일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
스탠바이시의 유출되는 전력을 없앰과 동시에 적정 제조 단가의 향상을 꾀하기 위한 기술이다. 따라서 본 메모리 장치는 행렬의 메트릭스 상에 배열된 복수의 메모리셀 12mn와 이들 메모리셀 가운데 전술한 메모리셀에 공통으로 구동전류를 공급하도록 접속된 셀 전원공급선 13mn, 14mn, 또한 이들 셀의 전원공급선에 유입하는 전류를 검출하기 위한 복수의 전류검출수단 1６mn, 23mn와 이들의 전류검출수단에 의해 검출된 전류검출결과를 판독하기 위한 수단인 17mn과 24mn, 셀전류 공급선에 수입되는 구동전류를 차단하는 15mn와 22mn가 준비되어 있다.본 기술의 특징은 다음과 같다.1. 통상의 반도체 메모리가 가지고 있는 디바이스 결함에 의해 생기는 리크 전류를 삭감할 수 있다. 따라서 반도체 메모리 전체에서의 소비 전력을 삭감할 수 있다.2. 디바이스 결함에 의한 리크 전류를 차단하여 스탠바이시의 리크 전류 의 스펙을 채우지 않는 반도체 메모리를 구제할 수가 있다. 따라서 반도체 메모리와 반도체 메모리를 내부에 포함한 팁의 제품 비율을 향상할 수가 있다.3. 본 발명에 의하면 이상 리크 전류가 흐르고 있는지를 검사한 후에, 이 상 메모리 셀이 행하는 업무 또는 열을 떼어내 장황한 행 또는 열과 치 환하기 위하여 기존의 테스트 플로우에 간단하게 짜넣을 수가 있다.
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- 한국테크노마트(사)
- 등록일
- 2003-05-15
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
- 본 기술은 공침법에 의하여 형광체 원료를 제조한 후 열분해 및 열처리 공정에 의하여 구형의 균일한 입도를 갖는 구형의 적색 발광 형광체에 관한 것임- 본 기술은 유로퓸 활성 붕상이트륨 적색 형광체(Y1-xBO3:EUx)(여기서 x는 0.01 내지 0.2g원자/몰임)의 조성을 갖도록 Y(NO3)3, Y2(SO4)3, YCl3 등과 같은 수용성 이트륨염, 붕산암모늄, 붕산칼륨, 붕산나트륨 붕산리튬 등과 같은 붕소화합물 및 Eu(NO3)3, Eu2(SO4)3, EuCl3 등과 같은 수용성 유로퓸염들로 이루어지는 그룹 중에서 선택된 각 형광체 원료들을 물에 용해시킨 원료수용액들을 교반시키면서 혼합시켜 수득되는 원료수화물을 고압반응기 내에서 150 내지 250℃에서 6 내지 48시간 동안 열분해시킨 후, 중성분위기 또는 환원성분위기 중에서 800 내지 1100℃에서 1 내지 6 시간 동안 소결시켜서 이루어짐- 구형의 균일한 형광체 입자를 제공- 우수한 생산성을 제공- 총괄밀도(bulk density)가 크므로 체적이 적어, 작은 용기에 보관할 수 있음- 현탁액(suspension)을 만들 때 분산성이 좋으므로 현탁이 용이- 형광체의 부착율을 쉽게 변경할 수 있음- 열열화(熱劣化)나 발광특성의 경시변화를 제어할 수 있음- 비표면적이 작아 열처리 공정이나 가열 배기과정의 탈가스가 용이해지며, 형광등의 작동 중에 가스 방출이 적어짐
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-09-20
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
