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전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
본 기술의 대물렌즈는 고분해능과 저전압 전자빔을 얻을 수 있는 것으로, 종래의 스캐닝 전자현미경(SEM)에 사용될 수 있도록 설계제작된 것이다. 본 대물렌즈는 시료의 표면 전계를 최소화하기 위해 감속전극을 시료 바로 위에 두고 있으며, 검출부는 접지전극에 내장 되어있다. 감속부문은 a) 대물렌즈의 하강 및 b) 양호한 검출을 위한 2차전자의 가속이다. 전류게인(전류증폭도) 2100 및 17nm의 분해능을 가지며, 실리콘을 미세가공하여 만든 2차전자 검출부는 100eV의 랜딩(landing) 에너지로 달성될 수 있다.1. 초저 랜딩에너지 전자빔: 시료 손상과 시료에 가해지는 부하를 감소하고, 침투 깊이의 감소와 근접효과 달성.2. 시료 표면의 전계가 무시할 수준이고, 표면 정밀사진으로 인한 왜곡을 제거.3. 기존의 고전압 전자현미경에 별로 변형이 요구되지 않음: 시료 챔버에 간단히 추가하면 되고, 시료 스테이지만 재설계 요함.4. 감속전극은 10keV로부터 100eV까지 1차 빔의 에너지를 감소시키기 때문에 검출부 쪽으로 되돌아 오는 2차전자의 가속에 기여.
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- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2005-07-20
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전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
본 기술은 주변 공기에서 미립자 질산염을 연속적으로 모니터링 할 수 있는 효과적인 미립자 질산염의 연속 측정 방법을 제공한다. 본 기술에 따른 방법은 기존의 일반적인 측정방법보다 우수하며 인시츄(in situ) 방식으로 직접적이며, 정량적이고, 실시간으로 측정할 수 있는 장점을 지니고 있다. 또한, 본 기술은 가장 민감하고 상업적으로 구현 가능한 요소를 이용하여, 평균 한 시간 동안 정량 가능한 하한치인 0.26 μg/m3의 질산염을 측정하여 그에 따른 정보를 획득할 수 있는 장점이 있다.본 기술은 미립자 질산염을 연속적으로 측정할 수 있는 방법에 관한 것이다. 통상적으로, 필터들을 이용하는 기존의 통합 방법들을 이용한 측정은 미립자 질산염의 증발과 관련된 잠재 손실(potential loss)이 발생할 수 있는 문제점이 있다. 본 기술에 따른 방법에 의해 채용되는 기술은 그와 같은 손실을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 질산 증기에 대한 감도를 상당히 증대시킨다. 또한, 이러한 기술은 화학발광(chemiluminescent) 모니터 검출기의 기준선 표류를 어드레싱함으로써 장시간에 걸친 측정에 있어서도 측정 감도를 향상시킬 수 있다.
- 보유기관
- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2005-07-20
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전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
본 기술에 따른 가스 샘플에서 주변 미립자 질량의 연속적인 모니터링 방법과 장치는, PM10(10um 이상인 미립자 물질)과 코스 입자(2.5-10um)의 모니터링과, 입자들의 크기 분포의 판정과, 입자 밀도의 결정과, 입자가 속박된 물의 판정과, 관성 임팩터, 가상 임팩터, 확산 건조기, HEPA 필터, 입자 물질 집진기와 압력 트랜듀서와 같은 실험실 기기의 이용을 포함한다. 본 기술은 입자크기의 함수로서 주변 미립자의 질량농도를 측정하는 CAMM(Continuous Ambient Mass Monitor)를 제공한다. 수정된 CAMM(MCAMM)은 10um(PM10) 이하의 입자의 크기 분포를 동시에 측정한다.공기 샘플은 먼저 기존의 가상 임팩터 시스템을 통해 끌어내어 입자들을 공기역학적 지름에 있어서 >=0.15; >=0.3; >=0.6, >=1; >=2.5; 2.5-5.0; 및 2.5-10um 크기의 범위를 가지는 채널들로 분류한다. 각각의 크기는 공기 샘플의 상대습도를 40%로 감소시키는 확산 건조기를 통과시킴으로써, 입자가 구속된 물을 제거한다. 각 채널은 Nucleopore 박막필터 테이프를 가지고 있다. 단위 시간 당 각 필터 테이프 사이의 압력강하는 7개의 크기 범위 각각에 대한 질량 농도에 직접적으로 비례한다.
