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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 MBE 테크놀러지를 이용해서 2차원의 GaN 와 다른 3족 질소 화합물을 저온에서 성장시킨 방법이다. MOCVD와 비교해서 MBE를 이용한 저온 필름 형성법은 도판트(dopant)의 농도와 필름 구성요소들의 각각 다른 농도로 조절하기가 더 쉽다. 보통 3족의 질소 필름은 성장공정동안 화학 증착을 막기 위해 녹는점과 비교해서 낮은 온도에서 성장한다. GaN 필름의 두 가지 주된 성장법 중에 MOCVD는 보다 큰 그레인의 크기를 나타낸다. 이는 산업적으로 이용하기에 바람직하다. 그러나 MOCVD 필름이 형성되는 높은 온도 때문에 적합한 금속 유기 전구체가 원하는 필름의 제작과 도핑을 하는데 있어서 제한을 받게 된다. 필름 형성 온도는 결과물인 필름을 만드는 많은 다양한 물질의 변수를 제한할 정도로 열적평형에 가깝다. 그래서 이 기술은 MBE 방법을 사용한 MOCVD 의 결점을 충족시킬 대안이 된다. 이전 MBE 법의 결점은 결정성장이 2차원 대신에 자주 3차원이 된다는 것이고 그 결과, 작지만 방향성 있는 그레인을 가지는 박막이 형성된다는 것이다. 그래서 이 기술에서는 계면 활성제로서 bismuth를 저온 필름성장에 사용하고 그 결과 결정 필름이 다수의 2차원 GaN 결정 그레인을 포함하게 하고 각각의 결정 격자 구조는 그레인 사이에서 연속적인 결정을 형성하도록 서로 합쳐지게 했다. 그곳에서 P-형 캐리어의 농도는 현재 MOCVD 방법으로 제작할 수 있는 농도를 넘어선다. 이 방법을 사용하면 표면 확산 계수는 725K 정도 낮은 성장 온도에서 4등급 이상 바뀔 수 있다.- 필름에 더 높은 농도의 불순물을 첨가할 수 있다.- 필름의 구성요소의 농도를 쉽게 조절할 수 있다.- 온도가 725K 일 때 성장하는 표면 확산 계수가 4등급정도 변화 할수 있다.
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- 대일기업평가원
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- 2002-06-25
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 티타늄과 니켈 산화물로 제조된 두 가지 성분의 빛과 전기 양쪽에 다 반응하는 전극에 관한 것이다. 자연 태양광에 직접 노출하면 노출된 전극의 면적이 투과성에서 불투과성인 회색으로 바뀐다. 균일하지 않게 빛을 쪼이면 이 전극은 읽고 쓸 수 있는 광학적인 능력을 사용해서 저장되고 지워질 수 있는 패턴화 된 광학 상태를 낳는다. 이 새로운 전극은 외부 전원 혹은 직사광선을 사용해서 빛의 투과율을 조절할 수 있는 스마트 윈도우에 아주 이상적으로 사용될 수 있다. 광활성photoelectrochromic 소자는 광활성 전하 캐리어 발생 물질과 전기채색 물질로 이루어지는 두 개의 성분 시스템으로 이루어져 있다. 빛은 전기 채색 물질에서 산화 환원반응을 일으키는 홀전자 전하 캐리어를 발생시키는 반도체 물질과 반응한다. 하나의 소자는 전기 채색층으로 수산화 니켈 산화물과 전하 발생 물질로서 다중결정 티타늄 2산화물로 이루어진다. 물질들은 분리층으로 이루어지거나 혼합된 층으로 이루어진다. 층 사이의 직접 전하 이동 때문에 전기채색 반응을 일으키기 위한 전압 적용 회로가 필요하지 않다. 수산화 니켈 산화물과 티타늄 2산화물 물질은 전기를 발생시키기 위한 광활성 소자를 만들 수 있다.- 비용이 적게드는 성분을 사용한다.- 다른 방법보다 간단한 제조방법이다.- 태양광에 반응한다.
