루우(PUNCHTHROUGH)와 같은 단 채널 효과(SHORT CHANNEL EFFECT)를 효과적으로 억제시킬 수 있는 반도체 소자의 제조방법을 제시한다.<기술의 특징> 제 1 단계 : 반도체 기판 상에 게이트 산화막과 폴리실리콘막, 하드마스크를 순차적으로 형성. 제 2 단계 : 하드마스크 상에 감광막을 도포한 후 포토마스크를 이용하여 게이트가 형성될 영역으로서 게이트 산화막과 폴리실리콘막 및 하드마스크 패터닝.제 3 단계 : 패터닝 후, 반도체 기판 상에 유전물질을 전면에 걸쳐 증착하고 비등방성 식각 공정을 이용하여 스페이서를 형성.제 4 단계 : 스페이서를 중심으로 양쪽에 게르마늄(Ge)을 증착.제 5 단계 : 소스/드레인 영역을 형성하기 위해 증착된 게르마늄에 불순물을 주입.제 6 단계 : 불순물을 주입한 후, 후속열공정을 통하여 게르마늄과 반도체 기판간의 경계면에 Si1-xGex층을 형성하고, 소스/드레인 영역을 활성화.<기술의 특징>반도체 소자가 집적화됨에 따라 야기되는 단채널 효과를 억제하여 소자의 특성을 더욱 개선시킴.
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- 한국과학기술원
- 등록일
- 2008-05-29
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기술의 개요 - 본 기술은 미소 유체 칩(MICROFLUIDIC CHIP)에 관한 것으로, 본 기술에 따른 고속 스크리닝 또는 고속 분석을 위한 미소 유체 칩은 1차원 또는 2차원으로 배열되며 시료를 고립시키기 위한 웰(WELL)들, 웰들 상단에 위치되며 상하로 이동이 가능한 시료 고립 수단, 시료 고립 수단의 상단부에 위치되며 시료 고립 수단을 상하로 이동시키기 위한 개폐 수단, 시료가 주입되는 입구 및 주입된 시료의 여분이 배출되는 출구 및 웰들 내에 시약이 주입되는 시약 주입로 및 시약이 배출되는 시약 배출로를 포함하는 것을 특징으로 함.기술의 특징 - 시료 고립 수단은 웰들 상단에 위치되며, 상하로 이동이 가능하고 시료 고립 수단을 상하로 이동시키기 위한 개폐 수단, 시료를 웰들로 주입하기 위한 시료 주입구 그리고 주입된 시료의 여분을 배출하기 위한 시료 배출구, 시료와 반응시키기 위한 시약 주입로 및 시약을 웰들로부터 배출하기 위한 시약 배출로로 구성되는 것을 특징으로 함.기술의 장점 - 반도체 공정 및 MEMS 기술을 이용하여 칩 상에 웰들을 고집적할 수 있으므로, 많은 실험분석을 동시에 할 수 있음.
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- 한국과학기술원
- 등록일
- 2008-05-29
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전기·전자 > 기타 반도체
기술의 개요 - 본 기술은 터너리 정보를 저장할 수 있는 내용 주소화 메모리 장치에 관한 것으로서, 하나의 CAM 셀에서 0, 1, 무정의 값의 3가지 정보인 터너리(TERNARY) 정보를 저장할 수 있도록 하며 값 비교시 무정의 값이 저장되어 있을 때에는 별도의 비교 과정을 거치지 않고 매치라인이 활성화되도록 함으로써 빠른 비교결과를 얻을 수 있을 뿐만 아니라 작은 면적과 저 전력 동작이 가능한 이점이 있다.기술의 특징 - 에스램셀 : 정 및 부 비트라인과, 정 및 부 비트라인을 데이터 입출력 라인. - 비교기 : 정 및 부 비트라인의 데이터와 에스램셀의 저장 데이터를 비교. - 색인셀 : 정 및 부 무정의라인과, 정 및 부 무정의라인을 데이터 입출력 라인으로 하며 CAM의 데이터 상태를 나타냄. - 매치라인 : CAM에 저장된 데이터의 비교결과를 출력. - 매치라인 제어기 : 비교기의 출력값과 색인셀의 데이터에 의해 매치 결과를 매치라인으로 출력.기술의 특징 - 빠른 비교동작을 얻을 수 있도록 할 뿐만 아니라 작은 면적과 저전력 동작이 가능하도록 한 터너리 정보를 저장할 수 있도록 함.
