산업기술 통합검색
본 발명은 그레인 경계에서 식각비와 산화비가 증가하는 현상을 이용하여 고속 저전력소자에 이용되는 비휘발성 기억소자를 형성하는 방법에 관한 것으로서, 원하는 크기의 나노결정을 아주 균일하고 재현성이 높게 고밀도로 형성하기 위한 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다. 본 발명에서는 아주 얇은 비정질실리콘 연속막을 형성하고 그 위에 산화막을 형성한 후 열처리 및 산화를 통해 다결정화한 다음, 산화막을 제거하고 세코식각 또는 라이트식각을 수행함으로써, 비휘발성 기억소자를 형성한다. 이때, 그레인 경계를 통한 식각비 증가를 이용하여 나노결정을 균일하게 고밀도로 형성한다. 또한, 아주 얇은 비정질실리콘 연속막을 형성한 후 열처리 및 산화를 통해 다결정화한 다음, 산화막을 제거한 후 다시 산화시킴으로써, 그레인 경계를 통한 산화비 증가를 이용하는 방법으로 비휘발성 기억소자를 형성할 수도 있다.
본 발명은 기존 microstrip이나 coplanar구조의 전송선이 가지고 있는 신호 간섭 및 전송 손실의 단점을 해결하기 위하여 동축구조의 전송선을 반도체 위에 형성하여 해결하는 것으로, 먼저 반도체를 식각하고 그위에 접지를 위한 금속을 증착한 다음 유전물질을 형성하고, 신호선을 유전물질 위에 만들어 하부쪽의 신호 손실 및 기판에 의한 간섭을 방지하고, 최종적으로 신호선 위를 유전물질과 접지 금속을 증착하여 상부쪽의 신호 간섭 및 손실을 방지한다. 이 때 상부와 하부의 접지는 유전 물질을 식각하여 연결함으로써 신호선을 완전히 차페시켜 외부로 신호가 빠져 나가는 것을 방지하게 된다. 따라서 이러한 구조의 전송선은 아주 소형의 고주파 응용 시스템에서 발생되는 신호 간섭을 방지하여 시스템의 소형화를 가능하게 하고, 신호의 왜곡을 방지하는 효과가 있다.
본 발명은 산화막 다공성 실리콘 기판을 이용한 MMIC 구현을 위한 인덕터, 커패시터, 저항 등의 초고주파 소자에 관한 것으로서, 1GHz 이상의 초고주파 영역에서 발생하는 얇은 실리콘 산화막 아래에 있는 실리콘 기판의 반전도 특성에 기인한 신호 손실을 방지하기 위하여 실리콘 기판위에 종래에 이용되던 얇은 산화막 대신에 두꺼운 산화된 다공성 실리콘 층을 이용하여 소자를 집적시키는 것이다. 고주파 통신시에 수동소자의 기판과의 기생성분을 두꺼운 산화막을 이용하여 효과적으로 최소화하는데 있다.
본 발명은 전자선 리소그래피를 이용하여 측면형 전계 방출 소자 구조 및 제조 방법으로서, 전자선 리소그래피로 극미세 구조의 캐소드, 애노드, 게이트 전극을 동시에 형성하여 저전압으로도 고속동작이 가능한 소자의 구조를 제안하고 그에 따른 제조법을 제안한 것이다. 첫 번째로, 전자선 리소그래피로 동시에 형성된 캐소드, 에노드, 게이트 전극을 열 산화에 의해 떨어질 수 있을 만큼 작도록 하고, 게이트 전극은 가능하면 캐소드, 에노드 두 전극에 가깝게 형성시켜서 전자 흐름을 잘 조절할 수 있게 하며, 좌우 대칭이도록 한다. 또는, 위와 같이 전자선 리소그래피로 형성된 구조를 열 산화하여 캐소드와 에노드 전극이 떨어져서 나노 스케일의 간극을 형성하도록 한다. 이와 같은 극 미세 구조 형성 방법으로 단일 팁으로 구현되는 측면형 전계 방출 소자를 만들 수 있다. 앞서 언급한 본 특허의 기본 구조를 그대로 유지하면서 캐소드, 에노드, 게이트 전극의 저항을 줄일 수 있는 방법으로 산화막 위에 실리콘 필름 또는 다결정 실리콘(또는 비정질 실리콘)을 형성하고 그 위에 실리사이드를 형성하는 방법을 적용할 수 있으며, 이 때 실리사이드 물질은 일함수가 작은 것을 선정한다. 또, 실리사이드 아래의 실리콘 또는 다결정 실리콘을 과도 식각(overetch)하여 캐소드, 에노드, 게이트 전극을 보다 더 뾰족하게 만들 수도 있다. 기존의 CMOS 공정과 양립성을 고려하고, 몇 장의 마스크를 추가하여 미세 진공(micro vacuum) 소자의 구조 및 방법을 사용할 수 있다. 이러한 방법을 멀티 팁으로 구현할 수 있으며, 이는 전류의 크기를 키울 수 있는 장점이 있다.
