일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 활성층과 전류차단구조를 형성하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법에 관한 것으로, 종래 광전소자의 전류차단구조 형성방법은 활성층을 형성한 후, 이온 주입법 또는 확산법을 사용하여 전류차단구조를 형성함으로써 공정단계가 복잡하고, 미세한 구조를 형성하는 것이 용이하지 않아 그 수율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 V자형의 홈이 형성된 갈륨비소기판의 방향에 따라 성장되는 P형 갈륨비소에피층의 정공농도의 차를 이용하여, 동시에 그 V자형 홈의 사면에는 전류차단구조를 형성하고 갈륨비소기판의 평탄한 면에는 활성층을 형성함으로써 공정단계를 간략화하는 효과와, 미세한 패턴의 공정이 가능해짐으로써 그 수율을 증가시키는 효과가 있다.1. 기판의 기울기에 따라 그 기판위에 성장되는 P형 갈륨비소 에피층의 정공농도차를 이용하여,경사면을 갖는 기판에 P형 갈륨비소 에피층을 성장시켜 활성층과 전류차단구조를 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법.2. 제 1항에 있어서, 기판은(Ⅲ)방향의 경사면을 갖는 V자홈이 형성된(100)방향의 갈륨비소기판인 것을 특징으로 하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법.3. 제 1항에 있어서, P형 갈륨비소 에피층은 유기금속 화학증착방법을 사용하여 상기 V자홈이 형성된 갈륨비소기판상에 성장시켜 된 것을 특징으로 하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
차원 형상 정보획득 장치 및 그 방법15655대상물(6)에 평면광을 조사시키는 레이저 빔 발생부(2)와, 이 레이저 빔 발생부(2)의 레이저 빔 발생을 제어하는 레이저 빔 구동제어부(1)와, 상기 대상물(6)을 회전 테이블(7) 상에서 회전시키는 모처(8)와, 상기 레이저 빔 발생부(2)의 평면광 조사에 의해 가우시안(gaussian)분포를 갖는 선이 형성된 상기 대상물(6)의 영상을 획득하는 씨씨디 카메라(4)와, 상기 레이저 빔 발생부(2)및 씨씨디 카메라(4)를 가이드 테이블(5)상에서 수평 이동시키는모터(3)와, 구동제어신호를 전류로 변환함에 따라 상기 모터(3)(7)를 구동시키는 모터 구동부(9)와, 이 모터 구동부(9)에 구동제어신호를 출력하는 모터 구동 제어부(10)와, 상기 씨씨디 카메라(4)의 출력을 메로리에 저장함과 아울러 3차원의 영상 데이타에 따른 2차원의 영상 데이타를 교정, 합성하여 상기 대상물(6)의 3차원 좌표값을 산출하는 영상 처리부(11)와, 이 영상 처리부(11)의 출력에 따라 상기 대상물(6)의 주사선별 영상및 근사 곡면을표시하는 모니터(12)로 구성한 것을 특징으로 하는 자유 곡면의 3차원 형상 정보 획득 장치.1. 대상물(6)에 평면광을 조사시키는 레이저 빔 발생부(2)와, 이 레이저 빔 발생부(2)의 레이저 빔 발생을 제어하는 레이저 빔 구동 제어부(1)와, 사기 대상물(6)을 회전 테이블(7) 상에서 회전시키는 모터(8)와, 상기 레이저 빔 발생부(2)의 평면광 조사에 의해 가우시안(gaussian) 분포를 갖는 선이 형성된 상기 대상물(6)의 영상을 획득하는 씨씨디 카메라(4)와, 상기 레이저 빔 발생부(2) 및 씨씨디 카메라(4)를 가이드 테이블(5) 상에서 수평 이동시키는 모터(3)와, 구동 제어신호를 전류로 변환함에 따라 상기 모터(3)(7)를 구동시키는 모터 구동부(9)와, 이 모터 구동부(9)에 구동 제어신호를 출력하는 모터 구동 제어부(10)와, 상기 씨씨디 카메라(4)의 출력을 메모리에 저장함과 아울러 3차원의 영상 데이타에 따른 2차원의 영상 데이타를 교정, 합성하여 상기 대상물(6)의 3차원 좌표값을 산출하는 영상 처리부(11)와, 이 영상 처리부(11)의 출력에 따라 상기 대상물(6)의 주사선별 영상및 근사 곡면을 표시하는 모니터(12)로 구성한 것을 특징으로 하는 자유 곡면의 3차원 형상 정보 획득 장치.2. 제1항에 있어서, 레이저 빔 발생부(2)는 레이저 빔을 발생시키는 레이저 다이오드(21)와, 이 레이저 다이오드(21)에서 발생된 레이저 빔을 평면광으로 변환하는 원통 렌즈(22)로 구성한 것을 특징으로 하는 자유곡면의 3차원 형상 정도 획득 장치3. 제1항에 있어서, 영상 처리부(11) 및 모터 구동 제어부(10)는 개인용 컴퓨터(13)에 내장하여 구성한 것을 특징으로 하는 자유 곡면의 3차원 형상 정도 획득 장치.4. 제3항에 있어서, 개인용 컴퓨터(13)은 윈도우(WINDOW) 환경이 설정되어 모터(3)(7)의 구동을 제어함과 아울러 상기 대상물(6)의 형상을 획득하기 위한 설정 화면을 표시하고 능동 비젼으로 대상물(6)의 영상을 획득하여 반사식으로 3차원 좌표값을 계산함으로써 가공위치를 산출하게 구성한 것을 특징으로 하는 자유 곡면의 3차원 형상 정보 획득 장치.5. 형상 획득을 위한 파라메터의 초기값으로 설정하는 초기화 단계와, 상기 초기화 단계가 종료되면 2차원 영상 좌표를 3차원의 좌표로 변화하기 위하여 교정 파라메터를 결정하는 좌표 교정 단계와, 상기 좌표 교정 단계에서 좌표값의 교정이 완료되면 설정치를 셋업한 후 대상물이 회전형상이면 대상물(6)을 회전시킴에 따른 영상을 획득하고 회전 형상이 아니면 카메라(4)와 레이저 다이오드(21)를 수평 이동시킴에 따른 영상을 획득하는 영상 획득 단계와, 상기 영상 획득 단계에서 획득한 영상을 문턱값과 비교함에 따라 그레이 베벨로 변환하는 영상 변환 단계와, 상기 영상 변환단계에서 변환된 영상 데이타를 세선화(thinning)하여 측정 위치의 3차원 좌표를 산출하고 대상물의 좌표값이 모두 산출되었는지 판별하여 모두 산출되면 다면체의 근사 곡면을 생성하는 좌표 산출 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 자유 곡면의 3차원 형상 정도 획득 방법.6. 제5항에 있어서, 좌표 교정 단계는 파라메터에 의한 교정 블럭에 월드 좌표(world coordinate)를 설정하므로써 기준점의 좌표값을 산출하도록 함을 특징으로 하는 자유 곡면의 3차원 형상 정보 획득 장치.7. 제5항에 있어서, 좌표 산출 단계는 이웃하는 두 주사선 상의 위치벡터를 꼭지점으로 하는 삼각면을 만들어 다면체의 근사 곡면을 생성하는 것을 특징으로 하는 자유 곡면의 3차원 형상 정보 획득 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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전기·전자 > 전자부품
평면상으로 절곡형성된 히터 선(1)과 판상체의 히터 판(2)과 히터 선(1)이 히터 판(2)과 일정간격을 유지한 상태로 히터 판(2) 위에 지지되도록 하는 히터 선 지지구(3)와 히터 판(2)의 하부및측면에 설치되는 하부방열판(5A) 및 측면 방열판(5B)으로 구성됨을 특징으로 하는 화학증착 장치용 히터.1. 평면상으로 절곡형성된 히터 선(1)과 판상체의 히터 판(2)과 히터 선(1)이 히터 판(2)과 일정간격을 유지한 상태로 히터 판(2)위에 지지되도록 하는 히터 선 지지구(3)와 히터 판(2)의 하부 및 측면에 설치되는 하부 방열판(5a) 및 측면 방열판(5)으로 구성됨을 특징으로 하는 화학증착 장치용 히터.2. 제1항에 있어서, 히터 선(1)은 몰리브덴 또는 텅스텐으로 이루어짐을 특징으로 하는 화학증착 장치용 히터.3. 제1항에 있어서, 히터 판(2)은 중앙부에 기판지지대 회전축 삽입구멍(2a)이 형성됨을 특징으로 하는 화학증착 장치용 히터.4. 제1항에 있어서, 히터 선 지지구(3)에는 히터선 통과공(3a)과 고정공(3b)가 상,하로 관통형성됨을 특징으로 하는 화학증착 장치용 히터.
