산업기술 통합검색
본 기술은 초미세 결정립 Mo 스퍼터링 타겟의 제조방법 및 이로써 얻어진 Mo 스퍼터링 타겟에 관한 것으로 원료 분말로 나노 크기의 Mo 분말을 이용하여 스퍼터링 타겟을 제조시, 고온에서 단시간 및 저온에서 장시간에 걸친 2단 소결 공정을 수행하는 초미세 결정립 Mo 스퍼터링 타겟의 제조방법 및 이로써 얻어진 Mo 스퍼터링 타겟에 관한 것이다.본 기술은 원료 분말로 나노 크기의 Mo 분말을 이용하여 스퍼터링 타겟을 제조시, 고온에서 단시간 및 저온에서 장시간에 걸친 2단 소결 공정을 수행하는 초미세 결정립 Mo 스퍼터링 타겟의 제조방법을 제공한다.또한 본 기술은 상기 방법으로 제조된 Mo 스퍼터링 타겟을 제공한다.
본 기술은 ZnS계 스퍼터링 타겟의 제조방법 및 이로써 얻어진 ZnS계 스퍼터링 타겟에 관한 것으로, ZnS 단독 또는 ZnS-SiO2 혼합 분말을 방전 플라즈마 소결 공정을 수행하여 ZnS계 스퍼터링 타겟의 제조방법 및 이로써 얻어진 ZnS계 스퍼터링 타겟에 관한 것이다.본 기술은 ZnS 단독 또는 ZnS-SiO2 혼합 분말을 방전 플라즈마 소결 공정을 수행하여 ZnS계 스퍼터링 타겟의 제조방법을 제공한다.또한 본 기술은 상기 방법으로 제조된 ZnS계 스퍼터링 타겟을 제공한다.본 기술에 따른 방전 플라즈마 소결 공정은 종래 열간 압축법과 비교하여 단시간으로 수행하여 결정립이 미세화된 고밀도의 소결체의 제조가 가능하고, 기계적 특성이 향상된 스퍼터링 타겟의 제조를 가능케 한다.
본 기술은 저온분사 코팅을 이용하여 다이아몬드 공구를 제조하는 방법에 관한 것으로서 종래 다이아몬드 공구를 저온분사 방법으로 제조할 때 입자들간에 충돌이 발생하여 입자의 파괴 등이 발생하므로 균일한 계면을 얻기 어려웠던 문제를 해결함으로써 저온분사 코팅을 통하여 균일한 조직을 갖춘 다이아몬드 공구를 제조하는 방법을 제공하는 방법에 관한 것이다.본 기술의 저온분사 코팅 방법은 다이아몬드 입자와 본드 메탈 입자를 기판에 저온분사 코팅하여 다이아몬드 공구를 제조하는 방법에 있어서, 다이아몬드 입자로서 금속 박막이 코팅된 다이아몬드 입자를 사용하는 것을 특징으로 한다.본 기술에 따르면 다이아몬드 입자 표면에 금속 박막을 형성하여 저온분사코팅을 실시하기 때문에 입자 충돌이 발생하여도 금속박막에 의해 충격에너지가 흡수되어 입자가 파괴에 까지는 이르지 않으며 또한 열적인 손상도 방지할 수 있기 때문에 균일하고 품질이 안정된 코팅층이 형성된 다이아몬드 공구를 제공할 수 있다.
본 기술은 알부민을 이용한 전도성 고분자의 제조방법 및 이로써 제조된 수분산된 전도성 고분자에 관한 것으로 알부민이 분산된 수용액과 전도성 고분자의 단량체를 첨가하고, 수용액에 산화제를 첨가하여 중합반응을 수행하고, 얻어진 반응물을 투석하여 수분산된 전도성 고분자를 제조하는 방법과, 이로써 제조된 수분산된 전도성 고분자에 관한 것이다. 본 기술은 알부민이 분산된 수용액에 전도성 고분자의 단량체를 첨가하고, 수용액에 산화제를 첨가하여 중합반응을 수행하고, 얻어진 반응물을 투석하여 수분산된 전도성 고분자를 제조하는 방법을 제공한다.또한 본 기술은 방법으로 제조되는 수분산된 전도성 고분자를 제공한다.본 기술에 따른 방법은 종래 물에 대한 용해도가 전혀 없는 전도성 고분자를 물에 용해가 가능한 형태로 제조하여, 전도성 고분자의 응용범위를 더욱 넓힐 수 있다.
