일반기술
전기·전자 > 기타 전기시스템
<원리 및 구성>본 기술은 각 상전류를 검출하고, 이를 연산하여 영상전류를 구한 후 각 상전류 및 영상전류의 실효값은 각각을 위한 4개의 뉴로퍼지 네트워크에 입력시켜 동작시킴으로써, 전력계통의 송전선로나 배전선로에서 단락 및 지락 등의 고장이 발생할 경우에 그 고장을 신속하고 정확하게 검출 및 판별하여 처리할 수 있도록 하는 뉴로퍼지 네트워크(Neuro-Fuzzy Network)를 이용한 전력계통의 고장검출 및 그 판별방법에 관한 것이다.<중요성 및 독창성>송전선로에서 발생하는 다양한 고장을 검출하고, 판별해내는 기법을 개발하였으며, 뉴로-퍼지를 이용하여, 다양한 계통에의 적응성을 높여 신속하고 정확한 결과를 얻을 수 있었다. 특히 실시간으로 취득이 가능한 상전류와 영상전류의 실효치를 사용함으로써 실시간 검출 및 판별이 가능하도록 하였으며, 또한 고장 검출 및 판별기법의 간단한 구성을 통하여 실제 구현이 용이하게 한 점은 가장 중요한 점이라고 할 수 있다.<적용분야>-송전선로에서 고장이 발생하게 될 경우, 빠른 시간 내에 고장을 검출, 유형을 판별하여 빠르고 정확한 대처 및 복구가 가능하도록 하여 전력계통의 공급신뢰도를 유지하는데 응용가능.-하드웨어 구현이 쉽고 기존 계전기에 추가 탑재가 가능-현재 보호계전기의 국산화가 계속 이루어지고 있는 것에 맞춰 기존 전력기기 제조회사에서 본 기술의 방법을 이용하면 신제품개발 촉진 탁월<특징 및 장점>구체적으로 송전선로에서 고장이 발생하게 될 경우, 빠른 시간 내에 고장을 검출, 유형을 판별하여 빠르고 정확한 대처 및 복구가 가능하도록 함으로써, 송전계통의 공급신뢰도가 더욱 향상됨은 물론, 특히 하드웨어 구현이 쉬운 알고리즘의 적용으로 기존 계전기에의 추가 탑재 및 실용가치 측면에서 효과가 클 것이다.
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2006-05-30
상세보기
일반기술
전기·전자 > 기타 전기시스템
고저항 지락사고시에 발생한 과도 전압 및 전류에 대해 웨이브렛변환을 이용한 신호분석을 통해 송전선로의 고장검출 및 고장거리측정을 신속 정확하게 수행하는 웨이브렛변환을 이용한 고저항 지락사고의 검출방법 및 이에 의한 고장거리 측정방법에 대해 개시한다. 본 발명의 웨이브렛변환을 이용한 고저항 지락사고의 검출방법 및 이에 의한 고장거리 측정방법은, 입력되는 사고상을 포함하는 3상의 전압과 전류의 아날로그신호를 디지털신호로 변환하는 제1 단계; 상기 변환된 디지털신호에서 제n 고조파성분만을 통과시키기 위해 2차 버터워스 저역통과필터에서 필터링하는 제2 단계; 상기 필터링된 신호를 웨이브렛 분석하는 제3 단계; 상기 웨이브렛 분석을 통해 출력된 각 상 전류인 d1 성분의 합이 고장검출영역내에 있는가를 판별하여 카운트를 수행하고, 이 카운트에 의해 설정된 고장내구력상수와 비교하여 트립신호를 생성하여 고장여부를 검출하는 제4 단계; 상기 고장검출이 이루어질 경우에 각 상에 대한 웨이브렛 분석 결과인 전압 및 전류 성분을 입력하는 제5 단계; 및 상기 입력된 전압과 전류, 주파수 의존 임피던스 및 어드미턴스를 이용하여 하기한 식으로부터 고장거리를 연산하는 제6 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.본 발명에 따르면, 웨이브렛변환을 이용한 신호분석을 통해 커패시터 뱅크 스위칭, 라인 스위칭 및 아크로 부하 등의 유사 비고장 현상들과 고저항 지락사고를 분명하게 구분하여 고장종류를 정확하게 구분할 수 있다. 또한, 과도 전압 및 전류의 고장 데이터를 웨이브렛변환에 적용함으로써 기존 신호분석방법보다 고장여부를 빠르게 검출할 수 있으며, 이 과도 전압 및 전류를 이용한 방법에 있어서 기존의 고조파성분을 이용한 방법보다 연산량 및 오차의 면에서 보다 우수한 결과를 얻음으로써 고장거리 추정도 정확하다는 장점이 있다.