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- 대일기업평가원
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- 2002-06-25
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 GaN 박막의 특성을 제어하는 방법이다. 액체 금속 Ga의 버퍼 레이어는 사파이어 같은 lattice mismatched(격자 부정합)기판의 격자 위에 고품질의 에피택시얼 GaN 박막성장을 용이하게 하도록 최적화 되어있다. 이 기술의 새로운 버퍼는 박막의 전기적이고 구조적인 특성을 개선하였다. 또한 이 금속성의 액체 갈륨 버퍼는 새로운 버퍼에 젖어 있는 어떤 lattice mismatched 기판 위에라도 고품질의 GaN 필름의 성장에 이용될 수 있다. 이것은 현재의 잘 발달된 디바이스 기술에 GaN 디바이스 기술을 집적하는데 중요한 장애를 없애주고 게다가 메탈릭 갈륨 버퍼 레이어가 일반적으로 MBE(Molecular Beam Epitaxy)를 위한 1000K 또는 그 이하의 높은 성장 온도에서 그리고 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)를 위한 1300K의 온도에서 GaN 의 메인 레이어의 이후 성장에서 바람직한 2차원의 결정핵 생성 조건을 제공하기 때문에 메탈릭 Ga 버퍼 레이어의 사용은 어떤 Ⅲ-N의 박막 성장 프로세스에 이득이 된다.개선된 에피택시얼 GaN 박막의 전기적 구조적 특성새로운 메탈릭 액체 Ga 버퍼로 젖은 lattice mismatched 기판에 사용될 수 있다.어떤 Ⅲ-N 의 박막 성장에도 이득이 된다.
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- 대일기업평가원
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- 2002-06-25
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전기·전자 > 기타 반도체
이 이온 이식 디바이스는 큰 직경과 균일한 이온빔으로서 반도체 제조와 평면 디스플레이의 응용을 위한 것이다. 이 디바이스는 작은 직경의 발산 빔에서부터 큰 직경의 이온 빔을 만드는 장치이다. 이러한 장치와 방법은 분산된 이온빔의 방출과 이온빔 광학에 의한 필수적인 평행 이온빔으로의 전환에 의해 특성화된다. 이 장치는 이온 소스와 이온소스의 입구에 위치한 이온방출 전극, 이온 발산을 제한하는 방출전극에서부터 아래에 위치한 발산을 제한하는 전극 그리고 그 아래 위치한 1차 이온 가속전극 그리고 옵션으로 1차 가속전극 아래에 위치한 2차 가속 전극으로 이루어져 있으며 전압원과 전극을 연결하는 전기 커넥터 등으로 이루어져 있다. 전도 스크린이나 전극에 인가된 전압은 플라즈마의 경계면의 모양을 제어한다. 이런 식으로 이 빔의 발산과 필수적인 평행 이온 빔의 하부 변환은 발산을 제한하는 전극에서 10cm 와 100cm 사이의 직경을 가진다.- 원치않는 이온빔을 single mass spectrometer를 사용해서 쉽게 분리할 있다.- 목표물에 손상이 없다.
