일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
본 기술은 캐소드의 수명을 향상 시키고 캐소드의 교체를 용이하게 하며 화염의 안정화를 이룰 수 있는 플라즈마 토치에 관한 기술이다. 캐소드 주변에 솔레노이드코일을 설치하고, 코일에 사인파형의 전류를 걸어주어서 아크루트가 앞뒤로 이동하게하여 캐소드면을 앞, 뒤 골고루 소모되게 하여 캐소드의 수명을 연장시킨다. 또한 핫버튼(hot-button)형의 텅스텐과 할로우형의 구리를 캐소드로 사용하고, 내부의 텅스텐 캐소드를 외부의 구리 캐소드가 서로 착탈 가능한 체결수단에 의해 결합되게 하여 캐소드의 교체를 용이하게 하였다. 아크가 발생하는 텅스텐캐소드가 할로우 구리캐소드의 내부에 위치하여 아크발생부의 저압을 실현할 수 있게 되므로 화염의 안정화에 기여하게 된다.본 기술은 전극(electrodes) 사이에서 플라즈마 아크 칼럼을 생성, 유지하는 장치로서 기타 플라즈마 가열을 위한 장치로서는 플라즈마 토치의 전압, 전류조건을 충족시킬 전력원과 물(냉매)과 플라즈마 가스를 토치에 공급하고 흐름을 제어하는 물/가스시스템으로 구성된다. 기존의 토치는 짧은 캐소드의 수명이나 화염의 불안정성 등의 문제가 있었으나 본 기술에서는 솔레노이드 코일과 착탈 가능한 체결 구조의 체용으로 기존 토치의 문제점을 효과적으로 해결하였다.
- 보유기관
- 서울대학교
- 등록일
- 2004-11-24
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
본 기술은 안정한 플라즈마 제트를 발생시켜 공정의 신뢰성과 품질의 균일성을 향상시킬 수 있고 노즐이나 전극의 침식을 최소화하여 노즐 및 전극의 수명을 장기화 할 수 있는 플라즈마 토치에 관한 기술이다. 핵심 구성 부품인 음극, 양극노즐, 기체주입링, 냉각수 경로 등의 설계 개선을 통하여 조립 및 부품 교체가 용이하고 다양한 구조의 노즐 채택이 가능하여 응용 공정의 다양화를 꾀하였으며, 플라즈마 제트의 안정화 방법으로 계단형 노즐구조와 영구자석 삽입에 따른 자기장인가 방법을 채택한 바, 계단형 노즐 장착의 효과로는 계단영역에 유발된 강한 난류에 의한 빈번한 션팅을 유도하였다. 이로써 계단이 없는 원통형 노즐에 비해 노즐 내부에서 아크 길이가 성장되는 시간을 단축시켜 아크 전압의 요동 주파수를 높이면서 요동폭을 감소시킴으로써 플라즈마 제트의 안정화를 기하였다. 계단형 노즐 외곽에 삽입된 영구자석에 의해서는 아크점을 회전시킴으로써 노즐의 국부적 손상을 방지하여 장시간 운전이 가능한 플라즈마 토치의 설계 제작에 관련된 기술적 문제를 해결할 수 있다.
- 보유기관
- 서울대학교
- 등록일
- 2004-11-24
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
본 기술은 각종 유해 폐기물을 열분해에 의한 완전 소각과 용융고화에 의한 유리화 처리를 할 수 있는 열플라즈마를 발생시키는 플라즈마 토치의 설계와 제작에 관한 것으로, 전극 및 토치수명의 연장, 토치 열효율 개선, 처리 대상폐기물의 다양화를 기할 수 있도록 한 공동형 전극을 가진 직류 비이송식 플라즈마 토치이다.본 기술은 전극의 설계와 기체 주입 방법의 개선을 통하여 아크 기체로써 공기를 사용할 수 있게 하여 저렴한 운전 비용과 처리 대상물의 다양화와 더불어 처리 대상물의 완전 열분해 처리를 할 수 있게 하고, 낮은 전류에서도 고출력의 운전을 가능하게 하였으며, 이에 따라 전극의 침식율을 줄임으로써 토치의 운전수명을 증가시킬 수 있다. 아크점이 전극 내부에 존재하는 범위에서 최대의 열효율을 갖는 음극과 양극의 직경과 길이의 비를 결정하여 보다 경제적인 유해폐기물 처리가 가능하도록 하였다. 또한, 음극 직경을 양극 직경보다 약간 크게 하여 음극 내부에서의 와류운동을 증가시키는 한편, 음극면에 외부자기장을 걸어주는 솔레노이드를 설치하여 아크점의 회전속도를 증가시켜서 음극 침식율을 양극 침식율과 거의 동일한 수준으로 감소시켜 전극의 수명을 연장시킬 수 있다.
