일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 복수개의 메탈층을 형성시킨 다층 배선 구조에서 하부층의 패턴 형성에 의하여 발생되는 단차를 감소시켜 상부층의 단선 방지 및 신뢰성을 향상시키기 위한 평탄화 방법에 관한 것이다.다층 배선 구조를 갖는 실리콘 웨이퍼에서 하부층의 패턴 형성에 의한 단차 발생에 의하여 상기 하부층상에형성되는 상부층의 배선 구조 예를 들면 메탈층은 단선되며 그 결과 이러한 실리콘 웨이퍼를 사용하는 제품의 신뢰성을 저하시키게 된다.본 기술은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로 실리콘 웨이퍼상에 소정 형상으로 패터닝된 메탈층을 형성시키는 제1단계와, 상기 메탈층상에 실리콘 산화물(SiO2)을 소정 두께로 적층시켜서 절연층을 형성시키는 제2단계와, 상기 절연층상에 시드층을 형성시키는 제3단계와, 상기 시드층상에 포토레지스트를 도포시켜서 형성된 감광층을 패터닝시키는 제4단계와, 상기 감광층의 패턴을 통하여 노출된 상기 시드층상에 전도층을 형성시키는 제5단계와, 제1차 건식 식각 공정에 의하여 상기 시드층상에 잔존하는 감광층의 일부를 제거하여 상기 시드층을 부분적으로 노출시키는 제6단계와, 2차 건식 식각 공정에 의하여 상기 시드층 및 절연층의 일부를 제거하는 제7단계와, 습식 식각 공정에 의하여 상기 전도층 및 시드층을 제거하는 제8단계와, 그리고, 3차 건식 식각 공정에 의하여 상기 절연층을 제거하여 상기 실리콘 웨이퍼 상에 균일한 평면을 제공하는 제9단계로 이루어지며 이에 의해서 상기 실리콘 웨이퍼상에 메탈층이 노출된 평탄한 표면 상태의 절연층을 제공하며 그 결과 제품의 신뢰도를 향상시킬 수 있다본 기술은 다층 배선 구조를 실비한 실리콘 웨이퍼의 하부층의 패턴 형성에 의하여 형성되는 단차를 효율적으로 완화시킬 수 있으므로 상기 하부층상에 형성되는 상부층 특히 메탈층의 단락을 방지시킬 수 있으며 이에 의하여 상기 실리콘 웨이퍼의 신뢰성을 향상시킬 수 있다
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-04-23
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 질소플라즈마를 이용한 선택적 금속박막 증착방법 및 그를 이용한 다층 금속 연결배선 방법에 관한 것이다선택적 구리 증착을 위해 선행된 질소 플라즈마(plasma) 처리는 기존에 박막제조장비에 부착이 되어 있어 새로운 장치를 설치해야 하는 비용이나 플라즈마 처리에 따른 공정상의 문제점은 없다. 현재까지 웨이퍼 세정은 습식세정법으로 해 왔으나 반도체 회로의 고집적화와 다층화가 요구되면서 미세 구조가 증가했고 이런 구조에 대한 습식세정법이 한계를 맞고 있다. 이러한 이유에서 이를 보완할 새로운 세정법으로 플라즈마세정법이 대두되고 있다.본 기술은 기억소자 및 비기억소자(이하 "소자") 제조시 실리콘 및 화합물 반도체와 저항성접합공정 및 소자간의 전기적 접속을 위한 상호연결선로 제조 공정으로 금속 및 층간 절연체위에 연결배선으로 구리를 사용함으로써 소자의 정보처리속도, 대전류밀도 및 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 건식 식각 공정 없이 패터닝된 구리박막을 제조 할 수 있으므로 공정 감소에 따른 원가 절감 효과를 얻을 수 있다.본 기술은 건식 식각방법을 사용하지 않고도 원하는 부분에만 금속박막을 증착하는 선택적 박막증착 기술을 제안한 것으로서, RF 질소플라즈마를 질화티타늄(TiN)패턴된 실리콘산화막에 처리함으로써 질화타타늄위에만 구리박막이 선택성장되는 기법을 제시하였다. 또한, 플라즈마 처리후 제조된 금속박막은 처리하지 않은 막보다 낮은 표면 거칠기, 향상된 부착력 및 낮은 비저항값을 나타내었다. 따라서, 본 발명은 건식 및 습식식각법에 의한 패터닝이 어려운 금속의 배선패터닝에 그 응용성을 제공하는 것이다.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-05-14
