일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
[구성]본 발명은 양자세선 레이저 다이오드 제작방법에 관한 것으로, 종래의 양자세선 레이저 다이오드들은 활성층으로서의 전류주입을 증가시키기 위하여 레이저 구조 성장 후 비활성층 부분에 대한 이온주입 또는 절연층의 증착과 같은 후속공정을 필요로 하였는데, 이러한 후속공정은 레이저 다이오드의 제작을 복잡하게 할 뿐만 아니라 활성층 내의 광구속(Optical confinement) 계수의 감소로 인하여 레이저 다이오드의 특성을 저하시키는 문제가 있었다. 이에 본 발명은 성장기판의 전도형과 반대 전도형의 에피층을 성장시키고 광리소그래피와 습식식각에 의해 기판 부분까지 V홈 패턴을 형성하여 전류차단층을 형성한 다음 V홈 패턴 위해 AlGaAs/GaAs의 양자세선 구조를 성장시키고 p와 n전극을 형성함으로써, 별도의 후속 공정없이 레이저 구조의 활성층으로만 전류의 유입이 가능하게 하여 낮은 문턱전류를 얻을 수 있는 효과가 있다.1. 기판상에 서로 다른 도전형의 버퍼층고 에피층을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 에피층에 V홈 패턴을 형성하여 상기 버퍼층과 에피층인 전류차단층 내에 양자세선 형성영역을 정의하고, 그 상부에 다시 버퍼층을 형성하는 공정과, 상기 V홈 패턴의 저면부에 양자세선 레이저 구조를 형성하는 공정과, 전극형성을 위한 접촉층을 성장시키고 전극을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자세선 레이저 다이오드 제작방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 에피층은 기판과 다른 도전형의 에피층을 성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 양자세선 레이저 다이오드 제작방법.3. 제 1항에 있어서, 상기 에피층의 V홈 패턴은 광리소그래피와 습식식각에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 양자세선 레이저 다이오드 제작방법.4. 제 3항에 있어서, 상기 에피층의 V홈 패턴의 형성을 위한 습식식각은 H2SO4와 H2O2 및 H2O의 혼합 식각용액을 1:8:40의 비율로 하여 식각하는 것을 특징으로 하는 양자세선 레이저 다이오드 제작방법.5. 제 1항에 있어서, 상기V홈 패턴은 버퍼층과 겹치도록 형성하여 즉, 기판의 내부까지 형성되도록 함으로써 V홈 패턴의 바깥부분에 전류차단층이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 양자세선 레이저 다이오드 제작방법.6. 제 5항에 있어서, 상기V홈은 중심부근에서 약 1.2㎛의 폭으로 버퍼층과 겹치도록 형성하는 것을 특징으로 하는 양자세선 레이저 다이오드 제작방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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본 발명은 GaAs/ AlGaAs 기판을 이용한 양자세선 제작방법에 관한 것으로, 종래의 양자세선 제작방법은 직접 GaAs 기판위에 V홈을 형성하고 그 위에 에피성장(epitaxial growth)을 실시하여 양자세선을 제작하는데, 상기와 같은 종래 양자세선제작방법은 기판상에 형성되는 V 홈에 의해 에피층의 울퉁불퉁하게 되는 문제점이 있었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 기판에 AlGaAs를 한층 더 성장시킨후 V홈을 형성함으로써 보다 효과적으로 양자세선을 형성시키고, 확산제한 용액을 이용하여 마스크없이 양지세선을 보호하면서 윗면 양자우물(top quantum well)을 효과적으로 제거하는 동시에 V홈 형성에 따른 울퉁불퉁한 에피층을 간단하게 평탄화하 수 있도록 하는 GaAs/AlGaAs기판을 이용한 양자세선 제작벙법을 제공하는 것이다본 발명은 GaAs/ AlGaAs 기판을 이용한 양자세선 제작방법에 관한 것으로, 종래의 양자세선 제작방법은 직접 GaAs 기판위에 V홈을 형성하고 그 위에 에피성장(epitaxial growth)을 실시하여 양자세선을 제작하는데, 상기와 같은 종래 양자세선제작방법은 기판상에 형성되는 V 홈에 의해 에피층의 울퉁불퉁하게 되는 문제점이 있었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 기판에 AlGaAs를 한층 더 성장시킨후 V홈을 형성함으로써 보다 효과적으로 양자세선을 형성시키고, 확산제한 용액을 이용하여 마스크없이 양지세선을 보호하면서 윗면 양자우물(top quantum well)을 효과적으로 제거하는 동시에 V홈 형성에 따른 울퉁불퉁한 에피층을 간단하게 평탄화하 수 있도록 하는 GaAs/AlGaAs기판을 이용한 양자세선 제작벙법을 제공하는 것이다1. GaAs기판상에 AlGa층을 성장시키는 공정과, 상기 AsAlGaAs층 위에 원하는 방향으로 포토레지스트패턴을 형성하는 공정과, 포토공정을 통해 상기 AlGaAs층이 형성된 기판상에 V흠을 형성하는 공정과, 상기 V흠 위에 에피성장하여 양자세선을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 GaAs/AlGaAs기판을 이용한 양자세선 제작방법.2. 제1항에 있어서, 확산제어에칭액으로 윗면 양자우물을 제거하여 양자세선을 평탄화하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 GaAs/AlGaAs기판을 이용한 양자세선 제작방법.3. 제2항에 있어서 확산제어 에칭액은 H2SO4:H2O2:H2O(30:1:1의 부피 비율)이 사용됨을 특징으로 하는 GaAs/AlGaAs 기판을 이용한 양자세선 제작방법.4. 제1항에 있어서, V홈 형성공정은 기판과 AlGaAs층의 에칭특성각도(C1)가 기판이 파인각도(C2)보다 작게 하여 형성하는 것을 특징으로 하는 GaAs/AlGaAs 기판을 이용한 양자세선 제작방법.5. 제1항에 있어서, AlGaAs층의 두께는 상기 V흠 형성에 따른 기판의 식각 두께보다 작게 형성하는 것을 특징으로 하는 GaAs/AlGaAs 기판을 이용한 양자세선 제작방법.6. 제2항 또는 제3항에 있어서, 확산제어에칭액이 흐르는 방향에 V흠이 직각되게 기판을 위치시키는 것을 특징으로 하는 GaAs/AlGaAs기판을 이용한 양자세선 제작방법.
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정보 > 컴퓨터 본체
[구성](A)본 발명은 비트순차식 병렬 비교기에 관한 것으로서, 이는 여러개의 데이타를병렬로 최상위 비트부터 순차적으로 입력받아 주어진 시간내에 병렬 비트을 순차적으로 처리하도록 한 것이다. 이와같은 본 발명은 N개의 레지스터로 부터 순차 입력되는 M비트의 데이타을 입력 클럭 사이클내에 비교하여 최소의 데이타을 검출하는 최소데이타 검출수단과, 상기 최소 데이타 검출수단에서 얻어진 N비트의 데이타 및 외부로 부터 입력되는 인에이블신호에 따라 최소 데이타에 대한 1의 보수를 발생하는 최소데이타 발생수단과 상기 데이타 발생수단에서 얻어진 데이타와 최소데이타 검출수단에서 얻어진 데이타을 이용하여 N개의 레지스터 값중에서 가장 작은 값을 갖는 레지스터의 위치정보를 검출하고 그 검출한 최소 위치정보를 리세트신호로 하여 가장 작은 값에 대응하는 최소데이타 검출수단을 리세트하는 최소 위치정보 검출수단과, 상기 최소위치정보 검출수단에서 검출된 정보를 논리화하여 최소값 위치를 알려주는 최소데이타 발생수단에서 발생된 데이타에 대해 1의 보수를 취하여 최소값을 알려주는 최소위치표시 발생수단으로 이루어짐으로써 달성된다.1. N개의 레지스터로 부터 순차 입력되는 M비트의 데이타를 입력 클럭 사이클내에 비교하여 최소의 데이타를 검출하는 최소데이타 검출수단과, 상기 최소데이타 검출수단에서 얻어진 N비트의 데이타 및 외부로 부터 입력되는 인에이블신호를 가지고 최소 데이타의 1의 보수값을 발생하는 최소데이타 발생수단과, 상기 최소데이타 발생수단에서 얻어진 데이타과 최소 데이타 검출수단에서 얻어진 데이타를 이용하여 N개의 레지스터 값중에서 가장 작은 값을 갖는 레지스터의 위치정보를 검출하고 그 검출한 최소위치정보를 리세트신호로 하여 가장 작은 값에 대응하는 최소 최소데이타 검출수단을 리세트하는 최소 위치정보 검출수단과 상기 최소 위치정보 검출수단에서 검출된 정부를 논리화하여 최소값 위치를 알려주고 최소데이타 발생수단에서 발생된 데이타에 대해 1의 보수를 취하여 최소값을 알려주는 최소위치표치 발생수단으로 구성함을 특징으로 한 비트순차식 병렬 비교기.2. 