일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
파장 분할 다중화 전송기법에서 신호광을 증폭하기 위해 널리 사용되는 Er3+이온이 함유된 광섬유에서는 광이득 증폭을 얻을 수 있는 파장 대역의 반가폭이 작고 파장 대역에 따라 채널 이득이 달라지기 때문에 평탄한 이득을 얻을 수 있는 파장 대역의 반가폭이 좁아져서 이용 가능한 채널의 수가 작아지는 문제점이 있었으며, 텔루라이드( tellurite) 계열의 유리와 같은 특수한 조성의 광섬유에서는 형광 스펙트럼 폭이 실리케이트계열의 유리보다 다소 증가하지만 열적 안정성 및 기계적 안정성이 떨어지는 문제점이 있었다. 이에 광학적 도파로를 분극 처리하여 희토류 이온을 함유한 광학적 도파로에서 희토류 이온이 방출하는 형광 스펙트럼의 파장 대역의 반가폭을 확대시키는 기술이다.기존에 알려진 희토류 이온이 함유된 광학적 매체를 분극 처리함으로써 희토류 금속이 방출하는 형광 스텍트럼의 파장 대역의 반가폭을 확대시켰으며, 또한 희토류 이온을 함유한 유리를 사용하여 광증폭이 가능하도록 형광 스펙트럼의 파장 대역의 반가폭을 확대시킴으로써 수십 테라비트 이상의 광전송이 가능하게 하였다.
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- 포항공과대학교
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- 2001-05-31
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
신디오택틱 폴리스티렌은 스테렌 중합체의 분자쇄에 대한 측쇄인 벤젠고리가 규칙적으로 교대배열된 것으로서 결정성 구조를 갖으며, 녹는점이 270℃로 내열성이 우수하고 기계적 성질 및 전기적 성질이 우수하나, 내충격성이 약하고 용융온도가 높다는 가공상의 단점이 있어서, 이에 내충격성을 향상시키고자 여러 가지 방법이 시도되었으나 크게 효과를 보지 못했으며, 강인성을 개선하기 위해 고무 또는 무정형 성분을 사용하여 오히려 내열성 및 결정화 속도의 저하를 가져왔고 다른 수지와의 상용성을 떨어뜨리는 문제점이 있었다. 본 기술은 신디오택틱 폴리스티렌에 나일론계 수지, 수소화 스티렌/부타디엔/스티렌 삼원공중합체 및 이들과 반응할 수 있는 반응성기를 갖는 수소화 스티렌/부타디엔/스티렌 삼원공중합체를 혼합하여 내충격성이 우수하면서도 내열성, 내약품성 또는 강성의 저하가 일어나지 않는 열가소성 수지조성물을 제공하였다.고충격 폴리스티렌 및 스티렌/부타디엔/스티렌 삼원공중합체를 사용하여 충격강도를 높이는 기술이 있었으나 충분한 충격강도를 얻지 못했으며, 본 기술에서는 내충격성이 약한 신디오택틱 폴리스티렌 60~75중량%, 내열성을 비롯한 물성이 우수하고 가격이 저렴한 나일론계 수지 15~25중량%, 내충격제로서 수소화된 스티렌/부타디엔/스티렌 삼원공중합체 5~10중량% 및 이들 조성물과 각각 반응할 수 있는 반응성기를 갖는 수소화 스티렌/부타디엔/스티렌 삼원공중합체 3~5중량%로 이루어지는 내충격성, 인장강도 및 인장탄성율이 우수한 신디오택틱 폴리스티렌 열가소성 수지조성물을 제공하고 있다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-31
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일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
SnO2를 이용한 반도체식 가스센서는 환원성 가스 대부분에 대해 감지를 하기 때문에 선택성이 떨어지며 오동작의 우려가 크며, 상용화된 SnO2(모물질)+Pt 또는 Pd(귀금속 첨가물) 타입의 CO 감지센서는 감도는 우수하고 비교적 저온에서 작동하나 귀금속을 사용하므로 제작비가 비싸다는 단점이 있었다. 이에 본 기술은 우수한 감도 및 선택성을 갖는 가스 감응층을 개발하여 저가의 센서를 제공하였다. 신규한 가스감응층은 CuO 분말, ZnO분말 및 SnO2 분말을 혼합후 건조 및 열처리하여 소결체를 형성시켜 제조한다.CuO 및 임이의 ZnO가 첨가된 SnO2 재료를 가스감응층에 주 재료로 사용하여 저온에서는 일산화탄소에 대해 높은 감도를, 고온에서는 수소에 대해 높은 감도를 갖는 온도에 따른 선택적인 감도를 나타내는 가스 센서를 제공한다.
