일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술은 결정 물질의 단면을 제공하는데 있어서, 실질적으로 원자단위 정도로의 부드러운 표면을 제공이 가능토록 하는 단면 형성 기술에 관한 것이다. 따라서, 번 기술은 서브미크론 차원의 반도체, 집적회로 및 소자의 도핑 및 전기적 밀도의 측정을 개선하는 것이다. 본 발명은 sub-0.1 미크론의 트랜지스터에 대한 보다 소형화된 디자인룰의 개발에 이용될 수 있어 트랜지스터의 성능을 개선시킨다. 또한 스캐닝 정전용량의 미가공 데이터를 새로운 샘플 준비로 얻을 수 있는 고분해능에 적합한 전기 캐리어 분포의 정확한 표현으로 풀어내는 방법을 제공한다.1. 샘플의 오리지날 표면을 제쳐두고 왜곡이 없는 매끈한 측정면을 저장하므로써, sub-0.1 미크론 소자의 설계 및 테스트를 가능하게 하는 2D 전기 캐리어 프로파일를 허용.2. 웨이퍼 레벨에서의 비파괴 측정.3. 특정 소자의 선택 및 소자의 원하는 부분의 선택 가능 표준 시험장비를 사용하여 쉽게 구현.4. SCM(Scanning Capacitance Microscopy), STM(Scanning Tunneling Microscopy) 및 기타 분석 샘플 제공.5. sub-0.1 미크론의 최소 배선폭 소자에서 전기적 성질의 정밀한 측정 가능6․ sub-0.1 미크론 소자용의 새로운 마스크/리소그래피 디자인룰 및 이온주입 파라미터의 개발 가능
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- (주)피앤아이비
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- 2005-07-20
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 반도체 제조 방법에 관한 것으로, 결정 결함을 감소시켜 스트레스 감소에 따른 반도체 소자의 신뢰도를 향상시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 기술은 고밀도 MOS/바이폴라 소자용의 반도체 기판 위에 STI(shallow trench isolation)을 형성할 때, 전위의 형성을 최소화하기 위한 새로운 제조방법을 제시 하고 있다. 약 0.25 미크론 이하의 사이즈에서, 결정결함은 물론이고 전위를 발생하는 응력은 소자의 동작 및 신뢰도에 중요한 역할을 한다. 또한, 이 방법은 반도체 기판의 표면 위에 금속 실리사이드를 형성하므로써 결정결함을 감소한다.1. 고밀도 소자 특성의 통계학적 의미의 분산 또는 분포의 최소화.2. 표준 제조법을 사용하여 구현 가능3. 전위를 감소하기 위해서 950℃ 내지 1055℃ 사이의 온도와 약 10-4 이하의 O2 분압을 가진 N2 대기압 하에서 반도체 기판을 어닐링. 4. 금속이 메탈 실리리사이드를 형성하기 위해서 절연물 위에 증착되는 반도체 제조에서 결정결함을 감소하기 위한 방법을 제공.5. 반도체 기판 위에 STI(shallow trench isolation)을 형성할 때, 전위의 형성을 최소화하기 위한 새로운 제조방법을 제시.
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전기·전자 > 광전자
본 기술은 서브-미크론의 최소배선폭을 가지며 투명물질 내에서 2차원 또는 3차원 정보를 포함하는 이미지(패턴)를 기록하거나 독출하는 데 필요한 방법 및 장치를 제공한다. 주변의 물질에 손상을 주지 않고, (100 펨토초의) 초고속 레이저를 이용하여 물질의 굴절률의 국지적 고대비적 변화를 야기시킨다. 기존의 레이저 가공 기술은 나노초의 광 펄스를 이용하여 표면에서 물질을 제거하였으며, 이러한 펄스는 투명물질 내에서 고분해능 특성을 제공할 수 없었다. 그러나, 본 기술에 따른 방법은, 물질에서 균열이 없는 일정한 형상의 구조를 형성할 수 있으며 (IR에서 UV까지) 어떠한 파장도 사용가능하며 정보가 물질 내에 2차원 또는 3차원으로 기록할 수 있다.본 기술은 서브-미크론의 최소배선폭을 가지고 있으며 투명물질 내에서 2차원이나 3차원 정보를 포함하는 이미지(패턴)를 기록 또는 독출하는 데 필요한 방법 및 장치에 관한 것이다. 특히, 본 기술에 따른 방법은 디지털 정보의 영구 저장장치에 사용될 수 있다. 100 테라비트에 이르는 정보를 CD-ROM 크기의 디스크에 저장할 수 있으며, 이 후에 다양한 저가의 현미경을 이용하여 읽어낼 수 있다. 본 기술이 물질 내에서 수행된 미세 기계 가공에 적용하면, 회절격자와 도파관과 같은 광학소자를 제조하는 데 사용될 수 있다.
