일반기술
전기·전자 > 계측기기
고무시편의 중앙부에 프리크랙을 마련하고, 프리크랙이 마련된 고무시편을 수평이동이 가능한 스크류램프에 장착시키고, 고무시편의 프리크랙상에 나이프가 위치하도록 조절하고, 고무시편을 5∼10 % 신장시키면서 나이프가 장착되어 상하 이동이 가능한 로드셀을 일정속도로 하강시켜 고무시편을 절단하고, 고무시편의 절단이 진행됨에 따라 크랙의 길이와 그 때 가해지는 힘을 측정하고, 측정된 크랙의 길이와 힘의 상관관계를 그래프화하고, 구한 그래프를 외삽하여 고무시편의 절단시 소요되는 힘을 계산하고, 이 값을 고무시편의 두께로 나누어 고무의 내절단에너지를 측정한다.하나의 시편으로도 절단에너지 측정이 가능할 뿐만 아니라 그 측정된 절단에너지의 값이 기존의 절단에너지 측정법과 비교할 때 동등한 수준을 나타내어 고무의 절단에너지 측정에 유용하다날카로운 물체에 의한 고무의 절단현상은 타이어 등 고무제품에 치명적인 손상을 입히는데, 타이어의 경우에는 직접적으로 타이어 트레드 부분에 심각한 파괴를 일으키며 아울러 다른 고무 제품에서도 마모 등의 다른 파괴현상을 가속화시켜 제품의 수명을 단축시킨다. 이에 따라 날카로운 물체에 의한 고무의 절단시 절단에너지를 측정하려는 시도가 행해졌으나, 날카로운 물체와 고무 사이의 마찰을 배제하지 못하여 고무의 절단시 절단에너지가 높게 측정되는 문제점이 있었다. 이런 문제점을 배제하고자 고무시편을 이용하는 측정법이 시도되었으나, 변형정도를 변화시키면서 고무를 절단하는데 필요한 힘을 구해야 하기 때문에 많은 수의 시편과 측정이 필요하여 많은 시간이 소요되는 단점이 있었다.프리크랙(pre-crack)이 존재하는 고무의 인장시편을 이용하여 하나의 시편으로 한 번의 측정을 통하여 날카로운 물체에 의한 고무의 절단에너지를 측정할 수 있어 기존의 문제점을 해결하였다.
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- 포항공과대학교
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- 2001-06-21
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
유기 구리(I) 전구체를 상온∼60 ℃의 온도에서 기화시켜 생성된 기체를 90∼200 ℃의 온도로 가열된 기판과 접촉시켜 구리 박막을 증착시킨다.유기 구리(I) 전구체는 구리의 열안정성이 있으며 충분히 낮은 증기압을 갖는 우수한 증착 특성을 나타낸다.최근 전자 산업에서 전자소자는 소형화되는 경향이 있다. 전자소자에 현재 배선용 금속으로 텅스텐, 알루미늄이 사용되고 있으나 알루미늄은 전자이동의 단점이 있고, 텅스텐은 높은 비저항값 때문에 고밀도 소자용으로 사용하기에는 부적절하다. 반면에, 구리는 비저항값이 작을 뿐만 아니라, 전자이동 문제도 상당히 개선할 수 있고, 녹는점 또한 알루미늄 보다 높기 때문에 차세대 금속 배선용으로 적합한 금속이다. 구리배선형성에 각광받고 있는 공정은 유기금속 화학증착법이다. 이 방법에 사용하기 위한 유기 구리 전구체의 합성에 대한 연구가 활발하기는 하나, 전자소자의 회로용으로 적용할 만한 물성을 나타내는 전구체는 없다고 할 수 있다. 공업적으로 화학증착용으로 가능성이 큰 기존의 유기 구리(I) 전구체는 금속 구리에 결합된 중성리간드가 이중결합을 가진 올레핀들이다. 이들 전구체는 열적 안정성 및 박막의 물성이 구리 배선 요구 수준에 미치지 못하고 있다.짧은 반응 시간내에 높은 수율로 구리 박막 형성용 유기 구리(I) 착물을 합성할 수 있고, 착물은 상온에서 열안정성이 우수하며 기화가 잘되는 특징이 있는 액체 상태이므로 화학증착에 유용하게 사용될 수 있다. 또한 증착된 구리 박막은 우수한 물성을 갖는다
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- 포항공과대학교