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- 포항공과대학교
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- 2001-05-31
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
실리콘 단결정의 생산공정에서 거시적 결점은 상용화된 생산공정에서 제어되고 있으나 미시적 결점 제어는 아직 연구단계에 머물고 있는데 현재까지 제시된 미시적 결점에 대한 모델식들은 오직 공정의 주어진 열적 환경에 관한 온도 분포가 실험적 또는 수치적으로 계산된 상태에서만 실리콘 내부의 미시적 결점 분포를 예측할 수 있는데 이는 단순히 열적 환경이 주어진 경우들을 비교할 수 있을 뿐 품질을 최적화하기 위한 공정의 열적 환경을 어떻게 제어해야 하는지를 알려주지 못하고 있다. 본 기술에서는 기존의 모델식을 이용하여 변분법과 품질 최적화를 수학적으로 표현한 목적함수를 구성하여 오일러-라그랑지 방적식을 구하며 이를 유한차분법으로 수치해석함으로써 내부에 미시적 결점을 최소화하는 최적품질을 위한 실리콘 단결정의 표면온도분포를 구할 수 있으며 이를 이용하여 실리콘 단결정 제조공정의 열적 환경을 제어할 수 있다.실험기기를 이용한 실험적 방법이 아닌 수학적 모델을 이용한 방법론을 이용하여 기존의 사례별 연구의 한계를 극복하여 다양한 조건의 생산공정에 적용이 가능하며 단순히 미시적 결점의 제어 뿐만아니라 거시적 결점 제어에도 이용할 수 있다는 특징이 있다.
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- 포항공과대학교
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- 2001-05-31
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일반기술
재료 > 열처리 기술
기존 고분자 소재의 표면처리방법중 화학적 처리방법은 표면의 작용기를 예측할 수 있는 장점이 있는 반면 공정자체가 번거롭고 오염물질 처리문제가 발생되며 잔류물이 표본속에 존재하는 단점이 있으며, 포장용재인 폴리올레핀, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 표면 처리에 사용되는 코로나 방전 처리방법은 표면처리층이 매우 얇아 표면처리후 시간이 경과됨에 따라 표면이 다시 쉽게 재배열되고 대기중의 습도 등의 처리 공정 변수의 최적화가 어려우며, 이온 빔 방법은 공정의 중복성이 문제가 되며 초기 비용이 상당히 많이 든다는 문제점이 있으며, 플라즈마 처리방법은 고분자 소재 표면에 기체를 이용하여 플라즈마 처리하는 방법으로 원하는 만큼의 작용기가 고분자 소재 표면에 도입시키기가 쉽지 않고 시간이 지남에 따라 표면이 재배열되는 현상이 일어나는 문제점이 있었고 이러한 문제점을 해결하기 위해 수 차례 플라즈마 처리공정 자체를 반복하는 방법이 제안되었으나 표면 처리시간이 길어지고 경제적이지 못한 단점이 있었다. 이에 단 한번의 표면처리로도 표면개질 효과가 우수하고 시간 경과에 따라 표면의 재배열 현상을 방지할 수 있으며 대량 처리가 가능한 플라즈마 표면처리 방법을 제공하고 있는데 산소, 질소 등의 반응성 기체에 비하여 상대적으로 작은 질량을 갖고 있는 불활성 기체를 사용함으로써 친수성기 생성에 필요한 플라즈마 이온이나 라디칼을 증가시키고 시간 경과에 따른 표면 재배열 현상도 방지하였다.반응기 내에 고분자 시료를 넣고, 반응기 내부를 진공으로 한 후, 불활성기체(헬륨, 네온, 아르곤, 크세논, 크립톤)와 반응성기체(산소, 질소, 암모니아, 이산화탄소, 수증기, 수소)를 투입하여 플라즈마를 발생시키면서 교류 주파수 변환에 의해 고분자 시료 표면에 친수성기를 도입하고 시료를 세척시키는 단계로 구성된 고분자 소재의 플라즈마 표면 처리방법으로 종래의 방법에 비해 플라즈마를 발생시키기에 용이한 불활성기체를 적당량 혼합하여 플라즈마의 발생효율을 높인데 그 특징이 있다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-30
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
