고속 수신기의 용량성 오프셋 조정
4Gb/s 수신기는 고입력 오프셋 전압을 유도하는 초소형 소자를 이용하여 구현하였다. 이 오프셋 전압은 용량성 트리밍을 이용하여 제거할 수 있다.개루프 수신기 보다 낮은 전력, 오프셋 제거가 없는 수신기 보다 더 좋은 감도, 현재 트리밍을 가진 수신기보다 더 낮은 전력과 제거
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- 2001-03-01
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- 기술분류 전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
검색 결과 252건
7 / 13 페이지마이크로머신 결합 캐패시터 소자
압전 소자에서 고체 평면들은 전기적인 신호에 응답하여 운동한다. 기계적 변위들은 하나의 입력 또는 하나 또는 그 이상의 출력을 가지는 필터와 기계적 소자로 만들어진 다른 전극으로 결합된 동일한 압전 또는 다른 압전과 결합되어 있다. 이 발명품은 다른 특성과 다른 출력을 허용하는 소자인 압전 소자를 제작하기 위한 공진 얇은막에 사용된다.다른 출력을 가진 압전 소자 제작 허용
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- 2001-03-01
원자력 현미경(AFM) 캔틸레버를 위한 집적 용량성 마이크로머신 초음파 트랜스듀서(CUMT) 액츄에이터
이 발명품은 원자력간 현미경(AFM) 캔틸레버를 위한 새로운 통합 액츄에이션 기구이다. 이 발명품은 AFM 캔틸레버의 편향을 위한 용량성 마이크로머신 초음파 트랜스듀서(CMUT)를 사용한다. 이 구조는 실리콘 마이크로머신 기법을 이용하여 구축하였다.cMUTs는 현재 마이크로 제작 기법과 호환성, 다른 액츄에이션 방법으로서 변위의 동일 레벨 준비
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- 2001-03-01
아날로그 축적 집적 회로
고속 변화 신호의 고속 샘플링을 위한 유일 셀설계를 이용하는 고속 데이터 축적 배열이다. 배열의 각 셀들은 신호 입력과 저장 캐패시터 사이의 두개의 입력 게이트를 포함한다. 각 셀에 의해 신호의 순시 아날로그 값이 오직 샘플링되고 저장되기 때문에 클록은 2개의 클록과 일치한다.소형, 저비용
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- 2001-03-01
서브미크론 집적 회로 기술을 위한 완전 평면 다중 레벨 텅스텐 결합
이 발명품은 다중 준위 텅스텐 결합 배열 형성을 위한 순차 공정이다. 이 배열은 이미 평면화된 소자 준위부터 시작되었으며 실리콘 질화와 산화의 변경층으로 증착되었다. 비어홀들은 마스킹에 의해 정의되며 소자 준위에 질화층과 산화층 아래를 통하여 이방적으로 완전하게 에칭된다. 그런 후 금속선을 위한 트렌치들이 정의되고 선택적으로 플라스마 에치된다. 금속선 트렌치와 비어홀들의 산화측벽은 습식 에칭 공정을 이용하여 측면으로 에칭된다. 다결정 실리콘칭은 적합하게 증착된다. 그런 후 텅스텐은 선택적으로 증착되며 측면 증착에 의해 충진되고 비어홀과 트렌치에서 측면으로 성장하게 된다. 이 공정은 텅스텐에 의해 다결정 실리콘을 초과하는 소비를 위한 마지막 어닐링 공정에 의해 완성된다.금속 에치 필요성 제거, 후처리 금속화 유전체 분극 불필요, 텅스텐 금속화는 초고 공정 온도 유지
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- 2001-03-01
이중 이종 접합 역전 베이스 트랜지스터
베이스 영역에서 쌍극 트랜지스터는 2차원 홀 가스로서 이종 구조 기능을 가진 반도체 재료의 도프층과 이종 구조를 포함한다. 도프층은 홀들의 전하 중성 영역의 발생을 방지하기 위하여 충분하게 얇게 하였다. 베이스 영역에서 소수 전하 저장의 문제가 없기 때문에 트랜지스터 동작을 빠르게 스위치할 수 있다. 이 소자는 VLSI 회로에서 크기 감소를 이룰 수 있다.다른 쌍극 트랜지스터와 비교하여 크기 감소와 속도 증가
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- 2001-03-01
100 GHz 갈륨비소 모놀리닉 집적 샘플링 헤드
이 발명품은 갈륨 비소 기판상에 샘플링 다이오드를 가지고 집적화된 RF 평면 도파관으로 구성된 등가 시간 샘플링을 이용한 고대역폭 RF 샘플러이다. 모놀리닉 집적화된 비선형 전송 선로가 샘플 펄스를 수신하기 위하여 동일 기판상에 집적 화되었다. 이를 펄스들은 초고속 에지를 가지는 비선형 전송 선로에 의해 재정형화 되었다. 300GHz까지 흘리는 RF 신호는 이 회로를 이용하여 샘플링할 수 있다.샘플링 다이오드와 펄스 생성기 사이의 공간 분리는 매우 정확한 최소 차원 제어이다.