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- 한국과학기술원
- 등록일
- 2008-05-29
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 회로기판에 접점 볼을 보다 정확하게 결합시킬 수 있게 함은 물론 접점 볼의 손실을 최소화시켜 장치의 운용 유지비용과 제품의 원가를 낮출 수 있도록 하는 접점 볼의 결합 장치를 제공하기 위한 것이다.본 기술은 회로기판의 리드핀 결합 패턴과 동일하게 다수의 통공이 형성되는 안내판과, 안내판이 고정 결합되는 지그와, 지그의 사이에 설치되고, 내측하부에 접점볼을 안내판 상부로 배출시키는 토출공을 구비하는 접점볼박스와, 접점볼박스의 일측에 설치되어 접점볼박스를 좌우로 이송시킬 수 있게 하는 이송 수단으로 구성되는 것에 특징이 있다.본 기술은 접점 볼을 회로기판상에 안내 공급시키는 안내판이 지그에 고정된 상태로 설치됨에 따라 접점 볼을 정확하게 공급시킬 수 있게 되고, 결합시키고자 하는 갯수만큼의 접점 볼만이 접점볼 박스로부터 토출되어 접점 볼의 손실을 최소화시킬 수 있다.
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- 한국산업기술평가원
- 등록일
- 2008-06-05
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 반도체기판의 솔더볼 공급장치에 관한 것으로서, 모터를 작동하여 벨트를 통하여 수평이동수단인 회전수나 사축을 작동하고, 이에 결합되어 받침판에 대하여 수평으로 이동하는 솔더볼공급수단 내에 보관된 솔더볼을 솔더볼이젝팅수단인 볼패턴플레이트에 형성된 수 많은 솔더볼저장홈에 공급하여서 솔더볼을 진공툴에 공급하므로 솔더볼을 공급하는 공정을 간단하고 효율적으로 수행하도록 하는 기술이다.본 기술에 따른 반도체기판의 솔더볼 공급장치를 이용하게 되면, 모터를 작동하여 벨트를 통하여 수평이동수단인 회전수나사축을 작동하고, 이에 결합되어 받침판에 대하여 수평으로 이동하는 솔더볼이동공급수단 내에 보관된 솔더볼을 솔더볼이젝팅수단인 볼패턴플레이트에 형성된 수 많은 솔더볼저장홈에 공급하여서 솔더볼을 진공툴에 공급하므로 솔더볼을 공급하는 공정을 간단하고 효율적으로 수행하도록 하는 매우 유용하고 효과적인 발명이다.