- 보유기관
- 서울대학교
- 등록일
- 2004-11-24
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
본 기술은 교류형 플라즈마 표시 장치 내부의 유전체층 보호용 산화마그네슘 보호막의 표면에 수화물의 생성을 억제하는 덮개막을 피복시킨 교류형 플라즈마 디스플레이 장치용 산화마그네슘 보호막과 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 기술의 보호막은 산화마그네슘 보호막의 표면에 산화알루미늄 내지는 산화아연 중의 하나로 이루어진 덮개막이 1~100nm의 두께로 피복형성된 것으로, 산화마그네슘 보호막의 표면에 산화알루미늄 내지는 산화아연 중의 하나를 증착시켜 피복시킨다. 본 기술의 산화마그네슘 덮개막은 피디피 제조 완료 후 초기 방전과정시 플라즈마에 의해 식각되어 제거되고, 종래의 보호막에 비하여 방전특성이 향상된다. 본 기술은 피디피 패널의 소비전력을 감소하는 데 초점을 두고 있으므로, 피디피 패널 제조 공정에 당업계의 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 특성을 변질치 않고 쉽게 적용할 수 있다.
- 보유기관
- 서울대학교
- 등록일
- 2004-11-24
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
ICBD 혹은 MBE와 같은 물리적 방법을 이용한 물질 증착 방법에 있어서, 대면적 증착 방법 및 그 시스템에 관련된 것이다. 증착물질을 담은 소스를 2차원을 이루는 서로 직교하는 두 개의 좌표축 상에서 임의로 이동하면서 소스와 일정거리 떨어져 설치된 기판 위에 박막을 증착하는 대면적 증착방법임대면적 증착이 가능하도록 소스를 2차원 평면상에서 이동시킬 수 있는 구동 수단을 포함하는 것이 특징임.
- 보유기관
- 연세대학교
- 등록일
- 2004-12-17
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
본 발명은 기판과 성장시키고자하는 박막 사이의 계면층을 개입하여 이용하여 산화 박막 혹은 금속 박막을 결정 성장시키는 방법에 관련된 것이다. 실리콘 기판위에 3-8 층 정도의 산화 실리콘으로 이루어진 계면층을 이용하여 박막을 형성함으로써, 실리콘 기판의 결정성을 그대로 따르면서 실리사이드의 생성을 억제하여 양질의 박막을 성장하는 방법임.기판위에 양질의 박막을 제조하기 위해 기판과 박막 사이에 계면층을 삽입하여 양질의 박막을 제조하는 것이 특징임.
- 보유기관
- 연세대학교
- 등록일
- 2004-12-17
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
- 마이크로 시스템의 성능을 향상시키고 내구성 향상을 위하여 일종의 보호막을 형성하는 것이다.- 마이크로 기어와 마이크로 엔진 및 마이크로 모터, 차세대 하드디스크 드라이브 등은 구동부위와 정지 부위에서 접촉이 이루어지며 운동하게 되는데, 이때 접촉부위에서는 마찰, 마모, 응착이 일어나 성능이 저하되며, 수명이 단축된다. 그러나 이 기술(보호막)로 처리하면 이런 문제들이 동시에 처리되어 성능향상과 내구성이 향상된다.- 인가하중이 낮은 상태에서 섭동(주요한 힘의 작용에 의한 운동이 부차적인 힘의 영향으로 교란되어 일어나는 운동)이 이루어지는 부위의 마찰, 마모, 응착을 낮추어 시스템 또는 디바이스의 성능과 내구성을 획기적으로 향상시켜준다.- 보호막은 카본으로 구성되어 있으며 고온 안정성과 전도성을 가지면서 낮은 탄성계수 및 높은 경도를 가지고 이형성을 나타낸다.-사출성형시 몰드에 보호막처리를 하면 이연성을 가져 좋다.-MEMS 분야에서도 많이 적용할 수 있다.
- 보유기관
- 한국재료연구원
- 등록일
- 2005-03-22
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
제안된 Nanocrystal superfirm (35~60HPa) 코팅은 절단공구, 스탬프, 압축 몰드, 자동차 부품의 작동면에의 내마찰 코팅을 통하여 내마모성, 내식성을 향상시키며 이는 기존 유사품과 비교할 때 2배 이상 성능임.티타늄합금 VT-3을 vacuum-arc 코팅법으로 hydro cylinder rods에 코팅한 후 300,000cycles을 작동하는 테스트를 수행한 결과Galvanic 크롬 코팅에 비하여 10배 높은 성능을 보였음. 코팅 두께의 범위는 5~100micron임.크롬을 코팅할 경우, vacuum-arc 방법이 Galvanic방법에 비하여 1.4~1.5배 정도 경제적임.제시된 기술은 생태학적으로 매우 안전하며, 기존의 방법에 비하여, 제시된 기술의 코팅 접착력(400~600MPa)이 더 우수하고, 동시에 코팅 품질의 저하없이 100℃에서 150℃까지의 낮은 sputtering 온도를 지니게 할 수 있음. (일반적인 electrovacuum sputtering 온도는 500℃ 정도임). 적용이 가능한 기지재료는 steel, 알루미늄 등의 경금속 및 폴리머와 유리 재료 등으로 이와 같이 코팅의 적용 범위가 넓다는 것이 본 제시된 기술의 장점임.코팅 품질의 저하없이 경비를 저렴하게 할 수 있도록 하여, 상대적인 경쟁력을 부유할 수 있도록 하는 기술임.
