일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
본 기술은 볼바(Ball-bar)수치제어기의 오차 분석방법에 관한 것이다.일반적으로 공작기계 자체의 부정확한 기하학적 상태로부터 발생하는 오차의 경우는 레이저 간섭계등 다른 측정기로도 측정이 가능하지만, 수치제어기에 의한 구동부의 각 오차를 측정하기는 매우 어려운 문제점이 있다.본 기술은 볼바를 이용하여 측정된 데이터로부터 수치제어기에 기인되는 주요 오차 즉, 백래쉬(back lash), 매스터슬레이브전환 오차, 서보미스매치 오차들을 정량적으로 분리하는 방법과 산출된 각 오차들의 종합길이 오차에 대한 영향을 평가하는 방법을 제공한다.본 기술은 공작기계에 장착된 볼바의 원호보간 운동시에 소정의 각도량마다 볼바의 길이오차를 샘플링하여 볼바의 종합길이오차를 측정하는 제1과정, 가중오차상수가 1인 경우에서의 백래쉬와 매스터슬레이브 전환, 서보미스매치 오차를 산출하는 제2과정, 측정된 종합오차, 제2과정에서 산출된 각 오차에 미지의 가중오차상수를 승산한 합과의 여분값을 산출하는 식을 구하는 제3과정, 여분값이 최소값을 가질 때의 각 오차에 대한 각 가중오차상수를 산출하는 제4과정 및 산출된 가중오차상수를 각 오차인 에러패턴에 승산한여 실질적인 해당 오차값을 산출하는 제5과정으로 이루어진 특징이 있다.본 기술에 의하면 볼바를 이용하여 측정된 종합길이 오차로부터 수치제어기에 기인되는 주요 오차 즉, 백래쉬(back lash), 매스터슬레이브 전환오차, 서보 미스매치 오차들을 정량적으로 분리할 수 있으며, 또한 종합길이 오차로부터 각 에러패턴의 영향을 평가하여 가장 비중이 있는 에러패턴에 대하여 우선적으로 교정이 가능하여 수치제어기의 교정 시간을 대폭 줄일 수 있는 효과가 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-16
상세보기
일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 기술은 ATM 셀 라우팅 소자 집적회로 설계기술에 관한 것으로, ACE64 ATM 교환기 및 ACE256 ATM 교환기의 스위치 장치에 사용되는 RCCI (Routing Control and Controller Integrated) ASIC은 상기 교환기에서 셀 기반 16x16(2.5Gbps) 라우팅 기능을 수행한다. ATM 교환기에 지속적으로 사용하기 위해서, 이미 0.5um CMOS로 제작된 RCCI는 새로운 국내 CMOS 공정과 패키징 기술을 적용하여 상용 제품으로 개발이 가능하다.STM-1포트 16×16 스위치(2.5gBPS) 라우팅 제어, 라우팅 헤버 방식의 일대일 라우팅 제어, ID 방식의 멀티캐스팅 제어, 그룹 스위칭 및 Loopback 기능, 16개 출력 포트의 512셀 라우팅 버퍼링, 셀 손실 및 폭주 제어, Back-pressure 정보 제공, 범용 32 bits Microprocessor 정합 제공, On-line 고장 감지 기능 및 각 기능 고장 위치 파악 정보 제공등의 특징이 있다.
- 보유기관
- 한국전자통신연구원
- 등록일
- 2001-05-17
상세보기
일반기술
전기·전자 > 영상·음향기기
본 기술은 음상정위 알고리듬, 음장제어 알고리듬, 크로스토크 제거 알고리듬을 위한 DSP Source를 이용한 4 chip (TMS320C40) 입체음향 제어 시스템에 관한 기술로 디지털 방송과 사운드카드, 게임기등 각종 CD-Title과 PC기반의 각종 디지털 컨텐트를 지원할 수 있는 기술이다.본 기술은 입체음향을 음상정위기술과 음장제어기술, 크로스토크제거기술를 이용하여 생성하는 기술로 Mono sound를 Left channel에는 Reverberation Unit이 Right channel에는 Convolution Unit이 동작하고 Crosstalk cancellation UNIT을 거쳐 3D sound가 생성되며 음상정위를 위한 HRTF DB가 제공되어 입체음향을 생성하는 기술이다.