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- 한국산업기술평가원
- 등록일
- 2008-06-12
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 반도체기판 상에 솔더볼(Solder Ball)을 공급하는 장치에 관한 것으로, 특히, 솔더볼을 볼박스에 보관하여 핀이동실린더에 의하여 상승하는 볼고정판에 솔더볼을 진동시키면서 안치시키고서 틸팅실린더를 이용하여 볼박스를 경사지게 하여 핀고정공 이외의 부분에 있는 솔더볼을 제거시킨 후에 진공툴로 솔더볼을 흡착하여 반도체기판에 공급하도록 하는 회전틸팅식 솔더볼 공급장치에 관한 것이다.솔더볼을 보관하는 볼저장홈이 상부면에 형성되고, 중심부에 상하로 관통된 메인이동공이 형성된 볼박스와 볼박스의 메인이동공에 정밀하게 상하이동 가능하게 설치되고, 솔더볼이 안치되는 이젝트공이 형성된 볼고정판과 볼고정판의 저면부에 결합된 하부판의 양측 상부면에 고정되고 볼박스의 이동공으로 설치된 이동축으로 볼고정판을 상,하로 이동시키는 다수의 이동실린더와 볼박스의 일측면에 설치되어 볼고정판을 경사지게 틸팅하여 볼고정판의 이젝트공이외에 놓여진 솔더볼을 제거시키는 볼박스틸팅수단과 볼고정판의 이젝트공에 안치된 솔더볼을 상측으로 밀어내어 이젝트시키도록 볼고정판의 저면 공간부에 설치되는 볼이젝트수단으로 구성된다.본 기술에 따른 회전틸팅식 솔더볼 공급장치를 사용하게 되면, 솔더볼을 볼박스에 보관하여 핀이동실린더에 의하여 상승하는 볼고정판에 솔더볼을 진동시키면서 안치시키고서 틸팅실린더를 이용하여 볼박스를 경사지게 하여 핀고정공 이외의 부분에 있는 솔더볼을 제거시킨 후에 진공툴로 솔더볼을 흡착시킬 때 솔더볼이젝트수단의 이젝트핀으로 솔더볼을 상부로 밀어주므로 진공툴의 진공흡착공에 솔더볼의 흡착을 촉진하여 반도체기판에 공급되는 솔더볼의 불량을 방지하므로 솔더볼이 정확하게 공급되도록 하여 작업성 및 생산성을 향상시키도록 하는 매우 유용하고 효과적인 기술이다.
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- 한국산업기술평가원
- 등록일
- 2008-06-12
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 반도체기판 상에 솔더볼(Solder Ball)을 공급하는 장치에 관한 것으로, 특히, 솔더볼을 볼박스에 보관하여 진공가압툴을 하강시킨 후에 진공흡입공으로 이젝트공에 진공을 가하여 솔더볼을 흡착시키고, 진공가압툴을 반도체기판의 상부로 이동시켜 솔더볼에 가하여진 진공을 해제함과 더불어 이동실린더를 하강시켜 이젝트핀으로 솔더볼을 이젝트시키도록 하는 볼 그리드 어레이의 솔더볼이젝트 장치에 관한 것이다.본 기술은 볼박스에 보관된 솔더볼을 상,하로 관통된 이젝트공에 진공으로 흡착하기 위한 진공흡입공 및 공간부가 형성된 진공가압툴과 진공가압툴의 이젝트공에 삽설되어 이젝트공에 진공흡착된 솔더볼을 밀어주어 이젝트하는 다수의 이젝트핀과 이젝트핀을 일정간격으로 정렬하여 고정시키고, 상,하로 동시로 이동시키는 핀이동판과 핀이동판의 배면에 진공가압툴의 안내공에 설치된 이동축이 고정되어 핀이동판을 상,하로 동작시키는 다수의 이동실린더로 구성된다.본 기술 따른 볼 그리드 어레이의 솔더볼이젝트 장치를 사용하게 되면, 솔더볼을 볼박스에 보관하여 진공가압툴을 하강시킨 후에 진공흡입공으로 이젝트공에 진공을 가하여 솔더볼을 흡착시키고, 진공가압툴을 반도체기판의 상부로 이동시켜 솔더볼에 가하여진 진공을 해제함과 더불어 이동실린더를 하강시켜 이젝트핀으로 솔더볼을 이젝트시킴으로써 솔더볼의 공급 수율을 현저하게 향상시켜 반도체장치의 불량율을 현저하게 저하시키도록 하는 매우 유용하고 효과적인 기술이다.
