일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 초고주파 및 밀리미터파 용 전계효과 트랜지스터(FET) 제조에 있어서 수소화 실세스퀴옥산을 이용한 게이트 및 그 제조방법에 관한 것이다. 전계효과 트랜지스터의 제조에 있어서 소자의 고속 동작 특성을 평가하는 전류 이득 차단주파수(current gain cut-off frequency)를 결정하는 주된 요인은 소자의 게이트 길이(gate length)이며, 게이트 길이가 짧아질수록 전류 이득 차단 주파수는 증가하게 된다. 이러한 특성을 위해 기존의 제조 방법에 의하여 게이트 길이를 짧게하면 그 수율이 떨어지게 되며 재현성도 낮아지게 된다.본 발명은 게이트 길이를 최소화하기 위한 것으로, 미세 패턴 형성이 가능하다고 알려진 수소화 실세스퀴옥산(HSQ)를 이용하여 다층구조 T형 게이트를 제조하여 게이트 길이를 최소화 한다.본 발명에 의한 수소화 실세스퀴옥산을 이용한 게이트 및 그 제조방법에 따르면, 게이트 길이를 매우 짧게 만들 수 있으며, 건식 식각 같은 공정이 필요 없어 비교적 간단히 제조 가능하며, 또한 음성 레지스터의 특성상 전자를 맞는 부분이 남기 때문에 게이트 다리 형성시 수소화 실세스퀴옥산 패드가 남아 보호막의 역할을 같이 수행하게 되기도 하며, 제조과정의 단순화 및 높은 신뢰도 및 재현성을 얻을 수 있다.본 발명에 의한 수소화 실세스퀴옥산을 이용한 게이트 및 그 제조방법은 초고주파 반도체 소자의 게이트에 있어서, 음성의 성질을 가진 전자선 반응성 수소화 실세스퀴옥산을 소스 전극 및 드레인 전극 등의 오믹 금속층 사이에 적층한 후 전자선 묘화 공정을 이용하여 게이트 길이를 효과적으로 감소시켜 나노미터 급의 게이트 길이를 갖을 수 있으며, 수소화 실세스퀴옥산을 패시베이션 용도로 사용할 수 있다.또한 공정을 비교적 간단하게 만들어 시간 및 비용절감을 통해 최대 이윤 창출이 실현 가능하며, 이러한 게이트 제조 방법은 게이트의 길이 축소가 유리하여 고성능 초고속 소자제조가 가능하며, 비용절감, 신뢰성 및 재현성에 우수한 효과가 있다.
- 보유기관
- 효성특허법률사무소
- 등록일
- 2007-03-15
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 촉매를 원하는 패턴으로 형성시키고, 특정 위치에 반도체 나노선을 선택적으로 측면성장 시키기 위한 촉매의 패터닝을 통한 ZnO 나노선의 측면성장방법에 관한 것으로서, 반도체 나노선을 성장시키는 방법에 있어서, (1) 전기적으로절연된 기판 상부에 리소그래피 공정을 이용하여 패터닝한 후 촉매금속을 적층시켜 촉매금속층을 형성하는 과정; (2) 상기촉매금속층 상부에 리소그래피 공정을 이용하여 패터닝한 후 성장억제층을 형성하는 과정; 및 (3) 상기 촉매금속층 사이에Thermal CVD 방식을 이용하여 나노선을 측면성장시키는 과정으로 이루어진 것을 특징으로 한다.본 발명에 따른 촉매 금속의 패터닝과 성장억제층의 패터닝을 이용한 반도체 나노선의 측면성장 방법은 접촉 저항을 줄일수 있고, 제조 과정이 간단하며, 다른 기타의 처리과정을 필요로 하지 않으므로 오염물질에 대한 노출을 최소화 할 수 있도록 하는 효과가 있다.또한 본 발명은 반도체 나노선을 전극 사이에 직접적으로 성장시킴으로써, 균일한 두께와 전기적 특성을 가진 반도체 나노선을 전극 사이에 접촉 시킬 수 있도록 하는 효과가 있다.또한, 본 발명은 금속 촉매를 이용하여 ZnO 나노선을 합성하여 낮은 접촉 저항을 가지고 전극에 접촉시킴으로써 나노 디바이스 제조에 유용하게 이용될 수 있도록 하는 효과가 있다.