- 보유기관
- 한국전자통신연구원
- 등록일
- 2001-06-25
상세보기
일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 기술은 SiGe HBT 소자의 설계, 제작, 측정, 파라미터추출과 관련한 제반 기술에 관한 것으로, 하나의 RPCVD 시스템으로 콜렉터, 베이스, 에미터를 증착하고, SiGe-Si 이종접합 베이스와, IDP(In-situ Doped Poly) 에미터와 자기정렬 Ti-실리사이드, MOS 구조로 구성한다. SiGe HBT 소자의 사양은 1. ft > 25 GHz (on wafer) 2. fmax > 25 GHz (on wafer) 3. 전류이득 > 100 4. 포화 콜렉터 전류 < 100 mA 5. Early voltage > 50 V 6. 항복전압(BVceo) > 3.0 V 으로 한다.본 기술은 화합물 반도체에 비하여 생산단가가 저렴하며, 임계주파수, Early 전압 등 독작특성에 탁월하며, 저항이 낮고, 에미터-베이스 접합특성이 우수하며, 베이스의 저항이 낮고 균일성이 높으며, 공정이 간단하여 생산 단가가 더욱 저렴하며, 기존 실리콘 MOS 라인에서 쉽게 양산화가 가능하다.
- 보유기관
- 한국전자통신연구원
- 등록일
- 2001-05-17
상세보기
일반기술
전기·전자 > 표시소자
본 기술은 Display 장치 자동 시각검사 기술에 관한 것이다.본 기술은 영상처리 기술을 이용한 디스플레이 장치 표면 자동검사 기술로 디스플레이 장치 표면의 휘도 자동측정 및 검사 기술과, 디스플레이 장치 표면의 얼룩 및 dot 자동 검출 기술과, 영상 전처리 모듈, 영상 분할 및 라벨링 모듈, 영상 특징추출 모듈등 자동검사용 영상처리 모듈과, 영상처리 고속화 기술로 구성된다.본 기술에의한 디스플레이 장치 표면의 휘도 자동측정 및 검사 기술은 지정된 지점의 휘도 및 색상, 휘도의 균일성, 휘도의 Profile등을 검사하며, 디스플레이 장치 표면의 얼룩 및 dot 자동검출 기술은 디스플레이 장치 표면의 흑점, 백점, 긁힘 검출과, 배경 격자 모양의 음영 제거, 1픽셀 단위의 결함 해석 기능등으로 이루어진다.본 기술은 박막 트랜지스터, 액정표시장치(TFT LCD등) 디스플레이 제품의 품질 향상 및 원가절감을 통한 국제 경쟁력 향상, 향후 20억불 이상으로 추정되는 비접촉 검사장비의 국제 시장의 선점 및 수많은 제조업에의 응용기술의 파급효과를 기대할 수 있다.
- 보유기관
- 한국전자통신연구원
- 등록일
- 2001-05-17
상세보기
일반기술
전기·전자 > 전력설비
본 기술은 인가되는 전압을 연속적으로 또는 단계적으로 변화시킬 수 있고, 빠른 응답 특성을 갖는 전기 유변성 유체를 이용한 감쇠력 제어계용 이중 궤환형 고속 고전압 전력 공급 장치에 관한 것이다.종래기술에 따른 단일 궤환형 고전압 전력 공급 장치는, 변압기가 전기 유변성 유체를 사용한 장치를 충전시킬 때 동작되어 충전 속도를 증가시키지만, 방전시킬 때 전기 유변성 유체를 사용한 장치에 충전된 전기가 방전되는 시간이 있기 때문에, 방전시간에 큰 영향을 주지 못하여 방전 속도가 충분히 빠르지 못하다는 문제점이 있다.본 기술은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로 전기 유변성 유체를 사용한 장치의 캐패시터성 부하에 충전된 부하의 방전 속도를 충분히 빠르게 함으로써 고전압 전력 증폭기의 공진 시간을 줄일 수 있는 고전압 전력 공급장치를 제공함에 그 목적이 있다.본 기술은 고속으로 입력전압을 500배 ~ 1000배 증폭하여 출력전압을 만들어 내기 위하여 출력전압을 궤환하는 1차 궤환회로로 입력전압과 출력전압 사이의 시간지연을 줄였으며, 전압을 낮출 때 출력전압과 연결된 전기유변성 유체를 이용한 감쇠력 가변형 충격흡수장치에 충전되어 있던 전하를 방전시키는 MOSFET를 이용한 방전용 2차 궤환회로를 구성하여 1차 궤환회로로 줄이지 못하는 전기유변성 유체에 충전된 전하의 방전시간에 의한 시간지연을 줄일 수 있다.본 기술은 전압 증폭용 변압기로 FBT(feedback transfermer)를 사용하여 그 무게와 크기를 현저히 줄여서 이동 및 장착의 편리성이 있다.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-06-21
상세보기