제1항에 있어서, 최소데이타 검출수단은 N개의 레지스터에 대응되게 구성되어 최상위 비트로 부터 최하위 비트로 한 비트씩 순차적으로 입력되는 M비트의 데이타들 중에서 최소값을 갖는 데이타를 입력 클럭사이클에 맞추어 비교 검출하는 N개의 비트 비교부로 구성함을 특징으로 한 비트순차식 병렬 비교기.3. 제1항에 있어서, 최소 위치정보 검출수단은 상기 N개의 레지스터에 대응되게 구성되어 상기 최소 데이타 검출수단의 비트 비교부 및 데이타 발생수단에서 한 비트씩 순차적으로 입력되는 M비트의 데이타들을 비교하여 가장 작은 값을 갖는 레지스터의 위치정보를 구하고 리세트신호를 생성하는 제1내지 제8위치정보 비교부로 구성함을 특징으로 한 비트순차식 병렬 비교기.4. 제2항에 있어서, N개의 비트 비교부는 N개의 레지스터로 부터 순차 입력되는 현재의 한 비트의 데이타와 이전의 데이타와를 논리화하여 최소 데이타 발생수단에 입력하는 논리소자와, 상기 논리소자의 출력값을 입력 클럭 사이클에 동기시켜 출력하고 그 출력값을 상기 최소 위치 정보 판단수단으로 부터의 이세트신호가 입력될 때까지 유지시켜 상기 논리소자에 궤환입력하는 제1플립플롭과, 상기 제1플립플롭의 출력값을 입력 클럭 사이클에 동기시켜 출력하고 그 출력값을 상기 최소위치정보 검출수단으로부터의 리세트신호가 입력될 때까지 유지시켜 최소위치정보 검출수단에 입력하는 제2플립플롭으로 구성함을 특징으로 한 비트순차식 병렬 비교기.5. 제4항에 있어서, 논리소자는 오아게이트인 것을 특징으로 한 비트순차식 병렬비교기.6. 제1항에 있어서, 최소데이타 발생수단은 N개의 비트 비교부에서 비교되어 입력되는 N비트의 데이타를 논리화하여 출력하는 논리소자의 상기 외부의 인에이블신호에 의해 도통 및 차단되어 상기 논리소자의 출력값을 순차적으로 N개의 위치정보 비교부에 입력하는 피-모스스위칭소자와, 상기 외부의 인에이블신호에 의해 도통 및 차단되어 상기 피-모스 스위칭소자에서 순차적으로 출력되어 N개의 위치정보 비교부로 입력되는 데이타를 차단 또는 전달하는 엔-모스 스위칭소자로 구성함을 특징으로 한 비트순차식 병렬 비교기.7. 제6항에 있어서, 논리소자는 낸드게이트인 것을 특징으로 한 비트순차식 병렬 비교기.8. 제1항에 있어서, 최소위치표시 발생수단은 상기 최소위치정보 판단수단의 제2내지 제4위치정보 비교부 및 제6위치정 비교에서 각기 순차적으로 입력되는 데이타를 반전시켜 출력하는 제1내지 제4인버터와, 상기 제1인버터의 출력과 제3위치정보 비교부의 출력값을 논리곱하여 출력하는 제1논리곱소자와, 상기 제1내지 제3인버터의 출력값과 제5위치정보 비교부의 출력값을 논리곱하여 출력하는 제2논리곱소자와, 상기 제2 제3 인버터의 출력값과 제6위치정보 비교부의 출력값을 논리곱하여 출력하는 제3논리곱소자와, 상기 제1, 제3, 제4 인버터의 출력값과 제7 위치정보 비교부의 출력값을 논리곱하여 출력하는 제4 논리곱소자와, 상기 제 1내지 제4 위치정보 비교부에서 순차적으로 한 비트씩 입력되는 데이타를 논리화하여 출력하는 제1논리소자와, 상기 제1, 제2 위치정보 비교부의 출력값과 제2, 제3 논리곱소자의 출력값을 논리화하여 출력하는 제2 논리소자와, 상기 제1위치정보 비교부의 출력값과 제 1, 제 2, 제 4 논리곱소자의 출력값을 논리화하여 출력하는 제3논리소자와, 상기 최소데이타 발생수단에서 한 비트씩 순차적으로 입력되는 데이타를 반전시켜 최소 데이타값을 출력하는 제5인버터로 구성함을 특징으로 한 비트순차식 병렬 비교기9. 제8항에 있어서, 상기 제1내지 제3논리소자는 노아게이트인 것을 특징으로 한 비트순차식 병렬 비교기.10. 제6항에 있어서, 최소데이타 발생수단의 출력값은 가장 작은 레지스터 값의 1의 보
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보건·의료 > 원료의약 대량제조 기술
[구성](A)본 발명은 3(R)-메틸-[1,4]-벤즈옥사진 유도체를 출발 물질로하여 100 내지 160℃에서 1 내지 4시간 동안 폴리인산과 반응시키는 것을 특징으로 하는 (+)3(R)-메틸피리도벤즈옥사진 카르복실레이트 유도체의 제조 방법에 관한 것으로서, 이 제조 방법에서 출발 물질로 사용되는 3(R)-메틸-[1,4]-벤즈옥사진 유도체는 2-(2(S)-케토프로필옥시)니트로벤젠 유도체를 베이커 이스트와 당류 존재하에 물과 알콜 용매 중에서 25 내지 50℃에서 4 내지 10시간 동안 가열 교반시켜 2-(2(S)-히드록시프로필옥시)니트로벤젠 유도체를 얻고, 이 화합물을 금속 촉매 존재하에 알콜 용매 중에서 2 내지 6시간 동안 1기압의 수소와 반응시켜 2-(2(S)-피드록시프로필옥시)아닐린 유도체를 얻고, 이 화합물을 에탄올 용매 중에서 100 내지 160℃에서 5 내지 10시간 동안 알킬 에록시메틸렌말로네이트와 반응시켜 N-(2,2-디에록시카르보닐에테닐)-2-(2(S)-히드록시프로필옥시)아닐린 유도체를 얻고, 이 화합물을 유기 용매 중에서 -10 내지 10℃에서 1 내지 4 시간 동안 트리페닐포스핀 및 디에틸아조디카르복실레이트와 반응시킴으로써 제조할 수 있다.1. 다음 일반식(6)의 화합물을 100 내지 160℃에서 1 내지 4시간 동안 폴리인산과 반응시키는 것을 특징으로 하는 하기 일반식(1)의 (+)3(R)-메틸피리도벤즈옥사진 카트복실레이트 유도체의 제조 방법. 상기 식에서, X는 불소 또는 염소 원자를 나타내고, R은 탄소 원자수 1 내지 4의 알킬기를 나타낸다.2. 제1항에 있어서, 일반식(6)의 화합물은 다음 일반식(5)의 화합물을 유기 용매 중에서 -10내지 10℃에서 1 내지 4시간 동안 트리페닐포스핀 및 디에틸아조디카르복실레이트와 반응시켜 제조하는 것인 방법. 상기 식에서, X는 불소 또는 염소 원자를 나타내고, R은 탄소 원자수 1 내지 4의 알킬기를 나타낸다.3. 제2항에 있어서, 유기 용매는 테트라히드로푸린, 아세트니트릴, 디에틸에테르, 클로로포름, 메틸렌클로라이드 또는 벤젠 중에서 선택되는 것인 방법.4. 제2항 또는 3항에 있어서, 일반식(5)의 화합물은 다음 일반식(4)이 화합물을 에탄올 용매 중에서 100 내지 160℃에서 5 내지 10시간 동안 알킬 에폭시메틸렌말로네이트와 반응시켜 제조하는 것인 방법. 상기 식에서, X는 불소 또는 염소 원자를 나타내고, R은 탄소 원자수 1 내지 4의 알킬기를 나타낸다.5. 제4항에 있어서, 일반식(4)의 화합물은 다음 일반식(3)의 화합물을 금속 촉매 존재하에 알콜 용매 중에서 2 내지 6시간 동안 1기압의 수소와 반응시켜 제조하는 것인 방법. 상기 식에서, X는 불소 또는 염소 원자를 나타낸다.6. 제5항에 있어서, 금속 촉매는 팔라듐, 팔라듐히드록시드, 플라티늄 또는 플라티늄옥사이드 중에서 선택되는 것인 방법.7. 제5항에 있어서, 일반식(3)의 화합물은 다음 일반식(2)의 화합물을 베이커이스트와 당류 존재하에 물과 알콜 용매 중에서 25 내지 50℃에서 4 내지 10시간 동안 가열 교반시켜 제조하는 것인 방법. 상기 식에서, X는 불소 또는 염소 원자를 나타낸다.8. 제7항에 있어서, 당류는 슈크로오스 또는 글루코오스 중에서 선택되는 것인 방법.