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- 2000-12-15
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전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
서보모터(5)와 회전펌프(6) 및 디퓨전 펌프(7)을 포함하는 몸체부(1)과, 마모 시험 장치와 신호선 연결대(15)와 할로겐 램프(18) 및 가스 주입구(16)을 포함하는 장치 본체부(2)와, 이 장치 본체부 내의 상태와 펌프들의 작동 여부 및 자동 조절 밸브의 개폐상황을 나타내는 장치 조작 패널(3)과, 서보 모터를 작동시키는 조작시스템(4)로 구성되며, 진공 및 특수한 환경 분위기내에서 재료의 마찰 및 마모 시험을 수행하기 위한 장치에 있어서, 상기장치 본체부는 원형 상판(33)과 하판(34) 및 측판으로 둘러싸인 진공챔버(21)내에 마련되며, 하중 공급원에 연결되고 볼 접촉대(40)과 시편볼(31)을 거쳐서 시편 디스크(32)에 이르기까지 시험 하중을 부과하는 하중 부가 장치(43)과, 이 하중 부과 장치(43)에 연결되어 이로부터의 시험 하중을 볼 접촉대(40)에 전달하고 자체의 직선 운동시 기밀을 유지하기 위하여 신축 자재한 주름관(47) 내에 수납된 하중봉(48)과, 상기 하중부과장치(43)에 의해 부과되는 시험 하중을 감지하기 위해 하중봉(48) 아래에 마련된 하중 센서(35)와, 상기 시험 하중을 시편 볼(31)에 최종적으로 전달하는 하중 전달 장치(20)과, 이 하중전달 장치(20)상에 마련되어 시편볼(31)과 시편 디스크(32) 사이에서 발생하는 마찰력을감지하기 위한 마찰력 센서(36)과, 시험하중을 부과함에 따라 하중봉(48)이 수직 하방으로 이동함에 따라 주름관(47)이 이동할때이 주름관에 발생되는 주름관의 내면적 만큼의 힘에 대한 균형과하중변동의 폭을 줄이기 위하여 주름관 내부에 하중봉(48)주위에그 길이방향으로 마련된 인장 스프링(46)을 포함하며, 상기 마찰및 마모 시험 장치는 시편 디스크(42)를 회전시키기 위해 이 시편 디스크(42)와 서보 모터(5)사이에서 연결된 마그네틱 커플링 장치(19)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마찰및 마모 시험 장치.1. 서보 모터(5)와 회전 펌프(6) 및 디퓨전 펌프(7)을 포함하는 몸체부(1)과, 마모 시험 장치와 신호선 연결대(15)와 할로겐 램프(18) 및 가스 주입구(16)을 포함하는 장치 본체부(2)와, 이 장치 본체부 내의 상태와 펌프들의 작동 여부 및 자동 조절 밸브의 개폐 상황을 나타내는 장치 조작 패널(3)과, 서보 모터를 작동시키는 조작 시스템(4)로 구성되며, 진공 및 특수한 환경 분위기 내에서 재료의 마찰 및 마모 시험을 수행하기 위한 장치에 있어서, 상기 장치 본체부는 원형 상판(33)과 하판(34) 및 측판으로 둘러싸인 진공침버(21) 내에 마련되며, 하중 공급원에 연결되고 볼 접촉대(40)과 시편볼(31)을 거쳐서 시편 디스크(32)에 이르기까지 시험 하중을 부과하는 하중 부과 장치(43)과, 이 하중 부과 장치(43)에 연결되어 이로부터의 시험 하중을 볼 접촉대(40)에 전달하고 사체의 직선 운동시 기밀을 유지하기 위하여 신축자재한 주름관(47) 내에 수납된 하숭봉(48)과, 상기 하중 부과 장치(43)에 의해 부과되는 시험 하중을 감지하기 위해 하중봉(48) 아래에 마련된 하중 센서(35)와, 상기 시험 하중을 시편 볼(31)에 최종적으로 전달하는 하중 전달 장치(20)과, 이 하중 전달 장치(20) 상에 마련되어 시편 볼(31)과 시편 디스크(32) 사이에서 발생하는 마찰력을 감지하기 위한 마찰력 센서(36)과, 시험 하중을 부과함에 따라 하중봉(48)이 수직 하방으로 이동함에 따라 주름관(47)이 이동할 때 이 주름관에 발생되는 주름관의 내면적 만큼의 힘에 대한 균형과 하중 변동의 폭을 줄이기 위하여 주름과 내부에 하중봉(48) 주위에 그 길이 방향으로 마련된 인장 스프링(46)을 포함하며, 상기 마찰 및 마모 시험 장치는 시편 디스크(42)를 회전시키기 위해 이 시편 디스크(41)와 서보 모터(5) 사이에서 연결된 마그네틱 커플링 장치(19)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마찰 및 마모 시험 장치.2. 제1항에 있어서, 하중 전달 장치(20)의 수직 이동이 하판(34)에 고정된 안내봉(58)을 축심으로 볼 접촉대(40)이 결합된 리니어 베어링(50)에 의해 안내되며, 시편 고정된(60)의 회전 마찰 저항을 최소로 하기 위하여 협동 작용하는 드러스트 베어링(55)와 테이퍼 롤러 베어링(54)를 마련하고, 시편 고정대(60)의 3개 위치에서 시편 볼(31)을 시험하여 하중을 마찰력으로 전달하고, 하중 전달 장치의 자중을 지지하고 하중 변동의 요인을 줄이기 위하여 안내봉(58)의 상부와 볼 접촉대(40)의 하부 사이에 압축 스프링(57)을 마련한 것을 특징으로 하는 마찰 및 마모 시험 장치.3. 제1항에 있어서, 서로 모터(5)로부터 밸트와 풀리에 의해서 고리형 외측 마그네트(65)가 결합된 외측 회전봉(68)을 회전시키면 분리컵(63)의 내부에 있는 원형 내측 마그네트(64)가 결합된 디스크 홀더(62)가 자력에 의해서 동력이 전달되는 구조로 고정된 분리컵(63)에서 O-링으로 기밀을 유지시키는 구조로 회전운동의 동력을 전달시 축을 분리하여 기밀을 유지하고 동력을 전달하도록 구성된 것을 특징으로 하는 마찰 및 마모 시험 장치.4. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 하중 부과 장치가 공압에 의한 하중 부과 방식으로 공압 실린더(43)과 실린더 고정대(44)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마찰 및 마모 시험 장치.5. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 하중 부과 장치가 추 하중 부과 방식으로 추 안내봉(49)와 추접시(51)을 포함하는 것을 특징으로 하는 마찰 및 마모 시험 장치.6. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 오일 내에서의 마찰 및 마모 시험을 수행할 수 있도록 상부 베어링 홀더(61)을 제거하고 오일통(71)을 설치한 것을 특징으로 하는 마찰 및 마모 시험 장치.7. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 마그네틱 커플링 장치(19)가 서보 모터(5)에 연결되어 이의 회전에 의해 회전하는 외측 회전봉(68)에 결합된 외측 마그네트(65)와, 분리컵(63) 내부에 있고 외측 마그네트(65)의 회전에 의해 자력에 의해서 회전되어 이에 연결된 디스크 홀더(62)를 회전시켜 시편 디스크(32)를 회전시키는 내측 마그네트(64)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마찰 및 마모 시험 장치.