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2006-05-12
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
PDP의 기판상에 증착된 MGO층으로부터 아웃개싱되는 불순물을 감소시키고 동시에 방전 특성을 향상시킬 수 있는 MGO층에 대한 세정방법과 PDP의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 MGO층에 대한 세정방법은, MGO층이 외부에 노출되도록 형성된 기판을 플라즈마 반응챔버내로 로딩하는 단계 및 상기 MGO층에 흡착된 불순물들이 제거되도록 상기 MGO층에 대하여 대기압에서 플라즈마 세정을 수행하는 단계 및/또는 열처리를 통하여 세정을 수행하는 단계를 포함한다. MGO층이 외부에 노출되도록 형성된 기판을 플라즈마 반응챔버내로 로딩한 후 상기 MGO층에 흡착된 불순물들이 제거되도록 플라즈마 세정을 수행하는 MGO층에 대한 세정방법에 있어서, 상기 MGO층에 대한 플라즈마 세정은, 헬륨 + 산소 + 아르곤의 혼합가스 또는 헬륨 + 산소 + 아르곤 + 질소의 혼합가스를 세정가스로 하여 대기압하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 MGO층에 대한 세정방법이다MGO층이 외부에 노출되도록 형성된 기판을 플라즈마 반응챔버내로 로딩한 후 상기 MGO층에 흡착된 불순물들이 제거되도록 플라즈마 세정을 수행하는 MGO층에 대한 세정방법에 있어서, 상기 MGO층에 대한 플라즈마 세정은, 헬륨 + 산소 + 아르곤의 혼합가스 또는 헬륨 + 산소 + 아르곤 + 질소의 혼합가스를 세정가스로 하여 대기압하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 MGO층에 대한 세정방법.PDP의 기판상에 증착된 MGO층으로부터 아웃개싱되는 불순물을 감소시키고 동시에 방전 특성을 향상시킬 수 있는 MGO층에 대한 세정방법과 PDP의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 MGO층에 대한 세정방법은, MGO층이 외부에 노출되도록 형성된 기판을 플라즈마 반응챔버내로 로딩하는 단계 및 상기 MGO층에 흡착된 불순물들이 제거되도록 상기 MGO층에 대하여 대기압에서 플라즈마 세정을 수행하는 단계 및/또는 열처리를 통하여 세정을 수행하는 단계를 포함한다.
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2006-05-12
상세보기
일반기술
전기·전자 > 영상·음향기기
본 발명은 비디오카메라, 디지털 카메라, 카메라 핸드폰 등의 카메라로부터 얻은 영상의 품질을 히스토그램 평활화 알고리즘(HISTOGRAM EQUALIZATION ALGORITHM)을 이용하여 향상시키는 실시간 영상품질 보상장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 히스토그램을 이용한 영상품질 보상장치는, 카메라로부터 영상 정보와 영상 신호를 받아서 영상 정보의 각 화소 레벨에 따라 분류하여 히스토그램(HISTOGRAM)을 매 프레임마다 생성한다. 이 히스토그램을 사용하여 누적 히스토그램(CUMULATIVE HISTOGRAM)을 생성하여 히스토그램 평활화의 연산을 수행하여 각 화소 레벨마다 변환 레벨을 갖는 룩업테이블(LOOKUP TABLE)을 생성한다. 이는 다음 프레임에서 히스토그램 평활화를 수행하는 기준이 된다. 카메라로부터 화소가 순차적으로 들어오면 히스토그램 생성부에서는 이를 받아 현재 영상의 히스토그램을 생성하며 평활화부에서는 이를 받아 이전에 생성된 히스토그램을 통하여 만들어진 각 화소 레벨마다 변환 레벨을 갖는 룩업테이블을 기준으로 해당 영상의 평활화를 수행하는 것을 특징으로 하여, 전체 영상에 대해 시간적인 지연 없이 실시간으로 히스토그램을 생성하며, 이에 따라 영상에 평활화를 수행하도록 하여 영상의 전체적인 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.카메라로부터 입력되는 영상 정보의 히스토그램을 평활화하여 영상 품질을 보상하는 장치에 있어서,영상 정보의 각 화소 레벨에 대한 개수를 계산하는 히스토그램 카운터와;상기 히스토그램 카운터에 의해 계산된 영상 정보의 각 화소 레벨에 따라 분류하여 히스토그램을 생성하는 룩업테이블과;상기 룩업테이블에 생성된 히스토그램을 누적하여 누적 히스토그램을 생성하는 누적 룩업테이블; 및상기 누적 룩업테이블에 생성된 누적 히스토그램을 평활화하는 연산을 실시간으로 수행하여 각 화소 레벨마다 변환 레벨을 갖는 룩업테이블을 생성하는 평활화연산기를 포함하여 구성되고;상기 누적 히스토그램을 평활화하는 연산식 는, 0≤RK≤1, K=0,1,...,L-1 로 계산되어, 입력 영상의 누적 히스토그램을 화소 변환하는 것을 특징으로 하는 히스토그램을 이용한 영상품질 보상장치.상기 RK는 영상의 화소 레벨 값이고, K는 화소 레벨 값이고, 입력 영상의 J 레벨의 확률 밀집 함수이고, N 입력 영상에서 전체 화소의 수이고, NJ 입력 영상에서 J 레벨의 수이고, 입력 영상 레벨의 누적 분포 함수를 나타내는 변환 함수이다.
