복합형 철기제 진합금의 제조 방법
제진 합금 제조 방법에 있어서, 철기 강자성형 철-알루미늄계 제진 합금을 철기 마르텐사이트형 철-망간계 제진 합금과 경납법에의해 접합하는 것을 특징으로 하는 복합형 철기 제진 합금 제조방법.낮은 진폭 구간에서는 강자성형, 높은 진폭 영역에서는 마르텐사이트 합금을 경납법에 의해 접합하여 전구간 방진 특성을 가지는 철기 제진 합금 제조 방법임.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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제진 합금 제조 방법에 있어서, 철기 강자성형 철-알루미늄계 제진 합금을 철기 마르텐사이트형 철-망간계 제진 합금과 경납법에의해 접합하는 것을 특징으로 하는 복합형 철기 제진 합금 제조방법.낮은 진폭 구간에서는 강자성형, 높은 진폭 영역에서는 마르텐사이트 합금을 경납법에 의해 접합하여 전구간 방진 특성을 가지는 철기 제진 합금 제조 방법임.
본 발명은 차세대 진공 전자 소자의 진공 패키징 방법 및 장치에 대한 내용이다. 기존 방법은 배기용 세관을 이용하는 것으로서 구조물에 의한 물리적 한계로 인하여 진공 효율 감소, out-gas로 인한 진공도 악화 및 소자 체적의 증가라는 단점을 가지고있었다. 상기 발명은 유리-유리 기판간의 접합을 이용하여 상기의 문제점들을 해결하고 효율적으로 패키징하는 방법을 제시하였으며, 또한 이러한 기술을 응용하기 위한 장치를 개발하고 제안하였다. 발명은 물리증착(physical vapour deposition : PVD)법에 의해 제조된 전계방출소자용 발광체 및 그 제조방법에 관한것으로, 유리기판 상에 물리적증착법으로 ZnO:Zn 발광박막을 형성한 뒤 상기 ZnO:Zn 박막 표면에 도전성박막을 코팅하여발광체 제조를 완료하므로써, 1) 발광막의 두께와 발광체의 열처리 온도 및 분위기 변화를 통하여 에미터의 동작 특성에맞는 발광문턱과 여러계조의 휘도 및 발광색을 일정 범위내에서 변화시킬 수 있으며, 2) 공정이 용이하고 공정 단가가 낮은 물리증착법(예컨대, 스퍼터법이나 증착법)을 통하여 초박막 상태로도 결정성이 뛰어난 발광막을 얻을 수 있게 되어 고해상도를 요하는 대면적 전계방출소자에 적용할 수 있다는 이점을 갖는다
R-503(HCFC-22와 CFC-1115의 공비 혼합율) 대체품으로 사용가능한 1,1,1-트리플루오루에탄의 제조방법에 관한것으로, HCFC-141b와 HF로부터 HFC-143a를 높은 선택도 및 고수율로 제조하는 방법 및 이를 위한 촉매를 제공한다. [구성]수산화크롬을 염화마그네슘의 수용액과 함께 혼합한다. 그 후, HF 수용액과 반응시켜 얻어지는 생성물을 소성함으로써, HFC-143a의 제조반응에 매우 효과적인 촉매를 제조한다. 촉매는 HFC-141b의 불소화 반응에 대한 활성이 매우 우수할 뿐 아니라, 목적 화합물인 HFC-143a를 제외한 다른 부생성물을 유발하지 않는다. 이러한 촉매는 Cr과 Mg를 1:0.2 내지 1:10의 중량비로 함유하며, HCFC-141b의 불소화 반응온도는 섭씨 120-300도에서 실시한다. 또한, HF와 HCFC-141b의 몰비는 3:1 내지 15:10로 유지하며, 반응원료와 촉매의 접촉시간은 1-60초로 제한한다.1. 수산화크롬 (Cr(OH)3 H2O)과 염화마그네슘 수용액과의 혼합물에 HF 수용액을 첨가하여 반응시킨 후 건조 및 소성시키는 단계로 이루어지는, 1,1-디클로로-1-플루오로에탄(HCFC-141b)의 불소화에 의한 1,1,1-트리플루오로에탄(HFC-143a) 제조용 Cr-Mg계 촉매의 제조방법.2. 제1항에 있어서, Cr과 Mg의 중량비가 1:0.2 내지 1:10인 촉매의 제조방법.3. 제2항에 있어서, Cr과 Mg의 중량비가 1:0.3 내지 1:4인 촉매의 제조방법.4. 제1항에 따라 제조된 촉매의 존재 하, 120-300℃에서 HF와 1,1-디클로로-1-플루오로에탄올 3:1 내지 15:1의 몰 비율로 반응시키는 것이 특징인 1,1,1-트리플루오로에탄(HFC-143a)의 제조방법.5. 제4항에 있어서, 반응온도가 150-240℃인 방법.6. 제4항에 있어서, 몰 비율이 5:1 내지 10:1인 방법.7. 제4항에 있어서, 반응온도와 촉매의 접촉시간이 1 내지 70초인 방법.8. 제7항에 있어서, 반응원료와 촉매의 접촉시간이 5 내지 20초인 방법.
N-(터셔리-부틸옥시카보닐옥시) 말레이미드(t-BOCOMI)와 스티렌 유도체(X-St)의 단위를 가진 아래 구조식의 N-(터셔리-뷜옥시카보닐옥시) 말레이미드를 이용한 공중합체 및 식중 X-St는 스티렌, p-메틸스티렌, p-아세톡시스티렌, p-염화스티렌, p-염화매틸스티렌, p-히드록시스티렌, p-터셔리-부톡시카보닐옥시스티렌, p-트리메틸실릴스티렌이며 n은 20~1000이다. N-(터셔리-부틸옥시카보닐옥시) 말레이미드와 스티렌유도체를 디옥산에 용해시키고 라디칼 중합게시제를 가하여 중합시키는 N-터셔리-부틸옥시카보닐옥시말레이미드-스티렌유도체 공중합체 제조방법.1. N-(터셔리-부틸옥시카보닐옥시) 말레이미드(t-BOCOMI)와 스티렌 유도체(X-St)의 단위를 가진 아래 구조식의 N-(터셔리-부틸옥카보닐옥시) 말레이미드를 이용한 공중합체. 식중 X-St는 스티렌, p-메틸스티렌, p-아세톡시스티렌, p-염화스티렌, p-염화메틸스티렌, p-히드록시스티렌, p-터셔리-부록시카보닐옥시시트렌, p-트리메틸실릴스티렌이며 n은 20~1000이다.2. N-(터셔리-부틸옥시카보닐옥시) 말레이미드와 스티렌 유도체를 디옥산에 용해시키고 라디칼 중합개시제를 가하여 중합시키는 N-터셔리-부틸옥시카보닐옥시말레이미드-스티렌유도체 공중합체 제조방법.
1.48마이크로 및 1.75마이크로 빛살의 방출방법으로서, 레이저 유리의 광원으로서 800 나노미터의 레이저 다이오드를 사용하는 방출방법을 제공한다. [구성]방출시 레이저 유리에서 1.48 및 1.75 마이크로미터 형광을 방출하기 위하여 펌핑 광원으로 800 나노미터의 소형 레이저 다이오드를 사용한다. 즉 펌핑 방식은 1.06 마이크로미터의 Nd-YAG레이저를 사용하는 기존의 2단계 펌핑과 달리 1단계로서 펌핑하므로 더 우수한 효율을 기대할 수 있다. 이때 레이저의 펌핑효율은 레이저의 출력 에너지를 펌핑 에너지로 나눈값인데 1 보다 작은 값이므로 2단계 펌핑인 경우는 더욱 작은 값이 된다.1. 다음식의 조성으로 이루어진 1.48 및 1.75 마이크로미터 형광을 방출하는 레이저 유리 : 53ZrF4-25BaF2-(4-x)LaF3-3AlF3-15NaF-xTmF3 상기식에서 x는 0.02x≤4이며, LaF3 및 TmF3의 총 함량이 4몰%이다.2. 1.48 및 1.75 마이크로미터 형광을 방출하는 방법으로서, 제1항에 따른 레이저 유리에 펌핑 광원으로서 800나노미터 레이저 다이오드를 사용하는 적외선 방출방법.