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- 대일기업평가원
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- 2002-07-04
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전기·전자 > 기타 반도체
이 기술의 목적은 microamp급의 출력 전류를 가지는 집속 이온빔 시스템(FIB)에 관한 것이다. 또한 이 기술로 생기는 마지막 빔의 spot 사이즈가 0.1.mu.m 이하이며, microamp 전류를 방출하는 이온 소스를 위한 전극 장치가 있다. 이 FIB 시스템은 이온 소스의 밝기를 적당한 1차(플라즈마)와 2차(방출) 전극을 조절함으로써 증가를 시킬 수 있으며 가속기와 집속 전극은 마지막 빔을 만드는데 사용된다. 구체화를 위해서는 5개의 전극이 사용되고 이것들은 매우 조밀하게 20mm의 길이를 가지고 FIB 시스템을 이룬다. 다중 beamlet 시스템이 처리량을 증가시키기 위해 제작 될 수 있고 이 기술은 나노리소그래피와 앞에서 말한 spot 사이즈가 0.1.mu.m 이하이므로 역시 그 정도의 사이즈급의 반도체 디바이스의 제작에 도핑과정에서 응용할 수가 있다.- 이온 현미경의 고해상도 스캐닝- 나노리소그래피- IC 제조에 있어서 failure 분석 및 설계 변경- 광학, X-ray 리소그래피 마스크의 수리- 미세기계가공- 마스크가 없는 반도체 도핑
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2002-07-04
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전기·전자 > 기타 반도체
이 새로운 IPL(intense pulsed light) 기술은 마스크 없는 마이크로 빔 리소그래피(MMRL:Maskless Micro-beam Reduction Lithography)로 불리고 있다. 이 기술에 의한 feature size는 50nm 이하이다. 이 MMRL 시스템은 기존의 IPL 시스템의 제일 첫 번째 단계를 없애기 위해 이용되는데 기존의 첫 번째 단계는 스텐실 마스크와 마스크 자체에 복잡한 빔 광학 설계가 필요하다. 이 새로운 시스템은 multi-cusp plasma generator 와 multi-beamlet extraction system, accelerator column for beam reduction로 이루어져 있다. RF(radio frequency) 유도 방전은 석영 안테나와 자기 필터를 사용하여 매우 낮은 에너지로(1eV이하) 깨끗한 플라즈마를 발생시킨다. multicusp generator 의 열려 있는 끝부분은 방출 시스템에 의해 둘러싸여 있고 절연소재로 된 layer에 의해 분리되어 있는 두 개의 전극 위에 있는 multi-beamlet aperture의 배열로 이루어져 있다. 완전한 1차 전극은 Si로 도핑 되어 있고 플라즈마 체임버의 벽에 대해 음으로 바이어스 되어 있다. 두 번째 전극은 단지 빔의 통로로서 구리로 코팅되어 있다. 이러한 설계로 각각의 beamlet은 첫 번째 전극에 대해 두 번째 전극 안에 있는 각각의 aperture를 바이어스 시킴으로서 on, off 스위칭을 할 수 있다. 이런 식으로 이 방출 시스템은 웨이퍼 기판에 어떤 패턴이든 만들 수 있다. 이 빔 스위칭 테크닉은 nine-hole 방출 시스템에서 사용되었다. 범용 패턴 생성기에서 최근에 나온 beamlet은 가속 칼럼을 통하여 75keV까지 가속된다. 이 영상은 웨이퍼표면에 도달하기 전에 모든 정전렌즈 시스템에 의해 사이즈가 축소된다. 빔의 축소는 50배율 정도로 가능하고 정교한 광학적인 계산과 설계는 MEBS Ltd에서 나온 Munro 코드를 사용했다.- 50nm이하의 사이즈- 작은 에너지- 웨이퍼 기판에 어떤 형태의 패턴도 생성시킬 수 있음- 이전의 IPL시스템에서의 첫 번쩨 단계가 없어짐
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2002-07-04
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
광굴절 크리스탈을 기반으로 한 홀로그래픽카메라로 소재의 결함을 검사하고 진동을 측정 ,이시스템은 분리된 레이져와광학 섬유에 의해 링크된 카메라 헤드로 구성기존 소재결함 검사방법에 비해 정밀
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2002-07-05
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전기·전자 > 기타 반도체
SLP(Servo Linear Positioner)는 짧은 스트로크를 가진 액츄에이터 유닛과 이와 연동하는 전자 제어유닛으로 구성된 위치제어 직선 드라이브, 기구부와 제어부의 일체화로 쉽게 사용가능고효율 직선 트러스트 모터와 위치센서를 집적시킨 제품
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2002-07-05
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전기·전자 > 기타 반도체
레이져와 CCD카메라를 이용하여 Bulgetest중에 재료의 수직, 수평방향의 거동을 측정하여 다축응력 하에서의 판재의 성형성, 경화거동을 예측가능다축응력 하에서의 stress-strain-curve를 정확히 측정할 수 있는 장비로, 기존의 다축응력 하에서의 측정보다 산업체에서의 적용에 더욱 근접한 실험방법임
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2002-07-05
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전기·전자 > 기타 반도체
미세 진동감지 기술에의한 자연 반딧불표출-자체개발한 초소형 진동감지장치로 미세진동감시 LED가 반딧불처럼 자동으로 시그날을 표출하는장치 시그날발출시간은 칲이조절함.본장치에 LED혹은 스피커를연결 하면 비상시나 스위치 온오프가 힘들때 진동을 줌으로써 일정시그날 발출을 함.