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- 2001-03-01
MOS 게이트 전극을 위한 SiGe
이 발명품은 대형 디스플레이 드라이버 응용을 위한 Ge/Si 합금 박막에서 MOS 트랜지스터 제작을 위한 새로운 기술을 제안한다. 박막 MOS 트랜지스터들은 Ge/Si 증착과 도핑 기술 이용에 의해 섭씨 500도 이하의 온도에서 제작되었다. 제작된 트랜지스터들은 표준 공정 기술을 이용한 실리콘막에서 제작된 박막 트랜지스터와 비교하여 전기적 특성이 중요하게 개선되었다.저온 처리, 고속, 짧은 공정 시간
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- 2001-03-01
음향 방사압을 이용한 마이크로머신 유체 펌프
이 발명품은 마이크로 채널에서의 유체와 세로 음향파의 상호 작용에 의해 펌프된 유체에서의 마이크로 펌프이다. 마이크로 펌프는 압력 구매 유도의 채널속으로 세로 방향파가 방향을 가지고 고주파 입력에 음향 트랜스듀서 응답을 가진다.이동 부품 없음, 마이크로머신 기법에 의한 제작 용이, 제어 전자 공학 통합 용이, 유체에서 임의 거품 제거, 유체 흐름 전기적 제어
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- 2001-03-01
반도체 웨이퍼상의 입자 검출을 위한 소자
이 발명품은 반도체 웨이퍼 상에 결함 검출을 위한 ARIM 탐침자의 거대 배열로 사용한다. 선폭 축소로서 결함 검출을 위한 새로운 접근은 필요하게 될 것이다. 이것은 결함 검출 시스템의 차세대 대표이다.선폭 축소로서 결함 검출을 위한 새로운 접근, 결함 검출 시스템의 차세대 대표
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- 2001-03-01
모놀리닉 집적 Potentiostat
모놀리닉 집적 전위 정전은 양극과 음극 영역 모두에서 다중화기 이용 전극 시험의 전위 전전 제어를 마련하기 위해 사용하는 범용의 전위 정전 시험 시스템이다. 전류 입력, 자동 크기, 이중 기울기 AD 컨버터는 컨버터와 관련된 스케일 인자를 효율적으로 조정하기 위하여 입력 전류의 통합 주기 조정을 위한 방법을 포함한다. 컨버터의 적분기 회로는 오프셋 전압으로 인한 적분 오차를 효과적으로 제거하기 위하여 적분기 회로의 증폭기와 관련한 오프셋 전압을 위한 적분기 회로의 적분 캐패시터의 사전 충전을 위한 방법을 포함하고 있다. 적분 캐패시터 사전 충전과 관련된 PMOS 스위칭 트랜지스터는 PMOS 스위칭 트랜지스터를 통하여 캐패시터로부터 누설 전류를 최소화함으로써 적분 캐패시터 사이의 전압이 n우물 바이어스 전압과 근사적으로 진폭이 같게 형성되어 있다.온칩 레이저 트림 저항 또는 정합 이산을 요구하지 않음
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- 특허법인충정
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- 2001-03-01