일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 기술은 자발형성된 양자점을 이용하여 상온에서 동작하는 트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.종래 양자점 트랜지스터 제조방법은 양자점을 형성하기 위해 반드시 기판의 일부를 식각하는 식각공정을 사용함으로써, 기판에 손상을 주어 양자점 트랜지스터의 특성을 저하시키는 문제점과 공정단계가 복잡하여 제조 비용이 증가하는 문제점이 있었다.본 기술은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로 식각공정을 사용하지 않고 양자점을 형성할 수 있는 양자점 트랜지스터 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.본 기술은 양자우물(quantum well)의 리소그라피(lithography) 패턴을 이용한 레이저 홀로그래픽 리소그라피 또는 전자선 리소그라피 및 플라즈마식각이나 활성이온식각(reactive ion etching)에 의한 양자점이 아닌, MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition), MBE(molecular beam epitaxy), LPCVD(low pressure chemical vapor deposition)등의 양자점 성장기법에 의해 자발형성된(self-assembled) 반도체 양자점들을 이용하여 트랜지스터를 제작한다.본 기술은 30nm 이하의 간격을 가지는 두 개의 금속전극을 자발적으로 형성된 반도체 양자점에 정렬 및 증착하여 소스와 드레인 전극으로 사용하고, 두 전극 사이의 양자점에서 0.5μm이상 떨어진 지점에 소스 및 게이트를 동시에 증착된 또 다른 금속 전극을 게이트 전극으로 사용함으로서, 기판에 손상을 주는 복잡한 리소그라피 식각등의 공정을 생략할 수 있는 장점이 있다.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-05-23
상세보기
일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 기술은 저장된 데이터를 파과하지 않고 판독해낼 수 있는 비파괴 판독형 불휘발성 기억소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.현재까지 비파괴판독형 FRAM(불휘발성 기억소자)는 1개의 트랜지스터 만으로 정보를 읽고 쓰는 방법과 회로의 구성 및 소자의 구조에 대해 완성된 기술이 없었다.본 기술은 이러한 문제점을 해결하기 위한 형 또는 n형 우물구조의 영역안에 형성된 소오스, 드레인, 강유전체 게이트로 구성된 하나의 트랜지스트를 사용하여 정보를 읽고 쓸수 있는 회로제조기술을 제공함에 그 목적이 있다.본 기술은 기초단위소자의 게이트(Gate)와 p형 우물구조를 정보를 입력 또는 기억시키기 위한 회로를 구성하고, 소오스와 드레인은 데이터를 출력 또는 읽기 위한 회로로 구성하여, 각각 2개씩의 읽기 및 쓰기 단자를 통해 정보를 입출력하는 회로를 포함하도록 한다. 즉, Si기판에 p형 또는 n형 우물구조를 형성시키고, p형 또는 n형 우물구조 내에 소오스와 드레인을 제조한 후 게이트를 구성하도록 제조하여 쓰는 회로와 읽기 회로를 분리하여 트랜지스터들로 구성된 셀구조에서 저장된 정보를 파괴하지 않고 정보의 입출력을 병행할 수 있는 회로기술이다.본 기술은 4개의 단자를 독립적으로 쓰기용 비트라인은 게이트, 쓰기용 워드라인은 우물구조기판, 읽기용 워드라인은 소오스, 읽기용 비트라인은 드레인으로 구성되어 오류없이 1개의 트랜지스터만으로 비파괴적으로 정보를 읽기 및 쓰기를 반복할 수 있는 회로기술로 측면확산을 없애 공정이 용이하고, 고집적화를 이룰 수 있다.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-05-18
상세보기