- 보유기관
- 티알씨코리아
- 등록일
- 2005-07-25
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
소수성은 물을 멀리하는 성질이다. 일반적으로 소수성의 척도로서 접촉각을 주로 사용하는데, 접촉각이 90도 이상이면 소수성, 150도 이상이면 초소수성이라 한다.1. 연구배경- 초소형 또는 마이크로 이하단위의 부품등에서 신뢰성있는 기능성 부품의 절실히 요구- 미시세계에서는 Particle, 반데르 발스 힘, adhesion, 모세관효과, 표면장력, 마찰, 수증기, 세균등이 핵심적인 기술요인으로 등장.- MEMS를 주축으로 하여 2000년대에 들어와서 초소수성에 대한 관심이 폭발적으로 증가. - IT, NT, BT등의 미세구조기능들을 구현하기 위한 핵심요소기술 2. 초소수성의 역할- 표면에너지를 극단적으로 최소화 시킴- particle, 표면장력, 모세관 효과 adhesion,마찰, 수증기, 세균등의 표면과의 물리적 및 화학 반응을 최소화. 3. 에스피에스 기술- 세계최초로 대기압 플라즈마에 의한 고품질의 초소수성 나노박막(20nm이하)의 구현- 기존의 초소수성처리 방법의 여러 가지 제약을 동시에 뛰어 넘어섬- 단시간, 단일공정, 재현성, 생산성, 자동화등에서 산업화 할 수 있는 기술토대를 구축.A. 세계최초 상압플라즈마 초소수성구현- 상압플라즈마 단독공정에 의해 구현B. 무진공, In-line 시스템, 대량생산 -> 가격경쟁력 월등.C. 처리시간기준 타기술에 비해 최소 10배～100 이상 단축- 초소수성 처리시간 : 10초 D. 초소수성 박막두께 : 20nm 이하(광학적용 50nm이하에 필수)E. 처리면적 : 4, 6, 8, 12inch wafer의 면적 쉽게처리 가능F. 표면거칠기 : 기존초소수성 이론을 재검토할 정도의 낮은 표면거칠기를 갖음(SEM사진으로 표면거칠기 확인이 안됨)G. 유지시간 : 10000 Class clean room 기준 : 6개월 이상H. 상압 PECVD의 새로운 분야를 개척 : 진공에 비해 균일한 박막을 얻을수 있음을 세계최초로 증명.
- 보유기관
- 경기기술이전센터
- 등록일
- 2005-09-20
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
본 기술은 마그네트론 반응성 스퍼터링법을 이용한 텅스텐카바이드 박막의 제조에 관한 것으로, 종래 스퍼터링법인 마그네트론 스퍼터링법 및 반응성 스퍼터링법을 결합한 것이다. 마그네트론 스퍼터링법은 마그네트론 음극 상에 타게트를 장착하여 스퍼터링하는 것이며, 반응성 스퍼터링법은 스퍼터링가스 외에 반응성 스퍼터링 존재하에 스퍼터링하는 것으로, 이를 결합하여 마그네트론 음극 상에 단일 텅스텐 타게트를 장착하고, 방전가스로서 Ar/CH4 혼합가스를 사용하여 스퍼터링을 수행한다. 이때 기질로는 탄소 기질을 사용하여 텅스텐카바이드 박막을 증착되게 한다. 또한, 마그네트론 반응성 스퍼터링법을 이용한 높은 증착율을 갖는 텅스텐카바이드(WC)의 제조하기 위한 최적의 조건을 제공한다.스퍼터링은 기본적으로 공정압력에 영향을 크게 받는다. 공정압력은 진공과 내에 잔류하는 방전가스의 양과 비례하는데, 이 가스의 양이 너무 적으면 이온화되는 원자의 양이 감소하며, 너무 많으면 스퍼터링된 원자들이 방전가스에 의해 산란되어 기질까지 도달하는 양이 줄어들기 때문에 증착율이 감소하게 된다. 본 기술에서는 박막 증착 전의 초기진공도를 5 ×10-5 torr를 유지하고, 공정압력을 40～60 mTorr, 바람직하게는 50 mTorr로 일정하게 유지하여 스퍼터링을 수행한다. 또한, 탄소 기질은 최적의 증착율을 얻기 위해 일정한 온도를 유지하여야 하는데, 본 기술에서는 300～400℃의 온도로 유지한다. 특히, 본 기술은 반응성 스퍼터링법을 포함하는 것으로, 방전가스로서 Ar/CH4 혼합가스를 사용한다. 이때, Ar/CH4 혼합가스의 CH4 가스 비율이 10～30 %이다.또한, 일정한 rf-파워에서 수행하여 우수한 증착율, 표면거칠기, 조성 및 경도를 얻을 수 있으며, 200～500 W의 rf-파워에서 수행하는 것이 바람직하다. 