일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
박막전지 및 일렉트로크로믹 소자에 응용이 가능한 니켈 및 니켈 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로 전해질 용액을 제조하여 이 전해질 용액 내에 작업전극와 기준전극 및 상대전극을 담지하는 과정과, 상기 전해질 용액 내에서 편향 전압 전류법을 이용하여 상기 작업전극상에 니켈 박막을 증착하는 과정과, 특정 수용액 중에서 양극산화법을 이용하여 상기 니켈 박막상에 니켈 산화물 박막을 증착하는 과정을 포함하는 박막전지 및 일렉트로크로믹 소자용 박막의 제조방법 또는 전해질 용액을 제조하여 이 전해질 용액 내에 작업전극과 기준전극 및 상대전극을 담지하는 과정과, 상기 전해질 용액 내에서 전위스텝 시간대전류법을 이용하여 상기 작업전극상에 니켈 박막을 증착하는 과정과, 특정 수용액 중에서 순환전압 전류법을 이용하여 상기 니켈 박막상에 니켈 산화물 박막을 증착하는 과정을 포함하는 박막전지 및 일렉트로크로믹 소자용 박막의 제조방법을 제공한다.스퍼터링법, 플라즈마 화학 기상 증착법, 전자빔 증발법 등 종래의 전극 제조 방법의 단점을 개선하기 위하여 근래에 비교적 낮은 온도에서 높은 증착속도를 갖는 졸겔법을 사용한 박막의 제조기술이 제안되었지만 졸겔법의 경우 건조과정에서 표면에 균열이나 구멍 등이 형성되기 쉽고 얇은 박막의 제조가 어려운 문제점이 있었다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 나노기술의 발전에 따른 전기화학적 방법을 이용하여 박막을 제조함에 있어서 편향 전압 전류법과 양극산화법에 의한 연속적인 공정 또는, 전위스텝 시간대전류법과 순환전압 전류법에 의한 연속적인 공정을 통하여 낮은 제조비용과 함께 우수한 전기적 특성을 갖는 니켈 및 니켈 산화물 박막을 제조하는 방법을 제공한다
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로 변형된 p-형 전극구조를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드는 n-형 질화갈륨층, n-형 질화갈륨층상에 형성되며 내부 일면이 굴곡 처리된 p-형 질화갈륨층, p-형 질화갈륨층상에 형성되며 내부 일면이 굴곡 처리된 투명 전극, 투명 전극상에 형성되어 중심측의 일단의 모서리가 굴곡 처리된 p-형 전극, n-형 질화갈륨층상에 형성되며 상기 굴곡처리된 p-형 전극의 일단의 모서리와 인접하는 중심측의 모서리가 굴곡 처리된 n-형 전극으로 이루어져있다.높은 비저항값을 갖는 p-형 질화갈륨 박막은 발광소자의 구동시 p-형 질화갈륨 박막층에서 전류의 확산이 어려워져 결국 발광소자의 전기적 및 발광특성이 크게 저하되는 문제점이 있다. 높은 비저항값을 가지는 p-형 질화갈륨 박막층의 전류 확산을 용이하게 하기 위해 기존에는 p-형 질화갈륨 박막위에 얇은 투명전극을 전류확산층으로 사용하는 방법을 썼지만 투명전극의 얇은 두께는 상대적으로 큰 면저항을 야기시켜 고효율의 발광소자를 제작하기에는 어느정도 한계가 있었다. 기존의 문제점을 해결하기 위해 p-형 전극, 질화갈륨층 및 투명전극을 굴곡 형태로 변형시키고, 변형된 p-형 전극구조를 연장 처리하여 투명전극에서의 전류 확산효율을 극대화시킴으로서 전기적 특성 및 발광 특성이 우수한 발광 다이오드를 제조하였다
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
저유전자 재료는 반응성 말단기를 갖는 유기치환체의 실란화합물과 5-30nm 크기의 폐기공을 갖는 산화규소 에어로겔을 99:1 중량비로 포함하고 있으며 졸-겔 반응시켜서 얻는다.제조방법은 1)유기치환체를 갖는 실란화합물과 에어로겔을 99:1 내지 1:99 중량비로 혼합하는 단계 2)테트라알콕실란을 1)단계의 혼합물의 전체중량에 대해 0 내지 0.8 중량비로 혼합하는 단계 3)전체 알콕시 농도에 대하여 0.1 내지 1.0 당량의 증류수를 가하여 용매속에서 반응시키는 단계를 포함하는 방법에 의하여 저유전물질을 제조한다.유전재료는 1)기질에 도포하는 단계 2)상온에서부터 60도 사이에서 건조하는 단계 3)질소 분위기에서 250-500도에서 열처리하는 단계 4)상온에서 서서히 냉각하는 단계를 포함하여 초저유전박막의 제조에 이용될 수 있다.