산업기술 통합검색
1. 기술의 개요이온건의 구조를 변화시켜 동일한 가스 유량내에서 별도의 점화 장치없이 원활하게 플라즈마를 발생시킬 수 있는 플라즈마 발생장치 및 플라즈마 발생방법에 관한 것으로, 별도의 전원 장치가 필요하지 않으므로 이온건의 단가를 절감할 수 있다는 효과가 얻어진다. 2. 기술의 특징석영 컵으로 이루어진 플라즈마 발생부, 플라즈마 발생부의 외주에 마련된 RF인가용 안테나, 플라즈마 발생부의 외주에 마련된 냉각수 공급부 및 플라즈마 발생부와 직렬로 연통된 이그나이터를 포함하고, 플라즈마를 발생하기 위한 가스는 이그나이터로 공급되고, 이그나이터는 플라즈마 발생부보다 동일한 가스원의 유량에서 국부적으로 높은 압력을 갖는 구성을 마련한다.
1. 기술의 개요본 기술은 단일벽 탄소 나노튜브를 이용한 SF6 GIS에서 발생하는 부분방전 검출 장치 및 방법으로, SWNT를 SF6 GIS의 부분방전 검출 센서로 활용함에 따라, GIS의 감시ㆍ진단 기능 및 고장 예측 뿐만 아니라, 고신뢰성의 미소 부분방전 측정으로 GIS의 운전 중 사고발생 방지가 가능하다.2. 기술의 특징검출 장치는, SF6 가스로 충진밀폐된 금속제 외함과, 이 금속제 외함 내에 마련되어 SF6 플라즈마 또는 SF6 가스 해리시 생성된 이온 및 기와 반응하여 전도도 변화에 대응한 신호를 발생시키는 SWNT 센서와, 이 SWNT 센서로부터 발생된 신호를 분석하여 부분방전 여부를 판단하는 신호 분석기를 포함한다. 따라서, SF6 가 충진된 GIS의 운전 중 부분방전에 의해 생성된 SF6 플라즈마 또는 SF6 가스 해리시 생성된 이온 및 기와 SWNT 센서와의 반응에 의해 SWNT 전도도 변화에 대응한 신호를 분석하여 부분방전을 검출한다.
1. 기술의 개요본 기술은 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한것으로, 더욱 상세하게는 p형 GaN을 활성층 하부에 형성하고 n형 GaN을 활성층 상부에 형성하여 광학적 손실을 최소화한 수직방향 전극구조를 형성하고, 상부층 상부에 빛이 외부로 방출되는 효과를 극대화 하기 위해 러프니스(roughness)를 형성하며, 러프니스 상부에 발광다이오드의 동작전압을 감소시키기 위한 도전성 투명전도막(TCO)을 형성한 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다. 2. 기술의 특징기판의 상부에 형성되며 P형 GAN으로 이루어진 하부층, 하부층의 상부에 형성되며 GAN으로 이루어진 활성층, 활성층의 상부에 적어도 N형 GAN층을 포함하여 이루어진 상부층 및상기 상부층 상부에 형성되는 도전성 산화박막층을 포함하여 구성되고, 도전성 산화박막은 (질화갈륨계 소자에서 생성되는 파장)×(2N-1)/4NTCO 의 두께로 이루어지며, N은 자연수이고, NTCO 는 도전성 산화박막의 굴절계수인 것을 특징으로 한다.
1. 기술의 개요본 기술은 분석 장비로 분석이 어려운 저 농도의 샘플을 마이크로투석 원리를 이용하여 샘플의 농도를 증폭시켜 분석 장비의 측정을 용이하게 해줄 수 있는 미세유체 소자에 관한 것으로, 본 기술은 바이오 칩 제작을 위해 반도체 공정 중에 주요 공정중의 하나인 포토리소그래피 공정을 사용하여 유체의 흐름을 위한 채널을 형성한다. 2. 기술의 특징본 기술에 따른 칩은 상부 구조인 도너(donor) 측과 하부 구조인 억셉터(acceptor) 측으로 구성되고, 그 사이에는 막(Molecular Weight Cut-Off(분획분자량):3300; MWCO3300)을 넣어서 샌드위치 모양으로 제작되고, 억셉터(Acceptor) 측에는 샘플에 있는 수분을 제거할 수 있는 고농도의 PEG-20000(Poly ethylene Glycol:폴리에틸렌글리콜)을 흘려주었으며 도너(donor)측에는 농도를 증폭시키고자 하는 샘플을 흘려주는 구조를 가져, 도너 측에 있는 샘플 중 H2O 만 억셉터 측으로 확산되도록 하여 샘플의 농도를 증폭시키도록 한다.
