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일반기술 전기·전자 > 기타 전기/전자

수직형 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법

<기술의 개요>본 기술은 금속이 충진된 비아홀을 포함하는 세라믹 기판을 질화물 반도체소자의 상부에 적층하여 상기 세라믹 기판과 반도체 소자의 열 팽창 계수를 최소화하여 소자의 신뢰성이 향상된 수직형 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법에 관한 것이다.수직형 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 사파이어 기판 및 반도체층을 포함하는 발광 다이오드 상부에 시드 금속층 및 도전성 접착층으로 형성된 본딩 금속층을 매개로 내부에 금속이 충진된 비아홀을 포함하는 세라믹 기판을 접합한 후, 사파이어 기판을 제거하고, 상기 발광 다이오드가 역메사 또는 메사 구조를 형성하도록 식각하여 개별 발광 소자를 구현할 수 있다.발광 다이오드 상부에 외부적으로 전기적 소통이 가능한 금속이 충진된 비아홀을 포함한 세라믹 기판을 장착함에 따라 반도체층과 세라믹 기판 사이의 열팽창 계수가 최소화하여 발광 소자의 깨짐 현상이 최소화하고, 가격대비 열전도율을 향상시켜 신뢰성이 향상된 발광 다이오드를 제조한다.<기술의 특징>충진 금속으로 채워진 비아홀이 형성된 세라믹 기판을 반도체층의 상부에 적층하고 낮은 열전도성을 갖는 사파이어 기판을 제거함으로서 가격대비 우수한 열전도율을 나타내는 효과가 있다.세라믹 기판 내에 비아홀을 금속으로 충진하여 외부와 전기적 소통이 가능하도록 구현함에 따라, 반도체층과 세라믹 기판 사이의 열팽창 계수를 최소화 하여 발광소자의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.세라믹 기판을 사용하여 대면적으로 생산할 수 있으며, 반도체층 하부에 트렌치 형성 공정을 통해 간단하게 발광 소자를 개별적으로 분리함에 따라 저렴한 비용으로 발광 소자를 제조함과 동시에 다양한 발광 소자의 응용이 가능한 효과가 있다.<적용분야>현재는 교통신호등, 비상구표시등, 각종표시기, LED 디스플레이, 자동차용 프런트판넬, 스톱램프, 방향시기램프, 소형 액정 백라이트 등에서 응용되고 있지만 수직형 LED chip의 경우는 신뢰성이 우수하여 일반조명뿐 아니라 가로등, 자동차용 헤드램프, 대형액정 디스플레이의 백라이트, 카메라용 플래시, 프로젝션용 광원 등에 범용적으로 사용될 수 있음.

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한국광기술원
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2008-11-12
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질화물 반도체 박막의 성장방법

<기술의 개요>본 기술은 사파이어(sapphire, Al2O3) 기판 상에 질화갈륨(GaN) 에피층을 성장함에 있어서 기판과의 격자 불일치에서 오는 결함을 감소시켜 고품질의 에피층을 성장하는 방법으로써, 기판 표면에 이온 주입 처리를 통해 질화물의 성장 시 에피층의 품질을 향상시키는 방법에 관한 것이다.화합물 반도체 특히 질화물 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 내부에 질화물 반도체 박막을 성장하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 표면 패터닝된 사파이어 기판에 기판의 물성을 변화시키는 가스의 이온을 주입하는 단계와, 그러한 물성이 변화된 기판 위에 적어도 하나 이상의 질화물 반도체층을 형성하고 그 위에 전극을 형성하는 단계를 포함한다.<기술의 특징>사파이어 기판 표면에 패터닝 작업을 하고, 형성된 패턴 모양의 기판에 질소 등의 이온 주입 공정에 의해 표면의 성질을 변화시킨 후 질화물 반도체 박막을 성장시킬 수 있어 박막의 구조적 결정성과 광학적 특성을 향상시킬 수 있다.패터닝된 기판 표면에 질소 또는 불활성 가스 이온을 주입하여 기판 표면 상태를 물리, 화학적으로 변화시킨 후, 질화물계 박막을 성장시키는 방법을 제공하여 기판과 질화물계 반도체층의 격자부정합으로 인한 결함을 개선하여 질화물계 반도체 박막의 구조적 결정성과 광학적 특성을 향상시키는 효과가 있다.간편한 공정을 통해 기판과 질화물계 박막의 결함을 감소하여 고품위 질화물계 반도체 박막을 성장시켜 질화물 반도체 소자의 품질 특성을 개선하고 제조단가의 면에서 경제적인 효과를 얻을 수 있다.