- 본 기술은 녹색발광 형광조성물 및 그의 제조방법에 관한 것임- 본 기술에서는 녹색발광 형광조성물은, 조성식이 Zn2(Si1-x,Gax)O4:M으로 표시되고, M이 부활제이며, x가 0.005 내지 0.12의 자연수로 표시됨- 본 기술에 따른 녹색발광 형광조성물의 제조방법은, ZnO, SiO2 및 Ga2O3를 각각 Zn2(Si1-x,Gax)O4에서 x가 0.005 내지 0.12의 범위 이내로 되도록 평량하고, 이들을 분말화하고, 혼합한 후, 700 내지 900℃의 온도범위에서 공기중에서 소결하고, 계속해서 MnSO4를 망간이 Zn2(Si1-x,Gax)O4의 0.1 내지 1.5몰%가 되도록 평량하고, 그 분말을 첨가하고, 1200 내지 1500℃의 온도범위에서 공기중에서 소결하는 것으로 이루어짐- 높은 휘도를 유지하고, 잔광시간도 충분히 긴 발광특성을 가짐- 플라스마표시장치 용으로 사용하기에 적절한 정도의 우수한 발광특성을 갖음- 다양한 변형 및 수정이 가능함- 형광조성물은 일반적으로 알려진 방법에 따라 수세, 건조, 분쇄, 체분류 및 기타 형광조성물의 용도에 따른 후처리 등을 수행할 수 있음
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-06-27
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
- 본 기술은 공침법에 의하여 형광체 원료를 제조한 후 열분해 및 열처리 공정에 의하여 구형의 균일한 입도를 갖는 형광체의 제조방법에 관한 것임- 본 기술은 형광체의 제조에 있어서 형광체 원료들을 물에 용해시켜 수용액으로 제조하는 원료수용액 제조단계, 각원료수용액들을 실온 내지 50℃의 온도에서 100 내지 500rpm으로 교반을 수행하면서 혼합하여 원료수화물을 공침시키는 공침단계, 원료수화물을 고압반응기 내에서 150 내지 250℃에서 6 내지 48시간 동안 열분해시키는 열분해단계 및 생성물을 중성분위기 또는 환원성분위기 중에서 800 내지 1100℃에에서 1 내지 6시간 동안 소결시켜 결정화시키고 활성화시키는 소결단계들을 포함함- 낮은 온도와 짧은 후처리 시간- 형광체 원료들을 물에 용해시켜 수용액으로 제조- 우수한 생산성을 제공- 고압반응기를 이용하여 구형의 균일한 형광체 입자의 제조방법을 제공- 다양한 변형 및 수정이 가능함
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-06-27
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
집적 회로의 제작은 유전체와 금속 얇은막 두께에 대한 정확한 정보를 제공할 수 있는 측정 도구를 토대로 한다. 유전체막을 측정하는 기술은 많으나, 대부분의 방법들은 금속막 측정에는 별로 효과적이지 못하다. 특히 집적 회로에서 전자 트랜지스터를 연결하는 Cu 상호연결에서는 더욱 그렇다. 얇은 금속막 두께를 측정하기 위한 무해한(Non-invasive) 광학 기술로 특수 광학을 이용하여 빛을 막쪽으로 향하게 함으로써, 반사된 빛에 대한 앵글-의존 정보를 수집한다. 기존 Cu 상호연결의 직경 100nm까지의 범위 안에서 Cu 막 두께를 결정하는데 사용될 수 있다.- 금속막 두께의 빠르고 정확한 측정을 할 수 있다. - 무해한(Non-invasive) 광학 기술이다. - 최첨단 기술을 사용한 IC에 적용할 수 있고 또한 미래 IC 세대 적용에도 사용이 가능하다. - 특수 광학을 이용하여 빛을 막쪽으로 향하게 한 다음 반사된 빛에 대한 앵글-의존 정보를 수집함으로써 Cu 막 두께를 결정한다.