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- 2001-05-18
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
알콜 용매에 바륨 화합물, 스트론튬 화합물 및 티탄 화합물을 용해시켜 얻은 전구체 용액을 다공성 금속 프릿(frit)이 장착된 기화기에서 200℃ 이상의 온도로 기화시키고, 이 전구체 기체를 반응기로 유입하기 전에 산화기체와 접촉시키고, 유기금속 화학증착 공정시 기판의 온도를 300∼650℃로 유지시키는데, 기판의 온도가 480℃ 이상인 경우에는 바륨 화합물, 스트론튬 화합물 및 티탄 화합물을 1-x:x:1+y (0≤x≤1, y=0)의 몰비로 혼합된 전구체 용액을 사용하고, 기판의 온도가 480℃ 이하인 경우에는 바륨 화합물, 스트론튬 화합물 및 티탄 화합물을 1-x:x:1+y (0≤x≤1, y>0)의 몰비로 혼합된 전구체 용액을 사용하여 (Ba, Sr)TiO3형 박막을 제조한다기존의 유기금속 화학증착법에서는 전구체로서 Ba(tmhd)2, Sr(tmhd)2 등을 사용하고, 여기에 배위가능한 분자를 첨가함으로써 분자간의 뭉침이 방지된 박막을 제조하였다. 그러나, 이들을 배위가능한 분자를 포함하는 용매에 녹일 경우에는 분자의 뭉침효과가 오히려 상실되는 문제가 있어서 알콜을 용매로 사용하는 것이 불가능하였다. 따라서, 부틸아세테이트를 용매로 사용하여 왔는데, 이 경우에는 증착된 박막에 탄소가 다량 함유되는 문제가 있었으며, 또한 기화기를 사용하여 반응물을 기체상태로 증기화시킬 때 분자간의 분리로 인해 기화기가 막히는 현상이 발생하였다.이에 증착된 박막내 탄소 함량이 적고 분자간의 뭉침 현상이 없는 (Ba, Sr)TiO3형 박막을 제조하였으며 알코올을 전구체 용액의 용매로 사용함으로써 분자간의 뭉침현상이 없을 뿐만 아니라 증착된 박막내 탄소의 함량이 저하된 (Ba, Sr)TiO3형 박막을 대량생산할 수 있게한다.
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- 포항공과대학교
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- 2001-05-18
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
열적으로 안정하며 상온에서 액체로 존재하여 구리의 저온 화학증착에 특히 적합하면서도 높은 증착속도로 구리 박막을 형성할 수 있는 액상 유기 구리(I) 전구체에 관한 것으로 유기구리(I) 전구체를 상온∼60 ℃의 온도에서 기화시켜 생성된 기체를 90∼200 ℃의 온도로 가열된 기판과 접촉시켜 구리 박막을 증착시킨다.최근 전자 산업에서 전자소자는 소형화되는 경향이 있다. 현재 전자소자의 배선용 금속으로는 텅스텐, 알루미늄이 사용되고 있다. 알루미늄은 전자이동의 단점이 있고, 텅스텐은 높은 비저항값 때문에 고밀도 소자용으로 사용하기에는 부적절하다. 반면에, 구리는 비저항값이 작을 뿐만 아니라, 전자이동 문제도 상당히 개선할 수 있고, 녹는점 또한 알루미늄보다 높기 때문에 차세대 금속 배선용으로 적합한 금속이다. 구리배선형성에 각광받고 있는 공정은 유기금속 화학증착법이다. 이 방법에 사용하기 위한 유기구리 전구체의 합성에 대한 연구가 활발하기는 하나, 전자소자의 회로용으로 적용할 만한 물성을 나타내는 전구체는 없다고 할 수 있다. 기존의 화학증착용 유기구리(I) 전구체로는 (hfac)Cu(I)(비닐트리메틸실란) 및 (hfac)Cu(I)(알릴트리메틸실란이 있으나, 이를 사용한 구리 박막의 물성은 아직 충분치 못하다. 상온에서 열안정성이 우수하며 높은 증기압을 갖는 유기구리(I) 전구체를 제조할 수 있으며, 저항치가 낮은 구리 박막을 높은 증착속도로 화학증착법으로 형성할 수 있다.
