산업기술 통합검색
우리는 이용성질을 개선하고, 내마모성을 증가시키고, 테이프에 대한 헤드의 마찰 계수를 줄이고, 자성 정보 캐리어의 사용 수명을 늘리고, 정보 기록과 판독의 품질을 개선하기 위하여 자성 헤드(비디오와 오디오)의 작업 표면에 다이어몬드형 탄소(DLC) 피복제의 스퍼트링을 위한 기술과 장비를 개발하였다. 헤드 표면에 피복제의 양호한 접착과 고품질의 표면(양각이 약 1-1.5nm)을 얻기 위해 본 기술에 특수 절차를 사용한다. 충분히 낮은 온도(60C까지)에서 침전이 일어나며, 본 기술은 매우 생산적이고 저렴하다. 본 기술과 장비는 부분적으로 외국회사의 주문에 따라 개발하였다. 이제 DLC 피복 헤드를 가진 비디오리코더를 널리 제안한다.정보 기록과 판독용의 초이용 성질을 가진 자성 헤드(비디오, 오디오 등)의 양산용 기술과 장비의 개발.
반도체 장치 설계와 홈표면식 직접 웨이퍼 결합(SGDWB) 기술을 처음으로 개발하였다. 재해식 직접 결합은 특수 화학처리 후에 거울 광택식 평탄 웨이퍼 표면의 부착을 포함한다. 재래식 기법의 주 단점은 장치 특성을 해치는 결합 인터페이스에 중간규모 손상 구역의 형성이다. 신기술에 있어서는, 거울 광택식 규소 웨이퍼(그 중 하나는 홈식 정규 망을 가진다) 사이의 결합은 확장 인터페이스 손상 구역의 거의 완전한 제거와 함께 실현하였다. 본 혁신은 전위와, 자유 표면을 향해 움직이는 특수 경향으로 인해 웨이퍼가 홈에 의해 수집될 수 있다는 사실에 기초하고 있다. 그 결과, 홈 내 전위 꾸러미가 형성되는 반면에 홈 사이 공간은 전위로부터 거의 자유로워진다.MOS 장치, 고전력 장치, 센서와 마이크로 가공 구조물의 개발.
벌크(bulk)식 단일 결정 Si는 현재 다가올 미래에 열쇠를 쥘 위치에 있는 기본 전자 소재이다. 동시에, Si는 저방사성 재결합 확률로 인해 광전자적인 응용에의 사용에 제한을 받는다. 실온에서 다공성 Si로부터의 고강도 가시 방사선을 발견한 이래, 그러한 구조를 양자 제한 효과에 기초한 효율적인 광원으로서 사용할 가능성을 찾아내기 위한 세계적인 활동이 있어왔다. 나노미터 크기의 Si 구조 제작용의 각종 기술을 개발하고 시험하였으며 전체 가시 스펙트럼에서 광선 방사선을 얻었다. Si, 나노 구조를 형성하는 가장 유망한 방법은 SiO2 메트릭스로의 Si+ 이온 이식과 후속 아낼링에 의한 이온 빔 합성이다. 우리의 접근방식은 다음과 같은 특정 조건 하에서 자외선에서 적외선과 원적외선으로의 광선 방사의 완전 가시 스펙트럼을 얻을 수 있게 한다.광학적 정보처리, 대면적 평판 판넬 디스플레이, 광전자, 광원, 필터, 광증폭기, 반도체 광자 집적장치, 비선형 광학장치와 소재.