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- humanproject
- 등록일
- 2002-07-16
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전기·전자 > 기타 반도체
-.표면투명층 양극투명도전판, 도선, 발광층, 음극투명도전판, 도선 판사필름, 카본층순으로 적층하되 적층방법을 실크인쇄에 의한 실크 방법 또는 증착 방법으로 박막층을 형성한 적층제를 측면과 밑면을 밀봉으로 구성, 설치 시킴과 동시에 도선들을 프러그에 연결시켜 발광시키는 다색발광램프 및 그 제조 방법에 대한 기술 보유 * 내습성 향상, 휘도 향상 및 발광면적 확대에 대한 기술 보유-.SEL은 기존의 EL과 개념은 같으나 새로운 신소재를 사용하여 세계적으로 도 구현한적이 없는 300cd의 제품을 구현하였음.-.SEL은 빠른 응답속도, 풀칼라 구현, 저 소비전력 긴 수명, 기존 EL의 가장 단점인 습기에 강함.-.옥외용으로도 손색이 없음.-.제작이 용이하고, 제작공정 및 원료상 인체에 무해함.
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- 밸류넷코리아
- 등록일
- 2002-07-18
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 박막의 형상 메모리 물질과 기판 박막으로 구성된 소형, 형상 메모리 합성 콤포짓에 관한 것이다. 기판 박막은 더 이상의 공정을 필요로 하지 않기 때문에 SMA가 부착되어 있는 기판위의 어떠한 부분도 제거하지 않고 콤포짓은 스위치로서 사용될 수 있다. 응력 보정 박막을 사용함으로써 더욱 효율적인 스위치들을 콤포짓의 구성부품으로써 생산할 수 있다.기판의 일부를 제거하지 않고도 스위치로 사용되는 컴포짓
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2002-07-19
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전기·전자 > 기타 반도체
반도체의 기판에 웨이퍼칩(다이)를 실장후 몰딩을 할때 발생하는 정전기로 인한 다발적, 치명적인 불량률을 줄이기 위한 방법반도체 몰딩시의 정전기로 인한 제품의 불량을 줄이기 위해 기존의 방법을 획기적으로 간단하게 개선한 특허등록 완료 기술
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- (주)지엔유텍
- 등록일
- 2002-07-26
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전기·전자 > 기타 반도체