(A)본 발명은 박막제조용 진공장치의 산소분압 측정 방법 및 장치에 관한 것으로, 일반적인 산소분압 측정방법은 종래 진공장치가 진공챔버(1) 내부의 각 위치마다 산소분압이 균일하지 않아 종래의 측정되는 산소분압은 진공장치 내부의 평균적인 산소분압일 뿐이고, 박막이 증착되는 가열판(8) 상측에 대한 실제의 산소분압과는 오차가 발생되는 문제가 있었다. 따라서 산소분압에 따라 전기저항이 변화되는 비화학양론적인 반도체 산화물에 열전대와 전기저항 측정용 전선을 부착한 소자를 기판이부착되는 가열판에 부착하여 가열판 주변의 부분적인 산소 분압을 측정하도록 한 본 발명에 의한 박막제조용 진공장치의 산소분압 측정 방법 및 소자(10)와, 소자(10)의 온도를 측정하는 열전대(11)와, 소자(10)의 전기저항을 측정하는 전선(12)과, 전공챔버(1)의 진공을 유지함과 아울러 소자(10)의 온도와 저항에서 발생되는 전기신호를 진공챔버(1)의 외부로 인출하는 피드 쓰루(feed through)(13)와, 상기 피드 쓰루(13)를 통해서 출력되는 전기신호 중 소자의 온도를 읽어주는 온도지시기(14) 및 소자의 저항을 읽어주는 멀티 미터(15)로 구성되는 산소분 측정 장치가 제공됨으로써 가열판 주위의 산소분압을 정확하게 측정할 수 있게 되는 것이다.1. 산소분압에 따라 전기저항이 변화되는 비화학양론적인 반도체 산화물에 열전대와 전기저항 측정용 전선을 부착한 소자를 기판이 부착되는 가열판에 부착하여 가열판 주변의 부분적인 산소 분압을 측정하도록 한 박막제조용 진공장치 산소분압 측정 방법.2. 제 1항에 있어서, 산소분압에 따라 전기저항이 변화되는 비화학양론적인 반도체 산화물인 소자와, 소자의 온도를 측정하는 열전대와, 소자의 전기저항을 측정하는 전선과, 진공챔버의 진공을 유지함과 아울러 소자의 온도와 저항에서 발생되는 전기신호를 진공챔버의 외부로 인출하느 ㄴ피드 쓰루(feed through)와, 상기 피드 쓰루를 통해서 출력되는 전기신호 중 소자의 온도를 읽어주는 온도지시기 및 소자의 저항을 읽어주는 멀티미터로 구성한 것을 특징으로 하는 박막제조용 진공장치의 산소분압 측정장치.
외부수상에 고분자의 불용매를 미리 첨가시킴으로써 단시간 내에 고분자의 고형화를 달성할 수 있어 결과적으로 약물의 봉입율을 향상시킬 수 있는 용매추출법을 이용한 생분해성 고분자 미립구의 개선된 제조방법 및 이를 이용한 국소염증 질환 치료용 미립구의 제조방법을 제공한다. [구성]내부 수상으로는 증류수에 아목시실린을 포화 용해시키고, 유상으로는 메틸렌클로라이드에 폴리락트산을 용해시킨다. 이어서 폴리비닐알코올을 증류수에 용해시킨 수용액에 대해 에틸아세테이트를 용해시켜 외부 수상으로 하고, 내부 수상과 유상을 1대 12.5의 용적비로 하여 볼텍스로 교반하여 W/O형 에멀젼을 먼저 제조하고 초음파 장치를 이용하여 미세하게 분산시킨다. 또한 외부 수상을 호모나이져로 100-800 rpm에서 균일하게 분산시키면서 앞서 제조한 W/O형 에멀젼을 외부수상에 대해 1대 200의 용적비로 천천히 가하여 W/O/W형 유탁액을 제조하여 30분간 교반하여 유기용매를 제거하고 여과하여 진공 오븐에 넣어 하루 건조시켜 미립구를 얻는다.1. 내부수상과 생분해성 고분자가 용해된 고분자의 유기용매를 함유하는 유상을 혼합 교반하여 W/O형 에멀젼을 먼저 제조하고 이를 미세하게 분산시킨 후 여기에 외부수상을 가하여 W/O/W형 에멀젼을 제조하는 것으로 되는 용매추출법에 의한 생분해성 고분자 미립구의 제조방법에 있어서, 외부수상을 W/O형 에멀젼에 첨가하여 W/O/W형 에멀젼을 제조하기에 앞서, 고분자의 불용매를 외부수상에 미리 첨가 함으로써 고분자의 유기용매를 추출함을 특징으로 하는, 용매추출법에 의한 생분해성 고분자 미립구의 개선된 제조방법.2. 제 1항에 있어서, 생분해성 고분자가 폴리락트산인 생분해성 고분자 미립구의 제조 방법.3. 제 1항 있어서, 고분자의 불용매가 아세트알데히드, 아세토니트릴, 아세톤 아크롤레인, 알릴 알코올, 아닐린, 벤질알코올, 부틸 알코올, 카본 디설파이드, 시클로헥사놀, 디클로로벤젠, 디에틸렌글리콜, 디에틸설폰, 디메틸아세트아미드, 디메틸포름아미드, 디메틸설폭사이드, 1.4-디옥산, 디프로필설폰, 에틸아세트아미드, 에틸알코올, 에틸아미드, 에틸아세테이트, 에틸렌디아민, 에틸렌옥사이드, 에틸 포름아미드, 포름산, 프르프릴알콜, 헵틸알콜, 헥산디올, 헥실알콜, 아이도 벤젠, 메탄올, 메틸아민, 메틸벤조에이트, 메틸렌글리콜레이트, 메틸에틸설폰, 메틸포르메이트, 메틸프로필설폰, 옥틸알콜, 1.5-펜탄디올, 페닐히드라진, 프로필알콜, 이소프로필알콜, 프로필렌글리콜,피리딘 및 스티렌옥시딜 중에서 선택되는 생분해성 고분자 미립구의 제조 방법.4. 제 3항에 있어서, 고분자의 불용매가 에틸 아세테이트인 생분해성 고분자 미립구의 제조 방법.5. 제 3항에 있어서, 고분자의 불용매를 외부수상에 대해 0.1-10%가 되도록 첨가하는 생분해성 고분자 미립구의 제조 방법.6. 내부수상에 수용성 약물이 베타락탐계 항생제와 베타락탐 분해효소의 억제제를 함유시켜 제 1항에 따른 방법을 수행하는 것으로 되는 국소염증 질환 치료용 생분해성 고분자 미립구의 제조 방법.7. 제 6항에 있어서, 베타락탐계 항생제는 암피실린, 아목시실린 또는 이들의 염이고 베타락탐 분해효소의 억제제는 썰박탐, 클라불라닉산 또는 그의 염들인 국소염증 질환 치료용 생분해성 고분자 미립구의 제조 방법.8. 제 6항 또는 제 7항에 있어서, 국소염증 질환이 부비동염 또는 중이염인 생분해성 고분자 미립구의 제조 방법.