1. 기술의 개요본 기술은 소형 로봇 등을 구동시킬 수 있을 뿐만 아니라, 소형 로봇 등의 움직임이는 동작 등이 끊김이 없는 동물의 근육과 같은 자연스러운 움직임을 구현시킬 수 있는 폴리머 액튜에이터에 관한 것임.2. 기술의 특징전극류가 각각 분리된 상태로 흐르도록 형성된 제 1 전극부 및 제 2 전극부와, 제 1 전극부 및 제 2 전극부가 서로 차단되게 나눠지도록 형성된 실리콘부와, 실리콘부가 휘어지도록 일체로 고정되며, 제 1 전극부 및 제 2 전극부의 전류 인가시 수축 및 인장되도록 맞닿음되게 형성된 전기 왜곡(ELECTROSTRICTIVE) 폴리머와, 전기 왜곡 폴리머를 자유롭게 운동시키기 위해 팽창시켜 늘린 상태로 외주측이 고정되며, 중심부는 비워진 형상을 갖도록 형성된 프레임과, 전기 왜곡(ELECTROSTRICTIVE) 폴리머의 하부측에 맞닿음되게 형성된 제 3 전극부로 구성됨.
1. 기술의 개요본 기술은 실리콘 및 화합물 반도체의 이온빔 식각장치 및 방법에 관한 것임.2. 기술의 특징식각가스 밸브를 조절하여 샤워링을 통해 일정 시간동안 진공챔버 내에 식각가스를 유입시키는 단계와, 일정 시간후 식각가스 밸브를 닫고 진공챔버에 형성된 가스 배출구를 통해 진공챔버 내에 남아있는 식각가스를 제거하는 단계와, 셔터를 개방하여 아르곤(Ar) 이온빔을 조사시켜서 휘발성 식각 부산물의 형태로 식각하는 단계 및 진공챔버의 가스 배출구를 통해 식각 부산물을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지고, 각 단계들은 주기적이고 반복적으로 수행됨으로써 이루어짐.
1. 기술의 개요본 기술은 지지판과 차폐판 사이에 자석 및 절연체 등이 개재되고, 자기장을 생성하여 자성체 물질을 코팅하는 마그네트론 원에 대한 것임.2. 기술의 특징자성체 순금속 또는 자성체 화합물로 성형되어 지지판 상에 거치되고, 자기장의 인출부인 중앙부와 가장자리부가 제거되는 동시에 중앙부의 주위로 통기공을 구비하는 타겟, 타겟 표면에서의 전자의 흐름을 유도하도록 전기적으로 양극을 이루고, 지지판에서의 방전으로 인한 박막내의 불순물 유입을 방지하는 양극판 및 타겟의 통기공에 금속관을 개재하여 연결되어 Ar 등의 방전용 가스를 공급하는 가스주입기를 포함하여 이루어지고, 따라서, 자석부에서 타겟 표면에 인가되도록 인출되는 자기장이 자성체 물질인 타겟으로 흡수되는 현상을 최소화하여 타겟 표면으로 인출되는 자가장의 밀도와 세기를 증대시킴에 따라 타겟의 사용효율과 증착속도를 향상하는 효과가 있음.
1. 기술의 개요본 기술은 연료전지의 전극의 촉매 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 연료전지의 전극용 백금촉매 제조방법에 관한 것임.2. 기술의 특징기판 상에 백금(PT)막을 증착하는 제1단계와, 백금막을 에칭성 기체로 식각하여 백금막의 표면을 거칠게 하는 제2단계와, 백금막에 반응성 기체와 에칭성 기체를 공급하여 수십 NM 이하의 크기를 가지는 백금 촉매를 석출시켜 탄소나노튜브에 균일하게 흡착되도록 탄소나노튜브를 성장시키는 제3단계를 포함한다. 백금촉매를 수십 NM 이하의 크기로 작게 석출하여 탄소나노튜브에 균일하게 분산시켜 성장시킴으로써 연료전지의 전극의 반응성을 향상시켜 연료전지의 성능을 향상시킬 수 있음.