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화학 > 기타 무기화학
[구성]본 발명은 다음 일반식 (I)의 화합물과 다음 일반식 (II)의 화합물을 수소규소화반응으로 부가시켜 얻어지는 다음 일반식 (III)의 알리알킬실란 화합물에 관한 것이다 본 발명의 알릴알킬실란 화합물은 유기규소고분자 화합물을 제조하는데 중요한 출발물잘로 사용된다. (식중, X는 독립적으로 클로로기, 또는 메촉시 또는 에톡시기를 나타내고, R은 Ph, CH₂Cl, CnH₂nCH₃ (n=0 - 15), Si(Me)mCl₃-m (m=0-3), CF₃, CH₂CF₃, CN, CH₂CN, CH₂Si(Me) Cl(₃- ). Si(Me) (R¹)₃- (m=0-3), CH₂Si(Me) (R¹)₃_ (m=0 - 3) (여기서 Me는 메틸기, R¹은 메톡시 또는 에톡시기임)p-Ph-CH₂Cl, 3-시클로헥센기 중에서 선택된 기를 나타낸다.본 발명자들은 아리리클로라이드에 염화수소를 함께 사용하면 알릴디클로로실란과 트리클로로알릴실란의 두가지 실란들을함께 얻을수 있음을 발견하였다. 이것은 알릴클로라이드의 반응성과 염화수소의 반응성이 비슷하여 하나의 규소 원자에이들 두 분자가 각각 하나씩 들어가는 화합물을 얻을 수 있음을 말해주는 것이다. 이 공정에서는 고분자화하기 쉬은 디클로로디알릴실란의 생성이 거의 없기 때문에 공정운전 상의 어려움이 없다 (대한민국 특허출원 제 92-10292호 참조)또한 본 발명자들은 알릴디클로로실란 또는 아릴디알콕시실란 과 탄소와 이중겹합을 갖는 유기화합물 또는 시클로헥센을 염화백금산, 활성금속니켈과 같은 촉매 존재하에 수소규소화반응으로 부가시키면 알릴알킬실란 화합물을 합성할 수 있음을 발견하였다. 이와 같이 얻어진 본 발명의 아릴알킬실란 화합물은 유기규소고분자 화합물을 제조하는 데 중요한 출발물질이 된다.본 발명자들은 아리리클로라이드에 염화수소를 함께 사용하면 알릴디클로로실란과 트리클로로알릴실란의 두가지 실란들을함께 얻을수 있음을 발견하였다. 이것은 알릴클로라이드의 반응성과 염화수소의 반응성이 비슷하여 하나의 규소 원자에이들 두 분자가 각각 하나씩 들어가는 화합물을 얻을 수 있음을 말해주는 것이다. 이 공정에서는 고분자화하기 쉬은 디클로로디알릴실란의 생성이 거의 없기 때문에 공정운전 상의 어려움이 없다 (대한민국 특허출원 제 92-10292호 참조)또한 본 발명자들은 알릴디클로로실란 또는 아릴디알콕시실란 과 탄소와 이중겹합을 갖는 유기화합물 또는 시클로헥센을 염화백금산, 활성금속니켈과 같은 촉매 존재하에 수소규소화반응으로 부가시키면 알릴알킬실란 화합물을 합성할 수 있음을 발견하였다. 이와 같이 얻어진 본 발명의 아릴알킬실란 화합물은 유기규소고분자 화합물을 제조하는 데 중요한 출발물질이 된다
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피감수와 감수의 입력 M비트값을 각기 한 비트씩 분리 감산하여 각기 두 비트의 차값과 빌림수값을 구하는 감산과정과, 상기 감산과정에서 얻어진 M비트의 차값과 빌림값을 이전단의 빌 림값에 의해 조건적으로 M/2개의 비트로 선택하여 최하위의 첫번째 및 두번째 비트의 감산 결과값을 구하는 제1선태과정과, 상기 감산 과정에서 얻어진 M비트의 차값과 빌림값을 이전단의 빌림값에 의해 조건적으로 M/2개의 비트로 선택하여 세번째 및 네번째 비트의 감산 결과값을 구하는 제2선태과정과, 상기 감산과정에서 얻어진 M비트의 차값과 빌림값을 제2선택과정에서 얻어진 한 비트의 빌림값에 의해 조건적으로 M/2개의 비트로 선택하여 나머지 비트의 결과값을 구하는 제3선택과정으로 이루어짐을 특징으로 한 조건부 감산방법.1. 피감수와 감수의 입력 M비트값을 각기 한 비트씩 분리 감산하여 각기 두 비트의 차값과 밀림수값을 구하는 감산과정과, 상기 감산과정에서 얻어진 M비트의 차값과 빌림값을 이전달의 빌림값에 의해 조건적으로 M/2개의 비트로 선택하여 최하위의 첫번째 및 두번째 비트의 감산 결과값을 구하는 제1선택과정과, 상기 감산과정에서 얻어진 M비트의 차값과 빌림값을 이전단의 빌림값에 의해 조건적으로 M/2개의 비트로 선택하여 세번째 및 네번째 비트의 감산 결과값을 구하는 제2선택과정과, 상기 감산과정에서 얻어진 M비트의 차값과 빌림값을 제2선택과정에서 얻어진 한 비트의 빌림값에 의해 조건적으로 M/2개의 비트로 선택하여 나머지 비트의 결과값을 구하는 제3선택과정으로 이루어짐을 특징으로 한 조건부 감산방법.2. 제1항에 있어서, 제1선택과정은 상기 감산과정에서 얻어진 최하위 비트의 빌림값에 의해 다음 비트의 차값을 구하는 것을 특징으로 하는 조건부 감산방법.3. M비트의 피감수와 감수를 각기 한 비트씩 분리 연산하여 한 비트의 빌림수와 두 비트의 차값을 구하는 제1연산수단과, 상기 제1연산수단에서 얻어진 한 비트의 빌림수값에 의해 상기 M비트 중에서 다음 두 비트의 피감수와 감수를 각기 한 비트씩 분리연산하여 두 비트의 차값과 한 비트의 빌림수값을 구하는 제2연산수단과, 상기 제2연산수단에서 얻어진 빌림수값에 의해 M비트의 나머지 피감수와 감수를 각기 한 비트씩 분리 연산하여 네 비트의 차값과 한 비트의 빌림수값을 출력하는 제3연산수단으로 구성함을 특징으로 한 조건부 감산기.4. 제3항에 있어서, 제1연산수단은 입력되는 M비트의 피감수 및 감수에서 최하위의 한 비트를 감산하여 두 비트의 빌림수와 두 비트의 차값을 구하는 제1감산기와, 상기 M비트중에서 다음 하위비트의 피감수와 감수를 감산하여 두 비트의 빌림수와 두 비트의 차값을 구하는 제2감산기와, 상기 제1감산기에서 구해진 빌림수값에 의해 상기 제2감산기에서 얻어진 두비트의 빌림수와 차값을 M/2로 구하여 출력하는 제1선택기로 구성함을 특징으로 한 조건부 감산기.5. 제3항에 있어서, 제2연산수단은 상기 M비트중에서 3번째 및 4번째의 피감수와 감수와를 각각 감산하여 각각 두 비트의 빌림수와 두 비트의 차값을 구하는 제3, 제4감산기와, 상기 제3감산기에서 구해진 각각의 두 비트의 빌림수값에 따라 제4감산기에서 구해진 두 비트의 빌림수 및 차값을 각각 M/2로 선택하여 출력하는 제2, 제3선택기와, 상기 제2, 제3 선택기에서 선택되어 얻어진 4비트의 값과 제3감산기에서 얻어진 두 비트의 차값을 제1선택기에서 출력되는 빌림수에 따라 M/2로 선택하여 3비트의 값을 출력하는 제4선택기로 구성함을 특징으로 한 조건부 감산기.6. 제3항에 있어서, 제3연산수단은 입력 M비트중에서 나머니 4비트의 피감수와 감수를 각각 1비트씩 감산하여 각각 두 비트의 빌림수와 차값을 구하는 제5 내지 제8감산기와, 상기 제5감산기로 부터 구해진 두 비트의 빌림수값에 따라 제6감산기에서 구해진 두 비트의 차값과 빌림수를 각각 M/2로 선택하여 출력하는 제5, 제6 선택기와, 상기 제7감산기에서 구해진 두 비트의 빌림수값에 따라 제8감산기에서 구해진 두 비트의 차값과 빌림수값을 각각 M/2로 선택하여 출력하는 제7, 제8 선택기와, 상기 제8선택기에서 구해진 각각의 빌림수값에 따라 상기 제7, 제8선택기에서 각각 두 비트씩 얻어진 차값과 빌림수값에 따라 상기 제7, 제8선택기에서 각각 두 비트씩 얻어진 차값과 빌림수값 및 제7감산기에서 각각 1비트씩 얻어진 차값 및 빌림수값을 M/2로 선택하여 각각 3비트값을 구하는 제9, 제10선택기와, 상기 제4선택기에서 얻어진 빌림수에 의해 제9, 제10선택기에서 각각 3비트씩 얻어진 값과 제5감산기에서 얻어진 두 비트의 차값 및 제7, 제8선택기에서 각각 1비트씩 얻어진 값을 M/2로 선택하여 나머지 비트의 결과값을 구하는 제11선택기로 구성함을 특징으로 한 조건부 감산기.7. 제3항 내지 제6항의 어느 한 항에 있어서, 제1 내지 제8감산기는 입력한 비트의 피감수와 감수를 배타적 논리합하여 차값(DO)을 출력하는 배타적 논리소자와, 상기 배타적 논리합소자의 출력값과 한 비트의 입력 피감수를 논리곱 반전하여 빌림수(B1)값을 출력하는 낸드게이트와, 상기 배타적 논리합소자의 출력값을 반전하여 차값(D1)을 출력하는 인버터와, 상기 배타적 논리합소자의 출력값과 한 비트의 감수값을 논리곱하여 빌림수(BO)를 출력하는 낸드게이트로 구성함을 특징으로 한 조건부 감산기.8. 제4항에 있어서, 제1감산기는 피감수와 감수의 입력 비트가 8비트일 경우에 최하위 한 비트의 감산 결과 값을 구하여 출력하는 것을 특징으로 한 조건부 감산기.9. 제4항에 있어서, 제1선택기는 피감수와 감수의 입력 비트
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