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2006-05-12
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
<원리 및 구성>본 기술은 박막트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로,아르곤 가스 분위기에서 플렉시블한 플라스틱 기판상에 CE 금속을 연속적으로 증착하는 CE 증착단계와 상기 CE 금속에 산소를 주입하여 CE 금속 표면을 산화시켜 CEO2 를 형성하는 CEO2 증착단계와 상기 CEO2 층에 아르곤 가스와 산소를 주입하면서 스퍼터링법으로 CEO2 층을 성장시키는 CEO2 성장단계와 상기 CEO2 층 위에 ICPCVD(INDUCTIVE COUPLED PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION)법으로 비정질 실리콘을 증착시키는 비정질 실리콘 증착단계 및 상기 비정질 실리콘 층에 엑시머 레이저를 조사하여 비정질 실리콘이 폴리실리콘으로 결정화되는 폴리실리콘 결정화단계를 포함하여 구성되어 있다.<중요성 및 독창성>본 기술에서 플라스틱 기판 위에 Ce/CeO2 층을 이용하여 poly-Si을 성장하는 방법과 Plasma ON/OFF 방법을 이용한 박막 증착법은 소자가 완성이 되기까지 모두 실온에서 공정이 진행되게 된다. 따라서 저온 공정이 필수인 플라스틱 기판의 박막 증착 기술 확립에 기여하여 기존의 고비용의 고온, 진공 증착법이 아닌 간단한 설치와 저비용 공정이 가능하다는 점에서 그 중요성이 크다고 할 수 있다.<적용제품>-TFT-LCD 제작 공정뿐만 아니라 미래에 주요 디스플레이로 예상이 되는 유기 EL과 같은 낮은 공정온도를 필요로 하는 분야에 대해서도 적용이 가능 -또한 플라스틱 기판의 성질을 필요에 따라 flexible하게 적용한다면 roll-to-roll 디스플레이로의 응용도 충분히 가능 <특징 및 장점>본 기술에서는 모든 공정이 실온(Room Temperature)에서 진행이 되기 때문에 현재의 박막 증착 공정과는 달리 온도에 대한 제약이 없게 된다. 특히 Plasma ON/OFF 방법을 이용한 Sputtering법은 실온에서 박막의 증착을 가능하게 해준다. 그리고 Ce metal 층은 Laser 조사 시 열에 대한 기판과 박막 보호 효과를 가지고 CeO2 씨앗층을 이용한 poly-Si 성장법은 CeO2가 Silicon과 격자상수가 유사하고 구조적으로 안정하기 때문에 플라스틱 기판 위에서 poly-Si이 성장되는데 많은 장점이 된다결론적으로, 플라스틱 기판의 기계적, 화학적 성질에 대한 신뢰감으로 인해 제품의 질이 향상되고, 우수한 성능을 갖는 박막트랜지스터를 생산할 수 있는 효과가 있으며, 본 기술을 바탕으로 차세대 평판형 디스플레이 제품 및 유기 EL 디스플레이 소자 등에 응용할 수 있다.
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2006-05-30
상세보기
일반기술
전기·전자 > 전원소자(전지포함)기술
본 발명은 초고용량을 갖는 상온형 리듐 유황전지의 유황전극 및 전해질의 제조방법에 관한 것으로, 0-60w%의 유황, 10-30w%의 탄소, PEO 10-55w% , Li-salt 3-10w%로 조성하는 전극 재료를 제공하고, 상기의 전극 재료를 고에너지 볼밀링을 사용하여 혼합하여 초고용량 상온형 리튬 유황전지의 양전극 제조하고, PVdF,PVC,PAN와 PMMA중 선택된 고분자와 EC와 PC 중 선택된 가소제 및 이온전도성을 높이기 위한 리튬염 그리고 기계적 강도를 위해 금속산화물을 첨가하여 혼합함으로써 초고용량 상온형 리튬유황전지의 전해질은 제조를 하였다. 이러한 초고용량 상온형 리튬 유황전지의 양전극 및 전해질은 종래의 방전용량인 450mAh/g·cathode(900mAh/g·Sulfur)보다 높은 방전용량 804mAh/g·cathode(1340mAh/g-S) 이상을 갖는 리튬 유황전지를 제조할 수 있고, 전극과 전해질에 세라믹 분말과 금속 분말을 첨가하여 전극과 전해질의 기계적 강도를 증가시킬 수 있는 뛰어난 효과가 있다고 할 수 있다.10-60w%의 유황, 10-30w%의 탄소, PEO(Polyethylene oxide) 10-55w% , Li-salt 3-10w%로 조성하는 전극 재료를 제공하는 단계 및 상기의 전극 재료를 고에너지 볼밀링을 사용하여 혼합하는 단계로 이루워진 초고용량 상온형 리듐 유황전지의 양전극 제조방법.상기 혼합하는 단계의 전자 재료에 금속 분말(Ni)을 1-5w% 추가로 첨가된 것을 특징으로 하는 초고용량 상온형 리듐 유황전지의 양전극 제조방법.상기 혼합하는 단계에 활물질, 금속 및 금속산화물의 분산을 위해 분산제를 추가로 더 첨가하여 혼합하는 것을 특징으로 하는 초고용량 상온형 리듐 유황전지의 양전극 제조방법.
- 보유기관
- 창원상공회의소
- 등록일
- 2006-05-12
상세보기
일반기술
전기·전자 > 전원소자(전지포함)기술
본 기술은 리튬 폴리머 전지용 복합 고분자 전해질로 사용되는 마이크로 크기의 무기 세라믹 충진제(inorganic ceramic filler) 및 이를 포함하는 전해질에 관한 것으로, 세라믹 충진제는 (i) 순수 티타늄 분말 또는 스폰지 형상의 티타늄을 대기 중에서 볼 밀링(ball milling)하여 제조된 산화 티타늄(titanium oxide) 분말, (ii) 순수 납과 황산 리튬(lithium sulfate) 분말을 대기 중에서 볼 밀링하여 제조된 산화 리튬(lithium oxide) 및 산화 납(lead oxide)의 혼합 분말, 또는 (iii) 순수 납을 대기 중에서 볼 밀링하여 제조된 산화 납 분말로서, 이들 분말을 고분자 전해질용 충진제로 사용하여 전해질의 이온전도도 및 기계적 강도를 증가시킴으로서 리튬 폴리머 전지의 성능을 향상시킬 수 있다.순수 티타늄 분말 또는 스폰지 형상의 티타늄을 볼 밀링하여 제조되며, 리튬 폴리머 전지의 복합 고분자 전해질용 충진제로 사용되는 마이크로 크기의 산화티타늄 분말. 순수 납 및 황산리튬을 볼 밀링하여 제조되며, 리튬 폴리머 전지의 복합 고분자 전해질용 충진제로 사용되는 마이크로 크기의 산화리튬 및 산화납의 혼합 분말.순수 납을 볼 밀링하여 제조되며, 리튬 폴리머 전지의 복합 고분자 전해질용 충진제로 사용되는 마이크로 크기의 산화납 분말.