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- 중앙대학교
- 등록일
- 2003-07-15
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
개발된 신기술과 장비는 초기 다결정질의 반도체 규소 생산을 위한 것으로, 수소 감소 염소 처리에 의해서 이루어진다. 초기 물질은 판금 형태로 획득된다. 이것은 태양 에너지 변환기와 통합 회로, 사이리스터 등을 위한 싱글 크리스탈의 성장을 수반하기 위해서이다. 동 기법은 생산 코스에서 규소 오염을 차단하도록 개발되었다. 개발된 기술은 다결정질 규소 생산을 위한 장비를 이용 가능하며 가벼운 형태로 새롭게 만들었다.전통적인 기법과 비교하여, 제공된 기술은 출력을 4-5배 증가시키며, 전기 동력 소비량을 몇배로 감소 시키고, 장비 제작 원가를 감소시키고, 기술 프로세스를 단순화 시키고, 신뢰도를 증가 시켰다.
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- 티알씨코리아
- 등록일
- 2003-06-26
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
첫째, 전기, 전자기기 및 정보통신기기 등에 이용되는 고정밀도 미소극박형부품(微小極薄形部品)을 금속박으로부터 짧은 공정으로 소성 가공한다.둘째, 판의 두께가 얇아짐과 동시에 깨짐이나 굴절이 발생하기 쉬워지기 때문에 이러한 깨짐, 굴절 좌굴을 동시에 억제하여 미세한 성형품을 제조한다.셋째, 미소극박형부품(微小極薄形部品)을 가공하는 구체적 방책을 제안하고 있다. 이러한 기술의 용도는 전기, 전자기기용 부품, 정보통신기용 부품, 휴대기기용 부품의 개발에 이용된다. 또한, 제품화 사업화에 따른 핵심기술의 진보단계에서는 금속박 변형특성의 해명과 가공방법이 진행되고 있다전자 전기기기에 이용되는 고정밀도 미소극박형부품(微小極薄形部品)에 대한 제조 코스트 절감의 요구가 강해지는 요즈음, 이들의 부품을 마이크로 소성가공으로 제조하는 시도가 행해지고 있다. 그러나 [파단(破斷) 한계의 현저한 저하] 및 [제어가 곤란한 주름의 발생] 등과 같은 문제를 극복하여 실용화된 가공기술은 그리 많지 않다. 본 기술은 위의 문제를 극복한 미소극박형부품(微小極薄形部品)의 고정밀도소성가공을 실현하는 기초가 된다. 본 기술에 의하여 미소극박형부품의 고정밀도 소성가공이 가능해짐에 따라 고부가가치를 필요로 하는 제품의 생산이 용이해 진다. 제품에 대하여 한층 강력한 시장경쟁력이 요구되는 현시점에 있어서 공업적 평가는 매우 높다고 생각된다.
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- 한국테크노마트(사)
- 등록일
- 2003-07-15
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
당기술은 부재를 손상시키지 않고, 화학적으로 양극 산화 피막을 재생할 수 있다. 반도체ㆍ액정 제조 설비의 etcherㆍCVD 장치의 전극, chamber, 쉴드 부품 등에 많이 적용할 수 있다.●독자적인 재생 기술 화학 연마 및 기계 연마, 연삭 등 표면 가공 기술의 노하우가 풍부합니다.●부재에 피해가 없다 양극 산화 피막만을 제거 합니다.●일괄 처리 부착물 제거를 포함하여 세정으로부터 아르마이트 재생까지 일괄적으로 실시합니다.
