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전기·전자 > 전자부품
*원리 및 개요 본 기술은 저온 Pd/Ge 옴 전극을 이용한 자기 정렬 게이트(self-aligned gate) 트랜지스터 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다. * 중요성 및 독창성GaAs 또는 InP 층을 포함하는 기판을 갖는 트랜지스터 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 게이트 전극 제작 후, Pd와 Ge를 차례로 증착하고 열처리하여 옴 전극을 제작하는 것을 특징으로 하는 본 기술의 방법에 따르면 보다 미세한 패턴으로 자기 정렬 게이트 전극을 제작할 수 있다.* 특징 및 장점1) 소자 분리를 위한 메사 에칭 공정을 실시하는 단계와 게이트 패턴을 형성시키고 게이트 리쎄스 에칭(단면적을 늘리는 것)을 한 후, Ti, Pt, Au를 차례로 증착하여 게이트 전극을 형성시키는 단계 2) Pd와 Ge를 차례로 증착시킨 후 열처리하여 소오드-드레인 옴 전극을 제작하는 단계를 차례로 포함하는 것을 특징으로 한다.*효과1) 전극 형성 전에 게이트 전극을 형성함으로써 보다 미세한 패턴으로 자가 정렬된 게이트 전극을 갖는 PHEMT 반도체 소자를 제조할 수 있다.2) 본 기술의 PHEMT 소자는 접촉저항 및 주파수 특성이 향상되어 통신용 소자 등에 유용하게 사용될 수 있다.
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-05-18
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전기·전자 > 전자부품
본 발명은 기판상에 다중벽(쉘/코어) 구조의 나노바늘이 접합된 구조체에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 기판상에 내열성 및 내식각성이 우수한 물질을 바늘형태로 증착 성장시킨 후 바늘 형태의 나노구조체상에 다양한 이종물질을 코팅시켜제조된 접합구조체는, 물리적, 화학적으로 안정하고, 한쪽 끝의 곡률반경이 수 나노미터 이하로 예리하고 표면적이 넓은나노바늘을 함유하여 이차전자 방출특성이 매우 우수하므로 PDP용 보호막 재료로서 유리하게 사용될 수 있다.본 발명에 따라 기판상에 수직 증착된 바늘 형태의 나노구조체에 다양한 이종물질을 코팅시켜 제조된 접합 구조체는 기계적, 열적으로 안정할뿐만 아니라 이차전자 방출 특성이 매우 우수하여 고효율, 저전력 소모 및 내구성이 뛰어난 PDP용보호막으로서 유리하게 이용될 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, PDP용 보호막 제조시 대량생산이 용이한 화학기상 증착법을 이용할 수 있다는 장점이 있어 향후 PDP 생산성도 향상시킬 수 있어 산업적, 기술적으로 아주 큰 가치를 가지고 있다.
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- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2006-04-13
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전기·전자 > 전자부품
*원리 및 구성본 기술은 통신 소자에 이용되는 신뢰성 높은 BAW(Bulk Acoustic wave)공진기를 제공하는 것으로, 압전성이 우수한 고분자 압전필름 PVDF (Polyvinylidene fluoride)를 기판 위에 본딩하여 공진기를 제작할 수 있다. 본 발명의 장점은 기존의 복잡한 박막형 공진기의 식각공정 및 다층 증착공정을 수행하지 않고도 쉽게 공진기를 제작한다는 점과 다양한 기판을 대체 하면서 구조가 간단하고, 제작이 용이한 공진기를 구현하여 통신소자의 공진기의 특성 및 신뢰성을 향상시키는 기술이다.*본 기술의 장점첫째, 압전체를 이용한 BAW(Bulk Acoustic wave)공진기로 FBAR(Film Bulk Acoustic wave 공진기를 대체하는 통신소자 응용이 가능하다.둘째, 분자 압전필름을 이용한 Bulk Acoustic Wave Resonator 제작은 2003년 가장 일반적으로 상용되고 있는 BPF와 DPX로 현재 세계 시장 규모 274억 달러 규모의 FBAR 시장성을 예측하고 있으며, 2006년에는 413억 달러로 통신소자에 적용될 예정이다.(자료출처:Navian 일본) 셋째, 기존의 박막공진기를 대체 할 수 있을 만큼의 잠재적 가능성을 가지고 있으며, 기존의 박막공진기는 삼성, LG, ANT, 에이질런트사에서 연구하고 있지만 상기의 제안내용으로 응용되어진다면 기업화 및 상품화에 큰 효과를 기대할 수 있다
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- 성균관대학교
- 등록일
- 2006-05-30
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전기·전자 > 전자부품
* 원리 및 구성 본 기술은 전기-음향 변환기용 마이크로 스피커 진동판에 관한 것으로서, 베이스판(100)의 표면 중앙에 고강성 박막(200)을 증착하거나, 중앙부(150)와, 이 중앙부(150)를 둘러싸는 주변부(160)로 구성하고, 중앙부(150)의 두께를 주변부(160)보다 두껍게 하거나, 강성이 높은 소재를 사용하여 국부적으로 기계적 강성을 높임으로써, 스피커의 음압상승에 대처하고 효율을 높이며, 고음질의 원음재생과 전주파수 대역에서의 음향을 원활하게 구현할 수 있다.* 배경 마이크로 스피커 진동판에 저온 플라즈마증착 및 소재-구조설계를 통하여 국부적으로 탄성율 및 강성율에 변화를 주어 중저음부의 음압을 강화시켜 고품질 음향구현을 이루는 진동판을 개발하고자 하였다.* 중요성 및 독창성 국부적 탄성 및 강성 제어를 통한 중저음부의 취약한 마이크로 스피커의 단점을 보완하였다* 적용제품 및 경쟁제품 핸드폰, PDA, 이어폰 등 음향관련 적용 * 주요 적용 제품 산업핸드폰, 이어폰 등 마이크로 스피커 적용분야* 특징 및 장점 - 첫째, 중앙부(150)의 두께를 주변부(160)보다 두껍게 하거나, 강성이 높은 소재를 사용하여 국부적으로 기계적 강성을 높임으로써, 스피커의 음압상승에 대처하고 효율을 높였다. - 둘째, 핸드폰 및 이어폰 등 크기의 제약으로 인하여 구현할 수 없었던 음질의 효과를 극복함으로써 기술 경쟁력 우위를 확보하였다.