- 보유기관
- 창원상공회의소
- 등록일
- 2006-04-28
상세보기
일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
반도체 및 디스플레이 분야에서 세정제로 사용되는 초순수 아산화질소의 신규한 제조방법을 제공하는 것으로서, 99.999% 이상의 초고순도 아산화질산을 제공하는 것과 간단한 공정으로 대량생산가능한 아산화질산의 생산방법을 제공한다. 질산암모늄을 직접 가열하는 방식으로 열분해 하는 단계, 열분해 부산물 중 워터샤워링 및 흡착컬럼을 통과시켜 저농도의 아산화질소를 제조하는 단계 및 증류에 의한 초고순도의 아산화질소를 제조하는 단계로 구성되는 초고순도의 아산화질소를 제조하는 방법을 제공한다.저온응축단계에서 증류탑의 상부에 콘덴서를 설치하고 하부에 보일러를 설치함으로써 고효율의 고순도의 아산화질소를 제공하는 것을 특징으로 하며, 반도체 및 디스플레이 분야에서 세척제, 수술용 마취제, 로켓 연료용 첨가물, 의약, 화장품 또는 식품산업에서는 분무용 추진제 등에 사용되는 N2O를 제공하는 것으로서 특히, 반도체 및 디스플레이 분야에 적합한 초순수 N2O를 제조하는 새로운 방법을 제공하는 것이다. 새로운 제조방법에 의하여 간단한 공정을 연속적으로 실시함으로써 경제성 있는 고순도의 N2O를 제조할 수 있고, 상업적 생산규모를 쉽게 도달할 수 있어서, 경제적으로 제조할 수 있는 방법을 제공한다.
- 보유기관
- 호서대학교
- 등록일
- 2006-05-12
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 RF 매처에 사용되는 임피던스 정합장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 반도체 제조 장비의 핵심부품인 매처에 관한 것으로, 특히 챔버의 임피던스 정합을 위한 임피던스 정합장치에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, RF 매처의 정합 소자인 에어 케패시터를 다중 접지 방법을 사용하여 제작함으로써 잦은 정역 동작 및 고전력 사용을 위한 접지 방법을 개선함으로써 RF 매처의 아크 및 접지의 소손의 문제로 인한 수명저하의 문제점을 해결할 수 있으며, 이를 통한 RF 플라즈마를 사용하는 반도체 제조 프로세스의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.본 발명은 RF 매처에 사용되는 임피던스 정합장치의 개패시터 고정 블레이드와 가변 블레이드에 있어서 , 상기 고정 블레이드와 가변 블레이드를 조립하기 위해서 고정형 지그에 블레이드 축의 흔들림을 방지하기 위한 축고정 나사를 조립하고, 상기 축고정 나사위에 접지휠이 설치되고, 상시 접지휠은 접지휠 얼라이너와 체결되고, 상기 접지휠에 축에 일정한 탄성을 주기위한 원통형의 탄성스프링이 설치되고, 상기 탄성스프링위에 접지베어링이 조립되는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 접지 방법은 접지베어링과 탄성스프링 및 접지휠이 3단 접지구조로 결합되는 것이 바람직하다. 상기 탄성스프링은 축이 아래/위로 움직이는 것을 방지하여 고정형 블레이드와 가변형 블레이드가 서로 부딪치는 것을 방지하기 위해 6개의 탄성날개가 일정하게 축을 받쳐주는 것을 특징으로 한다.
- 보유기관
- 호서대학교
- 등록일
- 2006-05-12
상세보기
일반기술
전기·전자 > 영상·음향기기
볼록거울을 이용한 CCTV 카메라 및 그 카메라를 이용한 영상변환 방법에 관한 것으로, 특히 천장 중앙에 위치하는 볼록거울에 비친 영상을 카메라로 촬영한 후 평면 영상으로 변환하는 볼록거울을 이용한 CCTV 카메라 및 그 카메라를 이용한 영상변환방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 일정한 공간 전체를 감시하는 데, 여러 개의 CCTV 카메라를 설치할 필요없이 하나의 카메라로 전 영역을 커버할 수 있고, 카메라의 패닝, 틸팅 등이 필요없이 전방향 관측이 가능하며, 촬영된 곡면 영상을 평면 영상으로 변환하는 영상변환방법에 의해 왜곡없는 영상을 얻을 수 있다.본 발명에 따른 볼록거울을 이용한 CCTV 카메라는 일정한 내부 공간의 천장 중앙에 위치하여 상기 공간 내의 영상이 비치는 볼록거울; 상기 공간의 바닥 중앙에 위치하여 상기 볼록거울에 비친 영상을 촬영하는 카메라모듈; 및 상기 촬영된 곡면 영상을 평면 영상으로 변환하여 출력하는 영상처리장치를 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한 일정한 내부 공간의 천장 중앙에 위치하는 볼록거울에 비친 영상을 상기 공간의 바닥 중앙에 위차하는 카메라 모듈이 촬영하는 제1단계; 상기 카메라모듈이 촬영한 곡면 영상을 영상처리장치의 저장부로 전송하는 제 2단계; 상기 영상처리장치의 영상변환부에서 상기 촬영된 곡면 영상 중 선택된 부분에 대해 평면 영상으로 변환하는 영상 변환을 수행하여 상기 영상처리장치의 저장부에 저장하는 제 3단계; 및 상기 영상처리장치의 저장부에 저장된 변환된 평면 영상을 출력하는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