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 p형 GaN계(질화 갈륨계) 반도체의 낮은 오믹(Ohmic)접촉 저항성을 위한 Epi(epitaxial)구조 및 낮은 오믹접촉저항 형성을 위한 Epi 구조 성장방법에 관한 것이다. 기존의 GaN의 p형 불순물 농도의 증가는 오믹접촉면에 발생되는전위장벽의 폭을 감소시킴으로써 통과전류(Tunneling 전류) 성분을 증가시켜 오믹저항의 감소효과를 발생시키나, 전위장벽의 높이에는 큰 영향을 줄 수 없기 때문에 만족할 만큼의 낮은 p형 오믹저항의 형성에는 한계가 있다. 본 기술은 p형 GaN에 발생하는 전위장벽의 높이를 낮춤으로써, 오믹저항의 크기를 획기적으로 줄여 GaN 계열 반도체를 이용하는 광 소자 또는 전자소자의 성능을 향상시킬 수 있다본 기술은 p형 GaN에 오믹접촉을 형성할 때 p형 GaN에서 발생하는 전위장벽을 줄이기 위해 오믹금속과 p형 GaN 사이에 매우 높은 p형으로 도핑된 GaAs를 결정성장 하도록 구성된다. 본 기술에 의하면, GaN의 p형 오믹접촉 저항을 줄임으로써 GaN 발광소자 (LED 또는 LD)의 전력 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 접촉 저항에 의해 소비되는 전력의 감소는 소자의 동작 온도를 낮추는 역할을 하며 소자의 수명을 증가시키며, 베이스 저항의 감소에 의해 HBT의 전력이득의 증가,동작속도 증가, 초고주파 잡음의 감소 등의 성능 향상이 이루어질 수 있다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-14
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전기·전자 > 기타 반도체
형광체 코팅기술에는 슬러리법(slurry), 전자사진(electrophotographic)법, 새틀링(settling)법, 최근에 각광받는 전기영동법(EPD:Electrophoretic Deposition)이 있는데, 기판(전극)과의 접착력 향상을 위해 니트로셀룰로스, 아크릴 수지 등을 사용한다. 허나 이들은 high-information content display나 FED에서의 한계점을 갖는다. 따라서 전기영동법과 UV사진 식각 기술을 결합하여 간편하고 신뢰성 있는 형광체 코팅막을 만들어 형광체와 기판의 접착력을 크게 향상시켜 안정성을 높이고, 포토레지스트를 사용하여 사진식각에 의해 풀 칼라(full color)구현을 위한 RGB형광체 패턴을 만들 수 있는 평판 디스플레이의 형광체 코팅방법을 제공한다. 디스플레이용 형광체의 코팅방법으로서 다음과 같은 단계를 거친다.유리기판 위에 전도층형성 단계, 형광체가 분산된 형광체 분산용액을 이용하여 전기영동법에 의해 전도층 위에 형광체 코팅하는 단계, 기판 상부면에 UV경화층 형성 및 UV조사시켜 접착층 형성단계. 또한 평판 디스플레이용 형광체 코팅방법은 다음과 같은 단계를 거친다.1) 유리기판위에 전도층 형성하는 단계.2) 전도층 위에 제1포토레지스트층을 형성하고 제1패터닝하여 다수의 제1윈도우 형성단계3) 전기영동법에 의해 상기 다수 제1윈도우를 통해 전도층 위에 다수의 제1형광체 패턴셀 형성 단계4) 제1형광체 패턴셀을 포함한 기판 상부면에 제1UV경화층 형성 및 제1접착층 형성.5) 제2형광체 패턴셀 형성 및 제2접착층 형성.6) 제3형광체 패턴셀 형성 및 제3접착층 형성.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
청색 및 녹색 발광다이오드 및 레이저다이오드와 같은 광전자소자의 제작에 핵심 기술인 고품위 산화아연 산화물 반도체 박막 제조 방법에 관한 것이다. 산화아연 산화물 반도체를 산화 알루미늄 상에 성장시켜 양질의 박막을 얻기 위한 많은 연구가 시행되어 왔으나 알루미늄이 도핑된 산화아연의 후열 처리에 대한 연구는 아직까지 미진한 상태였다. 따라서 저온에서 스퍼터 시스템으로 성장시킨 알루미늄이 도핑된 산화아연 산화물 반도체를 고순도 산소 분위기하의 고온로를 이용하여 800~1000℃의 온도에서 한시간 동안 후 열처리함으로서 광학적, 구조적, 전기적으로 우수한 특성을 갖는 산화아연 산화물 반도체 박막을 제조하는 방법을 제공한다.알루미늄이 도핑된 산화아연을 산화알루미늄 기판에 교류 스퍼터 시스템을 이용하여 증착시킨 후 반에피택시(semi-epitaxy) 또는 에피택시(epitaxy) 성질의 산화아연 시료를 성장시키는 제 1 단계와, 상기 산화아연 시료를 고순도 산소 분위기의 석영 튜브를 구비하는 고온로에서 800~1000℃ 내에서 한시간동안 후열 처리하여 산화아연 산화물 반도체 박막을 제조하는 제 2 단계를 거침으로서 산화물 반도체 박막의 그레인(grain) 재배열을 유도하여 구조적 특성을 향상시키고, 산소분위기 열처리에 의한 산소 주입으로 산화아연 박막내의 산소 공공을 줄여 전기적, 광학적 특성이 우수한 발광다이오드용 물질인 산화아연 산화물 반도체 박막을 구현할 수 있다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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전기·전자 > 기타 반도체
