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이것은 주사를 가진 회로의 BIST를 위한 낮은 오버헤드 기구이다. 높은 고장 도달은 성능 열화와 회로-하부-시험의 수정없이 얻을 수 있다. 선형 피드백 시프트 레지스터(LFSR)는 주사 체인속으로 시프트 유사 랜덤 패턴에 이용된다. 랜덤 패턴 상주 고장을 검출하는 결정론적 시험 패턴은 LFSR에 의해 생성된 비트의 유사 랜덤 순차에서 내장된다. 이것은 고정 임의 비트에의 LSFR 직렬 출력에서 비트 고정 논리를 부가함에 의한 유사 랜덤 순차 변경에 의해 달성할 수 있다. 이 기법은 현재 가장 좋은 기법과 비교하여 BIST 하드웨어의 중요한 감소에서의 결과인 결정론적 시험 패턴의 매우 높은 부호화 효율을 마련해 준다.회로 시험 수정없이 임의의 높은 고장 수렴율, 성능 저감없음, 현재의 가장 좋은 상태보다 손실이 적음, 간단한 BIST 제어 논리, BIST 회로의 자동 합성
방사된 광자와 주입된 캐리어의 에너지 차가 있는 직접 대역갭 반도체에서 PN 접합 터널링 다이오드는 재료의 세로 광학 포논의 에너지와 동일하다.방사된 광자와 주입된 캐리어의 에너지 차가 있는 직접 대역갭 반도체에서 PN 접합 터널링 다이오드는 재료의 세로 광학 포논의 에너지와 동일하다.
수직 직접을 위한 고성능 MOS 소자를 이루기 위한 대규모 입계 다결정막 성장을 시드하기 위한 새로운 기법이다. 이 기법은 특수 위치에서 입계가 핵을 이루기 위한 비정질 실리콘 전구막상의 시딩점에 게르마늄을 패턴한 것을 이용한다. 게르마늄의 사용은 유리 기판을 할 수 있으므로 낮은 온도 처리를 사용하는 것이다. 이 기술을 깊은 준미크론 소자에서 거의 단결정 성능을 가지고 스케일러블하다. 이 소자들은 언시드 소자에 대한 통계적 변화의 저감과 성능에서 필수적인 개선을 시험으로 나타내었고 제작하였다.금속 기반 시딩 금속에서 성능 개선, 표준 VLSI 제조 공정과의 호환성, 게르마늄이 저온 다결정 형태로 증착, 게르마늄이 선택적으로 증착, 리소그래피 단계에서 저감 생성, 게르마늄 시딩이 게이트 정의에 앞서 실행
초점빔에 의해 여기된 2.2 고굴절률과 26도의 테이퍼 각을 가진 SiN 프리즘의 초급속 테이퍼를 고려하였다.초점빔에 의해 여기된 2.2 고굴절률과 26도의 테이퍼 각을 가진 SiN 프리즘의 초급속 테이퍼를 고
기계적 부품의 정확한 측정을 위하여 사용된 X선 스캐너 시스템 또는 위치 도량학 측정을 위한 2차원 측정계 상의 위치 왜곡의 정확한 교정을 위한 방법을 제공한다. 그 절차는 미지의 위치를 가진 마크의 강체 아티팩트를 사용하고 측정 계측 반복성과 등가한 정밀도를 위한 계측 측정계 왜곡의 교정이다.고속 계산, 잡음 내성, 설치 용이, 모든 2차원 왜곡 자기 교정 문제에 확장 가능
이 발명품은 미세 제작된 기계적 센서를 가진 가시광의 세기 변화에서의 적외선 조사의 세기 변화를 직접 변환하기 위한 장치와 방법이다. 100픽셀/mm² 이상의 밀도에서 미소 기계 이중 형태의 2차원 배열은 영상 적외선(IR) 방사의 열 센서로 사용할 수 있다.보다 개선된 분해능, 고감도
SRP-3으로 알려진 새로운 인증 기구는 잠재적으로 보안되지 않는 네트워크에 대한 패스워드를 가지고 사용자 인증을 위한 적절한 인증 프로토콜이다. SRP-3은 어떤 외부의 하부 구조에 의존하지 않으므로 이 SRP-3은 보안되지 않은 인증 기구를 쉽게 교체할 수 있다. SRP-3는 패스워드에 대한 brute-force 추측 공격을 포함하여 모든 표준 능동망과 수동망에 저항하도록 설계되었다. 간단한 CAPT를 가진 SRP-3를 위한 기본 구현은 이미 개발되었으며 Telnet와 FTP에 대한 보안 재배치는 스탠포드의 몇 개의 지역에서 시행되었다. IETF와 IEEE와 같은 표준 단체를 통하여 표준화 기술을 진전시키는 노력을 계속할 것이다. Thomas wu의 홈페이지를 보면 자세한 정보를 얻을 수 있다. http://srp.standford.edu/srp/, http://www-cs-students.standford.edu)/∼tiw/resume.html현재 비밀 번호 처리 시스템에 대한 보안성 증가, 도전 응답 시스템들은 비밀 번호에 쉽게 공격받을 수 있으나 SRP-3은 비밀 번호 위협으로부터 안전하다. 계산의 효율성이 증대되고 구현이 쉽다.
