산업기술 통합검색
1. 기술의 개요PDP의 기판상에 증착된 MGO층으로부터 아웃개싱되는 불순물을 감소시키고 동시에 방전 특성을 향상시킬 수 있는 MGO층에 대한 세정방법과 PDP의 제조방법에 대한 것임.2. 기술의 특징본 기술에 따른 MGO층에 대한 세정방법은, MGO층이 외부에 노출되도록 형성된 기판을 플라즈마 반응챔버내로 로딩하는 단계 및 MGO층에 흡착된 불순물들이 제거되도록 MGO층에 대하여 대기압에서 플라즈마 세정을 수행하는 단계 및/또는 열처리를 통하여 세정을 수행하는 단계를 포함함.
1. 기술의 개요본 기술은 1 ~ 10 ㎚의 균일한 나노입자로 된 전이금속 산화물 졸 및 이의 제조방법, 이러한 졸을 이용하여 메조다공성 전이금속 산화물을 박막 또는 분말 형태로 제조하는 방법 및 이렇게 제조된 메조다공성 전이금속 산화물 박막 및 분말을 제공함.2. 기술의 특징균일한 나노입자로 된 전이금속 산화물 졸"에 계면활성제 또는 유기 고분자와 같은 구조-유도 물질을 교반하에 첨가하고, 결과된 혼합물을 기판 위에 코팅하여 박막을 형성시키거나 감압하에 용매를 증발시켜 겔을 형성하고, 전술한 박막 또는 겔을 숙성시켜 육방 또는 입방 구조를 갖는 메조구조 박막 또는 분말을 형성하고 및 임의로 수득된 메조구조 박막 또는 분말로부터 계면활성제 또는 유기 고분자와 같은 구조-유도 물질을 소결 또는 자외선 조사에 의해 제거함.
1. 기술의 개요본 기술은 광섬유에 격자를 형성시키는 격자홈을 갖는 요철판과, 외주면에 결합수단과 중심부에 광섬유가 삽입되는 관통홀이 형성되며, 요철판이 안착되는 삽입홈이 내측으로 형성된 압착부와, 내측이 결합수단과 결합되며, 외주면은 회전을 위한 체결수단이 형성되어 압착부와 결합되는 조임부 및 조임부의 외주면에 형성된 체결수단과 맞물리도록 원판상부에 체결수단과 대응된 체결수단이 형성되어 원판의 중심축을 기준으로 회전되는 회전부로 구성됨.2. 기술의 특징요철판 및 가압수단의 간단한 구성으로 제작이 용이하며, 소형 제작, 제작비용 절감이 가능하고, 요철판을 회전시켜 광섬유격자의 투과스펙트럼 및 굴절률을 변화시킬 수 있고, 복굴절에 의한 편광모드분산 현상을 없애주므로 인해 편광의존성이 없는 각종 센서, 필터 등 광통신 및 광소자의 부품으로 사용할 수 있음.
1. 기술의 개요본 기술은, 반응챔버와, 유도전력이 인가되며, 반응챔버의 내측 상부에서 수평적으로 서로 일정한 간격을 두고 선형적으로 배치되고. 반응챔버 외부에서는 선형의 선형안테나를 접속시키되 반응챔버 외부로 노출된 안테나 중 서로 인접한 안테나의 일측을 접속시켜 하나의 굴절된 선형안테나가 적어도 하나이상 구비되거나, 일측을 하나로 형성시켜서 RF유도전력부에 접속시키고, 반응챔버 내부의 인접된 선형안테나 사이마다 또 다른 선형안테나를 다수 구비하여 타측을 하나로 형성시켜서 RF유도전력부에 접속된 선형안테나 및 선형안테나로부터 발생되는 전기장과 교차하는 자기장을 발생시켜 전자가 나선 운동되도록 안테나에 인접시켜 배치한 적어도 하나 이상의 자성체를 포함하여 이루어짐.2. 기술의 특징본 기술에 따르면, 선형안테나와 자성체의 결합하여 반응챔버내의 플라즈마 생성 영역에서 전기장과 자기장을 결합시킴으로써 전자의 나선운동에 의해 이동 경로가 증가하여 전자와 중성자간의 충돌 확률이 높아 RF 전력의 증가에 따른 플라즈마 밀도가 증가하게 되는 반면 전자 온도는 감소하고, 플라즈마 생성의 안정성이 증가하며, 또한 초대면적 플라즈마 공정을 위한 플라즈마 균일도도 10 % 이내에서 유지될 수 있음.