오믹 접촉(ohmic contact) 형성을 이용한 산화아연 산화물 반도체의 발광 다이오드 및 레이저 다이오드용 금속 박막 제조 방법에 관한 것이다. 질화갈륨의 대체 물질로 각광받고 있는 산화아연 산화물 반도체를 이용한 발광 다이오드 및 레이저와 같은 광 디바이스를 구현하기 위해서는 반도체와 금속간 양질의 오믹 접촉을 형성해야 하나 아직까지 금속접촉에 관한 연구 및 단결정의 산화아연을 성장시키기 어려운 점으로 인해 오믹 접촉에 대한 연구가 미진한 상태이다. 본 발명에서는 GaN를 대체할 수 있는 차세대 광발광 반도체인 산화아연 반도체를 광소자에 응용하기 위한 기초 단계인 금속 전극 제작에 필수 요소인 오믹 접촉 금속 시스템을 제공하며 또한, 전극으로서 제 1 금속 박막을 타이타늄(Ti), 제 2 금속 박막을 금(Au)을 사용함으로서 타이타늄/금 금속 박막 구조에 있어서 중간 확산 장벽 역할을 타이타늄층을 이용하여 금의 확산을 막아 열적, 전기적으로 안정한 특성을 갖는 오믹 접촉을 구현하는 것이다. 따라서 본 발명은 산화아연 산화물 반도체의 상업화를 가속화시킬 수 있으며 디바이스의 수율을 높일 수 있고 300℃의 비교적 낮은 온도에서 오믹접촉 형성이 가능하기 때문에 기존의 화합물 반도체에서 쓰이는 고온 열처리에 의한 소자성능의 저하를 막을 수 있으며 우수한 전기적 특성으로 인한 전기적 손실의 감소로 광학적 효과도 매우 우수할 것으로 기대된다.산화 알루미늄 기판 상에 도핑 농도(캐리어 농도)가 1017cm-3 이상이 되는 n-형 산화아연 산화물 반도체층을 형성하는 제 1 단계와, 이를 급속 가열로 내에서 열처리한 후 산화아연 산화물 반도체층 상에 타이타늄(Ti) 등의 아연-산소 결합보다도 더 큰 생성에너지를 갖는 금속의 반응층인 제 1 금속 박막을 형성하는 제 2 단계와, 제 1 금속 박막 상에 캐리어 주입층인 금(Au)의 제 2 금속 박막을 형성하는 제 3 단계를 거침으로서 산화아연 산화물 반도체 상에 타이타늄/금 금속 박막층을 형성시켜 열적/전기적으로 안정된 단파장 발광 다이오드 및 레이저 다이오드를 제조할 수 있는 오믹 접촉 금속 시스템를 제공한다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
청색영역에서 형광을 방출하는 발광화합물과 이를 채용하고 있는 표시소자에 관한 기술로서, 파란색 영역에서 발광하는 디아민 화합물을 합성하고 이를 이용하여 파란색을 발광하는 새로운 정공 및 전자 이송 특성화합물을 제조하였다. 이 물질을 전기발광 디바이스에 사용할 경우에 전극봉에서 주입되는 정공 또는 전자의 에너지 장벽을 감소시켜 정공과 전자의 이동속도를 균형있게 조절함으로써 전기발광디바이스 성능을 향상시킬 수 있다.본 기술에서 개발된 화합물은 청색영역의 형광을 방출하는 물질로서, 이 물질은 유기 전자 발광소자의 홀수송층, 전자수송층, 또는 발광층 형성재료로서 매우 유용하다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-05
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본기술은 극소전류로 동작하는 삼차원 위스퍼링 갤러리 광양자테 레이저에 관한 것으로서, 삼차원 위스퍼링 갤러리 광양자테 레이저는 기판과 기판위에 판상구조로 형성되어 상부에서 전달된 빛을 상부로 반사시키는 하부 반사판과 하부 반사판위에 판상구조로 형성되어 외부에서 주입된 전자와 정공이 결합하여 빛을 발생시키는 활성층과, 메사를 평탄화 시키고 상기 활성층의 테두리를 따라 방출되는 빛을 투과시키는 피복층과 활성층 위에 판상구조로 형성되어 하부에서 전달된 빛을 하부로 반사시키는 상부 반사판과 하나 이상의 전극으로 구성되어 상기 활성층에 상하부에서 전자와 정공을 공급하는 접속층을 포함하여 활성층에 주입된 전자와 정공이 결합하여 판상면의 수직선에 대하여 임의의 시각도로 PQR모드의 빛을 발진시킨다본 기술로 수 마이크로 암페어의 문턱전류 이상에서 레이저를 발진하는 삼차원 위스퍼링 갤러리 광양자체 레이저를 제작할 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-05