본 기술은, 금속염과 폴리머의 혼합 용액을 형성하는 단계와, 전기방사법으로 노즐과 컬렉터 사이의 전위차를 이용하여 노즐을 통해 혼합 용액을 방사하여 컬렉터에 금속염과 폴리머 성분으로 이루어진 섬유를 채집하는 단계와, 채집된 섬유를 폴리머가 열분해되는 온도보다 높은 온도에서 열처리하여 폴리머 성분이 제거되고 금속이 산화된 금속산화물 섬유를 형성하는 단계 및 금속산화물이 금속으로 환원되게 금속산화물 섬유를 환원 가스 분위기에서 열처리하여 금속 섬유를 형성하는 단계를 포함하는 금속 섬유의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 금속 섬유에 관한 것이다. 본 기술에 의하면, 1차원의 섬유상을 이루면서 각형비가 커서 필터 멤브레인, 광화학 센서 소재, 전자파 흡수재 등으로 사용이 가능한 금속 섬유를 공정이 간단하게 대량 생산할 수 있다. 본 기술에 의하면, 1차원의 섬유상을 이루면서 각형비가 커서 필터 멤브레인, 광화학 센서 소재, 전자파 흡수재 등으로 사용이 가능한 금속 섬유를 제조할 수 있다. 또한, 본 기술에 의하면, 제조 공정이 간단하고 대량 생산이 가능하다.
본 기술은 금속 또는 금속 산화물 나노 입자를 형성하는 방법에 관한 것으로 절연체 내부에 금속 또는 금속 산화물 나노 입자를 형성하는 방법, 이를 이용한 나노 입자 및 다양한 소자와 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 기술에 따른 나노 입자 형성 방법에서는 절연체 전구체, 금속 분말 및 산(acid)이 첨가된 혼합물을 기판 상에 도포하여 막을 형성한 다음, 이 막을 큐어링하여 절연체 내부에 포함된 나노 입자를 형성한다. 또는 기판 위에 증착된 금속 박막 위에 산을 첨가한 절연체 전구체를 도포하여 막을 형성한 다음, 이 막을 큐어링하여 절연체 내부에 나노입자를 형성시킬 수 있다. 본 기술에 따르면, 산 첨가에 의해 종래보다 고밀도의 나노 입자를 형성시킬 수 있다. 본 기술에 따른 나노 입자 형성 방법의 일 태양은 절연체 전구체, 금속 분말 및 산(acid)이 첨가된 혼합물을 기판 상에 도포하여 막을 형성하는 단계 및 막을 큐어링하여 절연체 전구체로부터 절연체를 형성하고 절연체 내부에 금속 분말로부터 나노 입자를 형성하는 단계를 포함한다.
본 기술은 암체어형 탄소나노튜브 및 이를 포함하는 장치에 관한 것으로 탄소나노튜브 내 질소가 일렬로 위치하도록 도핑되어, 장축 방향의 응력에 의해 밴드 구조가 변화하여 나노 센서, 반도체 장치 등에 적용 가능한 암체어형 탄소나노튜브와 이를 포함하는 장치에 관한 것이다.본 기술은 탄소나노튜브 내 질소가 일렬로 위치하도록 도핑되어, 장축 방향의 응력에 의해 밴드 구조의 변화가 발생하는 암체어형 탄소나노튜브를 제공한다.