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한국광기술원
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2008-11-12
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일반기술 전기·전자 > 기타 전기/전자

실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장방법

<기술의 개요>본 기술은 무분극 질화갈륨(GaN) 면을 가진 광소자를 제작할 경우에 가격이 싼 실리콘 기판을 사용하여 제작 단가를 낮출 수 있는 실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장 방법에 관한 것이다.사파이어 기판 대신에 가격이 싼 실리콘 기판을 이용하여 무분극 질화갈륨(GaN)을 얻을 수 있기 때문에, 무분극 질화갈륨을 사용하여 광소자를 제작할 때, 제작 단가를 절감할 수 있다.실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장 방법에 관한 것으로 실리콘 기판의 (1 -1 0)면 위에 산화막층 및 포토레지스트층을 순차적으로 적층하는 단계를 포함하고, 포토레지스트층을 패터닝하여 트렌치를 형성하는 단계를 포함하며, 트렌치의 측면에 질화갈륨(GaN)을 성장하는 단계를 포함한다.<기술의 특징>고가의 사파이어 기판 대신에 가격이 싸고 공정이 잘 알려진 실리콘 기판을 사용함에 따라 원가가 절감되는 효과가 있다.실리콘 기판을 사용하여 광소자를 제작하는 공정에서 상기 실리콘 기판은 대면적 기판이 상용화되어 있어서 대면적 기판에 의한 생산량이 증가하는 효과가 있다. 무분극 에피의 특성상 내부 양자효율을 획기적으로 높일 수 있기 때문에 질화갈륨 기반의 광소자(LED, LD 등)의 성능이 향상되는 효과가 있다.

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한국광기술원
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2008-11-12
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일반기술 전기·전자 > 기타 전기/전자

발광 소자 및 그의 제조 방법

<기술의 개요>본 기술은 투명 전극층을 패터닝하여 다양한 패턴을 갖는 홀을 형성하고, 홀의 내부 및 투명 전극층의 상부에 반사막을 구비하여 열 방출 효율 및 출사 효율을 향상시킨 발광 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.발광 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, n형 또는 p형으로 도핑 된 반도체층의 상부에 투명 전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 투명 전극층을 패터닝하여 하나 이상의 홀을 형성하는 단계를 포함하며, 홀의 내부 및 투명 전극층의 상부에 반사층을 형성하는 단계를 포함한다.다수의 패턴으로 형성된 투명 전극층의 홀을 반사막으로 충진하고 투명 전극층의 상부에 반사막을 형성함에 따라, 발광 소자에서 발생한 빛의 반사율을 높이며 반사막의 접착력을 향상시켜 열 방출 효율 및 출사 효율이 개선된 발광 소자를 구현할 수 있다.<기술의 특징>다양한 패턴의 홀 구조를 가지는 투명전극의 상부 및 홀 내부에 반사막을 형성함에 따라 접착력 및 반사율을 향상시키는 효과가 있다.열방출 효율 및 출사 효율을 향상되어 성능이 개선된 LED(light emitting diode) 및 LD(Laser Diode)로 작용할 수 있는 효과가 있다.

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2008-11-12
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수직형 발광 소자 및 그의 제조방법

본 기술은 리셉터 웨이퍼에 칩 본딩 방식을 사용하여 웨이퍼 본딩 시 발생하는 웨이퍼 휨 현상을 방지하고, 웨이퍼 공정 시 저온에서 본딩 가능한 금속을 사용하여 열적 손상을 방지하여 열적 안정성 및 출사 효율을 향상시킨 수직형 발광 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.리셉터 웨이퍼에 칩 구조의 에피 웨이퍼를 본딩하는 방법을 사용하여 웨이퍼 본딩 과정에서 발생하는 휘어짐 현상을 방지하여 발광 소자의 열적 안정성 및 출사 효율을 향상시킨다.리셉터 웨이퍼와 칩 본딩 방법을 사용하여 웨이퍼 본딩 시 발생하는 웨이퍼의 휨 현상을 방지하여 제조 공정 수율을 향상시키는 효과가 있다.본딩 시 사용되는 물질이 낮은 온도에서 본딩 가능한 AuSn 또는 AgSn 금속이나, Ag 또는 Al이 함유된 전도성 에폭시를 사용함으로써 열적 안정성 및 출사 효율을 향상시는 효과가 있다.