본 발명은 광도파관으로 이루어진 광결합기 센서 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 미소한 물리량 및 그의 변화량을 고감도로 감지할 수있도록 이동 광도파관 및 고정 광도파관을 포함하는 광결합기 센서 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 광결합기 센서는 기판 상에 형성된 고정 광도파관; 및 기판 상에 형성된 켄틸레버에 연계되며 전기한 고정 광도파관과 일정 간격 이격 형성되어 외력에 의해 상하로 이동할 수 있는 이동 광도파관으로 구성된다. 또한, 본 발명의 광결합기 센서 제조 방법은 기판 상에 클래딩층을 형성하고 클래딩층 상에 코어층을 형성하는 과정; 전기한 코어층을 식각하여 고정 광도파관을 형성하는 과정; 전기한 클래딩층 및 고정 광도파관 상에 지지층을 형성하는 과정; 전기한 지지층 상에 켄틸레버 및 켄틸레버와 연계된 이동 광도파관을 형성하는 과정; 및 전기한 지지층을 선택적 식각하여 켄틸레버 지지판을 형성하는 과정을 포함한다. 본 발명의 광결합기 센서는 미소한 물리량 및 그의 변화량을 고감도로 측정 및 감지할 수 있으며, 본 발명에 의해 전기한 광결합기 센서를 간단한 과정에 의해 경제적으로 제조할 수 있다.
본 발명은 광전집적회로용 레이저 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 낮은 구동전류에서도 동작이 가능하도록 지붕형 반사기가 형성된 광전집적회로용 레이저 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 레이저 다이오드는 기판(31); 전기한 기판(31)의 상면에 형성되며 N-클래딩층(32) 및 수동도파층(33)으로 구성된 도파로; 전기한 도파로의 상면에 분리층(34), 활성층(35), P-클래딩층(36) 및 P-저항층(37)이 차례로 적층되어 구성되며 지붕형 반사기를 지닌 능동도파로; 전기 능동도파로의 상면에 구성되며 선형전극창(41)이 형성된 SiO2막(38); 전기 SiO2막(38)의 상면에 형성된 금속재의 상부전극층(39); 및, 전기 기판(31)의 하단면에 형성된 금속재의 하부전극층(40)을 포함한다. 본 발명의 광전집적회로용 레이저 다이오드는 레이저 다이오드로부터 발생된 빛의 이용효율이 우수하고 낮은 문턱전류를 지녀 작은 구동전류에 의해서도 원활한 동작이 가능하며, 광전집적회로 상에 집적이 용이하고 간편하게 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 제조방법에 의해 전기한 레이저 다이오드를 간단한 공정에 의해 경제적으로 제조할 수 있다.
본 발명은 마이크로렌즈가 형성된 광집적 소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 단거리 광통신에서의 광의 송신단이나 수신단, 각종 광표시소자, 고감도 광검출소자 및 고속 발광다이오드 프린터 등의 주요부분으로 사용할 수 있는 마이크로렌즈가 형성된 광집적 소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 리지높이가 과도하게 높지 않으면서도 균일한 높이의 형성이 가능하여 다른 소자와 결합이 용이하면서도 배열화가 쉬운 마이크로렌즈를 갖는 광집적소자를 제조할 수 있으며, 본 발명의 광집적소자는 고속 발광다이오드 프린터, 단거리 광통신에서의 광 송수신단, 각종 광표시소자 및 고감도 광검출소자 등에 광범위하게 활용될 수 있다.