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- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2003-07-30
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 발명은 실리콘 기판 위에 SiGe이나 Ge층을 소정 로 형성하거나, 기판자체를 Ge 이나 SiGe으로 구성하고, 하이-k를 갖는 유전체를 게이트 절연막으로 사용함으로써 게이트 산화막의 유효 두께를 2mm이하로 만들고, 그것에 의하여 반도체 소자의 구동성능을 향상시키기 우한 것이다. 본 발명의 반도체 소자는 실리콘보다 높은 홀 및 전자 이동도를 갖는 반도체 기판; 반도체 기판 상에 형성되고, SiO₂보다 높은 유전상수 값을 갖는 유전체 그룹으로부터 선택된 재료로 된 게이트 산화막; 게이트 산화막 상에 형성된게이트 전극; 및 게이트 전극의 양축의 상기 반도체 기판에 형성된 소오스/드레인 영역을 포함한다.하이-k를 갖는 유전체가 게이트 절연막으로 적용된 반도체 장치와 그의 제조방법에 관한 것이다.수직치수 축소로 게이트 유전체의 산화물 두께를 감소시켜 바람직한 디바이스 성능을 제공한다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2003-07-30
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
반도체무접점 릴레이의 개요 ․ 종래의 유접점 릴레이와 대체 가능한 반도체무접점 릴레이입니다. ․ 조작 전원, 전압을 선택하지 않습니다. ․ 기존의 유접점 릴레이의 결점을 모두 해소했습니다.■ 특 징(공통) 고속 응답 : 150 ~ 20 Hz의 입력에 응답합니다 입출력의 절연이 완전합니다 (내전압 AC1500V/절연 500MΩ이상)■ 입력측의 특징 1. 조작 전원은 Free (AC20~110V or DC9~110V) 2. 고감도(동작전류 3~6 mA) 3. 반도체 릴레이이므로 역기전력을 발생하지 않는다.(無Noise)■ 출력측의 특징 4. 반도체 출력이면서 종래 릴레이의 접점 출력과 등가합니다. 5. 미세 전류, 전압의 아날로그 신호도 스위치 가능 6. Chattering이 없다 7. Arc와 노이즈도 발생하지 않는다 8. 접점의 열화가 없다(수명은 반영구적) 9. 開路時 누전류가 작다 10. 저ON 저항(폐로시 저저항)
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- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2003-07-30
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
일정온도를 항시 유지한 음료를 장소에 관계없이 제공하기 위해 직접 열전달 방식을 이용한 보온·보냉 겸용 용기를 개발한다.이 용기는 온도조절 기능과 온도 유지 기능를 갖춘 휴대가 용이하고 차량 탑재가 가능한 보온, 보냉 겸용 용기를 개발함.기 개발되어 상용화된 용품들은 온도 조절 기능 및 온도 유지 기능을 갖추고 있지 않다. 따라서 사용자 인터페이스를 실현하기 위해 마이크로 프로세서를 이용하여 제어장치를 설계·제작함.
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- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 등록일
- 2003-07-30
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
포토리소그라피(Photolithography) 및 이방성 에칭 공정 기술을 이용하여 실리콘 기판에 원형 홈을 제작하고 그 위에 미세 산화 분말을 도포한 후 1000℃ 이상의 고온에서 열처리하여 구면 또는 비구면 마이크로 렌즈 및 마이크로 렌즈 어레이 금형을 제작. 반도체 공정 기술을 응용함으로써 정밀 가공된 금형 제작이 용이하고 대량 복제로 인한 양산성이 매우 뛰어나며, 또한 고온 열처리 가공되어 내구성·내화학성 매우 강하여 다양한 소재의 마이크로 렌즈 및 마이크로 렌즈 어레이를 제작이 용이함.고품질의 마이크로 렌즈를 금형을 이용하여 양산이 용이함으로써 광통신 부품 및 디스플레이 산업 전반에 가격 경쟁력 우위의 제품을 제작 가능함.