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 마스크 패턴을 웨이퍼의 표면층에 전사하는 과정에서 노출 광원의 회절로 인한 포토 레지스트층 패턴 선폭의 변형을 최소화 하고, 패터닝하고자하는 표면층의 두께 설정 범위를 확대할 수 있는 방법이다.기존의 미세 패턴 형성공정은 노출광원이 마스크를 통과하면서 빛의 회절이 발생되어 포토 레지스트층의 패턴 크기를 변경시키는데, 포토 레지스트층이 얇을수록 광원의 회절 영향은 적게 받지만, 패터닝하고자하는 표면층 두께에도 제한을 주게 되기 대문에 미세 선폭 설정과 두께 설정의 문제를 동시에 만족시킬 수는 없는 문제점이 있었다.본 기술은 앞서 기술한 문제점을 해결하기 위한 것으로 마스크 패턴을 전사하는 과정에서 노출 광원의 회절로 인한 포토 레지스트층 패턴의 변화를 최소화 할 수 있도록 포토 레지스트층의 일부 두께만 패터닝하는 것과 함께 포토 레지스트층과 패터닝하고자하는 표면층 사이에 서로 식각 선택비가 서로 상반되는 다층박막의 매개층을 삽입하여 회절로 인한 미세 선폭 구현의 범위를 확대하고, 패터닝하고자하는 표면흥의 두께 설정 범위를 확대할 수 있는 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법을 소개한다본 기술에서 주입되는 식각가스에 대해 서로 식각선택비가 우수한 박막을 N개의 다층구조로 표면층을 형성하고, 제 N 매개층의 노출된 부분을 부분적으로 식각하여 표면층을 노출시키고, 표면층의 노출된 부분을 부분적으로 식각한 후 잔존하는 포토 레지스트층 및 다수 의 매개층을 제거하여 표면층의 패턴을 형성하여 구성한다.따라서, 본 기술은 마스크 패턴을 웨이퍼의 표면층에 전사하는 과정에서 노출 광원의 회절로 인한 포토 레지스트층 패턴 선폭의 변형을 최소화 할 수 있으며, 패터닝하고자하는 표면층의 두께 설정 범위를 확대할 수 있다
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-04-26
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 홀로그램 데이터를 홀로그램기록 소자에 원활하게 기록하고 재현할 수 있는 홀로그램 데이터 기록장치에 관한 것이다.기존에는 빔스플리터와 사면체의 홀로그램기록소자 사이에 참조광 및 물체광의 광경로를 보상하기 위한 다수개의 렌즈와 다중기록을 위해서 입사각을 변화시키는 음향광변조기 등이 필요하기 때문에 홀로그램 데이터 기록장치가 복잡해져서 정확한 홀로그램 데이터를 저장하는데 어려움이 있었다. 본 기술은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로 레이저발생부로부터 발생되어 빔스플리터를 통해 조사되는 레이저빔이 홀로그램 데이터를 저장하는 홀로그램기록 소자에 기록되어 촬상부에 재현되도록하는 것이다본 기술의 홀로그램 데이터 기억장치는 레이저빔 발생부, 빔스플리터, 제1반사경, 제2반사경, 공간광변조기, 이미징 렌즈, 홀로그램기록소자, 촬상부로 구성된다. 따라서, 레이저빔 발생부로부터 인가된 레이저빔이 물체광과 참조광의 두 개의 조사방향으로 발생되고, 참조광은 원통형의 홀로그램기록소자에 인가되며, 물체광은 공간광변조기에 인가된다. 공간광변조기에는 데이터발생부로부터 데이터가 인가되므로 물체광은 데이터가 통과하면서 데이터가 실린 상태로 변조되어 이미징 렌즈에 인가된다. 그러면, 이미징 렌즈는 공간광변조기를 통해 인가된 데이터가 실린 물체광을 집속시켜 원통형의 홀로그램기록소자에 인가한다. 원통형의 홀로그램기록소자에는 데이터가 실린 물체광과 참조광이 인가되며, 홀로그램기록소자는 상하로 이동하거나 또는 회전하면서 홀로그램데이터를 다중기록하게 된다.본 기술은 홀로그램 데이터를 다중으로 저장하게 되므로 대용량의 홀로그램 데이터 기록장치를 간단한 구조로 실현할 수 있다
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-04-26
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 광섬유 격자의 반사광의 파장 변화의 측정에 EDFA(Erbium-Doped Fiber Amplifier)의 ASE(Amplified Spontaneous Emission) 프로파일을 이용함으로써 동적 스트레인을 실시간으로 측정하는 장치 및 방법에 관한 것이다.기존의 동적 스트레인 측정방법에는 협대역 투과 필터 또는 장주기 광섬유 격자를 이용한 방법이 있으나, 협대역 투과 필터를 이용한 방법은 측정 범위가 좁다는 단점이 있고, 장주기 광섬유 격자를 이용한 방법은 온도에 대하여 불안정하다는 단점이 있다.