본 발명은 양자섬(Quantum dot)을 이용한 광 감지소자의 구현시 별도의 부대장비 없이 광 감지소자면에 대해 수직으로 입사되는 빛을 효율적으로 감지할 수 있으며 상온에서도 동작 가능하도록 하기 위한 양자섬을 이용한 광감지 디바이스의 구현방법과 광감지소자 및 그에 따른 제조방법에 관한 것으로 특히, 이종의 물질간 접합이나 불순물 첨가에 의해 특정 방향으로 케리어의 이송방향과 채널이 설정되고, 페르미 준위의 이동 제어에 의해 상기 채널의 형성여부가 결정될 수 있도록 구현되는 반도체 디바이스에 빛의 감지에 따른 흡수과정을 통해 그에 대응하는 전자를 방출하는 양자섬층을 채널의 주변 임의의 위치에 형성하되, 상기 양자섬층에서 빛 감지에 따른 방출전자가 상기 채널에 모이도록 구현하고, 상기 페르미 준위가 입사광이 없을 때 채널에 전자가 거의 없게 하는 에너지 레벨을 갖으면서 상기 양자섬층에 전자를 공급하여 가둘 수 있는 위치에 구비되도록 하는 구현방법과 그 방식에 의해 완성된 디바이스 및 해당 디바이스의 제조 방법을 제공하여 적외선 감지소자를 경제적으로 제조할 수 있다는 것이 확인되었다 양자섬과 전도층을 분리 시켜 잡음성분을 줄였다. 자연적으로 양자섬층에 걸리는 수직방향의 큰 전계와 매우 얇은 2차원 전도층을 이용하여 광전도 이득을 매우 높였다. 빛이 입사하고 있지 않을 경우 전도층을 공핍시킴으로써 암전류를 급격히 줄였다. 이로서 별도의 부대장치 없이 소자면에 수직으로 입사하는 빛을 감지할 뿐만 아니라 상온에서도 동작하는 장파장 적외선 감지소자를 제작할 수 있었다.
광통신에 사용되는 광소자와 광섬유사이의 광결합효율과 tolerance를 증가시키는 것은 매우 중요하다. 이에 본 발명은 core크기가 큰 광섬유를 polishing하여 core크기가 작은 광섬유의 core크기와 같거나 약간 작게 만든 후에도 tapering되는 구간이 아주 짧기 때문에 이것들은 기존의 광섬유 splicer를 이용하여 결합을 시키게 되면, 아무리 서로 core크기가 차이가 많이 난다고 하더라도, 서로의 core크기를 맞추어서 두개의 광섬유를 결합시킬 수가 있다. 그런데, polishing에 의해서 tapering되는 영역은 보통 아주 짧게 되기 때문에 이곳에서 발생할 수 있는 손실을 이곳에 열을 가해서 tapering을 해줌으로써 최대한 줄일 수 있다. 그리고, 이곳에 metal을 증착함으로써 이곳에서의 손실을 줄일 수 있으며, core크기가 큰 광섬유의 다른 끝에는 arc방전이나, 열을 가해서 렌즈를 제작함으로써 광소자와의 결합효율과 align tolerance를 증가시킬 수 있다.