[구성](A)본 발명은 4가 이상의 다가 알콜을 사용하여 락티드를 개환 중합시킴으로써, 고분자량의 폴리락티드를 제조하는 방법 및 이 방법에 의해 제조된 스타형(star-shaped) 분자 구조의 생분해성 폴리락티드에 관한 것이다. 본 발명에서 사용된 다가 알콜은 4개 이상의 히드록실기를 갖는 다가 알콜, 예를 들면 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨, 트리펜타에리트리톨, 폴리히드록시알킬 메타크릴레이트 및 폴리알콜 등이며, 락티드를 기준으로 0.001~0.5몰%의 양으로 사용된다. 본 발명에 따른 폴리락티드는 분자량이 크고 용융 점도가 낮아 가공성 및 강도가 우수하기 때문에 범용 생분해성 재료로 사용이 가능할 뿐만 아니라 생체 흡수성 재료, 농약이나 의약, 약제의 서방성 매트릭스, 농업용 필름 등으로 광범위하게 사용될 수 있다.고분자량의 폴리락티드를 간편하고 용이하게 제조할 수 있는 방법이 강력하게 요구되고 있는 실정에서 본발명자들은 간편한 조작으로 락티드를 직접 개환 중합하여 고분자량의 폴리락티드를 얻는 방법에 관하여 예의 검토한 결과, 폴리락티드의 분자 구조를 변화시켜 스타형 구조로 만들면 고분자량의 폴리락티드를 얻는 데 있어서 유리하다는 사실을 알게 되었다.일반적으로, 스타형 고분자는 다관능기를 갖는 물질에 고분자 사슬이 여러개 붙어 있는 구조로서 고분자 사슬의 형태가방사선 구조를 갖는 것으로, 동일한 분자량의 직쇄형 고분자에 비해 낮은 용융 점도를 나타내는 것으로 알려져 있다(루버스(J.E.L Roovers) 등, Macromolecules, 5, 385(1972) 참조). 따라서, 스타형 구조의 폴리락티드는 동일한 분자량의 직쇄형 폴리락티드에 비해 용융 점도가 낮고, 또한 고분자량을 얻는 데 있어서 유리하다.스타형 폴리락티드를 만드는 방법으로는, 다관능기를 갖는 물질을 개시제로 하는 락티드의 중합법과 직쇄형 폴리락티드를제조한 후 커플링시키는 방법을 고려할 수 있다. 일반적인 스타형 고분자의 제조에는 후자의 방법이 많이 사용되고 있으나 본 발명의 스타형 폴리락티드의 제조에는 전자의 방법이 유리하다. 전자의 방법에 의해 폴리락티드가 스타형 구조를이루는 메카니즘은 다관능기를 갖는 다가 알콜과 락티드의 반응성 차이에 기인한다. 즉, 본 발명에 사용된 다가 알콜은 1차 알콜로서, 반응 초기에 모든 다가 알콜이 락티드와 먼저 반응하여 작은 스타형 구조를 이룬다. 이 이후의 반응은 스타형 구조를 계속 유지한 채 락티드 간의 반응에 의해 분자쇄가 자라나게 되며, 결국 스타형 구조의 고분자가 형성된다.본 발명자들은 디펜타에리트리톨과 같은 4가 이상의 다관능기를 갖는 다가알콜을 개시제로 하여 락티드를 개환 중합시키면 용융 점도가 낮은 고분자량의 중합체가 제조된다는 사실을 발견함으로써 본 발명을 완성하기에 이르렀다.본 발명의 목적은 중량 평균 분자량의 50,000 이상인 스타형 폴리락티드를 제공하기 위한 것이다.본 발명의 다른 목적은 중량 평균 분자량이 50,000 이상인 스타형 폴리락티드의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.상기 본 발명의 목적은 4개 이상의 1차 히드록실기를 갖는 다가 알콜을 개시제로 사용하여 락티드를 개환 중합시킴으로써 달성된다.본 발명에 따르면, 락티드에 4가 이상의 다가 알콜 및 촉매를 가하고, 이를 감압 가열하여 개환 중합시키는 것을 특징으로 하는 하기 일반식(Ⅰ)으로 표시되는 분자량 50,000 이상의 스타형 폴리락티드의 제조 방법이 제공된다.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
환경 > 기타 환경오염제어·관리 기술
[구성]본 발명은 지하수, 오수 또는 폐수 내에 존재하는 질산염, 아질산염, 황산염, 염산염, 인산염 등을, 알루미나 시멘트, 생석회 및 황산염 화합물의 혼합 교반을 통해 침전 제거하는 방법, 및 이에 따른 연속 공정 방법을 제공한다.청구항 1. 지하수, 오수 또는 폐수내에 존재하는 염을 알루미나 시멘트와 생석회에 의해 침전 반응시켜 제거하는 방법에 있어서, 황산염을 첨가하여 반응 속도를 제어하는 방법.청구항 2. 제 1 항에 있어서, 상기 황산염이 황산칼슘, 황산칼륨, 황산나트륨, 황산제일철, 황산제이철 및 그의 배합물로 이루어진 군 중에서 선택된 것인 방법. 청구항 3. 제 1 항에 있어서, 상기 황산염을 0.001∼0.01 M 농도로 첨가하는 방법. 청구항 4. 제 1 항에 있어서, 상기 침전 반응 이후에 잔류 칼슘 이온을 탄산염을 첨가하여 침전 반응시킨 후에, 산으로 중화 처리함으로써 잔류 알루미늄 이온을 침전 제거하는 것이 추가로 구성되는 방법. 청구항 5. 제 4 항에 있어서, 상기 탄산염이 소석회, 탄산칼륨 및 탄산나트륨으로 이루어진 군 중에서 선택된 것인방법. 청구항 6. 제 1 항에 있어서, 상기 침전 반응이, 내측 관상과 외측 관상으로 이루어진 이중 관상 반응기내에서 지하수, 오수 또는 폐수내에 존재하는 염을 알루미나 시멘트, 생석회 및 황산염과 혼합 교반하여 불용성 침전물을 생성시킨후에, 침전조내에서 이를 침전시키는 것으로 이루어지는 연속 공정 방법. 청구항 7. 제 6 항에 있어서, 상기 침전조에 여과막이 장착된 방법.청구항 8. 제 6 항에 있어서, 상기 반응기 다음에 이차 교반조가 장착된 방법.청구항 9. 제 8 항에 있어서, 상기 이차 교반조내에서 슬러지 농축 후에, 교반을 개시하는 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
[구성]전계 발광소자의 발광재료로서 사용되는 다음 화학식 1의 플로렌계 복합 교대 공중합체 및 상기 플로렌계 복합 교대공중합체를 발광층의 발광재료로서 함유하는 양극/발광층/음극, 또는 필요시 여기에 전달층 및/또는 반사층이 포함되도록 구성된 전계발광 소자가 제공된다.화학식 11. 다음 화학식 1로 표시되는 전계 발광 소자의 발광재료용 플로렌계 복합 교대 공중합체.(식중 R과R`은 서로 같거나 다르고, 수소, 또는 메틸, 에틸프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, 펜틸,헥실, 에틸헥실, 헵틸, 옥틸, 이소옥틸, 노닐, 데실, 도데실, 헥사데실, 옥타데실, 도코데실, 시클로프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실, 메톡시, 에톡시, 부톡시, 헥실옥시, 메톡시, 에톡시에틸, 및 메톡시에톡시에톡시에틸 중에서 선택된 탄소수 1~22개의 지방족 또는 지환족 알킬기나 알콕시기, 또는 페닐, 페녹시, 톨릴, 벤질, 나프틸 및 안트라센기 중에서 선택된 탄소수 6~18개의 아릴기 또는 아릴옥시기, 또는 트리메틸실릴, 트리페닐실릴, 트리부틸틴, 또는 트리에틸게르마늄을 나타내고; u는 2중 결합 또는 3중 결합을 의미하며; Ar 과 Cr은 같거나 다른 구조로서, 페닐기 또는 알킬, 알콕시, 디알킬과 같은 탄소수 1~22개의 지방족 알킬기가 치환된 방향족 화합물, 또는 헤테로 화합물, 및 여러 이성체들의 디페닐 화합물, 또는 터페닐, 나프타렌, 안트라센 및 페난트렌과 그 유도체들과 같은 2개 이상의 페닐기를 갖는 화합물을 나타내며 Ar과 Cr의 구조가 같은 경우는 예컨대 페닐기가 각각 메타 또는 파라위치에서 연결된 것과 같이 분자 주쇄에 연결된 방법이 다른 것을 의미하고; m과 n은 1 이상의 정수를 나타낸다)2. 발광층의 발광재료로서 제 1항에 따른 화학식 1의 플로렌계 복합 교대 공중합체를 함유하는 것이 특징인 양극/발광층/음극, 또는 양극/정공전달층/발광층/전자전달층/음극으로 구성된 전계 발광 소자.3. 제 2항에 있어서 발광층의 발광재료가 제 1항에 따른 화학식 1의 플로렌계 복합 교대 공중합체와 전하전달 고분자가 블렌딩 되어 있는 것이 특징인 전계 발광 소자.4. 제 3항에 있어서, 전하전달 고분자가 폴리비닐카바졸인 것이 특징인 전계 발광 소자.5. 제 3항에 있어서, 제 1항에 따른 화학식 1의 플로렌계 복합 교대 공중합체가 전하 전달 고분자에 대해 0.1 내지 99.9% 중량%로 블렌딩된 것이 특징인 전계 발광 소자.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