- 보유기관
- 호서대학교
- 등록일
- 2006-05-12
상세보기
일반기술
전기·전자 > 기타 전자요소 기술
인덕터의 철심구조에 관한 것으로, 이 철심구조는 압연방향에 대해 수평 또는 수직으로 자속이 교차하도록 내측에 중공을 갖는 사각형상의 중공 코어편과, 이 중공 코어편의 일측에서 돌출된 상태로 중공 코어편을 가로지르도록 설치된 봉 형상 코어편으로 인덕터의 철심이 이루어지는 것이다. 그리고, 상기 봉 형상 코어편의 양단부가 절곡형성되어 상기 중공 코어편에 결합되는 봉 형상 코어편이 C자형 철심을 이루도록 된 것이다. 또한, 상기 중공 코어편과 상기 봉 형상 코어편이 결합되는 지점에서 자속이 상기 압연방향과 수직으로 교차함으로써 철손부위가 2개소에서 나타나는 것이다.본 발명은 종래의 기술에 따른 인덕터의 철심구조를 개선하기 위하여 안출된 것으로, 인덕터의 철심에서 발생되는 열손실 부위를 최소화함으로써 인덕터를 사용하는 장치의 효율을 향상시킬 수 있도록 된 인덕터릐 철심구조를 제공하에 그 목적이 있는 것이다. 본 발명의 구조를 갖는 철심을 이용하여 누설용 인덕터를 구성함으로써 방향성 규소강판의 압연방향에 대해 철심의 자속이 수직되는 것을 최소화 할 수 있다. 이에 따라 철심에서 발생되는 철손 즉 인덕터의 열손실을 최소화하며, 상기 열 손실의 최소화로 인덕터의 효율을 향상시키고, 상기 누설용 인덕터가 적용되는 각종 제품의 시스템 효율을 향상시킬 수 있는 것이다.
- 보유기관
- 호서대학교
- 등록일
- 2006-05-12
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
감광액을 도포하는 공정에는 스핀 코팅과 슬릿코팅이 사용되고 있는데, 스핀코팅 방식은 기판에 형성된 도포막의 두꼐에 비해 감광액의 소모량이 너무 많아 비효율적이고, 슬릿코팅은 감광액의 휘발성분과 마이크로 버블이 도포막 내에 혼재되어, 감압건조 과정 중 휘발성분의 휘발 또는 마이크로 버블의 파괴에 의해 도포막의 두께가 불규칙하게 형성되는 문제점이 있다. 그로 인해, 도포공정에서의 불량율이 상승됨으로써 기판의 생산성이 저하되는 결과를 초래한다. 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로, 감광액에 포함되어 있는 휘발성분 및 마이크로 버블을 제거할 수 있는 감광액 도포장치를 제공하고자 하는 데 그 목적이 있다. 본 발명에 따르면, 감광액수용부에 수용되는 감광액의 휘발성분 및 마이크로 버블을 효율적으로 제거할 수 있어, 감압건조 공정시 기판에 형성된 도포막의 균일도를 일정하게 유지시킬 수 있다. 그로인해, 감광액 도포장치의 기능성 및 사용성을 보다 향상시킬 수 있다.감광액 도포장치에 관한 것으로서, 몸체부와; 몸체부 내에 형성되어, 감광액공급유닛으로부터 공급되는 감광액을 수용하는 감광액수용부와; 감광액수용부의 하측에 연통되어, 기판에 감광액을 분사하는 감광액분사부와; 감광액수용부 내에 수용되는 감광앧에 진동을 발생시키는 진동발생부와; 감광액수용부의 상측에 연동되어, 진동발생부를 통해 발생된 진동에 의해 감광액으로부터 증발되는 휘발성분 및 버블이 배출되는 배출부를 포함하여 구성된다.
- 보유기관
- 호서대학교
- 등록일
- 2006-05-12
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
웨이퍼 이송장치 및 이를 이용한 웨이퍼 이송방법에 관한 것으로, 이 웨이퍼 이송장치는 모터에 구성된 이송 아암 또는 벨트의 1차 임펄스를 측정 저장한 후 2차 임펄스를 측정하여 1,2차 임펄스를 중첩으로 사용함으로써 모터 구동을 제어하는 입력성형기를 포함하여 구성된 진동감쇠장치가 구성되어 잔류 진동을 감쇠하는 것이다. 또한, 상기 웨이퍼의 이송방법은 입력성형기로 구성된 진동감쇠장치에 의해 상기 이송 아암 또는 벨트의 1차 임펄스를 측정하고, 상기 1차 임펄스를 저장한 후 2차 임펄스를 측정하여 저장하며, 상기 2차 임펄스를 저장한 후 저장된 1,2차 임펄스를 중첩하고, 상기 중첩 단계 후 중첩되어 감쇠된 임펄스로서 상기 모터의 구동을 제어하여 잔류진동을 감쇠하는 것이다.본 발명은 종래 웨이퍼 이송장치가 갖는 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 구동 모터에 입력성형을 통한 진동감쇠장치를 적용함으로써 웨이퍼 위치 제어의 사이클 시간을 최적화하고, 웨이퍼 이송장치의 잔류 진동을 감소시키며, 웨이퍼 자중에 의한 웨이퍼 중앙의 쳐짐을 예방함과 아울러 면적을 최적화한 구조로 설계할 수 있고, 이에 따라 이송 아암의 불필요한 동작을 제거함으로써 작업라인에서 최적의 작업시간을 얻을 수 있는 것이다.
