일반기술
전기·전자 > 영상·음향기기
본 발명은 기판상에 다중벽(쉘/코어) 구조의 나노바늘이 접합된 구조체에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 기판상에 내열성 및 내식각성이 우수한 물질을 바늘형태로 증착 성장시킨 후 바늘 형태의 나노구조체상에 다양한 이종물질을 코팅시켜 제조된 접합구조체는, 물리적, 화학적으로 안정하고, 한쪽 끝의 곡률반경이 수 나노미터 이하로 예리하고 표면적이 넓은 나노바늘을 함유하여 이차전자 방출특성이 매우 우수하므로 PDP용 보호막 재료로서 유리하게 사용될 수 있다.본 발명은 기판상에 다중벽(쉘/코어) 구조의 나노바늘이 접합된 구조체에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 기판상에 내열성 및 내식각성이 우수한 물질을 바늘형태로 증착 성장시킨 후 바늘 형태의 나노구조체상에 다양한 이종물질을 코팅시켜 제조된 접합구조체는, 물리적, 화학적으로 안정하고, 한쪽 끝의 곡률반경이 수 나노미터 이하로 예리하고 표면적이 넓은 나노바늘을 함유하여 이차전자 방출특성이 매우 우수하므로 PDP용 보호막 재료로서 유리하게 사용될 수 있다
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- 2006-06-12
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
*원리 및 개요질화물 반도체의 이종접합 구조체 및 이를 포함하는 나노소자 또는 이들의 어레이에 관한 것이다.*중요성 및 독창성1) 질화물 반도체 박막 위에 수직 성장된 질화물 반도체 나노구조체로 구성됨을 특징으로 하며 나노구조체의 나노접합에 의해 터널링이 쉽게 일어나 발광이 잘 일어나므로 특성이 우수한 발광소자를 구현할 수 있다. 2) 질화갈륨을 이용한 지금까지의 발광소자는 사파이어 기판 위에 질화갈륨 박막이 올라간 구조를 가지고 있어,가격이 비싸고,대량 생산이 어려우며,이들의 효율을 증가시키기 위해 많은 노력이 기울여지고 있다. 따라서,본 기술은 기존의 문제점을 해결하여,터널링이 쉽게 일어나 발광 특성이 우수하여 대량생산이 가능한 새로운 구조의 나노소자를 제공한다.*특징 및 장점1) 박막 형태의 질화물 반도체 위에 수직 성장된 질화물 반도체 나노구조체로 구성되어 있다.2) 질화물 반도체의 박막과 나노구조체는 서로 다른 반도체 유형을 가지며,따라서 본 기술의 반도체 접합체는 p-n형 또는 n-p형의 이종접합체일 수 있다. 3) 질화물 반도체 박막은 기판없이 단결정 형태로 직접 이용될 수도 있고,기판 위에 예를 들면 통상의 유기화학증착법(MOCVD)에 의해 형성시킬 수도 있다. 4) 기판으로는 산화알루미늄(Al 2 O 3 ),실리콘(Si),유리(glass),석영(quartz)또는 실리콘카바이드(SiC)을 사용할 수 있다. 기판을 가열하고 그 위에 상압 이하의 조건에서 질화물의 유기금속 선구체 물질의 증기를 접촉시키는 통상의 유기금속화학증착법에 의해 기판위에 질화물 반도체 박막을 형성할 수 있다.
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- 2006-05-18
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전기·전자 > 전자부품
*원리 및 개요유리 기판 상에 형성된 양극이 있고, 그 양극 상에 형성된 전이 금속층으로 구성된 정공 주입층이 있으며, 그 정공 주입층 상에 형성된 정공 수송층이 있다. 또한 그 정공 수송층 상에 형성된 발광층 및 그 발광층 상에 형성된 음극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드에 관한 것이다.*중요성 및 독창성1) 본 기술의 유기 발광 다이오드는 유리 기판 상에 양극이 형성되어 있고, 그 양극상에 정공 주입층이 형성되어 있다. 그 양극은 ITO막으로 구성할 수 있다. 2) 정공 주입층은 전이 금속층으로 구성할 수 있으며, 전이 금속층의 예로는 Ir,Ru,V,Rh,Ni 또는 Co을 들 수 있다. 3) 그 정공 주입층 상에는 정공 수송층이 형성되어 있고, 그 정공 수송층 상에는 발광층 및 음극이 순차적으로 형성되어 있다. 4) 그 정공 수송층은 α-NPD로 구성할 수 있고, 위의 발광층은 Alq3로 구성할 수 있으며, 위의 음극은 Al막으로 구성할 수 있다. 5) 위의 양극을 형성한 후 그 양극에 산소 플라즈마 처리를 수행할 수도 있다.*특징 및 장점1) 본 기술의 유기 발광 다이오드는 양극인 ITO막과 정공 수송층인 α-NPD 사이에 일함수가 크고 전도성도우수한 전이 금속막으로 정공 주입층이 형성되어 있다. 2) 본 기술의 유기 발광 다이오드는 정공 주입층에 의해 양극과 정공 수송층 사이의 정공 주입 장벽을 낮추어 줌으로써 턴온 전압 및 작동 전압을 낮추고 전자와 정공의 재결합을 증가시켜 내부 양자 효율을 증가시킬 수 있다.