- 보유기관
- 고려대학교
- 등록일
- 2007-03-15
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 기존의 실리콘 웨이퍼 대신 나노선을 채널로 하여 나노선 주위에 실린더 형태의 플로팅 게이트를 형성하여 전하를 저장할 수 있는 나노입자의 수를 증가시킬 수 있도록 하는 나노선을 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자에 관한 것으로서, 나노 부유 게이트 메모리 소자의 제작 방법에 있어서, (1) 반도체 나노선 상부에 ALCVD(Atomic Layer ChemicalVapor Deposition)를 이용하여 터널링 산화막을 코팅하는 단계; (2) 상기 터널링 산화막이 형성된 나노선 상부에 나노입자를 접합시키는 단계; (3) 상기 터널링 산화막과 나노입자가 형성된 나노선 상부에 ALCVD를 이용하여 콘트롤 산화막을형성하는 단계; (4) 상기 콘트롤 산화막 상부에 포토리소그래피나 전자빔 리소프래피 방식을 이용하여 나노선의 가운데 부분에 게이트 전극을 형성하는 단계; (5) 상기 나노선/터널링 산화막/나노입자/콘트롤 산화막/게이트 전극 구조의 시료를SiO2가 형성된 실리콘 기판 상부에 도포하는 단계; 및 (6) 상기 실리콘 기판 상부에 포토리소그래피나 전자빔 리소프래피방식을 이용하여 소스전극과 드레인 전극을 상기 나노선 양단에 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.따라서, 본 발명은 나노선 주위에 실린더 형태의 나노입자 층을 포함하는 플로팅 게이트를 형성하므로써 전하를 저장할 수있는 나노입자의 수가 기존의 이차원적인 면 위에 형성하였을 경우보다 현저히 증가할 것이며, 이에 따른 문턱전압의 변화의 증가를 통해 소자의 신뢰성 향상에도 도움을 줄 수 있다. 즉, 2차원적인 나노입자 층이 아닌 실린더 형태의 3차원적인나노입자 층을 가지고 있어 정보 저장 능력이 우수하며 동작 속도가 빠른 비휘발성 메모리소자를 제공할 수 있도록 하는효과가 있다.또한, 본 발명은 나노선을 소자의 채널로 이용할 경우 별도의 포토리소그라피 공정 없이 수 nm~수 십 nm 직경의 나노선을합성할 수 있고, 이들의 직경을 제어하므로써 채널의 폭을 조절할 수 있도록 하는 효과가 있다.또한, 본 발명은 수직 성장된 나노선 배열 소재를 이용할 경우 3차원 구조의 메모리 소자 개발이 가능하여 소자의 집적도의 큰 향상을 가져올 수 있어 차후 경제, 산업 발전에 큰 파급 효과를 줄 수 있다는 효과가 있다.
- 보유기관
- 고려대학교
- 등록일
- 2007-03-15
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술은 진공용 볼스크류와 피에조를 이용한 듀얼서보 개념의 대변위 나노 스테이지에 관한 기술로서, 보다 상세하게는 기존 스테이지의 미세 분해능과 정밀도를 향상시키기 위하여 볼스크류와 피에조를 직렬형태로 배치하여 구성된 스테이지에 관한 것이다.본 기술을 포함한 기술군은 현재 주로 반도체 리소장비, 디스플레이 증착장비, 전자빔 검사장비, 집속이온빔 가공장비 등의 분야에 응용되어 제품화 되고 있다.본 기술은 고진공기술, 스테이지의 대변위 기술, 대변위의 나노분해능기술에 대한 중요성이 커지고 있으며, 기존 특허 및 장비기술의 경우 볼스크류와 피에조의 병렬형태로 구성이 되어 수백마이크로의 영역에 대해서는 나노분해능이 가능하나 본 기술의 경우 수백미리영역을 나노분해능이 가능한 특징이 있어 그 중요성이 증가하고 있다.본 기술은 스텝모터, 진공용 볼스크류, 피에조, 그리드 엔코더로 그 구성이 이루어지는 바 각 구성에 대한 내용은 다음과 같다. - 첫째, 스텝모터는 진공용 볼스크류를 회전하여 대변위 이송을 하게 하는 장치임 - 둘째, 고진공용 대변위 영역의 미세 이송이 가능한 정밀급의 이송장치임 - 셋째, 피에조 볼스크류와 직렬로 배치되어 대변위 영역의 나노분해능을 가능하게 만드는 미세 이송 구동 장치본 기술을 포함한 기술군은 현재 주로 반도체 리소장비, 디스플레이 증착장비, 전자빔 검사장비, 집속이온빔 가공장비 등의 분야에 응용되어 제품화 되고 있다.본 기술이 위 응용분야의 기존 기술보다 뛰어난 장점 및 특징은 다음과 같다. - 첫째, 고진공에서 수백미리 전영역을 나노분해능이 가능하도록 구성이 가능함 - 둘째, 실제 구현 시 최대 20nm까지 구현이 가능하였음(성능 향상 가능성 여지 큼) - 셋째, 기존 리니어 모터 및 레이저 센서 사용 시 보다 원가절감효과가 우수함