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- 포항공과대학교
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- 2001-05-18
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
강유전 박막이 비휘발성 강유전 기억소자의 캐패시터로 이용되기 위해서는 잔류분극의 값이 높아야 하는 반면, 누설전류 값은 낮고 시간 변화에 대한 잔류 및 자발분극 값이 변하지 않아야 하며, 또한 피로 특성이 우수하고 유전손실이 작아야 한다.스퍼터링법에 의하여 증착한 PZT 강유전 박막은 이르곤 가속입자에 의하여 타겟으로부터 떨어져 나올 때 증착막에 손상을 줄 정도로 큰 에너지를 보유한 상태이며, 아울러 플라즈마 내의 전자들과 음이온 등도 기판에 가속되어 증착막에 영향을 미친다.완충층 도입을 통하여 미세 크랙이 없는 우수한 전기적 특성을 보유한 박막 제조가 가능하고, 전극과 박막 계면 부위에서의 산소나 Pb이온의 부족현상을 억제할 수 있으며, 또한 스퍼터 입자들의 에너지를 쉽게 흡수할 수 있어, 강유전물질 박막 응용물에도 적용 가능한 고신뢰성의 PZT 강유전 박막을 구현할 수 있다.스퍼터링 법이나 레이저 에블레이션법을 이용한 PZT 강유전 박막 제조에 있어서, PZT 박막 제조시 잉여의 Pb 성분을 함유한 완충층이 삽입되어 복합 증착되도록 강유전 박막을 형성함으로써, 미세 클랙이 없는 우수한 전기적 특성을 보유한 박막 제조가 가능하고, 전극과 박막 계면부위에서의 산소나 Pb이온의 부족현상을 억제할 수 있으며, 또한 스퍼터 입자들의 에너지를 용이하게 흡수할 수 있고, 강유전물질 박막 응용물에도 적용 가능한 고신뢰성의 PZT 강유전 박막을 구현할 수 있
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-05-21
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
일반적으로 평판 표시 소자에서, 두 유리 기판 사이의 접합은 유리 기판에 유리 프릿(frit)을 바른 후 450~600℃이상의 고온으로 가열하여 유리 프릿을 용융함으로서 유리 기판쌍을 접합하는 방법을 이용한다.최근 많은 연구가 이루어지고 있는 평판 표시 소자에서의 유리 프릿을 사용한 유리-유리 접합을 이용한 실장에 있어서는 고온에서의 접합으로 인하여 소자의 수명을 감소시키게 되고 유리 프릿이 녹으면서 발생하는 가스에 의하여 소자의 오염으로서 진공 접합이 요구되는 상황에 있어서 큰 저해 요인이 되고 있다.유리 기판상에 전극용 금속박막, 실리콘 박막을 차례로 형성하고, 소정온도에서 대향하는 다른 유리기판과 금속박막사이에 일정한 직류전압을 인가함으로써 유리기판들을 견고하게 접합함으로서 완전한 유리-유리 접합을 수행할 수 있다접합될 유리 기판쌍 중 한 쪽 기판 일면에 전극용 금속 박막을 형성하는 공정과, 전극용 금속 박막상에 실리콘 박막을 형성하는 공정과, 실리콘 박막면 및 다른 쪽 유리기판의 일면을 서로 맞닿게 한 후 가열하는 공정과, 소정 온도로 가열된 유리 기판쌍에 소정의 직류 전압을 인가하여 두 유리 기판을 접합하는 공정과, 접합된 유리 기판쌍을 서서히 냉각하다 소정온도 이하의 온도에서 인가된 직류전압을 제거하는 공정으로 이루어짐으로서 정전 열 접합의 기본 개념인 실리콘-유리 접합 메카니즘을 이용하여 전극이 증착된 한쪽 유리 기판위에 실리콘 박막을 증착시킨 후 두 기판을 맞닿게 하여 일정한 온도에서 일정한 직류 전압을 인가함으로써 완전한 유리-유리 접합을 수행할 수 있다
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-05-19
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