본 기술은 디스플레이 산업에서 이용되고 있는 박막트렌지스터에 관한 것으로 박막트랜지스터의 활성영역으로 사용되는 수소화된 비정질 실리콘층을 대면적, 고정세, 구동회로의 집적화가 가능한 폴리실리콘층으로 형성한 박막트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 기술의 박막트랜지스터 및 그 제조방법에 의하면, Ce 금속층에 의해 엑시머 레이저의 조사시 박막이 보호되고, CeO2층에 의해 폴리실리콘의 성장이 촉진됨으로써 플라스틱 기판의 기계적, 화학적 성질에 대한 신회감으로 인해 제품의 질이 향상되고, 우수한 성능을 갖는 박막트랜지스터를 생산할 수 있는 효과가 있다. 그리고 플라스틱 기판을 사용하게 됨으로써 공정비용의 절감과 제품의 경량화 및 유연한 정보 디스플레이 화면을 구현할 수 있다.
1. 기술의 개요본 기술은 센싱부가 다중화된 광전류 측정장치에 관한 것으로서, 전류 측정범위 및 정밀도를 다양하게 할 수 있다는 이점이 있다. 2. 기술의 특징전류를 측정하기 위해서 사용될 빛을 제공하는 광원과, 광원으로부터 나온 빛을 입력받아 일정 방향으로 편광된 빛을 통과시키는 편광자와, 편광자를 통과하여 나온 선형 편광된 빛을 입력받아 M개(여기서, M은 2 이상의 값)의 도파로중 하나의 도파로로 전달하는 광스위치와, 광스위치로부터 출발하여 도선 주위를 감되, 1번, 2번, …, M번 회전된 M개의 평판 도파로형 광도파로 센싱부들과, 광도파로 센싱부들과 연결되어 하나의 도파로로 모아주는 광결합기와, 광결합기에 연결되어 특정 편광상태의 빛을 통과시키는 검광자와, 검광자에 연결되어, 통과된 빛을 전자신호로 바꾸어주는 수광소자와, 수광소자에 연결되어 전자신호를 수신하는 한편, 광원에 연결되고, 광스위치에 연결되어 제어신호를 내보내는 전자회로 신호처리부를 포함하여 구성된다.
1. 기술의 개요본 기술은 고분자 압전필름을 이용한 체적탄성파 공진기의 제조방법에 관한 것으로, 제조공정 및 제품의 구조를 간결하게 할 수 있어, 제조비용과 시간을 현저히 절감시킬 수 있다. 2. 기술의 특징실리콘 기판 상부에 다수의 미세공이 형성된 쉐도우 마스크(SHADOW MASK)를 부착시킨 후 그 상면에 실리콘나이트라이드(SI3N4)를 증착시키는 공정과, 실리콘나이트라이드가 소결된 후 쉐도우 마스크를 제거함으로써 쉐도우 마스크의 미세공과 미세공 사이의 간극부에 의해 형성된 에어 갭을 갖는 지지층이 기판 상에 형성되도록 하는 공정과, 상,하부 전극을 갖는 고분자 압전필름층을 지지층의 상면에 접착시키는 공정 및, 상,하부 전극에 각각 골드와이어를 접착시켜서 기판위에 고정시키는 공정을 포함하는 제조방법에 의해 고분자 압전필름을 이용한 체적탄성파 공진기를 제조할 수 있다.
1. 기술의 개요본 기술은 황화아연 박막의 반사방지막이 성형된 플렉시블한 PET 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.2. 기술의 특징몰의 황화아연 용액, 1몰의 암모니아 용액, 1몰의 히드라진수화물 용액과, 이온제거수 및 티오요소 용액을 혼합하여 용해.포화시킨 혼합용액에 PET 기판을 침전시켜 PET 기판의 양면에 황화아연 박막으로 이루어진 반사방지막을 증착시키고, 이로 인해 성형된 반사방지막이 성형된 플렉시블한 PET 기판을 특징으로 하여, 플렉시블한 PET 기판의 양면에 반사방지막을 간편하게 성형할 수 있고, 저가로서 경제적이며, 큰 면적에서도 박막을 용이하면서도 균일하게 성형하여 재현성을 향상시킨다.