- 보유기관
- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2007-03-30
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
* 본 기술의 원리 및 기술명 : 본 기술은 볼스크류부와 이송테이블간의 결합장치에 관한 기술로서, 보다 상세하게는 기존 스테이지의 결합장치에 기인한 오차를 최소화 하기위하여 가능한 테이블의 구동력 전달을 이송방향으로만 발생하도록 볼조인트와 평판볼조인트를 연결하는 구조로 구성된 결합장치에 관한 것이다.* 본 기술의 적용제품, 경쟁 제품 : 본 기술을 포함한 기술군은 현재 주로 반도체 리소장비, 디스플레이 증착장비, 전자빔 검사장비, 집속이온빔 가공장비 등의 분야에 응용되어 제품화 되고 있다.* 본 기술의 중요성, 배경지식, 독창성 : 본 기술은 고진공기술, 스테이지의 대변위 기술, 대변위의 나노분해능기술에 대한 중요성이 커지고 있으며, 기존 스테이지 기술에서의 조립 및 가공 오차에 의한 영향력이 커지고 있어 이에 따른 오차를 최소화 하기위한 기술이다. 이에 대한 연구로서 피아노 와이어를 사용하여 적용한 사례가 있으나 강성이 떨어지는 단점이 있어 이에 대한 보완 기술이다.* 본 기술의 구성 : 본 기술은 볼조인트, 평판볼조인트로 구성되어진 결합장치가 볼스크류와 테이블간을 안전한 연결을 위한 예압스프링 구성으로 이루어지는 바 각 구성에 대한 내용은 다음과 같다. - 첫째, 회전방향의 자유도가 있는 볼 조인트 장치 - 둘째, 2축방향의 선형이송방향의 자유도가 있는 평판 볼 조인트 장치 - 셋째, 볼스크류와 테이블간의 연결구성시 구동력에 의한 휨을 방지하기 위한 예압스프링 장치* 본 기술의 중요성, 배경지식, 독창성 본 기술을 포함한 기술군은 현재 주로 반도체 리소장비, 디스플레이 증착장비, 전자빔 검사장비, 집속이온빔 가공장비 등의 분야에 응용되어 제품화 되고 있다.* 본 기술의 특징 및 장점 : 기술적 우수성, 원가절감, 생산효율 증가 등본 기술이 위 응용분야의 기존 기술보다 뛰어난 장점 및 특징은 다음과 같다. - 첫째, 고진공에서 수백미리 전 영역을 나노분해능이 가능하도록 구성이 가능함 - 둘째, 실제 구현 시 최대 20nm까지 구현이 가능하였음(성능 향상 가능성 여지 큼) - 셋째, 기존 스테이지의 구동시 발생되는 오차의 최소화가 가능함
- 보유기관
- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2007-03-30
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
다공성 박막 미세 구조를 이용하여 매우 낮은 굴절률을 가지며 비등방성이 매우 작은 광학 박막을 제조하는 방법과 넓은 파장영역과 큰 입사각에서 투과특성이 우수한 무반사 코팅이 가능한 저굴절률 박막의 제조방법 및 이를 이용한 무반사 코팅 방법을 제공.고급 LCD의 경우 무반사 코팅을 실시하고 있으므로, 기존 관련 사업을 하고 있는 기업이 도입하여 바로 적용 가능하며, 이를 통한 생산성 향상 및 재료비 절감 등의 수익성 기대① 증착 프로세스의 단순화로 인한 생산성 향상 기대.② 단일 물질의 사용으로 챔버의 오염 최소화.③ 2-3층의 코팅으로 넓은 대역에서의 무반사 코팅이 가능하므로 재료비의 절감 효과 기대.④ 코팅시 두께 오차에 의한 반사율의 변화가 민감하지 않으므로 수율의 향상을 기대.⑤ 자외선(UV)영역, 가시광선(VS)영역 그리고 근적외선(IR)영역에 대해 응용이 가능하고 넓은 무반사 영역을 가지므로 각종 광학소자에 적용이 가능하므로 기존의 무반사 코팅을 대체가능.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2007-06-15
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