질소 플라즈마를 사용할 경우에는 질소라디칼이 Ti와 반응하여 TiN을 형성하고 나머지 탄화수소들이 다량 막 내로 들어가게 된다.반면 수소 플라즈마를 사용할 경우는 수소 플라즈마로부터 공급된 수소 라티칼이 TDEAT 고리상의 질소와 반응하여 알킬아민을 형성한 후 반응기 밖으로 빠져나가면 질소성분이 부족한 TiN가 형성되고 적은 양의 탄소만이 막 내로 함입된다. 따라서 비저항이 적은 우수한 박막을 제조할 수 있다.이는 최근 선폭이 서브하프 미크론(0.5미크론) 단위 이하인 VLSI를 제조할 때 금속배선의 중요성이 점점 커지고 있고 이에 따라 확산장막인 TiN 박막에 대한 관심이 증가하고 있어 그 효용성이 더욱 크다최근 초고밀도집적회로(Very Large Scale Integrated circuit :VLSI)를 제조할 때 확산장벽인 질화티타늄(TiN) 박막을 증착하는 방법으로 질소플라즈마를 이용한 화학증착법(Chemical Vapor Deposition:CVD)이 널리 사용되고 있고, 특히 테트라키스-디메틸-아미도-티타늄(TDMAT)이나 테트라키스-디에틸-아미도-티타늄(TDEAT) 등의 유기금속 전구체를 이용한 연구가 활발하다. 하지만 이 방법에는 막 내로 탄소가 함입되어 비저항을 증가시키고 확산장벽으로서의 성능을 떨어뜨리는 문제가 있었다.질소 플라즈마 대신 수소 플라즈마를 사용하여 유기 전구체의 알킬아미드기를 활발히 분해시켜 막 내로 탄소가 함입되는 것을 방지하여 우수한 확산 방지막을 제조할 수 있다
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- 포항공과대학교
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- 2001-05-19
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
기판의 전면에 절연층을 형성한 후, 기판의 표면이 소정부분 노출되도록 절연층을 선택적으로 제거하여 개구를 형성하고, 개구를 제외한 절연층의 상부에 흡착 억제층을 형성하며, 흡착 억제층을 증착 방지막으로 증착 공정을 진행하여 개구 내부에 금속층을 형성하고, 흡착 억제층을 제거함으로서 흡착 억제제에 기판이 노출되는 시간을 조절하면서 다양한 박막 성장을 얻을 수 있고, 또한 신뢰성 및 재현성을 향상시킬 수 있다.반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라 단위 선폭이 감소하며 또한 더욱 정밀한 미세 가공 기술이 요구되고 있다. 따라서 금속배선 공정 중 개구 충전 공정에 있어서 폭은 줄어들고 더욱 깊은 개구를 효율적으로 채울 수 있는 공정이 필요한 실정이다.그러나 기존에는 전면 박막 형성 방법은 금속층을 전기적으로 분리하기 위하여 식각 및 묘화 공정이 수반되므로 제조 공정이 복잡하였다.반응물의 흡착을 억제할 수 있는 흡착 억제제를 사용하여 적절한 시간동안 기판의 표면을 노출시켜 표면상에 흡착 억제제를 선택적으로 형성하고, 계속하여 흡착 억제제가 형성되지 않은 개구부에 박막을 선택적으로 형성함으로서 신뢰성과 재현성을 향상시킬 수 있다
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- 2001-05-19
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
구리 박막을 오존, 또는 산소 또는 오존 플라즈마를 이용하여 산화시킨 다음, 산화된 구리에 β-디케톤 계열의 식각 반응 기체를 도입하여 반응시키거나, 구리 박막을 산화시킴과 동시에 식각 반응 기체와 반응시켜 식각을 행함으로서 소량의 산화제 및 식각 반응 기체를 사용하면서도 낮은 온도에서도 식각이 가능한 방법으로 반응 조건에 따라 식각 속도를 효율적으로 조절할 수 있다.기존에는 구리 박막의 식각에 할로겐 기체를 사용하여 구리 박막을 구리 할로겐 화합물로 바꾼 다음 탈착시킴으로서 식각하는 방법을 사용하였는데 이는 낮은 증기압 때문에 고온조건이 요구되며, 할로겐 화합물이 박막내로 잔류하게 되어 소자의 특성을 저하시켰다.구리 박막을 오존, 또는 산소 또는 오존 플라즈마를 이용하여 산화시키고 β-디케톤(diketone) 계열의 식각 반응 기체와 반응시키어 식각함으로서 소량의 산화제 및 식각 반응 기체를 사용하면서 기존 기술보다 낮은 온도에서도 식각이 가능한 방법으로서 반응 조건에 따라 식각 속도를 효율적으로 조절할 수 있다
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- 2001-05-19
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