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- 성균관대학교
- 등록일
- 2006-05-30
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전기·전자 > 전자부품
본 발명은 파이프라인 A/D변환기에 관한 것으로, 특히 스위칭 기법을 이용한 연산증폭기를 이용함으로써, 전력소모가 작고 고속 및 고해상도를 유지하므로 시스템의 소형화와 경량화로 휴대용 영상신호처리용 시스템의 구현이 용이한 스위칭 기법의 저전력 연산증폭기를 이용한 파이프라인 아날로그/디지털 변환장치에 관한 것이다.본 발명의 목적은 전력소모와 성능 간에 절충을 거친 후 연산증폭기의 전력소모를 최소화하기 위하여 스위칭 기법을 이용하여 전력소모 감소 효과를 볼 수 있도록 연산증폭기를 개발하여 적용한 스위칭 기법의 저전력 연산증폭기를 이용한 파이프라인 아날로그/디지털 변환장치를 제공하는 데 있다.본 발명에서는 전력소모와 성능 간에 절충을 거친 후 연산증폭기의 전력소모를 최소화하기 위하여 스위칭 기법을 이용한 연산증폭기를 CMOS A/D변환기에 이용함으로써, A/D변환기의 전력소모가 작을 뿐만 아니라 데이터의 고속처리 및 고해상도를 유지할 수 있는 이점이 있다.본 발명은 전원전압과 접지전압 사이에 전류통로가 직렬로 연결되고, 입력단에 인가되는 각 바이어스 전압에 응답하는 제 1 트랜지스터들; 상기 제 1 트랜지스터들과 병렬로 연결되되 제 1 트랜지스터들과 일대일로 대응되어 소정의 스위치를통해 입력단이 상호 연결되는 제 2 트랜지스터들; 상기 전원전압과 접지전압 사이에 전류통로가 직렬로 연결되고, 입력단에 인가되는 각 바이어스 전압에 응답하는제 3 트랜지스터들; 상기 제 3 트랜지스터들과 병렬로 연결되되 제 3 트랜지스터들과 일대일로 대응되어 소정의 스위치를 통해 입력단이 상호 연결되는 제 4 트랜지스터들; 상기 제 1 트랜지스터들 중 풀-업 트랜지스터 사이의 전류통로와 제 1 노드 사이에 전류통로가 연결되고 제 1 입력전압에 응답하는 N형 트랜지스터; 상기제 3 트랜지스터들 중 풀-업 트랜지스터 사이의 전류통로와 제 1 노드 사이에 전류통로가 연결되고 제 2 입력전압에 응답하는 N형 트랜지스터; 및 상기 제 1 노드와접지전압 사이에 전류통로가 연결되고 바이어스 전압에 응답하는 N형 트랜지스터;로 이루어진 스위칭 기법을 이용한 연산증폭기를 A/D변환기에 적용함으로써, 전력소모가 작고 고속 및 고해상도를 유지하므로 시스템의 소형화와 경량화로 휴대용영상신호처리용 시스템의 구현이 용이한 스위칭 기법의 저전력 연산증폭기를 이용한 파이프라인 아날로그/디지털 변환장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.