본 기술은 텅스텐카바이드 박막의 제조에 있어서, 진공관 내부에 스퍼티링 소스로서, 마그네트론 음극 상에 단일 텅스텐 타게트(W target)를 장착하고, 기질로서 탄소 기질을 사용하고, 방전가스로 Ar/CH4 혼합가스를 사용하는 것을 특징으로 한다. 본 기술은 종래 스퍼터링법으로 제조시 낮은 증착율의 문제를 극복하였고, 높은 증착율을 가진 텅스텐카바이드(WC) 박막을 제조함으로써, 독성 때문에 문제가 있지만, 현재 상용되는 있는 크로도금을 대체하여 사용하는 것을 기대할 수 있다. 본 기술은 현재 대표적인 고기능성 박막인 크롬도금을 대체할 수 있는 텅스텐 카바이드 박막 제조방법으로서 자동차, 항공기, 선박부품, 섬유/인쇄/화공용 산업기계부품, 공구 및 금형 등에 광범위하게 사용될 수 있으며, 이 분야의 시장은 꾸준한 성장성과 시장규모가 있는 분야로서, 향후 시장성이 있을 것으로 판단된다. 본 기술은 항공기, 자동차 등에 사용되는 박막이지만, 본 기술이 반도체 공정 및 장비기술의 특정이 있으므로 반도체 박막 장비 기술을 보유하고 있는 반도체 장비업체와의 기술협력을 통하여 사업화 진행을 검토하는 것도 필요할 것으로 판단된다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2006-01-26
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
*원리 및 구성본 기술은 원자층 증착과 후열처리에 의한 ZnO 박막의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로 후열처리과정을 통해서 UV 영역에서의 발광특성이 우수한 ZnO 박막의 제조방법을 제공하는 기술이다. 1) 단계 1 : ALE법을 이용하여 ZnO 박막(얇은막)을 증착시킨다. ZnO 박막을 위한 기판(전기회로가 편성되어 있는 판)으로는 사파이어 단결정 또는 실리콘 기판을 모두 사용할 수 있다. 증착시 기판의 온도는 ALE 공정온도 범위에서 수행하는 것이 바람직하며, 130˜170℃에서 수행한다. 기판의 온도를 ALE법과 유사한 CVD 공정온도 범위(약 400℃)에서 수행할 경우, 이후 최종 ZnO 박막이 화학양론적인 성장이 제대로 이루어지지 않아 UV 영역 뿐만 아니라 가시광선 영역에서의 빛을 내는점이 크게 증가하는 문제점이 발생한다. ZnO 박막을 증착시키기 위한 ALE는 Zn 소스, 산소 소스와 질소를 시분할로 주입함으로써 소스간의 기체상태 반응을 제거하고, 표면에서 제한된 반응을 유도함으로, 기체상태반응으로 인한 입자의 발생이 억제되고 소스 양과는 무관하게 원자층 단위로 증착된다.2) 단계 2 : 상기 ZnO 박막이 증착된 기판을 열처리한다. 열처리는 화학양론적 성장을 유도하여 고품위의 ZnO 박막을 얻기 위한 것으로, 산소분위기 하 600˜1,000℃에서 수행하는 것이 바람직하다. 후열처리 온도가 범위 미만인 경우, ZnO 박막의 완전한 화학양론적 성장이 이루어지지 못하며, 범위를 초과하는 경우에는 ZnO 박막의 표면 형상학(morphology)이 크게 나빠지는 문제점이 발생한다.*특징 및 장점1) 사파이어 기판 위에 Zn 소스를 챔버내부에 유입시켜 반응시킨는 단계2) 질소 가스 퍼지를 수행하는 단계3) 그 후 산소 소스를 챔버내부에 유입시켜 반응시킨 후 다시 질소 가스 퍼지를 수행하여 ZnO 박막을 증착하는 단계4) ZnO 박막이 증착된 기판을 산소분위기 하에서 열처리하여 ZnO 박막을 제조하는 단계 *효과1) ALE 공정온도에서 ZnO 박막을 증착시키고, 이후 고온에서 후열처리를 수행함으로써, ZnO 박막의 화학양론적인성장을 이루어 가시광선 영역에서의 발광이 전혀 없고, UV 영역에서의 발광(near band edge emission) 강도가 큰 ZnO 박막을 얻을 수 있는 효과2) ZnO 박막의 제조방법은 ZnO 박막의 강한 UV 영역에서의 발광특성으로부터 ALE를 이용한 ZnO 박막의 UV LED(Light Emitting Diode) 제조에 유용하게 이용할 수 있는 효과*적용제품 및 경쟁제품 본 기술은 발광소자 칩 개발 및 생산능력을 가지고 있는 삼성전기, LG이노텍, 나리지온 등의 업체와의 협력을 통하여 사업화를 진행하거나, 본 기술이 장비기술인 점을 생각하여 반도체 박막 장비 기술을 보유하고 있는 반도체 장비업체에 대한 기술이전을 통하여 사업화 진행이 필요할 것으로 판단된다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2006-02-21