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- 한국산업기술평가원
- 등록일
- 2008-06-12
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 브러시리스 D.C모터의 제어장치 논리회로에 관한 것으로 특히 단 한 개의 위치 검출센서로 가능한 2상 브러시리스 D.C모터 제어논리회로에 관한 것이다.한개의 회전자 위치검출센서로 검출한 단일 회전자 위치검출 신호입력을 90°위상차가 있는 180°주기의 2상 신호로 전환시킬 수 있는 논리 수단과 다시 2상 신호중 한상을 180°위상 반전이 가능케 하여 정.역회전을 할 수 있는 논리수단과 2상 출력을 AND게이트로 차단하는 운전정지논리수단과, 그 출력을 위치검출 센서신호의 위상과 동기하는 단안정 멀티바이브레이터로 신호입력의 상승과 하강시에 일정시간만큼 각상의 위상제어를 할 수 있는 논리수단으로 구성되어 있다.본 기술은 매우 간단하고 효과적인 논리조합 수단을 제공하고 있으며, 단일칩으로 별도의 회로나 장치없이 공지의 브릿지 구동회로를 직접 제어할 수 있어 제작비용의 절감과 생산성, 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
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- 한국산업기술평가원
- 등록일
- 2008-06-12
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전기·전자 > 기타 반도체
<기술의 개요>200mm 웨이퍼 상의 산화막 또는 웨이퍼를 플라즈마를 이용하여 식각할 수 있는 Dual Frequency CCP 타입의 산화막 식각장치로서, VHF를 이용한 저압공정으로 우수한 공정성능을 나타낸다.메모리, 비메모리, MEMS 및 Nano소자공정 등의 나노 소자급 초미세 가공이 가능하며, · 50nm이하 Memory: Ciritical Layer Oxide Etching (Damascene, Line & Space, Via Hole 등) · 60nm 이하 System IC: CIS, 구동 IC, Flash Memory · HARC, Hard Mask Etching, Hole Etching 공정대응 및 MEMS 공정대응이 가능함 · Oxide Etch, Nitride Etch, Glass Etch, Pyrex Etch, Various Dielectric Etch · MEMS, Nano 소자공정현재 양산라인 적용을 위한 다양한 공정의 데모평가가 완료된 상태이다. · 90nm급 DRAM소자의 Deep Contact 공정에서의 양산적용 평가완료 · 90nm DRAM 및 60/70nm FLASH소자에의 적용을 위한 α평가완료 · 0.13㎛급 ASIC Product Via Process 양산적용 평가완료또한, 19건의 특허 및 7건의 디자인의 지적재산권이 등록완료 된 상태이다.<기술의 특징>- 1 Cluster Tool with 2 Process Modules- Symmetric Chamber Design- Advanced Dual VHF Source- 고저항 Al2O3 Ceramic Sheet Coating ESC- Fixed Gap Electrode: - Multi Gas Flow- High Conductivity Exhaust- Low Pressure Process- High Density & High Uniformity Plasma with Stabilized Plasma Ignition- Easy Maintenance
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- (주)맥시스
- 등록일
- 2008-06-19
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전기·전자 > 기타 반도체
1. 기술의 개요 나노 입자 기반의 메모리 소자에서 정보저장 공간인 나노 입자를 상온에서 형성하여 입자의 크기 및 밀도를 제어하여 메모리 소자를 제조하였다. 정보저장 능력에 중요한 영향을 미치는 나노 입자를 다층초박막 제조 방법 (layer-by-layer assembly: LbL)을 이용하여 다층구조로 적층하여 밀도를 향상 시켰고, 블록중공합체 마이셀 (diblock copolymer micelle)을 이용하여 잘 배열된 나노 입자를 형성하고 산소 플라즈마 처리를 통하여 소자 내 고분자 물질을 완전히 제거함으로써 메모리 특성의 향상이 가능하였다. 두 방법으로 형성된 나노 입자를 이용하여 메모리 소자를 제작하고 메모리 특성을 측정한 결과, 나노 입자의 밀도가 증가함에 따라 메모리 특성이 향상 되었고, 소자 내 고분자 물질을 완전히 제거함으로써 나노입자 당 저장된 전자의 수가 크게 증가하여, 메모리 소자로서의 특성을 향상시킬 수 있었다.2. 기술의 특징 다층초박막 및 블록중공합체 마이셀 방법을 통해 형성된 금속 나노입자의 경우, 기존의 고온의 열처리 공정으로 형성된 나노입자에 비해 상온에서 정보저장 능력에 영향을 주는 나노입자의 밀도를 쉽게 증가 시킬 수 있고, 플라즈마 처리를 통해 고분자 물질의 효과적인 제거가 가능하다는 특징을 갖는다. 또한 차세대 정보저장소자에 있어 가장 중요한 요소인 자기조립 방법에 의해 잘 배열된 금속 나노입자를 형성시킬 수 있기 때문에 대용량의 소자 형성에도 큰 장점을 가지고 있다. 이와 동시에 나노 입자를 상온에서 형성하기 때문에 플라스틱 기판 기반의 소자에도 적용이 가능하여 향후 플렉서블 메모리 소자의 개발이 가능할 것이다.