- 보유기관
- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2005-07-20
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일반기술
전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
○ 본 기술은 MEMS 기술을 이용한 고집적 반도체 등의 성능평가용 Probe Array 개발 기술임.- 반도체 소자의 고집적화 및 대용량화에 따라 칩의 패드 수는 증가하고 패드 간의 간격은 축소되고 있는 실정이며, 현재는 반도체 소자의 검사를 위하여 수작업으로 제작된 에폭시 니들 타입의 프로브를 사용하나, 패드 간격이 65㎛ 이하가 되면 사용할 수 없음- 마이크로머시닝 기술을 이용하면 ㎛ 수준의 구조물을 용이하게 제작 할 수 있으므로, 이를 이용하여 65㎛ 이하의 패드 간격에 대응할 수 있는 Probe Card 제작하여 반도체 소자의 고집적화 및 대용량화에 대응하고자 함(446A0553)▶ 기술사양○ MEMS 기술을 이용한 고집적 반도체 등의 성능평가용 Probe Array 개발 Probe tip pitch : < 60㎛, 접촉저항 : < 0.2Ω, 주파수특성 : 1㎓ 대응, Para 수 : 64 EA, Tip 평탄도 : 10 ㎛(max.)○ 256M DRAM 측정용 16para Probe Tip Array의 설계 및 해석 - 수직 굽힘 구조형 (외팔보형, Form Factor형, 수직단차구조형, 경사단차구조형) - 비틀림 구조형 (독자구조)○ 수직단차 구조형 제작 - Cu를 희생층으로 이용하고 Ni을 도금하여 구조 제작○ 비틀림 구조 Probe Tip Array 제작 - Nagative thick PR을 이용하여 pattering하고 Ni을 도금하여 구조 제작을 제작하며, Cu를 희생층으로 이용하여 다층공정 수행○ Tip 부분 표면 경도 향상을 위한 Ni-W 도금 공정 개발 - 저응력 Ni-W 도금 공정 개발을 통한 Ni/Ni-W 밀착력 향상
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- 전자부품연구원
- 등록일
- 2005-09-12
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전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
본 고안은 조립완료된 인쇄 회로기판이 소정의 기능을 차질없이 수행하는지의 여부를 검사/확인하기 위해 마련되는 파형 검사 조정기의 픽스쳐(fixture)에 관한 것으로, 인쇄 회로기판의 리드부를 검침하기 위한 검침봉, 상기 검침봉이 다수로 설치된 픽스쳐, 상기 픽스쳐에 고정되어 검침봉과 연결된 숫콘넥터 및 상기 숫콘넥터와 접속될 수 있게 암콘넥터를 구비한 파형 검사 조정기에 있어서, 상기 픽스쳐에 일정하게 유동될 수 있도록 설치된 숫콘넥터와, 상기 숫콘넥터와 대응되어 접속되도록 파형 검사 조정기 내에 설치된 암콘넥터와, 상기 암콘넥터가 일직선상으로 이동될 수 있도록 설치된 안내 가이드 레일 및, 상기 암콘넥터의 작동을 위해 스위치를 갖는 작동 실린더가 구비되어 파형 검사 조정기 내에 설치 고정됨을 특징으로 하는 파형 검사 조정기용 픽스쳐 착탈장치.인쇄 회로기판의 리드부를 검침하기 위한 검침봉, 상기 검침봉이 다수로 설치된 픽스쳐, 상기 픽스쳐에 고정되어 검침봉과 연결된 숫콘넥터 및 상기 숫콘넥터와 접속될 수 있게 암콘넥터를 구비한 파형 검사 조정기에 있어서, 상기 픽스쳐에 일정하게 유동될 수 있도록 설치된 숫콘넥터와, 상기 숫콘넥터와 대응되어 접속되도록 파형 검사 조정기 내에 설치된 암콘넥터와, 상기 암콘넥터가 일직선상으로 이동될 수 있도록 설치된 안내 가이드 레일 및, 상기 암콘넥터의 작동을 위해 스위치를 갖는 작동 실린더가 구비되어 파형 검사 조정기 내에 설치 고정됨을 특징으로 하는 파형 검사 조정기용 픽스쳐 착탈장치
- 보유기관
- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2006-03-15
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전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