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
*원리 및 개요본 기술은 사파이어 기판 상에 마그네트론 스퍼터링법에 의해 ZnO 박막을 형성시키는 단계와 상기 ZnO 박막이 형성된 사파이어 기판을 산소분위기 하에서 열처리를 수행하는 단계를 포함하는 특징이 있는 ZnO 박막의 제조방법이다. *시장성본 기술은 ZnO 에피층 성장에 관련된 기술을 보유하고 있거나, 발광소자 칩 개발 및 생산능력을 보유하고 있는 삼성전기, LG이노텍, 나리지온 등의 업체와의 협력을 통하여 사업화를 진행하거나, 장비기술인 점을 감안하여 반도체 박막 장비 기술을 보유하고 있는 반도체 장비업체에 대한 기술이전을 통하여 사업화 진행이 가능하다.* 특징 및 장점*특징 및 장점1) 1단계 : 마그네트론 스퍼터링법에 의해 ZnO 박막을 형성시키며, ZnO 타겟을 이용한 마그네트론 스퍼터링법으로 단결정 사파이어 기판에 증착시킨다. - 초기 진공도는 로터리와 터보 분자 펌프를 통하여 충분히 낮추며, ZnO 박막 증착은 약 0.05 Torr에서 수행하는 것이 바람직하며, 공정온도는 상온에서 수행한다. 2) 2단계 : 산소분위기 하에서 열처리를 수행한다. - 열처리를 통하여 ZnO 박막이 c 축 성장한 다결정질 박막으로 형성시킬 수 있으며, 결정질을 더욱 향상시킨다. - ZnO 박막에서 전위, 침입원자 및 공공 등의 결정학적 결함 밀도를 낮추는 효과를 나타낸다. - 열처리 온도는 800～1,000℃가 바람직한데, 이때 열처리 온도가 범위 미만인 경우ZnO 박막의 반측(FWHM)이 증가하여, 결정성에 문제를 야기시킨다.*효과1) ZnO 결정의 품위를 두드러지게 향상시킬 수 있는 효과2) 고농도의 질소를 도핑한 ZnO 박막에서의 전자의 농도와 이동도를 급격히 감소시킬 수 있는 효과3) 산소공공과 침입형 ZnO와 같은 진성의 N 형 결함을 없앰으로 N 형 ZnO를 P 형 ZnO 박막으로 제조할 수 있어서 단파장 발광소자의 제조에 유용하게 이용할 수 있는 효과
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2006-02-21
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
*원리 및 구성도금조 내에 도금체(12)인 니켈판과 피도금체(14)인 금속판을 거치시키는 단계와; 초임계유체(C)로 사용되는 기체상태의 물질을 제1저장조(2)에 보관시켰다가 냉각기(3)에서 1차로 급냉시키는 단계와; 상기 초임계유체(C)를 제2저장조(9)에서 공급되는 용매/전해질/계면활성제의 혼합용매와 함께 혼합시켜서 이송펌프(44)를 통해 도금조(7)로 이송시키는 단계와; 조절기(5)에 의해 도금조 내의 반응조건을 조절하는 단계와; 도금이 종료된 후 초임계유체(C)를 제3저장조(6)로 이송시키는 단계와; 도금이 종료된 후 전해질(E) 및 계면활성제(S)는 다시 냉각기(3)로 회수하는 단계;를 포함하여 이루어진 것이며, 초임계 유체를 이용한 도금공정을 실시함으로써 도금층의 두께를 박막화시킬 수 있고 비교적 고속으로 도금이 가능하며, 미세한 부분까지 도금이 가능하여 고품질의 도금이 가능하고, 또한 폐수발생량이 현저히 감소될 수 있어 환경오염의 폐해를 절감시킬 수 있다.*본 기술의 장점첫째, 고압 전기도금조에서 초임계유체를 용매로 사용- 도금조 용매성분은 초임계유체, 니켈염, 계면활성제의 혼합물로 구성- 폐수의 발생량 절감-박막 니켈도금이 가능하며 혼합용매의 안정성과 니켈 도금상태 양호둘째, 전자부품, 반도체 기판의 도금에 적용 가능하며특히 높은 열과 마찰이 발생하는 용도분야에 사용가능셋째, 반도체, 전자부품의 소형소재 니켈도금 가능- 수입대체 효과 매우 큼- 내열성, 내구성 개선으로 높은 응용성 기대
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2006-05-30