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- 2006-05-18
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전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
본 발명은 질화물계 발광다이오드의 P형 전극에 관한 것으로써, 특히 플립칩구조에서 접촉 저항을 감소시키고, 반사율을 향상시킬 수 있는 P형 전극에 관한 것이다. 본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광소자의 P형 전극은 접촉저항을 낮추는 전극층과, AG의 확산을 방지하는 확산방지층, 그리고, 반사층(AG)이 순차적으로 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.본 발명의 목적은 접촉저항을 낮추고 반사율을 향상시킬 수 있는 질화물계 반도체 발광소자의 p형 전극을 제공함에 있다.상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광소자의 p형 전극은 기판 상에 전극층,확산 방지막층,그리고,반사막층이 순차적으로 적층된 구조를 갖는 다층인 것을 특징으로 한다.일반적인 질화물계 반도체 발광소자는 사파이어 등을 사용한 기판 상에 버퍼층,n형 GaN층,활성층,그리고,p형 GaN층이 순차적으로 적층되어 형성되고,상기 p형 GaN층과 활성층의 일부가 패터닝되어 소정부분 노출된 상기 n형 GaN층과 상기 p형 GaN층 상에 각각 n형 및 p형 전극이 형성된다.본 발명은 Ag를 이용한 플립칩 구조의 질화물계 발광소자의 p형 오믹전극에 관한 것으로 전극층,확산방지막층,그리고 반사막층이 순차적으로 형성되어 p형 반사막 오믹전극)을 완성한다.
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- 2006-06-12
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전기·전자 > 전기전자재료
본 발명은 상온에서 강자성 및 강유전성을 동시에 가지며, 25℃ 이상의 온도에서 자기전기 효과(MAGNETOELECTRIC EFFECT)를 가지는 물질 및 이를 포함하는 전자장치에 관한 것으로, 상기 물질은 하기 화학식 (1) 또는 (2)로 나타내어지는, 상온에서 강자성 및 강유전성을 동시에 가지며, 25℃ 이상의 온도에서 자기전기 효과를 가지고 층상 페롭스카이트 구조를 가진다:BI4-XRXTI3O12 (1)BI4-XRXTI3-YTYO12 (2)상기 식에서 R은 ND, GD, PR, PM, SM, EU, ER, TM, TB, YB, DY, HO, ER, CE, LA, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 란타나이드(LANTHANIDE) 계열의 금속이고, T는 CO, NI, FE, MN, W, V, NB, MO, TA, ZR 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 금속이고, X = 0.1∼4이고, Y = 0.001∼3이다.상기 물질은 상온 강자성과 강유전성을 동시에 가지며, 25℃ 이상의 온도에서 자기전기 효과를 가지므로 스핀트로닉 장치, 초고속 정보 저장 장치, 마그네틱-일렉트릭 센서, 마그네틱 센서, 일렉트릭 센서, 광전자 장치, 마이크로웨이브 전자 장치, 마그네틱-일렉트릭 또는 일렉트릭-마그네틱 트랜스듀서 등의 각종 전자장치에 활용할 수 있다.본 발명은 상온에서 강자성 및 강유전성을 동시에 가지며,25 ℃이상의 온도에서 큰 자기전기 계수(Magnetoelectric coefficient)를 가지는 단일상 페롭스카이트 물질 및 이를 포함하는 전자장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,하기 화학식 (1)또는 (2)로 나타내어지는 강자성 및 강유전성을 동시에 가지고 25 ℃이상의 온도에서 자기전기 효과(Magnetoelectric effect)를 나타내는 층상 페롭스카이트 구조를 가지는 물질을 제공한다:Bi 4-x R x Ti 3 O 12 (1)Bi 4-x R x Ti 3-y T y O 12 (2)
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- 2006-06-12
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전기·전자 > 광전자
본 발명은 기재 상에 일방향으로 나노막대를 성장시켜 나노소재를 형성한 다음, 상기 나노막대의 팁 부위에 나노 형광체를 증착시킴으로써 나노 형광체/나노소재 이종접합구조체를 제조하는 방법 및 그 방법에 의해 제조된 나노 형광체 / 나노 소재 이종접합구조체를 제공한다. 기재 상에 일방향으로 성장된 나노막대를 포함하는 나노소재; 및 상기 나노막대의 팁 부위에 선택적으로 증착된 나노 형광체를 포함하는, 나노 형광체/나노소재 이종접합구조체에 관한 발명이다.상기 기술적 과제를 달성하기 위해서 본 발명에서는,기재 상에 일방향으로 성장된 나노막대를 포함하는 나노소재 및 상기 나노막대의 팁 부위에 선택적으로 증착된 나노 형광체를 포함하는 나노 형광체/나노소재 이종접합구조체가 제공된다.본 발명에서는 또한,기재 상에 일방향으로 나노막대를 성장시켜 나노소재를 형성하는 단계;및 상기 나노막대의 팁 부위에 나노 형광체를 증착시키는 단계를 포함하는,나노 형광체/나노소재 이종접합구조체의 제조방법을 제공한다.본 발명에 따르면,나노소재를 이루는 나노막대의 팁 부위에만 나노 형광체가 선택적으로 증착됨으로써 나노 형광체와 나노소재 사이의 계면이 매우 뚜렷한,나노 형광체/나노소재 이종접합구조체가 제조될 수 있다.또한,산화물,황화물 형광체 및 이들의 배합 증착이 가능하고,상기 이종접합구조체는 발광소자를 비롯한 디스플레이,백색광원,프로브 및 다양한 기록매체에 유용하게 이용될 수 있다.