- 보유기관
- 호서대학교
- 등록일
- 2006-05-12
상세보기
일반기술
전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)
본 기술은 엔코더형 전기적 용량센서에 관한 것으로, 특히 본 기술의 용량센서는 고정 요소는 적어도 두 개 이상의 주기성 패턴을 갖으며, 이동 요소는 고정 요소에 대해 소정 간격을 두고 오버랩되는 적어도 두 개 이상의 주기성 패턴을 갖으며, 고정 물체 또는 이동 물체에 공급되는 교류 전원과, 고정 요소의 패턴과 이동 요소의 패턴 사이의 상대적 평행 이동에 따라 변화하는 전기적 용량 변화를 전기적 신호로 변환하는 변위 감지부와, 변위 감지부에서 감지된 변위 신호를 신호 처리하고 이를 디지털 신호로 변환하는 신호 처리부와, 신호 처리부에서 출력된 디지털 신호를 보정하고 고정 요소의 패턴과 이동 요소의 패턴 사이의 대변위와 연속성 미세 변위를 계산하여 출력하는 마이크로 프로세서를 포함한다.<개발된 기술의 독자성>-엔코더 타입 전기용량형 센서에 접촉식 방법을 도입한 것은 세계 최초-기존의 초정밀 전기용량형 센서에 비해 민감도 및 측정범위가 더 큼-기존의 엔코더형 전기용량형 센서의 단점이었던 저민감도 특성 해결-기존의 접촉식 전기용량 센서와 달리 접촉박막을 DLC로 이용하므로 접촉시 발생할 수 있는 마찰 및 마모 특성을 개선 -센서 제작 기판의 크기에 따라 더 넓은 측정 범위를 가질 수 있음 -센서 전극 내 grating의 간격 및 접촉 매질의 두께를 작게 함에 따라 더욱 작은 미세 변 위 측정이 가능
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2006-05-24
상세보기
일반기술
전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
유리판재에 의해 상부공간과 하부공간으로 나뉘어지는 챔버; 상기 챔버의 상부면으로부터 이격된 일정한 높이에 설치되고, 상기 챔버의 상부변에 형성된 윈도우를 통해 상부공간에 놓여진 웨이퍼의 표면에 레이저를 조사한 후 반사되는 레이저를 검출하는 레이저카메라; 상기 챔버의 상부공간에 놓여진 웨이퍼에 유리판재를 통해 고온의 열을 인가하기 위하여 하부공간에 설치되고, 할로겐램프구동부를 통해 인가되는 외부전원에 의해 고온의 열을 발생시키는 할로겐램프; 상기 상부공간에 놓여진 웨이퍼의 상부면에 설치되어 웨이퍼에 인가되는 온도를 감지하는 온도감지센서; 그리고 상기 레이저카메라가 웨이퍼의 표면으로부터 반사되는 레이저값을 검출하여 전송하는 레이저값을 분석하여 설정된 고온의 열이 웨이퍼에 인가하는 스트레스의 정도를 산출하여 표시부에 표시하는 메인컨트롤러로 이루어지는 고속처리 고온공정에서 웨이퍼의 스트레스 측정장치를 제공한다.본 발명은 반도체용 웨이퍼를 챔버에 위치시킨 후 웨이퍼 제조공정에서 이용되는 고온의 온도를 챔버에 인가하고, 상기 챔버에 놓여진 웨이퍼에 설정된 고온의 온도가 인가되는 상태에서 레이저카메라를 이용하여 웨이퍼의 표면에 레이저를 조사함으로써 고온의 열이 웨이퍼의 표면에 인가되는 스트레스를 검출하게 된다. 상기 레이저카메라에 의해 검출되는 웨이퍼의 표면으로부터 반사되는 레이저값을 분석함으로써 웨이퍼의 표면에 인가되는 스트레스의 정도를 정확하게 산출하고, 상기 산출된 웨이퍼의 스트레스 산출값을 웨이퍼 제조공정에 적용함으로써 웨이퍼의 불량률을 크게 감소시킬 수 있다.