[구성]본 발명은 더욱 향상된 품질계수(Q), 유전율(K)과 공진주파수의 온도계수(τf)를 얻기 위하여, 90에서 99몰%의 (ZrxSny)TizO4(x+y+z=2, 0.6≤x≤1.0, 0≤y≤0.4, 0.6≤z≤1.4)를 주성분으로 하는 유전체 자기 조성물에 0.5에서 5.0몰%의 산화마그네슘 및 0.5에서 5.0몰%의 산화탄탈륨 또는 0.5에서 5.0몰%의 산화니오비늄의 복합물이 첨가되고 이에 부가하여 0.75에서 1.5중량%의 산화아연이 가해져 소결된 고주파용 유전체 자기 조성물을 제공한다.1. 90에서 99몰%의 (Zr(x)Sn(y))Ti2O4(x+y+z=2, 0.6≤z≤1.0, 0≤y≤0.4, 0.6≤z≤1.4), 0.5에서 5.0몰%의 산화마그네슘, 0.5에서 5.0몰%의 산화탄탈륨 및 0.75에서 1.5중량%의 산화아연으로 이루어지는 고주파용 유전체 자기 조성물.2. 제 1항에 있어서, (Zr(x)Sn(y))Ti2O4(x+y+z=2, 0.6≤z≤1.0, 0≤y≤0.4, 0.6≤z≤1.4)의 양이 98.5에서 98몰%인 고주파용 유전체 자기 조성물.3. 제 1항에 있어서, 상기 산화마그네슘의 양이 1.0에서 1.5몰%인 고주파용 유전체 자기 조성물.4. 제 1항에 있어서, 상기 산화탄탈륨의 양이 1.0에서 1.5몰%인 고주파용 유전체 자기 조성물5. 제 1항 내지 제 4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 x,y,z가 x=0.8, y=0.2및 z=1.0인 고주파용 유전체 자기 조성물.6. 90에서 99몰%의 (Zr(x)Sn(y))Ti2O4(x+y+z=2, 0.6≤z≤1.0, 0≤y≤0.4, 0.6≤z≤1.4), 0.5에서 5.0몰%의 산화마그네슘, 0.5에서 5.0몰%의 산화니오비늄 및 0.75에서 1.5중량%의 산화아연으로 이루어지는 고주파용 유전체 자기 조성물.7. 제 6항에 있어서, 상기 (Zr(x)Sn(y))Ti2O4(x+y+z=2, 0.6≤z≤1.0, 0≤y≤0.4, 0.6≤z≤1.4)의 양이 98.5에서 98몰%인 고주파용 유전체 자기 조성물.8. 제 6항에 있어서, 상기 산화마그네슘의 양이 0.75에서 1.25몰%인 고주파용 유전체 자기 조성물9. 제 6항에 있어서, 상기 산화니오비늄의 양이 0.75에서 1.25몰%인 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 자기 조성물10. 제 6항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 x,y,z 가 x=0.8, y=0.2및 z=1.0인 고주파용 유전체 자기 조성물.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
[구성]본 발명의 구름 마찰 및 마모 시험 장치는 대기 환경을 포함하여 진공 및 특수 환경 분위기 (불활성 가스, 냉매, 부식성 가스 등) 내에서 구름 마찰 운동을 하는 요소들의 마찰 및 마모 시험에 사용하기 위한 것으로, 회전 관성체를 사용하여 구름 접촉 운동시 발생하는 구름 마찰력 측정을 가능하게 하고, 안정된 구름 접촉을 가능하게 함으로써 시험 초기에 구름 요소가 파손되는 단점을 개선할 수 있게 한다. 이 시험 장치는 속도 단위의 진동량을 측정함으로써 구름 요소들이 파손되는 현상과 구름 요소의 피로 마모를 평가하도록 한 것이다. 또한, 이 시험 장치는 구름 요소들의 표면에 마찰 계수 감소 및 내마모성 증가의 목적으로 도포될 수 있는 각종 고체 윤활제 피막들의 마찰 계수 감소 효과 및 마모 수명 증가를 측정할 수 있으며, 구름 베어링 내의 리테이너 재료에 따른 마찰력 증가 요인을 평가할 수 있다.1. 구동 모터(5)를 포함하는 몸체부(1)와, 구름 마찰 운동을 하는 요소를 수용하며 내부 상태가 조절되는 밀폐된 장치 본체부(2)와, 상기 요소를 회전시키기 위해 이 요소와 모터(5)사이를 연결하는 축이음 기구(32)와, 상기 장치 본체부 내의 상태를 표시 및 조절하기 위한 조작 패널(3)과, 모터(5)를 구동시키는 구동 시스템(4)으로 구성되며, 진공 및 특수한 환경 분위기 내에서 재료의 구름 마찰 및 마모 시험을 수행하기 위한 구름 마찰 운동 요소의 마찰 및 마모 시험 장치에 있어서, 상기 장치 본체부(2)는 원형 상판(29)와 하판 (30)및 측판으로 둘러싸인 진공 챔버(28)의 내부에 마련되고, 회전 관성체 (18)와 하중 공급원에 연결되고 직선 운동시 기밀을 유지하기 위하여 신축자재한 주름관(31)내에 수납된 하중봉(14)과, 하중봉(14)으로부터의 시험 하중을 회전 관성체(18)에 전달하는 지지 로드(16)와, 회전 관성체(18)에 전달된 하중이 구름 마찰 운동 요소에 수직으로 접초갛여 유발된 구름 마찰력에 의한 회전 관성체(18)의 회전력을 측정하기 위한 센서(25)를 포함하며, 상기 축이음 기구(32)는 분리 수단(63)과, 이 분리 수단(63)외부에 있고 모터(5)에 연결되어 이의 회전에 의해 회전하는 외측 마그네트(65)와, 분리 수단(63)내부에 있고 외측 마그네트(65)의 회전에 의해 자력에 의해서 회전되어 구름 마찰 운동 요소를 회전시키는 내측 마그네트(64)를 포함하는 것을 특징으로 하는 구름 마찰 운동 요소의 구름 마찰 및 마모 시험 장치.2. 제 1항에 있어서, 지지 로드(16)의 일단부가 회전가능하게 고정되고 지지 로드(16)의 타단부에 하중봉(14)에 의해 외부 시험 하중이 가해지며, 지지 로드(16)의 중간부에는 회전 관성체(18)에 시험 하중을 전달하기 위한 볼(17)이 설치된 것을 특징으로 하는 구름 마찰 및 마모 시험 장치.3. 제 1항에 있어서, 회전 관성체(18)내부에 구름 접촉 운동에 따른 수직 방향의 진동량을 측정하기 위한 진동 센서(26)가 설치된 것을 특징으로 하는 구름 마찰 및 마모 시험 장치.4. 제 1항에 있어서,구름 마찰 및 마모 시험을 위한 구름 마찰 운동 요소로서 기존의 드러스트 베어링을 사용하거나, 또는 이 드러스트 베어링의 상부 레이스(23)를 교체하여 평판형 디스크 단체 시편을 사용하는 것을 특징으로 하는 구름 마찰 및 마모 시험 장치.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
[구성]본 발명은 게이트의 미세구조 패시베이션에 의한 전계효과트랜지스터의 성능 개선방법에 관한 것으로, 게이트금속의 아래에 미세패턴을 가진 유전체 패시베이션층을 삽입함으로써 MOSFET 및 MODFET와 같은 전계효과트랜지스터의 성능을 개선할 수 있도록 한 것인데, 이는 게이트와 채널사이에 정전용량 커플링이 있는 모든 전계효과트랜지스터 소자에 적용될 수 있으며 게이트 패시베이션을 위해 안티돝 미세패턴을 사용하여 문턱전압 및 트랜스컨덕턴스의 값을 독립적으로 조절할 수 있음을 제시하였다. 또한, 본 발명은 FET 증폭기 설계시, 사용하기 편한 게이트 바이어스전압 영역내에서 트랜스컨덕턴스가 최대치를 중심으로 한 좁은 영역으로 사용이 한정되는 어려움을 극복할 수 있는 방법을 제공하도록 한 것이다.1. 일반적인 MOSFET및 MODFET소자에 있어서, 미세패턴구조의 게이트 패시베이션층을 사용함으로써 문턱전압 및 트랜스컨덕턴스를 독립적으로 조절 할 수 있도록 한 게이트의 미세구조 패시베이션의 의한 전계효과트랜지스터의 성능 개선방법.2. 제 1항에 있어서, 게이트 패시베이션을 위해 폴리머나 산화막 등의 유전체박막을 사용하는 것을 특징으로 하는 게이트의 미세구조 패시베이션의 의한 전계효과트랜지스터의 성능 개선방법.3. 제 1항에 있어서, 게이트 패시베이션층의 주기 및 폭을 각각 300nm로 하는 안티들(또는 그물모양)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 게이트의 미세구조 패시베이션의 의한 전계효과트랜지스터의 성능 개선방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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일반기술
환경 > 기타 환경오염제어·관리 기술
[목적]고온 조건이 아닌 상온에서 환원제 또는 금속을 담지시킨 촉매를 사용하지 않고도 여러 농도의 질소 산화물을 장시간에 걸쳐 제거할 수 있는 질소 산화물의 제거방법에 관한 것으로, 운전이 간단하고 운전 비용이 절감될 뿐만 아니라 제조 과정이 간단한 분자체를 이용한 질소 산화물의 제거방법을 제공한다. [구성]AlPO4계 분자체에 존재하는 결함 자리는 일산화탄소를 선택적으로 제거할 뿐만 아니라, 수분과의 접촉에 의해서도 그의 활성을 유지한다. 이러한 특성을 이용하여 상온에서 금속을 포함하지 않고 다른 반응물질 없이 AIPO4계 분자체 자체만으로도 질소 산화물을 선택적으로 제거하게 된다. 이때 AlPO4계 분자체로는 AlPO4, SAPO 및 MAPO, SOD, CHA, AEI, AEL, FAU, AEI 및 VFI의 골격 구조를 갖는 것이 바람직하다. 또한 일산화질소는 그 농도가 800 내지 950ppb이고, 수분의 유무와는 무관하게 그의 제거율은 90 내지 99%이다.1. 알루미늄 및 인을 포함하는 AlPO4계 분자체를 사용하는 것을 특징으로 하는 기체 중의 질소 산화물의 제거 방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 알루미늄 및 인을 포함하는 AlPO4계 분자체는 유기 고분자 제거를 위한 소성 과정 후 물 중탕을 통하여 그 내부에 존재하는 구조 결함 자리를 활성화시킨 물질인 방법.3. 제 2항에 있어서, 상기 분자체는 SOD, AFl,AEL, FAU, AEI등의 골격 구조를 갖는 것인 방법.4. 제 1 내지 3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 질소 산화물은 일산화질소이고, 이 일산화질소는 다른 반응 물질 또는 금속 성분 없이 AlPO4계 분자체만에 의하여 상온 및 상압에서 제거되는 것인 방법.5. 제 4항에 있어서, 일산화질소는 그 농도가 800 내지 950ppb이고, 수분의 유무와는 무관하게 그의 제거율은 90 내지 99%인 것인 방법.6. 제 4항에 있어서, 일산화질소는 그 농도가 약 20ppm 이고, 수분이 있는 경우 그의 제거율은 약 98%인 것인 방법.7. 제 4항에 있어서, 일산화질소는 그 농도가 20 내지 90 ppm이고, 그외 수분 및 다른 대기 오염 물질이 존재하는 경우 그의 제거율은 50 내지 70%인 것인 방법.8. 제 4항에 있어서, 이산화질소는 그 농도가 30 내지 40ppb이고, 그외 수분 및 다른 대기오염 물질이 존재하는 경우 그의 제거율은 최고 10%인 것인 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