1. 기술의 개요본 기술은 자기장을 이용한 초대면적 플라즈마 발생장치에 관한 것으로, 식각 기판이 장착되는 스테이지가 구비된 반응챔버와 다수의 안테나 봉이 연결된 제1 및 제2안테나가 서로 대향 교차되되 병렬로 배치되어 구성된 안테나 소스로 이루어진 유도결합 플라즈마 발생장치를 의미한다.2. 기술의 특징안테나 봉은 상부에 복수개의 자성체가 구비되어 안테나 소오스를 구성하도록 함으로써 플라즈마 균일도를 증가시킬 수 있고, 기판의 크기에 따라 안테나의 간격을 조절할 수 있어 향상된 균일도를 유지시킬 수 있다.
본 기술은 중성빔을 이용한 반도체 식각장치에 관한 것으로, 중성빔 식각장치에 있어서, 일정 각도로 경사진 반사면이 다수로 형성되어 이루어진 슬릿부가 내측에 일체로 성형된 반사체를 포함하여 이루어진 것으로, 종래보다 크기가 소형화되고 구조가 간결하게 됨으로써 제조가 간편하고, 또한 중성빔의 방향 제어가 용이하다.본 기술에 따른 중성빔을 이용한 반도체 소자의 식각장치는 일정 각도로 경사진 반사면이 다수로 형성되어 이루어진 슬릿부가 내측에 일체로 성형된 반사체가 구비됨으로써 크기가 소형화되고 구조가 간결하게 됨으로써 제조가 간편하고 중성빔의 방향 제어가 용이하게 식각율이 증대되는 장점이 제공된다.
1. 기술의 개요본 기술은 삼중그리드를 이용한 반도체 식각용 중성빔 소오스(NEUTRAL BEAM SOURCE)에 관한 것이다.2. 기술의 특징플라즈마 발생챔버와 그리드 어셈블리와 반사체를 구비한 중성빔 식각장치에 있어서, 그리드 어셈블리는 3개의 그리드를 중첩시켜서 이루어지되, 플라즈마 발생챔버에 인접된 최상부의 제1그리드에는 양(+)전압을 인가하여 가속시키고, 중간부의 제2그리드에는 접지를 연결하며, 최하부의 제3그리드 및 반사체에는 제1그리드 보다 낮은 양(+)전압을 인가함으로써, 낮은 이온 에너지에서도 높은 이온 플럭스(FLUX)량을 얻을 수 있다.
1. 기술의 개요본 기술은 기존의 원형 마그네트론 증착원의 단점인 고균일, 대면적 증착의 문제를 자장설계 및 편심 구동방식을 통하여 극복하여 고균일, 대면적 증착이 가능한 마그네트론 스퍼터링 장치에 관한 것이다.2. 기술의 특징절연된 원형 타겟 장착부를 챔버에 장착한 후 장착부 뒤편에서 영구자석을 통하여 폐회로를 형성한 자장 구동부가 편심 회전구동을 함으로써, 균일한 침식을 통한 고효율 타겟 수율을 실현함과 동시에 대면적 균일 코팅을 특징으로 한다. 대면적 원형 타겟의 중심과 외곽부위의 선속도 차이에 의한 증착 불균형을 해소하기 위하여 타겟 정중심의 증착을 억제하고 중앙부위의 자장을 균일 배열하며, 외곽부분은 비대칭 자장배열을 통한 고속 증착을 가능하게 하는 대면적 원형 증착원으로서, 고자장 영구자석의 조합으로 이루어지는 영구자석 폐회로부와, 이러한 영구자석 폐회로부를 타겟 표면에 평행한 방향으로 회전시키는 회전부 및 진공확보가 가능하며 챔버와 절연된 타겟 장착부로 구성된다. 이러한 조합에 의하여 타겟 전면에 균일한 방전트랙을 형성시키고 타겟 전면이 균일하게 침식됨에 따라 대면적, 균일 코팅이 가능하게 하고, 타겟의 사용효율을 80%이상 증가시키는 것을 특징으로 한다.