일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 기술은 양자세선의 폭,두께 및 에너지 갭을 조절할 수 있는 방법에 관한 것이다.종래기술에 의한 양자세선 제작시, 양자세선의 모양이 초승달 모양이 되어 수평방향의 광구속 효율이 떨어지고, 다층의 양자세선 제작하면 위쪽으로 올라갈수록 크기가 달라지는 문제점이 있다.본 기술은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로 사각형 모형의 양자세선을 얻어, 수평방향의 광구속 효율이 증가하는 양자세선 제작방법을 제공함에 그 목적이 있다.본 기술에 의하면 Ga(갈륨) 원자가 Al(알루미늄)원자보다 확산이 잘 되는 특징을 이용하여, V 또는 U 자형 홈이 파진 GaAs 기판 위에 유기금속화학증착법(MOCVD) 방법으로 GaAS/AlGaAs 다층에피층 성장시킴으로써 양자세선의 두께 및 폭을 정확하게 조절할 수 있다.본 기술은 양자구속 효율이 우수한 1차원적 양자구속조건을 형성하며, 양자세선의 폭 및 에너지 갭을 정확하게 조절하므로써, 기존 구조보다 더 우수한 특성을 갖는 양자세선을 제작할 수 있는 특징이 있으며, 양자세선의 두께 및 폭을 자유롭게 조절 할 수 있는 기술을 이용하여 낮은 문턱전류의 레이저 다이오드( low threshold current laser diode)나 낮은 도파 손실의 광도파로(optical wave guide)등의 제작에 응용할 수 있다.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-05-18
상세보기
일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
본 기술은 단순 엑스선 영상을 이용한 골밀도 측정에 관한 것이다. 기존의 골밀도 측정 방법은 X선 사진에 의한 방법과 정량적 골밀도 계측법이 사용되었는데, 육안 판정에 의해 이루어지기 대문에 재현성 및 정확도가 떨어지고 비용이 비싸다는 문제점이 있었다.본 기술은 촬영 비용이 저렴하고 재현성 및 정확도가 향상되고 골밀도 계측용 소프트웨어의 적용이 보다 용이한 골밀도 측정 기술을 제공한다.본 기술은 엑스선 촬영을 통해 실제 해면골의 골량감소 기작을 바탕으로 해면골 골량감소 모델링을 수행하고, 모델링을 바탕으로 엑스선 영상에서 해면골의 골량감소를 측정하는 함수를 작성하고, 이 함수로부터 전체골(피질골+해면골)의 골밀도 정보를 추출하도록 구성된다.단순 엑스선 필름에 나타난 골소주 패턴의 영상처리를 통하여 해당하는 신체부위의 골밀도 계측이 가능하고, 해면골이 잘 발달한 손목(요골 원위부) 및 발뒤꿈치9종골)에서 실제 골밀도와 0.92이상의 강한 상관관계를 제공하고, 정밀한 골밀도 계측 이전의 초보적 골밀도 검사방법을 제공하며, 병원 PACS 시스템 및 디지털 엑스선 촬영장비에 손쉽게 적용가능하다.
- 보유기관
- 한국전자통신연구원
- 등록일
- 2001-06-21
상세보기
일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
본 기술은 CCD카메라의 이미지 포커스 방법에 있어서 곡면윈도우를 사용한 삼차원형상의 측정방법에 관한 것이다.기존의 SFF(Shape from Focus)방법은 카메라의 광학축에 수직인 단순한 평면상의 윈도우에서 초점측정치가 최대가 되는 점을 찾아내어 영상정보를 복원하는 것으로 카메라의 광학축에 수직인 단순한 평면을 사용하기 때문에 실제 FIS(Focused Image Surface) 와 상당한 오차가 생기게 된다.본 기술은 CCD카메라에 있어서 실물표면의 초점거리를 측정하는 방법에 관한 것으로서, 보다 정밀도가 높은 삼차원의 정보를 얻을 수 있다본 기술은 물체의 표면이 굴곡면을 이루고 있을 때 초점거리가 맞지 않는 점들의 영상이 흐리게 되는 것을 최소화 하기위하여 FIS(Focused Image Surface) 개념에 기초한 곡면형윈도우를 구성하여 보다 실물의 형태에 근사한 영상정보를 복원하는데, CCD카메라의 윈도우 상에 규칙적으로 배열된 수개의 점들을 정하고 각 점들에서 대응하는 물체의 점에 해당하는 거리를 감지하여 FIS에 근사한 영상을 얻을 수 있는 곡면윈도우를 이루도록 한다.본 기술에 의하면 정밀하게 측정된 물체의 각 부분의 영상정보를 바탕으로 물체의 모양을 실물에 가깝게 복원할 수있다
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-21
상세보기
일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