의도되거나 의도되지 않은 마이크로웨이브 또는 라디오 주파수(RF) 간섭은 밀봉된 패키지 칩들 내에서 입/출력 핀들 또는 안테나들 간의 커플링을 할 수 있으며, 장치 및 다른 회로 구성요소들의 입출력 임피던스, 작동점, 게인 등에 좋지 않은 영향을 준다. RF간섭으로 생기는 부정적인 결과들은 RF 신호 강도 및 특성들에 의존하며(펄스 폭/높이) 잠정적인 성능 보안에서 영구적 손상에까지 이르게 된다. 종래의 칩 기술은 고출력 펄스가 RF 간섭의 영향을 받지 않도록 보호하는데 비효율적이다. 본 기술은 새롭고, 비용 절감적이며 다양하게 쓰일 수 있는 특징을 지닌 칩 마이크로웨이브 간섭을 “센싱하고 이로부터 보호”하는 회로를 개발하였다. 본 발명은 패키지된 칩들 내의 진입점에서의 RF 간섭 신호들의 넓은 스펙트럼을 감지하며, 이벤트들을 기록하고 효과적으로 전기 스펙트럼들로부터 보호하는 기술에 관한 것이다. 본 발명은 CMOS 기술에 기반한 칩 센싱 소자를 사용한다. 본 발명은 RF 의도 및 비의도 간섭에 대한 앞에서와 같은 기능(센싱 및 보호)을 제공하게 되어 컴퓨터, 셀룰러 폰, 통신 장비, 위성 시스템 및 전자 칩들을 사용한 모든 실 생활의 전자제품에 실용적으로 적용될 수 있다. 본 기술은 0.05μm 까지 스케일링 다운 하는 칩기술에 적용 될 수 있다.RF 간섭(interference)을 센싱하고 이로부터 회로를 보호해주는 칩 제조 기술
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은, 반도체 칩의 내부에 존재하는 결함에 대한 정보를 동일 칩내에 보관하는 기능이 있는 씨모스 이미지 센서에 관한 것으로서, 칩의 제조 공정이 완료된 이후에 기능 테스트를 하여, 테스트 결과가 대부분의 기능 등은 양호하나 일부화소가 불량으로 판정된 경우에 그 불량화소의 주소를 기록할 수 있는 씨모스 이미지 센서에 관한 것으로, 이미지를 감지하는 화소로부터 발생되는 각 이미지에 해당되는 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환시켜 제공하는 화소신호 변환부와, 화소의 결함 부위의 주소에 대한 정보를 저장하고 필요시 제공하는 퓨즈 어레이부와, 화소신호 변환부에서 논리게이트를 통해 공급되며, 입력이 전기적으로 부동(Floating)되어 있는 전원공급부 및 화소신호 변환부로부터 제공되는 디지털 신호가 출력되고, 소정의 제어신호가 입력되는 씨아이 센서 입출력부가 하나의 칩에 구현되어 이루어진다.- 씨모스 이미지 센서의 여러 가지 시험조건에서 불량으로 처리된 픽셀을 위치정보에 의해 레이저 퓨즈를 사용하여 하드웨어적으로 센서 자체에 기억시켜서 실제 동작시에 모든 환경에서 고정된 불량 위치정보를 제공하므로 화질의 디펙트 노출 가능성을 완벽하게 배제할 수 있으며, 별도의 칩을 사용하지 않으므로 제조비용도 줄일 수 있다. 즉, 동일한 칩 내에 불량 화소의 정보를 기록함으로서 별도의 칩(불휘발성 메모리, EEPROM)이 필요치 않으며, 동일한 생산공정으로 제작할 수 있으므로 원가가 절감되고, 두 개의 칩을 한 조로 취급하여야 하는 유통상의 번거러움이 없으며,씨모스 이미지 센서 칩을 사용하여 시스템을 조립하고 구성할 때 체적(Form Factor)을 줄임으로 원가가 절감된다.- 퓨즈 어레이부의 회로는 필요시에만 전력을 공급받도록 하여 전력소비가 구조적으로 최소화되었으며, 근본적으로 레이저에 의한 충격에 미세 입자(파티클)가 발생되지 않으므로 생산성 및 안정성면에서 뛰어나다.