반면, 본 기술에서는 ASE 스펙트럼의 선형 구간을 복수개의 파장 영역으로 분할하고, 반사광의 파장이 복수개의 파장 영역에 각각 포함되는 복수개의 광섬유 격자를 배치하여, 복수개의 광섬유 격자 각각에 인가된 스트레인에 따라 복수개의 서로 다른 파장 성분을 갖는 반사광을 복수개의 광분배기로 검출함으로써 복수개의 광섬유 격자 각각에 인가된 스트레인을 측정할 수 있도록 구현할 수 있다본 기술에 의한 동적 스트레인 측정 장치는 고유한 ASE 스펙트럼을 갖는 광을 발생시키기 위한 EDAF, EDAF와 광섬유로 연결되어 EDAF로부터의 광을 반사시키는 광섬유 격자 및 광섬유 격자와 광섬유로 연결되어 광섬유 격자로부터의 반사광을 검출하기 위한 광검출기를 포함하여 구성되어 있다.본 기술에 의한 동적 스트레인 측정 방법은 고유한 ASE 스펙트럼을 갖는 광을 발생시키는 단계, 광섬유 격자에 의해 ASE 스펙트럼의 광을 반사시키는 단계, 광섬유 격자로부터의 반사광을 검출하는 단계를 포함하여 이루어져 있다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 고해상도 및 고속화가 가능한 광섬유 격자의 파장 변화 측정이 가능하며, 이를 이용하여 동적 스트레인을 측정할 수 있다. EDFA의 ASE 프로파일은 펌프 전류를 고정시키면 안정되며, 이 프로파일의 선형 구간을 이용함으로써 동적 스트레인을 선형적으로 광의 세기로 변화시킬 수 있다. 또한, 선형 구간을 복수개의 구간으로 분할하고, 각각의 구간에 포함되는 반사광을 갖는 복수개의 광섬유 격자 및 이를 분리하기 위한 복수개의 광분배기를 이용하여 서로 다른 위치에 배치된 복수개의 고아섬유 격자에 인가되는 스트레인을 측정할 수 있다는 효과가 있다
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-05-04
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 DCT 와 IDCT용 DSP칩은 HDTV 디코더 시스템에 사용할 수 있도록 디지털 신호처리(Digital Signal Processor; DSP)칩을 제어하는 디지털 신호처리 칩 제어장치에 관한 것이다.현재 HDTV 디코더 시스템에 사용되는 DSP칩은 블록과 블록간에 시간차가 발생될 경우에 그 시간차가 64사이클의 정수배가 되어야만 요구되는 정확한 결과를 얻을 수가 있지만, 일반적인 HDTV 디코더 시스템에서의 MB(Macro Block)와 MB간에 발생하는 시간차는 이러한 조건을 전혀 만족하지 못한다는 문제점이 있었다. 본 기술은 앞서 설명한 문제점을 해결하기 위한 것으로, DCT(Discrete Cosine Transfrom) 와 DCT(Inverse Discrete Cosine Transfrom)용 DSP칩을 HDTV 디코더 시스템에 사용할 때 자동적으로 각종 동작을 제어하며, 처리된 화소값을 다른 디코더 장치로 출력할 수 있다.본 기술은 적어도 두 개의 제어신호에 따라 교번적으로 동작되는 IDCT제어기는 한 MB 에 대한 데이터가 전송되고 있는 동안은 하이레벨을 유지하고, MB의 헤더가 처리되는 동안은 로우레벨을 유지하는 MB 프래그신호를 소정 사이클 지연된 MB 프래그신호로서 출력하는 지연기와, 지연기의 출력신호에 기초하여 홀수번째 MB를 IDCT 하기 위한 인에이블로서 제1 IDCT용 DSP로 출력하며, 인에이블을 분주하여 짝수번째 MB를 IDCT하기 위한 인에이블로서 제2 IDCT용 DSP로 출력하는 제1분주기와, 지연기로부터의 소정 사이클 지연된 MB 프래그신호를 반전하고, 반전된 MB 프래그신호에서 소정 사이클 지연구간만을 재반전하여 변환된 신호를 출력하는 데이터 변환기와, 데이터 변환기의 출력신호에 근거하여 제1 IDCT용 DSP의 동작을 초기화하기 위한 리셋신호를 제1 IDCT용 DSP로 출력하며, 리셋신호를 분주하여 제2 IDCT용 DSP의 동작을 초기화하기 위한 리셋신호를 제2 IDCT용 DSP로 출력하는 제2 분주기로 구성된다. 본 기술에 의하면, DCT 와 IDCT용 DSP칩이 MB마다 동작하므로 제어함으로써 HDTV 디코더에서 요구하는 화소값을 다른 디코더장치로 보다 정확하고 신속하게 제공할 수 있다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-04-26