최근에는 AlGaAs/GaAs 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)보다 2차원 전자 가스(2-Dimension Electron Gas; 2DEG)의 전하 농도를 더욱 증가시키고 밀리미터파 주파수대역 이상에서도 우수한 동작특성을 갖는 AlGaAs/InGaAs/GaAs계의 이종접합구조를 이용한 부정형 고전자 이동도 트랜지스터(p-HEMT)가 개발되었으며, p-HEMT 구조 중에서도 항복전압과 초고주파 특성을 향상시키기 위하여 도핑이 이루어지지 않은 AlGaAs층에 도우너 불순물이 델타(delta) 또는 플레너(planar) 도핑된 구조를 이용한 p-HEMT도 개발되어 발표되고 있다. 하지만, 이러한 기존의 p-HEMT는 소스 전극 및 드레인 전극과 반도체층 사이의 오믹 접촉 저항 특성을 향상시키기 위하여 GaAs 캡층을 n형의 불순물 이온으로 고농도로 도핑시키므로 인하여 그 제조 공정면에서는 소자의 브레이크다운 전압 특성의 개선을 위한 리세스 에칭 공정이 요구되어 필요한 마스크 수가 증가되는 문제점이 있었다.본 기술에서는 불순물 이온들을 도핑하지 않은 캡층을 사용하면서 소스전극 및 드레인전극과 반도체층 사이의 오믹 접촉저항을 감소시킨 부정형 고전자 이동도 트랜지스터(p-HEMT)를 제조하여 소자의 AC 및 DC 특성을 향상시켰으며 보다 간단하고 적은 마스크막 패턴을 사용하여 소자를 제조하였다.본 기술에 따르면 반절연성의 GaAs 기판상에 GaAs 버퍼층 및 AlGaAs/GaAs 초격자층이 순차 형성된 버퍼층과 불순물 도핑을 하지 않은 진성의 GaAs 캡층을 형성하고, GaAs 캡층상에 소스전극 및 드레인전극이 구비된 Au/Ni/Ge/Au 금속 박막층을 소정 두께로 형성한 p-HEMT를 제조하여 소자의 오믹 접촉저항을 감소시켰다.또한, 반절연성의 GaAs 기판상에 버퍼층, GaAs 스페이서층, InGaAs 채널층, AlGaAs 스페이서층, AlGaAs 도우너층 및 진성의 GaAs 캡층을 순차 형성하고, 진성의 GaAs 캡층상에 Au/Ni/Ge/Au 금속 박막층으로 이루어지는 소스전극 및 드레인전극을 각각 형성한 후, 90%의 질소가스와 10%의 수소가스 분위기에서 300 내지 500℃의 온도에서 열처리하고, AlGaAs 도우너층의 일부 표면이 노출되도록 GaAs 캡층의 일부를 제거한 후 AlGaAs 도우너층의 노출 표면상에 게이트전극을 형성하는 p-HEMT 제조방법을 통해 소자의 브레이크다운 특성을 자체 향상시켜 캡층의 리세스 식각공정을 생략할 수 있게 하였다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-21
상세보기
일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
현재 다양한 분야에서 이종접합구조의 반도체 소자들에 대한 연구 및 개발이 활발하게 진행되고 있는데, 특히 GaAs는 실리콘에 비하여 전자이동도가 약 5배정도 더 빠르며 전자포화속도도 실리콘의 약 2배인 특성을 나타내고 있다. 이와 같은 GaAs를 이용한 반도체 소자로는 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT) 및 비정형 고전자 이동도 트랜지스터(p-HEMT) 등이 있다. 건식 식각방법에 의한 p-HEMT의 GaAs 캡층의 식각방법은 GaAs/AlGaAs 층의 선택성이 우수하다는 장점이 있지만 별도의 반응성 이온 식각 장비를 사용하여야 하며 식각시에 이온들과의 충돌에 의해 AlGaAs 스페이서층의 노출 표면이 손상될 수 있다는 문제가 있다. 또한, 습식 식각방법에 의하면 식각 용액의 식각 균일도가 수 십 ㎚ 이상에 달하고, 동시에 GaAs 캡층의 측면이 식각되는 현상으로 인하여 소자의 전기적 특성 및 균일도가 열악해지는 문제점이 있다.본 기술에서는 구연산과 시트르산칼륨용액을 섞은 용액에 과산화수소를 혼합한 식각용액을 통해 이종접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs를 선택적으로 식각하여 격자결함발생 및 식각불균일 발생을 방지하였고, 이를 이용하여 반절연성의 GaAs 기판상에 다수의 층을 순차 형성하되 AlGaAs 스페이서층의 일부 표면이 노출되게 GaAs 캡층을 식각되게 한 p-HEMT를 제조하여 전기적인 특성의 균일도를 향상시켰다.본 기술에 따르면 습식 식각방법을 사용하여 이종접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs 층을 선택적으로 식각하되, 1몰 농도의 구연산 및 1몰 농도의 시트르산칼륨을 섞은 용액과 과산화수소를 5:1 내지 8:1의 부피비로 혼합한 식각용액을 사용하여 GaAs/AlGaAs막을 선택적으로 식각하는 방법을 통해 건식 식각에서의 이온들에 의한 격자결함 발생 및 습식 식각에서의 식각 불균일 발생의 단점을 해결하였다.또한, 반절연성의 GaAs 기판상에 GaAs 버퍼층, InGaAs 채널층, AlGaAs 스페이서층 및 GaAs 캡층을 순차적으로 형성한 후 GaAs 캡층상에 마스크막 패턴을 형성하고, 이 마스크막 패턴에 의해 GaAs 캡층의 일부 표면을 노출되게 한 개구부를 식각용액에 담궈 AlGaAs 스페이서층의 일부 표면이 노출되도록 GaAs 캡층을 식각하되, 1몰 농도의 구연산 및 1몰 농도의 시트르산칼륨을 섞은 용액과 과산화수소를 5:1 내지 8:1의 부피비로 혼합한 식각용액을 사용하여 p-HEMT이 제조되기 때문에 전기적인 특성이 향상된 p-HEMT를 제조할 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-21