- 보유기관
- 호서대학교
- 등록일
- 2006-05-12
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
<구성 및 원리>본 기술은 이온빔 대신에 중성빔을 사용하며, 반도체 식각가스의 공급 및 중성빔의 조사를 정밀히 제어하여 피식각물질층에 대한 식각을 원자단위로 제어함으로써 식각 깊이를 원자 단위로 제어하고, 피식각물질층에 대한 식각 손상을 최소화할 수 있는 중성빔을 이용한 층대층 식각장치 및 식각방법이다.본 기술에 따른 층대층 식각방법은, 피식각층이 노출된 피식각기판을 반층챔버내의 스테이지상에 로딩하는 단계, 상기 반응챔버내로 식각가스를 공급하여 상기 노출된 피식각층의 표면 상에 식각가스를 흡착시키는 단계, 상기 흡착되고 남은 과잉의 식각가스를 제거하는 단계, 상기 식각가스가 흡착된 피식각층에 중성빔을 조사시키는 단계 및 상기 중성빔 조사에 의해 발생된 식각부산물을 제거하는 단계를 포함한다.<배경>반도체 소자의 고집적화에 대한 요구가 계속되어짐에 따라 최근 반도체 집적회로의 설계에서 디자인룰이 더욱 감소되어 0.25um이하의 임계치수가 요구되기에 이르렀으며, 이러한 나노미터급 반도체 소자를 구현하기 위한 식각장비로서 고밀도 플라즈마 식각장치, 반응성 이온 식각장치 등의 이온 강화용 식각장비가 주로 사용되고 있다. 그러나 이러한 식각장비에서는 식각공정을 수행하기 위한 다량의 이온들이 존재하고, 이들 이온들이 수백eV의 에너지로 반도체기판 또는 반도체기판상의 특정물질층에 충돌되기 때문에 반도체 기판이나 이러한 특정 물질층에 물리적, 전기적 손상을 야기 시켜 이를 해결하고 자 함.*기술의 장점이온빔 대신에 중성빔을 사용하며, 식각가스의 공급 및 중성빔의 조사를 정밀히 제어하여 피식각물질층에 대한 식각을 원자단위로 제어함으로써 1. 식각 깊이를 원자 단위로 제어2. 피식각 물질층에 대한 식각 손상을 최소화할 수 있는 중성빔을 이용한 층대층 식각장치 및 식각방법을 개발3. 본 기술의 중성빔 발생부는 다양한 형태로 제공 될 수 있음. 또한 피식각물질층에 따라 식각가스 및 중성빔의 소오스 스가 다양하게 선택되어 사용될 수 있음.*적용제품-반도채 식각 장비
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2006-05-30
상세보기
일반기술
전기·전자 > 표시 미소 전자시스템 소자
본 기술은 유리 기판 상에 양극이 형성되어 있고, 상기 양극 상에 정공 주입층이 형성되어 있다. 상기 정공 주입층은 전이 금속층으로 구성할 수 있다. 상기 전이 금속층의 예로는 Ir, Ru, V, Rh, Ni 또는 Co막을 들 수 있다. 상기 정공 주입층 상에는 정공 수송층이 형성되어 있고, 상기 정공 수송층 상에는 발광층 및 음극이 순차적으로 형성되어 있다. 본 기술의 유기 발광 다이오드는 양극막과 정공 수송층 사이에 전이 금속층으로 정공 주입층을 형성하여 정공 주입 장벽을 낮추어 줌으로써 턴온 전압 및 작동 전압을 낮출 수 있다.본 기술은 양극과 정공 수송층 사이의 정공 주입 장벽을 낮추어줌으로써 턴온 전압 및 작동 전압을 낮추고 전자와 정공의 재결합을 증가시켜 내부 양자 효율을 증가시킬 수 있는 유기 발광 다이오드를 제공 하는 데 있으며, 또한, 상기 양극과 정공 수송층 사이의 정공 주입 장벽을 낮출 수 있는 유기 발광 다이오드의 적합한 제조 방법을 제공하는 데 있다 본 기술의 유기 발광 다이오드는 유리 기판 상에 양극이 형성되어 있고, 상기 양극상에 정공 주입층이 형성되어 있다. 상기 양극은 ITO막으로 구성할 수 있다. 상기 정공 주입층은 전이 금속층으로 구성할 수 있다. 상기 전이 금속층의 예로는 Ir, Ru, V, Rh, Ni 또는 Co을 들 수 있다. 상기 정공 주입층 상에는 정공 수송층이 형성 되어 있고, 상기 정공 수송층 상에는 발광층 및 음극이 순차적으로 형성되어 있다. 상기 정공 수송층은 α-NPD로 구성할 수 있다. 상기 발광층은 Alq3로 구성할 수 있다. 상기 음극은 Al막으로 구성할 수 있다. 상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 기술의 유기 발광 다이오드의 제조 방법은 유리 기판 상에 양극을 형성한 후, 상기 양극 상에 전이 금속층으로 정공 주입층을 형성한다. 상기 양극은 ITO막으로 형성할 수 있다. 상기 정공 주입층을 구성하는 전이 금속층은 Ir, Ru, V, Rh, Ni 또는 Co로 형성할 수 있다. 상기 양극을 형성한 후 상기 양극에 산소 플라즈마 처리를 수행할 수도 있다. 상기 정공 주입층에 일함수를 크게 하기 위해 산소 플라즈마 처리를 수행한 후, 상기 산소 플라즈마 처리된 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성한다. 상기 정공 수송층은 α-NPD로 형성할 수 있다. 상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성한 후, 상기 발광층 상에 음극을 형성한다. 상기 발광층은 Alq3로 형성하고, 상기 음극은 Al막으로 형성할 수 있다. 이상과 같이 본 기술의 유기 발광 다이오드는 양극막과 정공 수송층 사이에 전이 금속층으로 정공 주입층을 형성하여 정공 주입 장벽을 낮추어 줌으로써 턴온 전압 및 작동 전압을 낮출 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2006-05-24
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