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- 2006-06-12
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전기·전자 > 전자부품
*원리 및 개요 - 음극 목표물 후방에 장착된 영구자석에 의하여 발생된 자기장을 이용하여 평면 음극에 아크를 균일하게 발생시켜 대면적에 균일한 코팅이 가능하도록 한 음극아크 코팅장치이다. *구성음극아크 코팅장치는, 1) 타겟을 안치하고 절연시키기 위한 타겟 절연부와, 2) 그 타겟을 냉각하기 위한 냉각부와, 3) 그 타겟 표면에 발생된 전자의 이동 경로가 되며, 4) 그 타겟의 상부에 발생된 아크를 안정화하기 위한 보조 양극과, 5) 그 아크가 그 타겟을 벗어나는 것을 차단하기 위한 차폐부와, 6) 그 아크의 운동을 그 타겟의 표면 내부로 제한하고, 7) 그 타겟 표면에 전면에 퍼지도록 안내하는 이동식 영구자석부를 포함한다.*특징 및 장점1) 자기장의 정밀 제어를 통하여 고가의 타겟의 침식율을 증가시키며, 반응성 가스를 챔버 내부로 유입시켜 TiN, CrN, AlN, WC 등과 같은 고기능성 박막을 균일하게 코팅한다.2) 네오디뮴계 영구자석을 이용한 간단한 구조의 이송 가능한 자석부와 금속 음극 형상 설계기술의 조합에 의해 아크의 운동을 금속 음극의 표면 내부로 제한한다.3) 음극 표면의 전면에 퍼지도록 안내하여 고가의 음극 금속의 소모 효율을 70% 이상 증가시킨다.4) 촉발의 위치에 관계없 이 안정한 아크 방전을 유도하여 TiN, CrN, AlN, WC 등과 같은 고기능성 박막을 대면적(지름 800mm, 높이 1,000mm)코팅할 수 있는 대면적 평판 아크 코팅원 제작이 동시에 실현된다.
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- 2006-04-20
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전기·전자 > 전자부품
*원리 및 개요 본 기술은 전계방출 소자에 관한 것으로, 전계방출소자를 수소 플라즈마 처리하여 우수한 전계방출 특성을 갖도록 한 산화아연계 전계방출소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.*중요성 및 독창성1) 산화아연계 나노바늘에 진공 분위기에서 수소 플라즈마 처리를 하여 별도의 형상 변화가 없이도 향상된 전계방출 특성을 나타내는 전계방출 소자를 제공한다.2) 이러한 전계방출 소자를 제조하는 방법을 제공한다.*구성1) 인가된 전기장에 의하여 전자를 방출하는 에미터로서 기판상에 산화아연계 나노바늘을 형성시키는 단계2) 산화아연계 나노바늘이 형성된 기판에 대하여 수소 또는 수소가 함유된 가스를 이용하여 플라즈마 처리를 행하는 단계*특징 및 장점 본 기술에 의하여 제조된 산화아연계 나노바늘은 전계방출 디스플레이의 에미터로 사용될 뿐만 아니라 인가전압에 따른 전계방출 특성 변화를 이용하는 압력소자, 광검출 소자 또는 마이크로파 파워튜브 등의 다양한 용도의 전자 소자에 응용될 수 있다.*효과1) 전계방출 소자로 이용될 수 있는 산화아연계 소재에 진공 분위기에서 수소 플라즈마로 후처리(post-treatment)를 실시하여 기하학적 모양을 바꾸지 않고도 낮은 턴-온(turn-on) 전압과 높은 전계향상계수(field enhancement factor, β)로 대표되는 전계방출 특성의 획기적으로 향상시킬 수 있다.2) 본 기술에 따라 유기금속 화학증착법과 수소 플라즈마 처리를 통해 제조된 산화아연계 나노바늘은 기계적, 열적으로 안정할 뿐만 아니라, 한 쪽 끝이 뾰족하다는 형태상의 특징과 수소 도핑에 의한 전기 전도도 향상으로 인하여 전계방출 특성이 매우 우수하고, 기판 상에 수직 방향으로 균일한 크기로 매우 조밀하게 분포되어 있어 전기적,광학적 특성이 우수한 전계방출 소자에 유리하게 이용될 수 있다.3) 앞으로 차세대 평판 디스플레이인 전계방출 소자 외에도 인가전압에 따른 전계방출 특성 변화를 이용한 압력소자, 광검출 소자, 마이크로파 파워튜브 등의 다양한 용도 디스플레이 산업이나 기타 전계방출을 이용한 장치 개발에 큰 공헌을 할 것으로 기대된다.