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- 동신대학교
- 등록일
- 2003-07-30
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
이 초고속 Si/SiGe, Ge/SiGe MODFET 기술은 SiGe 기술을 종전의 HEMT(High Electron Mobility Transistor) 구조에 적용시킨 기술이다.Daimler-Chrysler, IMEC, 독일 슈투트가르트 대학과 IEF가 연계하여 진행되는 SIGMUND 프로젝트에서 연구되어진 이 기술은 SiGe을 HEMT과 유사한 구조로 이끌어 냄으로써, 종전의 CMOS process를 이용하여 SiGe 구조를 생산 할 수 있기 때문에 매우 빠른 Si 칩 양산을 가능케 하는 기술이다.또한 CMOS 기술과 호환되는 Si/SiGe 로 그 핵심 부품이라 할 수 있는 극초단파회로 (Microwave circuit)의 높은 가격을 크게 줄였다 할 수 있다.SiGe은 기존의 Si에 비해 대단히 빠른 전자 이동도를 가지고 있으나, 종전의 공정 기술과는 다른 공정 스텝을 가지고 있어, 상업화의 단점으로 작용하고 있다는 평가를 받아왔던게 사실이다. 그러나 이 SIGMUND 프로젝트에서 개발된 SiGe는 HEMT 구조에 적용되어 개발되었으므로, 종전의 CMOS process를 이용하여 SiGe 구조를 생산 할 수 있어 매우 빠른 Si 칩을 만들 수 있다는 장점이 있다. 또한 가격면에서도 훨씬 더 경쟁적인 입장에서 시장 점유의 유리한 위치에 있다 할 수 있겠다.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2003-08-19
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
*원리 및 구성본 발명은 반도체소자의 고유전율 물질로 쓰일 수 있는 산화알루미늄 (Al2O3)을 원자층 침착법 (ALD)으로 규소웨이퍼 위에 초박막으로 제조하는 방법을 제시한 것으로서 알루미늄의 원료로 이소프로필산 디메틸알루미늄(DMAI)을, 산소의 원료로 물을 쓰는 공정을 제공.먼저 수소 종단 처리한 규소 웨이퍼를 ALD 장치에 넣고 DMAI 증기를 일정시간 동안 보내어 알루미늄을 포함하는 화학종을 규소웨이퍼 표면에 흡착시킨 뒤에 DMAI 증기를 아르곤으로 쓸어낸 후 수증기를 일정 시간 동안 보내어 이소프로필산 기를 수산화기로 바꾸는 표면 반응을 유도. 수증기를 아르곤으로 쓸어내고 다시 DMAI 증기를 보내면 수산화기가 DMAI의 메틸 기와 반응하여 메탄이 생김으로써 표면에는 알루미늄과 산소 등이 남게 되고, 이 순환 과정을 반복하면 그 횟수에 비례하여 산화알루미늄의 두께가 증가함.1)DMAI는 오래 전부터 알루미늄의 원료로 쓰이는 발화성이 아주 강한 트리메틸알루미늄 (TMA)과 비교할 때 발화성이 없는 안전한 화합물 이어서 사고가 일어날 위험이 거의 없음2)그리고 이 발명에서는 산소의 원료로 물을 쓰기 때문에 규소 웨이퍼 표면이 유전율이 낮은 이산화규소(SiO2)로 산화되는 좋지 않은 부반응이 일어나지 않음 3)박막의 성장 속도에서도 DMAI 공정이 TMA 공정과 대등하기 때문에 본 발명은 차세대 반도체소자 제조에 여러모로 유리한 기술임
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- 한국화학연구원
- 등록일
- 2004-03-26
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 발명은 구리배선용 초저유전 절연막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 매트릭스 성분으로서 폴리알킬실세스퀴옥산 전구체 또는 이의 공중합체 및 기공형성용 템플레이인 아세틸사이클로덱스트린 나노입자를 혼합하여 졸-젤 반응 및 고온 열처리를 통하여 제조한 다공성 초저유전 절연막에 관한 것이다.본 발명에서 제조된 초저유전막은 공극률 및 유전특성이 매우 우수하고 기공의 크기가 작으며 기공의 상호연결성이 우수하기 때문에 구리배선용 층간 절연막으로서의 사용이 가능하다.본 발명에서 사용한 기공형성용 템플레이트인 사이클로덱스트린 나노입자 및 저유전 매트릭스와 혼합하여 최고 60%까지 상용성이 우수하고 유전율이 약 1.5 정도로 낮으며 기공간의 상용연결성이 매우 우수하다.저유전체의 세계시장은 2005년에 약 ＄ 380 millon 이상이 될 것으로 예측되고 있으며, 저유전물질이 구리칩에 본격적으로 사용하게 되는 2005년 이후에는 가히 폭박적으로 그 수요가 늘어날 것으로 기대된다. 또한 국내에서는 삼성, LG 및 현대 하이닉스에서 구리배선용 저유전물질을 개발하는 중이며, 이는 국내 메모리 분야와 함께 엄청나게 큰 규모의 시장이 예상된다.본 발명에서 제조한 초저유전막은 0.1 μm 이하의 구리배선용 층간 저유전물질로서 사용이 가능하며, 특히 국내 하이닉스반도체에서 개발중인 70 nm급 logic device에 적용가능할 것으로 기대된다.
