적층형 페라이트 인덕터 및 그 제조방법
본 발명은 코일이 차지하는 단면적을 일정하게 유지하면서 코일의 감은 수만을 변화시켜도 인덕턴스 값의 예측이 용이한 페라이트 인덕터에 관한 것임적층형 페라이트 인덕터에서 코일이 차지하는 단면적을 일정하게 함으로써 그 단면적내에서 코일의 감은수에 따라 예측 가능한 인덕터값을 얻을 수 있는 것이 특징임.
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- 2001-09-01
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5 / 15 페이지카본 나노튜브 생산법과 장치
이 기술은 나노튜브의 수율과 길이를 늘이기 위해 특별히 음극의 초음파 진동을 사용하는 카본 나노튜브 생산법에 관한 것이다. 나노튜브는 새장과 같은 구조를 가지는 C60 플러렌(fullerene)구조이다. 이것들은 나노프로빙(nanoprobing)과 탄소섬유 복합체를 생산하기 위해 바람직한 물질들이다. 카본 나노튜브는 음극(cathode)과 양극(anode)사이의 아크에서 탄소로부터 생산된다. 나노튜브는 아크의 위치에 있는 음극(cathode)위에 형성되는데 현재 기술의 문제점은 아크가 불안정하다는 것이다. 이것은 나노튜브가 가장 커야 길이가 100nm 밖에 되지 않기 때문에 아크가 불안정하면 나노튜브가 붕괴된다. 또한 원하지 않은 비 나노튜브 탄소소재가 형성된다. 이 기술은 큰 카본덩어리를 제거하고 가벼운 나노튜브는 남겨두기 위해 초음파로 음극을 진동시키는 방법이다. 또한 이 기술은 원치 않은 탄소소재의 형성을 줄이기 우해 음극을 식히는 방법도 포함한다. 이 기술을 사용하여 만들어진 나노튜브는 그 길이(1mm이상 까지)와 양이 현저하게 증가한다.생산되는 나노튜브의 길이가 생물학적 분자와 나노구조, 집적회로에서 발견되는 깊은 틈을 탐지하는데 쓰일만하게 현저하게 증가한다. 나노튜브의 수율의 증가는 방어용, 항공우주, 자동차 시장등에서 더 가볍고 더 강한 탄소섬유 복합 소재를 생산하는데 적합하게 만든다.전극으로부터 카본소재를 제거하기 위해 생산 공정을 멈출 필요가 없다.카본 나노튜브 생산의 효율과 경제성을 현저히 증가 시킨다.
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- 2002-05-21
선택적 광학 처리에 의한 투과성 기판으로부터의 박막 분리
Ⅲ-Ⅴ족 반도체 같은 합성 반도체는 높은 스피드와 고온의 전기공학에 필요하고 특별한 광학적 파장 밴드(예를 들어 푸른색 영역의 GaN) 에서 옵티컬 이미터와 탐지기에 매우 유용한 특성을 가지고 있다. 특별히 GaN 같은 몇 가지 반도체 물질은 bulk 소재로 성장하기가 어렵고 산업에 적용을 위해서 제거단계 그리고 다시 다른 기판에 붙이는 단계를 거치면서 사파이어 같은 기판 위에 박막으로 성장시켜야 한다. 제거단계는 현재 희생층(sacrifice layer)을 에칭하거나 물리적으로 기판을 벗기고 고온/고에너지 레이저를 조사해서 제거하기도 한다. 이러한 단점이 있는데 그 중에서 가장 심각한 것은 이러한 기술이 행해 질 때 막에 손상을 가져오는 것이다. 이러한 단점을 극복하기 위해 결정필름을 성장 기판에서 억셉터 기판으로 전이(transfer)시키는 공정을 개발했다. 하나의 구성을 가지는 필름은 성장막 보다 더 짧은 파장에서 흡수 에지(edge)를 가지는 다른 구성요소의 기판 위에 성장을 하고 그때 필름의 사이드는 억셉터 기판(acceptor substrate)에 붙는다. 성장 기판을 가지는 구조의 사이드는 선택 파장을 가지는 짧은 펄스의 광학적 빔에 쪼여진다. 그 결과 필름과 성장 기판사이의 경계면의 결합이 약해지나 조사된 영역은 분리되지 않게 되는 것이다. 분리 단계는 레이저로 조사 후에 이루어지는데 이런 식으로 이 두 가지 단계의 분리 공정이 광학적 빔 영역보다 큰 기판으로부터 필름이 분리가 되는 것이다. 이 기술은 성장 판과 박막 사이에서 성장한 희생층에 조사를 하는 방법도 가능케 한다.다양한 Ⅲ-Ⅴ족 반도체와 perovskite oxide 예를 들어 GaN 과 Pb(Zr,Ti)O3 ("PZT") 같은 공정에서 공정이 이루어 질 수 있다. 박막과 발광다이오드를 포함한 소자의 헤테로 구조를 도너(donor)에서 억셉터 기판으로 성공적으로 전이시킬 수 있고 결합단계 없이 thick film을 제거하여 독립기판(free standing substrate)을 생산할 수 있다.