본 발명은 비교적 낮은 온도에서 소결조제 없이 치밀한 미세구조와 우수한 유전특성을 가지며 다양한 온도보상범위를 가지는 유전체 조성을 제공하기 위하여 산화아연과 산화티타늄이 화학양론적으로 조합된 ZnTiO3 및 상기 ZnTiO3에서 Zn2+이온이 Mg2+이온으로 치환된 (Zn1-xMgx)TiO3 여기서, x= 0.02에서 0.5의 조합을 가지는 저온소결이 가능한 온도보상용 마이크로파 유전체 자기조성물을 제공한다.1. 산화아연과 산화티타늄이 화학양론적으로 조합된 ZnTiO3인 저온소결이 가능한 온도 보상용 마이크로파 유전체 자기조성물.2. 제 1항에 있어서, 상기 ZnTiO3에서 Zn<2+>이온이 Mg<2+>이온으로 치환된(Zn(1-x)Mgx)TiO3 여기서, x=0.02에서 0.5의 조합을 가지는 저온소결이 가능한 온도보상용 마이크로파 유전체 자기조성물.3. 제 2항에 있어서, 상기 x가 0.20에서 0.35인 저온소결이 가능한 온도보상용 마이크로파 유전체 자기조성물.
4개의 반사경을 가진 레이저자이로(Laser Gyro)장치에 있어서 비이상적인 반사경표면으로 부터 발생한 후방 산란파의 전체강도를 최소화시키고 링공진기의 반사경들에 의하여 후방으로 산란된 파의 영향을 감소시키므로서 록 인(Lock In) 효과로 인하여 발생하는 레이저 자이로에러를 극소화시키기 위한 방법과 장치를 제공하는 데 있다. [구성]레이저자이로(Laser Gyro)장치의 4개의 반사경(1,2,3,4)에서 3개의 반사경의 상호위치를 특수전자회로에 의해 조절하도록 공진기의 피에조 구동기(5,6,7)가 3개의 반사경에 부착되어 이동이 가능하고 두 개의 광검지기(9,10)가 나머지하나의 반사경에 부착되며, 증폭기(11,12,13,14)가 광검지기의 신호를 증폭하여 변환기(15,16)가 변환시키며 제어기(17)가 적절한 양만큼 반사경을 움직이기 위하여 변환기로부터 신호를 수신하여 구동용신호를 피에조 구동기에 제공하는 것을 특징으로 한다.1. 록-인 영역의 폭을 제어하기 위한 레이저 자이로에 있어서, 4개의 반사경 중 3개의 반사경에는 피에조 구동기가 부착되어 이동이 가능하고 나머지 하나의 반사경에는 결합 프리즘과 두 개의 광검지기가 부착된 공진기; 상기 광검지기의 신호를 증폭하는 증폭기; 상기 증폭된 신호를 변환하는 변환기; 및 상기 변환기로부터 신호를 수신하여 상기 반사경을 적절한 양만큼 움직이기 위하여 피에조 구동기에 구동용 신호를 제공하는 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는레이저 자이로.2. 제1항에 있어서, 상기 결합 프리즘은 반투명 코팅된 면과 전반사가 일어날 수 있도록 서로 평행한 면을 가진 직사각형의 결합 프리즘인 것을 특징으로 하는 레이저 자이로.3. 제1항에 있어서, 상기 두 개의 광검지기 중 하나는 두 개의 분리된 광검지부를 가지며, 다른 하나는 한개의 광검지부만 가지는 것을 특징으로 하는 레이저 자이로.4. 제1항에 있어서, 상기 광검지 신호 증폭기가 협대역 증폭기 및 3개의 광대역 증폭기를 포함하고, 상기 변환기는 주변 길이 신호 변환기 및 록-인 영역 신호 변환기를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 자이로.5. 제1항에 있어서, 상기 제어기로부터의 구동 신호를 증폭하기 위한 3개의 동일한 증폭기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 자이로.6. 제4항에 있어서, 상기 주변길이 신호 변환기가 동기 검출기, 발진기 및 합성 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 자이로.7. 제4항에 있어서, 상기 록-인 영역 신호 변환기는 각각의 입력에 위상차가 π/2인 기준 신호를 갖는 두개의동일한 동기 검출기와, 상기 동기 검출기의 출력 A1,A2가 입력되어 X= 을 출력하는 변환 소자 및 상기 변환 소자의 출력이 입력되는 또 다른 동기 검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 자이로.8. 제1항에 있어서, 상기 제어기가 5개의 합성 소자, 2개의 기억 소자, 두개의 스위치, 제어 소자 및 발진기를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 자이로.9. 제1항 또는 제4항에 있어서, 반사경을 구동시키는 상기 3개의 피에조 구동기가 록-인 영역폭을 제어하기위한 전자 장치에 의하여 제어되는 것을 특징으로 하는 레이저 자이로
본 발명은 디클로로디플루오로메탄을 함유하는 디플루오로메탄 혼합물을 증류하여 디클로로디플루오로메탄을 상기 혼합물에서의 조성보다 농축된 조성으로 탑정으로 제거하는 것으로 이루어지는, 디플루오로메탄으로부터 디클로로디플루오로메탄을 제거하는 방법에 관한 것이다.1.디클로로디플루오로메탄과 디플루오로메탄을 함유하는 혼합물로부터 디클로로디플루오로메탄을 제거하는방법에 있어서, 이 혼합물을 0-30kg/㎠G의 압력하에서 증류시킴으로써, 디클로로디플루오로메탄이 상기 혼합물에서의 조성보다 더욱 농축된 조성을 갖는, 디클로로디플루오로메탄과 디플루오로메탄의 공비 혼합물을 형성시켜, 이 공비 혼합물을 탑정으로 제거하는 것으로 이루어지는, 디클로로디플루오로메탄과 디플루오로메탄을 함유하는 혼합물로부터 디클로로디플루오로메탄을 제거하는 방법.2.제1항에 있어서, 상기 증류가 증류탑에서 수행되는 방법.3.제1항에 있어서, 상기 증류시 압력이 4-20kg/㎠G인 방법
천연 라텍스 또는 합성 라텍스를 주성분으로 하고 사용 시간의 경과에 따른 접착력에 변화가 없이 균일하며, 낮은 사용 온도에서도 우수한 접착력을 나타내는 앨범용 점착성 접착제 조성물을 제공한다. <구성>CH2=CH-COOR1식 (R1은 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 이소부틸기, 헵틸기, 2-헵틸기, 2-에틸헥실기, 2-에틸부틸기 또는 2-에톡시에틸기다.) 의 아크릴 단량체의 1종 또는 2종 이상의 혼합물과 단량체 전체량의 4 내지 9의 중량%에 해당하는 메타크릴산 또는 아크릴산을 유화중합법으로 공중합시켜서 제조한 합성 라텍스와, 이 합성 라텍스에 대하여 10 내지 20중량%의 암모니아수 및 증점제로서 전체 고형분에 대하여 0.1 내지 1중량%의폴리에틸렌 옥사이드-폴리프로필렌 옥사이드 블록 공중합체로 앨범용 점착성 접착제를 만든다.1. 