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- (주)피앤아이비
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- 2005-07-20
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전기·전자 > 소자응용 기술
본 기술은 마이크로 전기기계 시스템(MEMS)와 나노 전기기계 시스템(NEMS)에서 작은 힘을 감지하기 위해 설계된 변형 감지 변환기에 관한 것이다. 변형 감지 변환기는 압전성 반도체 물질로 제조되기 때문에, 압전 저항성 물질로 만들어지는 일반적인 변환기보다 속도와 감도가 높다. 이 변환기는 GaAs/AlGaAs 헤테로구조로 형성되는 전계효과트랜지스터(FET)로 제조된다. 이 전계효과트랜지스터는 캔틸레버 암의 베이스까지 에칭된다. 캔틸레버에 인가된 가변적인 물리적 힘으로 인해 전계효과트랜지스터는 가변적인 변형을 하게되어 압전효과를 야기시킨다. 이러한 효과는 인가된 변형에 대한 전기적 응답을 일으킨다.대부분의 이용 가능한 변형 측정 변환기는 실리콘에 기반을 두고 있다. 실리콘을 이용한반 센서는 대략 1 밀리와트의 동작 전력을 요구함에 따라, 캔틸레버의 크기가 제한되고, 주파수와 이미징 센싱 속도를 제한하게되는 문제점이 있다. 본 기술에 따른 GaAs FET로 제조된 캔틸레버는 10 마이크로와트의 매우 낮은 전력을 소모하기 때문에 3×2×0.129 μ3 정도로 매우 작게 축소할 수 있다. 이러한 작은 크기로 인해, 캔틸레버는 높은 공명 주파수(11MHz)에서 동작하게 되어 고속으로 스캔할 수 있다.
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- 2005-07-20
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전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
본 기술은 주변 공기에서 미립자 질산염을 연속적으로 모니터링 할 수 있는 효과적인 미립자 질산염의 연속 측정 방법을 제공한다. 본 기술에 따른 방법은 기존의 일반적인 측정방법보다 우수하며 인시츄(in situ) 방식으로 직접적이며, 정량적이고, 실시간으로 측정할 수 있는 장점을 지니고 있다. 또한, 본 기술은 가장 민감하고 상업적으로 구현 가능한 요소를 이용하여, 평균 한 시간 동안 정량 가능한 하한치인 0.26 μg/m3의 질산염을 측정하여 그에 따른 정보를 획득할 수 있는 장점이 있다.본 기술은 미립자 질산염을 연속적으로 측정할 수 있는 방법에 관한 것이다. 통상적으로, 필터들을 이용하는 기존의 통합 방법들을 이용한 측정은 미립자 질산염의 증발과 관련된 잠재 손실(potential loss)이 발생할 수 있는 문제점이 있다. 본 기술에 따른 방법에 의해 채용되는 기술은 그와 같은 손실을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 질산 증기에 대한 감도를 상당히 증대시킨다. 또한, 이러한 기술은 화학발광(chemiluminescent) 모니터 검출기의 기준선 표류를 어드레싱함으로써 장시간에 걸친 측정에 있어서도 측정 감도를 향상시킬 수 있다.