반도체 분야의 박막제조공정중 유기금속화학증착법에 사용되는 전구체에 관한 기술이다. 현재까지 금속 산화물 박막을 증착하는데 사용하는 금속유기화합물은 알킬금속, 금속 알콕사이드, 베타-디케토네이트 계로 분류할 수 있다. 그러나 알킬금속계 전구체는 원료물질의 증기압은 높지만 독성이나 폭발성이 있고, 알콕사이드류는 합성하기가 비교적 용이하고 분해과정이 잘 연구되어 있으나 습기에 매우 민감하여 가수분해나 수화반응이 쉽게 일어난다. 또한, 베타-디케토네이트계 전구체는 습기에 민감하지 않아 다루기가 용이하지만 고순도로 합성하기가 어려우며 실온에서 고체상으로 존재하여 낮은 온도에서 증기압을 측정해보면 증기압이 낮게 나오고 가격이 비싼 단점이 있다. 이러한 종래의 문제점을 해결하여 열적으로 안정하며 수분에 민감하지 않고 독성이 없으며 상온에서 액상으로 존재하여 취급이 용이하고 저렴한 신규 유기금속 착물 전구체를 제공한다 첨부된 전구체 화합물은 티타늄 또는 지르코늄 화합물을 상응하는 리간드를 제공하는 아민 화합물과 반응시켜 제조할 수 있다. 티타늄 또는 지르코늄 화합물로는 티타늄테트라디에틸아민, 지르코늄테트라디에틸아민, 티타늄테트라알콕사이드, 지르코늄테트라알콕사이드 등을 사용할 수 있으며,아민 화합물로는 디메틸프로판올아민, 디메틸에탄올아민 등이 바람직하다. 반응용매로는 헥산, 톨루엔, 펜탄 등의 통상적인 유기용매를 사용할 수 있으며, 티타늄 또는 지르코늄 화합물과 아민의 반응비율은 몰비로서 1:4가 바람직하다. 환류시키면서 17시간 내지 25시간 동안 교반하면 90% 이상의 높은 수득율로 얻어진다. 상기 유기금속 착물은 상온에서 액체상으로 존재하고, 낮은 온도에서도 기화 특성이 우수하므로 반도체 소자용 금속 함유 박막 제조시의 전구체로서 적합하다. 특허출원번호1999-001235의 기술과 밀접한 관련이 있다
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-07-18
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일반기술
생명과학 > 미생물자원
메비놀린산을 생산하는 균주인 아스퍼질러스 테리우스(Aspergillus terreus)를 토양에서 분리하고 자외선 또는 화학물질에 의한 돌연변이를 유발시켜, 지방산 및 폴리케타이드(polyketide) 항생제의 생합성 억제제인 세룰레닌에 내성을 갖는 변이주 및 메비놀린산 생합성 과정에서 메틸기 공여물질인 엘-메치오닌의 유사체에 대해 내성을 갖는 변이주를 각각 얻은 다음, 이들 변이주를 세포융합시켜 얻은, 세룰레닌과 엘-메치오닌 유사체에 대한 동시 내성, 메비놀린산의 고생산성 및 메비놀린산 유사체 생성의 최소화를 나타내는 변이주 CLS216-7 및 이 변이주 CLS216-7를 영양배지에서 호기적으로 배양하고 메비놀린산을 회수하는 공정을 포함하는 메비놀린산의 제조방법에 관한 것이다.본 기술의 변이주CLS216-7은 모균인 아스퍼질러스 테리우스 CKL031 및 친주 CKL043에 비해 메비놀린산의 생성능이 15배 이상 증가되었으며 부산물(메비놀린산 유사체)의 생산량이 약 90% 이상 적게 생산하는 장점을 갖고 있으며, 또한 모균과는 달리 탄소원인 글루코스 및 갈락토스에 의한 메지놀린산 생산의 저해가 현저히 완화되는 특징을 갖고 있다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-31
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일반기술
보건·의료 > 의약품 제제 개발 기술
아스페르질러스 테레우스의 배양액에 초산에틸 등의 용매를 가하여 추출하고, 이 추출액의 농축물을 알루미나 컬럼에 흡착시킨 후, 전개용매로 용리하여 건고시킨 다음, 건고물에 무수알코올 용매를 가하여 결정화시키는 것을 특징으로 하는 로바스타틴의 제조 방법에 관한 기술이다.종래 기술들에서 크로마토그래피 메디아로서 고가의 세파덱스 등 두가지 이상의 크로마토그래피 메디아를 사용하는 등 복잡한 정제과정을 거친 것은 로바스타틴의 불순물 중에 착색물질과 오일성분의 불순물이 포함되어 있기 때문이며 종래의 방법으로는 이들의 분리가 어렵다. 그러므로 착색물질의 제거가 용이한 컬럼을 선택하기 위해 여러 가지 실험을 거친 결과 용리수율, 순도 및 비용에서 흡착 크로마토그래피 메디아로서는 알루미나가 가장 우수한 효과를 나타내었으며, 특히 순도가 높아 별도의 컬럼 공정이 없이 컬럼 1회로도 충분히 원하는 순도의 로바스타틴을 수득 할 수 있었다. 크로마토그래피 용매로서는 초산메틸이 가장 바람직하다.본 기술은 종래의 기술에 비하여 세파덱스와 실리카겔 또는 역상 층전물 크로마토그래피 메디아 등의 순차적인 크로마토그래피 과정이 아닌 알루미나 크로마토그래피만을 사용하는 단일 과정으로 단순화되므로 공정 경제 및 환경보호 측면에서 매우 유리하다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-23