[구성]본 발명은 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조 제작방법에 관한 것으로, 레이저 홀로그래피법과 습식식각에 의해 단주기 V홈 어레이가 형성된 갈륨비소 기판위에 유기금속화학증착법으로 AlGaAs/GaAs의 양자세선 어레이 구조를 형성하고 불필요한 양자우물층을 제거하며 레이저 발진시 전류를 양자세선으로만 흐르게 하기 위한 전류방지층을 미세패턴된 구조위에 감광막을 이용한 리소그래피 기술을 이용하여 형성함으로써, 낮은 문턱전류와 고출력을 갖는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드를 구현할 수 있다.1. 기판위에 단주기 양자세선 어레이를 형성하는 공정과, 이후 감광막 마스크를 형성하여 상기 단주기 양자세선 어레이 양쪽 윗부분의 양자우물층을 제거하는 공정과, 이후 전류차단층을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조제작 방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 기판은 레이저 홀로그래픽 리소그래픽에 의한 마이크로미터 이하의 주기를 갖는 단주기 V홈 어레이 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조제작 방법.3. 제 1항에 있어서, 상기 양자세선 어레이는 유기금속화학증착법에 의해 성장시키는 것을 특징으로 하는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조제작 방법.4. 제 1항에 있어서, 양자우물층의 제거는 감광막을 식각 마스크로 한 습식식각으로써 수행됨을 특징으로 하는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조제작 방법.5. 제 4항에 있어서, 양자우물층의 제거를 위한 습식식각은 H3PO4와, H2O2및 H2O의 비율을 16:9:75로 하는 것을 특징으로 하는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조제작 방법.6. 제 1항에 있어서, 상기 전류차단층은 플라즈마화학증착법에 의한 실리콘화산화막(SiO2)를 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조제작 방법.7. 제 6항에 있어서, 양자세선 영역의 실리콘산화막(SiO2)의 제거는 리프트 오프 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조제작 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
통신 > 광전송 기술
[청구범위] 1.제3항에 있어서, 상기 단위 결정이 정방정계(tetragonal) 결정이며, 상기 정방정계 결정의 어느 한 측면과 하부 결정면이 이루는 각도β는 (여기서, Cij(i, j는 정수)는 결정의 탄성 계수(elastic constant)의 성분값)을 만족시키는 값인 것을 특징으로 하는 음향 광 변조기. [구성]본 발명은 다중 채널 음향 광 변조기에 관한 것이다. 한개의 음향 광 변조기셀에 여러 개의 피에조 변환기를 부착시키는 음향 광 변조기에서는 화소의 수가 수천개 이하로 제한되어 홀로그래픽 비디오 시스템과 같이 수만개 이상의 화소가 필요한 디스플레이 장치에 사용하기에는 한계가 있었다. 이러한 한계를 극복하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 입사광을 음향 광 변조기키기 위한 음향 광 변조기가 제공되는 데, 이 음향 광 변조기는 다수의 변조기 셀, 및 상기 다수의 셀 사이에 배치되고 상기 다수의 셀을 서로 격리 접속시키기 위한 다수의 음향 흡수판을 포함한다. 상기 각각의 셀은 단면이 대칭 역사다리꼴 형태이며 상기 입사광을 변조시켜 회절되거나 투과되도록 하기 위한 단위 결정, 상기 단위 결정의 상부 결정면 상에 결합되어 있고 한쌍의 전극을 포함하며 상기 한 쌍의 전극에 가해지는 신호에 따라 상기 단위 결정 내에서 음향파가 발생되도록 하기 위한 피에조 변환기, 및 상기 단위 결정의 상부 결정면 상에 결합되어 상기 단위 결정으로부터의 음향파를 흡수하기 위한 음향 흡수기를 포함한다. 본 발명은 각 음향 광 변조 셀을 직선으로 연결되도록 하여 그 효과상 긴 개구를 가진 광변조 셀을 만듦으로써 표시 가능한 화소의 수를 늘린다. 각 음향 광변조기 셀은 독립적으로 동작이 가능하므로 고속 입력이 가능해지고 펄스 레이저를 광원으로 사용할 수 있게 된다.본 발명은 다중 채널 음향 광 변조기에 관한 것이다. 한개의 음향 광 변조기셀에 여러 개의 피에조 변환기를 부착시키는음향 광 변조기에서는 화소의 수가 수천개 이하로 제한되어 홀로그래픽 비디오 시스템과 같이 수만개 이상의 화소가 필요한 디스플레이 장치에 사용하기에는 한계가 있었다. 이러한 한계를 극복하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 입사광을 음향 광 변조기키기 위한 음향 광 변조기가 제공되는 데, 이 음향 광 변조기는 다수의 변조기 셀, 및 상기 다수의 셀 사이에 배치되고 상기 다수의 셀을 서로 격리 접속시키기 위한 다수의 음향 흡수판을 포함한다. 상기 각각의 셀은 단면이 대칭 역사다리꼴 형태이며 상기 입사광을 변조시켜 회절되거나 투과되도록 하기 위한 단위 결정, 상기 단위 결정의 상부 결정면 상에 결합되어 있고 한쌍의 전극을 포함하며 상기 한 쌍의 전극에 가해지는 신호에 따라 상기 단위 결정 내에서 음향파가 발생되도록 하기 위한 피에조 변환기, 및 상기 단위 결정의 상부 결정면 상에 결합되어 상기 단위 결정으로부터의음향파를 흡수하기 위한 음향 흡수기를 포함한다. 본 발명은 각 음향 광 변조 셀을 직선으로 연결되도록 하여 그 효과상긴 개구를 가진 광변조 셀을 만듦으로써 표시 가능한 화소의 수를 늘린다. 각 음향 광변조기 셀은 독립적으로 동작이 가능하므로 고속 입력이 가능해지고 펄스 레이저를 광원으로 사용할 수 있게 된다
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- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
[구성]본 발명은 원격지에 있는 로봇 팔에 달린 그리퍼와 그리퍼가 접촉하는 작업 대상물 사이의 촉각 정보를 중앙 제어실에 있는 조작자에게 전달하여 더욱 정교하고 효과적인 작업을 할 수 있도록 하는 자석의 반발력을 이용한 원격 조종 로봇용 촉각 궤환장치에 관한 것으로, 종래의 공압 및 형상기억합금을 사용하는 촉각 궤환장치에 있어서는 그리퍼와 그리퍼가 접촉하는 촉각정보를 중앙제어실에 있는 조작자에게 정확히 전달할 수 없게 되는 문제점이 있었다. 이러한 점을 감안하여, 촉각센서로부터 궤환 입력되는 촉각정보에 따라 전자석의 구동을 제어하고, 그 전자석 및 영구자석의 반발력에 의해 상기 촉각정보를 조작자에게 전달하며, 상기 전자석 및 영구자석 사이의 반발력을 멕스웰의 스트렌스텐서방법에 의해 모델링하여, 상기 촉각정보에 따라 전자석 및 영구자석 사이의 반발력을 정밀 제어하게 하며, 촉각 궤환장치를 3×3 어레이 형태로 구성하여 상기 촉각정보를 어레이 단위로 궤환되도록 함과 아울러 연속적인 출력제어가 가능하도록 함으로써, 원격지의 촉각정보를 조작자에게 정확히 전달하여, 정교하고 효과적으로 작업을 수행할 수 있게 한 것이다.1. 로봇의 작업 수행시 그리퍼와 그리퍼가 접촉하는 작업 대상물 사이에 작용하는 접촉력을 측정하는 촉각센서와, 상기 촉각센서의 측정신호를 증폭하여 촉각정보에 다중 송신하는 인터페이스부와, 상기 인터페이스부에서 송신한 촉각정보를 입력받아 그에 따른 촉각 궤환신호를 출력하는 컴퓨터와, 상기 컴퓨터에서 출력되는 촉각 궤환신호를 전류로 변환 공급하는 촉각 궤환소자 구동 회로부와, 상기 촉각 궤환소자 구동 회로부로부터 공급되는 전류에 따라 전자석이 구동되어, 그 전자석 및 영구자석 사이에 반발력에 의해 조작자에게 압력을 전달하는 촉각 궤환소자로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 자석의 반발력을 이용한 원격 조종 로봇용 촉각 궤환장치.2. 