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- 인하대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명에서는 스로틀 밸브 위치 센서에서 페달의 위치를 예측 PID 제어기로 보내면 예측 PID 제어기에서는 H-Bridge 모터 드라이버에 전자식 스로틀 밸브용 DC 모터를 제어하기 위한 PWM(Pulse Width Modulation) 파형을 내보낸다. 스로틀 밸브의 위치는 다시 예측 PID 제어기로 피드백되고 페달 입력과 현재 밸브 위치의 차이에 따라서 예측 PID 제어기가 동작하게 된다. 예측 제어기에서는 스로틀 밸브 엑츄에이터의 다음 상태를 추정함으로써 보다 정확하고 빠르게 엑츄에이터의 위치 제어를 구현하게 된다.본 발명의 예측 PID제어기를 이용한 자동차 스로틀 밸브 엑츄에이터에 대한 효과는 다음과 같다. 본 발명에서는 예측 PID 제어기를 이용해서 자동차 스로틀 밸브 엑츄에이터의 다음 상태를 예측함으로써 엑츄에이터를 빠르게 정확하게 제어할 수 있으며 외란에 강인한 특성을 가지므로 자동차의 속도를 일정하게 유지하거나 필요 이상으로 증가되지 않도록 제어해야 할 때 퍼지 제어기나 PID 제어기를 적용한 경우보다 우수한 성능을 나타난다.
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- 부산대학교
- 등록일
- 2006-06-16
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
*원리 본 발명은 인가(Update) 동작부터 캡쳐(Capture) 동작까지 1 시스템 클럭이 걸리도록 하여 코아들 사이의 연결선 상에서 지연 고장 점검 테스트가 가능하도록 하고, IEEE 1149.1에 완전히 호환되도록 하여 IEEE 1149.1과 P1500에서의 표준 명령어인 EXTEST와 명령어만 틀릴 뿐 TMS 신호는 같도록 하여 지연 고장 점검 테스트를 용이하게 하고, 시스템 온 칩(SoC) 상에 서로 다른 코아들 중 IEEE 1149.1로 이루어진 코아와 P1500 래퍼로 이루어진 코아가 함께 있을 시에 정적인 고장 점검 테스트 뿐 아니라 지연 고장 점검 테스트도 수행할 수 있는 테스트 제어기를 제공하는 것이다.*독창성 보드 수준에서 칩 테스트만이 가능하였던 것을 시스템 온 칩 수준에서 IEEE 1149.1구조 코아와 P1500 구조의 코아가 존재하는 즉 이종코아 상에서 테스트 할 수 있도록 한 것으로 IEEE 1149.1의 탭 제어기의 TMS 신호 변경이 전혀 필요없고, 테스트 클럭과 시스템 클럭의 동기화가 맞추어지지 않거나 4배수가 아니어도 지연고장을 점검할 수 있다.*적용분야 및 시장성 IEEE 1149.1이 칩의 표준으로 된 후 모든 칩에는 IEEE 1149.1이 달려있고 시스템 온 칩 또한 칩이기 때문에 표준이 적용된다. 그런 칩 상태에서 IEEE 1149.1을 이용하여 이종 코아가 있는 시스템 온 칩(SoC) 상에서 정적인 고장 점검 테스트와 at-speed 테스트를 가능하게 하여 테스트 비용을 절감하며 시스템 온 칩(SoC) 상에서 여러 가지 다양한 테스트를 쉽게 할 수 있는 효과가 있으므로 시스템 온 칩 테스트에 많은 도움을 줄 것이다. *특징 본 발명은 IEEE 1149.1 과 P1500 의 이종 코아가 있는 시스템 온 칩 상에서 각 코아들의 정적인 고장 점검 뿐만 아니라, 이종 코아들의 연결선상에서 지연고장 점검이 가능하도록 하며, 지연 고장 점검을 위해 데이터가 인가된 후 1시스템 클럭 후에 캡쳐할 수 있도록 하면서 테스트 방법을 용이 하게 할 수 있도록 하였고 데이터 셀의 변경은 필요없이 탭 제어기만 변경할 수 있도록 하여 최소한의 회로 변경을 요구한다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 PCB의 광도파로 형성방법에 있어서, 하부 클래드에 광도파로 금형홈이 형성된 PDMS 스템프를 적충시키는 클래드 형성단계와 상기 적층된 클래드에 코어물질을 중력구배와 모세관력으로 충진시키는 코어충진단계와 상기 코어충진단계에 초음파에 의한 진동을 가하여 클래드 내부에 코어를 기밀충진시키는 초음파 인가단계와 코어가 충진된 클래드에 UV를 노광하여 코어를 경화시키는 코어경화단계와 상기 코어경화단계에 의하여 코어가 경화되면 상기 PDMS 스템프를 제거하여 상부 클래드를 적층시킬 준비를 하는 PDMS 스템프 제거단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 PCB의 광도파로 형성방법에 관한 것이다.본 발명에 의하여 광신호가 직접 도파되는 코어의 표면조도를 경화된 코어에 직접적으로 열처리 시키는 방법을 통하여 개선시킴으로써, 광도파로 내의 코어와 클래드 계면에서의 광 산란손실을 제거시킨 피시비의 광도파로 및 피시비의 광도파로 형성방법이 제공되는 이점이 있다.또한, 모세관력과 구배에 의한 중력 그리고 초음파의 인가에 의하여 PDMS와 하부 클래드와 표면 접촉특성 차이에 의해 발생되는 유동속도차가 극복되며, PDMS 스템프의 태생적인 표면거칠기에 의한 접촉각의 차이와 채널 간의 충진속도 차이로 인하여 먼저 충진된 채널로 나온 코어물질이 다른 채널의 출구를 막아서 출구가 폐쇄된 채널에서 코어가 전진하지 못하는 문제점을 극복되는 피시비의 광도파로 형성 방법이 제공되는 이점이 있다.
