일반기술
정보 > 기타 시스템 소프트웨어
본 기술은 유한체에서의 효과적인 역수 계산 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유한체에서 역수를 구하는 새로운 알고리즘을 이용하여 2n 비트 프로세서를 갖는 컴퓨터에서 효과적으로 역수를 계산하는 방법에 관한 것으로, 기존의 AIA를 개선하여, 특히 p=2n-c (c:작은 양의 정수)에 대하여 수정된 AIA(Modified Almost Inverse Algorithm; MAIA)를 이용한 유한체에서의 효과적인 역수 계산 방법을 제공하는 데 있다. 본 기술이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 유한체의 두 원소의 최고차항의 차수가 동일한 경우 단축된 단계를 수행하는 수정된 AIA(Modified Almost Inverse Algorithm; MAIA)를 이용한 유한체에서의 효과적인 역수 계산 방법을 제공하는데 있다.본 기술의 유한체에서의 효과적인 역수 계산 방법은 GF(pm)의 두 원소 F=a(x)와 G=f(x)에서, 모듈라 f(x)에 대한 a(x)의역수 a-1 (x)를 계산하는 방법으로 i) 반복연산횟수에 따른 연산계수 k=0, B=1, C=0으로 설정하고, 두 원소를 취하는 단계; ii) F가 x로 나누어지면, F=F/x (F를 x로 나눈 몫), C=C·x, k=k+1로 수정하는 작업을 F가 x로 나누어지지 않을 때까지 반복 수행하는 단계; iii) 다항식 F의 최고차수인 deg(F)가 0인가를 판단하여, deg(F)=0이면, k와 c(x)=B·(F0-1 mod p)를 출력하고 작업을 종료하는 단계; iv) 단계 iii)에서 deg(F)=0이 아니면, deg(F)＜deg(G)인지를 판단하여, deg(F)＜deg(G)이면 상기 F와 G를 바꾸고 B와 C를 바꾸는 단계; 및 v) 단계 iv)의 결과에 따라서, 상기 F와 G의 상수항과 최고차항을 소거한 후, 단계 ii)로 진행하는 단계를 포함한다. 이로써, 본 기술은 기존의 EEA와 AIA를 결합하여 역수 연산을 빠르고 효율적으로 수행하여, 상대적으로 많은 시간이 소요되는 곱셈에 대한 역수 계산과 유한체 GF(pm)에서 p가 큰 수 일 때 역수계산이 비효율적으로 되는 단점을 해결하였다. 상술한 바와 같이, 본 기술의 유한체에서의 효과적인 역수 계산 방법은, 상대적으로 많은 시간이 소요되는 곱셈에 대한역수 계산과 유한체 GF(pm)에서 p가 큰 수 일때 역수계산이 비효율적으로 되는 단점을 해결하고 있다. 이로써, 본 기술은 기존의 EEA와 AIA를 결합하여 역수 연산을 빠르고 효율적으로 수행할 수 있다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-17
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 이종 접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법 및 이를 이용한 비정형 고 전자 이동도 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로, GaAs막의 식각 속도가 크고 AlGaAs막의 식각 속도가 작아서 AlGaAs막에 이르러서 식각이 정지되는 새로운 식각 용액을 사용함으로써 이종 접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs막을 선택적으로 식각하는 방법을 제공하고, 식각 방법을 사용하여 비정형 고 전자 이동도 트랜지스터를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.본 기술에 따른 이종 접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법은, AlGaAs /GaAs의 이종 접합 구조를 포함하는 이종 접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법에 있어서, 습식 식각 방법을사용하되, 사용되는 식각 용액은 구연산과 시트르산 칼륨을 섞은 용액에 소정 부피비로 과산화수소가 혼합된 용액을 사용하는 것을 특징으로 한다.본 기술은 습식 식각 방법을 사용하되, 사용되는 식각 용액은 구연산과 시트르산 칼륨을 섞은 용액에 소정 부피비로 과산화수소가 혼합된 용액을 사용한다는 점에 그 특징이 있다. 본 기술에 따른 이종 접합 반도체 소자의 GaAs/AlGaAs 선택적 식각 방법 및 이를 이용한 비정형고 전자 이동도 트랜지스터의 제조 방법에 의하면, GaAs/AlGaAs 선택적 식각을 위한 식각 용액으로서 구연산과 시트르산칼륨 용액을 혼합한 용액을 사용함으로써 종래의 건식 식각에서의 이온들에 의한 격자 결함 발생 및 종래의 습식 식각에서의 식각 불균일 발생과 같은 단점을 해결할 수 있으며, 이에 따라 제조된 비정형 고 전자 이동도 트랜지스터의 경우 그전기적인 특성의 균일도가 향상된다는 이점이 있다.