하기 일반식(Ⅰ)의 아크릴 단량체의 1종 또는 2종 이상의 혼합물과 단량체 전체량의 4 내지 9의 중량%에해당하는 메타크릴산 또는 아크릴산을 유화 중합법으로 공중합시켜서 제조한 합성 라텍스와, 이 합성 라텍스에 대하여 10내지 20중량%의 암모니아수 및 증점제로서 전체 고형분에 대하여 0.1 내지 1중량%의 폴리에틸렌 옥사이드-폴리프로필렌옥사이드 블록 공중합체로 이루어진 것을 특징으로 하는 앨범용 점착성 접착제 조성물.CH2=CH-COOR1 ( I )식 중, R1은 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 이소부틸기, 헵틸기, 2-헵틸기, 2-에틸헥실기, 2-에틸부틸기 또는 2-에톡시에틸기다.2.제 1 항에 있어서, 상기 일반식(Ⅰ)의 아크릴 단량체는 n-부틸 아크릴레이트인 것인 조성물.3.스티렌의 함량이 25 내지 60중량%의 폴리스티렌-폴리부타디엔 라텍스와, 고형분 전체량의 5 내지 20중량%에 해당하는 하기 일반식(Ⅱ)의 저분자량 에스테르 화합물 또는 트리크레실 포스페이트 및 증점제로서 전체 고형분에 대하여 0.1 내지 2중량%의 폴리에틸렌 옥사이드-폴리프로필렌 블록을 옥사이드 공중합체로 이루어진 것을 특징으로 하는 앨범용 점착성 접착제 조성물.R2-OOC-R3-COO-R2 ( II )식 중, R2는 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 이소부틸기, 펜틸기, 헵틸기, 헥실기 또는 옥틸기가 될 수 있으며, R3은 페닐렌기 또는 (CH1)n(여기에서, n은 1 내지 8임)이다.4.제 3 항에 있어서, 상기 저분자량 에스테르 화합물은 디옥틸 아디페이트인 것인 조성물.5.하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 아크릴계 단량체 1종 또는 2종 이상의 혼합물 8 내지 60중량%가 그라프트된천연 라텍스 또는 폴리부타디엔 라텍스 및 증점제로서 전체 고형분에 대하여 0.1 내지 2중량%의 폴리에틸렌 옥사이드-폴리프로필렌 옥사이드를 블록 공중합체로 이루어진 것을 특징으로 하는 앨범용 점착성 접착제 조성물.CH2=CH-COOR1 ( I )식 중, R1은 제 1 항에서 정의한 바와 같다.6. 제 5 항에 있어서, 상기 그라프트된 천연 라텍스 또는 폴리부타디엔 라텍스는 최초의 라텍스 고형분에 대하여 1 내지 2.5중량%의 비이온성 계면활성제로 상기 라텍스를 유화시켜 라텍스의 고형분율을 40중량% 내지 55중량%로 조절한 다음, 상기 라텍스 고형분에 대하여 0.1 내지 2중량%의 라디칼 개시제로 선처리하고, 이어서 8 내지 60중량%의 상기일반식(Ⅰ)의 아크릴 단량체 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 부가하여 유화 중합시킴으로써 제조되는 것인 조성물.7.제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 일반식(Ⅰ)의 아크릴 단량체는 n-부틸 아크릴레이트인 것인 조성물.
차원형상의 자동 측정방법17402슬릿광을 이용하여 3차원형상으로 측정하는 방법에 있어서, 여러개의 직선이 일정간격으로 형성된 격자르 투영하여 만들어진 다중 슬릿광을 측정물체에 투사하고, 측정물체상에 형성된 광의 궤적을 포착하여 영상알고리즘에 의해 측정물체의 3차원형상의 산출함을 특징으로 하는 다중 슬릿광을 이용한 3차원형상의 자동측정방법.1. 슬릿광을 이용하여 3차원형상을 측정하는 방법에 있어서, 여러개의 직선이 일정간격으로 형성된 격자의 슬릿을 투과한 빛을 결상렌즈를 이용하여 결상시킨 다중 슬릿광을 측정물체에 투사하고, 측정물체상에 형성된 광의 궤적을포착하여 영상알고리즘에 의해 측정물체의 3차원형상을 산출함을 특징으로 하는 다중 슬릿광을 이용한 3차원형상의 자동측정방법.2. 제1항에 있어서, 정밀 이송장치를 이용하여 슬릿광 투사기의 영상면에서 일정간격으로 격자를 이동하면서측정간격(P)를 갖는 측정데이타를 P/n만큼 조밀하게 하여 보간효과를 얻는 것을 특징으로 하는 다중 슬릿광을 이용한 3차원형상의 자동측정방법
적정량의 약물을 목적 부위에 장시간 지속적으로 공급할 수 있는 구내염 치료용 패취제 및 그의 제조 방법을 제공한다. <구성>글리세린과 스트르산 혼합 용액에 스테로이드성 소염제를 가해 현탁시키고 친수성 중합체를 가해 얻은 점성 중합체 혼합물을 박리형 라이너 상에 놓고 전연하여 필름을 형성시키고 이 필름을 가열하여 중합체를 가교 결합시키고 비투과성 지지막을 압착 피복시켜 구내염 치료용 약제를 함유한 카라야 고무 등의 친수성 중합체, 글리세린 및 시트르산을 함유하는 약제-함유 매트릭스층; 비투과성 지지막; 및 박리형 라이너로 이루어진 구내염 치료용 패취제(Patch)제를 제조한다.1.스테로이드계 소염제, 친수성 중합체, 글리세린 및 시트르산을 함유하는 약제-함유 매트릭스층 ; 비투과성지지막 ; 및 박리형 라이너로 구성됨을 특징으로 하는 구내염 치료용 패취제.2. 제1항에 있어서, 스테로이드계 소염제가 트리암시놀론 아세토나이드, 베클로메타손 디프로피오네이트, 베타메타손, 댁사메타손, 플루오시놀론 아세토나이드, 플루오시나이드, 플루메타손, 하이드로코티손, 프레드니솔론 및 프레드니손을 구성된 그룹중에서 선택되는 패취제.3.제2항에 있어서, 스테로이드계 소염제가 트리암시놀론 아세토나이드인 패취제.4.제1 내지 3항중의 어느 하나에 있어서, 스테로이드계 소염제가 매트릭스 총중량에 대해 0.01 내지 0.1중량%의 양으로 함유된 패취제.5.제1항에 있어서, 친수성 중합체가 카라야 고무, 아라비아 고무, 카복시메틸셀룰로즈, 하이드록시프로필메틸셀룰로즈 및 폴리아크릴산으로 구성된 그룹중에서 선택되는 패취제.6.제5항에 있어서, 친수성 중합체가 카라야 고무인 패취제.7.제1항, 5항 및 6항중의 어느 하나에 있어서, 친수성 중합체가 매트릭스 총중량에 대해 40 내지 50중량%의양으로 함유된 패취제.8.제1항에 있어서, 글리세린이 매트릭스 총중량에 대해 40 내지 50중량%의 양으로 함유된 패취제.9.제1항에 있어서, 시트르산이 친수성 중합체의 중량을 기준으로 하여 10 내지 20중량%의 양으로 함유된 패취제.10.제1항에 있어서, 박리형 라이너가 실리콘지로 구성되는 패취제.11.제1항에 있어서, 비투과성 지지막이 유드라질 RS100-기본 필름인 패취제.12.제11항에 있어서, 유드라질 RS100-기본 필름이 트리아세틴 3 내지 5중량%를 함유하는 패취제.13.제1항에 있어서, 매트릭스층의 두께가 0.5 내지 2.0mm, 비투과성 지지막의 두께가 0.05 내지 0.3mm의 박리형 라이너의 두께가 0.03 내지 0.05mm인 패취제.14.a) 글리세린에 시트르산을 용해시켜 수득한 혼합용액에 스테로이드성 소염제를 가하여 현탁시키고 : b)생성된 현탁액에 친수성 중합체를 가하여 점성 중합체 혼합물을 수득하고 ; c) 수득된 점성 혼합물을 박리형 라이너상에놓고 전연시켜 균일한 두께의 필름을 형성시키고 ; d) 형성된 필름을 가열하여 중합체를 가교결합시키고 ; e) 수득한 박리형 라이너/매트릭스 복합층의 매트릭스층상에 비투과성 지지막을 압착 피복시킴을 특징으로 하여, 제1항 내지 13항중의어느 하나에 따르는 구내염 치료용 패취제를 제조하는 방법.15.제14항에 있어서, 단계 b)에서 혼합물의 온도를 15℃ 이하로 유지시키는 방법