본 기술은 반도체식 논리회로기판의 검사장치에 관한 것으로 특히, 원자력 발전소의 원격제어설비로 사용되고 있는 반도체식 논리회로 계통(Solide State Interposing Logic System : SSILS)를 구성하는 각종 전자회로 기판의 기능의 이상 유무를 검사하는 검사장치에 관한 것이다. 반도체식 논리회로를 구성하는 각종 전자회로 기판은 수많은 반도체 소자로 구성되어 있어 신뢰성과 안전성을 생명으로 하는 원자력 발전소에 각각의 구성소자의 오동작으로 인한 파급 효과는 대단히 위협적인 것이며, 안전을 저해하는 요인이 되고 있다.따라서, 본 발명은 기존의 장치에 비해 능률적이고 신뢰할 수 있는 반도체식 논리회로 기판을 자동으로 검사하는 반도체식 논리회로 기판 검사장치를 제공하는데 그 목적이 있다.본 기술에 의하여 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.첫째, 반도체식 논리회로 기판의 검사가 검사장치에 의해 자동으로 수행되어 질 수 있으므로 인력과 시간을 절약하게 되어 대단히 경제적이고 능률적이다.둘째, 검사의 결과가 검사자의 능력에 좌우됨이 없이 항상 동일하게 되므로 검사의 결과를 신뢰할 수 있다.셋째, 본 기술에 따른 자동검사장치를 이용하면 점검 및 정비 능력이 15배에서 60배까지 향상되어 신속 정확한 고장 진단 및 정비가 가능하여, 정기적인 시험 검사를 통한 반도체식 논리회로 기판의 건전성 확보가 가능하다.넷째, 고장으로 판명된 기판의 정비 결과의 적합성 여부를 즉시 확인할 수 있으므로 정비의 편리성이 증대된다.다섯째, 검사 결과를 고속 대용량의 저장 매체에 데이터 베이스화하여 저장 관리하므로 과학적이고 체계적인 관리가 가능하며 관리의 용이성이 증대된다.
- 보유기관
- 한국전력공사
- 등록일
- 2006-03-15
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전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
반도체 칩의 정상유무를 전기적으로 테스트하는데 사용되는 프로브에 있어서, 검사대상의 반도체 칩의 패드와 수직으로 접촉되어 종래의 캔틸레버형에 비해 상호간의 접촉손상을 저감하고, 그 형태상 고밀도 배열이 가능하여 고집적화된 반도체 칩의 검사에 효과적으로 대응할 수 있는 수직형 프로브에 관한 것이다.자체 및 접촉손상을 방지하면서, 반도체 칩의 패드와 전체적으로 안정적인 접촉을 실현하고, 저비용으로 대량생산이 가능하며, 고밀도 배열이 가능한 프로브가 제공되게 되어, 전반적으로 검사비용을 절감시키고 검사효율을 향상시키는 효과가 있다.본 발명은 수직형 프로브에 관한 것이다. 반도체 칩의 정상유무를 전기적으로 테스트하는데 사용되는 프로브에 있어서, 수직방향으로 세워져 상단측이 프로브카드측에 고정되고 그 하단측의 팁이 상기 반도체 칩의 패드와 수직으로 접촉되는 수직형으로, 양단의 중간부에 일정길이로 수직하중에 대해 수직상태를 유지하면서 먼저 변형을 일으켜 상기 팁으로 하중이 집중되는 것을 방지하는 3차원 형상으로 된 하중흡수부를 포함하는 것을 특징으로 한다
- 보유기관
- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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일반기술
전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
본 기술은 웨이퍼(wafer)에 집적된 IC칩의 불량여부를 검사하기 위한 프로브카드(prove card)에 관한 것으로, 특히 다수의 IC칩을 동시에 검사할 수 있는 수직형 니들을 가진 프로브카드 및 그 제조방법에 관한 것이다. 즉 본 기술은 반도체 웨이퍼의 프로빙 검사에 사용되는 프로브 카드에 관한 것으로, 니들을 선택식각 방법으로 여러가지 형태의 노치를 형성하여 미세텐션을 자체적으로 가지며, 전체적인 텐션제어는 메스링을 이용하는 유동적인 매카니즘으로 제조하여 반도체 칩의 패드와 니들간의 접촉을 원활히 하며, 과도한 힘으로 인한 패드의 손상없이 각각의 패드에 일정한 힘으로 접촉하여 전기적 손실이 없이 웨이퍼의 상태를 검사할 수 있는 수직형 니들방식의 프로브 카드에 관한 것이다.본 기술은 반도체 웨이퍼에 집적된 IC칩의 불량여부를 검사하기 위한 수직형 니들이 상하부 고정지지판에 장착되어 있는 수직형 니들모듈과 수직형 니들과 반도체 IC칩의 패드와의 접촉을 원활히 하기 위해 수직형 니들모츌에 부착된 메스링과 메스링과 수직형 니들모듈의 움직임을 원활하게 하며 하부로 이탈되는 것을 방지하기 위한 가이드링과 가이드링의 상부에 부착되어 메스링의 이동공간을 확보하여 주는 이동공간형성수단과 이동공간형성수단 상부에 형성되며 상부고정 지지판의 좌우이동을 방지하며, 상기 수직형 니드모듈의 상부 이탈을 방지하면서 신호패턴이 형성되어 있는 프로브카드 PCB기판을 포함하는 것을 특징으로 한다.