본 발명은 광전송망에 사용되는 계층별로 모듈화된 내부구조를 가지는 광회선 분배기에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 계층별로 모듈화되어 있어 유지관리가 용이하고, 전송망의 진화에 효율적으로 대비할 수 있으며, 다양한 망구조에 사용할 수 있으며, 간단한 구조의 스위치를 사용하여 광회선 분배기의 제어를 단순화함과 동시에 광회선 분배기에서 발생하는 신호의 열화를 최소화하는 광회선 분배기를 제공하는데 있다. 이러한 본 발명은, 다른 노드에서 해당 노드로 신호들을 운반하는 M개의 입력광섬유와 해당 노드에서 애드되는 신호들을 운반하는 m개의 입력광섬유에 하나씩 결합되어 입력신호들을 분배하는 M+m개의 1xM 분할기와 M개의 입력단자를 통해 입력되는 신호들 중 해당 노드에서 드롭될 신호를 선택하여 M개의 출력단자를 통해 출력하는 드롭용 링크 모듈 및 M+m-1개의 입력단자를 통해 입력되는 신호 중 다음 노드로 전송되어야 하는 신호들을 선택하여 하나의 출력단자를 통해 출력하는 M개의 전송용 링크 모듈을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명은 미세렌즈 배열 및 그 형성방법에 관한 것이다. 본 발명의 미세렌즈 배열은 유리판의 일면에 원뿔형태를 지닌 복수개의 전면 미세렌즈가 구성된 저면 미세렌즈군; 및, 전기 유리판의 반대면에 전기한 전면 미세렌즈 각각의 중심점과 엇갈리는 중심점을 지나며 원뿔형태의 지닌 복수개의 이면 미세렌즈가 구성된 이면 미세렌즈군을 포함한다. 또한, 본 발명의 미세렌즈 배열 형성방법은 유리판의 전면에 SOG(Spin-On-Glass)막을 형성하여 막의 상면에 포토레지스트를 입히고 포토레지스트의 표면에 마스크를 대고 빛을 조사하여 포토레지스트를 선택적으로 감광 및 현상시켜 전면 포토레지스트 패턴배열을 형성하는 단계; 전기한 전면 포토레지스트 패턴배열 형성단계와 동일한 방법을 사용하여 전기 유리판의 후면에 전면 포토레지스트 패턴 배열의 패턴 중심점의 중앙에 후면 포토레지스트 패턴의 중심점이 위치하도록 후면 포토레지스트 배열패턴을 형성하는 단계; 및, 전기한 단계에 의한 유리판의 양면에 포토레지스트 패턴배열이 형성된 유리판을 불산용액으로 식각하여 원뿔형태의 미세렌즈를 형성하는 단계를 포함한다. 미세렌즈 배열의 사용 목적에 따라 SOG막의 두께와 포토레지스트 패턴의 지름을 적절히 조절함으로써, 다양한 미세렌즈의 형성이 가능하다.
본 발명은 마이크로 렌즈 제작에 관한 겻으로 마이크로 렌즈가 형성될 대상물을 준비하는 제 1단계; 소정 점성을 가지며 빛이 투과되는 액상물질을 그 응집력과 펴면 장력을 이용하여 상기 대상물에 렌즈를 형성하는 제2단계; 자외선을 조사하여 경화시키는 제 3단계로 나누어지며, 고가의 장비없이 간단한 제조 공정으로 단시간에 마이크로 렌즈의 제조가 가능하여 경제성을 향상시킬 수 있다.
본 발명은, 양방향으로 진행하는 파장 분할 다중화된 신호의 역다중화와 다중화를 동시에 수행하도록 연결된 하나의 N x N 다중화기, 양방향으로 진행하는 파장 분할 다중 신호들의 경로를 분리하고 서로 다른 방향으로 진행하는 신호들을 각각 상기 N x N 다중화기에 입력하기 위하여 두 개의 3단자 써큘레이터 및 양방향으로 진행하는 광신호의 손실을 보상하기 위한 양방향 광증폭기로 구성되는, 양방향 파장 분할 다중 애드/드롭 광증폭기 모듈에 관한 것으로, 역다중화와 다중화를 동시에 구현하여, 역다중화기와 다중화기를 각각 이용하여 제작되는 기존의 애드/드롭 다중화기의 단점을 개선함으로써, 효율적이고 경제적인 파장 분할 다중 방식의 광통신망을 제공한다.