본 발명은 전기화학적 응집법을 사용하여 생물학적 처리가 어려운 용존 상태의 저농도 인과 미량의 부유 물질을 제거하기 위한 장치 및 이 장치를 사용한 인 부유 물질 등을 함유하는 폐수를 처리하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 장치는 원수 유입구, 전극, 회전형 여과체, 케이스, 케이스에 부착되어 전극 표면의 봬舅제거할 수 있는 나이프, 슬러지 유출구, 청정수 유출구 및 전압 조정 장치로 이루어지고, 상기 회전형 여과체는 망상형 철전극판, 부직 여과포, 다공성 지지체 및 회전축으로 구성되고, 구동 장치에 의해 원하는 속도로 구동이 가능하다. 특히, 본 발명의 장치에서는 양극에 철을, 음극에 알루미늄을 조합하여 사용하고 용출량이 많은 철로 인을 제거하고 알루미늄을 용출하여 잉여의 철 이온을 제거하기 때문에 변색이 없고, 운영비가 저렴하면서도 인과 부유 물질의 제거 효능이 뛰어나다.1. 원수 유입구(1), 전극(2), 회전형 여과체(4), 케이스(5), 케이스에 부착되어 전극 표면의 스케일을 제거할 수 있는 나이프(6), 슬러지 유출구(8), 청정수 유출구(9)및 전압 조정 창치로 이루어지고, 상기 회정형 여과체 (4)는 망상형 철전극판(41),부직 여과포(432),다공성 지지체 (43)및 회전축 (7)로 구성되고 구동 장치에 의해 원하는 속도로 구동이 가능하고, 상기 전극(2)는 양극을 철망형 전극으로 하고 음극을 알루미늄으로 하여 전극의 변환이 가능한 것임을 특징으로 하는 전기 화학 응집법에 의한 인과 미량의 부유 물질을 제거하기 위한 장치.2. 제1항에 있어서, 나이프가 약간의 경도가 있는 고무판인 것인 장치.3. 제 1항에 있어서, 최전체의 속도를 0.5~1rpm으로 유지하고, 전압을 유입수 중의 인의 농도에 따라서 조절하는 것이 가능한 것인 장치. 4. 제 1항에 잇어서, 양극을 철망형 전극와 알루미늄 전극으로 교환하는 시간 비율을 4:1로 하고, 이 전극 변환 시간을 유입수의 성상에 따라서 변경하는 것이 가능한 것인 장치.5. 제 1항에 따른 장치를 사용하여 회전체의 속도를 0.5내지 1rpm을 하고 ,양극에 사용되는 철망형 전극과 알루미늄 전극을 교환하는 시간 비율을 4:1로 하는 것을 특징으로 하는 폐수처리 방법.
미세구립자 제조에 관한 것으로, 고분자-고분자 복합체를 이용하여 안정한 에멀젼을 제조하며, 이러한 에멀젼의 안정화에 의해, 약물수송을 위한 신제형 개발 분야에서의 응용을 보다 용이하게 한다. [구성]내부수상으로 증류수에 알부민을 용해시키고, 유상으로는 메틸렌클로라이드에 생분해성 L형 폴리락트산 고분자을 용해시킨 용액에, 플루로닉 L101을 다시 용해시킨다. 그후, 내부 수상과 유상의 용적비를 1대 12.5로 하여 섞은 후 격렬하게 교반하고, 안정화시켜 에멀젼을 얻는다. 한편, 증류수에 약물인 암피실린을 용해시킨 후 유탁액을 제조하여 이를 교반 중인 0.5m/v% 폴리비닐알코올 수용액에 가하고 섭씨35도에서 2시간 동안 약하게 교반하여 고형의 미세구립자를 수득한다.1. 수상과 유상에 유화제로서 카르복실기를 갖는 고분자와 에테르기를 갖는 고분자를 각각 첨가하여 수상과 유상의 계면에서 상기 카르복실기와 에테르기와의 반응에 의해 수소결합을 형성시킴으로써 에멀젼을 안정화시키는 방법.2. 제 1항에 있어서, 수소결합을 형성할 수 있는 고분자 유화제가 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산, 카르복시메틸화 풀리비닐알코올, 폴리비닐벤질아미디니트로벤질옥시페놀 중에서 선택된 카르복실기를 함유하는 고분자; 폴레에틸렌 옥사이드, 폴리프로필렌 옥사이드, 폴리에틸렌 옥사졸린 중에서 선택된, 상기 카르복실기 함유 고분자와 수소결합 형성가능한 에테르기를 갖는 고분자; 아크릴산 폴리머, 메타크릴산 폴리머, 및 폴리프로필렌옥사이드-폴리에틸렌 옥사이드 공중합 고분자 중에서 선택된 합성고분자; 펩타이드계 고분자 및 다당류 천연고분자 중에서 선택되는 방법.3. 제 2항에 있어서, 펩타이드계 고분자는 알부민 또는 젤라틴이고 다당류 천연 고분자는 아카시아, 알긴산, 또는 펙틴인 방법.4. 제 1항에 있어서, 수상과 유상중의 고분자 유화제를 각 상의 용적에 대한 중량비가 0.01-10%가 되도록 사용하는 방법.5. 제 1항에 있어서, 수상과 유상의 용적비가 1:1 내지 1:20인 방법.6. 수용성 약물이 첨가된 내부수상과 고분자가 첨가된 유상에, 수소결합이 형성되도록 유화제로서 카르복실기를 갖는 고분자와 에테르기를 갖는 고분자를 각각 첨가한 후, 수용성 약물을 함유하는 내부수상을 유상 고분자 용액에 분산시켜 안정한 W/O형 에멀젼을 제조하고, 이를 외부 수상에 다시 분산시켜 W/O/W형 에멀젼을 제조한 다음, 생분해성 고분자의 용매를 제거하는 것으로 됨을 특징으로 하는 수용성 약물을 함유하는 안정한 미세구립자의 제조방법.
본 발명은 저온 용융 광섬유 인출 장치에 관한 것으로, 수직형 전기로의 내부에 금속으로 된 보조 온도 조절 수단을 설치하여 다중 조성 화합물 또는 할라이드계 화합물의 길이 10cm 정도의 소형 광섬유 모재를 안정적으로 인출할 수 있게 한 것이다. 보조 온도 조절 수단은 원주형 금속의 윗면과 밑면에 중심부를 향한 원추형 홈부를 형성하여 전기로 내부에서의 기류의 흐름이, 하부에서는 아래로 흐르게 하고 상부에서는 위로 흐르게 하며 복사열의 반사경 역할을 하게 하여 수직형 전기로의 온도 특성을 향상시킨다. 보조 온도 조절 수단은 전기로 내부에서의 위치를 상하로 조절가능하게 설치함으로써 전리로의 최고 온도 위치를 조절할 수 있고, 일반적인 전기로와 비교하여 온도 분포의 반치폭을 1/3, 외부의 환경 변화에 대한 온도 변화를 1/2로 감소시킬 수 있는 것이다.1. 광섬유 모재 가열을 위해 금속 재료로 된 보조 온도 조절 수단을 수직형 전기로의 내부에 상하로 위치 가변 가능하게 설치하여 상기 전기로의 최고 온도 위치를 가변시킬 수 있도록 함과 아울러 온도 분포의 반치폭과 외부의 환경 변화에 대한 온도 변화를 감소시킬 수 있도록 한 저온 용융 광섬유 인출 장치.2. 제 1항에 있어서, 상기 보조 온도 조절 수단은 원주형 금속의 윗면과 밑면에 주임부를 향한 원추형 홈부를 형성하고 그 중심부에 광섬유 모재가 관통되는 모재관통공을 천공하여서 된 것임을 특징으로 하는 CBr₄개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.