- 보유기관
- 한국산업기술평가원
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
탄소나노튜브(CNT) 를 이용한 X-ray로 영상을 획득하여 이런 기존 X-ray 검출장치의 효율을 향상시키기 위하여 개발한 것이다. 종래에 정밀기기 및 반도체소자 등의 불량 및 결함계측에 사용되는 산업용 X-ray 검출장비의 문제점을 해결할 수 있는 기술로서 신개념의 CNT X-ray 광원과 Digital X-ray 영상검출기를 이용한 시스템이다. 본 기술에서는 최적의 CNT X-ray의 열전자 방출장치 설계조건의 도출, CNT X-ray의 열전자 방출장치의 제작, X-ray 영상획득 시험조건 도출 등의 3가지 부문에서 세계적인 수준의 핵심기술도 개발하였다. CNT를 이용한 X-ray 영상획득은 미국, 일본에 이어 세계에서 3번째로 기존의 산업 및 의료용 X-ray 시장에 있어 대체효과 및 획기적인 가치창출이 기대되고 있다.-기존의 엑스선 광원장치는 전자 방출 시 2,000도 이상의 높은 열로 인하여 X-ray광원의 수명이 길지 않았고, 방출전자 분포가 불균일 해 영상의 분해능력과 해상력이 상당히 낯은 단점이 있지만, CNT를 토대로 한 X-ray광원은 전력의 소비가 기존에 비해 월등히 감소하면서도 전자방출효율이 우수해 전자집속, 엑스선의 품질과 분해능력이 우수하다. -기존의 모든 X-ray튜브와는 달리 CNT만 모듈화하여, CNT 만 교체하면 재사용할 수 있으므로 반영구적으로 사용할 수 있다. -소형의 Digital Inspection System 을 개발할 수 있으며, 이동식도 가능하므로 향후 전세계의 X-ray시장을 석권할 수 있는 제품의 핵심역량을 가지고 있다.
- 보유기관
- 부산기술이전센터
- 등록일
- 2006-04-07
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일반기술
전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
본 기술은 반도체를 검사하여 그 상태에 따라 분류하고 적재하는 핸들러 장치에 관한 기술이다. 본 기술의 반도체 검사용 핸들러 장치는, 검사가 필요한 반도체 패키지를 탑재한 트레이가 공급 스테이션에 제공되고, 반도체 팩키지가 소진된 이후에 비어 있는 트레이가 대기 상태로 변환되며, 트레이의 검사가 끝난 반도체 패키지의 분류를 위해서 여러개의 분류 스테이션이 제공되고, 이렇게 분류할 때 제1축과, 제1축의 길이방향으로 이동 가능하며 제1축에 대해서 직각으로 설치된 제2축과, 제1축의 길이방향으로 이동 가능하며 제1축에 대해서 직각으로 설치된 제3축, 그리고 제1흡착 노즐 헤드 및 제2흡착 노즐 헤드를 구비한 제2로보트 등이 설치된다. 위와 같은 구성에 의해서 효율적이고 생산적인 작업이 가능하고, 반도체 패키지 가열, 검사 수행, 검사 결과에 따른 분류 작업 등이 효율적으로 이루어 질 수 있다.반도체 제조 공정에서는 반도체 패키지 제조의 마지막 단계에서 반도체의 조립상태를 검사하고, 불량 여부에 따라 반도체를 등급별로 분류하는 공정이 구비된다. 반도체 검사는 검사장치를 통해서 이루어지며, 검사 장치를 통해 판단된 반도체 팩키지의 상태에 따라서 다양한 등급으로 분류된다. 이러한 반도체 패키지 검사 및, 분류를 수행하는 장치에 있어서 반도체 패키지를 흡착하거나 이동시키는 장치들의 속도가 상대적으로 느려 신속하고 정확한 검사가 이루어지지 않았다. 즉, 히터 블록에서 가열된 이후에 검사 스테이션에서 소정의 검사를 받고 그 검사 결과에 따라서 각각의 등급별 트레이로 분류되어야 하는데, 각 단계 별로 이동하는 거리가 길고, 그러한 거리를 극복하기 위한 이송장치들의 속도가 느려서 효율적인 작업수행이 곤란하다는 것이다. 본 기술은 기술개요에 기재된 것과 같은 구성을 갖도록 반도체 팩키지 검사용 핸들러 장치를 제조함으로서, 반도체 팩키지 검사를 수행할 때, 각 단계별로 신속하게 반도체 패키지를 이동시킬 수 있는 장점이 있으며, 공간의 활용이 집약적으로 이루어지므로 생산성이 향상된다는 특징이 있다.