위의 제조방법에 의하여 집적회로칩세트(integrated circuit chip set) 디바이스를 제조할 수 있다최근의 다층구조를 갖는 고성능 집적회로의 크기가 점차로 작아짐에 따라 인터커넥트 커페시턴스와 저항에 의한 신호지연과 신호선 사이의 크로스토크 현상은 디바이스 성능향상에 있어 지대한 장애를 유발한다. 따라서 저유전 특성을 갖는 유전물질의 개발이 매우 중요하다.유전재료는 5-30nm의 폐기공을 갖고 유전율이 2.5 이하로 반도체 제조공정과 반도체 내구성에 요구되는 열안정성, 기계적 성질, 켐-멕 폴리싱(chem-mech polishing) 적합성, 에칭(etching) 특성, 계면접착성, 전기적 특성이 우수하다.따라서 정보전달, 정보처리 및 정보저장용 기기의 핵심부품에 사용되는 고성능 직접회로에 이용될 수 있다
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-05
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
다른 반도체 소자들(다이오드, 사이리스터, 트라이액 그리고 다른 소자)의 전자 기술과 무선 기술 소자 대치와 회로의 능동 소자에 의한 전압 100-1000V, 전류 1-100A 범위에서 동작하는 전력 하이브리드 회로(PHC)이다. 중간 전력과 고전력 고체 상태 전자 공학을 위한 분리 요소 사이의 고전압(1000V 그리고 그 이상) 절연을 제공하는 물리 기술적 기초이다. 이론적 허용 한계에 접근하는 쌍극(전하 캐리어의 형태) 소자 밀도를 가진 전력 집적 회로 실현과 설계를 위한 기술을 제안하였다. 가장 유사한 다른 제품과 비교하여 PHC는 국내외의 많은 회사들에 의해 생산되고 있으며 다른 반도체 소자와 비교하여 PIC는 일괄 기술에 의해 생산되며 규칙에 따라 하나의 단일 단결정으로 이루어진다. 중량과 크기는 1/4-1/10으로 감소시킬 뿐만 아니라 노동력과 재료가 적게 들어 다른 비슷한 제품에 비해 가격이 싸다. PIC 설계의 상업적 버전은 1개의 봉입물에 기초하여 10A의 전류에서 능동 소자와 1000V 전압과 20A 정류 전류에서 단상 다이오드 브리지 정류기로 연결되어 있다.중량과 크기는 1/4-1/10으로 감소시킬 뿐만 아니라 노동력과 재료가 적게 들어 다른 비슷한 제품에 비해 가격이 싸다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-14
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
미세 제작된 전극 배열상에 살아 있는 세포를 이용한 하이브리드 바이오 센서를 배양하였다. 각 전극들은 개별적으로 찾을 수 있고 전기적으로 감시하는데 사용할 수 있으며 따라서 개별 셀들의 심리적 특성들을 가진다. 작은 AC 전압이 전극에 인가된다. 전극 세포 배양에 매체 카운터 전극을 통한 전류가 감시되고 생물학적 시스템의 실수와 허수 임피던스에 관한 정보가 준비되어 있다. 이 임피던스 데이터로부터 세포막 캐패시턴스와 컨덕턴스 세포/기판 결합 가능한 활동 전위 파라미터(이온 채널 회절 격자의 동력학) 유도하는 것이 가능하다. 부가적으로 배열상의 세포의 위치는 전기적으로 결정할 수 있으며 지능을 제공하고 감시를 위한 자동화된 전극 사이트의 선택도 제공한다. 이 기술은 세포를 빠르게 많은 인구의 심리적 상태에서 변화 감시를 위한 잠재성을 가지고 있으며 독소 검출, 환경 검출, 약물 차단, 약물 발견을 통한 조정을 가능하게 해준다.세포막과 세포 환경에 관한 보다 상세한 정보가 가능, 생물학적 화학적 에이전트의 보다 빠른 차폐, 세포의 큰 무리 감시
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-02-27
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
이 센서는 포토레지스트 조사 공정 감시에 의한 리소그래피 공정 동안 실시간 정보를 마련하기 위하여 설계되었다. 이 방법은 레지스트막 탄성 특성에서 변환뿐만 아니라 레지스트/솔벤트 혼합의 유리 전이 온도 감시도 가능하다. 따라서 이 방법은 고장 검출 센서와 종단점 검출의 궁극적인 응용을 가진 조사 공정으로서 재료 특성 변화 측정에 대해 유용하다.초기 측정, 레지스트의 재료와 막특성의 밀도와 두께의 동시 측정
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-02-28
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