화학식 1의 벤젠유도체와 화학식 11의 비닐클로로실란을 반응하여 화학식 3의 실릴알킬화 벤젠을 제조하고 이를 적절한 반응경로를 통하여 화학식 4로 표시되는 신규한 다유기실릴에틸벤젠유도체를 제조하는 것이다.본 발명의 화학식 4의 신규한 다유기실릴에틸벤젠유도체는 실릴에틸기에 다양한 유기 관능기가 결합된 구조이므로 유기관능기의 종류와 성질에 따라 실리콘산업에 유용한 출발물질 또는 중간체로 사용할 수 있을 것으로 기대된다.화학식 4에 있어서, R1은 수소, 메틸, 에틸, 노르말-프로필, 노르말-부틸 혹은 유기실릴에틸기를 나타낸다. R2와 R3는 각각 수소, 메틸, 혹은 유기실릴에틸기를 나타낸다. m은 1에서 6까지의 정수를 나타낸다. n은 2 또는 3의 정수이다. 그리고 A는 수소, 메틸, C1~4의 알콕시, 아세톡시, 비닐, 알릴, 에티닐, 페닐, 벤질, 시클로펜틸, 인데닐, 또는 풀루오레닐기이다. 그러나 A가 시클로펜틸, 인데닐, 또는 풀루오레닐기의 경우에는 n이 3의 경우가 제외된다. n이 2인 경우에는 A가 시클로펜틸, 인데닐, 또는 풀루오레닐기의 조합이 가능하다. R1, R2, R3 모두가 수소의 경우에는 m이 1 또는 2가 제외된다. R1이 수소, 메틸, 에틸, 노르말-프로필, 또는 노르말-부틸기의 경우에는 m이 1 또는 2의 경우가 제외된다.화학식 1에 있어서, R1은 수소, 메틸, 에틸, 노르말-프로필, 또는 노르말-부틸기를 나타낸다. R2와 R3는 각각 수소 또는 메틸기를 나타낸다.화학식 2에 있어서, n은 2 또는 3의 정수이며 m는 4에서 10까지의 정수를 나타낸다.화학식 3에 있어서, R1은 수소, 메틸, 에틸, 노르말-프로필, 노르말-부틸 혹은 유기실릴에틸기를 나타낸다. R2와 R3는 각각 수소, 메틸, 혹은 유기실릴에틸기를 나타낸다. m은 1에서 6까지의 정수를 나타낸다. 그리고 n은 2 또는 3의 정수이다.1. 화학식 4로 표시되는 다유기실릴에틸벤젠유도체화학식 4에 있어서, R1은 수소, 메틸, 에틸, 노르말-프로필, 노르말-부틸 또는 유기실릴에틸기를 나타내며, R2와 R3는 각각 수소, 메틸 또는 유기실릴에틸기를 나타내고, m은 1에서 6까지의 정수를 나타내며, n은 2 또는 3의 정수이고, A는 수소, 메틸, C(1~4)의 알콕시, 아세톡시, 비닐, 알릴, 에티닐, 페닐, 벤질, 시클로펜틸, 인데닐 또는 풀루오레닐기이나 A가 시클로펜틸, 인데닐, 또는 풀루오레닐기의 경우에는 n이 3의 경우가 제외되며, n이 2인 경우에는 A가 시클로펜틸, 인데닐, 또는 풀루오레닐기의 조합이 가능하고, R1,R2,R3 모두가 수소의 경우에는 m이 1 또는 2가 제외되며, R1이 수소, 메틸, 에틸, 노르말-프로필 또는 노르말-부틸기의 경우에는 m이 1 또는 2의 경우가 제외된다.2. 화학식 3으로 표시되는 실릴알킬벤젠유도체를 질소가스와 테트라하이드로퓨란용매 존재하에 리튬알루미늄하이드라이드 환원제로 환원시키는 것이 특징인 화학식 4로 표시되는 다유기실릴에틸벤젠유도체의 제조방법.화학식 3에 있어서, R1은 수소, 메틸, 에틸, 노르말-프로필, 노르말-부틸 또는 유기실릴에틸기를 나타내며, R2와 R3는 각각 수소, 메틸 또는 유기실릴에틸기를 나타내고, m은 1에서 6까지의 정수를 나타내며, n은 2 또는 3의 정수이고, 일반식 4에 있어서, R1은 수소, 메틸, 에틸, 노르말-프로필, 노르말-부틸 또는 유기실릴에틸기를 나타내며, R2와 R3는 각각 수소, 메틸 또는 유기실릴에틸기를 나타내고, m은 1에서 6까지의 정수를 나타내며, n은 2 또는 3의 정수이고, R1, R2, R3 모두가 수소의 경우에는 m이 1 또는 2가 제외되며, R1이 수소, 메틸, 노르말-프로필 또는 노르말-부틸기의 경우에는 m이 1 또는 2의 경우가 제외된다.3. 제2항에 있어서, 리튬알루미늄하이드라이드를 화학식3의 실릴알킬벤젠유도체에 대해 몰비로 4~10배를 사용하는 것이 특징인 화학식4로 표시되는 다유기실릴에틸벤젠유도체의 제조방법.4. 제2항에 있어서, 반응온도를 0~50℃에서 반응시키는 것이 특징인 화학식4로 표시되는 다유기실릴에틸벤젠유도체의 제조방법.5. 화학식 3으로 표시되는 실릴알킬벤젠유도체에 질소개스와 테트라하이드로퓨란용매 존재하에 메틸마그네슘클로라이드, 비닐마그네슘클로라이드, 알릴마그네슘클로라이드, 에티닐마그네슘클로라이드, 페닐마그네슘클로라이드 및 벤질마그네슘클로라이드 군 중에서 한가지를 선택하여 이것과 반응시키는 것이 특징인 화학식4로 표시되는 다유기실릴에틸벤젠유도체의 제조방법.6. 제5항에 있어서, 메틸마그네슘클로라이드, 비닐마그네슘클로라이드, 알릴마그네슘클로라이드, 에티닐마그네슘클로라이드, 페닐마그네슘클로라이드 및 벤질마그네슘클로라이드 군 중에서 한가지를 화학식3의 실릴알킬벤젠유도체의 각 클로로기에 대해 당량비로 1~5배 사용하는 것이 특징인 화학식4로 표시되는 다유기실릴에틸벤젠유도체의 제조방법.7. 제5항에 있어서, 반응온도를 0~60℃에서 반응시키는 것이 특징인 화학식4로 표시되는 다유기실릴에틸벤젠유도체의 제조방법.화학식3에 있어서, R1은 수소, 메틸, 에틸, 노르말-프로필, 노르말-부틸 또는 유기실릴에틸기를 나타내며, R2와 R3는 각각 수소, 메틸, 에틸, 노르말-프로필, 노르말-부틸 또는 유기실릴에틸기를 나타내고, m은 1에서 6까지의 정수를 나타내며, n은 2의 정수이고, 화학식 4에 있어서, R1은 수소, 메틸, 에틸, 노르말-프로필, 노르말-부틸 또는 유기실릴에틸기를 나타내며, R2와 R3는 각각 수소, 메틸 또는 유기실릴에틸기를 나타내고, m은 1에서 6까지의 정수를 나타내며, n은 2 또는 3의 정수이고, A는 시클로펜틸, 인데닐 또는 풀루오레닐기이고 시클로펜틸, 인데닐, 또는 풀루오레닐기의 조합이 가능하며, R1, R2, R3 모두가 수소의 경우에는 m이 1 또는 2가 제외되며, R1이 수소, 메틸, 에틸, 노르말-프로필 또는 노르말-부틸기의 경우에는 m이 1 또는 2의 경우가 제외된다.9. 제8항에 있어서, 인데닐리튬, 풀루오레닐리튬 및 사이클로펜틸나트륨 군 중에서 한가지를 화학식3의 실릴알킬벤젠유도체의 각 클로로기에 대해 당량비로 1~2배 사용하는 것이 특징인 화학식4로 표시되는 다유기실릴에틸벤젠유도체의 제조방법.10. 제8항에 있어서, 반응온도를 -78~5℃로 유지하는 것이 특징인 화학식4로 표시되는 다유기실릴에틸벤젠유도체의 제조방법.11. 제8항에 있어서, 15~25℃에서 18~48시간 동안 반응시키는 것이 특징인 화학식4로 표시되는 다유기실릴에틸벤젠유도체의 제조방법.12. 화학식3으로 표시되는 실릴알킬벤젠유도체에 질소개스와 테트라하이드로퓨란용매 존재하에 메탄올, 에탄올, 프로판올 및 부탄올 군 중에서 한가지를 선택하고 이것과 피리딘으로 반응시키는 것이 특징인 화학식4로