수직 연장부 상단에 직각으로 연장되며, 수직 연장부와 평행하게 돌출된 상측 돌출부를 갖는 상측 연장부와, 수직 연장부의 하단에 상측 연장부와 평행하게 연장되며 수직 연장부와 평행하게 돌출된 하측 돌출부를 갖는 하측 연장부를 포함하는 방사광 가속기의 2극 전자석에 있어서, 상측 돌출부 및 하측 돌출부의 자유단은 양측면으로 소정 곡률 반경을 갖는 좌측 및 우측 원호부와, 좌측 및 우측 원호부 사이에 평탄한 면을 갖는 평탄부로 이루어짐으로서, 상측 및 하측 돌출부의 자유단에서 형성하는 자장들의 자속 밀도가 간극내의 위치에 따라 변함이 없게 되는 유효 범위를 넓힐 수 있어 이 범위내에 있는 모든 전자들을 모든 전자들을 동일한 진행 방향으로 제어할 수 있다2극 전자석은 그 형태에 따라서 C형, H형 및 창틀형의 3가지 형태가 있다. H형 전자석은 자기력에 영향을 받지 않으며, 자장의 대칭성이 좋다는 장점이 있으나 간극내의 이용이 어렵고, 창틀형 전자석은 자기력에 영향을 받지 않으며, 높은 자장까지 자장의 대칭성과 균일성이 다른 두 형태보다 좋다는 장점이 있으나, 코일의 이용 공간이 적고 간극내 이용이 어렵다는 단점이 있다. C형 전자석은 한쪽이 열려 있기 때문에 자기력에 의해 변형이 쉽고 자장의 대칭성이 좋지 않다는 단점은 있으나 간극내의 이용이 용이하게 널리 사용되고 있다.상, 하측 연장부의 상측 돌출부 및 하측 돌출부의 자유단 좌, 우측에 소정 곡률 반경을 갖는 좌측 및 우측 원호부를 형성하고, 좌측 및 우측 원호부의 사이에 평탄부를 구성함으로서 상측 및 하측 돌출부의 자유단 좌우측 모서리에 소정의 곡률 반경을 갖는 좌측 및 우측 원호부를 형성하여 자유단에서 발생하는 자속의 분포를 균일하게 할 수 있다
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- 2001-05-19
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
제1 및 제2 철심에 연결되며, 소정이 중심점을 향하여 테이퍼 형상으로 돌출된 복수개의 돌출부의 말단부를 중앙쌍곡선부외에 중앙 쌍곡선부의 좌우측으로 제1 및 제2측면 원호부를 형성함으로서 자속의 집중을 방지하여 자속의 분포를 균일하게 하며, 자극의 유효범위를 확장할 수 있고, 제1 및 제2 철심을 구성하는 저탄소 압연강의 화학적 구성비를 제한하여 히스테리시스 손실을 감소시킴으로서 에너지 효율을 높일 수 있다.기존의 4극 전자석은 자극을 형성하는 말단부의 모서리 부분이 소정의 각을 형성하고, 이 각진 경계면을 통과하는 자속선은 그 부분이 말단부의 쌍곡선이 연장되어 있는 경우 통과할 지속선의 진행 방향과 다른 방향으로 굴절하게 된다. 이는 간극내의 자속 밀도 변화량에 영향을 주어 전자를 칩속, 발산할 수 있는 유효 범위가 작다는 문제점이 있었다.4극 전자석의 말단부의 양측 모서리를 라운딩하게 형성하여 돌출부에 의한 자속선의 조정으로 말단부를 확장하지 않고 자속 밀도의 변화량이 균일한 유효범위를 늘림으로서 각말단부가 이루는 각을 최소화하여 자속의 분포를 균일함과 동시에 자극의 유효범위를 확장할 수 있다
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-19
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
자장의 균일도를 높이기 위해 C 자 형상을 갖는 코어와, 권취부 및 비권취부를 가진 수직코일과, 코어의 내측에 제공된 경사부와 조합되어 균일한 자장을 제공하고, 누설 자장을 극소화하도록 코어의 상측 및 하측 돌출부에 제공되는 수평코일을 포함하여 이루어짐으로서 제한된 자극폭에 대해 충분히 유효 자장 범위를 제공할 수 있고 균일한 수평 및 수직자계를 제공할 수 있으며, 여자 전류의 조절에 의해 에너지 손실이 극소화되고 균일한 자석 품질을 유지할 수 있으므로 정확하게 전자 비임을 조절할 수 있다.기존에는 전자가 아닌 다른 입자를 가속하기 위한 가속기에 보정 전자석이 이용되었으나, 에너지 효율의 저하로 인한 자계 특성 변화가 발생할 수 있으며, 전자 비임의 궤도 왜곡을 보정하기 위해 이용하기에는 부적절하다는 문제가 있었다. 전자석의 크기는 한정되어 있어 자극폭의 크기 또한 한정된 길이를 갖게되고, 한정된 자극폭에 대해 충분한 유효 자장 범위를 제공하지 못하였으며, 전자석의 말단부가 소정의 예각을 갖고 형성되어 와전류가 발생됨에 따른 자장의 흐름이 방해되는 문제가 있었다.코어, 수평 코일 및 수직 코일을 포함하고, 수평 코일은 가해진 직류 전류에 의해 수직으로 자장을 형성시키고, 수직 코일은 도체가 권취되지 않은 한 쌍의 비권치부를 포함하며, 가해진 직류전류에 의해 수평으로 자장을 형성함으로서 제한된 자극폭에 대해 충분히 유효 자장 범위를 제공할 수 있고 균일한 수평 및 수직자계를 제공할 수 있으며, 여자 전류의 조절에 의해 에너지 손실이 극소화되고 균일한 자석 품질을 유지할 수 있으므로 정확하게 전자 비임을 조절할 수 있다.