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 고온부 전기로 주위에 링형 전자석을 설치하여 결정성장축 방향으로 약 1600 가우스의 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만법의 단결정 성장장치로서, 결정성장시 민감한 온도구배의 변화를 기할 수 있을 뿐만 아니라 고온부 전기로를 내부로 냉각수가 순환되는 이중관으로 형성하여 그 내주면에 금박막을 코팅하고, 안쪽으로 열선으로부터 방출되는 적외선을 일차적으로 흡수하도록 열선과 이중관 사이에 원통형의 단열담요 또는 보호석영관을 설치하여 상기 전자석의 자기장이 효과적으로 인가되도록 함으로써 저결함, 대직경의 갈륨비소 단결정을 성장시킬 수 있도록 한 것이다.1. 상부측의 고온부와 전기로와, 하부측의 저온부 전기로 및 고온부 전기로 내부에 설치됨과 아울러 그 내부에 반응용기가 내장되는 결정성장용 반응관 및, 상기 고온부 전기로의 중간부 외주를 포위하는 전자석을 구비하여서 됨을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.2. 제 1항에 있어서, 상기 고온부 전기로는 내면에 금박막이 코팅된 내부관과, 이 내부관을 포위하는 외부관 및 내, 외부관 사이에 냉각수 순환공간을 가지는 이중관으로 형성된 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.3. 제 2항에 있어서, 상기 이중관은 스텐레스관인 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.4. 제 2항에 있어서, 상기 이중관은 석영관인 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고온부 전기로 및 저온부 전기로의 내주면과 그 내주면에 근접설치되는 열선 사이에는 비교적 얇은 단열담요가 설치된 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.6. 제 5항에 있어서, 상기 열선에는 열선간의 접촉을 방지하는 단열 스페이서가 끼워지며 이 단열 스페이서를 프레임에 수직설치된 지지관에 접착고정하여 열선의 변형이 방지되도록 구성된 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.7. 제 1항에 있어서, 상기 고온부 전기로와 저온부 전기로 및 전자석은 베이스 플레이트에 수직 입설된 가이드 레일을 따라서 승강가능한 승강대에 정착되어 승강가능하게 설치되는 것임을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.8. 제 7항에 있어서, 상기 승강대는 상기 가이드 레일에 안내되는 상, 하 한쌍의 슬라이더와 이 상, 하 한쌍의 슬라이더가 결합되어 상기 전자석을 지지하는 상부 받침대와, 상기 저온부 전기로를 지지하는 하부 받침대와, 이 상, 하부 받침대를 연결하는 연결간으로 구성되어 연결간을 결합 및 분리하는 것에 의하여 상기 고온부 전기로와 저온부 전기로 및 전자석이 동시 또는 독립적으로 승강되도록 구성됨을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.9. 제 1항에 있어서, 상기 전자석은 링형으로 형성되며, 그 내경이 고온부 전기로의 외경보다 3cm이하로 크게 형성된 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.10. 제 1항에 있어서, 상기 전자석의 높이는 성장시키고자 하는 단결정 길이의 2배인 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 CBr4개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법에 관한 것으로, 패터닝된 GaAs 기판 위에 유기금속화학증착(MOCVD)법에 의해 에피층을 성장시킬 때 CBr4개스를 유 입시키므로써, 상기 CBr4유입량에 따라 에피층 패턴의 측면 성장율을 조절할 수 있을 뿐 아니라 이로 인해 소자의 평탄화를 기할 수 있게 된다.1. 반도체 소자 제조공정에 있어서, 패터닝된 GaAs기판 위에 유기금속 화학증착법에 의해 에피층을 성장시킬 때 CBr₄개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 CBr₄을 유입하여 에피층을 성장시키는 과정에서 에피층 성장온도 또는 원료 개스인 5족 원료 유입량/3족 원료 유입량의 비를 변화시켜 에피층의 측면 성장율을 조절하는 것을 특징으로 하는 CBr₄개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.3. 제 1항에 있어서, 상기 패터닝된 GaAs기판은 광노광법 또는 습식식각법으로 식각처리하여 메사 또는 V홈 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 CBr₄개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.4. 제 2항에 있어서, 상기 에피층 성장온도는 600℃내지 800℃범위 내에서 변화시키는 것을 특징으로 하는 CBr₄개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.5. 제 2항에 있어서, 상기 원료 개스인 5종 원료 유입량/3족 원료 유입량의 비는 5내지 120 범위내에서 변화시키는 것을 특징으로 하는 CBr₄개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
질화갈륨(GaN), 질화인듐(InN) 및 질화알루미늄(AlN)과 같은 Ⅲ족 금속우너소의 질화물의 미세 결정을 제조하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 정방향 또는 역방향으로 회전가능한 회전날개가 부착된 가스도입관을 통해 암모니아 가스를 Ⅲ족 금속우너소 용융물 내부로 주입하여 암모니아 가스와 Ⅲ족 금속원소를 직접 화학반응 시킴으로써 간편한 방법으로 수~ 수십 ㎛ 크기의 미세한 Ⅲ족 금속원소의 미세결정을 제조할 수 있다.1.850℃~1100℃의 온도에서, 갈륨, 알루미늄 및 인듐 중에서 선택된 Ⅲ족 원소 용융뮬 내부로 나선형 모양의 회전 날개가 부착된 암모니아 가스도입관을 잠기게 하여, 상기 가스도입관을 통해 암모니아 가스를 상기 Ⅲ족 원소 용융물 내부로 주입하는 한편, 상기 회전날개를 정방향 또는 역방향으로 회전시킴으로써 Ⅲ족 원소와 암모니아 가스를 직접 화학반응시킴을 특징으로 하는 Ⅲ족 원소 질화물의 미세결정의 제조방법.2. 제 1항에 있어서, Ⅲ족 원소가 갈륨인 것이 특징인 방법.3. 제 1항 또는 2항에 있어서, 화학반응 후에 염산(HCl)혹은 부피비 1:1의 질산(HNO₃)+불산(HF)의 혼합물 또는 왕수(3염산+1질산)의 용액을 잔류하는Ⅲ족 원소를 제거함으로써 Ⅲ족 원소 질화물 미세정을 추출함을 특징으로 하는 방법.4. Ⅲ족 원소 용융물을 수납할 반응용기(4)가 내장된 반응관(2), 반응관(2)를 지지하는 상하 이동가능한 받침대(5), 정방향 또는 역방향으로 회전가능한 나선형 회전날개(6)가 구비되어 있는 Ⅲ족 원소 용융물 내부로 암모니아 가스를 도입하기 위한 가스도입관(7), 및 반응관(2)의 외주부에 형성된 1200℃까지 승온가능한 전기로(1)로 이루어진 Ⅲ족 원소의 질화물 미세결정 제조용 장치.5. 