1. 기술의 개요본 기술은, 이온빔 소오스에서 세정가스를 이온빔 소오스에 주입하고, 플라즈마 발생챔버가 오프된 상태에서, 반사체에 고전압을 인가하여 세정가스를 플라즈마화하고, 이 플라즈마가 반사체의 표면과 작용하여 반사체를 세정하는 것을 특징로 하는 반사체 세정방법을 제공한다. 2. 기술의 특징본 기술은, 고주파의 고전압을 인가하여 주입된 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생챔버와, 플라즈마로부터 특정 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 통과시킬 수 있는 그리드홀이 각기 대응하는 위치에 적어도 하나 이상 형성되어 있으며, 이온빔 통과 방향으로 일정 간격을 유지하며 이격되는 복수의 그리드로 이루어지는 그리드 어셈블리 및, 이 그리드 어셈블리로부터의 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체를 구비하여 구성되는 이온빔 소오스에 있어서, 반사체에 플라즈마를 발생시킬 수 있는 고전압이 인가될 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 이온빔 소오스를 제공한다
1. 기술의 개요본 기술은 광통신, 광학측정, 광센서, 광신호처리 등에 요구되는 편광도가 높은 반도체 레이저 장치에 관한 것이다.2. 기술의 특징기판 상에 형성된 광도파로와, 광도파로의 입력 단에 설치된 고정된 반도체 레이저와, 반도체 레이저의 출력 단의 광도파로 상에 집적된 격자형 편광수단을 포함하여 이루어짐으로써, 레이저 빔이 광도파로에 입력되어 도파하다가 편광수단을 지나면서 특정한 방향으로 편광되도록 한다.
1. 기술의 개요본 기술은 PR 애싱(ASHING) 및 리프트-오프(LIFT-OFF) 방식을 이용하여 나노 규격을 갖는 다양한 형태 · 물질로 구성된 구조물을 제한 없이 형성하는 방법에 관한 것이다.2. 기술의 특징본 기술은 레지스트 애싱 및 리프트-오프 방식을 이용하여 나노 규격을 갖는 구조물을 형성하는 방법에 있어서, 절연체의 상부에 포토레지스트로 패터닝할 구조물을 형성하는 공정, 절연체 상부에서 포토레지스트로 형성한 구조물의 양쪽 간격을 플라즈마 애싱 공정을 통하여 포토레지스트의 두께와 양 구조물 사이의 폭을 수 나노미터까지 줄이는 공정 및 포토레지스트 및 절연체 위에 구조물로 형성할 물질층을 형성한 후, 리프트-오프 방식으로 포토레지스트 상부에 존재하는 물질층을 제거하여 나노 규격의 구조물을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
1. 기술의 개요본 기술은 기판상에 특정 물질층을 식각 또는 증착하기 위해 사용되는 이온빔을 발생시키는 이온빔 소오스에 관한 것으로, 플라즈마 발생챔버로부터 이온빔을 추출하여 가속시키는 그리드 어셈블리의 구조를 개선하여 그리드간의 소트현상 및 파손을 방지하도록 된 개선된 이온빔 소오스에 관한 것이다.2. 기술의 특징본 기술은, 주입된 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생챔버와, 플라즈마로부터 특정 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 통과시킬 수 있는 그리드홀이 각기 대응하는 위치에 적어도 하나 이상 형성되어 있으며, 이온빔 통과 방향으로 일정 간격을 유지하며 이격되는 복수의 그리드와, 이 복수의 그리드의 그리드홀에 대응하는 홀이 각기 대응하는 위치에 형성되며 복수의 그리드 사이에 개재되는 절연층으로 이루어지는 그리드 어셈블리를 구비하여 구성되되, 절연층은 상부 그리드와 하부 그리드와 소정 간격을 유지하면서 스페이서에 의해 상부 및 하부 그리드에 지지되는 것을 특징으로 한다.
1. 기술의 개요본 기술은 탄소나노튜브를 구비하는 삼극관 전계방출소자의 하부기판 및 그 제조방법에 관한 것이다. 현재 사용하고 있는 액정화면디스플레이 백라이트는 냉음극 형광관을 발광체로 화면의 일부분에 위치시키고 투과성 재료인 도광판과, 빛을 화면에 골고루 분산시키고 집합시키기 위한 확산판, 프리즘을 사용하고 있다. 이러한 백라이트장치는 복잡한 구조와 높은 생산비에 비해 빛의 손실이 크고 화면 전체적인 휘도의 균일성을 얻기가 힘들다. 이에 따라, 탄소나노튜브를 사용하는 전계방출형 백라이트가 제안되었다.2. 기술의 특징유리기판위에 포토리소그래피를 사용하여 부분적으로 투명전극을 식각하는 과정과, 투명전극 식각후 유리기판을 소정 깊이로 과식각하는 과정, 과식각된 유리기판 부분에 게이트 금속을 증착하는 과정, 남아있는 투명전극 부분에 탄소나노튜브 에미터를 형성하는 과정을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 삼극관 전계방출소자의 하부기판의 제조방법을 제공한다.