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- 2001-05-19
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전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
코어의 자극을 이루는 돌출부와 말단부가 그의 중심에 소정의 반경을 갖는 중앙 원호부와, 말단부의 양측면에 중앙 원호부보다 작은 반경을 가진 제1 및 제2 원호부를 포함하며, 중앙을 통과하는 중심선에 대해 수평한 제1 평탄부와, 중심선 방향으로 소정 각도로 경사진 제1 테이퍼부, 타측면이 제1 평탄부와는 평행하며, 제1 평탄부보다 작은 길이를 가진 제2 평탄부와, 제1 테이퍼부보다 더 큰 길이를 가진 제2 테이퍼부로 이루어짐으로서, 제한된 자극폭에 대해 충분히 균일한 자장 유효 범위를 제공하고, 코어에서 발생하는 자속의 누설 및 에너지 손실을 극소화할 수 있어 보정 전자석으로 안정되고 유연성을 갖는 자장을 제공할 수 있으며, 안정된 수평, 수직 보정, 스큐 4극 성분 및 6극 보정 성분을 동시에 갖기 때문에 방사광 가속기 제작에 폭넓은 유연성을 제공할 수 있다기존의 6극 전자석들은 자석의 크기가 줄어듦에 따라 제한된 자극폭을 갖기 때문에 균일한 유효 자장범위가 작으며, 특히 예각을 갖는 자극의 양모서리 부분에서 작은 여자전류에 의해서도 자속이 집중되고, 포화되어 균일한 자장 범위는 극히 제한될 수밖에 없었다. 또한 에너지 손실 및 그에 따른 온도 상승 등에 의해 균일한 자장의 분포 특성 및 자석 품질 변화 등으로 인해 보정 자계가 정밀하게 제어될 수 없다는 문제가 있었다.6각 형상의 코어와, 코어에 권취되는 제1 및 제2 코일과, 코어 내측의 동일 중점을 향해 돌출되는 6개의 돌출부와, 제1 및 제2 코일은 돌출부의 기단으로부터 각기 소정의 길이로 권취되도록 구성함으로서 제한된 자극폭에 대해 충분히 균일한 자장 유효 범위를 제공하고, 코어에서 발생하는 자속의 누설 및 에너지 손실을 극소화할 수 있어 보정 전자석으로 안정되고 유연성을 갖는 자장을 제공할 수 있다
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- 등록일
- 2001-05-19
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일반기술
전기·전자 > 전력설비
적층 코어의 양측 최외곽에 각각 위치되는 두 코어 시이트에 그 상하면을 관통하는 다수개의 장방형 배기공을 각각 형성하고, 두 코어 시이트의 내측에 각각 위치시켜 그들과 접촉하는 두 코어 시이트에 두 최외곽 코어 시이트의 배기공들과 각각 유체 연통하며, 각 코어 시이트의 내주면으로부터 외주면측으로 연장되는 다수개의 가스통로가 방사상으로 배열 형성되어, 도체의 주조시에 발생된 가스를 대기중으로 배출시킬 수 있도록 이루어짐으로서 알루미늄 용탕에서 발생되는 가스를 최외곽 코어 시이트의 배기공을 통과시킨 후 그 내측 코어 시이트의 가스통로를 통해 대기로 배출시킬 수 있다.일반적인 유도 전동기의 로터는 복수개의 구멍을 가지며 폐자로를 구성하는 다수개의 원판형 적층 코어로 구성되고, 적층코어의 외측에는 전원을 인가하기 위한 알루미늄 도체가 다이캐스팅(die casting) 주조법에 의해 주조된다.그러나 다이캐스팅으로 생산하는 로터의 알루미늄 도체에는 크기가 큰 기포(blow hole)가 작은 핀 홀 및 응고시 생기는 수축공 등이 생겨 제품의 품질에 나쁜 영향을 주는 것으로 밝혀졌다. 이러한 것들은 전기 저항을 증가시켜 모터의 가동시 운전속도를 상승시킬 뿐 아니라 로터의 방사상 방향의 무게 비대칭으로 인한 소음과다 및 진동불량 등의 문제가 있었다.다이의 배기공과 연결되도록 적층 코어의 양측 외곽에도 코어 시이트를 위치시킴으로서 알루미늄 용탕에서 발생되는 가스를 최외곽 코어 시이트의 배기공을 통과시킨 후 그 내측 코어 시이트의 가스통로를 통해 대기로 배출시킬 수 있다