스퍼터링으로 TiN 하지막층을 형성한 후, 하지막 위에 스퍼터링으로 팔라듐 층을 도입함으로써 구리의 도포 분포가 균일하고 비저항이 낮은 반도체 소자 배선용 구리 박막을 형성하는 기술임<사업성> 기존 공정을 개선하는데 널리 활용 가능하여, 반도체 구리배선 분야 기업의 경우 도입하여 사용 가능함<시장성> 본 반도체 소자 배선용 구리 박막은 전체적으로 구리층이 균일하고 안정하게 형성되며, 배선의 비저항도 종래의 사용하는 물질보다 낮으므로 반도체 구리배선분야의 공정으로 널리 쓰일 수 있으므로 시장성은 매우 넓음.스퍼터링으로 TiN 하지막층을 형성한 후, 하지막 위에 스퍼터링으로 팔라듐 층을 도입함으로써 구리의 도포 분포가 균일하고 비저항이 낮은 반도체 소자 배선용 구리 박막을 형성하는 기술임<사업성> 기존 공정을 개선하는데 널리 활용 가능하여, 반도체 구리배선 분야 기업의 경우 도입하여 사용 가능함<시장성> 본 반도체 소자 배선용 구리 박막은 전체적으로 구리층이 균일하고 안정하게 형성되며, 배선의 비저항도 종래의 사용하는 물질보다 낮으므로 반도체 구리배선분야의 공정으로 널리 쓰일 수 있으므로 시장성은 매우 넓음.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2007-06-15
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 진공챔버 제작방법을 개시한다. 본 발명은, 진공로에서 스테인레스 강재의 챔버를 450℃에서 48~60시간 가열하여 스테인레스 강 내부의 수소를 제거함과 동시에 크롬을 표면으로 석출시키는 단계와, 진공로의 온도를 200℃로 낮추어 유지시킨 후 건조질소를 주입하여 진공로를 10~20분에 걸쳐 서서히 벤팅시키는 단계와, 상기 벤팅 상태를 24~48시간 유지시켜 챔버의 표면에 크롬산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서 표면에 형성된 치밀한 크롬 산화막에 의해 수소의 확산 및 투과가 현저히 억제되기 때문에 진공도가 10 -11 Torr 대 이하의 극고진공 영역으로 어렵지 않게 내려가게 되는 효과를 제공한다. 진공로에서 스테인레스 강재의 챔버를 450℃에서 48~60시간 가열하여 스테인레스 강 내부의 수소를 제거함과 동시에 크롬을 표면으로 석출시키는 단계와, 진공로의 온도를 200℃로 낮추어 유지시킨 후 건조질소를 주입하여 진공로를 10~20분에 걸쳐 서서히 벤팅시키는 단계와, 상기 벤팅 상태를 24~48시간 유지시켜 챔버의 표면에 크롬산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공챔버 제작방법.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 진공챔버의 벤팅방법 및 그 장치를 개시한다. 본 발명은, 펌프로 장치를 배기하고 100℃에서 24시간 베이크하는 단계와, 상기 단계 종료 후 액체질소 두어내의 질소를 공급하고 100℃에서 10시간 베이크하는 과정을 3-5회 반복하여 장치를 세정하는 단계와, 상기 단계에서 주입된 질소를 배기하고 액체질소로 냉각부를 3-4시간동안 냉각시키는 단계를 포함하는 준비단계와; 상기 준비단계 종료 후 액체질소 두어내의 질소를 필터로 여과시킨 후 가열하는 단계와, 가열된 질소가스를 액체질소로 냉각시키고 질소가스내의 잔류 이물질 및 수분을 제거하는 단계와, 불순물 및 수분이 제거된 질소가스를 진공챔버로 10-20분에 걸쳐 서서히 주입하는 단계를 포함하는 실행단계를; 포함하는 진공챔버의 벤팅방법 및 그 장치를 제공하는데 그 특징이 있다. 따라서 배기시작 1시간 내에 10 -10 Torr 대에, 6시간 대에 10 -11 Torr 대에 들어가는 진공도를 얻을 수 있으므로, 초급속 배기가 가능하여 진공시스템의 가동율 및 생산성이 향상되게 된다. 액체질소 두어와, 상기 액체질소 두어에서 나와 기화된 질소가스내의 불순물을 여과시키는 필터와, 상기 필터에 의해 여과된 질소가스를 가열하는 가열부와, 상기 가열부에 의해 가열된 질소가스를 냉각시키고 질소가스내의 잔류 불순물 및 수분을 제거하는 냉각부와, 상기 냉각부를 거쳐 진공챔버로 주입되는 질소가스의 유량을 조절하는 바늘밸브를 포함하는 진공챔버의 벤팅장치.