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- 포항공과대학교
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- 2001-05-17
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 기술은 구리의 화학 증착에 유용한 유기 구리(I) 전구체에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 공정 중 구리 배선제조에 유용하게 활용할 수 있는 유기 구리(I) 전구체에 관한 것으로, 열적으로 안정하며 상온에서 액체로 존재하여 구리의 저온 화학증착에 특히 적합하면서도 높은 증착 속도로 구리 박막을 형성할 수 있는 액상 유기 구리(I) 전구체를 제공하는데 그 목적이 있다.본 기술에 따른 유기 구리(I) 화합물은 열적으로 안정하고 상온 내지 60 ℃ 범위 온도의 버블러(bubbler)에서 기화시킬수 있으므로 구리 박막의 화학 증착에 편리하게 사용할 수 있다. 본 기술의 유기 구리(I) 전구체는 직접 액체 주입 시스템에 의해 주입될 수도 있다.본 기술의 화합물을 전구체로 사용하여 화학증착법에 의해 기판 상에 구리박막을 증착시키는 공정은 통상의 방법으로, 예를 들면 본 기술의 전구체 화합물을 기화시킨 다음 생성된 기체를 운반 기체와 함께 가열된 기판에 도입함으로써 달성할 수 있다. 화학 증착시 운반 기체로는 아르곤과 같은 불활성기체를 사용하며, 기판으로는 백금, 실리카, TiN 기판 등을 사용할 수 있다.본 기술은 구리 박막을 화학증착에 의해 형성할 때 유용하게 사용할 수 있는 하기 화학식 1의 유기 구리(I) 전구체에 관한 것으로, 본 기술에 따르는 유기 구리 전구체는 상온에서 액체로 존재하고 높은 증기압과 열안정성을 갖기 때문에 높은 증착속도로 구리를 화학증착시킬수 있으며, 증착된 박막은 낮은 비저항치를 갖는다.본 기술에 따르는 액상 유기 구리(I) 전구체는 상온에서 높은 증기압을 갖고 열안정성이 우수하여 높은 증착속도로 비저항치가 낮은 구리 박막을 화학 증착법에 의해 형성할 수 있다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기시스템
본 기술은 선형 증폭기에 관한 것으로서, 특히 저주파 2차 상호왜곡성분의 전방궤환 방법을 이용한 선형 증폭기에 관한 것으로, 전방궤환에 의한 선형 증폭회로의 안정적인 특성을 유지하며 3차 상호왜곡성분을 감쇄시키는 저주파 2차 상호왜곡성분의 전방궤환 방법을 이용한 선형 증폭기를 제공하는 데 있다.상기의 목적을 달성하기 위한 본 기술에 의한 기본신호에 대한 3차 상호왜곡성분을 감쇄시키기 위해 저주파 2차 상호왜곡성분의 전방궤환 방법을 이용한 선형 증폭기는, 상기 기본신호의 전력을 증폭하는 트랜지스터; 상기 트랜지스터의 게이트에 접속되어 입력되는 상기 기본신호원과 임피던스을 매칭시키는 입력임피던스 매칭부; 상기 트랜지스터의 게이트와 일단이 접속되어 상기 기본신호의 2차 상호왜곡성분신호 통과시키는 제1필터부; 상기 제1필터부의 타단에 접속되어 상기 2차 상호왜곡신호를 소정의 전압이득으로서 증폭하는 저주파 증폭기; 상기 저주파 증폭기의 출력단과 상기 트랜지스터의 드레인 출력단 사이에 직렬로 접속되어 증폭된 2차 상호왜곡신호를 필터링하여 상기 트랜지스터의 출력단으로 전방궤환시키는 제2필터부; 및 상기 트랜지스터의 출력단에 접속하여 외부 로드와의 임피던스를 매칭시키는 출력임피던스 매칭부를 구비함을 특징으로 한다.본 기술에 따른 선형 증폭기는 기본신호의 저주파인 2차 상호왜곡성분을 전력증폭 트랜지스터의 출력단에 전방궤환 시킴으로써, 전방궤환에 따른 회로상의 안전한 특성을 유지하며, 기본신호의 주파수와 근접해 있는 3차 상호왜곡성분을 양호하게 감쇄시킨다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-25
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일반기술
정보 > 응용소프트웨어
본 기술은 가상현실시스템을 이용한 상호 정보전달방법에 관한 것으로서, 특히 사용자들이 동작 정보를 표현 및 전달하고동작을 숙달시키는 것을 원할 때, 영혼-메타포어를 이용해서 이들 사이의 효과적인 상호 작용을 지원하는 가상현실시스템에서 영혼-메타포어를 통해서 동작정보를 전달하는 상호작용 방법에 관한 것으로, 현재 사용되고 있는 가상현실 환경 기반의 시스템에서 동작정보를 효과적으로 전달하는 상호작용 방법을 제공하고, 동작정보를 표현 및 전달할 때 자기중심적 위치(1인칭 관찰시점)에서 정보수집과 이해가 될 수 있도록 하여 동작정보수용자가 보다 빠르고 정확하게 동작을 학습할 수 있는 방법을 제공하는 데 있다.상기의 목적을 달성하기 위한 본 기술에 의한 가상현실에서 동작정보 전달자의 동작과 일치되어 가시화된 영혼-메타포어를 통해서 동작정보를 전달하는 상호작용 방법은, 가상현실 환경에서 동작정보 전달자의 동작에 일치하는 영혼-메타포어를 가시화하고, 동작정보 수용자의 동작에 일치하는 가상인간을 가시화하는 제1단계; 상기 영혼-메타포어와 상기 가상인간을 하나의 개체단위로 중첩하여 일치시키는 제2단계; 선행하는 상기 동작정보 전달자의 동작정보를 상기 영혼-메타포어로 표현하여 상기 동작정보 수용자에게 전달하는 제3단계; 상기 영혼-메타포어의 동작과 그 동작을 따라하는 상기 가상인간의 동작간의 일치 정도를 연산하고 그 결과에 대하여 평가를 하는 제4단계를 포함함을 특징으로 한다.