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2008-11-12
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패드 재배열을 이용한 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조방법

<기술의 개요>본 기술은 발광 다이오드 제작시 n컨택을 위하여 진행되었던 메사 식각 면적을 줄이고, 전류 확산을 위하여 제한이 되었던 p컨택을 자유롭게 하여줌으로써 발광 다이오드의 휘도, 전기적 특성 및 열적 특성을 향상시키는 패드 재배열을 이용한 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조방법을 제공하는 데에 목적이 있다.본 기술은 패드 재배열을 이용한 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 기판에 적층 된 제 1, 2반도체층에 메사 식각이 실행되는 제 1단계를 포함하고, 메사 식각이 이루어진 상부면 및 측면에 반사층(Reflectot)이 형성되는 제 2단계를 포함하며, 제 1반도체층에 하나 이상의 제 1전극이 컨택(contact)되고, 반사층의 상부에 하나 이상의 제 2전극이 컨택(contact)되는 제 3단계를 포함한다. 그리고, 컨택 된 제 1, 2전극을 제외한 부분에 제 1보호층(Passivation)이 형성되는 제 4단계를 포함하며, 하나 이상의 제 1전극이 제 1전극 라인을 통해 하나의 제 1본딩 패드로 연결되고, 하나 이상의 제 2전극이 제 2전극 라인을 통해 제 2본딩 패드로 연결되는 5단계를 포함한다. <기술의 특징>제 1전극과 제 2전극이 동일면에 형성되어 메사 식각되어진 면에 형성되는 패드에 추가로 본딩 패드를 형성할 필요가 없기 때문에 패드 숫자가 줄어들어 패드에 의한 광 흡수를 방지하여 광출력을 향상시키는 효과가 있다.반사층과 본딩 패드간의 직접적인 컨택이 없으므로 반사층의 손실을 감소시키는 효과가 있다.사파이어 기판을 떼어내는 공정이 추가될 경우에 수직형 칩에서 발생되던 오믹 문제를 해결함과 동시에 수직형 칩과 비슷한 성능을 얻을 수 있는 효과가 있다.

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2008-11-12
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일반기술 전기·전자 > 기타 전기/전자

수직형 발광 다이오드 및 그의 제조방법

<기술의 개요>본 기술은 수직형 발광 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 반도체층이 적층된 발광다이오드 상부에 본딩 금속층을 매개로 접합되고, 내부에 금속으로 충진되어 발광다이오드를 외부와 전기적으로 소통시키는 비아홀을 구비한 세라믹 기판을 포함한다. 이러한 발광 다이오드를 제조하는 방법으로서, 기판 위에 개별소자로 형성된 발광다이오드 상부에 금속으로 충진된 비아홀을 구비한 세라믹 기판을 접합하는 단계와, 상기 기판을 제거하고 세라믹 기판이 접합된 발광다이오드 개별소자를 분리하는 단계를 포함한다.<기술의 특징>발광 다이오드 상부에 도전성 기판 대신 비아홀을 구비한 세라믹 기판을 장착함으로써 가격대비 열전도율이 매우 우수하고, 질화갈륨 반도체층과 세라믹 기판 사이의 열팽창 계수를 최소화함으로써 소자의 신뢰성이 향상된 발광 다이오드를 얻을 수 있는 효과가 있다.낮은 열전도성을 갖는 사파이어 기판을 제거하고 충진 금속으로 채워진 비아홀이 형성된 세라믹 기판을 장착함으로써 가격대비 열전도율에 있어서 가장 우수한 특성을 가지면서도 발광 소자의 반도체층과 세라믹 기판 사이의 열팽창 계수를 최소화할 수 있어 수직형 발광 다이오드 소자의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다. 세라믹 기판의 경우 대면적으로도 생산 가능하고 트렌치 형성공정을 통하여 간단하게 개별 소자로 분리할 수 있으므로 다양한 발광 소자로의 응용이 가능하고, 향후 열전도 특성과 신뢰성이 향상된 고품질의 발광 다이오드를 생산함에 있어 생산 비용 단가를 낮출 수 있는 장점이 있다.<적용분야>현재는 교통신호등, 비상구표시등, 각종표시기, LED 디스플레이, 자동차용 프런트판넬, 스톱램프, 방향시기램프, 소형 액정 백라이트 등에서 응용되고 있지만 수직형 LED chip의 경우는 신뢰성이 우수하여 일반조명뿐 아니라 가로등, 자동차용 헤드램프, 대형액정 디스플레이의 백라이트, 카메라용 플래시, 프로젝션용 광원 등에 범용적으로 사용될 수 있음.