선형 표시 장치용 테스트 장치 및 테스트 방법
본 발명에 따른 선형 표시 장치의 테스트 장치는 스캐너에 연결되어 거울의 변위를 측정하는 센서와, 상기 센서로부터의 출력신호를 입력받아 상기 스캐너의 공진 주파수를 측정하고 거울의 비선형 변화에 의한 화상의 왜곡을 조정하기 위한 가변 클럭신호를 생성하는 패턴 발생기를 포함한다.이러한, 선형 표시 장치의 테스트 장치는 임의의 스캐너의 공진 주파수를 측정하고, 가변 클럭신호를 생성하여 거울의 비선형 변화에 의한 화면 왜곡을 조정할 수 있다신개념 microdiplay
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- 2001-09-01
면 광원장치
본 발명은 액정표시소자등의 조명장치로 사용되는 면 광원장치에 관한 것임. 본 발명은 액정표시소자등의 조명장치로 사용되는 면광원자치에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은, 램프로부터의 광을 확산판으로 안내하는 도광판과, 상기 도광판의 하부에 설치되며 도광판으로부터 안내되는 광에서 분산된 광을 상기 확산판으로 반사시키는 반사판과, 이 반사판과 도광판 사이에 형성되는 산란점막, 및 상기 램프를 고정설치하는 램프홀더를 구비하는 면광원장치에 있어서, 상기 램프홀더를 광 이용효율이 순차적으로 큰 복함, 코너드, 스퀘어, 비구면,구면 형상을 조합하여 구성하되, 상기 램프로부터 도광판으로 입사되는 광의 세기가 균일하게 유지되도록 상기 램프홀더의 중앙부쪽으로 향하면서 상기 양측단부에 이용된 형상보다 광 이용효율이작은 형상으로 하여 구성된 램프홀더를 포함하고 있어, 상기 램프에서 도광판으로 입사되는 광세기 분포를 균일하게 하룻 있는 이점을 제공한다램프로부터 도광판으로 입사되는 광의 세기를 균일하게 하기위해 램프홀더의 중앙부측 보다는 양측단부측으로 광이용 효율을 향상시킨 구조
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- 전자부품연구원
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- 2001-09-01
GaAs 결정 성장로와 GaAs wafer 개발기술
현재, 국내는 GaAs wafer를 제조하는 없고 전량 미국, 일본, 독일이 생산하고 있다. 이들 대부분의 회사에서는 GaAs wafer의 결정 성장법으로 LEC와 VGF법으로 생산하고 있다. 그러나 이들 방법은 장비가격이 비싸고, 결정 경함밀도가 높으며, 생산자의 부주의가 제품의 품질에 영향을 미칠 수 있다. 고진공의 전기로는 As원소가 날아가 버리는 것을 방지하고, 대류성 열의 전도가 없고 오직 복사열만 존재하는 것으로 이 복사열의 경우는 전기로의 안정성이 그대로 시료의 안정성이 되므로 대류형 전기로의 온도변화를 줄일 수 있어 우수한 품질의 결정을 얻을 수 있다. 격자결함(As의 외부 이탈)을 막기위해 Mo용기와 뚜껑을 제조하여 그속에 시료를 넣어 As원소가 날아가버리는 것을 최소화하고 단결정의 전이 또는 Grain Boundary를 없애기 위해 고진공 전기로를 사용한다.