또한, 상기 영혼-메타포어는 반투명한 동일한 개체 또는 틀상자(bounding-box)나 선구조(wire-frame)로 가시화됨과, 상기 영혼-메타포어는 전신동작이나 부분적인 신체의 움직임을 가시화의 대상으로 함과, 상기 영혼-메타포어는 의사교환의 중심이 되는 물체를 가시화의 대상으로 함과, 상기 선행된 동작정보를 전달하는 단계는 가상인간과 중첩된 영혼-메타포어가 상기 가상인간의 몸에서 빠져나가면서 동작을 안내함과, 동작정보 전달자의 동작에 따라 가시화된 상기 영혼-메타포어는 상기 동작정보 수용자에게 실시간으로 전달됨과, 상기 영혼-메타포어의 동작정보는 상기 가상현실시스템의 저장매체에 저장되어 상기 동작정보 수용자가 독출된 동작정보로 반복하여 연습할 수 있음을 특징으로 한다본 기술에 의하면, 일반적으로 인쇄매체나 영상매체와 같은 정보전달 방법을 사용하는 경우와 달리 자신의 몸으로부터 시작되어 동작을 선행하는 영혼-메타포어를 따라함으로써, 언어장애나 다른 언어의 사용으로 의사소통에 어려움을 겪는 경우에도 다른 복잡한 지시사항이 필요없이도 동작정보수용자는 직관적으로 영혼-메타포어의 안내에 따라 별도의 지시사항이 필요없이도 자신의 동작을 정확하게 일치시켜 숙달시킬 수 있다. 또한, 실시간으로 움직이는 동작정보 전달자의 움직임을 그대로 따라함으로써 정확한 자세, 운동궤적 그리고 동작타이밍 등을 수월하게 훈련할 수 있으며, 향후 동작의 표현과 전달 및 이해가 중요시되는 모든 시스템에서 상호작용 방법으로 사용될 수 있다
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 단결정 금속이나 반도체의 표면의 구조 및 성장과정 등을 고정밀 X-선 산란을 통하여 초고진공 상태에서 측정할 수 있도록 한 고정밀 X-선 산란을 위한 초고진공장치에 관한 것으로, 시편의 표면특성을 초고진공 상태에서 여러 분석장치에 의해 측정할 수 있는 기능을 잃지 않도록 하면서 소형화 및 경량화하여 4각 분광장치에 부착 사용할 수 있게 설계함과 아울러 세 개의 오일러 각도들을 모두 임의로 정밀조정(±0.0005°범위에서)할 수 있게 하여, 측정자료의 정밀도를 크게 향상할 수 있게되는 초고진공장치를 제공하고, 장치의 경량화에 따라 X선 출입을 위한 베릴리움 열림각도를 330°까지 확대하여 종래의 장치들로 측정할 수 없었던 여러 가지의 X선 회절점들을 측정케 함으로써 2차 표면구조 파악에 더 많은 자료를 얻을 수 있게되는 초고진공장치를 제공하고자 함에 있다.본 기술의 또다른 목적은 베릴리움 창문은 스테인레스로 된 챔버의 벽면과 특수설계된 봉합구조에 의하여 초고진공 봉합되는 초고진공장치를 제공하기 위한 것이다.본 기술은 4각 분광장치에 간편 용이하게 부착하여 매우 정밀한 측정을 가능케하는 초고진공장치를 제공함으로써, 초고진공 상태에서 행하는 X-선 회절측정 분야에서 유리하게 적용하여 이로 인하여 단결정 금속이나 반도체산업 발전에 크게 기여하는 효과를 갖는 것이다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기시스템
본 기술은 위상제어정류기(Phase controlled rectifier)인 다이리스터 정류기를 사용하는 전원회로에 관한 것으로, 특히 전원전압을 검출하지 않고, 위상고정발진기(Phase-locked oscillator)를 사용한 동 특성이 빠른 전압제어기법에 의하여 다이리스터의 점호를 제어하고, 다이리스터 정류기의 출력전압에 포함되는 리플성분 및 부하잡음전압을 인덕터-콘덴서 필터 및 트랜스형 능동필터에 의해 제거하여 효율 및 안정도를 높일 수 있게 한 트랜스형 능동필터를 사용한 전류원 전원회로에 관한 것으로, 전원전압을 검출하지 않고서도 위상고정 발진기를 사용한 전압제어기법에 의해 다이리스터의 위상제어정류기를 동 특성이 빠르게 점호시킬 수 있고, 위상제어정류기의 출력전압에 포함되어 있는 리플성분을 인덕터-콘덴서 필터를 통해 어느 정도 제거시킨 다음 트랜스형 능동필터에 의해 콘덴서리플전압 및 부하잡음전압을 제거시켜 고효율 및 고안정의 전류원 전원회로를 제공함에 목적이 있다.본 기술의 목적은 6상 트랜스를 사용하여 6상전원을 만들고, 위상고정발진기를 사용한 전압제어기법의 제어를 받아 12상 다이리스터 정류기에서 상기 6상전원을 정류하여 리플전압이 포함된 직류전압을 만들며, 그 직류전압을 인덕터-콘덴서 필터를 통해 상기 리플전압을 어느 정도 제거시킨 후 트랜스형 능동필터에서 전류리플의 검출에 의해 콘덴서의 리플전압과 부하의 잡음전압을 제거하게 함으로써 달성된다.본 기술은 전원전압을 검출하지 않고 위상고정발진기를 사용한 전압제어기법에 의해 다이리스터 정류기를 점호시키는 것이므로 전원전압이 불평형 상태이거나 전압파형이 일그러져 있을 경우에도 그 영향을 받지 않게되고, 또한 전원주파수의 한 주기 마다 12번씩 교정함으로써 전원전압의 변동에도 보상이 되어 다이리스터 정류기의 출력전압의 저주파는 최소화되고, 다이리스터 정류기의 출력전압에 포함되어 있는 리플성분은 인덱터-콘덴서 필터를통해 어느정도 제거된 다음 트랜스형 능동필터에 의해 콘덴서 리플전압 및 부하전압이 제거되므로 고효율 및 고안정으로 되는 효과가 있게된다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-21
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일반기술
전기·전자 > 생활가전기기 (F43)
본 기술은 가열조리장치에 관한 것으로, 특히 피조리물의 표면을 갈색으로 변화시키거나, 피조리물을 직접 조리할 수 있는 반도체 레이저 다이오드 어레이의 근적외선 광원을 가진 가열조리 장치에 관한 것으로, 보다 간편하게 전자렌지와 조합하여 조리시 피조리물의 표면을 적절하게 갈색으로 변화시킬수있는 반도체 레이저 다이오드 어레이의 근적외선 방사광원을 가진 가열조리장치 및 방법을 제공하는데 있다.본 기술은 전자렌지와 조합하여 결과의 피조리물 표면을 갈색화하기 위한 가열조리장치는 피조리물을 수용하며, 내측벽이 근적외선 광을 반사할 수 있는 조리실을 갖는 하우징과; 상기 조리실내로 마이크로파를 제공하도록 상기 하우징내에 설치되는 마이크로파 발생수단과; 상기 조리실내로 근적외선 광을 제공하도록 상기 하우징내에 설치되며, 하나이상의 반도체 레이저를 갖는 반도체 레이저 다이오드 어레이 수단과; 상기 마이크로파 발생수단과 상기 반도체 레이저 다이오드 어레이 수단에 선택적으로 전원을 제공하는 전원공급수단을 포함하고, 피조리물을 가열하기 위한 방법은, 상기 마이크로파발생수단에 의해 상기 조리실내로 마이크로파를 공급하는 단계와; 상기 반도체 레이저 다이오드 어레이 수단에 의해 상기조리실내로 상기 근적외선 광을 공급하는 단계를 포함한다.