제 4항에 있어서, 나선형 모양의 회전날개가 부착된 가스도입관이 석영재료 또는 PBN(pyrolytic boron nitiride)으로 제작된 것이 특징인 장치.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명에 의한 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자(electro-luminescentdisplay device) 및 그 제조방법은, Si 기판 상에 소정 패턴의 식각마스크를 형성하는 공정과; 상기 식각마스크를 이용한 식각공정으로 Si 기판을 식각하여 측면에 Si 마이크로-미러를 갖는 웰을 형성하는 공정과; 상기 기판의 웰 밑면 상에 하부절연층을 형성하는 공정과; 상기 하부절연층 상에 발광층을 형성하는 공정과; 상기 발광층상에 상부절연층을 형성하는 공정 및; 상기 상부절연층 상에 상부전극을 형성하는 공정으로 이루어져, 1)종래 SiO2 박막 미러에 의해 Si 마이크로-미러의 식각 표면특성을 매우 평탄(smooth)하게 형성할 수 있게 되므로 난반사를 줄일 수 있고, 공정재현성이 뛰어나다는 잇점을 가지며, 2)발광층의 측면으로 방출되는 빛을 마이크로-미러를 통해 전면방출시 효과적으로 이용할 수 있으므로, 전면방출 만을 갖는 종래의 ELD 소자에 비해 휘도 특성을 10배 이상 개선할 수 있을 뿐 아니라 발광효율도 2배 이상 상승시킬 수 있게 된다.1. 기판의 상부에 하부절연층, 미러, 발광층, 상부절연층 및 상부전극이 순차적으로 적층된 전계발광표시소자에 있어서, 상기 기판은 측면부가 경사지게 형성되며, 그 측면부에 Si 마이크로-미러를 갖으며, 그 저면이 평탄한 함몰지역이 형성되어 있으며, 상기 미러를 제외한 하부절연층, 발광층, 상부절연층 및 상부전극이 상기 기판의 함몰지역 저면으로 부터 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자.2. 제 1 항에 있어서, 상기 Si 마이크로-미러는 사면 또는 이면 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자.3. 제 1 항에 있어서, 상기 전계발광표시소자는 기판의 웰 밑면과 하부절연층 사이에 위치하는 하부전극을 더포함하여 된 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자.4. 제 1 항에 있어서, 상기 함몰지역을 갖는 기판의 상부와 하부절연층의 사이에 위치하여 그 기판의 상부면형상을 그대로 유지하며, 그 재질이 Al, Mo, Ta, W중 선택된 어느 하나로 이루어지는 금속층을 더 포함하여 된 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자.5. Si 기판의 상부에 하부절연층을 증착하는 하부절연층 형성공정과; 그 하부절연층의 상부에 산화막, 다결정실리콘, 산화막을 순차적으로 증착하여 평면형박막 미러를 형성하는 미러형성공정과; 상기 박막 미러의 상부에 발광층.상부절연층 및 상부전극을 순차적으로 증착하고, 기판상에 증착된 상기 하부절연층, 박막 미러, 발광층, 상부절연층 및상부전극을 패터닝하는 박막 증착 및 패턴 형성공정으로 이루어지는 전계발광 표시소자의 제조방법에 있어서, 상기 하부절연층 형성공정은 Si 기판을 그 Si 기판의 상부일부영역을 소정두께로 식각하여 측면이 경사지며, 그 저면이 평탄한 함몰지역을 형성하고, 그 함몰지역이 형성된 Si 기판상에 하부절연층을 증착하고, 상기 미러형성공정을 제조공정에서 제외시킴과 아울러 상기 박막 증착 및 패턴 형성공정은 상기한 박막을 증착한 후, 상기 하부절연층, 발광층, 상부절연층 및상부전극의 일부를 식각하여, 그 잔존하는 하부절연층, 발광층, 상부절연층 및 상부전극의 적층구조가 상기 기판에 형성한 함몰지역의 평탄한 저면상에 위치하도록 패터닝하는 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자의 제조방법.6. 제 5 항에 있어서, 상기 Si 기판에 함몰지역을 형성할때 사용하는 식각마스크는 직사각형 모양의 창이 형성된 구조 또는 스트라이프 모양의 창이 형성된 구조를 가지는 것을 사용하여 그 함몰지역의 측면이 하부절연층, 발광층,상부절연층 및 상부전극 적층구조의 이면 또는 사면에 위치하도록 그 함몰지역을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자의 제조방법.7. 제 5 항에 있어서, 상기 Si 기판은 KOH + 물로 이루어진 혼합 수용액으로 식각하여 그 함몰지역의 측면 및저면에 미러를 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자의 제조방법.8. 제 5 항에 있어서, 상기 하부절연층 형성공정은 함몰지역이 형성된 Si 기판상에 Al, Mo, Ta, W중 선택된어느 하나를 증착하여 하부전극을 형성하는 단계를 더 포함하여 된 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자의 제조방법.9. 제 5 항에 있어서, 상기 Si 기판을 유리기판으로 대체하여 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를갖는 전계발광표시소자의 제조방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 전기장발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 전기장발광소자는 인가되는 전기장의 세기에 비해 발광층의 내부로 주입되는 전자의 수가 적어 휘도특성 및 발광효율이 저하되는 문제점이 있었다. 이러한 문제점을 감안한 본 발명은 발광층과 절연층의 사이에 계면구조물을 삽입하여 화소 면적의 변화없이 발광층과 절연층의 사이의 계면의 표면적을 증가시킴으로써, 전기장발광소자의 휘도와 발광효율을 증가시키는 효과가 있다.1. 배면전극(6)의 상부에 형성한 하부 절연층(3)과; 상기 하부 절연층(3)의 상부에 형성한 요철형의 계면구조물(7)과; 상기 요철형의 계면구조물(7)의 상부에 순차적으로 형성한 발광층(4), 상부 절연층(5), 투명전극(2)으로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 전기장발광소자.2. 제 1항에 있어서, 상기 요철형의 계면구조물(7)은 원추형 또는 사각뿔형 또는 사각형의 요철구조를 갖는것으로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 전기장발광소자.3. 제 1항 또는 2항에 있어서, 상기 요철형의 계면구조물(7)은 실리콘 기판 또는 실리콘을 기초로한 유리계또는 Al, Mo, Ta, W, Ti 등의 금속인 것을 특징으로 하는 전기장발광소자.4. 