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- 2006-05-18
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 발명은 산화아연(ZNO)계 P-N 이종접합(HETEROJUNCTION) 구조체, 이의 제법 및 이를 이용한 소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 P-타입 반도체 박막 위에 N-타입 산화아연계 나노막대를 유기금속 화학증착법(METAL ORGANIC CHEMICAL DEPOSITION, MOCVD)에 의해 수직 방향으로 성장시켜 제조된 P-N 이종접합 구조체는, 발광 다이오드와 같은 반도체 발광소자, 트랜지스터, 광검출 소자, 감지소자 등과 같은 나노 소자 및 이들의 어레이(ARRAY)를 구현하는데 유리하게 이용될 수 있다본 발명의 목적은 상온 및 고온에서 효율이 좋은,새로운 형태의 반도체 발광소자 등에 이용될 수 있는,p-타입 반도체와 n-타입 산화아연계 나노막대의 p-n 이종접합 구조체를 제공하는 것이다.p-타입 반도체 박막 위에 n-타입 산화아연(ZnO)계 나노막대를 유기금속 화학증착법에 의해 수직방향으로 성장시켜 제조된,산화아연계 p-n 이종접합 구조체를 제공한다.또한,본 발명에서는 상기 산화아연계 p-n 이종접합 구조체의 제조방법,및 이를 이용하여 제조된 소자를 제공한다.본 발명은 p-타입 반도체 박막 위에 금속 촉매를 사용하지 않는 유기금속 화학증착법에 의해 n-타입 산화아연계 나노막대를 수직방향으로 성장시킨 p-n 이종접합 구조체를 제공함을 특징으로 한다.
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- 2006-06-12
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 예를 들어 산화아연 반도체 나노막대의 특정 부위에 나노미터 크기의 금속을 선택적으로 증착시키고, 증착된 금속 물질의 일함수와 금속/산화아연의 계면 특성을 적절히 조절해 줌으로써, 접촉저항이 적은 오믹(OHMIC) 전극이나, 정류 특성을 보이는 쇼트키(SCHOTTKY) 전극을 형성시켜 이들 전극을 나노 크기의 쇼트키 다이오드를 포함한 다양한 전자 소자, 광소자 및 이들의 어레이에 적용할 수 있도록 한 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은, 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물에 있어서, 소정의 기재 위에 성장된 반도체 나노막대와; 상기 반도체 나노막대의 소정부위에 증착된 금속;을 포함하고, 상기 나노막대와 상기 금속 사이에서는 일함수 차이와 계면 특성에 따라 접촉 저항이 작은 오믹(OHMIC) 특성 또는 정류특성을 보이는 쇼트키(SCHOTTKY) 특성이 나타나도록 된 것을 특징으로 한다금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물에 있어서, 소정의 기재 위에 성장된 반도체 나노막대;상기 반도체 나노막대의 소정부위에 증착된 금속;을 포함하고, 상기 나노막대와 상기 금속 사이에서는 일함수 차이와 계면 특성에 따라 접촉 저항이 작은 오믹(OHMIC) 특성 또는 정류특성을 보이는 쇼트키(SCHOTTKY) 특성이 나타나도록 되고,상기 반도체 나노막대가 N-타입 반도체로서 상기 금속과 쇼트키 전극을 형성하는 경우, 상기 반도체 나노막대에 증착되는 상기 금속은, 일함수가 상기 반도체 나노막대의 전자 친화도(ELECTRON) 보다 큰 실리사이드 계열 금속이거나 또는 일함수가 상기 반도체 나노막대의 일함수 보다 작은 금속이고,상기 금속이 나노막대의 일함수 보다 작은 금속인 경우, 상기 금속 위에 금(AU) 또는 백금(PT)이 증착되는 것을 특징으로 하는 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물.
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- 2006-06-12
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전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
* 개요 및 목적1) 빛 손실 문제를 해결하여 빛 발산이 향상된 갈륨 나이트라이드계광소자를 제공하고자 한다.2) 빛 발산이 향상되고 공정 수율을 증대시킬 수 있는 갈륨 나이트 라이드계 광소자의 제조방법을 제공한다.3) 갈륨 나이트라이드계 광소자는 반사를 방해하는 층을 만들어 광출력을 높이고, 제조 공정시는 금으로 만들어진 선을 묶을 때 일어날 수 있는 단락에 의한 소자 수율이 떨어지는 것을 막을 수 있다.* 구성 및 특징1) 전기회로가 형성되어 잇는 판에 위에 형성된 n-GaN막과, 2) 이 위에 만들어진 활성층과, 3) 활성층에 형성된 p-GaN막과, 4) n-GaN막 및 p-GaN막 상에 각각 만들어진 n형 전극 및 p형 전극과, 5) 활성층에서 내뿜어진 빛이 반사되지 못하도록 p형 전극 위에 형성된 반사 억제층을 구비6) 반사 억제층은 SiO2층, Si3N4층, 또는 SiOxNy층*효과갈륨 나이트라이드계 광소자는 p-GaN막 상의 p형 전극 위에 반사 억제층을 형성함으로써 광출력을 증가되고, 제조 공정시는 금 와이어 본딩시 일어날 수 있는 단락에 의한 소자 수율 저하를 방지할 수 있다.