적절한 레이저 광을 조사함으로써, 마이크로파에 의해 조리된 피조리물의 표면을 갈색화 할 수 있음을알 수 있을 것이다. 한편, 전술한 바로부터, 마이크로파에 의한 조리와 반도체 레이저 다이오드 어레이에 의한 갈색화가 동시에 이루어 질수 있다. 또한, 본 기술에 의해, 동일한 구동 에너지와 유사한 종류의 가열 에너지원을 이용함으로써 장치의 부가가 크지않고, 두 조리장치의 결합구성에 따른 장치 부피가 비대해지는 등의 문제가 해결될 수 있음을 알 수 있을 것이다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-17
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일반기술
물리학 > 레이저 광학(R12)
본 기술은 모세관 방전을 이용한 연 X-ray의 레이징(lasing)에 관한 것으로, 특히 폴리에틸렌 모세관 방전에 의한 탄소플라즈마(plasma) 내에서 재결합 과정을 이용한 연(soft) X선의 레이저 발생 장치에 관한 것으로, 효율이 높은 모세관 방전을 이용하여 연 X선 레이징 작용을 실험적으로 증명하고 연 X-선의 레이저 발생 장치를 제공함에 있다.상기 목적을 달성하기 위하여 본 기술에 사용된 모세관 방전을 이용한 연 X-선의 레이저 발생 장치는, 탄소 플라즈마(plasma)가 방전되는 모세관, 상기 모세관에서 방전된 빛을 슬릿으로 집속시키는 미러, 및 상기 미러에 의해 집속되어 슬릿을 통과한 빛을 분광시키는 접선 입사(grazing incidence)분광기를 구비한다.광전 신호부터의 결과들은 앞서이 시간-적분된 스펙트럼으로부터 얻은 결과와 일치한다. 즉, 이득은 새로 준비된 모세관에서 처음 몇번의 방전동안만 존재하며, 파워 밀도를 증가시키는 것이 이득 계수를 증가시키지 않았다. 상기와 같이 이루어지는 본 기술은 단파장 레이저의 효율을 증가시키므로 X선 단파장 레이저의 비용을 절감시키는 효과가 있다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-17
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 가변 이득 증폭기에 관한 것으로서 특히 출력부에 귀환량을 조절할 수 있는 귀환 증폭부를 배치하여 이득 조절범위를 향상시킬 수 있는 가변 이득 증폭기에 관한 것으로, 출력의 일부를 입력측으로 귀환시키는 전압조절단을 갖는 궤환 증폭 수단을 통해 증폭기의 이득 조절 범위를 향상시킬 수 있는 가변 이득 증폭기를 제공하는데 있다.가변 이득 증폭기는 입력이 특정 전압으로 될 때 제 1 조절전압에 의해 최소 이득과 최대 이득 사이의 이득 조절 범위 내에서 출력되는 전압의 이득을 조절하는 증폭부와 상기 증폭부의 이득을 제 2 조절전압에 의해 재차 조절하여 상기 증폭부의 최대 이득을 변화시키지 않으면서 최소 이득을 더 작게 하므로써 전체 이득 조절 범위를 넓게함과 동시에 출력 정합 특성을 향상시켜 출력단을 안정화시키는 귀환부를 포함한다증폭부에서 조절된 이득을 귀환부에서 재차 조절하여 이득 조절 범위를 크게함과 동시에 출력을 정합시켜 출력단을 안정화시킬 수 있다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-26
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 게르마늄 실리사이드 이종접합 바이폴라 트랜지스터(Germanium Silicide Heterojunction Bipolar Transistor :이하, SiGe HBT라 칭함)에 관한 것으로서, 특히, 베이스 영역의 게르마늄 몰분율을 조절하여 온도변화에 안정하고 고주파에서 동작특성을 향상시킬 수 있는 SiGe HBT에 관한 것으로, 온도 변화에 의한 최대전류이득의 변화를 안정화시킴과 동시에 베이스의 두께를 두껍게하여 초고속으로 동작할 수 있는 SiGe HBT 를 제공함에 있다. 본 기술은 제1도전형의 불순물이 도핑된 실리콘의 반도체 기판, 제 2 도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 실리콘의 콜렉터 접촉 영역, 제2도 전형의 불순물이 도핑된 실리콘의 콜렉터 영역, 제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 게르마늄 실리사이드의 베이스 영역, 제2도전형의 불순물이 도핑된 실리콘의 에미터 영역,제2도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 실리콘의 에미터 접촉 영역과, 에미터 전극, 베이스 전극 및 콜렉터 전극을 포함하여 구성한다.게르마늄 실리사이드의 베이스 영역은 게르마늄의 몰분율이 18% 내지 22%인것 을 특징으로 하는 게르마늄 실리사이드 이종접합 트랜지스터를 제공하므로써, 온도(T) 변화에 따른 최대전류이득(βmax )의 변화를 안정화시킬 수 있으며, 또한, 베이스의 두께를 두껍게 하여 초고속으로 동작시킬 수 있는 효과가 있다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-17
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일반기술
물리학 > 레이저 광학(R12)