본 발명은 전계방출소자(field emitter display) 제조방법에 관한 것으로, 제1반도체판을 결정 의존성 식각하여 몰드를 형성하고, 이를 이용하여 팁 어래이를 형성한 뒤 제2 반도체기판을 상기 팁 어래이에 접합하여 소자 제조를 완료하므로서, 1) 몰드(mold)용 기판과 팁 어래이의 받침대로 쓰이는 기판이 동일 재질(예컨대, 단결성 실리콘)로 형성되어 VLSI 기술과의 호환성이 있으며, 2) 아울러 비교적 평탄한 반도체 표면 상에서 사진식각공정을 비롯한 후처리 공장(예컨대, 게이트 절연막 및 게이트 전극 패터닝 공정)이 진행되므로 단차(step coverage) 등에 의한 공정상의 어려움을 제거할 수 있어, 팁 높이에 제한없이 공정을 용이하게 실시할 수 있게 되고, 또한3)양질의 열산화막을 게이트 절연막으로 활용할 수 있는 고신뢰성의 전계방출소자를 구현할 수 있게 된다.1. 제1반도체기판을 결정의 존성 식각하여 나라로운 꼭지점을 가지는 적어도 하나의 몰드를 형성하는 단계; 상기 몰드표면을 포함하여 제1반도체기판 전체에 절연막을 성장시키는 단계; 제1반도체길판상의 절연막 상에 팁재료를 증착하는 단계; 몰드 내부에 있는 팁재료를 제외한 나머지 팁재료 부분을 제거하여 팁 어래이를 형성하는 단계; 절연막 및 팁 어래이로 이루어져 있는 표면에 제2반도체기판을 접합시키는 단계; 몰드로 사용된 제1반도체기판 부분을 제거하는 단계; 상기 절연막 상에 게이트 전극용 금속막을 증착하고, 상기 팁의 끝부분이 드러나도록, 상기 절연막 및 게이트 전극용 금속막을 식각 패터닝하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.2. 제1항에 있어서, 상기 팁 어래이 및 절연막에 제2반도체기판을 접합하는 공정은, 접합하고자 하는 면을 세척한 후 화학적 처리를 하여 표면을 친수화 하는 공정과; 상온에서 두 표면을 접촉시켜 수소결합에 의한 초기 접합을 실시하는 공정 및, 초기 접합된 두 기판을 소정 온도에서 열처리하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.3. 제1항에 있어서, 상기 팁 어래이는 다결정 실리콘이나 텅스텐, 또는 화학기상증착과 스퍼터링 및 증발에 의해 형성되는 금속 및 반도체 재료, 전기 혹은 무전해도금에 의한 금속재료들 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.4. 제1항에 있어서, 상기 제2반도체 기판을 팁 어래이 및 절연막에 접합하는 공정은 상기 팁 어래이의 재료가 금속일 경우에는 응용에 의한 접합, 실리사이드 형성에 따른 접합 및 진공 내에서의 금속접합 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.5. 제1항에 있어서, 상기 제2반도체 기판을 틱 어래이 및 절연막에 접합하는 공정은, 스퍼터링법으로 파이렉스막이나 산화막을 접합하고자 하는 면에 형성한 후, 정전 열접합하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.6. 제1반도체기판을 선택 식각하여 날카로운 꼭지점을 가지는 적어도 하나의 몰드를 형성하는 단계; 상기 몰드표면을 포함하여 제1반도체판 전체에 절연막을 성장시키는 단계; 제1반도체기판상의 절연막 상에 팁재료를 증착하는 단계; 몰드 내부에 있는 팁재료를 제외한 나머지 팁제료 부분을 제거하여 팁 어래이를 형성하는 단계; 절연막 및 팁 어래이로 이루어져 있는 표면에 제2반도체기판을 접합시키는 단계; 몰드로 사용된 제1반도체판 중 소정두께 부분을 식각 제거하는 단계; 일부분이 시각된 제1반도체기판표면상에 게이트 절연막 및 게이트 전극용 금속을 증착하는 단계; 상기 팁의 끝부분이 드러나도록 절연막 상에 게이트 전극용 금속막을 증착하고, 상기 절연막 및 게이트 전극용 금속막을 식각 패터닝하여 반도체 웨이퍼를 기판으로 하는 전계방출소자를 제공하는 단계; 로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.7. 제6항에 있어서, 상기 제1반도체기판은 화학적 식각을 이용하는 방법, 고농도 붕소 확산층이나 매몰 산화층을 제1반도체기판 내에 형성하여 이를 식각저지층으로 이용하는 방법 및, 전기화학적 자동 시각정지를 이용하는 방법 중 선택된 어느 한 방법으로 상기 소정 두께만큼 식각처리되는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.8. 제6항에 있어서, 상기 제1반도체 기판은 팁 어래이 상에 형성된 절연막이 드러나지 않도록 식각처리하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.9. 제1반도체기판을 선택 식각하여 날카로운 꼭지점을 가지는 적어도 하나의 몰드를 형성하는 단계; 상기 몰드표면을 포함하여 제1반도체기판 전체에 절연막을 성장시키는 단계; 제1반도체 기판상의 절연막 상에 팁재료를 증착하는 단계; 몰드 내부에 있는 팁재료를 제외한 나머지 팁재료 부분을 제거하여 팁 어래이를 형성하는 단계; 절연막 및 팁 어래이로 이루어져 있는 표면에 제2반도체기판을 접합시키는 단계; 몰드로 사용된 제1반도체기판 중 소정두께 부분을 식각 제거하는 단계; 일부분이 식각된 후에 잔류하는 제1반도체기판을 열산화하고, 그 위에 게이트 전극용 금속을 증착하는 단계; 상기 팁의 끝부분이 드러나도록 상기 제1반도체기판, 열산화막 및 게이트 전극용 금속막을 식각 패터닝하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.10. 제9항에 있어서, 상기 제1반도체기판은 상기 팁 어래이의 끝부분이 일부 드러날 정도의 소정 두께만큼 식각처리되는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.11. 제9항에 있어서, 상기 제1반도체기판은 상기 절연막 및 팁 어래이가 드러나지 않을 정도의 소정 두께만큼 식각되는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.12. 제11항에
본 발명은 양자세선 제조방법에 관한 것으로, 종래의 양자세선 제조방법은 기판에 형성한 V자 또는 U자 홈의 크기와 모양에 따라 그 크기가 결정되는 양자세선을 형성하여, 특정소자에 적용시 양자세선의 크기를 조절할 수가 없어 그 양자세선을 포함하는 광전소자에 적용편이성이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 기판에 형성한 홈의 모양과 크기에 관계없이 갈륨비소 에피층 형성시 CCl4 또는 CBr4를 특정공정조건에서 주입하여, CCl4 또는 CBr4 농도와, 성장온도 및 Ⅴ/Ⅲ의 비를 조절하여 그 양자세선의 크기를 제어함으로써, 그 양자세선을 포함하는 광전소자의 제품적용성을 향상시키는 효과가 있다.1. 기판의 상부에 특정 형태의 홈을 형성하고, 그 기판의 상부에 단차를 갖는 알루미늄갈륨비소를 증착한 후, 그 단차의 측면에 유기금속화학증착법을 사용하여 갈륨비소 에피층을 성장시키는 양자세선 제조방법에 있어서, 상기 갈륨비소 에피층 성장시 농도의 비에 따라 갈륨비소의 성장률을 변화시키는 성장제어 화합물을 주입하고, 5족원소와 3족원소를 혼합하여 주입하며, 특정 성장온도분위기에서 성장시키는 것을 특징으로 하는 양자세선 제조방법.2. 제 1항에 있어서, 성장제어 화합물은 CCl4또는 CBr4인 것을 특징으로 하는 양자세선 제조방법.3. 제 1항에 있어서, 상기 성장온도는 600내지 700℃인 것을 특징으로 하는 양자세선 제조방법.