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 표면의 레이저 처리를 통해 보다 향상된 접착력 있는 인터페이스를 금속, 세라믹 또는 콤포짓 기판 및 박막(film) 또는 코팅 사이에 만드는 방법에 관한 것이다. 0.01에서 15 J/cm2 에너지, 100 fs(femtoseconds)에서 1 ms(millisecond) 시간 하에서 양 표면을 처리할 경우, 200 마이크론 보다 적은 크기의 반-주기성 미세 표면 구조물(semi-periodic microscale surface structure)이 만들어 진다.기판과 박막 사이에 위치하는 보다 접착력이 강한 인터페이스 회로 제작
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
최근 반도체 또는 전자 장비가 초미세화되는 추세이다. 따라서 장비에 내장되는 회로 기판 또한 초미세화 되고 분해능의 매우 우수해야 한다. 본 기술은 초미세 장비에 적합하도록 초정밀 분해능을 가진 회로 기판 설계에 관한 기술이다. 현재의 회로 기판 인쇄술은 광-방염제 (phote-resist)를 이용하면서 제조 과정의 여러가지 문제점들로 인하여 100nm정도까지만 소형화되고 있다. 초정밀 제조가 어려운 이유는 방염제 내에서 중합의 번짐 (퍼짐) 현상과 방염제의 다른 화학적 특성 때문이다. 나노 구조를 제조하기 위하여 간단히 장착된 광-방염제 기반 인쇄 기법 (photo-resist-based lithography)이 사용되고 있지만, 근본적인 문제를 해결하기에는 부적합하다. 본 기술은 전도성 규화물 라인을 직접 “새김”이 가능한 초정밀 이온 빔을 이용한 기술이다. 본 기술은 광-방염 마스크가 필요없고, 선의 폭에서 측면으로의 번짐 현상이 나타나지 않는다. 특히, 본 기술은 실리콘 위에 나노-구조를 직접적으로 제조할 수 있고 광-방염제를 사용하지 않기 때문에 매우 환경 친화적 기술이다.초정밀 나노 구조의 회로 기판 제조 가능기판 위에 직접 새김이 가능 (애칭 과정 없음)광-방염제 마스크가 필요없음광-방염제를 사용하지 않는 환경친화적 기술
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
고전력 반도체 레이저는 자유공간(free space) 광통신, 고체상 레이저의 펌핑, 광 증폭 시스템 및 원격 센싱 시스템과 같은 분야에 사용될 수 있다. 반도체 레이저 장치의 작동 중에 열의 상당양이 빠르고 효과적으로 장치로부터 제거되어야 하는데 이는 이렇지 못할 경우 온도가 바람직하지 못할 정도로 올라가고 장치의 수명이 줄어 들기 때문이다. 고전력 반도체 레이저와 광 증폭기는 상당히 많은 양의 열을 상대적으로 좁은 면적에서 발생시킨다; 이것은 증가된 온도, 저하된 장치 성능 및 나쁜 신뢰도로 이어진다. 과열점(hotspot)이라 불리는 국지적 열 문제는, 반도체 다이를 힛싱크에 부착하는데 쓰이는 솔더 내의 비어있는 보이드(void)에서 일어난다. 이러한 문제들은 특히 넓은 면적의 다이를 가진 고전력 장치에서 심각한데 이는 보이드(void)와 과열점 들이 장치의 열 임피던스를 증가시키며 특히 레이저 장치 성능을 저하시키기 때문이다. 추가로, 보이드들은 증폭과정과 빔 필라멘테이션(filamentation)에서 비균일을 일으킨다. 본 연구진은 반도체 다이를 힛싱크에 부착함으로써 솔더 층내의 보이드를 제거하여 마운팅된 장치 내에서의 낮은 절대/비 열 임피던스를 만드는 방법을 고안하였다. 이 다이 부착 방법은 월등한 재생산능력, 수율을 갖으므로 큰 공정마진을 갖게 된다(즉, 솔더를 녹이는 온도를 정확히 제어할 필요가 없게 된다). 연구팀은 모형 고전력 레이저를 만들어 절대/비 열 임피던스를 테스트하고 중요한 공정 파라미터들의 범위를 잡았다.보이드(void)를 없애는 새로운 다이부착 방법을 통해 열임피던스의 낮은 값을 얻음.과열점 문제를 해결.