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- 2002-03-04
전자 Cinema 전하결합소자(CCD, charged-coupled device) 구조
2048라인프레임 전송 CCD에서 저장영역과 감지영역사이의 분할은 저장용으로 848라인이 불투명마스크(opaque mask)로 남겨지고 1200라인으로 이뤄진다. 이 1200라인은 반간격(half the interval) 노출할 수 있고 셔터가 닫히면 848라인은 수직공백화 동안(보통의 CCD 전송장치와 같이) 저장영역으로 기록된다. 이것은 더 적은 라인을 전송하기 때문에 보통보다 더 시간이 적게 걸린다. 이때 셔터가 닫히고 그때 CCD는 1200라인을 읽기 시작한다. 다음 노출을 위해 다시 셔터가 열릴 때까지 이미지의 남은 라인은 불투명지역(opaque area)에 있게된다.이미지가 기록된 이미지보다 약 10퍼센트 더 크다.모두 네면의 이미지를 5퍼센트의 오버스캔으로 제공한다.이 기술을 필름카메라의 뷰파인더와 같이 기록영역 바깥도 볼 수 있게 한다.
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- 대일기업평가원
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- 2002-05-08
레이저 다이오드와 LED 제조에 있어서의 실리콘 카바이드 기판표면의 저결함 제조법
레이저 다이오드(LD)와 GaN박막 기반 LED 같은 광소자의 생산공정에 있어서 GaN 막의 결함을 최소화하는 것이 가장 중요하다. GaN 기반 LD가 수천시간의 지속적인 작동수명을 가지기 위해서는 결함 밀도가 평방 센티미터당 천만을 넘지 않아야 하는 것이 필수적이다. 이러한 낮은 결함 밀도를 만들기 위해서 사파이어 기판에 방향성 있게(epitaxially) GaN막을 성장하는 복잡한 방법이 개발되었다. 그러나 이 성장방법은 시간이 많이 소요되고 GaN 기반 LD의 경제성이 없다. 실례로 전반적인 GaN막의 저결함 생산방법은 먼저 SiC(silicon carbide)기판위에 AIN(aluminum nitride)를 성장시키고 AIN 필름위에 GaN막을 착상시킨다. 이런 AIN 필름은 일반적으로 buffer layer로 알려져 있다. 이런 GaN/AIN/SiC 구조는 격자정합이 적당하게 맞아떨어진다. 그러나 단지 격자정합만으로는 결함없는 막생산에는 부족하다. SiC 기판위에 buffer layer인 AIN를 놓고 GaN의 막을 입히는 방법은 여전히 사파이어 기판위에 막성장법과 비슷한 평방센티미터당 1010개의 dislocation의 결함밀도가 나타난다. 이런 높은 결함밀도는 AIN/SiC 즉 subscrate와 buffer layer 사이의 경계면(interface)에 dislocation 주요원인이 있고 원래 시료 자체에 있었던 결함, SiC 기판 표면에 있던 결함순으로 영향을 끼친다. 개발된 이형적층(heteroepitaxial) GaN 필름의 상당한 저결함 밀도의 방법은 실제로 SiC 기판과 AIN buffer layer 사이를 고해상도 전자 투과 현미경을 사용하여 관찰한 결과를 보면 매우 깨끗한 표면이 나온다. AIN buffer layer와 SiC 기판사이 경계면의 결함은 거의 완벽한 적층관계(epitaxial relationship)를 가진다. SEE 적층법에서도 거의 무결함(defect-free) 경계면을 얻을 수 있지만 MOCVD(metalloganic chemical vapor deposition), HVPE(hydride vapor phase deposition), MBE(molecular beam epitaxy)와 같은 표준적인 방법으로도 낮은 결함밀도의 경계면을 얻을 수 있다.이 제조법을 사용하면 SiC 기판과 AIN buffer layer 사이의 결함밀도를 굉장히 낮출수 있어 레이저 다이오드와 GaN 박막 기반 LED 의 작동수명을 늘릴 수 있다. 이는 다른 소자의 결함밀도를 낮추는데도 응용될수 있다.