최근에, 극소구조 자성재료는 (i) 앞으로 고밀도 자성 저장 매체에 관한 잠재 가능성[1]과 (ii) 소형 자성 입자와 조립체의 단일 영역 거동 연구를 위해 적절한 시스템을 제공[2]하기 때문에 큰 관심을 끌어왔다. 격리 단일 영역 입자인 최단순 자성 시스템도 자성의 기본에 관한 현재 이해를 제한하게 하는 색다른 거동[3]을 많이 보인다. 2차원 자성 극소 구조에 관한 연구는 몇 가지 도전을 제시하는데, 그것은 제작, 측정과 현상 이해이다. 주로, 입자 치수와 입자마다의 크기 변동을 제어하면서 소형 자성을 제작하는 방법에 관한 문제가 있다. 대부분의 경우에 2차원 자성 극소 구조 제작을 위해 직접 기억 전자 빔 석판 인쇄를 사용한다. 그러나, 미래 자성 저장 기술에의 사용에 관해서, 전자 빔 석판 인쇄는 대형(㎠) 규모로 극소 구조를 기억하는 것이 매우 시간이 많이드는 공정이기 때문에 적용할 가능성이 적다.
소형 강자성체 입자 배열의 물리적인 성질은 기본적이고 이론적인 연구의 활성적인 분야가 계속되고 있다. 이들 시스템에 관한 확대 연구가 부분적으로 각종 적용에 고무되었다. 가장 흥미로운 효과 중의 하나는 상호작용하는 초미세 자성 입자 시스템의 초자성 영향이다. 쌍극자-쌍극자 상호작용의 경우에, 초자성 상태의 전이 임계온도 Tc는 Tc=M^2/R^3이며, 여기서 M은 입자의 자화이고 R은 입자간 거리이다. 예를 들어, 전이 금속 입자의 반경이 10nm이고 R이 100nm이면 Tc=100K이다. 쌍극자-쌍극자 상호작용 입자의 2차원 격자 내의 긴 범위 차수형태는 이 상호작용은 긴 범위와 이방성 특성으로 인해 격자의 대칭성에 크게 의존한다. 극소 기술의 진보에 의하여 소형 초미세 강자성 입자의 집합적 거동에 관한 실험적인 관찰을 가능하게 한다. 자성 극소 입자의 사각 격자는 퍼멀로이(permalloy) 필름으로부터 전자 석판 인쇄술로 준비된다. 음전자 저항으로서 C60 필름과 전달층으로서 Ti 필름을 포함하는 이중층 마스크를 사용하였다. 퍼멀로이와 Ti층은 레이저 침전방법에 의해 준비된다. C60 필름은 더운 벽을 가진 수직 반응장치 내의 C60 분체의 승화에 의해 준비되었다.
지난 10년간에 걸친 실험실 조건 하에서 수행한 연구결과로서, 규소 기반 집적회로 제조 기술과 호환성이 있는 RF 마그네트론 스퍼터링 방식과 졸-겔 방식을 사용하여, 각종 기질의 BaxSr1-xTiO3와 PbZrxTi1-xO3 강유전체 박형 필름과 그러한 기반의 박형 필름 구조의 침전 기술을 개발하였다. 본 작업의 직접 목적은 전기적 삭제 가능, 고속, 방사성, 임의 접근 비휘발성 강자성체 기억 집적회로와 비냉각식, 다원소의 초전기 IR 센서의 생산이다. 비휘발성 기억 집적 회로의 기대 파라미터는 다음과 같다 : 4-16kBit 집적수준, 3-5V 작동전압, 100ns 미만의 작성, 판독과 재작성 시간, 및 1012이상의 재작성 허용 사이클 횟수이다. 이러한 형태의 강유전체 메모리는 전자 신용카드와 무선 주파수 전력식 식별 태그(tag) 제조에 효과적으로 사용할 수 있어서, 보통 EEPROM 메모리 보다 10,000배 적은 에너지를 소비하고 고고도 비행체와 우주물체의 탁재장비용 강츄전체의 고유 방사성 경도를 고려하게 된다.
우리는 단일 급속 산화 강유전체 금속 산화물(MFM0 구조 내 전계 효과 트랜지스터를 가진 기억소자를 통합하는 강유전체 비휘발성 임의 접근 메모리(FRAM)의 개발을 제안한다. 본 메모리 소자는 비휘발성 저장이 강유전체 박형 필름 내의 잔존 극성화에 의존하는 박형 필름 강유전성 축전기로 구성될 것이다. 이것에 더불어, 잔존 극성화는 저자유 담체(carrier) 밀도를 가진 금속 산화물 필름이고 전계 효과 트랜지스터 채널로 작동하는 전극의 표면 전도를 제어하는데 사용한다. 따라서, 강자성 필름은 기억소자와 전계 효과 트랜지스터용 절연체 게이트의 양쪽 역할을 한다. 잔존 극성화 영향에 따라, 채널 전도는 크기 차순만큼 변경할 수 있다. 이러한 극성화 전도 의존도는 정보의 비파괴 판독용으로 사용할 수 있다.