- 보유기관
- (주)마크프로
- 등록일
- 2006-04-13
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일반기술
전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
유리판재에 의해 상부공간과 하부공간으로 나뉘어지는 챔버; 상기 챔버의 상부면으로부터 이격된 일정한 높이에 설치되고, 상기 챔버의 상부변에 형성된 윈도우를 통해 상부공간에 놓여진 웨이퍼의 표면에 레이저를 조사한 후 반사되는 레이저를 검출하는 레이저카메라; 상기 챔버의 상부공간에 놓여진 웨이퍼에 유리판재를 통해 고온의 열을 인가하기 위하여 하부공간에 설치되고, 할로겐램프구동부를 통해 인가되는 외부전원에 의해 고온의 열을 발생시키는 할로겐램프; 상기 상부공간에 놓여진 웨이퍼의 상부면에 설치되어 웨이퍼에 인가되는 온도를 감지하는 온도감지센서; 그리고 상기 레이저카메라가 웨이퍼의 표면으로부터 반사되는 레이저값을 검출하여 전송하는 레이저값을 분석하여 설정된 고온의 열이 웨이퍼에 인가하는 스트레스의 정도를 산출하여 표시부에 표시하는 메인컨트롤러로 이루어지는 고속처리 고온공정에서 웨이퍼의 스트레스 측정장치를 제공한다.본 발명은 반도체용 웨이퍼를 챔버에 위치시킨 후 웨이퍼 제조공정에서 이용되는 고온의 온도를 챔버에 인가하고, 상기 챔버에 놓여진 웨이퍼에 설정된 고온의 온도가 인가되는 상태에서 레이저카메라를 이용하여 웨이퍼의 표면에 레이저를 조사함으로써 고온의 열이 웨이퍼의 표면에 인가되는 스트레스를 검출하게 된다. 상기 레이저카메라에 의해 검출되는 웨이퍼의 표면으로부터 반사되는 레이저값을 분석함으로써 웨이퍼의 표면에 인가되는 스트레스의 정도를 정확하게 산출하고, 상기 산출된 웨이퍼의 스트레스 산출값을 웨이퍼 제조공정에 적용함으로써 웨이퍼의 불량률을 크게 감소시킬 수 있다.
- 보유기관
- 호서대학교
- 등록일
- 2006-05-12
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일반기술
전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
반도체 제조장비의 파티클 측정장치에 관한 것으로, 특히 진공펌프에 의해 내부압력을 저압상태로 유지하여 피측정공간의 파티클을 포함한 유체를 확산에 의해 내부로 유입되게 하는 진공챔버와, 상기 진공챔버를 통과하는 유체에 레이저빔을 조사하여 유체에 포함된 파티클의 수를 광학적으로 검출하는 파티클센서를 포함하고, 상기 파티클센서의 선단에 진공챔버 내의 유체의 흐름을 파티클빔으로 형성시키는 1쌍의 공기역학적 렌즈가 구비된 반도체 제조장비의 파티클 측정장치이다.본 발명에 따르면, 측정공간인 진공챔버의 내부압력이 진공챔버에 의해 저압으로 유지되므로 피측정공간의 피측정대상유체와 그에 포함된 파티클의 확산에 의해 진공챔버안으로 유입되어 측정하게 되므로 실제 반도체 제조장비에서의 작업조건 동일한 조건에서 파티클을 검출하게 되어 측정의 재현성을 높일 수 있고, 아울러 파티클을 공기역학적 렌즈에 의해 빔형태로 통과시키므로 측정의 정확도나 신뢰성을 높일 수 있다. 즉, 저압상태에서도 파티클 측정효율이나 신뢰성을 높일 수 있게 된다.