1. 기술의 개요본 기술은 탄소나노튜브가 혼합된 음극선 발광 형광분말 및 형광막의 제조방법에 관한 것으로, 본 기술에 의하면, 제조방법의 변화나 형광체에 물리적, 화학적 처리 방법 없이 더 향상된 발광효율과 낮은 발광전압을 얻을 수 있고, 이것은 성능이 향상된 새로운 형광분말과 형광막 생성을 위해 새 공정과 설비를 만들 필요가 없으므로 여기에 들어가는 비용을 획기적으로 줄일 수 있다. 2. 기술의 특징IPA(ISOPROPANOL) 용액속에 탄소나노튜브를 혼합한 후, 초음파를 이용하여 분산시키는 공정, IPA 용액속에 분산되어 있는 탄소나노튜브에 음극선 발광(CL; CATHODE LUMINESCENCE)용 형광체를 혼합하는 공정, IPA 용액을 초음파를 이용하여 증발시키는 건조과정을 거쳐 탄소나노튜브와 음극선 발광(CL)용 형광체의 분말을 생성하는 공정 및 탄소나노튜브와 음극선 발광(CL)용 형광체의 분말을 바인더와 혼합하여 양극 기판 위에 도포한 후 소성과정을 거치거나, 유리 기판 위에 도포한 후 소성과정을 거친 뒤 양극 기판을 그 위에 증착하여 음극선 발광(CL) 형광막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
1. 기술의 개요본 기술은 박막 필터용 에어갭형 FBAR(film bulk acoustic resonator)에 관한 것으로, 구조적으로 간단하고 복잡한 기존의 공정을 단순화된 에어갭 타입 에프비에이알장치 및 그 제조방법에 관한 것이다2. 기술의 특징실리콘기판 위에 마그네슘의 희생층을 형성하는 제1단계, 마그네슘 희생층을 부분적으로 노출하면서 희생층 위에 실리콘나이트라이드 지지층을 형성하는 제2단계, 희생층을 노출하면서 지지층 위에 제1전극을 형성하는 제3단계, 희생층을 노출하면서 제1전극 위에 압전층을 형성하는 제4단계,희생층을 노출하면서 압전층 위에 제2전극을 형성하는 제5단계, 희생층을 에칭하여 에어갭을 형성하는 제6단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
1. 기술의 개요본 기술은 복소전력의 시간당 변화율을 이용한 동기탈조 검출방법에 관한 것으로, 동기탈조지점을 빠르고 정확하게 검출함으로서 계통의 동요에 정확히 대처하고, 계전기의 오동작 및 부동작을 방지하여 안정적이고 신뢰성 있는 계통운영을 기대할 수 있다. 2. 기술의 특징1기 무한모선 계통에서 전압, 전류를 측정하여 복소전력(유효전력 및 무효전력)을 계산하는 단계와,계산된 복소전력을 복소평면상에 타원의 방정식 형태의 궤적으로 표현하는 단계와, 계산된 복소전력으로부터 유효전력과 무효전력의 시간당 변화율을 계산하는 단계와, 계산된 유효전력과 무효전력의 시간당 변화율을 이용하여 안정한 경우의 전력동요인 SEP(STABLE EQUILIBRIUM POINT)와 불안정한 경우의 전력동요인 UEP(UNSTABLE EQUILIBRIUM POINT)를 구분하는 단계와, 타원의 방정식 형태로 표현된 복소전력의 궤적을 이용하여 등면적법과 유사한 형태로 과도안정도를 평가하는 단계 및 복소전력의 궤적이 UEP를 통과하는지를 검출하여 동기탈조 검출지점을 판정하는 단계를 포함하고, 과도안정도 평가의 기준이 되는 발전기 기계적 입력은 저역통과필터를 이용하여 유효전력으로부터 추정하며, 발전기 기계적 입력이 복소전력의 궤적과 만나는 지점인 UEP지점에서 동기탈조를 검출하는 것을 특징으로 한다.