제1항에 있어서, 촉각 궤환소자는 가이드의 내부 하단에 고정되고 촉각 궤환소자 구동 회로부로부터 공급되는 전류에 따라 구동되어 자력을 발생하는 전자석과, 상기 전자석의 상부에 배치되어 상기 가이드 내부에서 그 전자석과의 반발력에 의해 상부로 이동하는 영구자석과, 상기 영구자석의 상면에 고정부착되어 조작자에게 압력을 전달하는 핀으로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 자석의 반발력을 이용한 원격 조종 로봇용 촉각 궤환장치.3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 촉각 궤환소자는 어래이 형태로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 자석의 반발력을 이용한 원격조종 로봇용 촉각 궤환장치.4. 제1항에 있어서, 촉각 궤환소자 구동 회로부는 컴퓨터에서 출력되는 촉각 궤환신호를 입력받아, 촉각 궤환소자의 전자석을 공급되는 구동전류에 따른 궤환신호와 비교하는 비교부와, 상기 비교부의 출력신호를 필터링하여 안정화시키는 신호 안정부와, 상기 신호 안정부의 출력신호를 증폭하여 상기 촉각 궤환소자의 구동전류로 공급하는 증폭부와, 상기 증폭부에서 공급되는 전류를 정류하여 상기 촉각 궤환소자의 전자석을 구동하는 정류부로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 자석의 반발력을 이용한 원격조종 로봇용 촉각 궤환장치.5. 제4항에 있어서, 비교부는 촉각 궤환 입력신호가 가변저항(VR1)을 통해 저항(R1) 및 연산증폭기(OP1)의 비단전단자에 인가되게 접속하고, 증폭부의 출력신호가 저항(R2)을 통해 저항(R3) 및 상기 연산증폭기(OP1)의 반전단자에 인가되게 접속하여 구성된 것을 특징으로 하는 자석의 반발력을 이용한 원격조종 로봇용 촉각 궤환장치.6. 제4항에 있어서, 신호 안정부는 전원전압이 저항(R4)을 통해 콘덴서(C1)에 인가되게 접속하여, 그 접속점을 저항(R5), 가변저항(VR2,VR3) 및 저항(R7)을 통해 콘덴서(C2) 및 저항(R8)에 접속하고, 비교부의 출력신호가 저항(R6)을 통해 상기 가변저항(VR2), (VR3)의 접속점에 인가되게 접속하여 구성된 것을 특징으로 하는 자석의 반발력을 이용한 원격조종 로봇용 촉각 궤환장치.7. 제6항에 있어서, 증폭부는 저항(R5) 및 가변저항(VR2)의 접속점 신호와 가변저항(VR3) 및 저항(R7)의 접속점 신호에 의해 각기 온/오프 제어를 받고 저항을 통해 서로 직렬 접속된 트랜지스터(TR1), (TR2)와, 상기 트랜지스터(TR1),(TR2)의 온/오프에 따라 각기 온/오프 제어를 받고 서로 직렬 접속되어, 그 접속점을 통해 촉각 궤환소자의 구동전류를 공급하는 트랜지스터(TR3),(TR4)로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 자석의 반발력을 이용한 원격조종 로봇용 촉각 궤환장치.7. 제6항에 잇어서, 증폭부는 저항(R5) 및 가변저항(VR2)의 접속점 신호와 가변저항(VR3) 및 저항(R7)의 접속점 신호에 의해 각기 온/오프 제어를 받고 저항을 통해 서로 직렬 접속된 트랜지스터(TR1), (TR2)와, 상기 트랜지스터(TR1),(TR2)의 온/오프에 따라 각기 온/오프 제어를 받고 서로 직렬 접속되어, 그 접속점을 통해 촉각 궤환소자의 구동전류를 공급하는 트랜지스터(TR3),(TR4)로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 자석의 반발력을 이용한 원격조종 로봇용 촉각 궤환장치.8. 제4항에 있어서, 정류부는 제너다이오드에 의해 반파정류기로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 자석의 반발력을 이용한 원격조종 로봇용 촉각 궤환장치.9. 제4항에 있어서, 정류부는 브리지형태로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 자석의 반발력을 이용한 원격조종 로봇용 촉각 궤환장치.
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일반기술
기계 > 기타 자동화 기술
본 발명은 금형연마시스템의 로봇에 부착되어 임의패턴으로 국부연마를 수행함으로서 연마면 품질을 높이면서도 자동화가가능하게 되도록 한 금형연마용 3자유도 작동장치에 관한 것이다.일반적으로 금형제작시스템은 NC 공작기계에 의하여 절삭가공하는 공정과, 다음 절삭가공된 표면에 남아 있는 공구의 가공흔적을 연마공구에 의하여 제거하거나 광택도를 증진시키는 연마공정으로 이루어진다. 이러한 연마공정은 금형 제작공정중 가장 자동화가 어려운 공정으로 대다수가 수작업에 의존하여 행해지고 있다. 근래 금형제작시스템 전체를 자동화할 수 있도록 하기 위하여 자동연마시스템이 개발되었다. 이러한 종래의 금형연마시스템은 제11도에 도시한 바와 같이 금형(M)이 장착되는 작업대(B)와, 금형(M)을 연마하기 위한로봇(R)과, 상기 로봇(R)의 핸드(H)에 장착되어 연마숯돌(W)을 회전시키는 공구(C)와, 상기 로봇(R)을 제어하기 위한 제어컴퓨터(C)와 로봇컨트롤러(RC)를 가지는 제어부(CB) 및, 교시용조작판(K)으로 구성된다. 상기 로봇(R)은 연마숯돌(W)이 장착된 공구(T)를 금형(M)의 연마 부위로 이동시키는 역할을 하고 연마 부위로 이동된 공구(T)는 숯돌(W)을 회전시켜 금형(M)을 연마하는 것이다. 그러나 이러한 종래의 공구(T)는 통상적인 전동모터 등으로 구성되는 것으로 그 회전축에 장착된 숯돌(W)을 정해진 패턴,즉 단순한 원형 패턴으로 회전시키는 것이기 때문에 연마면 품질이 수작업에 의한 연마면 품질 수준에 이르지 못하고 있다. 따라서 금형제작의 완전 자동화를 위해서는 연마면 품질이 수작업 수준에 이르면서도 자동화할 수 있는 연마 시스템이 요구되고 있는 실정이다. 본 발명의 목적은 이러한 실정을 감안하여 로봇에 부착하여 금형면의 파상도를 효율적으로 제거하여 연마품질을 높일 수있으면서도 연마공정을 자동화할 수 있도록 한 3자유도 작동장치를 제공하려는 것이다.본 발명의 목적은 로봇에 부착하여 금형면의 파상도를 효율적으로 제거하여 연마품질을 높일 수있으면서도 연마공정을 자동화할 수 있도록 한 3자유도 작동장치를 제공하려는 것이다. 이러한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 고정판과, 상기 고정판에 결합되어 작업면에서 평행한 평면상에서 회전운동하는 1축방향으로 회전가능하게 지지되는 1축 작동부와, 상기 1축 작동부에 대하여 작업면에 수직인 방향인 2축방향으로 직선왕복운동 가능하게 결합되는 2축 작동부와, 상기 2축 작동부에 대하여 작업면에 수직한 평면상의 3축방향으로 굴절운동가능하게 결합되는 3축 작동부로 구성됨을 특징으로 하는 금형연마용 3자유도 작동장치가 제공된다. 상기 1축 작동부는 상단에 상기 축받이부에 회전가능하게 지지되는 1축 하우징과, 상기 1축 하우징을 상기 고정판에 대하여 회전구동시키는 1축 구동수단으로 구성되며, 상기 2축 작동부는 상기 1축 하우징에 1축방향으로 상대 회전가능하게 지지되는 2축 하우징과, 상기 2축 하우징을 2축 방향으로 직선왕복구동하는 2축 구동수단으로 구성되고, 상기 3축 작동부는상기 2축 하우징의 하단부에 고정설치되는 3축 프레임과, 상기 3축 프레임과 간격을 두고 평행하게 배치되는 연마공구 장착판과, 상기 3축 프레임의 양단과 연마공구 장착판의 양단에 힌지연결되는 연결레버 및, 상기 연결레버를 회전구동하는3축 구동수단으로 구성된다. 상기 1축 구동수단은 상기 1축 하우징의 외주면 일측에 고정된 1축 구동모터와, 상기 구동모터의 축에 고정된 1축 구동전동요소와, 상기 고정판에 고정설치된 1축 고정전동요소와, 상기 1축 구동전동요소와 1축 고정전동요소 사이에 걸쳐지는 1축 주행전동요소로 구성된다. 상기 2축 구동수단은 상기 1축 하우징에 회전가능하게 지지되어 상기 2축 하우징내로 연장되는 볼스크류와, 상기 2축 하우징에 고정되어 상기 볼스크류에 나사결합되는 너트와, 상기 1축 하우징의 외주면에 장착되는 2축 구동모터와, 상기 2축구동모터의 축에 고정설치된 2축구동 전동요소와, 상기 볼스크류에 고정설치된 2축종동 전동요소와, 상기 2축구동 전동요소와 2축종동 전동요소에 걸쳐지는 2축주행 전동요소로 구성된다. 상기 3축 구동수단은 상기 3축 프레임내에 설치되는 3축 구동모터와, 이 구동모터의 축에 고정된 3축구동 전동요소와, 상기 각 지지축에 고정된 3축종동 전동요소 및, 상기 3축구동 전동요소와 3축종동 전동요소의 사이에 걸쳐지는 3축주행 전동요소로 구성된다.