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- 2006-05-18
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
갈륨 나이트라이드계 광소자 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 형성된 p형 갈륨나이트라이드층과, 상기 p형 갈륨나이트라이드층 상에 형성된 p형 오믹 전극으로 이루어지되, 상기 p형 오믹 전극은 니켈막, 금막, ITO막이 순차적으로 형성된 삼중막(Ni/Au/ITO막)으로 구성되는 것을 특징으로 한다. 상기 p형 오믹 전극을 구성하는 니켈막 및 금막은 상기 ITO막보다 작은 두께로 구성하는 것이 바람직하다. 본 발명은 갈륨 나이트라이드계 광소자의 p형 오믹 전극으로 Ni/Au/ITO막의 삼중막으로 구성할 경우 Ni/Au막으로 인해 접촉 저항을 낮출 수 있고 투명 전도성 산화물인 ITO막으로 인해 투명성도 높일 수 있고 발광 효율도 높일 수 있다.갈륨 나이트라이드계 광소자 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 형성된 p형 갈륨나이트라이드층과, 상기 p형 갈륨나이트라이드층 상에 형성된 p형 오믹 전극으로 이루어지되, 상기 p형 오믹 전극은 니켈막, 금막, ITO막이 순차적으로 형성된 삼중막(Ni/Au/ITO막)으로 구성되는 것을 특징으로 하며, 기판 상에 P형 갈륨 나이트라이드층을 형성하는 단계; 상기 P형 갈륨 나이트라이드층 상에 니켈막, 금막 및 ITO막이 순차적으로 적층된 금속막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 니켈막, 금막 및 ITO막이 순차적으로 적층된 금속막 패턴을 열처리하여 삼중막(NI/AU/ITO막)으로 P형 오믹 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드계 광소자의 P형 오믹 전극의 제조방법.
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- 2006-06-12
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
*원리 및 개요1) 오믹 전극은 AlGaN 화합물 반도체층 위에 Ta막을 형성하고, Ta막 위에 Al막을 포함하는 적층 구조의 금속층(multi-layered metal layer)을 형성하고, Ta막 및 적층 구조의 금속층이 형성된 결과물을 열처리하는 방법에 의하여 형성된다. 2) 본 기술에 따른 오믹 전극에서는 열처리시 생성된 TaN상에 의하여 향상된 오믹 저항치가 얻어진다. 3) 화합물 반도체층 위에 오믹 전극을 형성하기 위한 구조에 있어서, 화합물 반도체층 위에 접하도록 형성된 TA막과, TA막 위에 형성되고, TI막 및 AL막이 순차 적층된 이중충으로 이루어지는 AL 함유 금속층을 포함한다.*특징 및 장점1) 본 기술에 따른 오믹 전극은 Ta막과, 그 위에 형성된 적층 구조의 금속막으로부터 얻어진다. 2) Ta막 및 적층 구조의 금속막을 열처리함으로써 오믹 특성의 향상에 기여하는 TaN상이 형성되어 오믹 저항치를 향상시킬 수 있다. 3) 본 기술에 따른 오믹 전극은 종래 기술에 따른 오믹 전극 구조 비하여 뛰어난 열적 안정성을 가지며, 우수한 표면 특성을 갖는다. 4) 본 기술에 따른 반도체 소자는 오믹 전극 을 형성하기 위한 오믹 재료로서 Ta막을 사용함으로써 오믹 저항치가 향상될 수 있으며, 열적 안정성이 우수하다. 또한, 표면 특성이 우수한 오믹 전극을 갖춤으로써 소자의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
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- 2006-04-20
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