본 기술은 반도체 레이저에 관한 것으로, 특히 원형 그레이팅(circle grating)에 의한 표면 방출형 레이저 다이오드(Surface Emitting Laser Diode; SELD)에 관한 것으로, 레이저의 초점 거리 및 방향을 변조할 수 있는 원형그레이팅에 의한 표면 방출형 레이저 다이오드를 제공하는데 있다.본 기술은 반도체 기판위에 성장된 제1그레이딩층과; 외부에서 주입된 정공 및 전자가 결합하여 레이저를 발생하는 제1그레이딩층 상부에 위치하는 활성층과; 상기 활성층 상부에 위치하는 제2그레이딩층과; 제2그레이팅층 상부에 위치하는 제1전도형의 반도체층과; 반도체 상부 표면에 위치하여 반도체 상부 표면의 하부에 2차원 광공진기를 규정하고 2차원 광 공진기에서 발생한 레이저를 반도체 상부 표면에서 방사하는 원형 그레이팅층과; 하나 이상의 전극으로 구성되며 하나이상의 전극 각각에 독립적으로 전류를 인가하기 위한 제 1전도형의 반도체층 상부에 위치하는 제1접속층을 포함하며, 제1 및 제2그레이딩층은 그 밴드갭 에너지가 상기 활성층 쪽으로 갈수록 작아지도록 조성이 변하는 반도체물질로 구성되며 활성층은 제1 및 제2그레이딩층 보다 밴드갭 에너지가 크지 않은 반도체 물질로 구성된다.원형 그레이팅은 또한 통상의 수직 광 공진기를 이용한 표면 방출형 레이저 다이오드에 적용할 수 있으며 상기 원형그레이팅의 형상을 등거리 동심원형, 비등거리 동심원형 또는 비등거리 비동심 원형으로 구현할 경우 상기 하나 이상의 전극으로 구성된 접속층의 사용과 함께 레이저 빔의 초점거리, 방향 등을 변조할 수 있다.레이저 다이오드의 그레이팅의 구조 및 전극에 인가된 전하에 의하여 전체 어레이의 초점을 모을 수 있고 그 초점거리도 조절할 수 있다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-17
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일반기술
전기·전자 > 계측기기
본 기술은 초고주파 대역(300MHz-30GHz)에서 저손실 시료의 유전율 및 투자율을 측정하기 위한 유전율 측정 장치 및 유전율/투자율 측정 장치에 관한 것으로, 특히 3위치에서의 산란 계수를 측정하여 시료의 유전율을 측정하는 유전율 측정장치와, 유전율 및 투자율을 한꺼번에 측정하는 유전율/투자율 측정 장치에 관한 것으로, 3위치 반사 투과법에 의해 하나의 시료를 사용하되 홀더내의 시료 위치에 무관하게 유전율과 투자율을 측정할 수 있는 유전율 측정 장치, 및 유전율/투자율 측정 장치를 제공함에 그 목적이 있고, 연결단자의 불연속과 홀더의 자체 손실에 영향을 받지 않으며 회로망 분석기의 오차 보정 오류에서 발생할 수 있는 측정 오차를 제거할 수 있는 유전율 측정 장치, 및 유전율/투자율 측정 장치를 제공함에 그 목적이 있다.본 기술은 상기 목적을 달성하기 위하여 구형 도파관, 원형 도파관, 동축 에어라인과 같은 시료 홀더내에 시료를 장착한 후 시료를 3위치로 이동시키면서 각 위치에서 산란계수를 측정하고, 이들 측정치의 ABCD 행렬값을 연산하여 동치 변환 행렬로 만든 뒤 트레이스를 이용하여 시료의 유전율과 투자율을 검출하되, 시료의 유전율만을 검출할 경우 하나의 시료를 3위치로 이동시키면서 측정한 산란 계수를 이용하여 유전율을 검출하고, 시료의 유전율과 투자율을 검출할 경우 길이가 다른 두 개의 시료를 3위치로 이동시키면서 측정한 산란 계수를 이용하여 시료의 유전율과 투자율을 검출하는 것을 특징으로 한다.본 기술의 3 위치 반사 투과법에 의한 유전율 및 투자율 측정은, 두 개의 시료를 사용하되 홀더내의 시료 위치에 무관하게 유전율과 투자율을 측정할 수 있으며, 연결단자의 불연속과 홀더의 자체 손실에 영향을 받지 않으며 각 시료 홀더에 따른 오차 보정 도구가 필요치 않은 효과가 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-17
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 반도체 레이저에 관한 것으로, 특히 원형 그레이팅(circle grating)에 의한 표면 방출형 레이저 다이오드 어레이 (Surface Emitting Laser Diode Array; SELD Array)에 관한 것이다.반도체 레이저 구조로 인하여 종단 방출형 레이저 다이오드는 활성층에 수직한 방향으로 약 30도, 평행한 방향으로는 몇도의 발산 각(divergence angle)을 갖는 레이저를 방출한다. 이렇게 타원형으로 심하게 퍼지는 레이저를 광섬유 등에 사용하기 위해서는 왜형(anamorphic) 프리즘 등의 광학 장치를 사용하여 집광 해야 되기 때문에 장치가 커지게 되며 효율성 등의 문제를 야기한다. 또한 레이저가 종단에서 방출되는 특성으로 인하여 이러한 종단 방출형 레이저를 사용하여 2차원 어레이를 형성하는 데에는 문제점이 있다.본 기술은 이러한 점에 의거하여 안출한 것으로서, 본 기술의 목적은 레이저의 출력을 향상시킨 원형 그레이팅에 의한 표면 방출형 레이저 다이오드 어레이를 제공하는데 있다.본 기술은 동일한 반도체 기판위에 적어도 두 개 이상의 2차원 광 공진기를 이용한 원형 그레이팅 표면 방출형 레이저 다이오드가 형성되며, 원형 그레이팅 표면 방출형 레이저 다이오드는, 반도체 기판 위에 성장된 제 1 그레이딩층과; 외부에서 주입된 정공 및 전자가 결합하여 레이저를 발생하는 제 1 그레이딩 상부에 위치하는 활성층과; 활성층 상부에 위치하는 제 2 그레이딩층과; 제 2 그레이팅층 상부에 위치하는 제 1 전도형의 반도체층과; 반도체 상부 표면에 위치하여 반도체 상부 표면의 하부에 2 차원 광공진기를 규정하고 2 차원 광 공진기에서 발생한 레이저를 반도체 상부 표면으로 방사하는 원형 그레이팅층과; 하나 이상의 전극으로 구성되며 하나 이상의 전극 각각에 독립적으로 전류를 인가하기 위한 제1 전도형의 반도체층 상부에 위치하는 제 1 접속층을 포함하며; 제 1 및 제 2 그레이딩층은 그 밴드갭 에너지가 상기 활성층 쪽으로 갈수록 작아지도록 조성이 변하는 반도체 물질로 구성되며 활성층은 제 1 및 제 2 그레이딩층보다 밴드갭 에너지가 크지 않은 반도체 물질로 구성된다.본 기술은 레이저 다이오드의 광 공진기(혹은 광 공동)는 반도체 표면의 원형 그레이팅에 의해 제공되어 반도체 표면으로 방출된다. 