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- 2002-05-10
고용량 고체 메모리의 제조
이 기술은 정보를 테라바이트급으로 저장할수 있는 능력을 가진 반도체 메모리 및 디지털방식으로 n 비트 코드에 의해 접근가능한 고용량의 디지털 랜덤 억세스 고체 메모리 제조방식에 관한 것이다. 테입형태의 고용량메모리 소자를 얻기 위한 출력 회로와 어드레스 회로등과 같은 다양한 메모리 셀의 행렬로 이루어진 고용량 메모리를 연속공정으로 얇고 유연하고 긴 기판위에 제작된다. 이 과정을 n 번 반복하면 n 비트 코드의 비트수와 같은 다수의 광역 메모리 소자를 얻을 수 있다. 이것을 콤팩트 실린더 스풀형태로 겹쳐서 감는다. 이 광대역 메모리 요소들은 박막 트랜지스터 기술을 사용한 연속 리소그래피 공정으로 제조된다. 현재의 디지털 자기 테입에 있는 소실(drop-out)문제를 해결하기 위해서 2차원 오차 수정 코드가 사용되는데 2비트를 에러 수정 코드로 사용하고 8비트를 인코딩으로 사용하게 하여 10비트로 메모리를 구성하면 된다.고용량의 임의접근(random access)가능한 고체메모리 제조법n-bit code로 고체 메모리는 디지털 주소로 접근가능하다.값싼 roll-to-roll 프로세싱
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- 2002-05-14
멀티레벨 Deep X 레이 리도그래피를 위한 정렬법
본 기술은 다층 미세 구조의 제작을 위해 X-ray 마스크와 디바이스 기판사이에 정밀한 얼라인먼트를 위한 공정이다. 기판 위의 첫 번째 포토레지스트층은 첫 번째 미세구조층의 패턴을 따라 X-ray 마스크에 의해서 첫 번째 얼라인먼트 홀을 포함하게 패턴화 된다. 포토레지스트 레이어 마스크는 미세구조 디바이스 기판에 붙여지는 부가적인 포토레지스트층을 패턴화 하기 위해 사용되는 두 번째 마스크에 붙여진다. 마스크 포토레지스트층은 디바이스 기판 위에 첫 번째 포토레지스트층에 있는 얼라인먼트 홀에 대해 기하학적으로 맞아들어가는 마스크 얼라인먼트 홀을 포함하게 형성된다. 두 번째 마스크와 첫 번째 포토레지스트층 사이의 얼라인먼트는 첫 번째 포토레지스트층에 있는 두 번째 마스크의 조합에 의해 만들어진다. 이는 마스크 포토레지스트층에 있는 마스크 얼라인먼트 홀을 통과하는 첫 번째 포토레지스트층에 있는 첫 번째 얼라인먼트 홀에 위치한 얼라인먼트 post를 이용한다. 얼라인먼트 공정은 특별히 Deep X-ray 리소그래피와 전기도금을 사용하는 다층 금속 미세구조 제조에 적용 가능하다. 이 얼라인먼트 공정은 얼라인먼트 post를 이용해서 합쳐진 서브시퀀트 마스크와 첫 번째 포토레지스트 사이의 spacer 포토레지스트 시트를 사용한 더 큰 디바이스 길이와 다중의 포토레지스크층까지 확장될 수 있다.다층의 미세 구조 제작에 사용 가능하다.긴 spacer 포토레지스트 시트에까지 적용 가능하다.