실리콘 기판을 사용하여 요철형의 계면구조물(7)을 형성하는 단계와; 상기 요철형의 계면구조물(7)의 하부에 물리적 또는 화학적 기상 증착법을 사용하여 SiO2, SiOXNY, BaTa2O6, Ta2O5, Al2O3, BaTiO3 등을 증착하여 하부 절연층(3)을 형성하는 단계와; 상기 요철형의 계면구조물(7)의 상부에 ZnS, SrS, CaS, CaGa2S4, BaGa2S4,SrGa2S4 등의 모체에 Mn 또는희토류원소(Tb, Ce, Tm, Eu, Pr)를 첨가한 발광층(4)을 전자선증착법으로 증착하는 단계와; 상기 발광층(4)의 상부에 상부 절연층(5)을 증착하는 단계와; 상기 상부 절연층(5)의 상부 및 하부 절연층(6)의 하부에 ITO막이 증착된 실리콘 또는ZnO:Al 박막을 증착하여 투명전극(2) 및 배면전극(6)을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 전기장발광소자 제조방법.5. 제 4항에 있어서, 상기 요철형의 계면 구조물을 형성하는 단계는 실리콘 기판의 상부에 식각 마스크용의열산화막을 성장시키는 단계와; 사진식각공정을 사용하여 상기 기판의 일면에 원형, 정사각형 또는 직선형의 창을 형성하는 단계와; 소정 온도에서 상기 노출된 원형, 사각형 또는 직선형으로 노출된 상기 실리콘 기판을 식각하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전기장발광소자 제조방법.6. 제 4항 또는 제 5항에 있어서, 상기 실리콘 기판은 4인치의 크기, 530 청구항 7. 제 5항에 있어서, 상기 열산화막은 0.2 두께로 성장시키는 것을 특징으로 하는 전기장발광소자 제조방법. 청구항 8. 제 4항에 있어서, 상기 실리콘 기판을 식각하는 단계는 110~115℃의 온도분위기에서 식각하는 것을 특징으로 하는 전기장발광소자 제조방법.청구항 9. 제 4항에 있어서, 상기 요철형 계면구조물은 실리콘을 기초로한 유리계 또는 Al, Mo, Ta, W, Ti 등의 금속재료를 사용하는 것을 특징으로 하는 전기장발광소자 제조방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 전기장 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 전기장 발광소자는 하부 절연층으로 비정질 또는 다결정 BaTiO3를 사용하여 하부 절연층을 증착한 이후의 공정에서 고온을 사용하는 경우 그 특성이 열화되어 누설전류가 증가되고, 항복 전기장강도가 저하되어 전기장 발광소자의 구동을 목적으로 전기장을 인가하는 경우 그 전기장 발광소자가 쉽게 파괴되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 하부 절연층을 유전상수값이 큰 다결정 BaTiO3와 절연특성이 우수한 비정질 BaTiO3를 적층하여 형성함으로써, 휘도의 포화가 일어나는 고전압에서도 파괴되지 않고 안정된 동작을 하는 효과와 아울러 그 휘도특성이 우수하여 저전압에서 사용이 가능한 효과가 있다.1. 유리기판의 상부에 형성한 투명전극과, 상기 투명전극의 상부에 증착한 하부 절연층과, 상기 하부 절연층의 상부에 순차적으로 형성한 발광층, 상부 절연층, 알루미늄전극을 포함하는 전기장 발광소자에 있어서, 상기 하부 절연층은 순차적으로 증착된 다결정 BaTiO3, 비정질 BaTiO3로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자. 2. 제 1항에 있어서, 상기 발광층의 두께는 400~700nm인 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자.3. 제 1항에 있어서, 상기 상부 절연층은 SiOXNY인 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자.4. 제 1항 또는 제 3항에 있어서, 상기 상부 절연층의 두께는 300nm인 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자. 5. 유리기판상에 투명전극을 증착하는 단계와; RF 반응성 스퍼터 장치를 이용한 스퍼터링방법을 사용하여 상기 투명전극의 상부에 다결정 BaTiO3, 비정질 BaTiO3를 순차적으로 증착하여 하부 절연층을 형성하는 단계와; 상기 하부절연층상에 ZnS을 증착하여 발광층을 형성하는 단계와; 상기 발광층의 박막 결정성 향상을 위하여 진공 열처리하는 단계와; 상기 발광층상에 상부 절연층을 증착하는 단계와; 상기 상부 절연층의 상부에 열증착법으로 알루미늄을 증착한후 패터닝하여 상호 소정 간격으로 이격되도록 다수의 알루미늄전극을 형성하는 단계로 이루어 진 것을 특징으로 하는 전기장발광소자 제조방법.6. 제 5항에 있어서, 상기 유리기판은 직경 4인치, 두께 1/4인치의 BaTiO3 세라믹 소결체를 사용하여 된 것을특징으로 하는 전기장 발광소자 제조방법.7. 제 5항에 있어서, 상기 하부 절연층을 증착하는 단계는 알에프 전력밀도 2.5W/cm2, 기체 압력 8mtorr, 반응기체로 주입된 산소분압 약 10%, 기판온도 550℃의 공정 분위기에서 증착하는 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자 제조방법.8. 제 5항에 있어서, 상기 하부절연층을 증착하는 단계가 완료된 시점에서의 기판온도는 약 280℃인 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자 제조방법.9. 제 5항에 있어서, 상기 발광층을 형성하는 단계는 진공도 5×10-5torr, 기판온도 180~220℃의 공정분위기에서 전자선증착법으로 Mn으로 도핑된 ZnS를 450~700nm 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자 제조방법.10. 제 5항에 있어서, 상기 발광층을 형성하는 단계는 Pr, Ce를 각각 0.1~0.3 mol % 첨가한 ZnS를 450~700nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자 제조방법.11. 제 5항에 있어서, 상기 발광층을 형성한 후 진공열처리 하는 단계는 1시간동안 기판의 온도를 450℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자 제조방법.12. 제 5항에 있어서, 상기 상부 절연층을 증착하는 단계는 SiOXNY를 300nm 두께로 증착하는 것을 특징으로 전기장 발광소자 제조방법.13. 제 5항에 있어서, 상기 알루미늄전극을 형성하는 단계는 열증착법으로 알루미늄을 150nm두께로 증착하고,그 증착된 알루미늄을 리프트 오프공정으로 패터닝하는 것을 특징으로 하는 전기장 발광소자 제조방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 계측기기
본 발명은 촉매특성 분석장치에 관한 것으로, 유통식 반응기에 체적식 분석장치를 결합함으로써 촉매를 공기중에 노출시키지 않을 뿐만 아니라 촉매의 특성을 변화시킬 염려가 있는 전처리 조작없이 체적식 흡착방법에 의하여 촉매의 특성을 분석할 수 있어 실제 반응상태에서의 촉매특성을 정확히 측정할 수 있게 되도록 한 것이다. 또한 본 발명은 유통식 반응기에 체적식 분석장치와 아울러 유통식 분석장치를 결합함으로써 보다 다양한 촉매의 특성을 보다 정확하게 분석할 수 있으며, 반응도중에 촉매의 특성을 연속적으로 또는 교대로 분석할 수 있도록 한 것이다.1. 반응기와 반응/운반가스 공급원으로 구성되는 유통식 화학반응기와, 분기관에 표준체적관과 흡착가스 공급원과 고진공펌프 및 절대압력계가 각각 연결된 체적식 흡착장치가 결합되어 구성됨을 특징으로 하는 촉매특성 분석장치.2. 제1항에 있어서, 상기 표준체적관과 흡착가스 공급원 및 고진공펌프는 각각 밸브를 통하여 분기관에 연결되며, 상기 반응기는 상기 분기관에 시료관 밸브를 통하여 연결되고, 상기 반응/운반가스 공급원은 상기 시료관 밸브와 반응기의 중간에 반응/운반가스 공급밸브를 통해 연결됨을 특징으로 하는 촉매특성 분석장치.3. 제1항에 있어서, 상기 반응기와 반응/운반가스 공급원 사이에는 유통식 분석장치가 결합되어 구성됨을 특징으로 하는 촉매특성 분석장치.4. 제3항에 있어서, 상기 유통식 분석장치는, 상기 반응/운반가스 공급원과 반응/운반가스 공급밸브사이 및 상기 반응기 출구에 위치한 배출밸브 후단에 각각 설치된 2개의 4-방향밸브를 통하여 열전도도 검출기에 연결되고, 상기반응/운반가스 공급원의 도중에는 시료주입밸브가 설치된 것임을 특징으로 하는 촉매특성 분석장치