또한 레이저 다이오드에 전류를 인가하는 접속층은 하나 이상의 전극으로 구성되어 레이저의 방출 방향을 변조할 수 있다.상기 원형 그레이팅은 또한 통상의 수직 광 공진기를 이용한 표면 방출형 레이저 다이오드에 적용할 수 있으며 상기 원형 그레이팅의 형상을 등거리 동심원형, 비등거리 동심원형 또는 비등거리 비동심 원형으로 구현할 경우 상기 하나 이상의 전극으로 구성된 접속층의 사용과 함께 레이저 빔의 초점거리, 방향 등을 변조할 수 있으며 본 기술에 따른 원형 그레이팅 표면 방출형 레이저 다이오드를 채용하여 고출력 레이저 다이오드 어레이가 제공된다.이와 같이 본 기술은 원형 그레이팅 표면 방출형 레이저 다이오드를 채용하여 고출력 레이저 다이오드 어레이를 이용하여 고출력의 레이저를 얻을 수 있는 효과가 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-17
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 저전압용의 상보형 금속 산화막 반도체(CMOS) 연산증폭기(OP AMP)에 관한 것으로, 특히 종래의 완전 차동 폴디드 능동 캐스코드 CMOS OP AMP 구조에 적응 바이러스 흴 및 새로운 공통 모드 궤환 회로를 이용한 CMOS OP AMP 회로에 관한 것으로, 저전압 회로에서 용량부하에 대해 큰 직류전압 이득을 가지고 고속으로 동작하는 CMOS OP AMP를 제공한다.본 기술의 새로운 적응 바이어스 회로 및 공통 모드 궤환 회로를 이용한 완전 차동 폴디드 캐스코드 CMOS OP AMP 장치는 종래의 폴디드 캐스코드 CMOS OP AMP 회로에 부착 가능한 적응 바이오스 회로를 제안하여 직류 전력 소모 및 직류 전압 이득을 크게 유지하면서도 슬루 속도를 크게 증가시켜 OP AMP 장치의 고속 동작을 실현 할 수 있고 공통 모드 궤환 회로의 입력 전압의 범위를 크게 함으로써 전체 OP AMP 장치의 선형 출력 전압 범위를 극대화할 수 있으며 또한 문턱 전압이 큰 디지털 CMOS 공정을 이용하여 4V 이하의 단일 공급 전압에서도 직류 전압 이득이 매우 크고 빠른 안정 시간을 갖도록 함으로써 저전압용 디지털회로와 함께 동일 집적회로 칩상에 아날로그 신호 처리용 CMOS OP AMP 회로를 추가할 수 있도록 한 것이다.종래의 폴디드 능동 캐스코오드(folded active cascode) CMOS OP AMP 구조에 새로운 공통 모드 궤환 회로를 추가하여 전체 OP AMP 추력 전압의 선형 동작범위를 최대한으로 증가시켰고, 또 적응 바이어스(adaptive bias) 회로를 첨가하는 새로운 방법을 이용하여 슬루(slew) 속도를 빨리함으로써 동작속도를 빠르게 하였다. 또한 종래의 폴디드 능동 캐스코오드 CMOS OP AMP 구조를 채택함으로써 직류전압이득(DC voltage gain)이 100 데시벨 이상의 큰 값을 가지게 하였다. 그리하여 문턱 전압값이 큰 현재 상용되고 있는 디지털 CMOS 공정을 이용하여도 공급전압이 4V이하인 저전압회로에서 용량부하에 대해 큰 직류전압이득을 가지고 고속으로 동작하는 CMOS OP AMP를 설계하였다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-26
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일반기술
전기·전자 > 계측기기
본 기술은 레이저를 이용한 슬라브(slab) 크기 측정장치에 관한 것으로, 특히 열연부에서 슬라브 압연시, 압연을 하기전의 예열과정인 가열로 장입시에 슬라브의 폭을 미리 정밀하게 자동 측정하도록한 레이저(Laser)를 이용한 슬라브 크기 측정장치에 관한 것으로, 열연부에서 슬라브 압연시, 압연을 하기전의 예열과정인 가열로 장입시에 슬라브의 폭을 미리 정밀하게 자동측정하도록한 레이저를 이용한 슬라브 크기 측정장치를 제공하는데 있다.이에 본 기술의 레이저를 이용한 슬라브크기 측정장치는 슬라브의 폭을 측정하여 그 결과를 중앙제어장치로 전송하도록한 레이저길이측정기로 구성한 제1,2폭 측정기, 상기 제1,2폭측정기와 다른 장치 상호간에 장거리 실시간 데이타통신을 수행하도록 구축한 통신시스템; 상기 제1,2폭 측정기로부터의 측정된 슬라브의 폭을 전송받아서 슬라브의 유무를 판별하고, 슈퍼제어장치(SCC)로부터 현재 코일번호와 요구되는 이론폭 및 가열로 추출코일번호를 포함하는 슬라브데이타를 전송받은 다음, 상기 제1,2폭 측정기로부터의 측정폭과 슈퍼제어장치로부터의 이론폭을 비교한 후 측정값과 이론값의 오차가 한계값 이상인 경우에는 경고메세지를 출력하고, 코일번호와이에 해당하는 평균폭을 슈퍼제어장치 및 압연제어장치로 전송하는 중앙제어장치, 상기 중앙제어장치로부터의 슬라브데이타에 따라서 압연을 수행할 압연제어장치, 상기 제1,2폭 측정기로 슬라브가 진입하기 이전의 A3테이블로 슬라브가 이동되면, 상기 중앙제어장치로 현재의 코일번호와 요구되는 이론폭 및 가열로 추출 코일번호를 포함하는 슬라브에 관련된 데이타를 전송하는 슈퍼제어장치를 구비한다.본 기술은 열연부에서 슬라브 압연시 압연을 하기전의 예열과정인 가열로 장입시에 슬라브의 폭을 미리 정밀하게 자동측정할 수 있을뿐만 아니라 폭 보상을 자동수행할 수 있으며, 슬라브에 대한 타입을 자동으로 인지하여 운전자에게 보여줌으로써, 운전자가 슬라브의 타입을 보면서 압연을 관리할 수 있으며, 이와같은 자동 폭측정과 폭보상 및 슬라브의 타입인지에 의해서, 작업시간단축 및 정확한 슬라브 폭압연으로 생산성을 향상시킬 수 있는 것이다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-07
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일반기술
전기·전자 > 제어·자동화