본 발명은 양방향 애드/드롭 다중화기를 구비한 양방향 파장분할다중방식 자기치유 광통신망에 관한 것으로, 본 발명의 목적은 하나의 N×N 다중화기를 이용하여 간단한 구조의 양방향 애드/드롭 다중화기를 구현하고, 이를 이용하여 2가닥의 광섬유만을 사용하는 양방향 자기치유 광통신망을 제공하는데 있다. 이를 위한 본 발명의 제1 실시예는, 노드 간에 2가닥의 광섬유를 이용해 상호 연결한 광통신망에 있어서, 상기 각 노드는, 광신호의 수신 여부를 감지하는 적어도 2개의 광신호수신수단; 운용 광섬유의 절단시 예비 광섬유로 절체하기 위한 적어도 2개의 스위칭수단; 상기 스위칭수단을 제어하기 위한 적어도 2개의 스위칭 제어수단; 상기 스위칭수단 간에 연결되어 다중화 및 역다중화를 동시에 수행하는 다중화/역다중화 수단; 및 상기 운용 링과 예비 링에 연결된 다수개의 광증폭수단을 구비하되, 상기 다중화/역다중화 수단은, 폴드-백(fold-back) 형태로 연결되어 파장분할된 신호들의 다중화 및 역다중화를 동시에 수행하는 하나의 다중화기와, 적어도 2개의 서큘레이터, 및 상기 다중화기로부터 출력되는 다중화된 신호를 필터링하는 적어도 2개의 필터링수단을 포함한 것을 특징으로 한다. 하나의 N x N 다중화기만을 이용하는 양방향 애드/드롭 다중화기를 사용함으로써 2가닥의 광섬유로 구성되는 양방향 파장 분할 다중 방식 자기치유 광통신망을 경제적으로 구현하였다.
본 발명은 광전집적회로용 레이저 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 낮은 구동전류에서도 동작이 가능하도록 지붕형 반사기가 형성된 광전집적회로용 레이저 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 레이저 다이오드는 기판(31); 전기한 기판(31)의 상면에 형성되며 N-클래딩층(32) 및 수동도파층(33)으로 구성된 도파로; 전기한 도파로의 상면에 분리층(34), 활성층(35), P-클래딩층(36) 및 P-저항층(37)이 차례로 적층되어 구성되며 지붕형 반사기를 지닌 능동도파로; 전기 능동도파로의 상면에 구성되며 선형전극창(41)이 형성된 SiO2막(38); 전기 SiO2막(38)의 상면에 형성된 금속재의 상부전극층(39); 및, 전기 기판(31)의 하단면에 형성된 금속재의 하부전극층(40)을 포함한다. 본 발명의 광전집적회로용 레이저 다이오드는 레이저 다이오드로부터 발생된 빛의 이용효율이 우수하고 낮은 문턱전류를 지녀 작은 구동전류에 의해서도 원활한 동작이 가능하며, 광전집적회로 상에 집적이 용이하고 간편하게 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 제조방법에 의해 전기한 레이저 다이오드를 간단한 공정에 의해 경제적으로 제조할 수 있다.
본 발명은 레이저 다이오드용 거울면 제작방법에 관한 것으로, 특히 2단계의 화학식각에 의한 간단한 방법에 의해 레이저 다이오드용 거울면을 균일하게 식각하여 제작할 수 있다. 일반적으로 광통신 광원으로 사용되는 레이저 다이오드는 효율적인 발진을 위해서 수직반사 거울면이 필요하게 된다. 그러나 기존의 레이저 다이오드 거울면 제작방법으로는 집적도가 요구되는 광전집적회로용 공정으로서는 부적합한 결점을 가지고 있다. 따라서 본 발명은 레이저 다이오드용 수직거울면을 간단히 제작할 수 있슴과 아울러 그 수직거울면의 식각특성이 균일하게 되는 수직거울면의 식각방법을 제공함에 있다. 상부에 도포된 포토레지스터를 마스크로하여 레이저용 이중 이종접합구조의 웨이퍼에 초기식각을 행한 위 그 도포된 포토레지스터를 모두 제거하고, 이후 그 이중 이종접합구조의 웨이퍼을 윈래의 식각액에 다시 담가 소정 시간동안 식각을 행함으로써 레이저 다이오드용 거울면을 제작할 수 있다. 본 발명은 포토레지스터를 마스크로하여 1단계의 식각을 행하고, 그 포토레지스터를 제거한 후 다시 2 단계의 식각을 행함으로써 수직거울면이 형성되는 것이므로 레이저 다이오드용 수직거울면 제작이 대단히 간단해지고, 그 수직거울면의 식각특성이 균일하게 되는 효과가 있다.