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일반기술
생명과학 > 미생물자원
면역 억제물질인 사이크로스포린 A(Cyclosporin A)를 생산하는 균주인 톨리포크라디움 인풀라툼(Toypociadiuminflatum) 야생균주를 토양에서 분리하여 이 균주에 자외선을 돌이변이원으로 아미노산 요구성 균주를 개발하고 다른 2개의 영향 요구주를 세포융합시켜 아미노산 및 유기태 질소원의 이용성이 증가하면서 사이클로스포린 A를 많이 생산하는 고생산 세포융합변이균주 KD461을 만들고, 이들 세포융합변이균주에 적합한 배양조건 및 배양 방법을 확립하여 액침 발효법에 의한 사이클로스포린 A 생산방법에 관한 것이다.사이클로스포린 A는 11개의 아미노산으로 구성된 환형 펩타이드로서 5, 11 위치에 발린 및 4, 6, 9, 10위치에 루이신의 아미노산 및 그 유도체가 각각 위치한다. 사이클로스포린 A 생산균주인 톨리포클라디움 인풀라툼 NRRL 8044는 아미노산들중에서 L-발린과 L-루이신을 배지에 첨가하면 사이클로스포린 A를 선택적으로 생성함이 알려져 있다. 본 기술에서는 사이클로스포린 A 생성을 증폭시키는 방법으로 토양에서 체취한 사이클로스포린 A를 소량 생산하는 톨리포클라디움 인풀라툼 야생균주를 돌연변이시켜서, 목적산물의 구성물질로서 전구체의 가능성이 있는 아미노산인 L-발린과 L-루이신의 영양 요구주를 각각 만들어 그들의 영양 요구성을 증폭시킨 후, 두가지의 영양 요구주를 세포융합시켜 L-발린과 L-루이신의 요구성이 동시에 증가되어 목적산물인 사이클로스포린 A의 생성능력이 증폭된 세포융합변이균주 KD461을 만들었다.융합주 KD461은 맥아-효모 추출물의 고체 배지상에서 친균주에 비해 균증식이 다소 느리고 콜로니의 색깔이 연회색으로 더 짙고 콜로니 뒷면은 짙은 갈색을 띄는 특성을 갖고 있다. 또한 액체 배양에서는 균사가 다소 짧고 두꺼우며 분절 포자의 형성이 많다.아미노산으로 첨가해주는 L- 발린과 L-루이신 및 유기태 질소원의 요구량이 증대되어 사이클로스포린 A의 생성량이 크게증가되는 특징을 보여 친균주에 비해 약 50배의 사이클로스포린 A 생성능을 갖고 있어서 친균주와는 다른 새로운 변이주임을 보여준다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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일반기술
생명과학 > 미생물자원
전분 및 이의 가수분해물등의 탄소원과 옥수수 침출액(corn steep liquor) 및 면실분(cottonseed meal)등의 유기태 질소원을 주원료로 한 영양배지에 스트렙토마이세스 오레오파시엔스(Streptomyces aureofaciens)의 새로운 세포 융합균주를 배양하여 배양액 중에 데메칠클로르테트라싸이클린[demeth-ylchlorteracycline(DMCT)의 축적을 최소로 하면서 목적산물인 데메칠테트라싸이클린(DMT)의 회수를 쉽게 할 뿐 아니라 미노싸이클린으로의 화학적 전환을 용이하게 한 데메칠테트라싸이클린의 제조방법에 관한 것으로, 오트밀 한천배지에서 회갈색의 포자를 형성하고 배양액중에 데메칠클로르테트라싸이크린(DMCT)은 소량 축적하지만 목적산물인 데메칠테트라싸이클린(DMT)을 상대적으로 많이 생산하는 스트렙토마이세스 오레오파시언스(Streptomyces aureofaciens) 세포융합변이주 CKD-3562 KCTC 8526P를 선발하고 이를 탄소원, 에너지원 및 질소원을 함유한 배지에서 배양하여 데메칠테트라싸이클린(DMT) 및 데메칠클로르테트라싸이클린(DMCT)을 생성, 축적시킨후, 데메칠테트라싸이클린을 분별채취함을 특징으로 한다.본 기술에 따른 고역가 세포융합변이주 스트렙토마이세스 오레오파시언스 CKD 3562(KCTC 8526P)는 공지의 친균주인스트렙토마이세스 오레오파시언스 ATCC 12551과 비교하여 다음과 같은 형태적 특성을 갖는다. 두 균주의 기균사(aerial mycelium) 말단은 방선균 특유의 나선형을 하고 있으나 세포융합주는 기균사의 길이가 다소 짧은 편이며 포자 형성능이 미약했던 친균주에 비하여 포자 형성능이 월등히 향상되었다. 특히, 세포융합주는 오트밀 한천배지에서 회갈색의 포자를 형성한다. 또한, 본 기술에 따라 선발된 세포융합주는 배양도중 알카리나 산의 첨가 없이도 생리적으로 목적산물의 생산최적 pH가 자동적으로 조절되어 발효 공정상의 불편한 점을 해소함과 동시에 pH조절시 야기될 수있는 사고를 근원적으로 방지할 수 있으며, 원료중 성분이 불균일한 옥수수 침출물(cornsteep liquor)의 농도에 따른 발효성적의 편차가 적고, 포자를 잘 형성하여 균주의 보존, 균주의 개발등에 유리한 점을 갖는 등의 장점을 갖는다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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일반기술