1. 기술의 개요본 기술은 비디오카메라, 디지털 카메라, 카메라 핸드폰 등의 카메라로부터 얻은 영상의 품질을 히스토그램 평활화 알고리즘(HISTOGRAM EQUALIZATION ALGORITHM)을 이용하여 향상시키는 실시간 영상품질 보상장치에 관한 것임.2. 기술의 특징본 기술에 의한 히스토그램을 이용한 영상품질 보상장치는, 카메라로부터 영상 정보와 영상 신호를 받아서 영상 정보의 각 화소 레벨에 따라 분류하여 히스토그램(HISTOGRAM)을 매 프레임마다 생성한다. 이 히스토그램을 사용하여 누적 히스토그램(CUMULATIVE HISTOGRAM)을 생성하여 히스토그램 평활화의 연산을 수행하여 각 화소 레벨마다 변환 레벨을 갖는 룩업테이블(LOOKUP TABLE)을 생성한다. 이는 다음 프레임에서 히스토그램 평활화를 수행하는 기준이 된다. 카메라로부터 화소가 순차적으로 들어오면 히스토그램 생성부에서는 이를 받아 현재 영상의 히스토그램을 생성하며 평활화부에서는 이를 받아 이전에 생성된 히스토그램을 통하여 만들어진 각 화소 레벨마다 변환 레벨을 갖는 룩업테이블을 기준으로 해당 영상의 평활화를 수행하는 것을 특징으로 하여, 전체 영상에 대해 시간적인 지연 없이 실시간으로 히스토그램을 생성하며, 이에 따라 영상에 평활화를 수행하도록 하여 영상의 전체적인 콘트라스트를 향상시킬 수 있음.
1. 기술의 개요PDP의 기판상에 증착된 MGO층으로부터 아웃개싱되는 불순물을 감소시키고 동시에 방전 특성을 향상시킬 수 있는 MGO층에 대한 세정방법과 PDP의 제조방법에 대한 것임.2. 기술의 특징본 기술에 따른 MGO층에 대한 세정방법은, MGO층이 외부에 노출되도록 형성된 기판을 플라즈마 반응챔버내로 로딩하는 단계 및 MGO층에 흡착된 불순물들이 제거되도록 MGO층에 대하여 대기압에서 플라즈마 세정을 수행하는 단계 및/또는 열처리를 통하여 세정을 수행하는 단계를 포함함.
1. 기술의 개요본 기술은 1 ~ 10 ㎚의 균일한 나노입자로 된 전이금속 산화물 졸 및 이의 제조방법, 이러한 졸을 이용하여 메조다공성 전이금속 산화물을 박막 또는 분말 형태로 제조하는 방법 및 이렇게 제조된 메조다공성 전이금속 산화물 박막 및 분말을 제공함.2. 기술의 특징균일한 나노입자로 된 전이금속 산화물 졸"에 계면활성제 또는 유기 고분자와 같은 구조-유도 물질을 교반하에 첨가하고, 결과된 혼합물을 기판 위에 코팅하여 박막을 형성시키거나 감압하에 용매를 증발시켜 겔을 형성하고, 전술한 박막 또는 겔을 숙성시켜 육방 또는 입방 구조를 갖는 메조구조 박막 또는 분말을 형성하고 및 임의로 수득된 메조구조 박막 또는 분말로부터 계면활성제 또는 유기 고분자와 같은 구조-유도 물질을 소결 또는 자외선 조사에 의해 제거함.
1. 기술의 개요본 기술은 광섬유에 격자를 형성시키는 격자홈을 갖는 요철판과, 외주면에 결합수단과 중심부에 광섬유가 삽입되는 관통홀이 형성되며, 요철판이 안착되는 삽입홈이 내측으로 형성된 압착부와, 내측이 결합수단과 결합되며, 외주면은 회전을 위한 체결수단이 형성되어 압착부와 결합되는 조임부 및 조임부의 외주면에 형성된 체결수단과 맞물리도록 원판상부에 체결수단과 대응된 체결수단이 형성되어 원판의 중심축을 기준으로 회전되는 회전부로 구성됨.2. 기술의 특징요철판 및 가압수단의 간단한 구성으로 제작이 용이하며, 소형 제작, 제작비용 절감이 가능하고, 요철판을 회전시켜 광섬유격자의 투과스펙트럼 및 굴절률을 변화시킬 수 있고, 복굴절에 의한 편광모드분산 현상을 없애주므로 인해 편광의존성이 없는 각종 센서, 필터 등 광통신 및 광소자의 부품으로 사용할 수 있음.