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 반도체 공정을 이용하여 박막형 전지를 제작할 때 전지의 제작을 위한 기판에 홈, 즉 트렌치 구조를 갖도록 하여 단위 전지 면적당 전극의 양과 전극과 전해질간의 접촉 면적을 증가시킴으로써 전류밀도, 총전류저장 밀도, 충전 속도 등의 박막형 전지의 성능을 향상시키는 박막형 전지의 제조방법에 관한 것이다.기존의 박막형 전지를 경량의 이동 통신장비(예: 셀룰러 폰), 휴대용 컴퓨터 및 비교적 높은 소비전력을 요구하는 마이크로일렉트로미케니컬 소자에 응용하려할 때 박막의 특성으로 인해 전류 밀도 및 총전류저장 밀도가 낮아진다는 문제가 있다.반면, 본 기술에서는 비교적 높은 소비전력 및 전류밀도를 갖는 장비에 경량성 및 다양한 형태성의 장점을 갖는 박막형 전지를 응용하기 위하여, 박막형 전지가 만들어지는 기판에 트렌치 구조를 도입하여 단위 면적당 전극의 양과 콜렉터-전극-전해질 간의 접촉 계면면적을 증가시켜 전지의 성능을 개선함으로써 박막형 전지의 총전류저장 밀도, 총 전류 충전 용량 및 방전후의 충전속도를 증가시킬 수 있다.본 기술에 의한 박막형 전지의 제조방법은 기판상에 트렌치 구조를 형성하여 단위면적당 유효면적을 증가시키도록 이루어져 있다. 기판은 콜렉터가 증착된 상태이며, 트렌치는 단일 또는 이중 형태로 구성되어 있다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 박막형 전지가 만들어지는 기판에 트렌치 구조를 도입하여 단위 면적당 전극의 양과 콜렉터-전극-전해질 간의 접촉 계면면적을 증가시킴으로써 박막형 전지의 성능을 개선하여 총전류저장 밀도를 현저히 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-05-30
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 전자 싸이크로트론 공명(ECR) 플라즈마를 여기시키기 위하여 펄스 형태로 가스도입 함으로써 얻어지는 플라즈마에서, 과도적 플라즈마의 특성에 의하여, 활성이온과 활성분자(혹은 활성원자)를 선택적으로 얻도록 하는 방법에 관한 것이다.한편, 신기능성 반도체 소자 제작을 위한 원자층 에피탁시(ALE)나 디지털 에칭과 같은 원자단위 공정기술은 밀리초(msec)∼초(sec)의 아주 짧은 시간에 원료가스의 공급을 펄스형태로 주기적으로 유입하여 수행하므로, 기존의 연속가스 도입방식의 플라즈마는 원자단위 공정기술에 적용되기가 어렵다는 문제점이 있었다.반면, 본 기술에서는 원자단위 공정기술에 쉽게 응용할 수 있는 가스펄스 플라즈마의 과도적인 특성을 이용하여 활성종들을 선택적으로 얻을 수 있다.본 기술에 의한 가스 펄스 전자 싸이크로트론 공명 플라즈마에서의 활성이온 및 활성분자(또는 활성원자) 생성율 제어 방법은 가스 펄스 전자 싸이크로트론 공명 플라즈마에서, 시간에 따라 변화되는 과도적 특성을 가지는 플라즈마 변수를 이용하여 활성이온 및 활성분자(또는 활성원자)의 생성율을 선택적으로 제어한다. 과도적 특성을 가지는 시간을 0.001∼1초의 시간폭을 가지는 2∼3개의 시간영역으로 구분하고, 각 시간영역에서의 변화되는 플라즈마 변수를 이용하여 필요한 활성이온 또는 활성분자(또는 활성원자)를 선택적으로 얻을 수 있는 시간영역을 선택한다. 시간영역을 구분하기 위하여 밸브 및 셔터중 어느 하나를 이용한다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 가스도입을 펄스형태로 하는 플라즈마를 이용하여 적절한 시간영역 및 의무주기를 선택함으로써, 플라즈마 발생시 생성되는 활성이온 및 활성분자(혹은 활성원자)의 생성율을 제어할 수 있다. 이로 인하여 플라즈마 관련 반도체 제조공정을 비롯한 산화물 및 질소화합물 등의 결정성장분야에 유용하게 사용될 수 있는 효고가 있다.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-05-04
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본 기술은 무선통신 부품을 위한 박막소재 성장장치에 관한 것이다.종래의 무선통신부품은 도판관식으로 고가이며, 고중량 특성을 갖고 있으며, 차세대 무선통신부품은 박막형, 저가, 초소형, 고감도 특성을 갖고 있다. 이러한 차세대 무선통신부품의 특성을 만족시키기 위한 필수장치인 박막소재 성장장치를 제공함을 목적으로 한다.본 기술은 대면적 산화물 에피박막 성장장비로 할로우 캐소드 스퍼터링 방법( Hollow Cathod Sputtering Method)을 이용한 시스템 설계 및 제작 기술, 컴퓨터 제어기술과 대면적 산화물인 강유전체, 고온초전도체등 에피박막 성장기술을 제공한다.본 기술은 Strong Increase of Charge Carrier Density, Inert Gas Flow Through Hollow Cathode Tube, 90도 Off-Axis Geometry 의 할로우 캐소드 스퍼터링 방법을 이용한 기술이다.