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-20
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일반기술
전기·전자 > 계측기기
주사전자현미경의 진공챔버내에 설치된 로딩 스테이지의 크로스 헤드에 시편을 로딩 핀으로 고정시키고, 주사전자현미경을 통해 시편을 직접 관찰하면서 모터를 구동시켜 크로스 헤드를 상호 반대방향으로 이동시킴으로써 시편에 하중을 가하며, 크로스 헤드가 일정한 속도로 이동되도록 모터의 회전속도를 콘트롤러로 조정하고, 로딩 스테이지의 로드셀로부터 측정된 측정값을 디스플레이어로 표시하고, 디스플레이어에 표시된 측정값을 레코더로 기록함으로서 시편의 파괴과정을 직접 관찰하면서 매순간의 진행상태를 디스플레이 및 기록할 수 있어 재료의 파괴인성을 정확하게 측정할 수 있다.재료의 미세 파괴 구조를 조사하는 방법으로는 파면구조의 현상학적 관찰이 많이 사용되고 있으며, 이를 수학적으로 정량화함으로서 재료의 파괴특성을 기술하는 척도로 이용하려는 노력도 진행되고 있다.이러한 연구 노력에도 불구하고 현재가지도 거시적인 재료 특성치인 파괴인성을 재료의 미세 파괴 구조와 연결하고 체계적으로 해석, 예측하는데 많은 어려움이 있었다.주사전자현미경의 진공 챔버내에 로딩 스테이지를 구비함으로서 시편의 파괴과정을 직접 관찰하도록 하여 재료의 파괴인성을 정확하게 측정할 수 있다
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-19
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일반기술
전기·전자 > 소자응용 기술
휴대폰 본체와, 본체에 삽입되어 고출력의 고주파를 송수신하는 안테나 바아와, 안테나 바아를 지지하는 안테나 지지부를 포함하는데, 안테나 바아는 절곡 및 원상복원이 가능한 탄성재질의 도체로 이루어진 금속 와이어와, 금속 와이어의 표면에 코팅되는 연질의 피복부로 이루어지며, 피복부의 일측 영역에는 사방 절곡 가능하도록 수축 이완되는 주름부가 형성되도록 구성된다.휴대폰은, 고출력의 고주파를 송수신하는 안테나를 인체의 두뇌로부터 최대한 멀리 떨어지도록 절곡 가능하므로, 인체에 직접적으로 조사되는 전자파를 혁신적으로 줄여 치명적인 인체의 폐해를 방지할 수 있다기존의 휴대폰은, 휴대폰 본체의 상면에 부착된 안테나로부터 발생하는 전자파에 의해 인체의 두뇌에 영향을 미치게 되고, 이에 인체에 두통이나 세포 조직 내의 혈액의 파괴 등의 악영향을 끼치고 있다.절곡 가능한 안테나를 갖는 휴대폰은 전자파가 방사되는 안테나와 인체의 두뇌와의 거리를 최대한 멀게 하는 절곡 가능한 안테나를 제공하여 인체의 두뇌에 직접적으로 조사되는 전자파의 영향을 줄일 수 있다
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-24
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
백화점,할인점등에 진열대에 진열되어 있는 진열상품의 가격을 전자표시장치를 이용하여 자동으로 표시해주는 장치제조기술로 진열대에 진열되어 있는 각 상품의 진열대 칸 사이에 전자표시 장치를 부착하고 그표시장치에 해당상품 가격정보를 PC또는 SERVER에서 전송하여 가격을 자동으로 표시해주는 장치로 기존의 LCD표시보다 밝기가 뛰어난 표시장치인 LED 방식을 이용한 기술이다.상품의 가격을 기존의 인쇄태그를 부착함으로 해서 인력낭비와 관리의 불편 및 고객이 보기에 불편한점 등과 가격변동에 즉시 대응 할 수 없는 점등을 보안 하기 위해 전산시스템을 이용하여 가격정보를 송신하면 전자표시장치가 자동으로 표시해줌으로써 편리성을 향상하고 고객에대한 상품가격표시서비서를 원활하게 해 줄수 있고 또한 가격경쟁에 우위를 점할수 있는 가격표시장치이다.