이진 데이터(2-PAM) 대신에 다중 레벨 펄스 진폭 변조기(N-PAM)의 사용은 보다 높은 데이터율 통신의 전송을 가능하게 할 것이다. 따라서 N-PAM 데이터 타이밍 복원을 미래 고속 링크를 위해서는 결정적이다. 이 위상 검출기는 초당 기가비트보다 큰 속도에서 송신하는 N-PAM 데이터 스트림의 위상 정보를 추출한다. 이 설계는 종래의 선형 데이터 PLL과 뱅뱅 루프의 장점으로 조합되어 있다. 이것은 영 시스템적 위상 오프셋 뿐만 아니라 루프 안정도와 대역폭도 좋다. 위상 검출기에 따라 주파수 취득을 이용한 수신기 데이터 복원 루프는 스탠포드 docket S98-185에서 시뮬레이션 되었음을 기술하였다. 이 시뮬레이션 결과는 데이터 타이밍이 최악의 데이터 패턴에 대하여 100ns초보다 작게 복원되고 있음을 보였다. 시제품 또는 0.25미크론 CMOS 기술로 제작되었다.표준 CMOS 기술에서 다중 레벨 데이터 패턴 제작을 위한 위상 검출 가능성
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-02-28
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
이 발명품은 표면상의 렌즈 위치를 위한 방법과 비구면 고체 침수 렌즈를 제작하기 위한 기법이다. 이같은 렌즈들은 다양한 크기로 제작될 수 있으며 극도로 소형인 렌즈들을 다중 배열에서 만들 수 있다. 이같은 렌즈들은 캔틸레버상에 위치하며 기판과 관련해서 렌즈의 초정밀 위치와 높이 제어를 가능하게 한다.광리소그레피의 기지의 방법을 이용한 비구면 SIL의 효율적인 제작, 광리소그래피, 렌즈의 다중 배열 생성과 고체적 생산
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-02-28
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
이 발명품은 공기에서 동작하는 용량성 마이크로머신 초음파 트랜스듀서(cMUTs)의 성능을 개선하였다. 단일 직경을 이용한 것과 대조하여 트랜스듀서의 형태로 다른 막직경 분포에 의해 cMUTs의 대역폭은 증가되었다. 그러나 다른 크기막의 성능은 준최적이 될 것이다. 이 발명품은 이러한 문제를 극복하기 위한 방법을 마련하였다.다른 크기막을 이용할 때 고성능 허용
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- 등록일
- 2001-03-01
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
이 발명품은 트랜스듀서의 2차원 배열에서 개별적인 요소와 접속하기 위한 관통 웨이퍼 비자 사용과 관계된다. 특별히 이 발명품은 마이크로머신 용량성 초음파 트랜스듀서의 접속과 관련이 있다.개별 요소와 결합하기 위한 관통 웨이퍼 사용
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-03-01
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
이 발명품은 단일 소자의 자기 유도 누화와 cMUT 배열 원소 사이의 누화 저감과 관련이 있다. 램브파의 경우에 하나의 접근법을 웨이퍼 두께의 변화에 위해 방사각의 변화와 효율의 감소이다. 고립파의 여기 효율은 에지 효과 감소를 위한 원소의 어포다이징에 의해 감소시킬 수 있다. 웨이퍼 에지 방향 또는 배열의 다른 원소를 위한 이들 파의 진행에 따른 차단 감쇄 은닉의 몇 가지 방법이 있다.누화 감소
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-03-01
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
이 발명품은 용량성 마이크로머신 트랜스듀서(cMUTs)를 동작하기 위한 DC 바이어스를 위한 필요성을 제거하는 소자 배열이다. cMUT의 표준 배열을 가진 다른 차이는 도체 또는 금속 조각 분리로부터 만들어진 다른 전극이 존재한다는 것이다.DC 바이어스 필요성 제거
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-03-01
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
이 발명품은 동일 레벨 또는 증가 레벨에서 전환된 기계적 에너지를 유지시키는 동안 소자에 저장된 정전 에너지 양 감소에 대한 용량성 초음파 트랜스듀서(cMUTs)의 성능 개선을 위한 방법을 제공한다. 따라서 트랜스듀서의 전자 기계적 결합 능력은 증가된다.전기 기계적 결합 능력 향상