상세보기
일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
무선 통신 서비스를 위한 주파수 대역이 점차 고주파화 됨에 따라 통신용 소자 제작공정은 점차 복잡하고 어려워진다. 특히 고주파 대역의 통신용 증폭소자로 사용되는 부정규형 고정자 이동도 트랜지스터(PHEMT) 소자에서 소오스(source), 게이트(gate), 드레인(drain) 전극 형성 기술은 소자의 전기적 특성 및 주파수 특성을 좌우하는 핵심 공정이다. 기존의 PHETM 소자는 소자 분리를 위한 메사 에칭(mesa etching) 후 소오스, 드레인, 옴 금속을 증착하고 옴 접촉 형성을위한 열처리를 한 후 게이트 전극을 형성함으로써 제작되는데, 이러한 공정에서는 소오스, 드레인 옴전극 형성 후, 단차가 생긴 기판에 미세한 게이트 패턴을 형성해야 하므로 게이트의 미세패턴 형성이 어렵고 공정의 재현성이 떨어지는 문제점이 있었다.본 기술에서는 게이트 전극을 제작한 후에 팔라듐(Pd)과 게르마늄(Ge)을 차례로 증착하고 열처리하여 옴 전극을 형성하는 자기정렬 게이트 트랜지스터 소자를 제조하여 게이트 전극의 정렬도를 향상시키고 게이트 전극 패턴을 더욱 미세하게 형성할 수 있게 하였다.본 기술에 따르면 게이트 전극을 제작하고, 팔라듐을 100 내지 3000Å의 두께로 증착하되 게르마늄을 200 내지 6000Å의 두께로 순차 증착한 후 200 내지 325℃에서 10초 내지 20분 동안 열처리하여 옴 전극을 형성하도록 하였기 때문에 보다 미세한 패턴으로 자가 정렬된 게이트 전극을 갖는 PHEMT 소자를 제조할 수 있고 제조한 PHEMT 소자는 접촉저항 및 주파수 특성이 향상되어 통신용 소자 등에 유용하게 사용할 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-21
상세보기
일반기술
전기·전자 > 영상·음향기기
본 기술은 실시간으로 비디오 이미지 시퀀스의 스테레오 정합을 위한 영상 처리 시스템에 관한 것이다.스테레오 정합(Stereo Maching)은 한쌍의 2차원 이미지로부터 3차원의 공간 정보를 재창출하는 스테레어 비전( Stereo vision) 중심이 되는 프로세스이다.본 기술은 실시간 스테레오 정합이 가능하도록 한다 .본 기술은 제1 및 제2 카메라로부터 입력되는 영상을 디지털 신호로 변환하는 신호 변환수단, 제1 및 제2 디지털 영상신호의 한 스캔 라인의 픽셀 쌍으로부터 정합 코스트를 계산하고 최소의 정합 코스트를 결정하는 결정값을 추적하여 동작 유무를 결정하는 활성 정보에 따라 결정값을 양안차 추정치로 출력하는 영상 정합 수단, 영상 정합 수단의 출력을 디스플레이하기 위한 디스플레이 수단으로 구성된다. 본 기술에 의하면 Bayesian Sense에 최적화된 새로운 동적 프로그래밍에 근거한 알고리즘을 사용하여 비디오 이미지 시퀀스들을 병렬 처리함으로써 실시간으로 스테레오 정합이 가능하도록 한다
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-25
상세보기
일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 기술은 믹서의 변환 이득( conversion gain)의 손실을 줄여 선형성을 높이는 믹서(Gibert cell mixer)의 선형화장치에 관한 것이다.일반적으로 믹서는 입력 RF 신호와 로컬 오실레이터(local oscillator: LO)의 신호의 차(IF: 중간주파수)를 얻기 위한 장치이다.본 기술은 입력 RF신호의 밴드내 저주파 2차의 혼변조성분을 거출하고 이를 증폭하여 RF 신호 증폭용 트랜지스터의 출력단 또는 LO스위칭부의 출력단으로 전방궤환(feed-forward)함으로써 RF 신호를 증폭하는 트랜지스터의 비선형 요소에 의해 발생된 혼변조성분을 제거하여 믹서의 변환이득 또는 잡음 특성의 열화로 인한 선형성을 개선할 수 있다.