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 나노선과 이를 이용한 나노소자에 관한 것으로서, 특히 나노선 위에 p 타입과 n 타입의 동종접합, 혹은 이종 접합 구조나 양자우물 구조를 가지는 나노선 및 이를 이용한 나노소자에 관한 것이다. 여기서, 본 발명의 나노소자에는 나노 어레이(array) 및 나노 어레이를 통해 만들어진 고집적 회로가 포함된다.; 본 발명에 따른 나노선은 단일 나노선 안에 정공을 형성시키는 p-타입 영역과 전자를 생성시키는 n-타입 영역을 가짐으로써 나노선 하나 하나가 전계트랜지트터가 되며, 나노선 안에 이종접합구조로 이루어진 매우 얇은 층들을 겹겹이 쌓여진 양자우물구조 또는 초격자구조를 삽입하면 각각의 나노선이 레이저 다이오드나 공명터널링다이오드(resonant tunneling diode, RTD) 등의 나노소자가 된다. 또한 이러한 나노소자들의 어레이를 이용해 고집적회로를 제작할 수 있다. 증착법을 통해 동종접합 구조, 이종접합 구조, 양자우물 구조 또는 초격자 구조중에서 적어도 어느 한 구조를 가지는 나노선으로서, 상기 동종접합 구조의 나노선은, p 타입 도펀트를 함유하는 전구체를 반응기로 주입하여 p 타입 도핑을 하고 난 후에, n 타입 도펀트를 함유하는 전구체를 반응기로 주입하여 n 타입 도핑을 한 구조로 되고, 상기 이종접합 구조의 나노선 및 양자우물 구조 또는 초격자 구조의 나노선은, p 타입 도펀트를 첨가해서 p 타입 영역을 만들고 난 후, 밴드구조 혹은 밴드갭이 서로 다를 물질들에 해당하는 반응 전구제를 반응기로 교대로 주입하여 양자우물구조 또는 초격자 구조를 가지는 영역을 만들고, 그 다음 n 타입 도펀트를 첨가해서 n 타입 영역을 형성한 구조로 된 것을 특징으로 하는 나노선.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 고온 초전도체의 단결정 단상(壇床)구조에, 원하는 임의의 수의 선천성 조셉슨 접합을 형성시키기 위하여, 단결정 단상구조의 식각 공정과 이 단상 구조내에 생성되고 있는 선천성 조셉슨 접합에 대한 측정 작업을 저온에서 동시에 수행하는 방법 및 이에 사용될 수 있는 이온빔 식각 장치를 개시한다. 선천성 조셉슨 접합의 단상구조를 제조함에 있어서 단상구조내에 형성되는 선천성 조셉슨 접합의 수를 임의로 조절할 수 있게 됨으로써, SQUID 소자, THz 발진소자, 전압표준소자, 믹서 소자 등의 고온 초전도체 단결정을 이용한 능동소자 개발이 용이하게 될 수 있다. (a) 기판(10) 상에, 단위포(unit cell)의 c축방향이 상기 기판(10)에 수직하도록 하여 고온 초전도체 단결정(14)을 상기 기판(10)상에 고정시키는 단계; (b) 상기 단결정(14)의 ab 표면을 노출시키는 단계; (c) 상기 단결정(14)의 ab 표면 상에 전도성 금속 박막(16)을 증착시키는 단계; (d) 상기 단결정(14)상에 상기 금속 박막(16)이 적층된 구조로 이루어진 복수개의 단상 구조를 형성하는 단계; (e) 상기 복수개의 단상 구조 사이의 골짜기를 매립하여, 상기 단상 구조의 측면 및 상기 단결정(14)의 노출된 표면을 절연시키고, 상기 복수개의 단상 구조상의 금속 박막(16)을 서로 분리시키는 절연막 패턴(18)을 형성하는 단계; 및 (f) 상기 분리된 금속 박막(16) 상에 서로 분리된 복수개의 전극 패턴(20)을 형성하는 단계; 및 (g) 4 단자법으로 측정 단상의 투과 전류 대비 전압특성 곡선을 얻을 수 있도록 상기 복수개의 단상 구조 중 하나 이상의 단상 구조상에 적층되어 있는 전극 패턴(20) 및 그 하부의 금속 박막(16)을 식각하여 분리하는 단계를 포함하는 선천성 조셉슨 접합 단상의 제조방법.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 고온 초전도체의 단결정 단상(壇床)구조에, 원하는 임의의 수의 선천성 조셉슨 접합을 형성시키기 위하여, 단결정 단상구조의 식각 공정과 이 단상 구조내에 생성되고 있는 선천성 조셉슨 접합에 대한 측정 작업을 저온에서 동시에 수행하는 방법 및 이에 사용될 수 있는 이온빔 식각 장치를 개시한다. 