생명과학 > 미생물자원
미생물의 세포융합체로부터 클라불란산(clavulanic acid)를 제조하는 방법에 관한 기술로서, 클라불란산을 생성하는 미생물을 돌연변이시켜 아미노산 요구 변이주를 얻고 세포융합방법에 의해 클라불란산의 생산능이 크게 향상된 세포융합변이주의 제조 및 그 융합주를 이용하여 클라불란산을 고농도로 배양액 내에 축적시키는 기술이며, 사용된 균주는 클라불리저러스 세포융합변이주 CKD-1386 KCTC, 8522P 균주이다.세포융합 방법에 의하여 클라불란산의 생산능이 크게 향상된 신규의 고역가 세포융합 변이주를 제조할 수 있고, 이를 이용하여 목적산물인 클라불란산을 고농도로 얻을 수 있어 산업적으로 매우 유용한 기술이다. 독립적으로 항생제로 사용되거나 항생제의 효능을 높이기 위해 타 항생제와 병용투여 할 수 있다
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-07-18
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
발광효율이 개선되도록 반사막이 삽입된 p형 전극구조를 가지는 질화물계 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.종래, p형 전극의 투과도를 높이기위해 투명전극으로 사용하는 금속의 열처리 분위기를 바꾸거나, 투명전극으로 사용하는 금속의 종류를 바꾸어서 가시광선 영역에서의 빛에 대한 투과도를 높이는 방법등만이 연구되고, 투명전극 위에 형성되는 와이어 접촉 전극에 의한 빛의 흡수를 줄이는 방법에 대해서는 미비했다. 반사막을 이용하여 질화물계 발광다이오드의 p형 전극을 구성하는 부분 중에서 투명전극상의 와이어 접촉전극에 의해 빛의 흡수를 줄임으로써 다이오드의 발광효율 저하를 방지할 수 있는 질화물계 발광 다이오드 및 그 제조방법을 제공한다.절연기판 상에 형성되는 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층의 소정영역상에 순차적으로 적층되는 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층과, 상기 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 형성되지 않은 상기 n형 질화물 반도체층 표면상에 형성되는 n형 전극과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되는 p형 전극을 구비하는 질화물계 발광 다이오드에 있어서,상기 p형 전극이, 상기 p형 질화물 반도체상의 소정영역에 형성되는 반사막과, 상기 반사막을 포함하여 상기 p형 질화물 반도체층의 표면을 덮도록 형성하는 투명전극과, 상기 반사막의 상부에 위치하도록 상기 투명전극상에 형성되는 와이어 접촉전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드에 관한 것이다.와이어 접촉 전극에서 광이 흡수되는 것이 반사막에 의하여 방지되기 때문에 발광효율이 좋을 뿐만 아니라, 반사막에 의하여 반사된 빛이 발광 활성층의 발광에 다시 관여하기 때문에 발광효율이 더욱 크게 증가하게 된다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-25
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
완충층을 이용하여 고용량을 달성할 수 있는 박막전지를 제조하는 방법에 관한 것이다.결정질 양극물질을 이용하는 박막전지에 대해 기판온도 조절이 가능한 스퍼터 장비를 이용하여 완충층과 결정질 양극물질로 이루어진 양극 구조를 제조함으로써, 기존의 양극물질 두께 증가에 따른 균열등의 문제점을 해결할 수 있으며 고용량을 지닌 박막전지의 제조를 가능하게 한다. 기판위에 완충층을 형성하고 이어서 그 위에 결정질 양극을 형성하는 것을 특징으로 하는 완충층을 이용한 박막전지용 양극제조방법을 제공한다.기판의 온도를 변화시킬 수 있는 스퍼터링 방법으로 박막전지를 제조하는 방법에 있어서, 완충층과 결정질 양극물질로 이루어진 양극구조를 제조하는 것을 특징으로 하는 박막전지의 제조방법에 관한 것이다.스퍼터 장비를 이용한 결정질 양극의 성장시 기판의 온도를 변화시키며 성장시키는 특징을 지니며, 고용량을 지닌 박막전지를 제조하기 위하여 양극 물질의 성장시 완충층을 이용함으로써 두께증가에 따른 균열등의 열화특성을 최소화시킨다.기존의 양극제조방법에 비해 2㎛ 이상의 두꺼운 양극에 대해 나타날 수 있는 열화특성을 최소화할 수 있으며, 그 결과 고용량 박막전지의 제조가 가능하게 된다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-26