*원리 및 개요 본 기술은 이리듐(Ir)을 열처리에 의해 산화시켜 형성된 전도성 산화물을 포함하는 게이트 전극을 갖춘 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. *구성 및 독창성1) 기판과, 그 기판 위에 형성된 제1 질화물계 반도체층으로 이루어지는 제1층과, 2) 그 제1층 위에 형성되고 그 제1 질화물계 반도체층과는 다른 격자 상수를 갖는 제2 질화물계 반도체층으로 이루어지는 제2층과, 3) 그 제2층 위에 형성된 소오스 및 드레인 전극과, 4) 그 제2층 위에 형성되고, Ir 함유 물질로 이루어지는 게이트 전극을 포함한다. 5) Ir 함유 물질로 이루어지는 게이트 전극을 형성하기 위하여, 먼저 그 패터닝된 질화물계 반도체층 위에 Ir 함유 금속층을 형성한다. 5) 그 후, 그 Ir 함유 금속층을 열처리한다. 그 Ir 함유 금속층의 열처리는 200 ∼ 600℃의 온도로 행해진다. 그 Ir 함유 금속층의 열처리는 RTP 장치를 이용하여 행해지며, 산소, 질소 또는 아르곤 분위기하에서 행해진다.*특징 및 장점1) 기판 위에 질화물계 반도체층을 형성하는 단계와, 2) 그 질화물계 반도체층을 메사 에칭(MESA ETCHING)에 의해 패터닝하여 소자 분리하는 단계와, 그 패터닝된 질화물계 반도체층 위에 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와, 3) 그 패터닝된 질화물계 반도체층 위에 IR 함유 금속층을 형성하는 단계와, 그 IR 함유 금속층을 열처리하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.*효과1) Ir 게이트 전극 물질을 산화시킴으로써 얻어진 게이트 전극을 갖추고 있다. 이와같이 얻어진 게이트 전극은 높은 쇼트키 장벽 높이를 가지며, 낮은 누설 전류 특성을 가지며, 높은 온도에서도 열적으로 안정된 특성을 가진다. 2) 본 기술에 따른 반도체 소자에서와 같이 Ir을 소자의 게이트 전극으로 사용하면, 쇼트키장벽 높이가 높아져 항복 전압 및 핀치오프(pinch off) 전압이 높아져서, 소자의 증폭 효율 뿐 만 아니라 출력 특성이 큰 폭으로 개선될 수 있다. 3) 본 기술에 따른 반도체 소자를 구성하는 Ir 게이트 전극은 AlGaN/GaN HFET 소자에 특히 적합하게 적용될 수 있으며, 실제로 만족할 만한 수준의 전기적 특성이 얻어지는 것을 확인하였다.4) 본 기술은 위 실시예에 한정되지 않고, 본 기술의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.
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- 2006-04-20
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
*원리 및 개요1) 광소자의 오믹 전극 및 그 제조방법에 관한 것이다. 2) 갈륨나이트라이드계(GaN based) 광소자의 p형 오믹 전극 및 그 제조방법에 관한 것이다.3) 이리듐(주기율표 제8족에 속하는 백금족원소) 산화막 또는 루테늄(주기율표 제8족에 속하는 백금족원소의 하나) 산화막을 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 전기기기나 소자의 쇼트키 맞붙는 층이 된다.4) 이렇게 이리듐 산화막 또는 루테늄 산화막을 쇼트키 접합층으로 사용한 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자는 광학적 투과도가 높아 양자 효율이 높아짐으로 반응도가 향상된다.5) 갈륨나이트라이드계 흡수층과의 경계를 이루는 면에서 형성되는 쇼트키 장벽 높이가 높아 반응도와 반응 속도가 향상되며 잡음을 감소시킬 수 있다. 6) 기본이 되는 판의 위에 형성된 갈륨나이트라이드계 광흡수층은 이 위에서 쇼트키와 접합되고, 이리듐 산화막 또는 루테늄 산화막으로 이루어진 쇼트키 접합층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자외선 검출 소자이다.-쇼트키: 열전자 방출에서 양극의 전위를 높이면 전류가 완전히 포화되지 않고 조금씩 증가 -양자 효율(quantum efficiency) : 물질 중에서 광자 또는 전자가 다른 에너지의 광자 또는 전자로 변환되는 비율*특징 및 장점1) 기본이 되는 판의 윗부분에 형성된 n형 또는 p형의 GaN계 III-V족 화합물 반도체층과, 이 층 윗 부분에 형성된 p형 GaN계 III-V족 화합물 반도체층과 이 위에 형성된다. 2) 팔라듐(Pd)함유층과 니켈(Ni)함유층이 순차적으로 쌓여서 이루어지고, 패턴화된 오믹 전극을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체 소자를 제공한다.3) 낮은 접촉 저항을 가지면서 빛의 투과도가 뛰어나며 열적으로도 안정한 갈륨나이트라이드계(GaN based) 광소자의 p형 오믹 전극을 제공한다.