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- 부산대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 화장실용 디지털 장치에 있어서, 상기 화장실용 디지털 장치는 화장실 내에 설치되는 컴퓨터와, 상기 컴퓨터를 지지하는 지지장치를 포함하고, 상기 지지장치는 상기 컴퓨터의 위치 조절이 가능하도록 적어도 하나 이상의 관절을 포함하는 다관절 암인 것을 특징으로 하는 화장실용 디지털 장치에 관한 것이다.본 발명에 따른 화장실용 디지털 장치는 화장실 내에 설치되는 컴퓨터와, 컴퓨터를 지지하는 지지장치를 포함하여 구성된 화장실용 디지털 장치에 있어서 지지장치는 컴퓨터의 위치 조절이 가능하도록 다관절 암인 것을 특징으로 하여, 화장실에서 용변을 볼 때 컴퓨터를 사용할 수 있도록 하여 인터넷 정보 등을 볼 수 있게 하고, 책이나 신문 등을 볼 때에는 테이블의 기능도 함으로써 화장실에서의 시간을 효율적으로 보낼 수 있도록 하는 효과가 있다. 본 기술에 따른 화장실용 디지털 장치는 화장실 내에 설치되는 컴퓨터와, 컴퓨터를 지지하는 지지장치를 포함하여 구성된 화장실용 디지털 장치에 있어서 지지장치는 컴퓨터의 위치 조절이 가능하도록 다관절 암인 것을 특징으로 하여, 화장실에서 용변을 볼 때 컴퓨터를 사용할 수 있도록 하여 인터넷 정보 등을 볼 수 있게 하고, 책이나 신문 등을 볼 때에는 테이블의 기능도 함으로써 화장실에서의 시간을 효율적으로 보낼 수 있도록 하는 효과가 있다.
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- 한국과학기술원
- 등록일
- 2006-06-12
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 각각 정보 처리 및 표시 기능과 네트워크 기능을 가지며, 격자 형태로 배치된 다수의 스마트 노드(SMART NODE)를 포함하고,상기 다수의 스마트 노드는 격자 형태로 위치한 인접 노드와 상호 통신이 가능하며,상기 다수의 스마트 노드 중 기준이 되는 스마트 노드의 위치를 기준으로 나머지 스마트 노드의 위치가 결정되어, 상기 다수의 스마트 노드간의 상호 통신을 통해 상기 다수의 스마트 노드 각각이 자신의 노드 위치를 자동으로 인식하는것을 특징으로 하는 다중 스마트 노드 시스템에 관한 것이다.본 기술은 격자 형태의 다중 스마트 노드 시스템 및 그 시스템에서의 노드 위치 자동 인식 방법에 관한 것이다. 이러한 다중 스마트 노드 시스템은 각각 정보 처리 및 표시 기능과 네트워크 기능을 가지며, 격자 형태로 배치된 다수의 스마트 노드를 포함하고, 상기 다수의 스마트 노드는 격자 형태로 위치한 인접 노드와 상호 통신이 가능하며, 상기 다수의 스마트 노드 중 기준이 되는 스마트 노드의 위치를 기준으로 나머지 스마트 노드의 위치가 결정되어, 상기 다수의 스마트 노드간의 상호 통신을 통해 상기 다수의 스마트 노드 각각이 자신의 노드 위치를 자동으로 인식하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 기준이 되는 스마트 노드는 상기 격자 형태의 다수의 스마트 노드 중에서 좌측과 상측에 인접한 스마트 노드가 없는 스마트 노드인 것을 특징으로 한다. 본 기술에 따르면, 격자 형태로 배치된 다수의 스마트 노드들의 위치를 자동으로 인식하고, 노드들의 전체 위치 지도를 자동으로 생성하며, 새로운 노드의 추가 또는 존재하는 노드의 제거 등에 따라 위치 자동 인식 및 위치 지도의 업데이트를 효과적으로 수행할 수 있다.
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 연성 광 PCB를 이용한 광연결 장치로서,광신호를 전송할 수 있는 다층의 광도파로층을 포함하는 다층의 연성 재질 광 PCB와,상기 연성 광 PCB의 최상층에 위치되어 전기신호를 광신호로 변환시켜 상기 다층의 광도파로층으로 전송시키는 광송신모듈과,상기 광송신모듈로부터 출사된 광신호를 수신하여 전기신호로 변환시키는 광수신모듈을 포함하는 연성 광 PCB를 이용한 광연결 장치에 관한 것이다. 향후 고속, 대용량의 데이터가 요구되는 여러 응용분야에서 본 기술의 연성 광 PCB가 쉽게 적용될 수 있다.본 기술은 광신호를 전달할 수 있는 다층의 폴리머 광도파로층을 포함하는 연성 광 PCB를 이용한 광연결 장치에 관한 것이다. 즉, 본 기술에서는 연성 광 PCB의 구조에 의해 통상의 전기적인 연성 PCB로는 전송하기 어려운 고속의 신호를 전송할 수 있으며, 광결합 거리가 짧아서 마이크로 렌즈를 사용할 필요가 없고, 광송신 및 수신 모듈을 수동적인 정렬방법으로 조립이 가능하여 제조비용을 감소시킬 수 있게 된다. 또한 현재 핸드폰과 노트북 등과 같이, 경성한 기판 상에서 전기적인 연결만 가능한 연성 PCB도 사용하고 있는데, 향후 고속, 대용량의 데이터가 요구되는 여러 응용분야에서 본 기술의 연성 광 PCB가 쉽게 적용될 수 있다.