- 보유기관
- 호서대학교
- 등록일
- 2006-05-12
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일반기술
전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
본 기술은 반도체 소자 특성 측정 장비에 관한 것으로, 특히, 반도체 소자에 존재하는 격자 결함에 관련된 정보를 구할 수 있는 깊은 준위 과도 전기 용량 분광기(DLTS:Deep-Level Transient Spectroscopy)에 관한 것이다. 본 기술의 일 관점에 따른 장비는 측정될 시료인 전극 패드가 노출된 반도체 소자 칩을 담는 진공조, 반도체 소자 칩의 전극 패드에 접촉하는 탐침, 반도체 소자 칩을 지지하는 시료 지지부, 반도체 소자 칩을 77K까지 냉각시키기 위해 시료 지지부를 냉각하기 위해 시료 지지부 하부에 연결되고 내부에 냉매가 순환되는 냉각부, 반도체 소자 칩을 700K까지 승온시키기 위한 가열부, 냉각 또는 가열에 따른 온도 변화에 의해서 시료 지지부가 수평 방향으로 열 팽창 또는 수축하는 것을 억제하기 위해 시료 지지부의 측면에 잇대어진 수평 지지대, 수평 지지대가 고정되게 지지하기 위해 진공조 내에 고정 설치되는 수평 지지대, 및 탐침을 통해 반도체 소자의 전극 패드에 전기적으로 연결되어 온도 변화에 따른 시료의 정전 용량 변화를 측정하는 정전 용량 측정기를 포함하여 구성된다.본 기술에서 제공되는 탐침형 DLTS 장비를 이용하여 측정한 DC-센터 피크와 표면 결함 피크의 활성화 에너지는 0.42 ± 0.01 및 0.81 ± 0.01 eV로서 기존의 DLTS 장비를 이용하여 측정한 활성화 에너지와 정확하게 일치한다. 또한 피크의 크기에 비례하는 각각의 포획(trap) 농도 역시 잘 일치함을 확인할 수 있었다. 이상의 결과로부터 본 기술에서 제공하는 탐침형 DLTS 장비를 이용하면, 기존의 DLTS 측정과 정확하게 일치하는 포획의 정보를 얻을 수 있을 뿐만 아니라 시료를 간단하게 준비할 수 있어 DLTS 측정에 소요되는 시간 및 노력을 획기적으로 단축시킬 수 있었다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
본 기술은 연소 시스템에서 대기로 방출되는 유해 가스의 농도를 광 계측함에 있어 빠른 응답성과 고 정밀 계측이 가능한 파장 변조 분광기법 및 광섬유를 이용한 반도체 다이오드 레이저 광계측 방법에 관한 것으로, 임의 파형 발생기를 이용하여 생성된 특정 주파수와 크기를 가지는 합성파를 반도체 다이오드 레이저 구동장치의 전류 연결부에 주입하여 레이저 소오스에 걸어주고, 수광부에서 흡수 영역을 통과한 투과 신호에서 조화 신호를 추출함으로써 잡음이 제거된 높은 감도의 신호값을 얻을 수 있을 뿐만 아니라 대상 가스의 농도를 정밀하게 계측할 수 있다. 그리고, 대기 중으로 광을 조사하는 기존의 복잡한 계측 방식과 달리 대상 가스의 흡수 파장에 부합하는 광섬유 부품과 라인을 통하여 계측 시스템을 간단히 구성할 수 있을 뿐만 아니라 연소 장치나 실험 장치에 효과적으로 적용할 수 있는 장점을 가지고 있다.이 구성에 따르면 본 기술은 질소 산화물과 같은 각종 유해 배기 물질을 실시간으로 모니터링함에 따라 최적의연소 조건으로 연소 시스템을 조절할 수 있기 때문에 현재 배출되는 유해 가스를 촉매 장치와 같은 부가적인 장치 없이 효과적으로 저감시킬 수 있어 원가 절감 및 환경적 효과를 거둘 수 있다. 또한, 기존의 레이저 계측기에 비해 유지, 보수가 용이하므로 인력 절감의 간접적인 경제 효과를 볼 수가 있으며, 파장을가변화할 수 있기 때문에 질소 산화물 및 일산화탄소 등에 국한되지 않고 CO2 등과 같은 연소 생성물과 OH, C2F6 , CF4등과 같은 기존의 계측기로는 불가능한 중간 생성물 및 특정 유해 물질의 계측까지 가능하다. 