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
Niobium(Nb)과 Tantalum(Ta) oxide 박막 제조용 새로운 MOCVD 전구체(precursor)로서 다음과 같은 조성을 가지는 착물을 합성하였다. 중심 금속은 Nb과 Ta이며, 리간드는 3개의 alkoxide와 1개의 3자리 리간드(tridentate ligand)인 N-alkoxy-β-ketoiminate, N-alkoxy-β-diketiminate, N-alkoxy-β-thioketoiminate 중의 하나를 가지며 이 리간드의 치환기들은 H, Hydrocarbyl, aryl, fluorinated carbyl로서 서로 같을 수도 있고 다를 수도 있다. 현 발명된 화합물들은 CVD 공정에 사용되는 금속화합물의 열적 안정성과 가수분해에 대한 안정성을 향상시켰으며, 상당한 휘발성을 가진 액체상 화합물로서 보다 낮은 온도에서 보다 빠른 속도로 금속산화물을 생성하였다.현 발명의 화합물은 가수분해에 대한 취약성 및 열적 안정성이 현저히 개선되어 저장 및 다른 원천물질과의 부반응 가능성에서 성능개선이 있고 높은 재현성과 박막생성속도의 정확한 제어가 가능하다. 현 발명의 화합물들은 가수분해에 대한 취약성 및 열적 안정성이 개선되어 저장 및 다른 원천 물질과의 부반응 가능성이 획기적으로 개선되었으며 높은 재현성과 박막생성속도를 bubbler의 온도를 조절함으로써 정확히 제어할 수 있는 특성을 보임에 따라 고품질의 박막 생성을 통한 고집적 강유전체 비휘발성 메모리 생산이 가능하게 하는데 기여할 것이다. Ta2O5는 1Gb 이상의 memory에서 condensor용 기본물질로 채택되고 있다. 따라서 이 분야에서 기업화의 전망이 크다고 할 것이다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
본 발명은 종래의 PVDF 박막 및 일렉트렛트 제조시의 문제점을 해결하고 진공상태에서 PVDF 박막을 제조하면서 일렉트렛트를 제조하기 위한 것이다.본 발명은 상기 문제점을 해결하고자, 진공 증착 장치조 내에서 박막을 제조함으로써 박막에 불순물의 혼입을 줄일 수 있으며, 제조시에 기판의 온도를 고온으로 유지함으로써 결정화도를 향상시킬 수 있으며, 특히 일렉트렛트 제조과정에서 발생하는 고분자 절연 파괴와 표면으로 거칠게 배향되는 분자쇄에 의한 압전 특성 및 초전 특성의 감소를 극복할 수 있도록 한 PVDF 박막 및 일렉트렛트 제조장치를 제공한다.본 발명은 폴리비닐리덴 플루오라이드 박막과 일렉트렛트 제조 장치에 관한 것으로서, 진공 증착조so에서 고분자 원재료를 그 하부에서 가열 증발시키는 할로겐 램프와, 원재료와 할로겐 램프의 측면과 상면 일부를 밀착하여 감싸고 상면 나머지 부분으로 증발된 원재료 기체 분자를 비산시키는 포트와, 상기 포트 주변을 감싸서 내부 열이 외부로 손실되는 것을 차폐시키는 열차폐부와, 여러 차폐부내의 온도를 유지 제어하는 온도 조절기를 포함하는 가열부와, 또한 증발된 원재료가 증착되는 기판부는 박막을 형성하고자 하는 기판면으로 원재료 기체 분자가 유입되는 경로상에 위치하는 메시와, 메시 위에 직접 고정하여 기체 분자가 직접적으로 전압에 노출되는 것을 방지하는 스페이서와, 메시에 선택적으로 고전압의 부전계를 공급하여 기판면에 정전계를 유도시켜서 유입되는 기체 분자의 배향을 제어하는 고전압 발생기를 포함하는 것이 특징이다.본 발명은 진공 증착내에서 PVDF 박막 및 일렉트렛트를 선택적으로 제조할 수 있으며, PVDF 박막 제조시 불순물의 혼입을 줄일 수 있고, 기판의 온도를 고온으로 유지함으로써 결정화도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.또한 일렉트렛트 제조 과정에서 발생하는 고분자 절연 파괴와 표면으로 거칠게 배향되는 분자쇄에 의한 압전 특성 및 초전 특성의 감소를 방지하여 압전 특성과 초전 특성을 이용하여, 집적화, 경량화, 박막화 추세에 부합되는 센서 재료 개발에 있어 획기적인 효과가 있다.본 발명은 센서 재료 개발에 있어 획기적인 효과가 있어 그 시장성이 크다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