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 정전압원, 가변전압원 그리고 스위칭원이 가능한 IC 칩 기술이다. 1. 정 전압원 - 과전류 보호 회로 - 과열 보호 회로 - ON/OFF 기능 - Fixed, Adjustable Setting Output Mode 지원 (Vref 1 Pin, Vref 2 Pin) - Low Dropout : 100mV @ 150mA Ch1 100mV @ 150mA Ch2 - Shut Down Mode : 0.2uA Quiescent Current ( Max: 1uA ) - Input Voltage Range : 2.0V to 6.0V2. 가변 전압원 - 전압 출력세기 변화에 따른 적용시스템의 다양한 Application 및 Contents 지원 ( Ven1 Pin, Ven2 Pin ) 1) LED ( Key Backlight, LCD Backlight, Camera Light guide, Alert, Call..) - 사용자 제어에 따른 LED 밝기 조정 기능 효과: 시스템 사용자 선택에 따른 욕구충족, 소모전류 절감 간접지원 ) - LED밝기 자동제어화 가능 ( 예:주위 명암에 따른 LED밝기 변화 지원 ) ( 효과: 신개념 Concept 홍보, 소모전류 절감 간접지원...등 ) 2) 진동모터( Coin & Bar 형) - 음원에 반응하는 진동모드 구현 - 사용자 제어에 따른 진동세기 조절 가능 (효과: 조용한 장소에서 진동세기 쉽게 조정, 소모전류 절감 간접지원..등) - 진동세기 프로그램화 가능 (효과: 송신자 군별 차별화 가능, 게임기능에 최적화된 진동패턴 지원...등) - 진동세기 자동제어화 가능 (예: 주위 음압에 따른 진동세기 변화) (신 개념 기능 conception 홍보 ,소모전류 절감 간접지원 ..등) 3) 회전형 모터 회전속도 변화 구동원 4) 카메라 ( Acuator 형) 렌즈 구동원 - A/F 기능 구동원 ( 렌즈 1군 이동에 대해 1Ch 지원 ) - Optical Zoom 기능 구동원 ( 렌즈 2군 이동에 대해 2Ch 지원 ) 5) 카메라( Gear 형) 렌즈 이동속도 구동원 6) 시스템 양산성 향상 - 시스템 부품중 전압에 따른 부품 Lot 편차 발생시 효율적 대응 가능3. 스위칭원 - 스위칭원은 H-Bridge 회로로 하나의 제어신호에 따라 전류의 방향을 변화시키고 전류의 방향변화에 따라 동작을 달리하는 부하 및 개별 방향성 부하를 연결하여 시스템의 다양한 Application 및 Contents 지원 1) LED 연결 ( Toggle 기능) - 기능 Conception 시스템 홍보 2) 진동모터 ( 정방향,역방향 회전) - 동일 진동모터의 진동세기를 1.2~ 1.5배 상승 - 양방향 진동의 새로운 진동느낌 제공으로 게임기능에 최적 3) 회전형 모터 ( 정방향,역방향 제어) 4. 가변전압원 + 스위칭원 - 상기 각각의 가변전압원과 스위칭원 선택시 시스템의 보다 폭넓고 다양한 Application 및 Contents 제공 1) 진동모터 - 진동세기와 회전방향 변화 동시 제어 가능 2) LED - 불밝기와 타 LED군 Toggle 동시 제어 가능 3) 회전형 모터 - 회전 방향성과 회전속도 동시 제어 가능.