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- 등록일
- 2002-05-16
ATM 계층별 ASIC 개발
1. ATM 계층처리부의 패드삽입 장치(PCS-PDU의 마지막 데이터를 셀로 보낼 경우 48 바이트의 셀형태에 맞추기 위해 패드를 삽입)2. ATM 전송을 위한 메모리 운용방법(ATM 전송시 메모리의 운용을 위하여 새로운 필드의 추가 또는 용도변경을 통해 메모리 운용시 처리의 단계를 줄이기)3. ATM셀을 이용한 통신에 있어 ATM셀을 셍성하는 Segmentation 부의 링크 작업을 용이하게 실시하기 위하여 VC 테이블 내의 레이트 큐 번호를 디스크립터 필드 내에 위치시키는 구조의 디스크립션 메모리5. 다중채널을 지원하는 비동기식 전송모드 통신에 있어서 ATM계층처리장치(효율적인 하드웨어 구조로 전송되는 CPCS-PDU를 실시간적으로 각 채널별 ATM-SDU로 생성)6. 비동기식 전송모드 통신시스템에 있어서 세그멘테이션장치 및 방법(셀버퍼를 구비하지 않고 셀데이타를 전송)7. 비동기식 전송모드 셀을 전송하는데 있어서 디스크립터 링크방법 및 장치(연결시키고자 하는 디스크립터를 바로 서치하여 디스크립터에 대한 고속 링크를 가능)8. 비동기식 전송모드 통신(AAL-5계층을 통과한 패킷 데이터에 대하여 ATM계층에서 이루어지는 ATM셀 구성 방법 및 장치)9.비동기 전송 모드용 교환기(외부로부터 전송되는 다수의 ATM셀 데이터를 효율적으로 처리하는데 적합한 비동기 전송 모드 시스템의 데이터처리 방법, ATM수신기의 메모리를 효율적으로 할당하는 방법)11.비동기식 전달 모드 셀 수신 시스템에 있어서 셀 수신 방법(상대방으로부터 비동기식 전달 모드로 전송되어 수신되는 셀을 소용량 버퍼를 사용하여 저장하도록 하는 비동기식 전달 모드 셀 수신 시스템에 있어서 셀 수신 방법)12. 비동기식 전달 모드 셀 수신 시스템에 있어서 더미 셀 제거 장치(상대방으로부터 비동기식 전달 모드로 전송되어 수신되는 셀 중에서 잘못 수신된 셀을 제거하도록하는 비동기식 전달모드 셀 수신 시스템)1. 8비트의 마스크와, 상기 마스크의 인에이블신호가 8개의 데이타 비트와 연결되는 앤드게이트와, 제어회로의 제어신호에 의해 CPCS-PDU 부분에 패드를 삽입, 디스크립터 필드에서의 링크 작업에 비하여 본 발명은 레이트 큐 번호를 디스크립터 내에 있게함으로써 작업단계를 단순화 시키고 링크 작업이 단순화 됨으로 인해 ATM 셀 발생 처리속도를 빠름, 디스크립터에 순서대로 등록되는 단계와, 상기 등록된 디스크립터의 번호를 읽어서 해당 디스크립터를 읽어 들이는 단계와, 상기 디스크립터에서 읽어들인 가상체널 테이블의 어드레스를 알아내고 가상체널 테이블을 읽어 레이트-큐의 번호를 알아내는 단계를 포함2. AAL/ATM 계층처리부에서 내부 처리 속도를 빠르게 할 목적으로 32비트를 사용했을 경우 CPDS-PDU의 마지막 데이터가 4의 배수가 아니더라도 패드를 계산하여 패드 인에이블 제어신호를 이용하여 즉시 패드를 삽입, CPDS-PDU데이터를 연속적으로 받아들이면서CPDS-PDU트레일러 구성데이터들 즉, 제어신호, 길이정보, CRC정보를 제어신호에 따라 CPDS-PDU패이로드 및 패드에 연결하여 출력할 수 있기 때문에 내부 처리시간을 대폭 단출할 수 있고, 하드웨어 구성이 간단함.3. AAL계층처리되어 전송되는 다중채널의 패킷데이타에 대한 ATM-SDU생성에 필요한 구성정보를 그때 그때 삽입하는 하드웨어구조로 ATM계층처리장치를 구현함으로써. 채널별 헤더분석 및 생성된 ATM-SDU에 헤더를 부가하기 위한 하드웨어를 구비할 필요가 없어 기존의 ATM계층처리장치에 비해 하드웨어를 간소화시켰을 뿐아니라 셀구성정보가 삽입되어야 하는 구간에 해당되는 정보를 바로전송할수있어 실시간적으로 ATM-SDU를 생성할수있는 이점4. 