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- 한국과학재단
- 등록일
- 2008-06-24
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전기·전자 > 기타 반도체
1. 기술의 개요본 기술은, 강유전체박막을 이용한 마이크로머신용 압전소자에 있어서, 강유전체막층과, 강유전체막층과 전기적으로 접촉하여 대향하는 전극층들을 포함하고, 강유전체박막에 가해준 전기장과 강유전체의 분극변위와의 관계를 나타내는 이력곡선이 원점을 기준으로 전기 쌍극자의 일극 편향성을 나타냄을 특징으로 한다. 이에 의해 에이징이 현저히 감소되고, 넓은 단일분극(unipolar) 제어범위를 갖는 강유전체 박막을 이용한 마이크로머신용 압전소자가 제공됨.2. 기술의 특징이력곡선이 전압을 나타내는 수평축 방향으로 이동됨에 따라 강유전체 내부의 분극방향이 역전되지 않고 일방향을 향하고 있는 상태에서 압전소자로서의 압전특성(전압을 증가시키면 강유전체의 변형량이 증가되는)이 일대일 대응되는 함수관계를 갖게 되어, 센서 혹은 기타 압전응용소자로서의 단일분극(unipolar) 제어범위가 넓어지게 된다. 즉, 항전기장을 동작영역에 포함시키지 않더라도 넓은 동작범위를 가질 수 있게 된다. 또한, 강유전체 박막에 비대칭성을 갖게 함으로써, 즉, 특정방향에서의 잔류분극이 다른 방향에 비해 안정되게 함으로써, '에이징'-시간 경과에 따른 분극반전에 의한 분극량의 감소 및 이에 따른 압전특성의 열화-을 감소시킬 수 있어, 소자의 동작 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있게 된다. 본 기술에 따른 강유전체 박막을 이용한 마이크로머신용 압전소자는 매우 넓은 응용범위를 갖는 바, 대표적으로는 마이크로머신용 구동소자와 감지소자로서의 응용을 들 수 있음.