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- 서강대학교
- 등록일
- 2004-05-06
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 발명은 기공형성용 템플레이트로 유용한 알콕시실란사이클로덱스트린 유도체 및 저유전 매트릭스를 사용하여 제조한 초저유전막에 관한 것으로서, 특히 상기 사이클로덱스트린 유도체 자체를 졸-젤 반응하여 기계적 특성이 매우 우수하고 나노기공을 함유한 실리케이트 저유전 매트릭스를 제조하였다.본 발명에서 제조한 초저유전막 혹은 상기 사이클로덱스트린 유도체 자체를 졸-젤 반응하여 제조한 실리케이트 저유전 매트릭스는 기계적 특성 및 유전특성이 매우 우수하여 구리 배선용 층간 저유전막으로서 사용이 가능할 것으로 기대된다.본 발명에서 제조한 기공형성용 템플레이트인 알콕시실란사이클로덱스트린 유도체는 저유전 매트릭스와 우수한 상용성으로 인하여 51% 정도의 높은 공극률 및 1.6의 낮은 유전율을 갖는 초저유전막 제조가 가능하다. 또한 상기 템플레이트 자체를 졸-젤 반응을 통하여 기계적 특성이 우수하고 유전율이 낮은 나노기공을 함유한 실리케이트 저유전 매트릭스를 제조하였다.저유전체의 세계시장은 2005년에 약 ＄ 380 millon 이상이 될 것으로 예측되고 있으며, 저유전물질이 구리칩에 본격적으로 사용하게 되는 2005년 이후에는 가히 폭박적으로 그 수요가 늘어날 것으로 기대된다. 또한 국내에서는 삼성, LG 및 현대 하이닉스에서 구리배선용 저유전물질을 개발하는 중이며, 이는 국내 메모리 분야와 함께 엄청나게 큰 규모의 시장이 예상된다.본 발명에서 제조한 초저유전막은 0.1 μm 이하의 구리배선용 층간 저유전물질로서 사용이 가능하며, 특히 국내 현대 하이닉스반도체에서 개발중인 70 nm급 logic device에 적용가능할 것으로 기대된다.
- 보유기관
- 서강대학교
- 등록일
- 2004-05-06
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 집적회로를 주변 환경에 의한 파손등으로부터 보호하기 위하여 에폭시 수지(Epoxy Resin) 또는 세라믹(Ceramic) 등으로 패키징(Packaging)을 하지 않은 상태인 웨이퍼 상태(Wafer Level)의 집적회로로부터 입출력되는 선로 단자에 금속사이의 용융접합을 용이하게 하는 플럭스(Flux)를 사용하지 않고 아르곤(Ar) 가스 분위기속에서 레이저를 사용하여 솔더 범프를 직접 접합하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 기술은 범프 형태 접합부를 가지는 전자 패키지의 패드부에 솔더를 코팅하여 코팅층부를 형성하는 코팅층부 형성 단계, 코팅층부에 코팅된 솔더 조성과 동일한 조성의 솔더 디스크 또는 솔더볼을 정렬하는 정렬 단계, 패드부와 같은 위치에 같은 수의 구멍이 형성된 금속 마스크를 정렬된 솔더 디스크 또는 솔더볼 상부에 일정 간격으로 띄워서 위치시키는 금속 마스킹 단계, 아르곤 또는 질소와 같은 불활성 기체 분위기 속에서 연속파에 의해서 발생한 레이저 빔을 실린더리컬 렌즈를 통하여 에너지 밀도가 일정한 선형 레이저 빔을 생성하는 레이저 빔 생성 단계, 레이저 빔이 금속 마스크 위를 이동 스캐닝하면서 솔더 디스크 또는 솔더볼을 용융시켜 솔더 코팅층부와 결합되게 하여 패드부 전체가 솔더로 완전히 젖은 상태의 솔더 범프를 생성하는 솔더 범프 생성 단계로 구성된다.- 아르곤(Ar) 또는 질소(N2)와 같은 불활성 분위기 속에서 레이저 빔에 조사에 의한 솔더 디스크의 급격한 온도 증가는 솔더 디스크의 산소 고용을 증가시키고, 플럭스를 사용하지 않은 상태에서 접합부 및 피접합부의 솔더가 용융 접합됨으로써, 많은 비용과 시간이 소요되는 플럭스 후세척 공정을 생략할 수 있음.- 환경친화적 공정이 되고 보다 우수한 금속학적 접합 조직을 얻을 수 있는 레이저를 이용한 웨이퍼 레벨의 무플럭스 솔더 접합 장치 및 방법임.