본 기술은 박막 형성방법에 관한 것으로, 특히 원거리 플라즈마 원자층 증착 또는 원거리 플라즈마 화학기상증착에서 DC 바이어스를 적용하여 박막 품질을 향상시키고 선택적으로 트랩 사이트의 수를 제어하는 박막 형성방법에 관한 것이다.기판 위에 고유전 산화막의 박막을 형성하는 방법으로서, DC 바이어스를 인가한 원거리 플라즈마 원자층 증착 또는 원거리 플라즈마 화학기상증착으로 상기 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다.게이트 산화막이나 고유전 산화막 성장시 플라즈마 밀도가 높고 이온의 영향을 극소화한 원거리 플라즈마 원자층 증착법 또는 화학기상증착법을 실행함으로써 박막 밀도가 높고 누설전류가 적은 박막을 성장시킬 수 있다.
본 기술은 자기조립 다층 분자막의 제조방법에 관한 것이다.본 기술은, (S1) 기판 표면에 분자층 증착법(MLD; Molecular Layer Deposition)을 이용하여 기상 반응에 의해 자기조립 유기 단분자막을 형성하는 단계, (S2)기판을 UV/O3 또는 O3로 처리하여 자기조립 유기 단분자막의 말단기를 -OH 또는 -COOH로 치환하는 단계 및 (S3)자기조립 유기 단분자막 상에 원자층 증착법(ALD; Atomic Layer Deposition)으로 금속 전구체를 반응시켜 금속 수산화물 단분자층을 형성하는 단계를 수행하되 (S1) 내지 (S3) 단계를 1사이클로 하여 반복 수행하는 자기조립 다층 분자막의 제조방법에 대한 것이다.
본 기술은 박막 형성방법에 관한 것으로, 특히 원거리 플라즈마 원자층 증착 또는 원거리 플라즈마 화학기상증착에서 DC 바이어스를 적용하여 박막 품질을 향상시키고 선택적으로 트랩 사이트의 수를 제어하는 박막 형성방법에 관한 것이다.기판 위에 고유전 산화막의 박막을 형성하는 방법으로서, DC 바이어스를 인가한 원거리 플라즈마 원자층 증착 또는 원거리 플라즈마 화학기상증착으로 상기 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다.게이트 산화막이나 고유전 산화막 성장시 플라즈마 밀도가 높고 이온의 영향을 극소화한 원거리 플라즈마 원자층 증착법 또는 화학기상증착법을 실행함으로써 박막 밀도가 높고 누설전류가 적은 박막을 성장시킬 수 있다.
본 기술은 자기조립 다층 분자막의 제조방법에 관한 것이다.본 기술은, (S1) 기판 표면에 분자층 증착법(MLD; Molecular Layer Deposition)을 이용하여 기상 반응에 의해 자기조립 유기 단분자막을 형성하는 단계, (S2)기판을 UV/O3 또는 O3로 처리하여 자기조립 유기 단분자막의 말단기를 -OH 또는 -COOH로 치환하는 단계 및 (S3)자기조립 유기 단분자막 상에 원자층 증착법(ALD; Atomic Layer Deposition)으로 금속 전구체를 반응시켜 금속 수산화물 단분자층을 형성하는 단계를 수행하되 (S1) 내지 (S3) 단계를 1사이클로 하여 반복 수행하는 자기조립 다층 분자막의 제조방법에 대한 것이다.단시간 내에 고품질의 다층 분자막을 제조할 수 있으며, 자기조립 유기 단분자막 사이에 금속 수산화물 단분자층이 물리적이 아닌 화학결합으로 결합되어 다층 분자막이 보다 안정화될 수 있다. 반도체 또는 전자소자 제조를 위한 나노패터닝, 화학적 센서 및 생체 센서, 나노트라이볼로지, 표면 개질, 나노전자기계 시스템(NEMS), 마이크로전자기계 시스템(MEMS), 비휘발성 메모리 등 다양한 분야에 응용이 가능하다.