- 보유기관
- 한국전자통신연구원
- 등록일
- 2001-05-17
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본 기술은 파장 분할 다중기를 이용한 레이저 광의 자동 초점 유지 장치에 관한 것이다.자동 초점 유지 장치의 구성 방법으로는 진동 방법과 이중 초점 방법이 있다. 기존의 진동 방법은 복잡한 위상 측정 장치가 필요하며, CD 플레이어와 같이 반사되는 광의 양을 동시에 검출하여야 하는 경우에는 측정하는 광의 변환 주기와 광을 진동시켜주는 진동 신호를 구별해야하는 등의 단점이 있다. 또한, 기존의 이둥 초점 방법은 두 개의 핀 홀을 사용함으로써 외부의 충격이나 떨림에 의한 두 핀 홀의 상대적인 위치 변화에 민감하게 영향을 받으므로 실험실을 벗어난 실질적인 응용에는 사용하기 힘들다는 단점이 있다.따라서, 본 기술은 파장 분할 다중기 및 두 개의 레이저 광을 이용하여 간편하면서 정확한 초점 거리 유지 장치를 제공하고자 한다.본 기술에 의한 레이저 광의 자동 초점 유지 장치는 서로 상이한 파장을 갖는 제 1 및 제 2 광원과, 반사면과, 제 1 및 제 2 광원으로부터의 광을 반사면에 투사하는 렌즈와, 반사면으로부터 반사된 제 1 및 제 2 광원의 광을 렌즈를 통하여 수신하고, 수신된 제 1 및 제 2 광원의 광들간의 세기 차이에 대응하여 렌즈의 초점을 조정하는 수단을 포함하여 구성되어 있다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 서로 다른 파장을 갖는 두 개의 레이저 광에 의해서 각기 형성되는 광웨이스트의 위치를 검출하고, 이 광웨이스트에 대응하여 광렌즈의 초점 거리를 자동으로 산출함으로써 외부의 충격이나 진동에 매우 안정적이며, 동일한 초점 거리 특성을 갖는 장치를 대량 생산할 수 있다는 효과가 있다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-31
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본 기술은 간단한 공정으로 설치된 광학적 배선을 통하여 칩들이 전기적으로 서로 연결되는 광배선 회로소자에 관한 것이다.기존의 광배선 회로소자는 식각면에 존재하는 결함에 의해 광배선 회로소자의 신뢰성 및 특성이 나빠지고, GaAs 표면방출광원과 GaAs 광검출기를 제작하기 위해 2회 내지 3회의 에피텍셜 성장 공정이 요구되어 제조공정이 복잡하기 때문에 생산수율이 낮고 소자의 성능이 떨어질 우려가 많고, 실리콘 기판과 홀로그램 광기판 사이의 광정렬이 매우 어려울 뿐만 아니라 홀로그램을 이용하기 때문에 그 구조가 복잡하다는 문제점이 있다.따라서, 본 기술은 간단한 제조공정을 통해 구현할 수 있으며, 소자의 신뢰성도 향상시킬 수 있는 광배선 회로소자를 제공하고자 한다.본 기술에 의한 광배선 회로소자는 실리콘 기판과, 실리콘 기판 윗면에 설치되는 제1 실리콘칩과, 실리콘 기판 윗면에 설치되며 제1 실리콘칩으로부터 전기신호를 입력받아 실리콘 기판에 의해 흡수되지 않는 광신호를 아랫방향으로 출력하는 광방출 장치와, 실리콘 기판을 통과한 광신호를 입력받아 이를 수평방향으로 전파시키다가 상부로 일부 광을 분기시키도록 실리콘 기판 아랫면에 설치되는 광판과, 실리콘 기판 윗면에 설치되어 광판에서 상부로 분기되어 나온 광신호를 감지하여 이를 전기적 신호로 변환하여 출력하는 광검출기와, 실리콘 기판 윗면에 설치되어 광검출기에서 출력되는 전기적 신호를 입력받는 제2 실리콘칩을 구비한다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 광통로를 구비할 경우에는 실리콘에 의해 흡수되는 파장 범위를 가지는 광을 광원으로 이용할 수 있으며, 이 경우 광검출기를 실리콘 반도체로 구성하여도 무방하므로 제조 공정이 간단해 진다. 또한, 출력광이 아랫방향이 되도록 광방출 장치를 설치하고, 광판을 실리콘 기판의 하부에 설치함으로써 광배선 구조를 간단하게 형성시킬 수 있다. 그리고, 수직 또는 광배선이 용이하여 다칩모듈의 광배선 연결 및 보드-보드 간의 광배선 연결에 적합하다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-18
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본 기술은 광섬유의 끝단부에 금속을 코팅할 때 금속의 코팅 단면적을 높이기 위하여 광섬유와 보조막대를 서로 접착한 상태에서 금속을 코팅하는 광섬유 미러 및 그 제조방법에 관한 것이다.기존의 광섬유 제조방법에는 플라즈마-인헨스드 화학증기증착법과 진공에서의 알루미늄 코팅법, 졸-겔 코팅법 등이 있는데, 이 기술은 모두 광섬유와 금속간에 결합이 잘 이루어질 수 있도록 광섬유의 분위기를 만들어주어 금속을 코팅하는 방법이다. 플라즈마-인핸스드 화학증기증착법과 진공에서의 알루미늄 코팅법은 진공 분위기에서 광섬유의 끝단면에 금속 입자를 한층씩 쌓아서 코팅을 하는 방법으로, 진공장비가 필요하고 광섬유 단면에 묻어 있는 금속이 쉽게 벗겨질 수 있는 단점이 있다. 졸-겔 코팅법은 화학적인 선택적 결합에 의한 코팅 기술로서, 시료를 준비하는 과정과 코팅 과정이 복잡하다는 단점이 있다.