선천성 조셉슨 접합의 단상구조를 제조함에 있어서 단상구조내에 형성되는 선천성 조셉슨 접합의 수를 임의로 조절할 수 있게 됨으로써, SQUID 소자, THz 발진소자, 전압표준소자, 믹서 소자 등의 고온 초전도체 단결정을 이용한 능동소자 개발이 용이하게 될 수 있다. 진공이 유지되는 공간을 한정하는 챔버(61); 상기 챔버의 일면에 위치하며, 상기 챔버내에 시료(58)를 고정시키고 필요한 경우에는 상기 시료(58)를 냉각시킬 수 있는 냉각장치로서, 시료(58)을 냉각하기 위한 냉매가 수용되는 본체(51), 상기 본체내로 냉매를 주입하기 위한 냉매 유입구(52), 상기 본체내의 냉매를 외부로 배출시키기 위한 냉매 유출구(54), 및 상기 냉매 유입구(52) 및 냉매 유출구(54)가 부착되어 있는 면의 대향면의 외벽에 시료를 부착시키기 위한 체결기구가 구비되어 있는 시료 장착 금속판(56)을 포함하는 것을 특징으로 하는 냉각 장치; 상기 챔버내의 기체를 외부로 배기하여 상기 챔버내를 진공으로 하기 위한 배관 라인(63, 73); 상기 시료에 대향하도록 위치하며, 상기 시료(58)를 식각하기 위한 이온 빔을 방출하는 이온 총(65); 상기 시료(58)에 접속되어 상기 시료의 전기적 특성을 측정하기 위한 전기적 특성 측정용 도선(67); 전기적 특성 측정용 도선(67)으로부터의 측정 단상의 전류 대비 전압 신호를 검출하기 위한 검출기(79); 및 상기 검출된 전류 대비 전압 신호를 처리하여 상기 단상 구조 사이의 투과전류 대 전압의 곡선을 플러팅하여 주는 마이크로 프로세서(81)를 포함하는 이온빔 식각장치.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 유기 금속 화학 증착법(MOCVD)에 있어서, 챔버 내에 기판을 로딩하는 단계; 상기 챔버 내로 원료 기체로 구리1가 전구체를 펄스 형태로 주입하여 상기 기판 상에 상기 구리1가 전구체를 증착시키는 단계와 상기 챔버 내로 퍼지 기체를 펄스 형태로 주입하는 단계를 포함하며, 상기 기판에 증착된 구리 1가 전구체는 열분해에 의하여 구리 금속으로 전환되는 구리 박막 형성 방법에 관한 것이다.; 본 발명의 방법을 이용하면 낮은 저항 (low resistivity)과, 좋은 표면 모폴러지 (good morphology), 우수한 층덮힘 (good step coverage), 낮은 불순물 함유량 (low impurity), 좋은 결정성 (good crystallinity), 좋은 표면거칠기 (smooth surface roughness)를 가지는 박막을 얻을 수 있다. 챔버 내에 기판을 로딩하는 단계; 상기 챔버 내로 원료 기체로서 구리1가 전구체를 펄스 형태로 주입하여, 상기 기판 상에 상기 구리1가 전구체를 화학 증착시키는 단계와 상기 챔버 내로 퍼지 기체를 펄스 형태로 주입하는 단계를 포함하며, 상기 기판에 증착된 구리 1가 전구체는 열분해에 의하여 구리 금속으로 전환되는 유기 금속 화학 증착법에 의한 구리 박막 형성 방법.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 고진공 챔버 내에서 금속 및 반도체 등의 시료처리를 용이하게 하는 시료 홀더에 관한 것으로서, 더 상세하게는 4전극으로 분리되고, 본체는 스테인레스, 세라믹 재료로 구성되고, 시료부착 부분은 몰리브데늄 재료로 형성되며 분광 현미경을 이용하는 실험장치에 적용가능하도록 된 4전극 분리형 시료 홀더에 관한 것이다. 한편, 본 발명은 시료를 열처리함에 있어서 약 3000℃ 까지 홀더가 견딜 수 있도록 시료부착 부분은 탄탈륨 판과 몰리브데늄 재료를 사용하고, 반도체 시료의 열처리를 위한 2극 분리과 직접 시료에 전류를 흘려 열처리를 할 수 없는 시료의 열처리를 위해 전자빔을 만들어 내기 위한 2극을 분리하기 위해 본체는, 절연성이 좋은 세라믹 재료를 사용하고, 이상의 4극 중 후자의 2극은 시료 부착 위치의 2극 보다 일정거리(예; 3mm) 뒤쪽에 위치하여 텅스텐 필라멘트에 전극을 걸어 금속 시료의 뒷면에 전자빔을 쪼여줄 수 있도록 된 시료 홀더에 관한 것이다. 고진공 분광현미경 챔버에 장착되어 금속 또는 반도체 등의 시료 처리를 용이하게 하기 위한 시료 홀더에 있어서, 시료가 부착되는 판 부재; 개별적으로 전원이 인가되도록 4개로 분리된 4개의 전극 부재; 및 상기 각 전극 부재의 전기적 접촉성과 내진성 및 위치 재현성을 좋게 하기 위한 홀더 날개 및 판스프링을 포함하는 것을 특징으로 하는 4전극 분리형 시료 홀더.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