본 프로젝트의 주목적은 복합물 도체의 크기가 거시상태에서 중간 상태로 감소할 때 금속 유전체 극소 복합물에서 나타나는 수송기구의 기본적인 변화를 추적하는 것이다. 복합물 필름은 코스퍼트링(co-sputtering) 기법에 의해 얻을 것이며, 벌크(bulk) 초미세 복합물 도체는 광전자 빔 석판인쇄술로 제작할 것이다. 그러한 도체의 전도도를 측정할 것이며 그 결과는 상호관련 단일 전자 턴넬링(tunneling) 이론에 기초한 통계적인 접근방식을 사용하여 분석할 것이다. 금속/유전체/복합 턴널 구조를 제작할 것이며 이들 구조에서 관찰되는 가역 충전 기억효과를 연구할 것이다. 실온에서 초소형 구역 턴널 구조에서, 전도율 상태는 신규 충전 기억장치 제작용으로 흥미로운 복합물 내에 갇혀진 제한된 수의 전자에 의해 제어될 것으로 기대된다.
결정 반도체의 비균질 변형상태 이론을 개발하였다. 이 이론에 근거하여 누적 변동 대역구조(일정 법칙에 따라 깊이와 함께 변하는 반도체의 금지 대역 폭)가 존재하는 기반의 에너지 대역 구조 내에서 비균질 반도체 구조(p+-n과 n+-p 접합점)의 전류 전압 특성(CVC)을 처음으로 이론적으로 연구하였다. 이 경우에 압력의 기능으로서 포화 전류는 몇 차순의 크기(특히 게르마늄용 10^6-10^7배) 만큼 증가한 것으로 나타났다. 이들 연구 결과를 사용하여 외부 영향(압력, 온도, 힘, 속도, 가속도 등)에 훨씬 더 민감하고 유사 기존 반도체 장치와 비교하여 크기면에서 훨씬 더 적은 반도체 결정(p+-n 접합점, Schottky 다이오드, 트랜지스터 등)을 배양할 수 있다.반도체의 요구 성질을 제공하는 도핑 프로파일의 계산에 의하여 예정된 에너지 대역 구조를 얻을 것이다. 기본 신형의 반도체 결정(p+- 접합점, Schottky 다이오드, 트랜지스터 등)의 개발과, 이 기반에 의한 압력, 힘, 온도, 속도, 가속도 등의 초감도 초소형 센서의 구축.
현재와 미래의 우주와 핵 발전 설비들의 대부분은 제어와 진단을 위해서 단결정과 산화 세라믹을 이용하게 된다. 최근의 실험은 반도체와 절연체의 미세구조적, 거시적 물성들은 이온화와 치환의 비율에 상당히 의존한다. 비록 이러한 민감성과 향상된 이온화의 확산의 기구 그리고 핵에 의한 동력의 정지 효과에 대한 몇 가지 모델들이 제안되었다. 그러나 아직까지는 이러한 영향들은 잘 이해되지 못하고 있는 실정이다. 본 연구는 전자회로 재료들의 미세 구조적인 응답 특성에 대해서 연구한다. 이러한 재료들은 수백 keV/nucleon에서 10 MeV/nucleon까지의 광범위한 복사에너지 하에서 작동하는 차세대 전자 장치(반도체, 세라믹과 산화 재료들)의 제조에 기초를 제공할 것이다. 이러한 연구는 단일 연구로는 수행될 수 없으며 일본, 미국, 이 분야에 있는 러시아의 연구 그룹들과의 공동연구가 요망된다. 이러한 공동 연구를 통해서 복사장의 세기에 따른 산화 세라믹과 단결정의 구조적인 변화의 원리가 규명될 수 있다.현존하는 모델들의 적용가능성을 검토하고 여러 유형의 복사 환경 하에서 반도체와 유전체에서의 손상의 형성에 대한 물리적인 기구를 개발함.