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2008-11-12
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칩스케일 패키징 발광소자 및 그의 제조방법

본 기술은 칩스케일로 패키징된 발광소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 기판 위에 n형 및 p형 반도체층을 포함하는 발광소자에 있어서 특히, 반도체층 상에 구비된 제 1 전극과, 제 1 보호막층을 사이에 두고 상기 제 1 전극에 전기적으로 연결된 제 2 전극을 포함하는 발광소자와 이들의 제조방법에 관한 것이다.발광소자의 제조과정에서 와이어 본딩과 다이 본딩과정의 생략으로 공정의 단순화 및 제조비용을 절감할 수 있으며 패키지의 두께를 줄일 수 있는 효과가 있어 발광 효율을 극대화할 수 있다. 이렇게 형성된 반도체 발광소자는 다른 패키지 및 인쇄회로기판에 곧바로 실장할 수 있는 장점이 있다.웨이퍼 상에 직접 칩 제작공정과 패키징 공정을 함께 수행함으로써 와이어 본딩과 다이 본딩 등의 과정을 생략할 수 있어 발광소자의 제조단가를 절감하고 생산성 부분에서 현저하게 향상된 효과를 얻을 수 있다.레이저 리프트 오프 공정 등을 이용하여 제조함으로써, 결합 수직형 발광 소자 및 횡방향(lateral)성장된 발광소자의 장점이 결합된 얇은 두께의 유연한 구조를 갖는 발광소자를 제공할 수 있는 효과가 있다.최소형의 패키징으로 백라이트 유닛이나 밀집 조명과 같은 설비에 이용될 수 있으며, 웨이퍼 레벨 상에서 유리나 형광체막 등을 추가로 더 형성하는 공정을 통하여 다양한 부분에 편리하고 간단한 공정으로 생산되는 발광소자를 얻을 수 있고 그에 따라 생산성과 수율이 향상되는 경제적 부가가치 창출의 효과가 있다.

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2008-11-12
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고내정전압을 갖는 발광다이오드 및 그의 제조방법

본 기술은 고내정전압을 가지는 발광다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로서 제1 반도체층의 상면과 제2 반도체층 상면에 걸쳐서 구비되는 제1 전극층, 제1 전극층과 이격되어 제2 반도체층의 상면에 형성되는 투명전극층 및 투명전극층의 상면에 구비되는 제2 전극층을 포함하는 발광다이오드와 이들을 순차적으로 형성하는 발광다이오드의 제조방법을 제공한다전극의 형상을 통상적인 전극과 달리 배치하는 구조를 채택하여 정전기(electrostatic discharge)에 대한 내성이 있고, 전기적 충격에 강한 고신뢰성의 발광다이오드 소자를 제공할 수 있다.정전기에 강한 고내정전압을 가지고 고전압 하에서도 동작특성에 신뢰성이 우수한 발광다이오드를 제공한다.이들 발광다이오드가 포함된 전자제품 등의 내정전압 특성이 개선되어 고품질과 고성능의 전자제품 등을 공급할 수 있는 효과가 있다.이들 발광다이오드의 제조방법은 통상적인 제조방법과 다르지 않으면서 단지 전극층의 배치형태만을 변경하는 것이므로 간단한 공정을 통하여 내정전압 특성이 향상된 발광다이오드를 제공하는 경제적인 부가가치의 향상 효과를 기대할 수 있다.

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2008-11-12
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다중 활성층을 갖는 반도체 발광소자 및 그의 제조방법

본 기술은 발광효율을 증가하기 위한 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 있어서, 기판 상에 적층되고, 적어도 복수 개의 활성층을 구비하는 발광층을 포함하는 반도체 발광소자로서, 각 반도체층을 통과하여 전류가 흐를 수 있도록 하는 금속전극층을 포함한다.본 기술은 반도체 발광소자에서 빛을 생성시키는 활성층의 면적을 크게 하기 위한 다중의 활성층과, 전류 주입과 흐름을 원활하게 하여 광추출효율을 향상시키는 금속전극층 및 절연막의 구조를 포함하는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.새로운 기술을 요하지 않는 기존의 에피택시 공정에 간단한 추가 공정으로서 반도체 발광소자의 빛을 생성시키는 활성층의 면적을 2배 이상 넓혀주어, 주입 전류에 따른 빠른 출력광의 포화를 막을 수 있고, 대면적 고출력 발광 소자를 기판상의 작은 면적으로 실현할 수 있기 때문에 수율 측면에서 유용한 효과를 얻을 수 있다.발광소자에서 광을 생성하는 활성층의 면적을 배수적으로 확대하는 구조를 제공함으로서, 작은 기판의 면적으로 고출력의 발광소자를 얻는 효과가 있다.간단한 추가공정과 적층구조의 개선으로서, 발광소자에서 반도체층의 정공확산을 용이하게 하고 높은 전류 주입에 따른 칩의 성능 저하를 줄이면서 활성층의 전 영역에 걸쳐 광을 획득할 수 있는 경제적인 부가가치를 창출하는 효과가 있다.구조적인 개선으로 인하여 높은 전류 주입으로도 칩의 성능이 저하되지 않기 때문에 전류의 주입량을 조절함으로써 활성층의 발광 파장을 다양하게 조절하여 다양한 파장영역의 발광소자를 제공하는 효과가 있다.