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- 2005-07-20
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전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
본 기술에 따른 가스 샘플에서 주변 미립자 질량의 연속적인 모니터링 방법과 장치는, PM10(10um 이상인 미립자 물질)과 코스 입자(2.5-10um)의 모니터링과, 입자들의 크기 분포의 판정과, 입자 밀도의 결정과, 입자가 속박된 물의 판정과, 관성 임팩터, 가상 임팩터, 확산 건조기, HEPA 필터, 입자 물질 집진기와 압력 트랜듀서와 같은 실험실 기기의 이용을 포함한다. 본 기술은 입자크기의 함수로서 주변 미립자의 질량농도를 측정하는 CAMM(Continuous Ambient Mass Monitor)를 제공한다. 수정된 CAMM(MCAMM)은 10um(PM10) 이하의 입자의 크기 분포를 동시에 측정한다.공기 샘플은 먼저 기존의 가상 임팩터 시스템을 통해 끌어내어 입자들을 공기역학적 지름에 있어서 >=0.15; >=0.3; >=0.6, >=1; >=2.5; 2.5-5.0; 및 2.5-10um 크기의 범위를 가지는 채널들로 분류한다. 각각의 크기는 공기 샘플의 상대습도를 40%로 감소시키는 확산 건조기를 통과시킴으로써, 입자가 구속된 물을 제거한다. 각 채널은 Nucleopore 박막필터 테이프를 가지고 있다. 단위 시간 당 각 필터 테이프 사이의 압력강하는 7개의 크기 범위 각각에 대한 질량 농도에 직접적으로 비례한다.
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- 2005-07-20
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 기술은 1-5nm 정도의 작은 지름을 가지는 단층벽 탄소 나노 튜브를 제조하여 원자력 현미경(AFM)의 탐침에 위치시켜 원자크기의 물체를 이미징하는 초감도 탐침을 제공하는 방법에 관한 것이다. 이 합성방법은 화학 기상 증착법(CVD)를 사용하며, 입자 상에 나노 튜브 성장을 촉진시키는 데 철과 같은 금속의 나노 입자들을 이용한다. 철 나노 입자들의 지름은 나노 튜브의 지름을 결정하며, 실리콘 기판 상에 증착된 철 나노 입자들과 탄소원으로서 사용되는 에틸렌 가스와의 충돌을 이용하여, 기판 상에 수직하게 위치하는 지름이 조절된 단층벽 탄소 나노 튜브들을 합성한다. 이러한 나노 튜브들 중 하나를 AFM 프로브를 이용하여 AFM 탐침에 위치시키고 반데발스 힘에 의해 프로브와 결합된다.본 기술에 따른 나노 튜브 팁 최적화 기술은 고 분해능 이미징을 위한 짧은 나노 튜브 팁을 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다. 이러한 나노 튜브 팁은 화학적으로 또는 생물학적으로 민감한 이미징을 위해 필수적인 기능을 할 것이다. 기존의 방법에 있어서 프로브를 나노 튜브에 위치시키는 작업은 지루하고 시간이 많이 소비되는 미세한 조작을 필요로 하며, 수율 또한 낮는 등, 문제점이 다수 존재하였다. 이러한 문제점을 해결하고자, 본 기술은 단층벽 탄소 나노 튜브가 장착된 AFM 프로브를 생성하는 방법을 제공한다.
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- 2005-07-20
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전기·전자 > 기타 전자요소 기술
본 기술은 기류에서 입자들을 분류하여 제거하기 위한 장치에 관한 것으로써, 직경이 0.1 마이크로미터인 문턱크기를 가지는 가상 임팩터를 제공한다. 이 가상 임팩터는 실제 기류 유속으로 동작하며 기류의 가스 성분으로부터 기류의 모든 입자를 분류한다. 공기역학적 크기에 근거한 입자 분류는 사이클론, 원심분리기, 임팩터 등을 이용하여 이루어진다. 원심분리기와 임팩터가 입자포획에 널리 사용되지만 입자 바운스, 포획된 입자의 기류로의 재진입, 임팩터 단계 사이의 장벽 손실 등 문제점이 있다.본 기술은 소정의 크기를 가지는 입자를 제거하기 위한 방법에 관한 것으로 일반적으로, 입자를 포함한 공기의 분사는 포획 프로브가 위치한 하류로 가속되어 가속 노즐과 프로브 사이에 작은 간격이 존재하게 된다. 이 작은 간격을 통해 기류의 대부분이 편향되도록 진공이 가해진다. 커트 포인트로 알려진 임계크기보다 큰 입자들은 충분한 운동량을 가지게 되어 편향된 유선을 가로질러 포획 프로브로 진입하는 반면, 작은 입자들은 편향된 기류를 따라간다. 한편, 더 큰 입자들은 기류 중에서 적은 부분에 인가된 진공의 크기에 따라 포획 프로브로부터 제거된다.