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
질화갈륨 (GaN), 질화인듐 (InN) 및 질화알루미늄 (AlN)과 같은 III족 금속원소의 질화물의 미세 결정을 제조하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 정방향 또는 역방향으로 회전가능한 회전날개가 부착된 가스도입관을 통해 암모니아 가스를 III족 금속원소 용융물 내부로 주입하여 암모니아 가스와 III족 금속원소를 직접 화학반응 시킴으로써 간편한 방법으로 수∼ 수십 μm 크기의 미세한 III족 금속원소의 미세결정을 제조할 수 있다.간단한 방법으로 미세질화갈륨 결정을 합성하는 방법을 제공하는 발명으로 승화방법에 의한 후막결정 혹은 벌크단결정을 성장하는데 필요한 원료물질로 사용될 뿐만 아니라 분말형태의 결정을 이용한 발광물질로도 활용할 수 있다. 기술의 핵심내용은 금속갈륨내부로 암모니아 가스를 주입하여 버블링시킴으로써 직접반응을 꾀한 독특한 방법이다.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
플라즈마 화학 증착법을 통하여 갈륨비소 기판상에 저저항의 전기적 특성이 우수한 금속배선용 텅스텐 박막을 형성시키기 위한 것이다. <구성>플르즈마 화학증착법을 이용하여 갈륨비소 반도체소자의 금속배선을 형성하는 방법에 있어서 WF6-H2 또는 WF6-SiH4-H2 반응계를 이용하여 증착압력 1-1.0E-1torr, 증착온도 200-300도C하에서 플라즈마 화학증착하여 갈륨비소 쇼트키베리어용 텅스텐 박막을 형성하여 구성한다. <효과>갈륨비소 반도체 소자에 형성된 텅스텐박막은 저저항을 나타내고 우수한 전기적 특성을 나타낸다.1. 플라즈마 화학증착법을 이용하여 갈륨비소 반도체소자의 금속배선을 형성하는 방법에 있어서, WF6-H2 또는 WF6-SiH4-H2 반응계를 이용하여 증착압력 1-1/10exp1Torr, 증착온도 200~300℃하에서 플라즈마 화학증착하여 갈륨비소 쇼트키베리어용 텅스텐박막을 형성함을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착법을 이용한 갈륨비소 반도체소자의 금속배선용 텅스텐박막 형성방법. 플라즈마 화학증착법을 이용하여 자기정렬 게이트 구조의 MESFET를 제조하는 방법에 있어서, WF6-H2 또는 WF6-SiH4-H2 반응계를 이용하여 증착압력 1-1/10exp1Torr, 증착온도 200~300℃하에서 플라즈마 화학증착하여 금속배선용 텅스텐박막을 형성한 다음 700℃이하의 온도에서 급속열처리함을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착법을 이용한 갈륨비소 반도체소자의 쇼트키베리어 및 금속배선용 텅스텐박막 형성방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
이 발명은 실리콘 반도체소자의 실리콘 웨이퍼상에 텅스텐/질화텅스텐 이중박막으로 된 금속배선을 형성하는 방법이다. <구성>이 방법은 실리콘 웨이퍼상에 플라즈마 화학증착법 또는 저압 화학증착법으로 질화텅스텐박막을 먼저 증착시키고, 그 위에 텅스텐 박막을 증착시켜 이중구조의 금속배선을 형성한 다음, 고온에서 열처리한다. <효과>이중구조의 금속배선으로 인해 열처리시, 실리콘과 텅스텐의 반응으로 생성되는 불순물인 규화텅스텐이 생기지 않는다.1. 저압화학증착법으로 텅스텐 박막을 증착하여 금속배선을 형성함에 있어서, 상기 텅스텐 박막의 증착 전단계 공정으로서 NH₃/WF₄의 입력분압조성비를 0.25-2로 하고, 300-600℃의 증착 온도에서 0.1-1Torr의 증착 압력하에서 플라즈마 화학증착하여 70-300μΩ-cm의 비저항값을 갖는 텅스텐 질화박막을 500-1000Å의 두께로 성장시킴을 특징으로 하는 실리콘 반도체소자의 금속배선 형성용 텅스텐 질화박막 증착방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
본 발명은 열전반도체 소자의 흡열 및 가열기능을 이용하여 냉각과 가열 싸이클을 반복시켜 인체 피부의 극소부위에 열적 자극 효과를 주기 위한 피부 국소 냉각장치에 관한 것으로서, 열전반도체 소자쌍과 저온단(1)과 고온단(3)을 갖는 열전 모듈(2)와, 열전 모듈(2)의 고온단(3)과 접촉하는 히트 캐패시터(4)와, 히트 캐패시터(4)와 접촉하는 열절연체(5)와, 열절연체를 이동시키는 스크루(7)과, 머리 또는 이마 등 인체에 부착시키는 금속제 클램프(6)과, 직류 전원(9)의 온/오프 제어장치(8)을 포함한다.1. 열전 모듈(2)를 포함하는 흡열 수단과, 상기 흡열 수단을 냉각 싸이클을 반복하도록 제어하는 제어 수단과, 상기 흡열 수단을 인체에 부착하기 위한 부착 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 피부 국소 냉각장치2. 제1항에 있어서, 열전 모듈(2)는 열전반도체 소자쌍과 저온단(1)과 고온단(3)을 갖고, 부착 수단은 머리 또는 이마 등 인체에 부착시키는 금속제 클램프(6)을 포함하고, 제어 수단은 직류 전원(9)의 온/오프 제어장치(8)을 포함하고, 열전 모듈(2)의 고온단(3)과 접촉하는 히트 캐패시터(4)와, 히트 캐패시터(4)와 접촉하는 열절연체(5)와, 열절연체를 이동시키는 스크루(7)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 피부 국소 냉각장치3. 제2항에 있어서, 직류 전원의 온/오프 제어장치(8)은 열전 모듈(2)의 냉각 싸이클의 주기와 저온단(1)의 온도를 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 피부 국소 냉각장치4. 제2항에 있어서, 히트 캐패시터(4)는 금속제이고, 냉각시에는 열전 모듈의 저온단(1)으로 부터 흡열된 열을 흡수하는 히트 싱크의 역할을 하며, 가열시에는 열저장체로서 열공급원의 역할을 하는 것을 특징으로 하는 피부 국소 냉각장치5. 제2항에 있어서, 열절연체(5)는 히트 캐패시터(4)와 클램프(6) 사이에 삽입되고, 스크루(7)의 조작으로 열전도 면적을 변화시켜 히트 캐패시터(4)의 온도 제어 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 피부 국소 냉각장치