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2008-11-12
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반사막 전극, 이를 구비하는 화합물 반도체 발광소자 및 그의 제조방법

본 기술은 반사막 전극, 반사막 전극이 구비된 화합물 반도체 발광소자 및 이에 대한 제조방법에 관한 것으로서, 화합물 반도체 발광소자의 p형 화합물 반도체층 상에 산화물 전극을 오믹 접촉하여 형성하고 산화물 전극에 홀을 형성하여 광을 반사하는 금속 반사막을 홀 내부에 충진한 후, 그 위에 금속 반사막을 추가로 더 형성하여 광을 효율적으로 반사하는 것을 말한다 투명 산화물 전극에 n형 다 성분계 투명 산화물 전극과 p형 산화물 투명전극을 사용하고 금속 반사막 전극을 형성함에 의하여 발광한 빛의 반사율을 높일 수 있으며 열 방출 효율 및 출사 효율을 아울러 개선시킬 수 있어 고성능의 반도체 발광소자를 제공할 수 있다.반도체층 상에 산화물 전극과 반사막 전극이 함께 오믹접촉되고 그 위에 다시 반사막 전극을 구비함으로써 발광한 빛의 반사율을 더욱 높일 수 있고 열 방출 효율 및 출사 효율이 향상되는 효과가 있다.화합물 반도체 발광소자의 제조 공정에서 산화물 전극에 홈을 형성하고 금속 반사막 전극을 충진하는 간단한 공정을 추가함으로써 고반사율과 낮은 접촉저항을 갖는 고효율 및 고신뢰도의 반도체 발광소자를 제조할 수 있고 경제적 측면에서 잇점이 있다.

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한국광기술원
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2008-11-12
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일반기술 전기·전자 > 기타 전기/전자

16Bit PWM이 가능한 LED Display System

본 기술은, - 실내용 및 준옥외용에 사용가능한 Full Color Display Module의 개발로 면발광원을 LED로 대체할 수 있는 시장의 선도적인 역할 수행- LED를 이용한 Display Module은 휘도 면에서 CRT나 LCD, PDP보다 월등한 밝기를 나타내며 각종 환경문제를 유발할 물질을 사용하지 않고 고수명과 크기에 제한을 받지 않음.- 이러한 장점을 가지고 사용처가 다양화 될 수 있는 Display Module의 발광 Panel의 역할을 할 수 있는 Full color Display Module의 개발- 현재 외국 회사에서는 회사, 호텔, 광고용으로 실내용 Full Color Display Module개발, 판매 중◎ 실내 LED 면발광용 Full Color Display Module 제어회로 개발▶ ≤6mm Pitch 이하의 Resolution을 갖는 LED Module 개발- 96 x 96 Size의 Module에 LED를 16x16의 Matrix 형태로 배열하여 회로를 설계▶ 1,200nit의 휘도가 가능한 구동제어회로 개발- Data가 Full로 On 되었을 때 휘도가 ≥1,200nit 되도록 개발▶ 16.7M Color Resolution을 표출하는 구동제어회로 개발▶ PWM이 가능한 Display Module의 제어회로 개발▶ 제어신호 분실 시 LED가 구동되지 않는 구동제어회로 개발<시장동향>◎LED 디스플레이 시장은 세계적으로 약 3조원 정도원 추산, 주로 경기장용 ◎대형 LCD BLU용 LED는 '06년 1,500억원, '10년 1.1조원의 대규모 시장(성장속도 년 23%)을 형성할 예상되며, LED의 저가격화가 진행되면 파급효과가 클것으로 예상됨 ◎프로젝터 디스플레이 세계시장 규모는 2004년 337만대(71억 $), 연평균 30.8% 성장률, 2010년 약 920만대(320억 $)로 증가, 광원 측면으로는 시장 크기가 상대적으로 낮음

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한국광기술원
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2008-11-12
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발광다이오드 조명 모듈