본 기술은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 특히 상온 강자성 반도체 소자 제조 방법 및 그에 의해 제조된 반도체 소자에 관한 것이다. 본 기술의 일 측면에 따르면, 상온 강자성 반도체 소자 제조 방법을 제시할 수 있다. 반도체 소자 제조 장치가 상온 강자성 반도체 소자를 제조하는 방법에 있어서, 스퍼터링 증착 방식에 의해 챔버 안에서 기판 상에 타겟 물질을 박막 증착하여 반도체 박막을 형성하는 단계, 반도체 박막에 도너 역할을 수행하는 이온화된 수소를 주입하는 단계 및 수소가 주입된 반도체 박막을 미리 설정된 온도하에서 열처리하여 재결정화하는 단계를 포함하는 상온 강자성 반도체 소자 제조 방법이 제시된다. 본 기술에 따른 상온 강자성 반도체 소자 제조 방법 및 그에 의해 제조된 반도체 소자는 다결정 자성반도체에 이온주입장치를 이용하여 수소이온을 주입하고, 낮은 온도의 급속 열처리를 통해, 기존의 강자성 특성은 그대로 유지하며, 전하이동도를 높일 수 있는 효과가 있다.
본 기술은 미세 패턴의 상부가 노출되며, 편평한 기판 표면을 갖도록 a) 플라스틱 기판 상에 포토리소그래피 공정으로 박막 형태의 돌출된 금속 미세 패턴을 형성하는 단계, 및 b) 플라스틱 기판을 가열 및 가압하여 돌출된 금속 미세 패턴을 플라스틱 기판 내로 매립하는 단계를 포함하는 플라스틱 기판 상의 미세 패턴 형성방법에 관한 것이다.본 기술에 의해 금속 미세 패턴이 플라스틱 기판 표면에 그 어떤 요철을 형성하지 않음에 따라, 금속 미세 패턴이 유체와 접촉하는 경우 와류가 형성되지 않는다.본 기술에 따른 플라스틱 기판 상의 미세 패턴 형성 방법은 금속 미세 패턴의 상부가 노출되며 편평한 기판 표면을 갖도록, 플라스틱 기판 상에 포토리소그래피 공정으로 박막 형태의 돌출된 금속 미세 패턴을 형성하는 단계 및 플라스틱 기판을 가열 및 가압하여 돌출된 금속 미세 패턴을 플라스틱 기판 내로 매립하는 단계를 포함한다.본 기술에 따른 플라스틱 기판은 각종 전기전도도 검출기, 전류법 검출기, 바이오 센서, 온도 감지 센서, 마이크로 방열기, 반응장치 등 플라스틱 칩 위에서 구현할 수 있는 랩온어칩(lab-on-a-chip)과 플렉서블 디스플레이(flexible display) 등의 플라스틱 기판 상에 금속배선이 구현되는 모든 장치에 적용된다.
본 기술은 탄소 나노튜브를 이용한 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 기술에 따른 메모리 소자는, 기판, 기판 상에 형성된 게이트 절연막, 게이트 절연막 상에 형성되고 탄소 나노튜브로 이루어진 전하포획층, 전하포획층 양측의 기판 내에 형성된 소스와 드레인 및 전하포획층, 소스와 드레인 상에 각각 형성된 전극을 포함한다. 이러한 메모리 소자의 제조 방법에서는, 용매에 분산시킨 탄소 나노튜브를 기판에 스핀코팅하여 탄소 나노튜브로 이루어진 전하포획층을 형성한다. 본 기술에 따른 메모리 소자는 소자의 동작이 기본의 플래시 메모리 소자와 거의 동일하기 때문에 기존의 구동 회로를 재활용할 수 있는 장점이 있다. 본 기술에 따른 메모리 소자 제조 방법은 기존의 무기물을 사용한 플래시 기억 소자에 비해 훨씬 간단하며 제작 비용과 공정 시간을 최대한 단축시킬 수 있다.