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2004-05-10
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 수소 이온 주입을 이용하여 우수한 열적 안정성과 낮은 면저항 그리고 낮은 누설 전류 값을 갖는 니켈모노실리사이드(NiSi)의 제조방법으로서, 실리콘 기판에 Ni을 증착하는 단계와, Ni이 증착된 실리콘 기판에 수소이온을 주입하는 단계와, 실리콘 기판을 급속열처리하여 NiSi층을 형성하는 단계를 포함한다.본 기술에 의하면 수소 이온 주입을 이용하여 급속 열처리시 발생하는 NiSi의 산화 현상을 효과적으로 억제하고, 그로 인하여 낮은 면저항과 우수한 열적 안정성, 그리고 낮은 누설전류 값을 갖는 NiSi을 제조할 수 있다. 따라서, 본 기술을 차세대 ULSI 소자에 적용하여 상업화시 고품질의 반도체 소자를 효과적으로 제조할 수 있을 뿐만 아니라 소자의 성능 향상을 극대화 시켜 제품의 경쟁력을 향상시킬 수 있다.
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- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 등록일
- 2004-11-12
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 메틸트리메톡시실란 및/또는 메틸트리에톡시실란과 디메틸디메톡시실란으로 이루어진 폴리메틸실세스퀴옥산 공중합체로 이루어진 것을 특징으로 하는 저유전성 절연재료 및 그 제조방법, 이 공중합체를 이용한 저유전성 절연막 및 그 제조방법을 제공하고 있다.본 기술은 공중합 단량체로서 DMDMS를 사용한 폴리메틸실세스퀴옥산 공중합체를 제공하고 있는 바, 이 공중합체를 이용한 절연막은 낮은 크랙전파속도 및 저유전상수를 가짐으로써, 차세대 반도체 산업에서 요구에 대응하는 특성을 가지는 장점이 있다.
- 보유기관
- 서울대학교
- 등록일
- 2004-11-24
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 폴리메틸실세스퀴옥산 공중합체와 그 제조방법 및 이를 이용한 저 유전성 코팅막의 제조방법에 관한 것이다. 본 기술은 폴리메틸실세스퀴옥세인 공중합체는 메틸트리알콕시실란 [A: CH3Si(OR)3]과 함께 양쪽 끝에 반응 자리를 가지는 ɑ, ω-비스트리알콕시실릴화합물[B:(RO)3Si-X-Y-Si(OR)3]을 공중합 단량체로서 사용하여 중합한 것으로서 실란올 말단기 함량 10% 이상 분자량 5000-3000을 가지며 기공 생성제와 함께 코팅되어 열처리되는 경우 생성된 코팅막은 나노메타 크기의 미세다공을 함유하게 되어 만족할 만한 수준의 기계적 강도를 가지면서도 유전율이 2.3 이하의 초저유전성을 가지게 되어 차세대 반도체인 구리배선 칩 제조에 필수적인 절연물질로 사용되어 제품의 성능을 높이는 효과가 있다.
- 보유기관
- 서울대학교
- 등록일
- 2004-11-24
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