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
형광체 코팅기술에는 슬러리법(slurry), 전자사진(electrophotographic)법, 새틀링(settling)법, 최근에 각광받는 전기영동법(EPD:Electrophoretic Deposition)이 있는데, 기판(전극)과의 접착력 향상을 위해 니트로셀룰로스, 아크릴 수지 등을 사용한다. 허나 이들은 high-information content display나 FED에서의 한계점을 갖는다. 따라서 전기영동법과 UV사진 식각 기술을 결합하여 간편하고 신뢰성 있는 형광체 코팅막을 만들어 형광체와 기판의 접착력을 크게 향상시켜 안정성을 높이고, 포토레지스트를 사용하여 사진식각에 의해 풀 칼라(full color)구현을 위한 RGB형광체 패턴을 만들 수 있는 평판 디스플레이의 형광체 코팅방법을 제공한다. 디스플레이용 형광체의 코팅방법으로서 다음과 같은 단계를 거친다.유리기판 위에 전도층형성 단계, 형광체가 분산된 형광체 분산용액을 이용하여 전기영동법에 의해 전도층 위에 형광체 코팅하는 단계, 기판 상부면에 UV경화층 형성 및 UV조사시켜 접착층 형성단계. 또한 평판 디스플레이용 형광체 코팅방법은 다음과 같은 단계를 거친다.1) 유리기판위에 전도층 형성하는 단계.2) 전도층 위에 제1포토레지스트층을 형성하고 제1패터닝하여 다수의 제1윈도우 형성단계3) 전기영동법에 의해 상기 다수 제1윈도우를 통해 전도층 위에 다수의 제1형광체 패턴셀 형성 단계4) 제1형광체 패턴셀을 포함한 기판 상부면에 제1UV경화층 형성 및 제1접착층 형성.5) 제2형광체 패턴셀 형성 및 제2접착층 형성.6) 제3형광체 패턴셀 형성 및 제3접착층 형성.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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일반기술
재료 > 부방식·표면처리 기술
전기화학적 방법에 의해 저비용 및 공정시간을 단축시킴과 동시에 양질의 탄탈륨 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.종래의 탄탈륨 산화물 박막의 제조방법에 의해 전기화학적으로 형성된 Ta 산화물의 경우, 사용되는 전해질 성분이 산화물내에 불순물로 존재할 가능성이 있으며, 두께에 따른 Ta 산화물의 비균일성으로 인하여 양질의 산화물 박막을 얻지 못했다.전기화학적 방법으로 탄탈륨 산화물 박막을 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법에 의해 얻어진 탄탈륨 산화물 박막을 600~850℃의 산소분위기에서 급속 열처리를 실시하는 커패시터용 탄탈륨산화물 박막의 제조방법에 관한 것이다.전기화학적 방법에 의해 양질의 탄탈륨 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. Ta 산화물 박막의 제조에 있어 비용과 시간의 측면에서 우수한 특성을 지닌 전기화학적 시간대 전류법을 사용하며, 양질의 Ta 산화물 박막을 제조하기 위해 전기화학적 방법으로 얻어진 Ta 산화물 박막에 대해 산소분위기하에서 급속 열처리방법을 수행한다. 급속 열처리 온도는 탄탈륨 산화물 박막의 결정화를 피하기 위하여 600~850℃가 적당하다.기존의 스퍼터, 기상화학증착법등을 이용한 경우에 비해 저비용, 저공정시간의 경쟁력을 지님과 동시에 양질의 Ta 산화물을 제조할 수 있어 DRAM과 같은 전자소자에 유용하게 이용될 수 있다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