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- 2005-07-20
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전기·전자 > 전자부품
본 기술은 희토류 금속이 도핑된 섬유 레이저의 주파수 변환에 의해 매우 높은 전력 레벨에서 가변 자외선 방사를 신뢰성있게 생성하는 레이저 시스템을 제공한다. 이러한 고체 레이저의 높은 출력은 장시간동안 깨끗하고 대칭적이며 안정적인 단일 선형 편광이다. 매우 좁은 범위에서도 파장을 연속적으로 변경할 수 있으며 선폭도 쉽게 조절할 수 있다. 20와트 이하의 전력을 소모하며 이득저장매체에 100 마이크로 주울 이상을 저장할 수 있다. 무게는 20 파운드 이하이며 1평방피트 이하의 공간을 차지하며 저가로 제조할 수 있다.원격측정과 인시츄 측정을 요구하는 현재 레이저 시스템은 일반적으로 중간 적외선과 근접 적외선 스펙트럼 영역에서 방사를 얻을 수 있다. 소형의 다이오드 레이저가 자외선 방사를 할 수 있지만, 출력전력이 낮으며 파장범위가 제한되어 있다. 가변의 협대역 자외선 방사를 요구하는 응용분야는 색소 레이저와 광학 증폭기의 비선형 주파수 변환에 의존한다. 본 기술에 의한 레이저 시스템은 이러한 크기, 무게, 전력소모, 복잡성 및 단가로 인하여 응용에 제한을 해결할 수 있으며, 냉각없이 광범위한 온도에 걸쳐 동작할 수 있는 가볍고 소형인 자외선 공급원을 제공할 수 있다.
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- (주)피앤아이비
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- 2005-07-20
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전기·전자 > 광전자
본 기술은 두 유체 사이의 인터페이스에 의해 정의되는 반사면의 기하학적 형상을 조절함으로써 빔경로를 변화시키는 유체 전광스위치에 관한 것이다. 일반적으로 전광스위치는 도전성 폴리머와 유체를 이용하기 때문에 변형거울이라고도 한다. 이 장치의 동작에서의 특징은 가변적인 반사면을 정의하는 제1유체와 제2유체 사이에 존재하는 인터페이스에 있다. 제2유체에 전계를 인가함으로써, 입사각의 범위에 대하여 하나 또는 그 이상의 방향으로 빔의 방향을 변경할 정도로 기하학적 형상이 충분히 변한다는 것이다.본 기술의 광스위치는 마이크로 메커니컬 구조로서, 미러 또는 다른 방식에 의존하지 않으며 1 밀리초 내에 두 지점 사이의 입사빔의 방향을 변경할 수 있는 효과가 있다. 이 장치는 본질적으로 아날로그 장치이므로 출력 빔은 연속적인 방식으로 조절할 수 있는 장점이 있다. 또한, 본 기술에 따른 스위치는 단일의 입력을 다수의 출력으로 스위칭하는 1:n 스위칭 인터페이스를 포함하여 많은 응용분야에 적합한 장치이다. 그리고, 작은 정전압으로 연장된 주기동안 일정한 광변위를 유지할 수 있다.
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- (주)피앤아이비
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- 2005-07-20
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전기·전자 > 광전자
본 기술은 데이터 저장 장치와 나노 제로그래피와 같은 소정의 특정 패턴들로 다른 물질을 수용하는 표면을 제공하는데 사용된다. 마이크로콘택 프린팅 스탬의 변형체가 일렉트렉트 기판 상에 전하 패턴을 형성한다. 본 기술은 20초 이내에 110 나노미터 내지 100 마이크로미터 크키의 다수의 전하로 1평방센티미터의 영역의 기판을 덮음으로써, 광학 컴팩트 디스크보다 140배 이상 큰 7 Gbits/sq.cm에 이르는 면적 밀도를 제공할 수 있다. 이러한 트랩핑된 전하 패턴은 비트들을 기록하거나 소거할 수 있는 장점을 가지고 있는 비활성 디지털 저장 메모리로써 기능을 할 수 있다.본 기술은 20초 이내에 약 100 마이크로미터에서 100 나노 크키의 다수의 전하로 1cm2의 기판을 덮음으로써, 광학 방식을 사용하는 기존의 컴팩트 디스크(CD)보다 140배 이상 큰 면적 밀도를 제공할 수 있음을 특징으로 한다. 이러한 트랩핑된 전하 패턴은 비트들을 기록하거나 소거할 수 있는 장점을 가지고 있는 비활성 디지털 저장 메모리로써 기능을 할 수 있다. 본 기술은 붕소가 도핑된 실리콘 웨이퍼 상에 80 nm의 폴리층(메틸메타아키릴레이트층)을 이루어진 일렉트렉트 표면으로 인하여, 5 Gbits/sq.cm의 밀도에서 150 nm의 지름을 가지는 트랩핑된 전하들이 적어도 3주동안 지속될 수 있다. 본 기술은 또한 기판 상에 패터닝된 전하들이 소정의 패턴으로 단백질과 같은 다른 물질의 형성을 가이드하는 데 사용될 수 있다.