본 기술은 유도전동기용 전자접점기의 제어장치에 관한 것으로, 특히 크레인을 비롯한 산업전반에서 사용되고 있는 유도전동기의 전압 및 위상의 정회전, 역회전을 제어하기 위한 유도전동기용 전자접점기의 제어장치에 관한 것으로, 전 기능을 디지탈화한 최소회로를 구현함으로써, 종래의 전자접점기의 단점인 아날로그회로를 이용한 구현으로 소프트웨어를 간단하게 제어할 수 없었던 점과 기능변화의 융통성이 없었던 점을 보완하는 유도전동기용전자접점기의 제어장치를 제공하고, 소형화가 가능하고 제작원가를 절감할 수 있는 유도전동기용 전자접점기의 제어장치를 제어하는 것이다.상기와 같은 목적을 달성하기 위한 기술적인 수단으로써, 본 기술은 유도전동기용 전자접점기의 제어장치에 있어서, 입력전원의 전압신호에서 포토커플러와 인버터회로를 이용하여 전원의 위상정보를 검출하는 전원신호검출부와, 상기 정전, 역전의 운전신호입력으로부터 시스템의 운전-정지, 정전, 역전의 방향을 결정하고, 가변저항값(전류 리미터단자)으로부터 전류제한치를 결정하고, 가변저항값(소프트 스타팅단자)으로부터 소프트 스타트시간을 결정하여 마이크로콘트롤러에 입력되는 입력기능선택부와, 상기 과전류, 과부하전류를 검출하여 이 검출신호를 이용하여 과전류를 검출하여 시스템 오프하여 시스템을 보호하고, 기동시에는 전류제한에 사용하는 출력전류신호검출부와, 상기 마이크로콘트롤러로부터 싸이리스터점호신호를 받아 싸이리스터를 점호하는 싸이리스터구동부와, 상기 마이크로콘트롤러가 수행하기 위한 기본회로와 래치와 롬으로 구성된다.상기 입력기능선택부는 정전, 역전의 운전신호입력을 받아 정방향운전 또는 역방향운전 방향을 결정하고, 운전시에는 시스템을 도통하게 되며 운전외에는 소거하고, 과도시 엄청난 과전류가 흐르기 때문에 전류제한기능을 결정하는 기능선택기와, 외부에서 주어진 지정된 최대기동시간에 따라 점호각을 결정하는 소프트스타팅시간결정기로 이루어지며, 상기 출력전류신호검출부는 기능선택기의 소거결정, b상 또는 c상의 과전류, 시스템을 온/오프 시키는 온/오프선택기와, 싸이리스터 방열판에 부착된 온도센서로부터 신호를 이용 싸이리스터의 과열로 인한 파손을 방지하고, 3상중 b, c 두상의 전류를 입력받아 부하의 과전류보호, 과부하보호를 하며 부하권선의 이상유무를 판단하는 진단기능기로 이루어지며, 상기 싸이리스터구동부는 소프트스타팅시간결정부에서 싸이리스터점호신호를 받아 싸이리스터점호기에 신호를 보내는 싸이리스터 점호신호발생부와, 싸이리스터점호신호를 받는 싸이리스터점호부로 이루어진다.전 기능이 디지탈화 된 전자접점기의 제어장치는 최소회로로 구현되며 따라서 그 크기가 대폭 줄어들며 제작원가의 절감되며 기존의 전자접점기의 제어장치가 실행하기 어려운 접점기의 고기능인 과전류보호, 과부하보호, 부하권선 이상검출등을 수행할 수 있다. 또한 아날로그회로방식은 전원전압의 주파수변동에 민감하나 제시된 방식은 전원전압의 주파수변동에도 소프트웨어의 융통성으로 쉽게 대치된다.본 기술은 싸이리스터점호신호를 발생하기 위해 아날로그회로방식을 사용하지 않고 제2도와 같은 기법으로 전부 소프트웨어로 제어하는 것으로서, 이렇게 함으로서 전자접점기의 제어회로는 최소회로로 구현되며 따라서 그 크기가 대폭 줄어들며 제작원가의 절감과, 종래의 전자접점기의 제어장치회로는 실행하기 어려운 접점기의 고기능인 과전류보호, 과부하보호, 부하권선 이상검출등을 수행할 수 있다. 또한 아날로그회방식을 전원전압의 주파수변동에 민감하나 본 기술의 방식은 전원전압을 계속 체크하여 그 정보를 사용하므로 주파수변동에도 소프트웨어의 융통성으로 쉽게 대처되는 우수한 효과가 있는 것이다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-07
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일반기술
전기·전자 > 소프트 스위칭 기술
본 기술은 실내의 조명기구(indoor lighting equipment) 점멸장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 도어 로커(doorlocker)의 잠김에 의해 실내의 조명기구가 자동으로 점멸(點滅)되도록 한 실내의 조명기구 점멸장치에 관한 것으로, 도어 로커의 잠금 및 해제에 의해 실내의 조명기구가 자동으로 점멸되어 전력의 낭비가 효과적으로 방지되며, 외출자가 편리하고 용이하게 조명기구를 점멸시킬 수 있도록 한 실내의 조명기구 점멸장치를 제공하는데 있다.이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 기술의 특징은, 키의 조작에 의해 도어 로커의 메인 로커가 도어 프레임의 메인 로킹홀에 선택적으로 잠김 및 해제되면서 실내의 조명기구를 전부 점멸시킬 수 있도록 메인 로킹홀에 조명기구의 전원 스위치가 배선되는 메인 전원 스위치가 설치되는 실내의 조명기구 점멸장치에 있다.본 기술은 키의 조작에 의해 도어 로커의 메인 로커가 도어 프레임의 메인 로킹홀에 선택적으로 잠김 및 해제되면서 실내의 조명기구를 전부 점멸시킬 수 있도록 메인 로킹홀에 조명기구의 전원 스위치가 배선되는 메인 전원 스위치가 설치된다.따라서, 키의 조작에 의해 도어 로커를 잠금 및 해제시키는 것에 의해 실내의 조명기구가 실외에서도 자동으로 점멸되므로, 전력의 낭비가 효과적으로 방지될 뿐만 아니라, 외출자가 보다 편리하고 용이하게 조명기구를 점멸시킬 수 있는 것이다.본 기술에 따른 실내의 조명기구 점멸장치에 의하면, 키의 조작에 의해 도어 로커를 잠금 및 해제시키는 것에 의해 실내의 조명기구가 실외에서도 자동으로 점멸되므로, 전력의 낭비가 효과적으로 방지될 뿐만 아니라, 외출자가 보다 편리하고 용이하게 조명기구를 점멸시킬 수 있는 것이다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-07-16
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