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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전기·전자 > 기타 반도체
전자이주 (electromigration)란 전기가 통하지 않아야 하는 곳에서 전기가 갑자기 통하는 현상을 말한다. 예를 들어, 회로에서 도선과 도선 사이에는 도체가 없어 전기가 통하지 않아야 하는데, 이런 도선과 도선 사이를 전기가 통하는 현상을 말한다. 이런 전자이주는 절연파괴와 발생 현상은 비슷하지만, 서로 구분되는 현상이다. 본 기술은 전자이주가 진행되는 과정을 실시간으로 모니터링할 수 있는 기술이다. 전자이주 현상은 반도체 집적 회로에서 사용된 상호연결 선에서 자주 발생하는 가장 주요한 오동작 원인이다. 전자의 대량 전송 현상에 의해 유도되는 이런 고전류밀도는 전도 전자와 결정 구조 내의 금속 원자사이의 운동량 교환에 의해 공간 (void), 작은 언덕 (hillock) 또는 개방 회로 (open circuit)에서 발생한다. 본 연구진은 실시간으로 전자이주현상을 모니터하고, 기기의 기능적 부위 – 웨이퍼 수준, 회로, 패킹 부분에서의 전자이주 현상의 특징을 살피기 위한 혁신적인 수단을 개발하였다. 본 기술은 일정한 형태의 회로 뿐만 아니라 모든 회로에도 적용될 수 있다.전자이주 현상 모니터링웨이퍼, 회로, 패킹 부분의 상태 점검 가능모든 회로에 적용 가능
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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본 기술은 마이크로파와 밀리미터파 장치를 만들기 위하여 고온 초전도 물질의 고성능 (저손실) 필름을 가진 칩을 이용하는 기술이다. 칩들은 전자기적인 방사선에 노출된 장치의 표면에 배열된다. 칩의 기질면은 방사선과 접하며, 필름면은 장치 표면에 접한다. 칩은 장치의 작동 시 그들의 장점을 유지하기 위하여 금속 고리들에 의하여 연결되어진다. 또한, 칩은 장치의 정상 전도 표면의 표면 저항 (Rs)을 줄인다. 한편, 본 기술의 칩은 공동 (cavity)과 같은 비평면 모양을 만들며 큰 면적의 평면 장치를 만들기 위하여 사용될 수 있다. 본 칩은 기질 위에 형성된 고온 초전도 필름을 포함하는 별개의 요소가 표면에 배열되며, 마이크로파 또는 밀리미터파 스펙트럼의 전자기적인 방사선 노출되는 표면을 가진 구조이다. 전통적으로, 저온 초전도 물질은 마이크로파 주파수에서 매우 높은 Q 공동 (cavity)에 대해 옴 손실(ohmic losses, 저항의 손실)을 줄이기 위하여 사용되어 왔다. 그러나, 저온 초전도 물질은 많은 단점을 포함하고 있다. 예를 들면, 액체 헬륨을 만들기 위한 온도에서 동작해야 하기 때문에 장치의 동작에 많은 제약이 따른다. 부가적으로, 밀리미터파 적외선 지역에서 양자들은 초전도 에너지 갭을 넘어서는 전이를 일으킨다. 양자들이 초전도 에너지 갭을 넘어서게 되면 초전도 특성이 사라지게 된다. 고온 초전도 (HTSC) 물질들은 절대온도 25도 이상에서 초전도 상태가 발생하는 전이가 일어나는 현상으로부터 발견되었다. 이러한 고온 초전도 물질들은 바륨과 구리 산화물과 함께 결합된 이트륨, 란타늄 그리고 유로퓸 등과 같이 지구상에서 드문 요소들을 포함하고 있다. 예로서, 고온 초전도 물질은 Y-Ba-Cu-O 시스템이다. 본 기술의 가장 큰 목적은 무엇보다도 넓은 면적과 더 복잡한 형태의 마이크로파와 밀리미터파 장치를 만들기 위해 박막 고온 초전도 필름 칩을 이용하는 것이다. 또한, 마이크로나 밀리미터파 장치를 제조할 때 고온 초전도 필름의 낮은 표면 저항을 이용하는 것이다. 한편, 전자기적인 마이크로파나 밀리미터파에 노출되는 금속 표면을 고성능, 저손실 고온 초전도 박막으로 보호하고자 하는 것도 중요한 목적 중의 하나이다.고온 초전도를 이용한 마이크로파 또는 밀리미터파 장치다양한 모양, 넓은 면적의 장치 제조 가능고온 초전도 물질이기 때문에 장치의 동작에 대한 제약이 적음고성능, 저손실의 박막 고온 초전도 물질을 이용함
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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