- 보유기관
- 경북기술이전센터
- 등록일
- 2006-08-09
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
n형 유기 반도체 화합물을 사용하여 세로형 유기트랜지스터를 제작하고, 그 밑에 고분자 발광층과 정공 주입층을 도입하여 단일 소자에서 발광을 구동할 수 있는 세로운 개념의 복합형 발광트랜지스터를 제작하였다. 본 연구로 인하여 향후 유기 태양전지 및 유기 전자소자분야의 연구 및 사업화에 큰 기여를 할 수 있으리라 기대된다. 또한 트랜지스터의 on/off ratio의 증가, 구동전압의 감소, 높은 양자효율로 인하여 시장성이 증가하였다. 본 연구로 인해 개발된 트랜지스터는 간단한 공정으로 제작이 가능하며 n형 활성물질을 트랜지스터의 제작에 이용함으로써 물질의 성능향상에 크에 기여하리라 생각된다.본 발명은 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 종래의 가로형 유기 박막 트랜지스터와 달리 ITO 드레인 전극 및 A1 소스 전극 사이에 A1 게이트 전극이 위치하며, 상기 전극 사이에 각각 적층되는 유기 반도체 화합물로 이루어진 유기 활성층을 포함하는 바, 상기 전극 및 유기 활성층 전체를 세로방향으로 적층함으로써, 저전압으로 고효율을 얻을 수 있으며, 특히 발광특성을 갖는 고분자 발광층을 유기 반도체 화합물의 저부에 간단히 적층하여 유기 발광소자를 제작할 수 있는 세로형 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 이 발명 기술을 통하여 전자캐리어 이동도가 우수한 n형 활성 유기물질을 사용하여 세로형 유기 트랜지스털르 제작하여 on/off ratio를 증가시켰으며 구동전압을 감소 시켰다. 또한 이를 이용하여 높은 양자효율을 가지는 발광 트랜지스터를 제작하였다.
- 보유기관
- 서강대학교
- 등록일
- 2006-09-29
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 판형 열전달 장치에 대한 것이다. 본 발명에 따른 판형 열전달 장치는, 열원과 열방출부 사이에 설치되며, 상기 열원에서 열을 흡수하면서 증발하고 상기 열방출부에서 열을 방출하면서 응축되는 냉매가 수용된 열전도성 판형 케이스; 및 상기 케이스 내부에 설치되며, 와이어들이 상하로 번갈아 교차되도록 직조된 한 층의 메쉬;를 포함하고, 상기 열원 근방에 있는 메쉬의 상기 교차지점으로부터 상기 와이어의 표면을 따라 증기 상 냉매의 확산유로가 형성되고, 상기 열방출부 근방에 있는 메쉬 격자로부터 상기 열원 근방에 있는 메쉬 격자 방향으로 와이어 진행방향을 따라 모세관 현상에 의한 액상 냉매의 유동유로가 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 판형 열전달 장치의 극박화가 가능하고 제조나 취급과정에서 인가되는 기계적 충격에 의해 장치가 변형되는 것을 방지할 수 있다.열원과 열방출부 사이에 설치되며, 상기 열원에서 열을 흡수하면서 증발하고 상기 열방출부에서 열을 방출하면서 응축되는 냉매가 수용된 열전도성 판형 케이스; 및 상기 케이스 내부에 설치되며, 와이어들이 상하로 번갈아 교차되도록 직조된 한 층의 메쉬;를 포함하고, 상기 열원 근방에 있는 메쉬의 상기 교차지점으로부터 상기 와이어의 표면을 따라 증기 상 냉매의 확산유로가 형성되고, 상기 열방출부 근방에 있는 메쉬 격자로부터 상기 열원 근방에 있는 메쉬 격자 방향으로 와이어 진행방향을 따라 모세관 현상에 의한 액상 냉매의 유동유로가 형성되는 것을 특징으로 하는 판형 열전달 장치
- 보유기관
- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2006-10-13
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 세로형 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 종래의 가로형 유기 박막 트랜지스터와 달리, ITO 드레인 전극 및 A1 소스 전극 사이에 A1 게이트 전극이 위치하며, 상기 전극 사이에 각각 적층되는 유기 반도체 화합물로 이루어진 유기 활성층을 포함하는 바, 상기 전극 및 유기 활성층 전체를 세로방향으로 적층함으로써, 저전압으로 고효율을 얻을 수 있으며, 특히 발광특성을 갖는 고분자 발광층을 유기 반도체 화합물의 저부에 간단하게 적층하여 유기 발광 소자를 제작할 수 있는 세로형 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 세로형 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 의하면, 채널길이가 짧아 전류 밀도가 커지게 되어 높은 전류특성을 보이는 바, 이러한 높은 전류특성은 평판 디스플레이의 구동소자로의 응용에 매우 적합하며, 낮은 주파수 영역에서 트랜지스터의 활용이 가능하여 소형의 전자 디바이스로의 활용이 가능하다. 특히 이동도가 우수한 n형 반도체 물질을 유기 활성층으로 사용할 경우 뛰어난 스위칭 특성을 보이는 효과가 있다.