본 기술은 발광다이오드 어레이용 인쇄회로기판을 이용하여 발광다이오드로부터 발생되는 열을 효과적으로 방출하고 전기적으로 연결 배치할 수 있는 발광다이오드 조명 모듈에 관한 것이다.발광다이오드 조명 모듈은 열을 방출하는 방열판, 방열판 상부에 적층된 인쇄회로기판 및 전극부와 방열부를 독립적으로 구비하는 적어도 하나 이상의 빛을 발산하는 발광다이오드를 포함하고, 적어도 하나 이상의 발광다이오드의 전극부는 인쇄회로기판에, 적어도 하나 이상의 발광다이오드의 방열부는 상기 방열판에 각각 독립적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.범용 인쇄회로기판을 사용하여 발광다이오드에 발생되는 열을 방열판에 직접 접합함으로써 효과적으로 열을 방출하고 발광다이오드 어레이의 전기적 연결 배치가 가능하며, 방열판의 아래에 절연층과 발광다이오드 어레이를 효율적으로 구동제어하기 위한 발광다이오드 구동회로부를 배치하여 발광다이오드 조명 모듈을 구성하는 것이 가능하다.발광다이오드와 범용 인쇄회로기판을 사용한 발광다이오드 조명 모듈은 기존 조명 모듈보다 가격이 매우 저렴하고 작업 공정의 단순화되며 발광다이오드 어레이를 금속 케이스나 벽면, 책상, 바닥, 유리창 등의 건축물이나 건출자재, 가구 등에 접합하여 사용할 수 있으므로 다양한 목적의 발광다이오드 조명 모듈의 구현이 가능하다.

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2008-11-12
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탈부착이 가능한 발광다이오드 패키지 및 그 방열기판

본 기술은 평판 표시장치의 패널 전면으로 빛을 조사하기 위한 백라이트 유닛(LED)용 탈 부착이 가능한 발광 다이오드 패키지이다. 탈부착이 가능한 발광다이오드 패키지는 빛을 발산하는 발광 다이오드, 발광 다이오드를 안착시키기 위한 공간이 형성된 다이오드 실장부, 다이오드 실장부 하부에 형성되고 소정의 외부회로 기판에 삽입이 가능한 핀, 발광 다이오드와 외부 소정의 회로와의 전기적 연결을 위한 전극배선, 전극배선과 소정의 외부회로와 연결을 위한 비아홀, 비아홀의 타측에 연결되어 소정의 외부 회로와 전기적인 접촉을 형성하는 전극패드를 포함한다. 여러 개의 발광 다이오드 패키지를 연결시 솔더링 없이 발광 다이오드 패키지를 회전시켜서 결합함으로써 열 방출 효과가 높으면서, 방열판 배면에 다른 부품에 대한 조립의 제한을 두지 않는다.여러 개의 발광 다이오드 패키지를 연결시 솔더링 없이 발광 다이오드 패키지를 회전시켜서 결합함으로써 열 방출 효과가 높으면서, 방열판 배면에 다른 부품에 대한 조립의 제한을 두지 않는다.결합이 용이하여 제조 공정에서 작업성이 뛰어나며, 불량 발생시 재작업이 용이하고, 배선 기판 및 발광 다이오드와 와이어 본딩 되는 리드에 대한 솔러링 회수에 제한을 받지 않는다.표면실장형 소자(SMD, Surface Mount Device)와 같은 솔더링과 열접착제(Thermal Paste)에 의한 방열판과 배열(Array)로 결합되는 기존 구조의 광학적 불균일도를 제거 할 수 있다.

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2008-11-12
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2 이상의 물질을 포함하는 봉지층을 구비한 광 확산 발광 다이오드

본 기술은 광 확산 발광 다이오드에 관한 것으로써, 특히 단색으로부터 백색에 이르기까지 발광되는 광을 넓게 퍼지게 함으로서 발산각이 넓은 발광장치(R, G, B 광혼합이 잘된 LCD BLU등) 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 기술의 봉지층을 포함하는 발광다이오드는 봉지층에 굴절율이 다른 2 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다. 광을 확산시키는 마이크로 스피어가 형성된 발광다이오드용 봉지물질을 극성 또는 굴절률이 다른 두 가지 이상의 물질을 혼합함으로서 쉽게 제조할 수 있는 것과 발광다이오드 다이가 컵의 바닥면에 본딩되고, 상기 발광다이오드의 주위와 상부에 마이크로 스피어 입자가 형성된 봉지 물질을 도포하여 발광다이오드 전체에 균일하게 패키징함으로서 광을 균일하게 산란 또는 굴절시켜 LED의 발산각을 크고 균일하게 하며, 추가적으로 상기 봉지 물질과 밀도가 비슷한 마이크로 스피어 입가가 존재함으로서 기존의 무기 입자를 분산시켰을 경우에서 보여지는 입자의 침전 문제 등을 해결 할 수 있다. 기대효과로는 LCD 백라이트 유닛(BLU) 광원물질로 사용되는 Light Emitting Diode의 봉지물질을 사용함으로서 적색, 녹색, 청색의 빛을 효율적으로 확산, 혼합할 수 있어 LCD BLU의 성능 개선 및 두께를 줄 일 수 있다.