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- 성균관대학교
- 등록일
- 2008-07-04
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전기·전자 > 기타 반도체
1. 기술의 개요거품기에 담긴 사이클로헥산을 포함하는 전구체를 증발시켜 기상으로 만드는 단계, 전구체를 거품기 밖으로 배출하는 단계, 거품기 밖으로 배출된 전구체를 플라스마 증착용 반응기에 유입시키는 단계, 반응기의 플라스마를 이용하여 반응기 내의 기판 위에 플라스마 중합된 전구체를 포함하는 박막을 증착하는 단계를 포함하는 저유전 플라스마 중합체 박막의 제조 방법에 관한 것이다.2. 기술의 특징백금 또는 규소 기판을 반응기의 받침대에 올려놓는다. 반응기의 외부에는 Ar 따위의 운반 기체가 담겨 있는 운반 기체 저장부와 유량 조절기, 사이클로헥산과 같은 전구체 용액이 담겨 있는 거품기가 있으며, 이들은 운송관을 통해 반응기와 연결되어 있다. 운반 기체 저장부의 운반 기체는 유량 조절기에 의하여 운송관을 따라 흐르고, 운송관을 따라 이동한 운반 기체는 거품기의 전구체 용액 속으로 유입되어 거품을 발생시키며 기상 전구체를 싣고 운송관을 통해 반응기로 들어간다. 반응기에 들어간 기상 전구체는 플라스마에 의하여 기판 위에 증착된다. 이와 같이 사이클로헥산을 전구체로 하여 증착된 PPCHex(plasma polymerized cyclohexane) 박막 위에 구리 박막을 증착한 후 열처리를 실시하면, 구리 박막의 구리가 PPCHex 박막으로 확산되지 않고 열적 안정성을 나타내며, PPCHex 박막과 구리 박막 사이에 배리어막을 둘 필요가 없으므로 금속 다층 박막을 제조하는데 있어서 공정을 간소화할 수 있다.
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2008-07-09
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전기·전자 > 기타 반도체
1. 기술의 개요본 기술은 단백질칩 기판의 제조 방법에 있어서, 플라즈마 화학기상증착법으로 활성기를 기판상에 집적시키는 것을 특징으로 하는 단백질칩 기판의 제조 방법임.2. 기술의 특징본 기술에 따른 단백질칩 기판의 제조방법은 단백질을 고정화시키는 활성기를 대면적 기판의 표면에 고밀도로 균일하게 집적시킬 수 있고, 활성기 형성 시간이 짧아 대량생산에 유리하다는 장점을 가지고 있다. 또한, 본 기술의 제조방법으로 제조된 단백질칩 기판 및 단백질칩은 단백질 고정화 능력이 우수하다는 장점을 가지고 있어, 소량의 시료만으로도 항원 등 다양한 물질의 정성 분석 또는 정량 분석을 대량으로 빠르게 수행할 수 있으며, 다양한 질환에 대한 진단 및 특정 집단의 질환 프로파일 구축 등에 이용될 수 있음.
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2008-07-09
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전기·전자 > 기타 반도체
1. 기술의 개요본 기술은 티오펜(C4H4S)을 원료로 하는 유기 고분자 박막을 플라즈마 보조 화학 기상 증착법으로 고속증착시켜 반도체 집적 소자에 적용되는 층간 배선물질에 대한 저유전상수와 낮은 누설 전류 특성을 가지는 우수한 절연물질을 개발하는 것에 관한 것임.2. 기술의 효과첫째, 값싼 원료인 액상의 티오펜(C 4 H 4 S)을 사용함으로써 경제적 이득을 누릴 수 있으며, 둘째, 플라즈마 보조 화학 기상 증착 공정을 이용하고 짧은 증착 시간에도 낮은 유전상수(k<3)와 높은 열적 안정성 및 낮은 누설전류 특성(<10 -8 A/cm 2 )을 가지는 박막을 고속(최대 110 nm/min)으로 얻을 수 있다. 그러므로 반도체 소자에 적용되는 절연 물질에 적용될 경우, 현재 실용화되고 있는 다른 재료보다도 더욱 우수한 물성을 갖는 저유전물질을 더욱 경제적으로 제조할 수 있고 공정 시간도 단축할 수 있어서 큰 경제적인 효과를 얻을 수 있음.