본 기술은 원자 힘 현미경 리소그래피 기술을 이용한 박막 패턴 제작 방법에 대한 것으로서 원자 힘 현미경의 음극 산화 리소그래피 방법을 이용하여 일정 식각 선택비를 갖는 두 층의 박막 중 상층 박막에 대하여 산화물 패턴을 형성하고, 산화물 패턴과 하층 박막을 차례로 건식 식각함으로써, 박막 패턴의 깊이를 획기적으로 증가시키고, 기존의 나노 패턴 리소그래피를 위한 유기물 레지스트 및 고 진공 환경을 필요로 하지 않는 박막 패턴 제작 방법에 관한 것이다.본 기술인 원자 힘 현미경 리소그래피 기술을 이용한 박막 패턴 제작 방법에 의하면, 레지스트의 코팅, 현상 제거 등의 공정 단계를 제거할 수 있으므로, 간편하고 저렴한 공정을 통해 박막 패턴을 제작할 수 있고, 레지스트 두께에 따른 패턴의 해상도 변화가 일어나지 않으며, 원자 힘 현미경을 활용함으로써 수 Å단위의 미세한 조작이 가능하고, 곡선과 같은 복잡한 패턴의 제작이 가능하다.
본 기술은 오스테나이트 내침식 철계 합금에 관한 것으로 1.5∼2.0 중량%의 C, 0.2∼1.5 중량%의 Si, 16∼25 중량%의 Cr, 10∼15 중량%의 Mn, 0.1∼0.4 중량%의 B, 및 잔부로 Fe을 포함하는 오스테나이트 내침식 철계 합금에 관한 것이다.오스테나이트 내침식 철계 합금은 Mn과 함께 B을 첨가하여 변형유기 마르텐사이트 상변태를 촉진시켜 종래 고가의 합금과 비교하여 캐비테이션 저항성이 크게 향상됨에 따라, 별도의 표면 처리를 수행하지 않더라도 해수용 펌프, 임펠러, 선박용 러더 뿐만 아니라 증기터빈 부소재, 밸브류, 펌프 샤프트 등 캐비테이션 침식이나 마식에 의한 손상이 심한 부품에 적용된다.본 기술은 1.5∼2.0 중량%의 C, 0.2∼1.5 중량%의 Si, 16∼25 중량%의 Cr, 10∼15 중량%의 Mn, 0.1∼0.4 중량%의 B, 및 잔부로 Fe을 포함하는 오스테나이트 내침식 철계 합금을 제공한다. 여기서, 오스테나이트 철계 합금은 변형 유기 마르텐사이트 상변태가 가능하며, 1.6∼1.8 중량%의 C, 0.9∼1.1 중량%의 Si, 19.1∼20.7 중량%의 Cr, 10.1∼10.9 중량%의 Mn, 0.2∼0.3 중량%의 B, 및 잔부로 Fe을 포함할 수 있다.또한, 오스테나이트 내침식 철계 합금은 Fe-20Cr-1.7C-1.0Si의 합금과 10∼15 중량%의 Mn 및 0.1∼0.4 중량%의 B을 포함한다.본 기술에 따른 오스테나이트 내침식 철계 합금은 Fe-Cr-C-Si 철계 합금에 Mn 및 B을 첨가하여 내마모성뿐만 아니라 캐비테이션 저항성을 크게 향상시키고 가공성이 우수할 뿐만 아니라 종래 고가의 합금에 비해 내구성이 우수하며 경제적이다.