메탄을 포함하는 기체를 플라즈마 상태로 만들어 아연산화물을 반응성 이온식각하는 아연산화물의 건식식각방법에 관한 것이다.아연산화물 반도체는 습식식각방법으로는 만족할만한 식각을 행하기가 어렵고, Ⅱ-Ⅵ 혹은 Ⅲ-Ⅴ화합물의 반도체의 건식식각은 주로 할로겐 기체 플라즈마를 사용하고 있으나, 아연산화물 반도체의 건식식각에 대한 기술은 보고되지 않아 아연산화물 반도체가 적용되는 경우에는 고품질의 반도체 소자를 생산하기가 어렵다.높은 식각률과 좋은 이방성 식각 특성이 나타나도록 메탄을 포함하는 기체를 플라즈마 상태로 만들어 아연산화물을 반응성 이온식각(reactive ion etching, RIE)함으로써 광전소자 및 전자소자의 제조에 광범위하게 응용할 수 있는 아연산화물 건식식각방법을 제공하는 것이다.반응기내의 서셉터 상에 아연산화물이 증착된 기판을 안착시키고, 상기 반응기 내에 메탄을 포함하는 포함하는 기체를 공급하여 플라즈마를 형성함으로써, 상기 아연산화물을 상기 플라즈마로 건식식각하는 것을 특징으로 하는 아연산화물 건식식각방법에 관한 것이다. 상기 메탄을 포함하는 기체에 수소가 더 포함되는 것이 바람직한데, 이는 수소에 의해 산소가 수산화물(OH) 또는 산소(O2)의 형태로 제거되어 식각률이 더 커지기 때문이며, 또한 수소 비활성화(hydrogen passivation) 효과에 의해 아연산화막의 광학적 특성이 좋아지기 때문이다.습식식각에 의하는 경우보다 매우 높은 식각률을 얻을 수 있고 수소 비활성화 효과로 인하여 박막의 광학적 특성이 향상되어 광전자소자 및 전자소자 개발 등 응용범위가 크며 RF 전력을 조절함으로써 이방성 식각특성도 향상시킬 수 있다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-25
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일반기술
재료 > 열처리 기술
아연산화물 반도체가 금속과 서로 오믹접촉(ohmic contact)될 수 있도록 아연산화물 반도체의 표면을 플라즈마로 처리하는 방법에 관한 것이다.일반적으로 스퍼터링법에 의해 성장된 아연산화물 반도체에는 수많은 결함(defect)이 존재하며 도핑에 의해 생성된 전자들은 결함에 의해 보상(compensation) 및 포획(trapping)되기 때문에 도핑의 효과가 감소하게 된다.아연산화물 반도체의 표면을 수소를 포함하는 플라즈마로 처리하여 아연산화물 반도체내의 결함들을 비활성화(passivation)시킴으로써 도핑의 효과가 잘 나타나도록 하여, 아연산화물 반도체와 금속이 서로 오믹접촉될 수 있도록 하는 아연산화물 반도체의 플라즈마 처리방법을 제공하는 것이다.아연산화물 반도체의 플라즈마 처리방법에 관한 것으로, 반응기 내의 서셉터 상에 아연산화물 반도체가 증착된 기판을 안착시키고, 상기 반응기내에 수소를 포함하는 플라즈마를 형성하여 상기 아연산화물 반도체의 표면을 상기 플라즈마에 노출시키는 것을 특징으로 한다.상기 수소를 포함하는 기체에 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 제논(Xe), 및 라돈(Rn)으로 이루어진 불활성기체 군으로부터 선택된 어느 하나를 더 포함시키거나, 또한 이들중 어느 하나를 포함하는 혼합기체를 더 포함시키는 것이 바람직하다.간단한 방법으로 낮은 비접촉저항을 얻을 수 있을 뿐만 아니라 우수한 광학적 특성도 얻을 수 있고 고온공정이 필요치 않으므로 기존의 화합물 반도체에서 사용되는 고온 열처리에 의해 야기될 수 있는 소자의 성능저하도 피할 수 있다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
청색 및 녹색 발광다이오드 및 레이저다이오드와 같은 광전자소자의 제작에 핵심 기술인 고품위 산화아연 산화물 반도체 박막 제조 방법에 관한 것이다. 산화아연 산화물 반도체를 산화 알루미늄 상에 성장시켜 양질의 박막을 얻기 위한 많은 연구가 시행되어 왔으나 알루미늄이 도핑된 산화아연의 후열 처리에 대한 연구는 아직까지 미진한 상태였다. 따라서 저온에서 스퍼터 시스템으로 성장시킨 알루미늄이 도핑된 산화아연 산화물 반도체를 고순도 산소 분위기하의 고온로를 이용하여 800~1000℃의 온도에서 한시간 동안 후 열처리함으로서 광학적, 구조적, 전기적으로 우수한 특성을 갖는 산화아연 산화물 반도체 박막을 제조하는 방법을 제공한다.알루미늄이 도핑된 산화아연을 산화알루미늄 기판에 교류 스퍼터 시스템을 이용하여 증착시킨 후 반에피택시(semi-epitaxy) 또는 에피택시(epitaxy) 성질의 산화아연 시료를 성장시키는 제 1 단계와, 상기 산화아연 시료를 고순도 산소 분위기의 석영 튜브를 구비하는 고온로에서 800~1000℃ 내에서 한시간동안 후열 처리하여 산화아연 산화물 반도체 박막을 제조하는 제 2 단계를 거침으로서 산화물 반도체 박막의 그레인(grain) 재배열을 유도하여 구조적 특성을 향상시키고, 산소분위기 열처리에 의한 산소 주입으로 산화아연 박막내의 산소 공공을 줄여 전기적, 광학적 특성이 우수한 발광다이오드용 물질인 산화아연 산화물 반도체 박막을 구현할 수 있다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