본 발명은 1년중 1주 단위의 적위 계산부와 일출, 일몰시간 계산부에 의한 타이머 방식 및 조도량 센서방식을 함께 적용한 혼합형 가로등 점멸 제어시스템에 퍼지이론 방식을 적용함으로써 안락한 환경조성, 에너지 절감 및 램프의 수명 연장을 고려하여 가로등 점멸시간을 최적으로 제어할 수 있게한 퍼지형 가로등 자동점멸장치 및 그 방법에 관한 것으로, 일찍부터 가로등 및 보안등으로 인한 전기에너지 소비의 절약을 위하여 많은 연구를 수행하고 있으며, 최근에는 원격제어 및 자기고장진단등 첨단기능을 가지고 있는 각종 가로등 자동점멸기를 타이머 방식 및 광센서 방식등으로 실용화하고 있으나, 각 제품마다 서로 다른 특성을 내포하고 있으며, 가로등의 점멸시간을 최적으로 제어하는데 제한을 받는 문제점이 있었다. 이러한 점을 감안하여, 일출, 일몰시간 데이타를 메모리에 저장할 필요없이 각지역의 일출, 일몰시간으로부터 적위를 구해, 그 적위 및 위도값을 메모리에 저장해둠으로써 그 적위 및 위도값으로부터 일출, 일몰시간을 직접계산하고, 측정각도를 각기 달리한 4조의 조도량 센서에 의해 조도량을 감지하며, 상기 계산된 일출, 일몰시간 및 상기 조도량 감지신호에 퍼지이론을 적용하여 가로등의 점멸을 최적으로 제어하게 하고, 정전압 전원장치를 가로등에 적용하여 램프의 수명연장 및 에너지 절감효과를 동시에 이루도록 한다.1. 실기간 시계를 이용하여 각종 시간정보를 출력하는 실시간부와, 측정각도가 각기 다른 다수의 조도량 센서에 의해 조도량을 감지한 후 기준전압과 비교하여 조도량 검출신호를 출력하는 조도량 센서부와, 위도 및 적위값으로부터일출, 일몰시간을 계산하고, 상기 실시간부의 시간정보 및 상기 조도량 센서부의 조도량 검출신호를 입력받아 퍼지이론의적용에 의해 가로등의 점멸제어신호를 출력하는 중앙제어부와, 상기 중앙제어부에서 처리된 각종 데이타를 저장하는 메모리부와, 상기 각부에 정전압을 공급함과 아울러 상기 가로등에 정격의 구동 전원전압을 공급하는 전원장치부로 구성하여된 것을 특징으로 하는 퍼지형 가로등 자동 점멸장치.2. 제1항에 있어서, 중앙제어부의 제어를 받아 일출, 일몰시간, 현재시간 및 지역번호 등을 표시하는 표시장치부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 퍼지형 가로등 자동 점멸장치.3. 제1항에 있어서, 조도량 센서부는 주위의 빛을 각기 다른 각도로 입사 받아 전압으로 검출한 후 소정 조도량에 따른 기준전압과 비교하여 그에 따른 비교 결과 신호를 각기 출력하는 4조의 조도량 검지 비교부와, 상기 4조의 조도량 검지 비교부의 출력신호를 앤드 조합하는 앤드부와, 상기 앤드부의 출력신호를 중앙제어부에 전달하는 전원 분리용의 포토커플러부로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 퍼지형 가로등 자동 점멸장치.4. 제3항에 있어서, 4조의 조도량 검지 비교부는 조도량 검출전압을 기준전압과 연산증폭기에 의해 비교하여히스테리시스 특성을 부여하게 구성된 것을 특징으로 하는 퍼지형 가로등 자동 점멸장치.5. 제3항에 있어서, 앤드부는 포토커플러부의 입력측을 다이오드를 각기 통해 4조의 조도량 검지 비교부의 출력측에 각기 접속하여 구성된 것을 특징으로 하는 퍼지형 가로등 자동 점멸장치.6.제1항에 있어서, 중앙제어부는 실시간부의 시간정보 및 조도량 센서부의 조도량 검출신호를 입력받음과 아울러 키보드의 출력데이타를 버퍼 및 디코더를 통해 입력받아 시스템 전체동작을 제어하는 중앙처리장치와, 상기 중앙처리장치에서 처리할 일출, 일몰시간 계산 프로그램과 퍼지 프로그램을 저장하고 있는 이피롬과, 상기 중앙처리장치에서 처리된 정보데이타를 저장하는 램등으로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 퍼지형 가로등 자동 점멸장치.7. 제1항에 있어서, 전원장치부는 션트 타입 철공진 변압기를 사용하여 가로등에 램프 정격전압의 -5% 전압을공급하게 구성된 것을 특징으로 하는 퍼지형 가로등 자동 점멸장치.8. 제7항에 있어서, 션트 타입 철공진 변압기는 그의 마그네틱 션트의 단면적을 중앙철심단면적 40% 범위로형성하여 구성된 것을 특징으로 하는 퍼지형 가로등 자동 점멸장치.9. 소정지역에 대한 년중 일출시간 또는 일몰시간으로 부터 년중 적위를 미리 구하여 저장함과 아울러 위도를저장하여 놓고, 실시간부의 시간정보를 입력받아 현재시간을 판단함과 아울러 년중 날자 변화를 판단하는 단계와, 상기년중 날자변화에 따라 상기 적위 및 위도로 부터 일출시간 및 일몰시간을 계산하는 단계와, 조도량 센서로부터 조도량 검출신호를 입력받아 조도상태를 판단하는 단계와, 상기 일출시간 및 일몰시간에 대한 퍼지 집합과 상기 조도량 센서에 대한 퍼지 집합을 추론하여 가로등의 점등, 소등시간을 결정한 후 그에 따라 가로등의 점멸을 제어하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 퍼지형 가로등 자동 점멸방법.10. 제9항에 있어서, 일출시간 및 일몰시간에 대한 퍼지 집합은 점등시간에 가깝다, 점등시간에 좀 멀다, 소등시간에 가깝다, 소등시간에 좀 멀다의 4가지로 이루어지고, 조도량 센서에 대한 퍼지 집합은 밝다, 어둡다, 보통이다의 3가지로 이루어짐을 특징으로 하는 퍼지형 가로등 자동 점멸방법