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법에 관한 것으로, 종래에는 갈륨비소기판에 전자선 또는 엑스선을 주사하여 V자형의 홈을 형성함으로써 그 갈륨비소기판에 손상을 주며, 그 V자형 홈의 가장 깊은 부분에 형성한 양자점을 사용하는 광전소자의 출력이 약해 사용효율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 습식식각으로 V자형 홈을 형성하고, 2차원적인 반복구조를 갖는 양자점을 유기금속 화학증착법을 사용하여 용이하게 형성함으로써, 그 양자점을 사용하는 광전소자의 출력을 증대시켜 광전소자의 광변환효율을 증대시키는 효과가 있다.1.갈륨비소기판(1)에 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)막(2)을 형성하는 단계와; 갈륨비소기판(1)에 형성된 알루미늄갈륨비소막(2)의 상부에 포토레지스트(3)를 도포하고, 패턴을 형성하는 단계와; 상기 패턴이 형성된 포토레지스트(3)를 마스크로 사용하여 알루미늄갈륨비소막(2)과 갈륨비소기판(1)의 일부까지 V자 형태로 식각하는 단계와; 상기 포토레지스트(3)를 제거하는 단계와; 상기 형성된 V자 형태 홈의 좌우측에 형성된 알루미늄갈륨비소막(2)에 산소이온을 주입하여 산화알루미늄막(4)을 형성하는 단계와; 상기 갈륨비소기판(1)에 형성된 V자 형태 홈의 가장 깊은 부분에 유기금속 화학증착법을 사용하여 고밀도 갈륨비소(5)를 증착하고, 상기 갈륨비소기판(1)에 형성된 V자 형태홈의 가장 깊은 부분에 형성된 갈륨비소(5)및 노출된 갈륨비소기판(1)과 산화알루미늄막(4)의 상부에 유기금속 화학증착법을 사용하여 알루미늄갈륨비소막(6)을 증착하는 공정을 반복 수행하여 양자세선을 형성하는 단계와; 상기 공정으로 양자세선이 형성된 갈륨비소기판(1)을 (110)방향으로 벽개하는 단계와; 상기 다층의 알루미늄갈륨비소막(6)을 산화하여 산화알루미늄막(7)을 형성한 후, 유기금속 화학증착법을 사용하여 갈륨비소(5)의 상부에 알루미늄갈륨비소 및 갈륨비소를 순차반복적으로 단결정성장시킴으로써 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이를 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법.2. 제 1항에 있어서, 유기금속 화학증착법은 고순도 수소를 전달 개스로 하고, 총 유량은 분당 5내지 8리터로 하며, 3족 유기금속원료는 트리메틸갈륨, 트리메틸알루미늄 및 트리메틸인듐을 사용하며, 5족 원료로는 비소개스를 사용하는 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법.3.제 1항에 있어서, 갈륨비소기판(1)은 (100)방향의 것을 사용한 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법.4. 제 1항에 있어서, 알루미늄갈륨비소막(2)은 그 알루미늄의 몰수비가 0.9에서 1인것을 사용하여 0.05~0.5㎛의 두께를 갖도록 증착하는 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법.5.제1항에 있어서, V자형의 홈은 포토레지스트(3)를 식각 마스크로 하여 일정비율의 H₂SO₄:H₂O₂:H₂O용액을 사용하는 습식에칭방법으로 상기 노출된 알루미늄갈륨비소막(2)및 갈륨비소기판(1)의 일부를 (01T)방향으로 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의산 고밀도 양자점 어레이 형성방법.6. 제 1항에 있어서, 산화알루미늄막(7)을 형성하는 방법은 갈륨비소(5)및 알루미늄갈륨비소막(6)이 다층으로 형성된 갈륨비소기판(1)을 반응로에 장착시키고, 반응로의 분위기를 450℃에서 1시간 동안 약 80℃의 수증기가 포함된 고순도 질소개스와 반응시켜 그 알루미늄갈륨비소막(6)을 산화알루미늄막(7)으로 변형시키는 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법.7. 제 1항에 있어서, 알루미늄갈륨비소막(6)은 알루미늄의 몰비가 0.1 내지 0.5인 알루미늄갈륨비소를 유기금속 화학증착법을 사용하여 증착시킨 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 전류차단구조와 활성층을 동시에 형성하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법에 관한 것으로, 종래 광전소자의 전류차단구조 형성방법은 먼저, 갈륨비소기판에 전자선 또는 엑스선을 사용하여 V자형 또는 U자형의 홈을 형성하고, 상기 형성된 V자형 또는 U자형홈의 가장 깊은곳에 양자점 또는 양자세선을 형성하며 그 다음, 상기 양자점 또는 양자세선이 형성된 갈륨비소기판상에 갈륨비소에피층을 성장시키고 그 갈륨비소에피층에 이온을 주입하거나 확산법을 사용하여 전류차단구조를 형성하여, 그 공정단계가 복잡하고, 미세구조를 형성하는 것이 용이하지 않은 문제점이 있었다. 이와같은 문제점을 감안한 본 발명은 갈륨비소와 산화알루미늄상에 갈륨비소에피층을 성장시켜 그 격자결함의 차를 이용하여 활성층과 전류차단구조를 동시에 형성함으로써 공정단계를 단순화하고, 용이하게 미세구조를 형성하며, 또한 그 수율을 증가시키는 효과가 있다.1. 갈륨비소기판(1)의 상부에 알루미늄갈륨비소막(2)을 증착하는 단계와; 상기 증착된 알루미늄갈륨비소막(2)의 상부에 포토레지스트(3)를 도포하고, 패턴을 형성하는 단계와; 상기 패턴이 형성된 포토레지스트(3)를 식각마스크로 하여 알루미늄갈륨비소막(2)과 갈륨비소기판(1)의 일부를 식각하여 V자형 홈을 형성하는 단계와; 상기 포토레지스트(3)를 제거하는 단계와; 상기 형성된 V자형 홈의 좌우측 알루미늄갈륨비소막(2)을 산화하여 산화알루미늄막(4)으로 변환하는 단계와; 상기 V자형 홈이 형성된 갈륨비소기판(1)과 그 상부의 산화알루미늄막(4)의 상부전면에 유기금속 화학증착법을 사용하는 갈륨비소에피층을 성장시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법.2. 제 1항에 있어서, 갈륨비소기판(1)은 (100)방향의 것을 사용하여 된 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법.3. 제 1항에 있어서, 알루미늄갈륨비속막(2)은 그 알루미늄의 몰수비가 0.9 내지 1인 알루미늄갈륨비소를 사용하여 상기 갈륨비소기판(1)의 상부에 0.05내지 0.5㎛의 두께로 증착하여 된 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법.4. 제 1항에 있어서, V자형 홈의 형성단계는 일정비율의 H2SO4:H2O2:H2O용액을 사용하는 습식식각 방법을 이용하여, 상기 알루미늄갈륨비소막(2)및 갈륨비소기판(1)의 일부까지(011)방향으로 식각하여 된 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법.5. 