뿐만 아니라 계측 Parameter를 단순 농도 계측만 하는 것이 아니라 온도, 밀도, 유체의 속도 등과 같은 여러 변수를 계측할 수 있어 이 시스템을 광범위하게 적용할 수 있다.*기술성임의 파형 발생기를 이용하여 생성된 특정 주파수와 크기를 가지는 합성파를 반도체 다이오드 레이저 구동장치의 전류 연결부에 주입하여 레이저 소오스에 걸어주고, 수광부에서 흡수 영역을 통과한 투과 신호에서 조화 신호를 추출하는 기술을 정확히 파악하고 있고, 본 기술과 관련된 일부 기술을 보유 및 적용한 사례가 있어 국내개발업체들과 비교하여 기술적 우위를 점하고 있는 것으로 판단됨*시장성- 대기로 방출되는 유해 가스의 농도를 광으로 계측하기 위한 광계측 분야의 수요는 대기 오염 문제를 해결하기위해 향후 급속히 성장할 것이라고 예측되고 있음- 이러한, 핵심 방법은 임의파형 발생기, 콘트롤러, 서미스터, 열-전기 냉각기에 의해 레이저 소오스로부터 안정한 파장의 빔을 확보하는 단계이며, 향후 관련 기술이 개발되는 경우에는 효과적으로 시장에 진입할 가능성이높을 것으로 판단됨- 향후 충분한 수요처의 확보는 가능할 것으로 보이며, 수입대체 효과와 수출 제품에 장착될 가능성이 높을 것으로전망됨
- 보유기관
- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
본 기술은 스퍼터링 증착공정자체에서의 미립자 오염을 방지할 수 있는 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그리고 스퍼터링 증착공정 자체에서의 미립자 오염을 방지함으로써, 반도체, 액체표시소자등의 수율과 생산성을 높이는 것을 목적으로 한다.ㅇ 기술 요약 및 특징 본 기술은 스퍼터링 공정시에 벽면이나 전극위에 쌓인 증착물질이 작업중 튀어나와 미립자로 자라서 생기는 미립자오염을 방지하기 위한 것으로서, DC스퍼터링시에 사용되는 2전극외에 그 2전극사이의 외곽에 별도의 전극을 추가하고, 스퍼터링공정에서 추가전극에 일정전압을 인가한 상태에서 주 방전을 서서히 중단시킴으로써 추가전극에 미립자가 흡인되어 흡착되고 스퍼터링 장치나 증착목적물에는 흡착되지 않게 된다.
- 보유기관
- 서울대학교
- 등록일
- 2008-01-31
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일반기술
전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
본 발명은 반도체 패키지의 외관 검사를 위한 광학 시스템에 관한 것으로서, 카메라의 광축과 일치하는 광 경로로 피 검사체에 광을 조사하는 동축 조명 광원과, 피 검사체의 측면에서 일정 각도를 가지고 광을 조사하는 측사 사각 조명 광원과, 동축 조명 광원에서 출사하는 광을 피 검사체로 반사하는 빔 스플리터와, 동축 조명 광원 및 측사 사각 조명 광원에서 출사되고 피 검사체에서 반사된 광을 카메라에 집광시키는 광학 렌즈를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.본 발명에 의하면, 측사 사각 조명을 통해 VFLGA 패키지의 외관 검사 항목 중 Dimension(Width, Height), Diameter, Offset, Chamber Width, X-Mark 유무에 필요한 정보를 얻을 수 있고, 동축 조명을 통해 Align(dX, dY, dRx, dRy) 검사에 필요한 정보를 얻을 수 있으므로, VFLGA 패키지에 요구되는 검사를 성공적으로 수행할 수 있다.
- 보유기관
- 호서대학교
- 등록일
- 2008-09-25
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