본 발명의 목적은 PbO계열의 유리 페이스트 유전체를 사용하는 종래의 PDP에 비해, 더 낮은 전압에서 방전 발광을 유지시킴으로써 PDP 동작에 따른 소비전력을 감소시킬 수 있는 강유전체 박막을 가지는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)과 강유전체 박막 증착 방법을 제공함에 있다.본 발명은 기판이 되는 전, 후면 유리와; 상기 전, 후면 유리 일측면 각각에 형성되는 전극부와; 상기 전, 후면 유리 일측면 각각에 증착되는 강유전체 박막과; 상기 강유전체 박막상에 증착되는 보호막으로 구성되는 방전 셀들이 격벽에 의해 서로 분리된 구조를 가지는 PDP를 제공한다.본 발명은 PbO계열의 유리 페이스트 유전체를 사용하는 종래의 PDP에 비해 높은 투과율과 유전률을 가지는 강유전체를 사용함으로써, 더 낮은 전압에서 방전 발광을 유지하여 전체 소비전력을 낮출 수 있으며, 높은 투과율(90% 이상)과 유전률로 인하여 방전에 필요한 전하 축적량이 커서 휘도를 향상시킬 수 있는 특징이 있다.본 발명은 PbO계열의 유리 페이스트 유전체를 사용하는 종래의 PDP에 비해 높은 투과율과 유전률을 가지는 강유전체를 사용함으로써, 더 낮은 전압에서 방전 발광을 유지하여 전체 소비전력을 낮출 수 있는 장점이 있으며, 높은 투과율(90% 이상)과 유전률로 인하여 방전에 필요한 전하 축적량이 커서 휘도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 또한 강한 전계에서 견딜 수 있기 때문에 방전 셀의 수명을 연장시킬 수 있는 장점도 있다.평판형 표시소자중 PDP는 휴대형 제품을 중심으로 시장을 확대해 온 LCD에 비해 대형이면서도 얇다는 특성을 가지고 있기 때문에, CRT 대체용도와 새로운 대화면 거치형 제품으로써 큰 기대를 모으고 있는 바, 본 발명의 시장성도 매우 밝다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
[해결하고자 하는 과제]본 발명의 목적은 비저항이 낮고 작동 신뢰성 및 기계적 특성이 우수한 반도체 소자 배선용 구리 박막 및 그 제조방법을 제공하는 것이다[과제 해결을 위한 수단]본 발명은 기판 (1); 기판 (1) 위의 하지막 (2); 하지막(2) 위의 팔라듐 층 (3); 및 팔라듐 층 (3) 위의 구리층 (4)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 배선용 구리 박막 및 그 제조방법을 제공하며, 본 발명에 의한 구리 박막은 종래의 것에 비해 비저항이 낮고 작동 신뢰성 및 기계적 특성이 우수하며, 특히 구리가 빠르고 균일하게 도포되는 특징을 갖는다.본 발명은 열역학적 방법과 계통 발생학적 비교법으로 대표되는, 기존의 RNA 구조 예측 방법들은 RNA의 구조 형성 과정을 고려하지 않고 최종 구조를 추정하는 것이다. 그러나, RNA 분자의 구조는 그 RNA의 염기 서열이 다 자라기를 기다렸다가 가장 안정된 형태를 취하는 것이 아니라, 염기 서열이 생성됨과 거의 동시에 구조가 형성된다. 따라서 folding의 동력학 (kinetics) 측면에서 어려움이 있으면, 열역학적 또는 계통 발생학적으로 안정된 형태에 도달하지 못할 수도 있고, RNA 분자의 최종 구조는 일차 구조가 시간이 지남에 따라 자라면서 형성하게 되는 중간 단계의 구조들에 의해 어느 정도 영향을 받게 된다. 또한, 한 구조에서 다른 구조로의 동적인 이동이 어떤 RNA 분자에 있어서는, 기능의 중요한 부분일 수도 있다. 본 발명은 구조형성과정의 kinetics를 고려하여 RNA 구조의 형성과정을 시뮬레이트함으로써, 보다 안정적인 구조 예측을 하는 특징이 있다.본 발명은 열역학적․계통발생학적으로 안정되고 구조 형성 과정이 고려된 RNA 분자 이차 구조를 예측할 수 있고, 중간 단계 및 최종 단계에서 에측된 구조의 신뢰도를 정량적으로 나타낼 수 있으며, 구조의 재편성을 허용함으로써 보다 생물학적으로 의미 있는 RNA 분자 이차 구조를 얻을 수 있다.본 발명은 RNA 이차 구조의 예측이 필요한 모든 분야에 적용 및 응용이 가능하여 그 시장성이 크다.