본 발명은 쇼트키 전극을 매립시켜 구현할 수 있는 고속 수광소자에 관한 것이다. 본 발명의 수광소자는 매립된 쇼트키 전극을 공통적으로 가지는 소자로 종래의 수광소자보다 개선된 특성을 가진다. 본 발명의 소자는 쇼트키 다이오드를 형성하는 전극이 n-GaAs층 아래에 묻혀있으므로 기존의 수광소자에 비해 면적의 활용도가 높은 장점을 가지며, 쇼트키 접합을 이용하므로 기생용량이 적어서 고속특성이 기대된다. AlGaAs층은 본 발명의 소자의 수광부분을 되도록 전극 가까이에 두고 표면에서의 전자 전공의 손실을 줄이기 위한 것이다. 이와 같은 본 발명의 금속-반도체-금속 수광소자의 특성을 열거하면 다음과 같다. 첫째, GaAs층에 묻힌 쇼트키 전극을 가지므로 소광소자의 면적 이용률이 높다. 출째, 종래의 기술에서와 같이 쇼트키 전극에서 오는 적은 기생용량으로 고속동작이 가능하다. 셋째, 종래의 기술에서와 같이, 반절연성 GaAs기판을 사용하므로 다른 소자와의 집적화가 가능하다. 이상의 점으로 반절연성 기판 위에 MESFET와 집적화한 고속 수광소자와 전자소자와의 광전 집적회로가 가능하다.
본 발명은 반도체 레이저 다이오드 제작시 에피택시(Epitaxy) 공정자체 내에서 자연적으로 45。거울반사면을 형성시킬 수 있게 한 선택적 에패택시법에 의한 표면방출형 AlGaAs/GaAs 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것이다. 에피택시 공정 중 결정적층의 마스크를 이용하여 레이저 다이오드 형성부분과 45。거울반사면 형성부분을 정의하고, 그 정의 부분에만 선택적으로 AlGaAs/GaAs층을 적층하여 2개의 반도체 레이저와 1개의 45。거울반사면을 기본단위로 표면방출형 레이저 다이오드를 제작할 수 있다. 본 발명은 반도체 레이저 제작시 에피택시 공정자체 내에서 자연적으로 45。거울반사면을 형성시켜 표면방출형 레이저 다이오드를 제작하게 되므로 고가의 화학식각 장비가 필요하지 않게 되고, 제조공정이 간단해져 생산성이 향상됨과 아울러 대량생산이 가능해지고, 또 45。거울반사면의 반사성이 양호해지는 효과가 있다.
LPE 장비의 melt back 기술을 이용하여 제작된 마이크로렌즈를 발광 다이오드, 반도체 레이저 및 수광소자에 응용하였다.본 발명의 발광소자에 있어서 광출력과 양자 효율을 증대시킬 수 있으므로 발광다이오드나 레이저 다이오드의 광 특성을 향상 시킬수 있고, 수광소자에서는 렌즈의 집적에 의해 수광효율을 증대 시킬수 있다.
띠모양의 반도체 레이저 구조에 관한 것으로 특히 광전집적회로에 적합하게 한 지붕형 반사기를 가지는 반도체 레이저 구조에 관한 것이다. 한 쪽 반사면은 비등방성 화학적 식각에 의해 지붕형 반사기로 형성하여 작은 공명기 제작이 용이하고 단파장 레이저 제작이 용이한 레이저 구조를 창안한 것이다.이것은 종래의 띠모양 반도체 레이저와 유사한 전기적,광학적 특성을 갖게 되고, 이에 따라 종래의 레이저와 상호교환사용이 쉽게되고, 이론상 100%정도의 높은 반사율을 갖게된다.공정이 매우 쉬우며 제작단가가 저렴하고 높은 수율을 가지며, 두반사기중 한쪽을 자르지 않고, 화학적 식각에 의해 제작하기 때문에 반사기 위치를 자유로이 선택할 수 있고, 이에 따라 작은 공명기 제작이 용이하여 단파장 레이저 제작이 수월하게 된다. 또한 이 특성에 의해서, 동작개시 전류가 낮게되어 열발생이 적게되고 많은 여유면적을 제공하므로, 광전집적회로 제작에 적합하게 된다. 또한 반사기가 어레이 형태로 배열된 경우에는 필라멘테이션의 유도와 안정화를 꾀하여 복사특성의 향상이 가능하게 되는 효과가 있다.