제 1항에 있어서, 유기금속 화합증착법은 고순도 수소개스를 수송개스로 사용하고, 총 유량은 분당 5또는 8리터로 하며, 3족 유기금속 원료는 트리메틸갈륨, 트리메틸알루미늄, 트리메틸인듐을 사용하고, 5족 유기금속 원료는 비소개스를 사용하여 된 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 미세 패턴의 제작에 사용되는 리소그라피 장치에서 간섭계를 이용하여 정확하게 촛점을 찾는 방법에 관한 것이다 <구성>종래의 방법은 렌즈의 구경이 커야하고 모서리 효과를 제거할 수 있어야 함에 따라 렌즈이 가격이 고가이며, 렌즈의 촛점 거리를 측정하여 그 위치에 검출기를 정렬하는 데에 어려움이 많은 문제점이 있다. <효과>레이저(10)로부터 방출되어 콜리메이터(11)를 거쳐 광분할기(12)로 입사된 빛의 일부분은 거울(13)로 진행하다 반사되어 다시 공분할기로 향하고, 빛의 다른 부분은 직진하여 집속 렌즈(17)를 지나 시료에서 반사되어 다시 광분할기(12)로 향하여 이들 두개의 거울에서 반사된 빛과 시료에서 반사된 빛이 광분할기로 거치면서 간섭을 일으키는 간섭계에서 관찰되는 특정의 간섭 무늬를 직선이 되도록 제조정하여 시료에 촛점을 맺히게 함으로 촛점을 찾는다.1. 레이저로부터 방출되어 콜리메이터를 거쳐 광분할기로 입사된 빛의 일부분은 거울로 진행하다 반사되어 다시 광분할기로 향하고, 빛의 다른 부분은 직진하여 접속렌즈를 지나 시료에서 반사되어 다시 광분할기로 향하여 이들 두개의 거울에서 반사된 빛과 시료에서 반사된 빛이 광분할기로 거치면서 간섭을 일으키는 간섭계에서 관찰되는 특정의 간섭무늬를 직선이 되도록 조정하여 시료에 촛점이 맺히게 함을 특징으로 하는 레이저 리소그라피장치에서 간섭계를 이용한 촛점 찾는 방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 불휘발성(nonvolatile) 강유전체 박막 제조방법에 관한 것으로, 불화 크립톤 익사이머 레이저 아브레이션법을 이용하여 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물(strontium bismuth t antalum oxide:SrBi2Ta2O9)로 구성된 강유전체 박막 제조를 완료하므로써, 1) 기존 졸겔법이나 액체이동 증착법에 비해 반도체 공정과의 호환성을 높일 수 있을 뿐 아니라 제조 공정의 단순화 및 생산 효율 증대 효과를 기할 수 있고, 2) 백금/스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물/백금 캐패시터 구조의 경우, 장기물성(long term properties)인 파티그 및 임프린트 특성이 우수해 기억소자의 사용기간(life time)이 길어지게 되므로 상품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 고신뢰성의 강유전체 박막을 구현할 수 있게 된다.1. 백금/티탄/산화규소/규소가 순차적으로 적층된 구조의 기판 상에 불화 크립톤 익사이머 레이져 아브레이션 방법으로 스트론튬 비스무스탄탈륨 산화물 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 박막 제조방법.2. 제1항에 있어서, 상기 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물 박막은 진공챔버 내의 기판 홀더에 기판을 고정시키는 단계와; 상기 진공챔버 내의 공정 조건을 산소 분압 900m Torr와, 기판 온도 450동 및, 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물 타게트의 10회/분 회전으로 형성하는 단계와; 레이져를 3Hz로 진공챔버 내로 조사하여 기판 상에 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물 박막을 형성하는 단계와; 상기 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물 박막이 형성된 기판을 서냉시키는 단계 및; 산소 분위기하에서 열처리하는 단계를 더 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 박막 제조방법.3. 제2항에 있어서, 상기 레이져는 파장 248nm, 에너지 400-600mJ 및, 고전압 17.5kV의 조건으로 진공챔버 내로 조사되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 박막 제조방법.4. 제2항에 있어서, 상기 열처리 공정은 섭씨 750도에서 2시간 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 제조방법.5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 불휘발성 강유전체 박막은 상기 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물 박막 상부에 백금 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 박막 제조방법.6. 제5항에 있어서, 상기 불휘발성 강유전체 박막은 백금 패턴 형성후 산소 분위기하에서 접촉 서냉하는 공정을 저 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 박막 제조방법.7. 제6항에 있어서, 상기 접촉 서냉 공정은 섭씨 560도에서 10분간 실시되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 박막 제조방법.8. 제2항에 있어서, 상시 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물 박막은 기판과 타게트의 사이의 간격이 3.5~4.5cm이 유지된 상태에서 형성되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 박막 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 차세대 진공 전자 소자의 진공 패키징 방법 및 장치에 대한 내용이다. 기존 방법은 배기용 세관을 이용하는 것으로서 구조물에 의한 물리적 한계로 인하여 진공 효율 감소, out-gas로 인한 진공도 악화 및 소자 체적의 증가라는 단점을 가지고있었다. 상기 발명은 유리-유리 기판간의 접합을 이용하여 상기의 문제점들을 해결하고 효율적으로 패키징하는 방법을 제시하였으며, 또한 이러한 기술을 응용하기 위한 장치를 개발하고 제안하였다. 발명은 물리증착(physical vapour deposition : PVD)법에 의해 제조된 전계방출소자용 발광체 및 그 제조방법에 관한것으로, 유리기판 상에 물리적증착법으로 ZnO:Zn 발광박막을 형성한 뒤 상기 ZnO:Zn 박막 표면에 도전성박막을 코팅하여발광체 제조를 완료하므로써, 1) 발광막의 두께와 발광체의 열처리 온도 및 분위기 변화를 통하여 에미터의 동작 특성에맞는 발광문턱과 여러계조의 휘도 및 발광색을 일정 범위내에서 변화시킬 수 있으며, 2) 공정이 용이하고 공정 단가가 낮은 물리증착법(예컨대, 스퍼터법이나 증착법)을 통하여 초박막 상태로도 결정성이 뛰어난 발광막을 얻을 수 있게 되어 고해상도를 요하는 대면적 전계방출소자에 적용할 수 있다는 이점을 갖는다
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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