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- 인하대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
플라즈마 챔버내에 반응가스에 의해 플라즈마가 온(ON)된 상태에서 증착원료 프리커서와 반응하지 않는 반응가스와 동일한 캐리어 가스를 사용하여 프리커서를 펄스(pulse) 형태로 주입함으로써 PECVD와 ALD 증착법의 장점을 접목시켜 전체적으로 공정시간을 줄일 수 있으며 보다 우수한 박막을 형성함과 동시에 캐리어 가스와 플라즈마 반응가스가 동일하기 때문에 이들의 교차에 의한 불균일한 플라즈마가 발생하는 것을 막을 수 있다.본 발명에 따르면 플라즈마가 항상 ON된 상태에서 플라즈마 반응가스와 동일한 원료 프리커서와 반응하지 않는 캐리어 가스를 주입하고 펄스(pulse) 형태로 프리커서를 주입하여 증착함으로써 일반적인 ALD 증착방법에서 생기는 증착 시간을 절감함으로써 전체적인 공정시간을 줄일 수 있다는 이점이 있다. 또한, 캐리어 가스와 플라즈마 반응가스가 동일하기 때문에 이들의 교차에 의한 불균일한 플라즈마가 발생하는 것을 막을 수 있다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
본 발명은 Ge-Sb-Te계 상변화형 광기록/메모리 소자 제작을 위한 고밀도 타겟의 제조 방법에 관한 것으로서 방전플라즈마 소결법을 이용하여 단 시간내에 화학양론 조성의 단일상을 합성하고 이를 소결하여 고밀도 타겟을 제조하는 급속 제조방법을 제공한다. 본 발명은 1) 단일상의 Ge-Sb-Te계 물질의 합성을 위해 방전플라즈마 소결법을 이용함에 있어서 인가된 펄스 전류가 단 방향으로만 재료내부로 공급되며 냉각용 가스의 주입 및 배출구를 갖도록 고안된 흑연 주형안에 위치한 Ge, Sb, Te 혼합물의 성형체를 고순도 질소 또는 아르곤 가스 분위기하에서 급속 반응 및 냉각하여 단일상을 합성하고 2) 이 반응을 통해 얻어진 Ge-Sb-Te 합금을 방전플라즈마 소결법에 의해 압축하에 소결하여 고밀도 소결체를 제조하는 단계로 구성되어 있다.본 발명에 의하면, 종래의 밀봉공정 또는 용융 및 급냉과정이 분리된 복잡한 합성공정과 비교하여 매우 간단하면서도 화학양론적 조성의 Ge-Sb-Te계 합금체를 빠른 시간안에 합성할 수 있으며 또한 고밀도의 소결체를 수분안에 제조할 수 있다. 이러한 공정을 광기록 또는 메모리 소자용 얇은 막 매체를 위한 스퍼터링용 타겟 제조에 도입함으로써 전체공정을 단순화하는 동시에 저비용으로 고밀도 스퍼터링용 타겟을 제조할 수 있어 그 공업적 가치는 매우 높다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-18
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재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
폴리머 기판을 절연층으로 하여 마이크로 히터를 제작하기 때문에 히터의 형태에 구애받지 않고 다양한 형태로 제작이 가능하기 때문에, 여러 가지 기술적 측면에서 적용이 많이 이뤄질 것으로 기대된다. 또한 기존의 실리콘 기판을 사용할 경우, 히터를 보호하기 위한 외장재가 필요하고 그에 따른 외형적인 한계에 다다를 수밖에 없다. 하지만 유연성있는 폴리머 기판을 사용할 경우에는 이와 같은 보호 외장재가 필요없기 때문에 어떠한 모양으로도 제조가 가능하다. Metal Mask를 이용한 히터 제작 공정의 단축 및 Metal Mask 재사용으로 인한 생산단가의 감소 및 생산성의 향상이 기대된다. 국내 가전업체에서 생산되는 김치냉장고의 경우 coil을 이용하여 히터를 만드는데, 그 생산단가가 3,000원인 반면 PET/Stainless Steel/PET의 마이크로 히터의 경우 그 단가를 절반 정도로 낮출 수 있다. 또한 Metal Mask를 이용한 패턴은 최소 10㎛까지 가능하여 히터의 크기를 줄일 수 있고, 다양한 패턴을 가공할 수 있다. 금속 패턴의 간격 및 모양을 통해 저항을 조정하여 원하는 온도범위의 히터개발이 가능할 뿐만 아니라, 폴리머 기판을 이용하기 때문에 높은 flexibility를 얻을 수 있으므로, 형태에 대한 제한이 없다. 폴리머의 종류에 따라 사용 환경에 적합한 저․고온 특성을 갖는 제품제작이 가능하게 되어 기존 히터를 대체함으로써 그 무게와 부피를 상당히 감소시킬 수 있다. 내식성 및 연성의 향상으로 그간 이용되지 못한 산업체 분야에도 도입이 가능하다. 또한 제품의 크기가 미세하므로 박막전지 등의 부착으로 추운 지역에서의 휴대용 발열체 개발이 이루어 질 수 있다. 세라믹 자기의 생산 공정에 응용이 가능하고, 완성된 세라믹 자기 내벽에 부착하여 보온효과를 갖는 식기류 개발이 가능하다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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