로컬 오실레이터의 신호에 응답하여 스위칭되는 LO스위칭부와, RF신호에 응답하여 구동되는 구동증폭부와, LO 스위칭부의 로컬 오실레이터 신호와 구동증폭부의 RF신호의 차를 검출하여 중간주파수 신호를 발생하는 IF발생부를 갖는 믹서로서, 구동증폭부에 인가되는 RF신호의 밴드내에서 비선형 저주파 혼변조성분을 검출하는 필터링부와, 필터링부에 의해 검출된 저주파 신호가 소정의 이득과 역위상을 갖도록 증폭하는 저주파 증폭부와, 저주파 증폭부의 증폭된 신호를 구동증폭부의 출력단 또는 LO스위칭부의 출력단으로 전방궤환하여 RF신호의 밴드내 혼변조성분을 제거하는 혼변조성분 전방궤환부로 구성된다. 본 기술에 의하면 트랜지스터의 비선형 특성에 의해 발생된 입력 RF의 혼변조 성분을 제거하고자 RF신호의 2차 혼변조성분을 검출하고 이를 소정의 이득과 역위상으로 증폭한후 비선형 특성을 갖는 트랜지스터의 출력단으로 전방궤환시킴으로써 믹서의 변환 이득과 잡음 특성을 향상시켜 믹서의 선형성을 증가시킬 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-23
상세보기
일반기술
전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)
본 기술은 맴스(MEMS: Micro Eectro Mechenical System)기술을 이용하여 낮은 열유속 범위에서도 높은 감도와 측정 정확도를 갖는 미세 열유속센선에 관한 것이다.일반적으로 열저항의 두께를 얇게 하면, 열유속의 측정속도는 신속하게 된다. 그러나, 2개의 온도측정부에서 측정된 온도차가 작게 되어 온도차에 대한 출력신호가 매우 작음으로써 열유속을 정확히 측정할 수 없음은 물론, 측정에러가 자주 발생되는 문제가 있다. 반면, 측정정확도를 향상시키기 위해 열저항의 두께를 크게 하면 온도차가 크게 되어 열유속을정확하게 측정할 수 있지만, 큰 두께로 인하여 측정속도가 느린 문제점이 있다. 특히, 층형 게이지 타입은 열유속이 느린 경우에는 적정한 온도차를 보장받을 수 없어 열유속을 정확히 측정할 수 없는 문제점이 있다.반면, 본 기술은 열유속을 높은 감도를 가지고 정확하게 측정할 수 있고 낮은 열유속상태에서도 열유속을 정확하게 측정할 수 있는 미세 열유속센서를 제공한다.물체의 열유속을 측징하기 위한 미세 열유속센서로서, 관통공이 형성된 몸체, 몸체의 상면, 하면 및 관통공 전체에 형성된 산화물층, 물체로부터의 열유속을 수용하여 이동시키기 위해 물체에 접촉하고, 몸체의 하면 및 관통공에 도포된 산화물층에 도포되는 수용부, 수용부로부터 전달되는 열유속을 중심으로부터 방사방향으로 분산시키기 위해 중심이 수용부에 접하고 몸체의 상면에 형성된 산화물층에 도포되며 중앙부에 제1온도측정지점과 제1온도측정지점으로부터 외주변을 향해 이격된 제2온도측정지점이 형성되는 측정부, 측정부의 제1 및 제2온도측정지점의 온도차를 측정하는 서모미터로 구성된다.본 기술에 의하면 물체의 열유속의 열을 측정하는 2개의 지점이 상호 충분한 거리로 이격되어 있으며, 또한 그 측정지점들로부터 측정된 온도차가 열전대열에 의해 증폭된 신호로 출력되어 충분한 크기가 됨으로써 낮은 열유속범위에서도 열유속을 높은 열감도를 가지고 정확히 측정할 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-23
상세보기
일반기술
전기·전자 > 전자부품
발광효율이 개선되도록 반사막이 삽입된 p형 전극구조를 가지는 질화물계 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.종래, p형 전극의 투과도를 높이기위해 투명전극으로 사용하는 금속의 열처리 분위기를 바꾸거나, 투명전극으로 사용하는 금속의 종류를 바꾸어서 가시광선 영역에서의 빛에 대한 투과도를 높이는 방법등만이 연구되고, 투명전극 위에 형성되는 와이어 접촉 전극에 의한 빛의 흡수를 줄이는 방법에 대해서는 미비했다. 반사막을 이용하여 질화물계 발광다이오드의 p형 전극을 구성하는 부분 중에서 투명전극상의 와이어 접촉전극에 의해 빛의 흡수를 줄임으로써 다이오드의 발광효율 저하를 방지할 수 있는 질화물계 발광 다이오드 및 그 제조방법을 제공한다.