따라서, 본 기술은 진공장비와 같은 고가 장비를 사용하지 않고 시료를 준비하는 과정과 코팅하는 공정이 간단해서 많은 양의 광섬유 미러를 저비용으로 만들 수 있고, 광섬유에 코팅되어 있는 금속의 벌크 타입으로 되어 있어 외부 환경에 의해서 벗겨질 염려가 없는 광섬유 미러 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.본 기술에 의한 광섬유 미러는 끝단면이 평평한 광섬유와 융해석영 유리막대가 측면끼리 서로 맞닿아 접착된 상태에서 광섬유와 융해석영 유리막대의 끝단부에 액체 상태의 금속이 응고되어 금속코팅 되어 있다. 광섬유와 융해석영 유리막대는 금속보다 녹는점이 더 높은 접착제에 의해 접착된다.본 기술에 의한 광섬유 미러 제조방법은 폴리머 코팅을 벗겨낸 광섬유를 1°이하로 수평이 되게 커팅하고 연마를 하여 광섬유 끝단면을 평평하게 하는 공정과, 끝단면이 평평하게 된 광섬유를 보조막대의 측면에 밀착시켜 광섬유의 끝단면이 보조막대의 끝단면보다 낮거나 같도록 배열한 뒤 접착제로 고정시켜 서로 부착시키는 공정과, 고체 상태의 금속을 도가니 안에 담아 챔버에 투입하여 녹이는 공정과, 도가니 안에서 녹여진 금속을 챔버 외부로 꺼내어 고체 상태로 응고될 때 광섬유를 부착한 보조막대를 도가니 안의 금속에 담그어 저으면서 빼내는 코팅공정으로 이루어진다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 녹아있는 금속에 광섬유를 넣었다 빼내어 광섬유 끝에 금속을 코팅하는 기존의 기술에서 광섬유를 보조막대에 접착하여 금속에 넣었다 빼내는 공정으로 광섬유에 코팅되어 있는 금속이 벌크 타입으로 되어 있어 공정이 간단하면서도 외부 환경에 의해서 벗겨질 염려가 없는 효과가 있다. 광섬유 끝단면을 클리빙하거나 폴리싱하여 보조막대에 부착하고, 금속을 녹는점 보다 높은 분위기에서 녹인 뒤 꺼내어 보조막대에 접착된 유리섬유를 도가니 안에 넣어 저으면서 빼내어 진공장비와 같은 고가 장비를 사용하지 않고 시료를 준비하는 과정과 코팅하는 공정이 간단해서 많은 양의 광섬유 미러를 저비용으로 만들 수 있는 효과가 있다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-18
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전기·전자 > 기타 반도체
레이저를 이용하는 질화물 반도체의 억셉터 활성화 방법에 관한 것이다.MOCVD법으로 p형 질화갈륨박막을 성장시킬 경우, 수소원자가 p형 질화갈륨 내에 존재하는 Mg 억셉터와 결합하여 Mg-H 복합체를 형성하여 Mg 억셉터가 활성되지 않는다.Mg 억셉터 활성화방안으로 전자빔 조사법은 스캔시간이 느려서 실용화가 거의 불가능하고, 열처리법을 이용하는 경우는 약 20분 이상의 처리시간이 소요되며, 자외선 램프를 이용하는 경우에는 약 60분 이상의 처리시간 및 열처리가 병행되어야 하는 문제가 있었다.수분 이내의 짧은 시간내에 간단하게 질화물 반도체 내의 억셉터를 활성화시킬 수 있는 질화물 반도체의 억셉터 활성화 방법을 제공한다질화물 반도체 내의 정공농도가 증가되도록 질화물 반도체에 레이저를 조사하여 상기 질화물 반도체에 도핑된 억셉터를 활성화시키는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체의 억셉터 활성화 방법에 관한 것이다.레이저는 1.5~6.5eV 범위의 에너지를 가지는 것이 바람직하며, 상기 억셉터는 Mg, Zn, Be, Cd, Ba, Ca 또는 C일 수 있다.수분이내에 질화물 반도체 내의 억셉터를 활성화시킬 수 있으므로 소자의 대량생산에 적합하며, 빔 균일화 렌즈를 사용할 경우에는 대면적의 소자 전체를 손쉽게 활성화시킬 수 있고, 레이저를 사용하기 때문에 매우 얕은 깊이만을 선택적으로 활성화시킬 수 있다
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-30
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 이종접합 소자 제작을 위한 게이트층의 선택에칭 방법에 관한 것으로, 특히 구연산과 과산화수소의 혼합액을 사용하여 습식 에칭을 통한 선택 에칭을 수행함으로써 소자 특성의 균일도와 수율이 우수한 GaAs/AlxGa1-xAs HEMT 소자를 제작하는 방법에 관한 것으로, 본 기술은 GaAs/AlxGa1-xAs (x=0.1 내지 1.0)로 구성된 이종접합 반도체 기판위에 반도체 소자를 제작할 때, 50% 구연산 수용액과 과산화수소를 1:1 내지 3:1 범위의 중량비로 혼합하여 얻은 용액을 사용하여 GaAs 층만을 선택적으로 에칭하는 방법을 제공한다.본 기술의 구연산계의 선택에칭용액을 사용하여 에칭하면, 종래의 건식에칭에 의한 격자결함 형성 등의 단점 및 종래의 습식에칭에 의해 발생되는 에칭의 불균일도 등의 단점을 해결할 수 있으며, 동시에 소자특성의 균일도가 우수한 GaAsHEMT 소자를 제작할 수 있다
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-17
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