ㅇ 본 기술의 목적: 규산염 점토의 층 전하밀도를 조절한 후 무기 다핵 착이온과 이온 교환 반응시키고 열처리하므로써 동공 크기 및 비표면적이 제어된 규산염 점토 다공체를 제조한다. ㅇ 기술 요약 및 특징: 본 기술은 동공 크기 및 비표면적이 제어된 규산염 점토 다공체의 제조 방법에 관한 것이으로, 규산염 점토 다공체의 동공 크기 및 비표면적을 제어하기 위해 규산염 점토의 층 전하밀도를 조절한 후 무기 다핵 착이온과 이온교환 반응시키고 열처리하여 규산염 점토 다공체를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 기술은 구리산화물 또는 구리 나노와이어로 이루어진 전자방출 팁의 저온 형성 방법 및 이 방법에 의해 제조된 전자방출 팁을 포함하는 디스플레이 장치 또는 광원제조에 관한 것이다.○ 기술 요약 및 특징: 구리산화물 또는 구리 나노와이어로 이루어진 전자방출 팁의 저온 형성 방법 및 이 방법에 의해 제조된 전자방출 팁을 포함하는 디스플레이 장치 또는 광원을 제공한다. 노출된 구리 표면을 가지는 기판을 제공한 후, 구리 표면을 100℃ 이하의 저온으로 유지되는 산화 용액과 접촉시켜 기판 표면에 구리산화물 나노와이어들을 성장시킨다. 선택적으로, 구리산화물 나노와이어들에 환원 가스를 공급하여 구리산화물 나노와이어들을 구리 나노와이어들로 환원시킨다. 본 기술에 따르면, 구리산화물 또는 구리 나노와이어로 이루어진 전자방출 팁을 전자방출에 적합한 모양과 길이를 지니도록 저온에서 고밀도로 형성할 수 있음.
본 기술은 미소기계(MEMS) 소자의 진공 실장방법 및 이 방법에 의해 제조된 미소기계소자에 관한 것으로 오링을 이용하여 진공상태에서 미소기계소자를 진공 실장하는 방법 및 이 방법에 의해 제조된 미소기계소자에 관한 것이다. ○ 기술 개요 및 특징: 오링을 이용하여 진공상태에서 미소기계소자를 실장하는 방법 및 이 방법에 의해 진공 실장된 미소기계소자가 개시된다. 본 기술의 미소기계소자의 진공 실장 방법은 동공이 형성된 기판과 미소기계소자가 형성된 하부기판을 준비하여 진공챔버에 인입하고, 하부기판의 미소기계소자의 가장자리 상에 오링을 개재하여 하부기판과 상부기판을 정렬한 한 후에 상부기판과 하부기판 사이에 압력을 가하여 오링이 상부기판과 하부기판 사이에서 압착하게 한다. 이어서, 진공챔버를 벤트(vent)시켜서 진공과 대기압의 압력차이로 상부기판과 하부기판을 진공실장하고, 상부기판과 하부기판 사이의 압력을 제거한다. 본 기술은 동공의 가스누설과 동공 내로의 가스방출이 없으면서도 공정이 간단하게 미소기계소자를 진공실장할 수 있다.
본 기술은 마그네슘 합금과 제품의 제조과정 및 성형과정에서 반응고/반용융 상태의 슬러리를 제조한 후 성형하는 단계에서 초정입자의 주위에 연속적으로 부식 장애물 역할을 하는 제 2 상을 생성시키는 내식성이 우수한 마그네슘 합금 및 제품의 제조방법에 관한 것으로 마그네슘 합금 및 제품을 용해된 상태에서 응고시키는 동안 고액공존상태에서 교반하여 합금 슬러리를 형성시키는 단계와 합금 슬러리를 이용하여 제품을 성형하는 단계와 성형제품을 100∼350℃의 온도범위에서 열처리하는 단계로 구성되는 반응고 공정을 이용한 제조방법과, 마그네슘 합금 및 제품을 고상에서 재가열하여 고액공존상태에서 등온유지한 후 성형하는 단계와 성형제품을 100∼350℃의 온도범위에서 열처리하는 단계로 구성되는 반용융 공정을 이용한 제조방법을 제공함으로써 마그네슘 합금 및 제품의 내식성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. ㅇ기술 요약 및 특징 : 마그네슘 합금 및 부품의 제조공정에서 용해된 상태에서 응고시키는 반응고 과정이나 고상에서 재가열하여 액상으로 용해되는 반용융 과정의 고액 공존 영역에서 적정한 시간 동안 유지하거나 교반을 행하여 구형 또는 장미형의 초정입자와 액상이 혼재된 슬러리를 형성한 후 재응고 시킴으로써 부식의 장애물 역할을 하는 제 2 상을 초정입자 주위에 생성시켜 내식성이 우수한 마그네슘 합금의 제조방법을 제공한다.