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-03-01
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
이 발명품은 활성 캐패시턴스 비를 위한 기생 캐패시턴스 감소와 트랜스듀서 영역의 활성 몫을 증가함에 의한 침수 응용을 위한 용량성 마이크로머신 초음파 트랜스듀서(cMUTs)의 성능을 개선하기 위한 몇 개의 새로운 설계를 포함하고 있다.트랜스듀서 면적의 활성 부분 증가, 능동 캐패시턴스 정량에의 기생 캐패시턴스 감소
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-03-01
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
이 발명품은 초음파 영상 배열의 개별적인 요소의 단일 요소를 위한 용량성 마이크로머신 초음파 트랜스듀서(cMUTs)의 방사 패턴 형상을 위한 방법이다. 종래의 압전 배열 트랜스듀서와 같지 않게 2차원에서 특성 변화를 허용하지 않으며 cMUT 배열 트랜스듀서들은 소형막으로 제작되었다. 이들 빌딩 블록들의 특성은 리소그래픽 공정에 의한 개별적인 트랜스듀서 원소내에서 변화를 쉽게 할 수 있다. 따라서 배열의 개별적인 원소의 방사 패턴은 어포디제이션에 의해 조정할 수 있다.초음파 영상 배열의 개별적인 요소의 단일 요소를 위한 cMUT의 방사 패턴 정형 허용
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-03-01
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
공기에서 저주파와 광대역 초음파 여기와 검출이 가능한 용량성 마이크로머신 초음파 트랜스듀서(cMUT) 제작을 위한 새로운 방법을 기술하였다. 작은 변화막의 형성 대신에 cMUT의 주변에 따라 클램프되며 이들 트랜스듀서들은 점과 같은 지원에 의해 상대적으로 큰 막을 지원하여 형성되었다.공기에서 광대역 초음파 여기와 저주파 가능
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-03-01
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
이 발명품은 주사 탐침자 리소그래피를 위한 일정 전류원으로 동작하기 위한 AFM 캔틸레버 속으로 트랜지스터를 집적하는 것이다. 이 트랜지스터는 활동 전류 피드백 회로에 대하여 필요성을 제거하고 방사 전류를 안정화한다.약 25nm 크기 패턴 차원
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-03-01
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
이 기법은 서브미크론 차원의 소자 IC 반도체에서 전기적 집중과 도핑의 측정 개선이다. 이 발명품은 개선된 트랜지스터 성능과 준 0.1 미크론 트랜지스터를 위한 보다 소형인 설계 규칙 개발을 위해 사용할 수 있다.준 0.1 미크론 소자 설계와 시험이 가능한 2차원 캐리어 프로파일링을 허용하는 샘플의 원래 표면으로부터 떨어진 곳에서 자동적으로 표면 평활 왜곡 자유 측정
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-03-01
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
이 발명품은 광의 양자 기계적 상태의 영역이다. 정규 단일 관자의 스트림을 만들기 위한 소자 개발이 목적이다.잘 조절된 시간 구간에서 단일 광자 생산, 사용 편리, 소형 크기, 광섬유와 같은 곳에서 광자 수집 용이, 광자 방사율 조절 가능
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-03-01
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
이 발명품은 광의 양자 기계적 상태의 영역이다. 정규 단일 관자의 스트림을 만들기 위한 소자 개발이 목적이다.잘 조절된 시간 구간에서 단일 광자 생산, 사용 편리, 소형 크기, 광섬유와 같은 곳에서 광자 수집 용이, 광자 방사율 조절 가능
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2004-11-26
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