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
* 배경일반적으로, 갈륨나이트라이드 발광소자에서 p형 오믹 전극은 금막(Au) 상에 니켈막(Ni)을 적층하여 형성한 니켈막(Ni)/금막(Au)을 주로 사용한다. 열처리 후 오믹 전극의 접촉 저항이 약10 -4 Ωcm 2 으로 낮으며, 니켈층이 투명한 니켈산화층(NiO)으로 바뀌게 되어 빛을 쉽게 통과시킬 수 있고 금층(Au)은 전극의 측면 전도도를 증가시킨다. 두께가 10nm의 니켈막/금막 오믹 전극은 300∼500 nm 영역의 빛에 대한 투명도가 약 80%로 뛰어나다. 하지만 니켈막/금막 오믹 전극은 오믹 형성을 위한 고온 열처리시 금(Au)의 내부확산으로 인해 접촉특성이 저하되어 열적 안정성이 좋지 못하고 금층의 측면 분포 또한 균일하지 못하다는 단점이 있다.* 개요 및 목적본 기술은 낮은 접촉 저항을 가지면서 빛의 투과도가 뛰어나며 열적으로도 안정한 갈륨나이트라이드계(GaN based) 광소자의 p형 오믹 전극을 제공하고 제조하였다.*특징기판상에 형성된 P형 갈륨나이트라이드층과 이 사이에 형성된 P형 오믹 전극으로 이루어지되, 이는 루테늄 산화막, 이리듐 산화막 또는 오스미움 산화막으로 구성하는 것을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드계 광소자이다.* 효과갈륨나이트라이드계 광소자의 p형 오믹 전극 및 그 제조방법을 제공한다. 본 기술의 갈륨나이트라이드계 광소자의 p형 오믹 전극은 루테늄막, 이리듐막, 오스미움막과 같은 루타일 구조로 변화되는 금속막 또는 이들의 산화막을 이용하거나, 루테늄막을 기초층으로 하고 루테늄막 상에 니켈막, ITO막 또는 AgO막을 형성한 이중막으로 생긴다. 이렇게 생긴 갈륨나이트라이드계 광소자의 p형 오믹 전극은 p형 갈륨나이트라이드층과 낮은 접촉 저항을 가지면서도 빛의 투과도가 뛰어나며 열적으로도 안정하다.
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- 2006-04-20
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전기·전자 > 전자부품
탐침형 깊은 준위 과도 전기 용량 분광기(deep-level transient spectroscopy)를 제공한다. 본 발명의 일 관점에 따른 장비는 측정될 시료인 전극 패드가 노출된 반도체 소자를 담는 진공조와, 진공조 내에서 반도체 소자를 지지하며 반도체 소자의 온도를 변화시키는 시료 지지부와, 진공조 내로 도입되어 반도체 소자의 전극 패드에 접촉하여 전기적으로 연결되는 탐침과, 시료 지지부의 측면에 잇대어져 온도 변화에 의해서 시료 지지부가 수평 방향으로 열 팽창 또는 수축하는 데 대해 저항하는 힘을 제공하는 수평 지지대, 및 탐침을 통해 반도체 소자의 전극 패드에 전기적으로 연결되어 온도 변화에 따른 시료의 정전 용량 변화를 측정하는 정전 용량 측정기를 포함하여 이루어진다.깊은 준위 과도 전기 용량 분광기에 있어서, 측정될 시료인 전극 패드가 노출된 반도체 소자 칩을 담는 진공조; 상기 진공조 내로 도입되어 전기적 연결을 위해 상기 반도체 소자 칩의 전극 패드에 접촉하는 탐침; 상기 진공조 내에서 상기 반도체 소자 칩을 지지하는 시료 지지부; 상기 시료 지지부의 냉각에 의해 상기 반도체 소자 칩을 77K까지 냉각시키기 위해 상기 시료 지지부에 연결되고 내부에 냉매가 순환되는 냉각부; 상기 시료 지지부의 가열에 의해 상기 반도체 소자 칩을 700K까지 승온시키기 위한 가열부; 상기 냉각 또는 가열에 따른 온도 변화에 의해서 상기 시료 지지부가 수평 방향으로 열 팽창 또는 수축하는 것을 억제하기 위해 상기 시료 지지부의 측면에 잇대어진 수평 지지대; 상기 수평 지지대가 고정되게 지지하기 위해 상기 진공조 내에 고정 설치되어 상기 수평 지지대에 연결된 수평 지지대; 및 상기 탐침을 통해 상기 반도체 소자의 전극 패드에 전기적으로 연결되어 상기 온도 변화에 따른 상기 시료의 정전 용량 변화를 측정하는 정전 용량 측정기를 포함하는 것을 특징으로 하는 탐침형 깊은 준위 과도 전기 용량 분광기.
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- 2006-06-12
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
발명은 Ni/Sb/Au 금속화 공정을 이용한 n-type 실리콘 게르마늄 반도체 기판에서 저 접촉저항 오믹 메탈 전극 구조 및 제조 방법에 관한 것이다. 즉, 본 발명은 실리콘 게르마늄 반도체 기판에서의 메탈 전극 제조에 있어서, 실리콘 게르마늄 층상에 실리콘 캡핑 레이어를 형성하지 않고, Ni/Sb/Au 구조의 금속 전극을 직접 형성한 후, 열처리에 의한 Ni 실리사이드 형성 및 Sb 도핑효과의 결합을 통해 반도체 기판과 메탈 전극간 저 접촉 저항 특성을 구현할 수 있도록 하는 이점이 있다. 또한 상기 저 접촉 저항 특성을 이용하여 소오스와 드레인 전극을 증착하고, 열처리를 통해 오믹 접합을 형성시킨 후, 게이트 전극을 형성하는 일반적인 HEMT 제작 공정과는 반대로 게이트 전극을 소오스 및 드레인 전극 형성전에 형성하므로 폭이 더 미세한 게이트 전극의 형성이 가능하게 되며, 특성의 개선이 용이하게 되는 이점이 있다실리콘 게르마늄 반도체 기판에서의 저 접촉저항 구현을 위한 메탈 전극 구조에 있어서, 실리콘 서브스트레이트와, 상기 실리콘 서브스트레이트층상에 형성되는 실리콘 시드 층과, 상기 실리콘 시드 층상에 형성되는 실리콘 게르마늄 층과, 상기 실리콘 게르마늄 층상에 저항 접촉을 위한 NI 층과, 상기 니켈 층상에 증착되며 니켈 층에의 도펀트 작용을 위한 SB 층과, 상기 안티몬 층상에 증착되어 전극을 연결하는 AU 층 을 포함하는 실리콘 게르마늄 반도체 기판에서 저 저항 메탈전극 구조에 관한 발명이다.