초고주파 (gigahertz 범위)로 작동하고, 단위요소의 크기를 미크론 이하 수준까지 감소시키는 새로운 고속장치(chips)의 개발 방향은 상간에 낮은 유전상수를 가진 새로운 재료의 적용을 요구한다. 이러한 관점에서 가장 매력적인 것은 불소를 함유한 중합체이다. 특히 poly-α,α,α’,α’ -tetrafluoro-p-xylylene 과 유사한 구조를 가진 중합체이다. 이들 중합체들은 증착중합법(Vapor Deposition Polymerization, VDP)에 의하여 각종 기질에 박막형태로 합성된다. 이러한 이유와 관련하여 선구물질 1,,1,1,1,9,9,10,10-octafluoro[2.2]paracyclophane의 합성법을 개발하고, 수송 열중합법 (VDP법)의 특색, 중합조건에 따른 poly-α,α,α’,α’ -tetrafluoro-p-xylylene의 구조와 특성을 검토하는 것이 가장 매력적인 방법으로 생각된다.,VDP 에 의하여 합성된 중합재료를 마이크로 전자장치(chips)의 층간 유전재료로 사용
염화 클로라이드가 높은 M2 계수와 큰 투명영역을 가지고 있어 음향 광학 셀(AO)로 유망한 재료다. 이보통 기술에 맞추어 첫 쏘스가 화학적으로 정화되었고 다음 구역 정화법에 의해서 정화되었다. 이 이후에 결정이 성장하였다. 정화의 전단계에 걸쳐 산화염화물은 전달 스펙트럼이 좁아지게 되는 결정에 부분적으로 남아 있었다. 이 기술을 이용하여 우리는 물을 제거하고 (이것은 납 산화염화물로 된다.) 동시에 용융체로부터 성장을 수행한다. 질량 스펙트럼 조사에 의하면 이 적정 조건에서 얻어진 D=70 mm의결정이 투명하고 쌍이 없다는 것을 보여준다. 내부 결함 조사를 위하여 각종 평면에 대한 선택적 화학약품이 발견되었다.큰 스펙트럼 면적에 레이저 빔을 가진 PbCl₂결정의 AO 셀의 개발, 생산이 가능하다.
내화금속 실리콘 화합물은 마이크로 전자장치에서 저저항 접점, 게이트 전극, 및 상호 연결을 위해 매우 유망한 재료이다. 내화금속 실리콘 화합물의 특정 전기저항은 그것을 VLSI 기술을 위한 선택물질로 추천하는 가장 중요한 기준이다. 현재 실리콘 화합물 박막을 생산하기 위한 두 가지 주요한 기술이 사용되고 있다. 그 첫째는 고온 서냉과 최종 MeSi-층 형성을 수반하는, 금속과 실리콘 얇은 층의 부착으로 되어 있다. 둘째 기술은 magnetron sputtering시 내화금속 실리콘 화합물로 부터의 표적의 사용으로 되어 있다. 보통 분말야금법은 이런 실리콘화합물 표적을 제조하는데 사용된다. 그러나 이 기술은 원하는 수준의 순도를 내지 못하며 품질이 낮은 실리콘화합물 필름으로 된다. 이것은 제한된 부착율로 되어 필름의 오염 확률을 증가시킨다.실리콘화합물 표적은 다음 용도에 적용된다. - 마이크로 전자에 박막의 생산. - 포장기술을 위한 박막의 생산.