- 보유기관
- 서강대학교
- 등록일
- 2006-11-08
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 모든 일반적 구조물의 크기 및 형태와 무관하게 그 구조물의 표면 평면성 및 만곡도의 변화를 마이크로파 신호를 이용함으로써 원격 감지 및 모니터링할 수 있는 렉테나 기반의 센서 어레이 시스템에 관한 것이다 . 이를 위해 구조물을 모니터링 및 측정하기 위한 마이크로파 렉테나 기반의 센서 어레이 시스템에 있어서, 센서 어레이가 다수의 센서 요소로 구성되어 있으며, 이러한 구성 센서 요소는 렉테나 요소를 보호하기 위한 박막 멤브레인을 포함하고 있으며, 렉테나 요소와 이 박막 멤브레인이 일체를 이루어 센서 요소를 형성하고 있는 렉테나 기반의 센서 어레이 시스템을 제공한다.본 기술의 목적은 상기한 종래 기술의 단점을 해결코자 하는 것으로, 대형 구조물의 형태 변화, 특히 표면을 정확히 모니터링 및 측정하는 것이다.본 기술에 따라서, 구조물의 어떠한 형태 변화도 측정 및 감지할 수 있을 뿐만 아니라 동시에 시간지연이 발생하지 않고 광학성의 차이 및 색상이나 온도의 변화에도 불구하고 이러한 측정 및 모니터링을 정확하게 수행할 수가 있다. 본 발명의 또하나의 특징은 대상 구조물의 어떠한 형상에도 용이하고 신축성 있게 부착할 수 있는 박막형의 신축성 센서 어레이를 제공하는 것이다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2007-01-03
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은, 브러시리스 직류 전동기의 역기전력이 제로가 되는 제로 크로싱 시점에 따라 상기 브러시리스 직류 전동기를 제어하는 방법으로서, 단계들 (a) 내지 (d)를 포함한다. 단계 (a)에서는, 브러시리스 직류 전동기가 구동된다. 단계 (b)에서는, 브러시리스 직류 전동기의 비여자상 전압(Va)이 일정한 비율로 변하는 직선의 1차 함수가 구해진다. 단계 (c)에서는, 상기 1차 함수가 사용되어, 브러시리스 직류 전동기의 비여자상 전압(Va)이 브러시리스 직류 전동기의 전원의 직류-링크 전압의 절반(Vdc/2)과 같아지는 제로 크로싱 시간(tZCP)이 계산된다. 단계 (d)에서는, 계산된 상기 제로 크로싱 시간(tZCP)이 사용되어 제로 크로싱 시점이 판단되고, 판단된 제로 크로싱 시점에 따라 브러시리스 직류 전동기가 제어된다.본 발명에 따른 브러시리스 직류 전동기의 제어 방법에 의하면, 상기 1차 함수를 이용하여 확률적으로 정확도가 높은 상기 제로 크로싱 시간(tZCP)이 계산되고, 계산된 제로 크로싱 시간(tZCP)이 사용되어 상기 제로 크로싱 시점이 판단된다. 이에 따라, 비여자상 전압의 스위칭 리플과 무관하게 제로 크로싱 시점이 검출되므로, 제로 크로싱 시점의 정확도가 높아질 수 있다. 본 발명은, 상기 실시예에 한정되지 않고, 청구범위에서 정의된 발명의 사상 및 범위 내에서 당업자에 의하여 변형 및 개량될 수 있다
- 보유기관
- 고려대학교
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 폴딩 비터비 검출기의 트렐리스를 4상태에서 2상태로 상태천이도를 간소화시켜고 ACS 회로와 PM 회로는ACS 회로와 PM셀의 크기를 줄여 하드웨어의 면적과 소비전력을 줄일 수 있는 것으로 비터비 검출기의 구조를 줄이기위해 제안된 폴딩 비터비 검출기보다 더 적은 수의 회로를 이용하여 비터비 검출기를 설계하고 폴딩 비터비 검출기에비해 ACS 회로 구성에 필요한 가산기와 증감기의 개수를 줄여서 PN 회로 구성에 필요한 멀티플렉서와 플립플롭의 개수도 반으로 줄임에 따라 회로의 칩 면적을 줄일 수 있고 사용자의 요구에 따라 그 변형이나 적용분야가 다양한 뛰어난효과가 있다.이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 비터비 검출기의 구조를 줄이기 위해 제안된 폴딩 비터비 검출기보다 더 적은 수의 회로를 이용하여 비터비 검출기를 설계하여 폴딩 비터비 검출기에 비해 ACS 회로 구성에 필요한 가산기와 증감기의개수를 줄였으며 PM 회로 구성에 필요한 멀티플렉서와 플립플롭으 개수도 반으로 줄임에 따라 회로의 칩 면적을 줄일수 있는 효과가 있으며 사용자가 요구에 따라 그 변형이나 적용분야가 다양한 효과가 있으므로 전자제조 산업상 매우유용한 발명인 것이다.