절연기판 상에 형성되는 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층의 소정영역상에 순차적으로 적층되는 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층과, 상기 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 형성되지 않은 상기 n형 질화물 반도체층 표면상에 형성되는 n형 전극과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되는 p형 전극을 구비하는 질화물계 발광 다이오드에 있어서,상기 p형 전극이, 상기 p형 질화물 반도체상의 소정영역에 형성되는 반사막과, 상기 반사막을 포함하여 상기 p형 질화물 반도체층의 표면을 덮도록 형성하는 투명전극과, 상기 반사막의 상부에 위치하도록 상기 투명전극상에 형성되는 와이어 접촉전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드에 관한 것이다.와이어 접촉 전극에서 광이 흡수되는 것이 반사막에 의하여 방지되기 때문에 발광효율이 좋을 뿐만 아니라, 반사막에 의하여 반사된 빛이 발광 활성층의 발광에 다시 관여하기 때문에 발광효율이 더욱 크게 증가하게 된다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-25
상세보기
일반기술
전기·전자 > 전자부품
완충층을 이용하여 고용량을 달성할 수 있는 박막전지를 제조하는 방법에 관한 것이다.결정질 양극물질을 이용하는 박막전지에 대해 기판온도 조절이 가능한 스퍼터 장비를 이용하여 완충층과 결정질 양극물질로 이루어진 양극 구조를 제조함으로써, 기존의 양극물질 두께 증가에 따른 균열등의 문제점을 해결할 수 있으며 고용량을 지닌 박막전지의 제조를 가능하게 한다. 기판위에 완충층을 형성하고 이어서 그 위에 결정질 양극을 형성하는 것을 특징으로 하는 완충층을 이용한 박막전지용 양극제조방법을 제공한다.기판의 온도를 변화시킬 수 있는 스퍼터링 방법으로 박막전지를 제조하는 방법에 있어서, 완충층과 결정질 양극물질로 이루어진 양극구조를 제조하는 것을 특징으로 하는 박막전지의 제조방법에 관한 것이다.스퍼터 장비를 이용한 결정질 양극의 성장시 기판의 온도를 변화시키며 성장시키는 특징을 지니며, 고용량을 지닌 박막전지를 제조하기 위하여 양극 물질의 성장시 완충층을 이용함으로써 두께증가에 따른 균열등의 열화특성을 최소화시킨다.기존의 양극제조방법에 비해 2㎛ 이상의 두꺼운 양극에 대해 나타날 수 있는 열화특성을 최소화할 수 있으며, 그 결과 고용량 박막전지의 제조가 가능하게 된다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-26
상세보기
일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
형광체 코팅기술에는 슬러리법(slurry), 전자사진(electrophotographic)법, 새틀링(settling)법, 최근에 각광받는 전기영동법(EPD:Electrophoretic Deposition)이 있는데, 기판(전극)과의 접착력 향상을 위해 니트로셀룰로스, 아크릴 수지 등을 사용한다. 허나 이들은 high-information content display나 FED에서의 한계점을 갖는다. 따라서 전기영동법과 UV사진 식각 기술을 결합하여 간편하고 신뢰성 있는 형광체 코팅막을 만들어 형광체와 기판의 접착력을 크게 향상시켜 안정성을 높이고, 포토레지스트를 사용하여 사진식각에 의해 풀 칼라(full color)구현을 위한 RGB형광체 패턴을 만들 수 있는 평판 디스플레이의 형광체 코팅방법을 제공한다. 디스플레이용 형광체의 코팅방법으로서 다음과 같은 단계를 거친다.유리기판 위에 전도층형성 단계, 형광체가 분산된 형광체 분산용액을 이용하여 전기영동법에 의해 전도층 위에 형광체 코팅하는 단계, 기판 상부면에 UV경화층 형성 및 UV조사시켜 접착층 형성단계. 또한 평판 디스플레이용 형광체 코팅방법은 다음과 같은 단계를 거친다.1) 유리기판위에 전도층 형성하는 단계.2) 전도층 위에 제1포토레지스트층을 형성하고 제1패터닝하여 다수의 제1윈도우 형성단계3) 전기영동법에 의해 상기 다수 제1윈도우를 통해 전도층 위에 다수의 제1형광체 패턴셀 형성 단계4) 제1형광체 패턴셀을 포함한 기판 상부면에 제1UV경화층 형성 및 제1접착층 형성.5) 제2형광체 패턴셀 형성 및 제2접착층 형성.6) 제3형광체 패턴셀 형성 및 제3접착층 형성.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
상세보기