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2008-07-09
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전기·전자 > 기타 반도체
1. 기술의 개요상부에 성장기판이 안착되는 기판 지지대 상부에 자외선 광을 방사하는 유브이 램프(UV-LAMP)가 형성되어 방사된 자외선에 의해 기판의 박막 결정핵 형성을 조절하기 위해 자외선이 투과되어 집광되는 오목렌즈 형상의 집광부가 다수개 구비된 온도구배조절마스크 및 기판 지지대와 일정 거리를 유지하며, 유브이 램프 및 온도구배조절마스크를 고정시키고, 램프 이송 가이드부의 일측에 형성되어 이동하는 유브이램프(UV-LAMP) 이동수단을 구성되어 다면적의 결정화를 진행하는 것을 의미함.2. 기술의 특징ELA장비를 사용하지 않고, 유브이 램프를 이용하여 결정립을 얻음으로써 고속의 동작속도를 가지는 응용제품 개발과 아울러 고분자 플라스틱 기판위에 성장된 비정질 규소를 결정화 할 수 있으며, 고가의 로열티를 지불에 다한 국가경쟁력을 가질 수 있음.
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2008-07-09
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전기·전자 > 기타 반도체
1. 기술의 개요본 기술은 플라즈마 보조 화학 기상 증착법으로 티오펜(C 4 H 4 S) 및 톨루엔(C 7 H 8 )등과 같은 유기물질들을 전구체로 이용하여 높은 내식성을 가지는 유기 고분자 박막을 고속 제조하는 방법에 관한 것임.2. 기술의 특징아르곤과 수소의 혼합 기체를 공급하면서 티오펜, 톨루엔, 사이클로헥산, 메틸사이클로헥산, 에틸사이클로헥산 또는 자일렌으로 이루어진 군에서 선택되는 유기 물질을 내식성 처리를 필요로 하는 소재위에 플라즈마 보조 화학기상증착시키는 것을 특징으로 함.
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2008-07-09
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
1. 기술의 개요본 기술은 황화아연 박막의 반사방지막이 성형된 플렉시블한 PET 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.2. 기술의 특징몰의 황화아연 용액, 1몰의 암모니아 용액, 1몰의 히드라진수화물 용액과, 이온제거수 및 티오요소 용액을 혼합하여 용해.포화시킨 혼합용액에 PET 기판을 침전시켜 PET 기판의 양면에 황화아연 박막으로 이루어진 반사방지막을 증착시키고, 이로 인해 성형된 반사방지막이 성형된 플렉시블한 PET 기판을 특징으로 하여, 플렉시블한 PET 기판의 양면에 반사방지막을 간편하게 성형할 수 있고, 저가로서 경제적이며, 큰 면적에서도 박막을 용이하면서도 균일하게 성형하여 재현성을 향상시킨다.
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2008-07-09
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 중성빔을 이용한 반도체 식각장치에 관한 것으로, 중성빔 식각장치에 있어서, 일정 각도로 경사진 반사면이 다수로 형성되어 이루어진 슬릿부가 내측에 일체로 성형된 반사체를 포함하여 이루어진 것으로, 종래보다 크기가 소형화되고 구조가 간결하게 됨으로써 제조가 간편하고, 또한 중성빔의 방향 제어가 용이하다.본 기술에 따른 중성빔을 이용한 반도체 소자의 식각장치는 일정 각도로 경사진 반사면이 다수로 형성되어 이루어진 슬릿부가 내측에 일체로 성형된 반사체가 구비됨으로써 크기가 소형화되고 구조가 간결하게 됨으로써 제조가 간편하고 중성빔의 방향 제어가 용이하게 식각율이 증대되는 장점이 제공된다.
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2008-07-09
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
1. 기술의 개요본 기술은 광통신, 광학측정, 광센서, 광신호처리 등에 요구되는 편광도가 높은 반도체 레이저 장치에 관한 것이다.2. 기술의 특징기판 상에 형성된 광도파로와, 광도파로의 입력 단에 설치된 고정된 반도체 레이저와, 반도체 레이저의 출력 단의 광도파로 상에 집적된 격자형 편광수단을 포함하여 이루어짐으로써, 레이저 빔이 광도파로에 입력되어 도파하다가 편광수단을 지나면서 특정한 방향으로 편광되도록 한다.
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2008-07-11
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