본 기술은 다중 주파수 대역 초고주파 증폭기(multi-frequency band microwave amplifier)에 관한 것으로 특히, 다중 주파수 대역의 RF(radio frequency)에 대해서 우수한 증폭 특성을 가지도록 하는 다중 주파수 대역 초고주파 증폭기에 관한 것으로, 구조가 간단하면서도 증폭기의 특성을 향상시키는 바이어스 회로의 구성과 적절한 대역 통과 여파기(band pass filter) 또는 대역 제거 여파기(band stopfilter)를 사용하여 다중 주파수 대역의 RF 신호에 대해서 우수한 증폭 특성을 가지도록 하는 다중 주파수 대역 초고주파증폭기를 제공하는데 그 목적이 있다.이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 기술은 다중 주파수 대역 초고주파 증폭기에 있어서: RF 신호 입력과 다음 단을 광대역 정합시키는 제1 광대역 정합부; 상기 제1 광대역 정합부로부터 RF 신호를 입력하여 증폭시키는 제1 증폭부; 상기 제1증폭부의 RF 신호 출력과 다음단을 광대역 정합시키는 제2 광대역 정합부; 상기 제2 광대역 정합부로부터 상기 제1 증폭부의 RF 신호 출력을 입력하여 증폭시키는 제2 증폭부; 상기 제2 증폭부의 출력단과 전원 사이에서 다수의 주파수 대역에서 원하는 기본파 및 고조파 임피던스를 갖는 바이어스부; 상기 제2 증폭부의 RF 신호 출력을 인가받아 해당 주파수 대역의 RF 신호를 통과시키는 제1 부하 선택부; 상기 제1 부하 선택부의 특정 RF 신호 출력을 인가받아 특정 주파수 대역의RF 신호를 다음단에 정합시키는 제1 정합부; 상기 제1 부하 선택부의 다른 RF 신호 출력을 인가받아 다른 주파수 대역의RF 신호를 다음단에 정합시키는 제2 정합부; 및 상기 제1,제2 정합부의 RF 신호 출력을 인가받아 해당 주파수 대역의 RF신호를 통과시키는 제2 부하 선택부를 포함하는 것을 특징으로 한다.본 기술은 다중 주파수 대역 초고주파 증폭기에 구조가 간단하면서도 증폭기의 특성을향상시키는 바이어스부 즉, 각 경우에 따라 코일, 캐패시터, 선로 등으로 이루어지는 바이어스부의 회로 구성과 적절한 대역 통과 여파기 또는 대역 제거 여파기를 사용하여 그 다중 주파수 대역 초고주파 증폭기가 다중 주파수 대역의 RF 신호에 대해서 우수한 증폭특성을 가지도록 한다. 따라서, 그 다중 주파수 대역 초고주파 증폭기를 소형화 및 저가격화하기가 용이하므로 경쟁력있는 휴대 단말기의 제작이 가능한 효과가 있는 것이다.이상에서 설명한 바와 같이 본 기술은 다중 주파수 대역 초고주파 증폭기에 구조가 간단하면서도 증폭기의 특성을 향상시키는 바이어스부의 구성과 적절한 대역 통과 여파기 또는 대역 제거 여파기를 사용하여 그 다중주파수 대역 초고주파 증폭기가 다중 주파수 대역의 RF 신호에 대해서 우수한 증폭 특성을 가지도록 한다. 따라서, 그 다중 주파수 대역 초고주파 증폭기를 소형화 및 저가격화하기가 용이하므로 경쟁력있는 휴대 단말기의 제작이 가능한 효과가 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-25
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
본 기술은 유도 모터용 범용 인버터에 관한 것으로, 특히 유도 모터의 제어 방법 및 그 제어용 인버터에 관한 것으로, 16 비트 마이크로프로세서 대신 저가의 8 비트 마이크로프로세서를 이용하여 구성되는 초소형 유도 모터 제어용 인버터를 제공하고, 8 비트 마이크로프로세서내의 내부 메모리와 소프트웨어 프로그램을 이용하여 프로그램 코드 및 실행, 제어용 펄스폭 변조 신호를 위한 외부의 메모리 ROM, RAM 및 기타 주변 회로를 대신하도록 구성된 초소형 유도 모터 제어용 인버터를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.상술한 목적을 달성하기 위한 본 기술에 따르면, 각기 위상차를 갖는 3 상의 공간 벡터 펄스 폭 변조 신호에 의해 각기 스위칭되는 3 쌍의 반도체 스위치 소자를 갖는 유도 모터의 인버터가 제공되며, 이 인버터는 상기 모터의 회전수에 대응하는 주파수와, 최소 전압, 상기 모터에 대하여 선택된 전압 대 주파수의 프로파일 및 상기 선택된 프로파일의 기울기 값을입력하는 수단; 상기 주파수, 최소 전압 및 상기 프로파일의 기울기를 이용하여 상기 모터의 인가 전압을 생성하는 수단; 상기 모터의 인가 전압과 상기 모터의 기설정 최대 전압으로부터 상기 펄스 폭 변조 신호의 변조율을 생성하는 수단; 상기 주파수에 대응하는 상기 모터의 회전 각도의 증가분을 계산하는 수단; 상기 계산된 회전 각도의 증가분과 기설정된 지연된 과거의 회전 각도의 증가분을 가산하여 상기 모터의 현재 회전 각도를 생성하는 가산기; 상기 현재의 회전 각도에 응답하여 공간 벡터 변조에 필요한 사인(sine) 값을 계산하는 수단; 상기 사인(sine) 값과 상기 변조율을 이용하여 상기각각의 펄스 폭 변조 신호의 펄스 폭을 나타내는 듀티 값을 생성하는 공간 벡터 변조 수단; 상기 듀티 값에 각기 대응하는 상기 3 상의 공간 벡터 펄스 폭 변조 신호를 생성하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.이 콘트롤러는 고가의 16 비트 대신 저가의 8 비트 마이크로콘트롤러로서 구현됨으로써, 전체 제작 단가를 낮추고 주변 기기를 소프트웨어로 대체되어 전체 크기를 줄일 수 있는 효과가 있다. 즉, 본 기술에 따라서 16 비트 마이크로콘트롤러 대신 저가의 8비트 마이크로콘트롤러로서 유도 모터용 인버터의 구성이 가능하므로 비용 효과적이며, 프로그램 코드 및 실행, 제어용 PWM 신호를 위한 데이터 저장용 기억소자인 ROM 및 RAM을 8 비트 마이크로콘트롤러내의 내부 메모리와 소프트웨어로 대신함에 따라 단일칩 제어 회로가 구성될 수 있는 장점이 제공된다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-21
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