본발명은 각종소형소자에서 사용될 수 있는 박막전지용 박막전극인 LiMn2O4 박막을 졸겔법을 이용하여 제조하였다. 지금까지 박막전극은 고가의 장비와 유지비가 필요한 스퍼터링 방법등을 주로 사용해 왔으나 조성과 형태의 조절이 힘들고 특성 개선을 위한 첨가물의 사용이 곤란한 문제점이 있다. 특히 LiMn2O4 의 경우는 Li과 Mn의 조성비에 따라 많은 특성 차이가 있는데 기존방법의 경우 Li 양의 조절이 상당히 어렵다고 알려져 있다. 본 발명은 이같은 문제점을 해결하기 위하여 저가의 재료를 이용한 졸-겔법으로 LiMn2O4 박막을 제조하였다. 제조된 박막은 비교적 우수한 방전용량과 적은 방전용량감소를 보였다.
본 발명은 이동체 통신에서 사용되는 유전체 공진기나 범지구 측위시스템(GPS; Global positioning system)등에 이용되는 새로운 고주파용 유전체 세라믹 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 원료물질로서 CaCO3, TiO2, MgO, WO3를 다양한 몰비로 합성하여 일반식 (1-(Mg1/2W1/2)O3-xCaTiO3으로 나타낼 수 있으며 x가 0.3에서 0.7로 변함에 따라 5∼8 GHz에서 유전률 33∼54, 품질계수(Qf)는 27,000∼12,000 GHz의 값을 가지며 원료 조성의 변화에 따라 원하는 공진주파수의 온도계수를 제어할 수 있다. 기존의 발표된 고주파 유전체들이 낮은 유전률을 가지면 높은 품질계수를 가지고 높은 유전률을 가지면 낮은 품질계수를 가지는 반면 본 고용계는 중간값의 유전률과 품질계수 값을 가진다.
본 발명은 Sb를 첨가하고 열처리를 한 비휘발성 기억소자용 강유전체 박막(PZT)과 그 제조방법에 관한 것이다. Sb의 첨가를 위해 Pb, Zr, Ti은 3인치 금속타겟을 이용하고 상하부 전극으로 Pt를 사용하여 DC reactive sputtering법으로 550℃에서 100분 동안 열처리를 한 강유전체 박막 및 그 제조법에 관한 것이다. 1×1011 싸이클까지 피로가 없는 좋은 특성
본 발명은 SrTiO3계 입계절연형 유전체 제조공정에 사용되는 산화물의 조성에 관한 것이다. 액상으로 침투되는 산화물에 1:1의 비로 BaO와 CaO를 포함하여, 기존공정에서 발생하는 입계이동을 제어함으로써 높은 유전상수값의 시편을 제조할 수 있었다. 또한 이와 같이 입계에 존재하는 산화물의 조성 제어하였을 경우 온도변화에 따른 유전상수값의 변화가 적은 안정한 온도특성을 나타내었다.
본 발명은 적층세라믹 콘덴서 또는 하이브리드 회로의 유전체 페이스트 등에 이용되는 저온소결 유전체 자기조성물에 관한 것으로 특히 Pb(Bi1/2Nb1/2)O3, Pb(Bi1/2W1/2)O3의 2성분계로 이루어지는 조성물로 저온소결을 실시한 것이다. 여기에 MnO2, SiO2, CaO 등을 혼합하여 저온에소 소성을 가능케 하였다.
본 발명은 고유전율계 캐패시터용 자기 조성물에 관한 것으로 특히 PbO, Fe2O3, Nb2O5, Ta2O5 등의 산화물로 합성된 (1-x)Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 - x Pb(Fe1/2Ta1/2)O3 2성분계에 배합비 x를 0.35 ≤ x ≤ 0.65으로 한 것을 주성분으로 하는 유전체 자기조성물에 Mn 산화물을 0.01 ∼ 0.5wt% 첨가한 것이다. 이 조성은 귀금속인 내부전극을 유전체 제조시 필요로 하지 않는 특징이 있다.
본 발명은 PbO, Fe2O3, Nb2O5, Ta2O5, NiO, ZnO 등의 산화물로 합성된 4성분계에 망간과 같은 천이금속을 첨가하여 10000 이상의 유전율을 가지고 Y5V의 온도특성을 만족시키며 2.6% 미만의 비교적 낮은 손실계수를 가지는 유전체 자기 조성물에 관한 것이다.