<원리 및 구성>본 기술의 식각장치는, 일정한 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 가속시킬 수 있는 이온소오스, 상기 이온소오스의 말단에 위치하며, 이온빔이 통과하는 복수개의 그리드홀이 형성된 그리드, 상기 그리드와 밀착되어 있으며, 상기 그리드내의 그리드홀에 대응하는 복수개의 반사체홀이 형성되어 있으며, 그리드홀을 통과한 이온빔을 상기 반사체홀 내에서 반사시켜 중성빔으로 전환시켜주는 반사체 및 상기 중성빔의 진행경로상에 피식각기판을 위치시킬 수 있는 스테이지를 포함한다.<중요성 및 독창성>본 기술을 통하여 차차세대의 실행될 nano device의 구현을 가능하게 하며 부수적으로 차세대 MEMS, Biosensor등의 타분야에도 응용할 수 있는 신개념의 극미세패턴의 식각기술이 창출될 것이다.<적용 제품>본 기술의 반도체 식각용 장비 및 공정은 차후세대에 적용하기 위한 장비 및 공정의 개발에 적용가능<특징 및 장점>-현재 국가의 3대 수출산업인 반도체 산업에 있어서 중요한 기술중의 한가지인 반도체 식각기술에 대한 원천기술의 확보 가능-이와같은 기술의 확보는 앞으로 반도체 산업의 진정한 국산화 및 원천기술의 확보면에서 중요하고 또한 국가의 경제기반을 확보하는 차원에서도 중요-특히 현재에 기술적 우의를 지키고 있는 반도체 메모리소자분야에서 외국 기술의 습득이 아닌 기술적 주도와 우의 점유 가능-또한 신개념의 극미세패턴을 위한 etching 기술의 선점은 물론 식각장비의 제조산업분야에도 응용가능
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2006-05-30
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 실리콘 및 화합물 반도체의 이온빔 식각장치 및 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 이온빔 식각방법은, 식각가스 밸브를 조절하여 샤워링을 통해 일정 시간동안 진공챔버 내에 식각가스를 유입시키는 단계와, 일정 시간후 식각가스 밸브를 닫고 상기 진공챔버에 형성된 가스 배출구를 통해 진공챔버 내에 남아있는 식각가스를 제거하는 단계와, 셔터를 개방하여 아르곤(Ar) 이온빔을 조사시켜서 휘발성 식각 부산물의 형태로 식각하는 단계 및 상기 진공챔버의 가스 배출구를 통해 식각 부산물을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 단계들은 주기적이고 반복적으로 수행된다.따라서, 아르곤(Ar) 이온빔을 조절하여 기판에 조사되도록 하는 셔터 및 식각가스 주입을 조절하기 위한 식각가스 밸브를 포함하는 이온빔 식각장치 및 이를 이용한 식각방법을 통해 실리콘 및 화합물 반도체 소자의 식각을 원자단위로 정밀하게 조절하여 물리적 손상을 줄일 수 있는 효과가 있다.아르곤(Ar) 가스의 양을 조절하기 위한 아르곤 가스 밸브와; 상기 아르곤 가스 밸브와 연동되며 아르곤 이온빔을 발생시키는 이온빔 발생장치; 상기 아르곤 이온빔을 조절하여 기판에 조사되도록 하는 셔터와; 진공챔버 내에서 형성되어 식각가스가 유입되는 샤워링과; 상기 샤워링과 연동되어 유입되는 식각가스를 조절하기 위한 식각가스 밸브와; 상기 아르곤 가스 밸브, 식각가스 밸브 및 셔터와 결합되어 상기 진공챔버 내로 유입되는 식각가스와 아르곤 이온빔을 조절하는 밸브/셔터 컨트롤 컴퓨터; 및 냉각수를 통해 상기 진공챔버의 진공상태를 유지시키는 터보 펌프; 를 포함하는 실리콘 및 화합물 반도체의 이온빔 식각장치.
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2006-05-12
상세보기
일반기술
전기·전자 > 영상·음향기기
본 기술은 한 쌍의 2차원 이미지로부터 3차원의 공간 정보를 재창출하는 영상 정합 방법을 제공한다. 즉, 사람의 눈과 같이 Real- Time으로 공간상의 모든 물체 위치 및 형태를 입체적으로 측정할수있다. 이 영상 정합방법은 기존의 소프트웨어를 이용한 정합방법과 달리 하드웨어를 사용하며 고속 병렬프로세싱구조를 가짐으로써 실시간으로 양안차 정보를 얻을수 있다. 그리고 양안차를 차분 코딩 방식으로 압축하여 압축률을 높일 수 있다1) 스테레오 비전은 2차원 비전에서는 측정하기 힘든 거리, 깊이, 곡률, 회전 각도, 방향 등의 정보를 쉽게 측정 할 수 있으며, 주위 환경에 대해서 비교적 강인한 장점을 가지고 있다. 본 기술은 고속 병렬 프로세싱 구조(architecture)를 이용하여 FPGA상에서 테스트를 완료하였으며, 30frame/sec의 속도로 영상을 처리할 수 있다. 이 기술은 비디오 이미지의 실시간 스테레오 비전 프로세싱이 가능하게 되며, 대상 물체까지의 거리 정보를 알 수 있어서 차량이나 로봇을 위한 자동 항해 시스템(autonomous navigation system)등에서 중요한 부분을 이룰 수 있다. 2) 사양 및 성능: 기하학적인 공간상의 모든 물체의 형태, 즉 표면위치를 실시간으로 측정, 고속 병렬 처리 기능의 새로운 3D STEREO 정합 ALGORISM 및 병렬 ARCHITECTURE로서 FPGA 구현, 복잡한 영상 처리 SYSTEM이 ONE CHIP으로 구현되어 저전력 및 소형화를 통한 원가 절감이 된다. 3) 기존 기술과 비교: 기존의 레이저 거리측정기는 기본적으로 한 점에 대한 거리를 측정하며 넓은 영역의 거리를 측정하기 위해서는 스캐닝이 가능한 기계장치가 필요하고, 많은 시간이 소요된다. 또, 레이저 빔에 대한 안전장치도 필요하며, 장치의 크기가 크고, 많은 전력, 낮은 해상도에 의해 거리측정을 필요로 하는 분야에서 완전한 역할을 하지 못하였다. 반면 Stereo 정합을 이용한 거리측정은 카메라 프레임 속도의 실시간 처리가 가능하며, 소형 사이즈, 저가의 저전력 장치, 송신부가 필요없는 측정장치, 넓은 영역 또는 높은 해상도로 공간 거리측정과 같은 많은 잇점이 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2006-05-24
상세보기