오믹 접촉(ohmic contact) 형성을 이용한 산화아연 산화물 반도체의 발광 다이오드 및 레이저 다이오드용 금속 박막 제조 방법에 관한 것이다. 질화갈륨의 대체 물질로 각광받고 있는 산화아연 산화물 반도체를 이용한 발광 다이오드 및 레이저와 같은 광 디바이스를 구현하기 위해서는 반도체와 금속간 양질의 오믹 접촉을 형성해야 하나 아직까지 금속접촉에 관한 연구 및 단결정의 산화아연을 성장시키기 어려운 점으로 인해 오믹 접촉에 대한 연구가 미진한 상태이다. 본 발명에서는 GaN를 대체할 수 있는 차세대 광발광 반도체인 산화아연 반도체를 광소자에 응용하기 위한 기초 단계인 금속 전극 제작에 필수 요소인 오믹 접촉 금속 시스템을 제공하며 또한, 전극으로서 제 1 금속 박막을 타이타늄(Ti), 제 2 금속 박막을 금(Au)을 사용함으로서 타이타늄/금 금속 박막 구조에 있어서 중간 확산 장벽 역할을 타이타늄층을 이용하여 금의 확산을 막아 열적, 전기적으로 안정한 특성을 갖는 오믹 접촉을 구현하는 것이다. 따라서 본 발명은 산화아연 산화물 반도체의 상업화를 가속화시킬 수 있으며 디바이스의 수율을 높일 수 있고 300℃의 비교적 낮은 온도에서 오믹접촉 형성이 가능하기 때문에 기존의 화합물 반도체에서 쓰이는 고온 열처리에 의한 소자성능의 저하를 막을 수 있으며 우수한 전기적 특성으로 인한 전기적 손실의 감소로 광학적 효과도 매우 우수할 것으로 기대된다.산화 알루미늄 기판 상에 도핑 농도(캐리어 농도)가 1017cm-3 이상이 되는 n-형 산화아연 산화물 반도체층을 형성하는 제 1 단계와, 이를 급속 가열로 내에서 열처리한 후 산화아연 산화물 반도체층 상에 타이타늄(Ti) 등의 아연-산소 결합보다도 더 큰 생성에너지를 갖는 금속의 반응층인 제 1 금속 박막을 형성하는 제 2 단계와, 제 1 금속 박막 상에 캐리어 주입층인 금(Au)의 제 2 금속 박막을 형성하는 제 3 단계를 거침으로서 산화아연 산화물 반도체 상에 타이타늄/금 금속 박막층을 형성시켜 열적/전기적으로 안정된 단파장 발광 다이오드 및 레이저 다이오드를 제조할 수 있는 오믹 접촉 금속 시스템를 제공한다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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일반기술
전기·전자 > 표시소자
비정질 실리콘 양자점 미세구조를 이용한 투명 디스플레이에 관한 기술이다. 종래에는 기저체 또는 장벽층의 재료로 실리콘 산화물을 많이 이용하였으나 실리콘 산화물은 터널링 장벽이 전자에 대해서는 3.15eV이고 정공에 대해서는 3.8eV로 커서 전자 및 정공과 같은 운반자 주입이 어려운 단점이 있었다. 따라서 실리콘 산화물 보다 터널링 장벽이 낮은 실리콘 질화물을 기저체로 사용하는 방법이 보다 효과적이고 또, 미세구조를 비정질 실리콘으로 형성하는 방법은 발광효율 증가 및 발광의 단파장화에 유리하여 보다 우수한 실리콘 미세구조를 형성할 수 있다. 본 발명에서는 투명 기판 및 발광층을 포함하는 투명 디스플레이 소자에 있어서, 상기 발광층이 비정질 실리콘 양자점 미세구조로 이루어진 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물 박막인 것을 특징으로 하고 다양한 파장의 발광이 가능하고, 투광율이 높아 얇은 두께로 제조될 수 있으며 발광효율이 높은 발광층을 포함하는 투명 디스플레이 소자를 제공한다.투명 디스플레이 소자의 제조방법에 있어 실리콘원 가스와 질소원 가스 또는 산소원 가스를 1:100~1:5000의 비율로 박막 성장 시스템에 공급하여 1.4~3.3nm/분의 성장속도로 상기 투명 기판상에 박막을 성장시킴으로서 1.0×1019~1.0×1021개/cm3의 밀도로 형성된 직경 1.0~4.0nm의 구형 실리콘을 포함하는 비정질 실리콘 양자점 미세구조를 포함하는 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물 발광층을 형성시키는 것을 특징으로 한다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-05
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