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 등록일
- 2001-05-24
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
박막전지 및 일렉트로크로믹 소자에 응용이 가능한 니켈 및 니켈 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로 전해질 용액을 제조하여 이 전해질 용액 내에 작업전극와 기준전극 및 상대전극을 담지하는 과정과, 상기 전해질 용액 내에서 편향 전압 전류법을 이용하여 상기 작업전극상에 니켈 박막을 증착하는 과정과, 특정 수용액 중에서 양극산화법을 이용하여 상기 니켈 박막상에 니켈 산화물 박막을 증착하는 과정을 포함하는 박막전지 및 일렉트로크로믹 소자용 박막의 제조방법 또는 전해질 용액을 제조하여 이 전해질 용액 내에 작업전극과 기준전극 및 상대전극을 담지하는 과정과, 상기 전해질 용액 내에서 전위스텝 시간대전류법을 이용하여 상기 작업전극상에 니켈 박막을 증착하는 과정과, 특정 수용액 중에서 순환전압 전류법을 이용하여 상기 니켈 박막상에 니켈 산화물 박막을 증착하는 과정을 포함하는 박막전지 및 일렉트로크로믹 소자용 박막의 제조방법을 제공한다.스퍼터링법, 플라즈마 화학 기상 증착법, 전자빔 증발법 등 종래의 전극 제조 방법의 단점을 개선하기 위하여 근래에 비교적 낮은 온도에서 높은 증착속도를 갖는 졸겔법을 사용한 박막의 제조기술이 제안되었지만 졸겔법의 경우 건조과정에서 표면에 균열이나 구멍 등이 형성되기 쉽고 얇은 박막의 제조가 어려운 문제점이 있었다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 나노기술의 발전에 따른 전기화학적 방법을 이용하여 박막을 제조함에 있어서 편향 전압 전류법과 양극산화법에 의한 연속적인 공정 또는, 전위스텝 시간대전류법과 순환전압 전류법에 의한 연속적인 공정을 통하여 낮은 제조비용과 함께 우수한 전기적 특성을 갖는 니켈 및 니켈 산화물 박막을 제조하는 방법을 제공한다
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드는 n-형 질화갈륨층, n-형 질화갈륨층상에 형성되며 내부 일면이 굴곡 처리된 p-형 질화갈륨층, p-형 질화갈륨층상에 형성되며 내부 일면이 굴곡 처리된 투명 전극, 투명 전극상에 형성되어 중심측의 일단의 모서리가 굴곡 처리된 p-형 전극, n-형 질화갈륨층상에 형성되며 상기 굴곡처리된 p-형 전극의 일단의 모서리와 인접하는 중심측의 모서리가 굴곡 처리된 n-형 전극으로 이루어져있다.높은 비저항값을 갖는 p-형 질화갈륨 박막은 발광소자의 구동시 p-형 질화갈륨 박막층에서 전류의 확산이 어려워져 결국 발광소자의 전기적 및 발광특성이 크게 저하되는 문제점이 있다. 높은 비저항값을 가지는 p-형 질화갈륨 박막층의 전류 확산을 용이하게 하기 위해 기존에는 p-형 질화갈륨 박막위에 얇은 투명전극을 전류확산층으로 사용하는 방법을 썼지만 투명전극의 얇은 두께는 상대적으로 큰 면저항을 야기시켜 고효율의 발광소자를 제작하기에는 어느정도 한계가 있었다. 기존의 문제점을 해결하기 위해 p-형 전극, 질화갈륨층 및 투명전극을 굴곡 형태로 변형시키고, 변형된 p-형 전극구조를 연장 처리하여 투명전극에서의 전류 확산효율을 극대화시킴으로서 전기적 특성 및 발광 특성이 우수한 발광 다이오드를 제조하였다
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
저유전자 재료는 반응성 말단기를 갖는 유기치환체의 실란화합물과 5-30nm 크기의 폐기공을 갖는 산화규소 에어로겔을 99:1 중량비로 포함하고 있으며 졸-겔 반응시켜서 얻는다.제조방법은 1)유기치환체를 갖는 실란화합물과 에어로겔을 99:1 내지 1:99 중량비로 혼합하는 단계 2)테트라알콕실란을 1)단계의 혼합물의 전체중량에 대해 0 내지 0.8 중량비로 혼합하는 단계 3)전체 알콕시 농도에 대하여 0.1 내지 1.0 당량의 증류수를 가하여 용매속에서 반응시키는 단계를 포함하는 방법에 의하여 저유전물질을 제조한다.유전재료는 1)기질에 도포하는 단계 2)상온에서부터 60도 사이에서 건조하는 단계 3)질소 분위기에서 250-500도에서 열처리하는 단계 4)상온에서 서서히 냉각하는 단계를 포함하여 초저유전박막의 제조에 이용될 수 있다.위의 제조방법에 의하여 집적회로칩세트(integrated circuit chip set) 디바이스를 제조할 수 있다최근의 다층구조를 갖는 고성능 집적회로의 크기가 점차로 작아짐에 따라 인터커넥트 커페시턴스와 저항에 의한 신호지연과 신호선 사이의 크로스토크 현상은 디바이스 성능향상에 있어 지대한 장애를 유발한다. 따라서 저유전 특성을 갖는 유전물질의 개발이 매우 중요하다.유전재료는 5-30nm의 폐기공을 갖고 유전율이 2.5 이하로 반도체 제조공정과 반도체 내구성에 요구되는 열안정성, 기계적 성질, 켐-멕 폴리싱(chem-mech polishing) 적합성, 에칭(etching) 특성, 계면접착성, 전기적 특성이 우수하다.따라서 정보전달, 정보처리 및 정보저장용 기기의 핵심부품에 사용되는 고성능 직접회로에 이용될 수 있다
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-05
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