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- 2006-06-12
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 헤테로접합형 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법을 제공하며, 이 제조방법은 기판상에 비도핑된 GaN 반도체층과 AlGaN 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 결과물을 에칭하여 소자를 분리해내는 단계; 상기 단계로부터 얻어진 결과물상에 포토레지스트막 패턴을 형성한 다음, 이를 이용하여 게이트 전극 물질을 증착하여 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 결과물을 표면처리하는 단계; 및 상기 결과물상에 포토레지스트막 패턴을 형성한 다음, 이를 이용하여 오믹 전극용 금속을 증착하여 오믹 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 게이트 전극을 오믹 전극 전에 제작하므로 게이트 전극 형성을 위해 실시되었던 오믹전극 사이에 게이트 전극을 정렬해야 하는 어려움을 극복할 수 있다. 따라서 오믹전극에 의해 유발된 기판의 단차를 없앨 수 있으므로, 게이트 전극 형성을 위한 포토리지스트막 패턴을 더욱 미세하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 게이트 전극의 정렬도를 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에서는 오믹전극 층의 형성 전에 AlGaN 반도체층 표면을 유도결합 플라스마로 표면 처리함으로써 오믹 전극 형성용 금속의 증착 상태에서 오믹 특성이 얻을 수 있어서 열처리과정이 불필요하다. 본 발명의 제조방법에 따라 형성된 AlGaN/GaN HFET 소자는 최대 트랜스컨덕턴스와 최대 드레인 전류가 모두 우수하여 증폭 능력이 양호하다A) 기판상에 비도핑된 GAN 반도체층과 ALGAN 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계; (B) 상기 결과물을 에칭하여 소자를 분리해내는 단계; (C) 상기 (B) 단계로부터 얻어진 결과물상에 포토레지스트막 패턴을 형성한 다음, 이를 이용하여 게이트 전극 물질을 증착하여 게이트 전극을 형성하는 단계; (D) 상기 결과물을 N 2 , AR, CL 2 , BCL 3 , H 2 , HBR, O 2 로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 사용한 유도 결합 플라즈마를 이용하여 표면처리하는 단계; 및 (E) 상기 결과물상에 포토레지스트막 패턴을 형성한 다음, 이를 이용하여 오믹 전극용 금속을 증착하여 오믹 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 헤테로접합형 전계효과 트랜지스터(HFET) 소자의 제조방법.
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- 2006-06-12
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일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
본 발명은 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체 소자는 기판; 상기 기판 상부에 형성된 n형 또는 p형의 GaN계 III-V족 화합물 반도체층과, 상기 GaN계 III-V족 화합물 반도체층 상부에 형성된 p형 GaN계 III-V족 화합물 반도체층; 및 상기 p형 GaN계 III-V족 화합물 반도체층 상부에 형성되며, 팔라듐(Pd) 함유층과 니켈(Ni) 함유층이 순차적으로 적층되어 이루어지고, 패턴화된 오믹 전극;을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 한다. 본 발명의 Pd/Ni 오믹 전극은 열처리시 형성된 NiO가 Pd 갈라이드의 형성을 촉진시켜 GaN계 반도체층과 전극과의 접촉 계면에 갈륨 빈자리(gallium vacancy: VGa)가 생성되면서 접촉 저항이 보다 낮아지며, 계속된 Pd 갈라이드의 생성과 NiO의 확산 방지막으로서의 역할로 인해 전극이 열적으로 안정하다. 따라서 이러한 Pd/Ni 오믹 전극을 채용하면 신뢰성이 개선된 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체 소자를 얻을 수 있게 된다.기판; 상기 기판 상부에 형성된 N형 또는 P형의 GAN계 III-V족 화합물 반도체층과, 상기 GAN계 III-V족 화합물 반도체층 상부에 형성된 P형 GAN계 III-V족 화합물 반도체층; 및 상기 P형 GAN계 III-V족 화합물 반도체층 상부에 형성되며, 팔라듐 갈라이드로 이루어진 팔라듐(PD) 함유층과 니켈 옥사이드로 이루어진 니켈(NI) 함유층이 순차적으로 적층되어 이루어지고, 패턴화된 오믹 전극;을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체 소자.
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- 2006-04-20
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