1. 기술의 개요본 기술은, 반응챔버와, 유도전력이 인가되며, 반응챔버의 내측 상부에서 수평적으로 서로 일정한 간격을 두고 선형적으로 배치되고. 반응챔버 외부에서는 선형의 선형안테나를 접속시키되 반응챔버 외부로 노출된 안테나 중 서로 인접한 안테나의 일측을 접속시켜 하나의 굴절된 선형안테나가 적어도 하나이상 구비되거나, 일측을 하나로 형성시켜서 RF유도전력부에 접속시키고, 반응챔버 내부의 인접된 선형안테나 사이마다 또 다른 선형안테나를 다수 구비하여 타측을 하나로 형성시켜서 RF유도전력부에 접속된 선형안테나 및 선형안테나로부터 발생되는 전기장과 교차하는 자기장을 발생시켜 전자가 나선 운동되도록 안테나에 인접시켜 배치한 적어도 하나 이상의 자성체를 포함하여 이루어짐.2. 기술의 특징본 기술에 따르면, 선형안테나와 자성체의 결합하여 반응챔버내의 플라즈마 생성 영역에서 전기장과 자기장을 결합시킴으로써 전자의 나선운동에 의해 이동 경로가 증가하여 전자와 중성자간의 충돌 확률이 높아 RF 전력의 증가에 따른 플라즈마 밀도가 증가하게 되는 반면 전자 온도는 감소하고, 플라즈마 생성의 안정성이 증가하며, 또한 초대면적 플라즈마 공정을 위한 플라즈마 균일도도 10 % 이내에서 유지될 수 있음.
본 기술은 디스플레이 산업에서 이용되고 있는 박막트렌지스터에 관한 것으로 박막트랜지스터의 활성영역으로 사용되는 수소화된 비정질 실리콘층을 대면적, 고정세, 구동회로의 집적화가 가능한 폴리실리콘층으로 형성한 박막트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 기술의 박막트랜지스터 및 그 제조방법에 의하면, Ce 금속층에 의해 엑시머 레이저의 조사시 박막이 보호되고, CeO2층에 의해 폴리실리콘의 성장이 촉진됨으로써 플라스틱 기판의 기계적, 화학적 성질에 대한 신회감으로 인해 제품의 질이 향상되고, 우수한 성능을 갖는 박막트랜지스터를 생산할 수 있는 효과가 있다. 그리고 플라스틱 기판을 사용하게 됨으로써 공정비용의 절감과 제품의 경량화 및 유연한 정보 디스플레이 화면을 구현할 수 있다.
1. 기술의 개요본 기술은 센싱부가 다중화된 광전류 측정장치에 관한 것으로서, 전류 측정범위 및 정밀도를 다양하게 할 수 있다는 이점이 있다. 2. 기술의 특징전류를 측정하기 위해서 사용될 빛을 제공하는 광원과, 광원으로부터 나온 빛을 입력받아 일정 방향으로 편광된 빛을 통과시키는 편광자와, 편광자를 통과하여 나온 선형 편광된 빛을 입력받아 M개(여기서, M은 2 이상의 값)의 도파로중 하나의 도파로로 전달하는 광스위치와, 광스위치로부터 출발하여 도선 주위를 감되, 1번, 2번, …, M번 회전된 M개의 평판 도파로형 광도파로 센싱부들과, 광도파로 센싱부들과 연결되어 하나의 도파로로 모아주는 광결합기와, 광결합기에 연결되어 특정 편광상태의 빛을 통과시키는 검광자와, 검광자에 연결되어, 통과된 빛을 전자신호로 바꾸어주는 수광소자와, 수광소자에 연결되어 전자신호를 수신하는 한편, 광원에 연결되고, 광스위치에 연결되어 제어신호를 내보내는 전자회로 신호처리부를 포함하여 구성된다.
1. 기술의 개요본 기술은 고분자 압전필름을 이용한 체적탄성파 공진기의 제조방법에 관한 것으로, 제조공정 및 제품의 구조를 간결하게 할 수 있어, 제조비용과 시간을 현저히 절감시킬 수 있다. 2. 기술의 특징실리콘 기판 상부에 다수의 미세공이 형성된 쉐도우 마스크(SHADOW MASK)를 부착시킨 후 그 상면에 실리콘나이트라이드(SI3N4)를 증착시키는 공정과, 실리콘나이트라이드가 소결된 후 쉐도우 마스크를 제거함으로써 쉐도우 마스크의 미세공과 미세공 사이의 간극부에 의해 형성된 에어 갭을 갖는 지지층이 기판 상에 형성되도록 하는 공정과, 상,하부 전극을 갖는 고분자 압전필름층을 지지층의 상면에 접착시키는 공정 및, 상,하부 전극에 각각 골드와이어를 접착시켜서 기판위에 고정시키는 공정을 포함하는 제조방법에 의해 고분자 압전필름을 이용한 체적탄성파 공진기를 제조할 수 있다.