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- (주)피앤아이비
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- 2005-07-20
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술은 우수한 스템 커버리지를 가지는 매우 매끄럽고 일정한 실리카 박막을 형성할 수 있는 효율적인 원자층 증착(ALD) 방법을 제공한다. 마이크로 전자회로가 액티브 소자와 배선 사이의 거리가 감소하면서 집적화됨에 따라, 절연층 역할을 하는 유전체가 그 성능을 유지하도록 형성하는 방법이 요구되고 있다. 본 기술은 1회의 원자층 증착으로 2 - 15 mn 두께의 층을 형성함으로써, 효율을 상당히 증가시킬 수 있으며, 박막을 40:1 이상의 개구율을 가지도록 트랜치와 홀과 같은 구조의 측벽에 컨포멀하게 형성할 수 있다.본 기술은 모든 IC에 적용할 수 있는 유용한 기술로서, 마이크로 전자회로에서 트랜지스터간의 트랜치 절연을 채우는 공정, 반도체 메모리에서 깊은 트랜치 커패시터의 칼라를 절연시키는 공정, 마이크로 전자장치에서 금속배선간의 절연을 형성하는 공정, 전자장치에 있어서 낮은 k의 반 다공성 절연층을 밀봉하는 공정, 평면 도파관, 다중화기/역다중화기, 마이크로 전기기계 구조(MEMS), 다층 광학 필터, 확산, 산화 또는 부식 방지막의 형성공정 등과 같이 많은 전자장치의 생산에 사용될 수 있다.
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- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2005-07-20
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 기술은 적어도 수 제곱센티미터의 넓은 영역에 간단하고 반복적인 마이크로 패턴을 저가로 생산할 수 있는 리소그래피 기술을 제공한다. 마이크로미터의 렌즈들의 어레이를 사용하여 렌즈 어레이로부터 마이크로미터 거리 내에 위치하는 영상면에 광학 패턴 어레이를 생성한다. 영상면에 위치한 포토레지스트층은 패턴들을 기록한다. 서로 다른 크기와 모양, 서로 다른 성분과 굴절률을 가지는 마이크로렌즈들은 해당 패턴을 노광 및 현상된 포토레지스트에 생성한다. 마이크로렌즈 어레이를 포함하는 다른 형태의 광학 소자들은 한번의 노광으로 넓은 영역에 균일한 마이크로 패턴들을 생성하도록 제조된다.본 기술은 렌즈 어레이를 사용하여 렌즈 어레이로부터 마이크로미터 거리 내에 위치하는 영상면에 광학 패턴 어레이를 생성하고, 영상면에 위치한 포토레지스트층은 패턴들을 기록할 수 있도록 하며, 서로 다른 크기와 모양, 성분 및, 굴절률을 가지는 마이크로렌즈들을 이용하여 해당 패턴을 노광 및 현상된 포토레지스트에 생성하도록 한 것을 특징으로 한다. 본 기술에 의해 생성된 2차원의 마이크로 패턴 어레이는 주파수 선택 표면, 평판 디스플레이, 칼러 필터, 격자, 메모리 장치, 센서 어레이 및 바이오칩과 같은 간단하고 반복적인 어레이를 필요로 하는 응용분야에서 유용하게 사용될 수 있다. 본 기술은 기존의 포토리소그래피 기술에 비해 간단하면서도 저가인 것이 특징이다.