게이트 제어 홀 효과 소자 및 그것을 제조하는 방법이 개시된다. 이 소자는 기판 상에 2차원 전자계를 형성하는 이종접합 구조체를 포함한다. 이종접합 구조체의 일부 영역 상에 길이 방향에 평행 및 반평행하게 자화되기 쉬운 이방성 강자성층이 위치한다. 한편, 이종접합 구조체 상에 강자성층과 이격된 제1게이트 전극들이 위치한다. 이 제1게이트 전극들은 이차원 전자계의 채널영역을 한정하도록 강자성층의 일 단부 앞쪽에서 서로 분리되어 위치한다. 이에 더하여, 이차원 전자계의 전류흐름을 강자성층의 일 단부 아래에 집중시키도록 제2게이트 전극들이 이종접합 구조체 상에 위치한다. 이에 따라, 게이트 전극들에 게이트 전압을 인가하여 홀 효과를 극대화시킬 수 있다. 기판; 상기 기판 상에 2차원 전자계를 형성하는 이종접합 구조체; 상기 이종접합 구조체의 일부 영역 상에 위치하고, 길이 방향에 평행 및 반평행하게 자화되기 쉬운 이방성 강자성층; 및 상기 이종접합 구조체 상에 상기 강자성층과 이격되어 위치하되, 상기 강자성층의 일 단부 앞쪽에서 서로 분리되어, 게이트전압이 인가됨에 따라 상기 강자성층의 일 단부 앞쪽에 상기 이차원 전자계의 채널영역을 한정하는 제1게이트 전극들을 포함하는 게이트 제어 홀 효과 소자.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 유기금속 화학증착법에 의한 산화아연-마그네슘 박막의 제조방법에 관한 것으로서, 아연-함유 유기금속 및 마그네슘-함유 유기금속, 및 산소-함유 기체 또는 유기물을 별개의 라인을 통해 반응기에 주입시키고, 10 -3 내지 760 mmHg의 압력, 200 내지 800℃의 내부온도를 갖는 반응기 조건하에서, 상기 반응물질들의 유량을 각각 0.1 내지 10 sccm, 5 내지 50 sccm 및 20 내지 100 sccm의 범위로 조절함으로써 마그네슘의 몰분율을 제어함을 통해 기재 위에 상기 박막을 성장시키는 것을 포함하며, 본 발명에 따른 유기금속 화학증착법에 의하면, 대량생산이 가능하고 결정성이 우수한 산화아연-마그네슘 박막을 제조할 수 있다. 아연-함유 유기금속, 마그네슘-함유 유기금속, 및 산소-함유 기체 또는 유기물을 별개의 라인을 통해 반응기에 주입시키면서 기재 위에 막을 성장시키는 것을 특징으로 하는, 유기금속 화학증착법에 의한 Zn 1-x Mg x O (0<x<1) 박막의 제조방법.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 유기금속 화학증착법에 의한 산화마그네슘계 박막의 제조방법에 관한 것으로서, 마그네슘-함유 유기금속 및 산소-함유 기체 또는 유기물을 반응기에 주입시키면서 10 -3 내지 760 mmHg의 압력, 200 내지 700℃의 내부온도 조건하에서 다양한 기재 위에 막을 성장시키는 것을 포함하는 본 발명에 따른 유기금속 화학증착법에 의하면, 결정형 기재뿐만 아니라 무정형 기재상에서도 결정성이 우수한 산화마그네슘계 박막을 성장시킬 수 있다. 마그네슘-함유 유기금속의 증기, 및 산소-함유 기체 또는 산소-함유 유기용매를 별개의 라인을 통해 반응기에 주입시키면서 기재와 접촉시켜 기재 위에 막을 성장시키는 것을 특징으로 하는, 유기금속 화학증착법에 의한 산화마그네슘계 박막의 제조방법.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술은 약액을 이용한 반도체 웨이퍼 에칭/세정 공정에 관한 기술로서, 보다 상세하게는 약액 공급 및 약액 재활용에 관한 것이다.본 기술을 포함한 기술군은 현재 주로 반도체 웨이퍼 에칭/세정 공정등의 분야에 응용되어 제품화 되고 있다.본 기술은 기존의 방법과 전혀 다른 방법으로 웨이퍼 표면에 약액을 공급하는 방식으로요즘 중요시 되고 있는 특허 분쟁을 필할 수 있다. 그러한 이유로 중요성이 증가하고 있다.본 기술은 크게 약액 공급 방식 및 약액 재활용방식으로 그 구성이 이루어지며, 각 구성에 대한 내용은 다음과 같다.