1. 기술의 개요본 기술은 자기장을 이용한 초대면적 플라즈마 발생장치에 관한 것으로, 식각 기판이 장착되는 스테이지가 구비된 반응챔버와 다수의 안테나 봉이 연결된 제1 및 제2안테나가 서로 대향 교차되되 병렬로 배치되어 구성된 안테나 소스로 이루어진 유도결합 플라즈마 발생장치를 의미한다.2. 기술의 특징안테나 봉은 상부에 복수개의 자성체가 구비되어 안테나 소오스를 구성하도록 함으로써 플라즈마 균일도를 증가시킬 수 있고, 기판의 크기에 따라 안테나의 간격을 조절할 수 있어 향상된 균일도를 유지시킬 수 있다.
1. 기술의 개요본 기술은 삼중그리드를 이용한 반도체 식각용 중성빔 소오스(NEUTRAL BEAM SOURCE)에 관한 것이다.2. 기술의 특징플라즈마 발생챔버와 그리드 어셈블리와 반사체를 구비한 중성빔 식각장치에 있어서, 그리드 어셈블리는 3개의 그리드를 중첩시켜서 이루어지되, 플라즈마 발생챔버에 인접된 최상부의 제1그리드에는 양(+)전압을 인가하여 가속시키고, 중간부의 제2그리드에는 접지를 연결하며, 최하부의 제3그리드 및 반사체에는 제1그리드 보다 낮은 양(+)전압을 인가함으로써, 낮은 이온 에너지에서도 높은 이온 플럭스(FLUX)량을 얻을 수 있다.
1. 기술의 개요본 기술은 기존의 원형 마그네트론 증착원의 단점인 고균일, 대면적 증착의 문제를 자장설계 및 편심 구동방식을 통하여 극복하여 고균일, 대면적 증착이 가능한 마그네트론 스퍼터링 장치에 관한 것이다.2. 기술의 특징절연된 원형 타겟 장착부를 챔버에 장착한 후 장착부 뒤편에서 영구자석을 통하여 폐회로를 형성한 자장 구동부가 편심 회전구동을 함으로써, 균일한 침식을 통한 고효율 타겟 수율을 실현함과 동시에 대면적 균일 코팅을 특징으로 한다. 대면적 원형 타겟의 중심과 외곽부위의 선속도 차이에 의한 증착 불균형을 해소하기 위하여 타겟 정중심의 증착을 억제하고 중앙부위의 자장을 균일 배열하며, 외곽부분은 비대칭 자장배열을 통한 고속 증착을 가능하게 하는 대면적 원형 증착원으로서, 고자장 영구자석의 조합으로 이루어지는 영구자석 폐회로부와, 이러한 영구자석 폐회로부를 타겟 표면에 평행한 방향으로 회전시키는 회전부 및 진공확보가 가능하며 챔버와 절연된 타겟 장착부로 구성된다. 이러한 조합에 의하여 타겟 전면에 균일한 방전트랙을 형성시키고 타겟 전면이 균일하게 침식됨에 따라 대면적, 균일 코팅이 가능하게 하고, 타겟의 사용효율을 80%이상 증가시키는 것을 특징으로 한다.
1. 기술의 개요본 기술은, 이온빔 소오스에서 세정가스를 이온빔 소오스에 주입하고, 플라즈마 발생챔버가 오프된 상태에서, 반사체에 고전압을 인가하여 세정가스를 플라즈마화하고, 이 플라즈마가 반사체의 표면과 작용하여 반사체를 세정하는 것을 특징로 하는 반사체 세정방법을 제공한다. 2. 기술의 특징본 기술은, 고주파의 고전압을 인가하여 주입된 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생챔버와, 플라즈마로부터 특정 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 통과시킬 수 있는 그리드홀이 각기 대응하는 위치에 적어도 하나 이상 형성되어 있으며, 이온빔 통과 방향으로 일정 간격을 유지하며 이격되는 복수의 그리드로 이루어지는 그리드 어셈블리 및, 이 그리드 어셈블리로부터의 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체를 구비하여 구성되는 이온빔 소오스에 있어서, 반사체에 플라즈마를 발생시킬 수 있는 고전압이 인가될 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 이온빔 소오스를 제공한다