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- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2005-07-20
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 기술은 약 0.5 원자퍼센트 내지 약 1.5 원자퍼센트 범위의 평균 농도를 가지는 황 유입으로 도핑된 표면층을 가지는 실리콘 광검출기에 관한 것이다. 표면층은 기판의 하부와 다이오드 접합을 형성한다. 많은 전기적 접촉으로 인하여 접합부분에 역바이어스 전압이 인가되어 표면층의 발광에 응답하여 전기적 신호 예를 들어 광전류가 발생된다. 광검출기는 약 250 nm 내지 약 1050 nm 범위의 입사 파장에 대해 약 1 A/W 보다 큰 반응도를 보이며, 더 긴 파장 예를 들어 약 3.5 미크론에 대해서는 약 0.1 A/W 보다 큰 반응도를 보인다.일반적으로, 반도체 회로는 낮은 가격으로 제공되고 쉽게 산화될 수 있는 실리콘을 이용하여 생산되고 있다. 1.05 eV의 밴드갭으로 인하여 실리콘은 가시광선의 검출에 적합하며 태양광을 전기로 변화시키는 데 적합하지만, 무선통신에 사용되는 적외선 방출과 같은 긴 파장을 가지는 광선을 검출하는 데에는 적합하지 않은 문제점을 가지고 있다. 본 기술은 결정 실리콘의 밴드갭 이상의 파장에서 향상된 광흡수 특성을 가지며 광범위한 파장에서 광선을 검출하는 데 향상된 반응 성능을 가지는 광검출기를 특징으로 한다.
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- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2005-07-20
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
카본 나노 튜브(CNT)는 독특한 전기적 기계적 특성에 대한 많은 연구가 진행되어 왔으며 새로운 나노 스케일 전기회로에서 기초로써 제안되어왔다. 본 기술은 카본 나노 튜브를 회로에 우수한 전기적 접촉으로 장착하도록 하는 방법에 관한 것이다. 미리 선택한 방향으로 단일 벽형태 또는 다중 벽형태로 현대의 반도체 제조 기술과 호환가능한 모든 방법으로 미리 선택한 위치 사이에 탄소 나노 튜브를 성장할 수 있다. 주요 기술은 기상 증착공정을 통해 기판상에 (금속성인 철과 같은) 촉매층을 형성하고 기존의 리소그래피 기술을 이용하여 촉매층을 패터닝하는 것이다.본 기술은 카본 나노 튜브를 우수한 전기적 접촉 특성을 가지면서 회로에 장착할 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다. 특히, 기상 증착공정을 통해 회로 기판상에 (금속성인 철과 같은) 촉매층을 형성하고 리소그래피 기술을 이용하여 촉매층을 형성하는 것데 특징이 있다. 본 기술은 간극이 촉매 영역에 존재하는 경우의 장치 제조에 가장 유용하게 사용될 수 있다. 촉매층의 두께는 단일 벽형 탄소 나노 튜브를 형성할지 다중 벽형 탄소 나노 튜브를 형성할지를 제어한다. 전계는 성장을 관리하는데 사용될 수 있다. 본 기술은 기판상에 탄소 나노 튜브를 성장시키고 간극 위에 부유하는 탄소 나노 튜브를 제조하는 방법을 제공한다.
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- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2005-07-20
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술은 나노 튜브 (옵토) 전자회로를 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 실리콘 카바이드 웨이퍼 상에서 성장되고 임의의 기판 상으로 트랜스퍼되는 (스탬핑되는) 카본 나노 튜브 회로를 제조하기 위한 방법을 제공한다. 동일한 또는 다른 기판 상에서 동일한 마스터 실리콘 카바이드 웨이퍼를 이용하여 상기 제조방법을 여러 번 반복할 수 있다. 그라펜의 이중층 스트립을 패터닝된 실리콘 카바이드 웨이퍼 상에서 성장시키며, 에지를 나노튜브 및 접합에 자동 퓨징하고, 카본 나노 튜브들을 기판으로 트랜스퍼한다. 카본은 약한 결합인 반데발스 결합되어 복잡한 에칭 단계없이도 쉽게 트랜스퍼된다.일반적으로 접합, 트랜지스터 및 로직 장치를 만들기 위해서는, 나노 튜브의 카이랄리티(chirality) 및/또는 직경이 국지적으로 변경되어야하는데, 본 기술은 이러한 문제점을 해결할 수 있는 장점이 있다. 통상, 접촉 크기와 공진 문제점을 해결하기 위하여, 모든 나노 튜브가 이물질 없이 상호 연결되어야 한다. 또한, 웨이퍼 스케일 집적화를 위해 나노미터 분해능을 가지는 고속의 리소그래피 공정이 필요하다. 그리고, 밀도와 속도를 유지하면서 복잡한 로직 회로를 위하여 3차원 나노 튜브의 상호연결을 필요로 한다. 본 기술은 상술한 필요성을 충족시킬 수 있는 전자회로 제조 방법을 특징으로 한다.