- 첫째, 약액 공급 방식약액을 직접 웨이퍼 표면에 공급하는 방식이 아닌, 약액 분사 노즐 날개 표면을 타고 흐르는 방식.또한 약액 분사 노즐에 PN2 분사 노즐이 함께 있어 웨이퍼 표면을 Warter Mark 없이 DRY 해줌.- 둘째, 약액 재활용 방식웨이퍼 에칭에 사용되는 약액은 공정에 따라 여러 종류의 약액을 사용하게 된다. 사용되는 약액에 대해 USER의 요청등에 따라 재활용하게 되는데, 이를 위한 방식으로 순환셔터를 이용하여 해당되는 약액을 선별적으로 재활용 할 수 있다.본 기술을 포함한 기술군은 현재 주로 반도체 웨이퍼 에칭 공정등의 분야에 응용되어 제품화 되고 있다.본 기술이 위 응용분야의 기존 기술보다 뛰어난 장점 및 특징은 다음과 같다.- 첫째, 웨이퍼 에칭 공정이 실시 되는 챔버부의 축소로 설비 사이즈가 축소 된다. - 둘째, 순환 셔터를 이용하여 약액을 재활용하므로 공정에 소요되는 경비를 절감 할 수 있다.- 셋째, 분사되는 약액이 웨이퍼 표면 전면적에 간접 전달 되므로 웨이퍼 에칭율이 좋아 질 수 있다.- 넷째, 약액 분사와 PN2 분사가 하나의 분사 노즐에서 이루어지므로, 구조가 심플하고불필요한 Tact Time을 줄일 수 있다.- 다섯째, 구조가 심플해지므로 설비 제작 원가절감을 이룰 수 있다.- 여섯째, 국내외 설비 판매에 있어 특허 분쟁을 피할 수 있다.
- 등록일
- 2007-09-30
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술은 광 효율이 향상된 LED 패키지와 그 제조방법에 관한 것으로서, LED 광원부의 상기 LED광원부 상부에 위치하여 LED 광원의 광축부분을 중심으로 형성된 홀을 가지는 렌즈 및 상기 홀을 통하여 LED 광원부와 렌즈 사이에 충진되는 봉지재를 포함한다. LED에서 봉지물질과 광학렌즈 사이의 공기간격을 없애는 구조를 제안함으로써 LED 패키지의 광추출 증가 및 특정 지향각을 갖도록 설계된 LED 패키지를 얻을 수 있어 발광장치의 광효율이 향상되는 효과가 있다.다양한 패키지 구성의 적용을 통해 LED의 광 효율을 향상시키거나 사용되는 광학렌즈의 표면형상의 최적화에 의해 지향각 조정이 가능한 LED 단품 패키지의 제조할수 있는 효과가 있다. 그리고 중심부에 홀을 가지면서 LED와 일체형인 광학렌즈로된 패키지의 구성을 제안함으로써 기존의 LED 패키지의 낮은 광효율과 편평한 봉지층으로 인해 거의 모든 제품이 120도 전후의 지향각을 갖는 문제점을 해결하는 효과가 있다
- 보유기관
- 한국광기술원
- 등록일
- 2007-12-06
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술은 패턴된 경사진 기판을 사용하여 격자상수의 불일치가 큰 물질들을 이용하여 자발적인 양자점을 형성하고 정렬시키는 방법에 관한 것으로서, 일정한 결정축을 가지며 그 표면이 결정축에 대해 경사진 기판을 마련하는 단계, 경사진 기판의 방향과 수직방향의 SiO2 패턴을 마련하는 단계, 기판의 재료와 동일한 재료의 완충층을 화학기상증착법에 의해 패턴된 기판상에 형성하는 단계, 기판과의 격자상수의 불일치가 큰 물질층을 성장시키는 단계를 구비하되, 완충층의 화학기상증착시 소스 분압과 완충층의 두께와 상기 물질층의 두께를 조절하여 계단선 방향의 양자점들의 간격을 조정하고, 한줄 또는 두줄의 정렬화된 양자점 어레이를 형성하는 방법을 포함한다. 격자상수의 불일치가 큰 물질들을 별다른 공정없이 성장기술만으로 이차원적으로 고밀도의 양자점 간격을 조절하고, 성장 과정에서의 원료소스의 분압과 성장두께에 의하여 변형되어지는 경사진 계단폭에 의해 양자점들을 한줄 또는 두줄 이상으로 정렬하는 효과가 있다. 또한, 양자점 어레이 방법을 이용하여 초고집적도의 갖는 나노미터 수준의 신개념 광전소자 제작에 있어서 필수적으로 요구되는 양질의 양자점을 성장하고 정렬하는 효과를 가지고 있다. 고밀도 양자점 배열과 배열간격의 조절이 성장과정에서 가능하여 본 기술을 이용한 광전소자 공정을 간소화하므로 광전소자 제작의 시간 및 비용을 절감할 수 있는 효과를 기대할 수 있다.
- 보유기관
- 한국광기술원
- 등록일
- 2007-12-06
상세보기