보유기관
한국광기술원
등록일
2008-11-12
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P타입 반도체 박막과 n-타입 산화아연계 나노막대의 이종접합 구조체, 이의 제법 및 이를 이용한 소자

본 기술은 P타입 반도체 박막과 n-타입 산화아연계 나노막대의 이종접합 구조체, 이의 제법 및 이를 이용한 소자에 관한 것이다.본 기술은 p-타입 반도체 박막과 n-타입 산화아연(ZnO)계 나노막대의 p-n 이종접합 구조체, 이의 제법 및 이를 이용한 소자에 관한 것으로, p-타입 반도체 박막 위에 n-타입 산화아연계 나노막대를 유기금속 화학증착법(Metal Organic Chemical Deposition, MOCVD)에 의해 수직 방향으로 성장시켜 제조된 p-n 이종접합 구조체는 발광 다이오드와 같은 반도체 발광소자, 트랜지스터, 광 검출 소자, 감지 소자 등과 같은 나노 소자 및 이들의 어레이(Array)를 구현할 수 있다.p-타입 반도체 박막 위에 n-타입 산화아연(ZnO)계 나노막대가 수직방향으로 성장되고 상기 박막상에 성장된 ZnO계 나노막대들 사이의 팁 부분을 제외한 빈 공간이 절연물질로 채워져 있는 p-타입 반도체와 n-타입 산화아연계 나노막대의 p-n 이종접합 구조체를 포함하는 나노소자이다.

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포항공과대학교
등록일
2008-11-12
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디지털 마이크로미러 디스플레이 소자

본 기술은 다수의 미세거울을 이용하여 화상을 표시하는 장치에 관한 것이다.- 디지털 마이크로미러 디바이스(DMD)는 미국의 텍사스 인스투르먼트(Texas Instrument, TI)사에서 개발하여 현재 DLP(Digital Light Processing)라는 이름으로 프로젝션 티비, 프로젝터 등에 널리 사용되고 있다.- 프로젝터의 경우 마이크로미러를 이용하는 DLP방식과 LCD에 빛을 투과시켜 화상을 표시하는 LCD방식으로 구분되는데 DLP방식은 빛을 효율적으로 사용하므로 더 밝은 영상을 표시할 수 있으며 반응속도가 빠르다는 장점이 있다.- 그러나, 텍사스 인스투르먼트사의 DLP칩은 수율이 매우 낮아 가격이 비싸며 구조상 작동 수명이 매우 짧다는 문제점이 있다. 또한, 텍사스 인스투르먼트사가 기술을 독점하고 있는 상태이다.- 본 기술은 새로운 DLP칩 개발로 대응 원천기술을 확보하고 이익을 창출하기 위하여 개발된 것으로, 엇물린 외팔보 구조를 이용하여 마이크로미러를 구동시키므로 작동 수명이 길고 수율이 높다는 장점이 있다.- 또한, 미러면적이 넓어 빛의 반사 효율이 높으므로 더욱 밝은 화상을 구현할 수 있다.

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한국과학기술원
등록일
2008-11-12
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투명 Field Emission Display의 Emission Tip Array를 위한 투명기판 위 수직정렬된 고종횡비 탄소 Nano Tip의 적용

- 투명 기판 위에 고종횡비 탄소 Nano Tip으로 구성된 전계방출 Tip을 수직정렬하여 하나의 화소에 하나의 전자방출원을 갖는 Emission Tip Array- 고정횡비의 탄소 Nano Tip 수직정렬을 통해 Emission Tip Array를 구성하면서 기존 LCD, PDP보다 더 얇고 flexible 하며 투명한 기판위에 배열가능- CRT의 우수한 화질 특성과 PDP의 평판 특성을 동시에 가지는 Flat Panel Display로 저가격, 고품질이 가능한 차세대 기술로 평가받고 있음- Glass 기판위에 탄소 Nano Tip을 정렬시켜 화소를 지닌 전자를 방출하는 tip의 구성 기술로 투명 Glass를 내구성이 강한 Polymer glass 재질로 제작하여 연성력이 좋은 display 제품 개발이 가능함

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한국과학기술원
등록일
2008-11-12
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하이브리드 백색 OLED 기술