링다운 공동속으로 직접 광을 pump(dump 대신) 하기 위한 내부 공동 스위치의 사용은 입력 거울의 큰 결합 손실없이 통과시킨다.링다운 공동속으로 직접 광을 pump(dump 대신) 하기 위한 내부 공동 스위치의 사용은 입력 거울의 큰 결합 손실없이 통과시킨다.
이 발명품은 미세 제작된 음향 트랜스듀서를 위한 새로운 제조 공정이다. 제조 기구는 지원이 리소그래픽적으로 정의된 질화물 지원 질화물막이다. 희생층의 제거는 에칭의 고선택성 때문에 막기하학에 영향을 미치지 못한다. 질화물은 효과적으로 에치를 정지시킨다.트랜스듀서 막 기하학의 정밀 제어, 막과 지원 기하학의 리소그래픽적 정의, 막은 임의의 에치 바이어스를 가지지 않는다.
이것은 거의 단결정 성능을 가진 측면 결정화된 박막 트랜지스터(TFT)의 제작에 대한 새로운 기술이다. 이 기법들은 제어 위치에서 핵을 이루는 입계의 급속 열어널링 동안 광의 제어 흡수에 사용되며 완전하게 비접촉 시딩 기법을 검증하였다. 니켈과 같은 종래의 시딩 에이전트들은 소자 성능에 유해한 효과를 가지며 표준 CMOS 공정과는 비교할 수가 없다. 제작된 소자들은 소형 소자 크기를 위한 특별히 표준 저온 공정 TFT에 대한 중요한 개선이 있다. 따라서 이 기법은 VLSI 응용에 대한 디스플레이 구동기 3차원 집적 회로에 사용할 수 있다.소자 성능에서 낮은 공간과 통계적 변화, 금속 기반 시딩 기법에 대한 성능 개선, 표준 CMOS 공정과 호환, 마스크 설계의 변화에 의한 단일 기판상의 다른 응용을 위한 소자의 동조 성능
광원속으로 광이 피드백하는 문제를 극복하기 위하여 광원에의 반사 백들은 링다운 셀에서 링공동 배열에 의한 완전하게 제거된다.광원속으로 광이 피드백하는 문제를 극복하기 위하여 광원에의 반사 백들은 링다운 셀에서 링공동 배열에 의한 완전하게 제거된다.
통합 아날로그 디지털 컨버터(이중 기울기 적분기)를 이용하여 링다운 시정수 계산통합 아날로그 디지털 컨버터(이중 기울기 적분기)를 이용하여 링다운 시정수 계산
이 조절기는 출력 부하와 공급 전압의 넓은 영역에 대해 고효율을 얻을 수 있는 고정 펄스폭을 가진 가변 스위칭 주파수를 채택하였다. (nMOS 트랜지스터가 턴오프 하였을 때) 동기 정류를 이루기 위한 접근과 빠른 추적을 위한 비선형 피드백 루프는 새로운 특징이다.고속 추적 속도, 출력 전압에서의 최소 리플, 저출력 영역에서의 동작을 위한 조정
이 ESD 방지 기법을 주파수 스케일이 다중 GHZ 영역으로서 고속 입출력(I/O)가 가능하게 해준다. 현재의 기법을 가지고 패드에서 ESD 보호의 용량성 부하는 극한 대역 제한의 전송 선로의 불연속에서 나타나는 결과이다. 대전압 의존 캐패시턴스는 또한 A/D 컨버터의 분해능에 제한된다. 제안한 기법을 가지고 I/O 대역폭과 용량 선형성은 ESD 성능에서 오차 최소 열화를 가지고 중요하게 개선되었다. 시제품 칩들은 CMOS 기술로 만들어졌고 세라믹 DIP와 LCC 패키지에서 패키징 되었다. 그런 후 HBM(인간 신체 모델)과 CDM(전하 소자 모델) 응력 시험 모두에서 시험하였다. 표준 기술에서 고주파 ESD 보호 기술의 실행 가능성을 결과로 검증하였다.아날로그, 디지털 & RF 응용을 위한 고대역 I/O, 임의의 ESD 보호의 전압 의존 비선형 캐패시터 감소, 표준 공정 기술 사용, 특성화된 ESD 소자를 이용하기 위한 ESD 보호 소자 적용, 기술 개선 공정을 가진 스케일