셀 버퍼를 이용하지 않고 ATM셀을 송신할수 있도록 ATM통신시스템의 세그멘테이션 장치를 구성함으로써, 하드웨어를 간소화한 이점이 있다. 또한 전송하고자 하는 셀테이타에 대한 어드레스 및 길이정보를 CS-ATM으로 전송한 이후, 해당 ATM셀을 전송하는데 있어서 PM이 관여하지 않도록하여 PM이 로컬메모리를 점유하는 시간을 짧게하여 전체 ATM처리시간 단축5. VC테이블에 마지막으로 링크되는 디스크립터 번호를 기록할 수 있는 필드를 할당하고 각 레이트 큐별로 수직방향으로 링크된 마지막 디스프립터의 번호를 저장할 수 있는 레지스터를 더 할당하여 디스크립터의 링크 위치를 바로 서치할 수 있도록 함으로써, 디스크립터 링크처리시간을 단축시켜 전체적인 셀 전송속도를 향상시킬뿐아니라 마지막에 링크된 디스크립터 테이블을 바로 검색하는 방식으로 운영되어 외부 메모리에 대한 이용시간을 줄여 메모리의 운용효율 향상6. M비트를 이용하지 않고 길이 정보만을 이요하여 해당되는 셀 포맷을 결정하여 셀이 구성되도록 제어함으로써, ATM계층에서 이루어지는 셀 구성 처리 루틴을 간소화시킬 뿐 아니라 하드웨어 구성 간소화7. 바동기 전송 모드 시스템에서 실제 비동기 전송 모드 셀 데이터를 처리하는 호스트의 동작 상태에 따라 각 셀 데이터를 적응적으로 처리할 수 있게 되므로 써, 호스트의 과부하 방지 효과, 그에 따라 데이터의 손실을 방지8. 비동기 전송 모드 시스템에서 다수의 채널에 대한 데이터를 수신하여 저장하는 메모리 수단을 패킷의 최대크기보다 더 작은 단위의 여러개의 버퍼로 분할 구성하여 수신되는 각 패킷의 길이에 따라 유동적으로 할당하므로써, 메모리 영역의 낭비를 감소시킴9. 호스트(4)에 소용량 버퍼를 다수 할당하여 그 소용량 버퍼에 수신되는 비동기식 전달 모드 셀을 채널별로 기록하도록 하여 메모리의 소모를 줄이도록함으로써 메모리를 효율적으로 사용10. 상대방으로부터 버퍼(10)로 비동기식 전달 모드로 전송되어 수신되는 셀 중에서 잘못 수신된 셀을 헤더 처리부(16)에서 검출하도록하여 순회 중복 검사부(18)에서 제거하도록함으로써 셀의 수신이 항상 바르게 이루어지므로 비동기식 전달 모드 셀의 수신성능이 향상
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- 고등기술연구원연구조합(사)
- 등록일
- 2002-05-24
고해상도, 저주파수, 전자기장 이미징
이 기술은 지하 탄화수소 저장소의 특성조사를 위한 전기전도도의 고해상도 이미징을 위한 방법으로서 저 주파수 전자기장과 전자기 데이터를 해석하기 위해 단층 촬영법(tomography)을 사용한다. 이 이미징법은 다수의 리시버 홀 안에 리시버를 위치시키고 트랜스미터 홀안에 다양한 위치에 하나 또는 그이상의 트랜스미터를 위치시키는 단계가 포함된다. 이 트랜스미터는 전자기 신호를 발생시키며 이 신호는 토양(earth)같은 매체에 의해 리시버에게 확산한다. 측정된 확산 필드 데이터 H는 그때 파장 데이터 U 로 변환된다. 여기서 traveltime 은 파장 데이터 U에 관계하며 변환될 때 얻어진다. 이는 각 변환에 있어서 파장 데이터 U를 차팅하면서 그리고 다른 정규화 파라메타인 알파를 이용하여 얻어진다. 역서 전도체 같은 매체의 바람직한 특성이 그때 파장속도에서부터 나오며 이 속도는 차례대로 단층촬영을 이용한 파장데이타 U에서부터 만들어진다.고해상도의 오일과 가스저장소 이미지를 제공한다.
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2002-07-03