OLED(Organic light emitting diode)는 자발광 소자로서 차세대 디스플레이로 주목받고 있다. OLED 소자 구조는 양극(anode)과 음극(cathode)사이에 발광특성을 내는 유기물을 증착하여 인가하는 전류에 따라 발광특성을 얻는 것을 특징으로 하는 소자이다. 백색 OLED와 컬러필터의 조합을 이용한 OLED 디스플레이의 제조는 대면적과 고해상도의 디스플레이 제조에 있어서 많은 장점을 가지고 있으며, 101 cm급의 대면적 디스플레이와 1.5 cm급의 마이크로 디스플레이가 시현된 바가 있다. 이러한 기술에 있어서 핵심 기술은 고효율 삼파장 백색 OLED가 된다. 즉, 색재현율이 높고 전력소비가 낮은 디스플레이의 구현을 위해서는 고효율 삼파장 백색 OLED가 필요한 것이다. 이에 따라, 본 기술에서는 고효율 삼파장 백색 OLED의 소자 구조와 제조 방법에 대한기술을 제공하고자 한다. <기술의 특징>본 기술에서는 고효율과 삼파장 발광을 얻기 위하여 형광과 인광 발광재료를 동시에 사용하는 하이브리드 백색 OLED 소자 구조와 제조 방법 기술을 제공한다. <시장전망>- OLED 시장은 2002년부터 본격적인 시장이 형성되어 연간 40%이상의 성장을 해오고 있다. 하지만, 지금까지는 2”이하의 소형 OLED가 시장에 출하되었으며, PM-OLED 가 주를 이루고 있다. - AM-OLED는 2005년부터 시장이 형성되었으나, 2007년부터 삼성SDI에서 국내에서는 처음으로 생산 판매하고 있으며, 2009년부터 본격적으로 시장이 형성될 것으로 예측된다.

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한국전자통신연구원
등록일
2008-11-12
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백색 유기발광소자 제작

유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diodes)는 유기 재료에 전계를 가하여 전기 에너지를 빛으로 바꾸어주는 소자로서, 자체발광, 고속응답, 광시야각, 초박형, 고화질, 내구성 및 넓은 온도범위 등 디스플레이로서 필요한 모든 요소를 갖추고 있어 이상적인 디스플레이로 각광받고 있다. 유기 발광 소자는 청색, 적색 및 녹색 등의 디스플레이 구현을 위한 기술 위주로 발전되어 왔으나, 현재에는 백색 유기 발광 소자(White Organic Light Emitting Diodes)의 다양한 가능성으로 인하여 백색 유기 발광 소자에 대해서도 꾸준히 연구개발이 진행되어 최근에는 50~100lm/W의 백색 유기 발광 소자를 발표하여 무기발광다이오드(Light-Emitting Diode : LED)와 더불어 조명으로 사용될 수 있는 가능성이 부각되고 있다. 특히, 넓은 면에서 발광하는 특성을 가지고 있어 점에서 발광하는 LED조명에 비해 열발생이 적어 별도의 방열시스템이 필요 없다. 또한 LED면조명에서 필요로 하는 확산판이 필요가 없어 효율손실이 적다는 장점을 지니고 있다. 더욱이 면조명 구현시 LED 면조명보다 전력소모가 더 적다는 연구결과도 나오고 있다. 백색 유기 발광 소자는 크게 하나의 발광층에서 백색을 구현할 수 있는 단층발광 방식, 여러 층에서 발광이 일어나며 각 색의 조합에 의해 백색을 구현하는 다층 발광 방식, 청색을 이용하고 청색 빛이 형광체를 조사하여 백색으로 변화되는 색변환 방식, 파장을 변화시키는 마이크로캐비티(Microcavity) 방식 및 각각의 녹색, 적색 및 청색의 유기 발광 소자를 수직으로 적층시키는 적층 방식 등으로 구현할 수 있다. 백색 유기 발광 소자는 높은 휘도, 효율, 구동 전압(Driving voltage)에 대한 컬러의 안정성 그리고 국제조명위원회(CIE)의 표준 색도(Chromaticity) 좌표상의 근접한 백색 포인트(x=0.33, y=0.33)에 준한 등가 에너지가 요구되어지나 상기에서 상술한 방식들은 각각 장단점이 있어 이를 모두 충족하지는 못한다는 단점이 있다. 본 기술은 듀얼 부분 염료 도핑에 기초한 새로운 형광 백색 유기 발광 소자에 관한 것으로 게스트 도펀트가 부분적으로 두 개의 다른 호스트 물질에 도핑되어 CIE 좌표를 등가에너지 백색 포인트로 조정할 뿐만 아니라 효율도 증가시킨 백색 유기 발광 소자에 관한 것이다.

보유기관
한국생산기술연구원
등록일
2008-11-13
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