- 보유기관
- 고려대학교
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
선형뺄셈기를 이용한 저전력 전압 증폭기 및 이를 이용한 아날로그-디지털 변환기가 개시된다. 그 저전력 전압 증폭기는 두 개의 입력단자를 가지며, 두 입력단자의 신호의 차를 출력하되, 두 입력단자 중 하나는 전원전압과 연결되고 다른 하나는 제1입력신호와 연결되는 선형뺄셈기; 제2입력신호와 연결되는 게이트 단자, 접지와 연결되는 드레인단자, 및 출력신호와 연결되는 소스단자를 구비하며, 벌크노드가 그 소스단자에 연결되는 제1PMOS 트랜지스터; 및 선형뺄셈기의 출력단자와 연결되는 게이트 단자, 전원전압과 연결되는 소스 단자 및 제1PMOS 트랜지스터의 소스단자와 연결되는 드레인 단자를 구비하며, 벌크노드가 그 소스 단자와 연결되며, 제1PMOS트랜지스터의 소스-게이트 전압과 동일한 소스-게이트 전압을 갖는 제2PMOS 트랜지스터를 포함함을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 전력소모와 차지하는 면적을 효과적으로 줄일 수 있다. 특히 상기 저전력 전압증폭기를 이용한 아날로그-디지털 변환기에 의하면, 파이프라인 아날로그-디지털 변환기의 각 단에 종래의 연산증폭기를 이용한 잔여증폭기 대신 본 발명에 의한 선형뺄셈기를 이용한 전압증폭기를 이용할 경우, 전력소모와 칩 면적을 효과적으로 줄일 수 있다.본 발명에 따른 선형뺄셈기를 이용한 저전력 전압 증폭기에 의하면, 전력소모와 차지하는 면적을 효과적으로 줄일 수 있다. 특히 상기 저전력 전압증폭기를 이용한 아날로그-디지털 변환기에 의하면, 파이프라인 아날로그-디지털 변환기의 각 단에 종래의 연산증폭기를 이용한 잔여증폭기 대신 본 발명에 의한 선형뺄셈기를 이용한 전압증폭기를 이용할 경우, 전력소모와 칩 면적을 효과적으로 줄일 수 있다.본 발명에 따른 선형뺄셈기를 이용한 저전력 전압 증폭기에 의하면, 전력소모와 차지하는 면적을 효과적으로 줄일 수 있다. 특히 상기 저전력 전압증폭기를 이용한 아날로그-디지털 변환기에 의하면, 파이프라인 아날로그-디지털 변환기의 각 단에 종래의 연산증폭기를 이용한 잔여증폭기 대신 본 발명에 의한 선형뺄셈기를 이용한 전압증폭기를 이용할 경우, 전력소모와 칩 면적을 효과적으로 줄일 수 있다.
- 보유기관
- 고려대학교
- 등록일
- 2007-03-15
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전기·전자 > 전자부품
본 발명은 마이크로파 및 밀리미터파 대역의 높은 주파수를 이용하는 통신 시스템의 능동 소자로 사용되는 고전자이동도 트랜지스터(high electron mobility transistor, HEMT) 소자에 조절용 게이트(control gate)를 추가함으로써 음성미분저항(Negative Differential Resistance) 효과를 억제하고 소자의 선형특성을 향상시키는 방법이다. PHEMT에서 일반적인 음성미분저항 효과는 InGaAs 층과 같이 높은 전자이동도를 가지는 층에서 AlGaAs와 같이 낮은 전자이동도를 갖는 층으로 여기된 전자가 이동하면서 속도가 감소되거나, 건 효과(Gunn effect)로 인하여 전류-전압 특성에서 음성미분저항 효과가 나타난다. 전력 소자와 같은 응용 소자의 안정적인 동작을 위해서는 높은 드레인 인가전압에서 음성미분저항 효과에 의해 발생하는 마이크로파 발진을 억제하여야 한다.본 발명은 일반적인 부정합 고전자이동도 트랜지스터 구조에서 소스, 드레인, 게이트 외에 2개의 조절용 게이트를 형성함으로써 조절 게이트의 영역에서 매우 높은 전계가 형성된다. 이렇게 형성된 전계로 인하여 캐리어들의 충돌(scattering)현상이 발생하지 않게 되어 음성미분저항 효과가 없어지게 한다. 이러한 효과로 부정합 고전자이동도 트랜지스터의 선형 특성을 향상시켜 전력 소자와 같은 응용 소자의 안정적인 동작을 가능하게 한다.본 발명은 일반적인 부정합 고전자이동도 트랜지스터에 음성미분저항 효과를 억제하기 위한 조절용 게이트를 추가함으로 써 소자의 선형성을 증가시킨 음성미분저항 효과 억제용 부정합 고전자이동도 트랜지스터에 대한 것이다. 일반적인 부정합 고전자이동도 트랜지스터에서 일반적인 음성미분저항 효과는 InGaAs 층과 같이 높은 전자이동도를 가지는 층에서 AlGaAs와 같이 낮은 전자이동도를 갖는 층으로 여기된 전자가 이동하면서 속도가 감소되거나, 건 효과(Gunn effect)로 인하여 전류-전압 특성에서 음성미분저항 효과가 나타나지만, 본 발명에 따른 음성미분저항 효과 억제용 트랜지스터는 조절 게이트를 형성함으로써 드레인 조절 게이트의 영역에서 매우 높은 전계가 형성되고 이렇게 형성된 전계로 인하여 캐리어들의 충돌(scattering) 현상이 발생하지 않게 되어 음성미분저항 효과가 없어지게 된다.본 발명에 따른 음성미분저항 효과 억제용 트랜지스터는 소자의 선형성을 증가시킴으로써 전력증폭기 등의 전력소자에 응용에 안정적인 동작을 가능케 할 수 있다.
- 보유기관
- 효성특허법률사무소
- 등록일
- 2007-03-15
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