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- 2005-07-20
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술은 마이크로 스케일 및 나노 스케일의 자기 구조를 간단하고 저가로 제조할 수 있는 방법을 제공한다. 이러한 마이크로구조는 마이크로 전기기계 장치(MEMS: microelectromechanical device)에 응용할 수 있다. 기존의 기술은 자기 구조를 MEMS에 적용하기 어려웠다. 마이크로구조는 분산된 자기 나노 입자들에 의해 만들어진 본질적으로는 중합체이다. 이러한 마이크로구조는 조정되는 매체인 하부 기판보다 포토레지스터인 것을 점을 제외하고는 표준 포토리소그래피 기술을 이용하는 분산된 나노 입자들을 포함하는 포토레지스터로 만들어진다.일반적으로 자기 구조를 MEMS에 적용하기란 매우 용이하지 않은 문제점이 있었다. 마이크로구조는 분산된 자기 나노 입자들에 의해 형성된 중합체이다. 이러한 마이크로구조는 표준 포토리소그래피 기술을 이용하여 포토레지스터로 만들어진다. 본 기술에 의한 자기 나노 입자들은 빛의 파장보다 훨씬 작은 지름을 가지고 있어서 완전하게 광을 변화시키는 레지스터와 구조적으로 안정된 구조를 가짐을 특징으로 한다. 본 기술의 일예로써, 자기 캔틸레버 상의 마이크로 미러들은 외부 자석과 함께 조절 가능하게 이동가능하다. 이러한 기술을 이용하여 마이크로 스케일 및 나노 스케일의 자기 구조를 간단한 공정과 저가로 제조하여 MEMS 장치에 유용하게 적용할 수 있는 장점이 있다.
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- (주)피앤아이비
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- 2005-07-20
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 기술은 나노 스케일의 광통신 회로 소자를 위한 기본적인 네 개의 소자를 제공한다. 첫 번째 소자는 거의 손실이 없는 (약 1dB) 파장보다 더 작은 곡률반경을 가지는 급격한 굴곡부 주변으로 빛을 가이드할 수 있는 액티브 도파관이다. 두 번째 소자는 외부 광원의 사용없이 나노 와이어 도파관으로 빛을 국부적으로 주사하는 장치이다. 특히, 나노 와이어 도파관과 반대극성의 도핑으로 만들어진 다른 나노 와이어간의 교차점에 형성된 발광 다이오드는 빛을 도파관으로 효율적으로 주사한다. 나머지 두 소자는 나노 스케일 액티브 도파관과 전기광학식 변조 장치에서 한 방향으로만 빛을 통과시키는 전광(all-optical) 다이오드이다. 이러한 네 가지 소자 모두는 밴드갭 파장의 빛을 전송하는 액티브 도파관 역할을 하며 도파관 역할을 하기에 충분히 큰 지름을 가지고 있는 반도체 나노 와이어에 근거하고 있다.본 기술은 실리콘 기반의 마이크로 전자기술에서 속도, 크기 및 전력소모의 한계를 극복할 수 있는 집적화된 광통신 회로에 대한 새로운 가능성을 제시하며, 진보한 통신방식 및 획기적인 컴퓨팅 시스템의 응용을 가능하게하는 방법에 관한 것이다. 또한 본 기술은 액티브 도파관에서 전송되고 있는 빛의 세기는 도파관에 전압을 인가하여 조절할 수 있는 특징을 가지고 있다. 그리고, 본 기술은 나노 스케일 광통신 회로에 새로운 해결방안이 될 수 있을 것이다.
- 보유기관
- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2005-07-20
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기부·나눔 기술
전기·전자
요약 정보가 없습니다.
- 보유기관
- 한국표준과학연구원
- 등록일
- 2021-03-03
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