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- 2001-01-17
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
[구성]파이로클로(pyrochlore) 구조인 Pb2Ru2O6.5 계의 원료 분말 70중량%와, 결합제(binder) 20중량% 및 유기용매 10중량%를 혼합하거나, 또는 5중량%의 RuO2 분말과 95중량%의 유리 프릿트(SiO2-Bi2O3-CaO-Na2O )가 단순 혼합된 원료분말에 위와 같은 결합제 및 유기용매를 혼합하는 방법으로 저항체용 페이스트를 제조하였다. 이러한 페이스트를 알루미나, 유전체·자성체기판에 후막의 형태로 처리하고, 그 저항제를 고온·장시간의 열처리로 동시소성하여, 계면이 안정하고 전기적 특성이 양호한 후막저항체를 제조하였다. 또한, 도전상과 절연상의 혼합비율을 조절함으로써, 넓은 저항범위를 가지는 후막 저항체의 조성을 개발하였다.1. PbO 60-65중량%, Al2O3 2.5-7.5중량%, SiO2 21.5-30.5중량%, CaO 1중량%및 RuO2 5-10중량%로 이루어진 저항체용 페이스트 분말.2. PbO 60-65중량%, Al2O3 2.5-7.5중량%, SiO2 21.5-30.5중량%, CaO 1중량%의 조성으로 된 유리 프릿트 분말과 5-10중량%의 RuO2분말을 혼합하여,용융 및 급냉시키는 것을 특징으로 하는 저항체용 페이스트 분말 제조 방법.3. PbO 60-65중량%, Al2O3 2.5-7.5중량%, SiO2 21.5-30.5중량%, CaO 1중량%및 RuO2 5-10중량%로 이루어지는 분말 70중량%과, 유기 결합제(vehicle)20중량%및 유기 용매 10중량%의 혼합물로 이루어지는 틱소트로피(thixotropy)성질을 가지는 저항체 페이스트.4. RuO2분말 5-10중량%와 유리 프릿트(SiO2-Bi2O3-CaO-Na2O)90-95중량%으로 이루어지는 분말 70중량%, 유기 결합제(vehicle)20중량%및 유기 용매 10중량%의 혼합물로 이루어지는 틱소트로피(thixotropy)성질을 가지는 저항체 페이스트.5. 알루미나 기판 상에 제 3항 또는 제 4항에 의한 저항체용 페이스트를 후막처리하여, 그를 매시간당 300-1200℃이니 승온율로 850-920℃까지 승온하여, 10-120분간 유지한 후, 매시간당 200-400℃로 냉각시켜 소성함으로써, 다양한 범위의 소결 면저항을 가지는 저항체를 만드는 것을 특징으로 하는 후막 저항체 제조방법.6. 제 5항에 있어서, 상기 알루미나 기판 상에 스크린 프린터를 이용하여 전극(은 페이스트)을 형성하고, 저항체를 후막처리하여, 상기 전극과 저항체를 동시에 상기와 같은 방법으로 소성하는 것을 특징으로 하는 후막 저항체 제조방법.
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- 2001-01-17
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일반기술
기계 > 기타 자동화 기술
[구성]본 발명은 그라인딩 로봇에 의하여 용접 비드를 제거하는 방법에 관한 것으로, 그라인딩 로봇에 윤곽 레이저 센서를 장착하여 로봇과 센서를 동기시킨 다음 로봇에 의하여 센서를 이동시키면서 차체면상의 용접 비드 위치를 기준으로 하여 상,하 각 임의의 2점씩 일정 간격으로 반복하여 각 점에 대한 좌표값을 측정하는 단계와; 상기 측정점을 이용하여 차체면을 모델링하는 단계 및; 상기 모델링된 계산값을 이용하여 제거하고자 하는 용접 비드가 있는 곳에 대한 로봇의 자세와 위치를 계산하고, 상기 계산값을 이용하여 로봇을 제어함으로써 용접 비드를 그라인딩하여 제거하는 단계로 수행하는 것에 의하여 차체가 들어올때마다 매번 모델링이 수행되므로 여러 종류의 차체와 비드의 형상과 크기에 상관없이 로봇을 이용할때 필요한 위치와 자세 정보를 계산해 낼 수 있으며, 레이저 센서를 이용하여 비접촉방식으로 차체면의 정보를 입력받으므로 기존의 교시할때 필요한 시간과 어려움이 없고, 결국 고정도를 요구하는 차체면 그라인딩 작업을 기존의 작업자 없이 완벽히 수행할 수 있는 것이다.1. 그라인딩 로봇에 윤곽 레이저 센서를 장착하여 로봇과 센서를 동기시킨 다음 로봇에 의하여 센서를 이동시키면서 차체면상의 용접 비드 위치를 기준으로 하여 상, 하 각 임의의 2점씩 일정 간격으로 반복하여 각 점에 대한 좌표값을 측정하는 단계와; 상기 측정점을 이용하여 차체면을 모델링하는 단계 및; 상기 모델링된 계산값을 이용하여 제거하고자 하는 용접 비드가 있는 곳에 대한 로봇의 자세와 위치를 계산하고, 상기 계산값을 이용하여 로봇을 제어함으로써 용접 비드를 그라인딩하여 제거하는 단계;로 이루어짐을 특징으로 하는 그라인딩 로봇의 용접 비드 제거 방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 모델링 단계에서는 퍼거슨 모델러의 방법을 이용함을 특징으로 하는 그라인딩 로봇의 용접 비드 제거 방법.3. 제 1항에 있어서, 상기 용접 비드를 그라인딩하는 단계에서는 로봇을 2회 이상 움직여 그라인딩함을 특징으로 하는 그라인딩 로봇의 용접 비드 제거 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 계측기기
[구성]본 발명은 인간근육의 특징을 이용한 다자유도계 운동모듈에 관한 것이다. 본 발명에서는 로봇 등의 팔 등에 전달되는 동력원 매체의 에너지를 구체적인 움직임으로 변환하기 위한 액튜에이터(Actuator)의 직동·회전 전용의 운동 개념을 벗어나 인간의 근육의 움직임과 유사한 다양한 움직임을 갖는 인간 근육의 특성을 갖는 다자유도 운동모듈을 제공한다. 본 발명은 코일을 통하여 전기를 공급함으로써 자력을 발생하는 전자석의 양단을 씌우는 일정길이의 유연한 튜브와, 그 튜브의 중앙에 고정 설치되는 피자력체와, 상기의 전자석의 양단을 씌우고 있는 튜브를 다수의 유연한 와이어로 연결하여 상기의 양측 튜브에서 전자석이 이탈되지 않도록 구성하고, 상기의 전자석의 중앙에 고정간을 부착하여 전자석이 양측 튜브의 내측으로 삽입되는 길이가 일정하게 되도록 하고, 코일에 인가되는 전력에 따라 상기의 전자석에 의해 피자력체가 당겨져서 전자석의 양단이 양 측의 튜브 내로 삽입되어 당겨지도록 한 구성의 인조 근육 모듈 복수개를 위치고정막을 사용하여 병렬로 결합시킨 다자유도계 운동모듈이다.1. 다양한 움직임을 구현할 수 있는 인조 근육 모듈을 이용한 운동모듈에 있어서, 전자석을 이용한 복수개의 인조 근육 모듈과, 상기 복수개의 인조 근육 모듈 중앙에 인조 근육 모듈과 같은 길이방향으로 위치시킨 탄성력이 있고 유연한 재질의 지지심과, 상기의 복수개의 인조 근육 모듈과 지지심을 일체로 하여 병렬로 결합시키기 위한 위치고정막을 포함하는 인간근육 특성을 이용한 다자유도계 운동모듈2. 제 1항에 있어서, 상기의 인조 근육 모듈은 코일이 권선된 전자석과, 상기의 전자석의 양단에 끼워지고 와이어로 상호 연결되는 유연한 재질의 튜브와, 상기 전자석이 양측의 튜브 중 어느 한측으로 치우쳐서 삽입되는 것을 방지하기 위해서 전자석의 일정부위에 고정 설치되는 상기 튜브의 직격보다 큰 고정간과, 상기 튜브 내부의 일정부위에 고정 설치되어 상기 전자석으로부터 자력을 받는 피자력체가 구비되어, 상기 코일에 전류가 흐르면 상기 전자석이 자화되고, 이에 따라 피자력체에 흡인력을 작용하여 상기 튜브가 전자석의 중심부로 흡인됨으로서 수축작용하는 것을 특징으로 하는 인간근육 특성을 이용한 다자유도계 운동모듈.3. 제 2항에 있어서, 상기의 튜브에 고정 설치되는 비자력체는 튜브의 유연성을 방해하지 않는 구형상인 것을 특징으로 하는 인간근육 특성을 이용한 다자유도계 운동모듈.4. 전자석을 이용한 복수개의 인조 근육 모듈과, 상기 복수개의 인조 근육 모듈 중앙에 인조 근육 모듈과 같은 길이방향으로 위치시킨 탄성력이 있고 유연한 재질의 지지심과, 상기의 복수개의 인조 근육 모듈과 지지심을 일체로 하여 병렬로 결합시키기 위한 위치고정막을 포함하는 인간근육 특성을 이용한 다자유도계 제 1 운동모듈과, 상기의 제 1운동모듈과 동일한 구성의 복수개의 운동모듈을 직렬로 결하여 유연성과 변위를 증대시킨 것을 특징으로 하는 인간근육 특성을 이용하나 다자유도계 운동모듈.5. 제 4항에 있어서, 상기의 인조 근육 모듈은 코일이 권선된 전자석과, 상기의 전자석의 양단에 끼워지고 와이어로 상호 연결되는 유연한 재질의 튜브와,상기 전자석이 양측의 튜브 중 어느 한측으로 치우쳐서 삽입되는 것을 방지하기 위해서 전자석의 일정부위에 고정 설치되는 상기 튜브의 직경보다 큰 고정간과, 상기 튜브 내부의 일정부위에 고정 설치되어 상기 전자석으로부터 자력을 받는 피자력체가 구비되어, 상기 코일에 전류가 흐르면 상기 전자석이 자화되고, 이에 따라 피자력체에 흡인력을 작용하여 상기 튜브가 전자석의 중심부로 흡인됨으로서 수축작용하는 것을 특징으로 하는 인간근육 특성을 이용한 다자유도계 운동모듈.6. 제 5항에 있어서, 상기의 튜브에 고정 설치되는 비자력체는 튜브의 유연성을 방해하지 않는 구형상인 것을 특징으로 하는 인간근육 특성을 이용한 다자유도계 운동모듈.
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- 2001-01-17
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