미세 제작된 전극 배열상에 살아 있는 세포를 이용한 하이브리드 바이오 센서를 배양하였다. 각 전극들은 개별적으로 찾을 수 있고 전기적으로 감시하는데 사용할 수 있으며 따라서 개별 셀들의 심리적 특성들을 가진다. 작은 AC 전압이 전극에 인가된다. 전극 세포 배양에 매체 카운터 전극을 통한 전류가 감시되고 생물학적 시스템의 실수와 허수 임피던스에 관한 정보가 준비되어 있다. 이 임피던스 데이터로부터 세포막 캐패시턴스와 컨덕턴스 세포/기판 결합 가능한 활동 전위 파라미터(이온 채널 회절 격자의 동력학) 유도하는 것이 가능하다. 부가적으로 배열상의 세포의 위치는 전기적으로 결정할 수 있으며 지능을 제공하고 감시를 위한 자동화된 전극 사이트의 선택도 제공한다. 이 기술은 세포를 빠르게 많은 인구의 심리적 상태에서 변화 감시를 위한 잠재성을 가지고 있으며 독소 검출, 환경 검출, 약물 차단, 약물 발견을 통한 조정을 가능하게 해준다.세포막과 세포 환경에 관한 보다 상세한 정보가 가능, 생물학적 화학적 에이전트의 보다 빠른 차폐, 세포의 큰 무리 감시
이 센서는 포토레지스트 조사 공정 감시에 의한 리소그래피 공정 동안 실시간 정보를 마련하기 위하여 설계되었다. 이 방법은 레지스트막 탄성 특성에서 변환뿐만 아니라 레지스트/솔벤트 혼합의 유리 전이 온도 감시도 가능하다. 따라서 이 방법은 고장 검출 센서와 종단점 검출의 궁극적인 응용을 가진 조사 공정으로서 재료 특성 변화 측정에 대해 유용하다.초기 측정, 레지스트의 재료와 막특성의 밀도와 두께의 동시 측정
이 발명품은 집적화된 팁을 가진 소형 제작 캔틸레버를 이용하여 표면 전위 또는 표면 전하를 측정한다. 이 발명품은 잠재 분해능을 가진 1제곱 mm보다 큰 지역에 대한 표면상의 전하 분해능은 0.1um 이하이다.표면 전하의 직접 측정은 토포그래피와 같은 인자에 의해서 영향을 받지 않으며 다른 원하지 않는 팁/표면 상호 작용에 의해서도 영향을 받지 않는다.
이 발명품은 소둔 공정 동안 각기 다른 이동 부품들을 녹이지 않고 소둔 기구 그린 부품들을 위한 방법을 제공한다. 통합 설비는 설비들이 각각 접촉하지 않고 정확한 위치와 방향을 가지도록 기계의 부품들을 유지시켜 준다. 덧붙여 통합 설비는 전체적인 구조가 축소하게 되는 부품으로서 동일한 재질로 만들어졌으므로 소둔 공정 동안 부품의 정확한 위치를 유지할 있다. 수동 위치 또는 수동 조작은 필요치 않다. 소둔 후 설비들은 기구의 부품으로 자유롭게 제거되며 이동하는 것이 허용된다.소둔하는 동안 분리를 유지하기 위한 축소, 정렬 또는 수동 위치 조작이 없음
이 발명품은 소형 고분해능 광학 현미경에 사용하기 위한 비틀림 주사 거울의 새로운 형태이며 이와 같은 거울 시스템을 이용한 다른 응용들도 있다. 새로운 주사 거울들은 거울 아래 실리콘 기판 속으로 에치된 공동의 실리콘 질화 스트립에 의해 현수된 실리콘 질화 평판(거울)로 구성되어 있다. 알루미늄 전극들은 정전 작용을 마련하기 위하여 거울의 꼭대기 표면상에 패턴된다.사용자 표준 마이크로머시닝 기법, 고분해능
이 발명품은 간섭성 산란을 이용한 새로운 레이저 냉각법으로 레이저광은 흡수되지 않으며 산란된다. 이 방법이 광학적으로 냉각하는 분자에 대한 최초의 방법임을 믿으며 광학적 냉각에서 원자 상호 작용은 전에는 가능하지 않은 방법이다. 예를 들어 분자의 소형 정량화는 많은 다른 제품으로 구성된 가스에서 희박된 것을 높게 검출하는 것을 가능하게 한다.전에 불가능한 영역까지 레이저 냉각 확장