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- 2002-05-25
전계 강화 포토리지스트 후노광 프로세싱
이 기술은 저항 민감도를 강화하고 외부의 전장 변화에 의해 photoacid 드리프트/분산을 제한하는데 기초한 해상도를 높이는 방법론이다. 후 노광(exposure) 굽기(post exposure bake)과정 동안 리지스트 필름에 전장을 적용하면 수직 방향의 photoacid 드리프트가 강화되고 bake 시간이 감소하며 이에 따라서 측면의 산 확산을 제한할 수 있다. 이 방법으로 30%정도의 post-exposure bake 시간을 줄일 수 있고 2차원 코너의 예리함을 개선할 수 있다. 그리고 리지스트 측벽의 수직성(verticality)도 증가시킨다. 전계강화 post exposure bake 는 또한 초과 노광에 대해 내구력을 개선시키고 더 좋은 Critical Dimension(*CD. Mask의 형상을 Wafer에 옮기는 과정에서 Wafer에 재현된 Pattern의 최소 선 폭을 말하는 것으로 정해진 CD값을 만족시켜야 원하는 Device를 구성할 수 있다.)의 조절을 가능케 한다.30%정도의 후 노광 bake 시간을 줄인다.2차원 코너의 예리함을 개선하고 리지스트 측벽의 수직성을 증가시킨다.초과노광의 내구력을 개선한다.더 나은 critcal dimension의 조절이 가능하게 한다.
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- 대일기업평가원
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- 2002-05-25
Development of an energy efficient microwave diamond film deposition system
MW 플라즈마로 개발 경험을 기초로 하여 CAP(Circumferential Antenna Plasma reactor)를 개발. 현재는 새로운 장치로 915MHz, 유입파워 30kW, 샘플직경 125 또는 200mm 등에 따라서 작업압력 30-1000Mbar 그리고 빠른 작업속도를 구현하는 장치의 개발을 계획.CAP시스템은 평판한 substrate위에 다이아몬드를 deposition하기 위한 마이크로 웨이브시스템. 이 시스템을 이용하여 직경이 51mm인 실리콘 웨이퍼에 균질한 두께의 다이아몬드를 코팅. 이러한 코팅은 샘플 표면의 대하여 훌륭한 접착력과 고품질의 특성을 보유. 다이아몬드가 없는 필름은 인프라 레드 스펙트럼에 대하여 매우 낮은 흡수도를 나타낸다.
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- 한국과학기술연구원
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- 2002-06-21
트위스트 필터를 가진 Cathodic Arc Plasma 시스템
이 기술은 새로운 필터 설계에 있어서 플라즈마의 손실을 최소화하기 위해 기존의 자기 가이딩의 개발에 관한 것이다. 그 효과는 플라즈마 처리량 또는 전송 효율을 최대화 할 수 있다는 것이다. 자기 필터의 축은 트위스트 되어 있어 2차원 디바이스가 되는 것이다. 평면이 아닌 필터의 장점은 입자 투과의 가능성이 크게 감소하고 입자들이 실제로 플라즈마에서 제거된다. 필터의 길이를 길게 할 필요가 없고 플라즈마의 손실도 없이 필터링은 더 완전하게 이루어진다. 이러한 3차원의 모양과 2개의 다른 특별한 모양을 포함해서 이 새로운 트위스트 필터는 효과적으로 완전하게 예전의 10%에서 25%의 처리량에서 50%까지 플라즈마 처리량을 끌어올리면서 macroparticle들을 걸러낸다. 앞에서 말한 처리량은 필터로 들어가는 플라즈마 입자와 나오는 플라즈마 입자의 비로 계산을 한다. 효율을 정량화 하는 다른 방법은 시스템 계수를 사용하는 것인데, 이것은 걸러진 플라즈마로부터 방출되어 나오는 이온 전류와 플라즈마 생성 아크 전류에 대한 비로 나타내는 방법이다. 이 트위스트 필터를 사용하면 티타늄 플라즈마의 시스템 계수가 예전의 1-3%에 비교해서 7%정도 높은 수준에서 측정된다. 플라즈마빔을 분산시키고 4 인치 또는 그보다 더 큰 직경의 영역에 균일하게 분배하기 위하여 플라즈마의 자기 가이딩을 이용했다. 코일과 선의 조밀한 구조는 20cm 이하의 길이를 가지는데 이는 이전에 가능했던 것 보다 더 많은 플라즈마를 보유한다. 20cm 이하의 작은 길이는 현재 사용되는 증착 장치에 적합한 filtered cathodic arc system을 가능하게 한다. 이 필터와 균질기(homogenizer)는 밀도 있고 연속적인 결함 없는 필름을 제작하기 위한 다양한 a filtered cathodic arc system에 사용된다.- 플라즈마 손실을 최소화- 플라즈마 처리량을 최대화- 전송효율을 최대호- 입자 투과율을 감소- 플라즈마에서 입자 제거- 4인치 이상의 직경 공간에 균일하게 플라즈마 분배- 현재 사용되는 증착장치에 적합
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- 대일기업평가원
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- 2002-07-04
소형 펄스 플라즈마 소스
이 기술은 소형 펄스 증기 진공 아크 플라즈마 건(miniature pulsed vapor vacuum arc plasma guns)에 관한 것으로서 이전의 박막증착을 위한 장치와 기술에서 상당한 발전을 이룬 것이다. 이 기술은 진공 아크 플라즈마 소스의 특별한 설계형식이 소형화를 이루었고 펄스모드 작동 또한 가능하게 했다. 이런 형태는 이전의 기술 방법보다 많은 잇점이 있고 박막 합성을 가능하게 한다. 이 기술이전에는 증기 아크 이온 소스(vacuum arc plasma source)를 100ANG 이하의 범위에 두께를 가지는 박막을 제작하는데 사용할 수 없었지만 이 기술에서 사용할 수 있게 되었다. 이 장치는 증착 플럭스(deposition flux)를 섬세하게 제어할 수 있는 소형 소스이며 박막과 다층 레이어를 각각의 작은 면적 위에 형성할 수 있고 게다가 넓은 면적을 가지는 박막에 응용이 가능하다. 이러한 공정에 대한 완전한 컨트롤-즉 필름의 두께와 조합이 모노레이어 급(.mu.=-.ANG.)으로 제작될 수 있는-이 이 장치에 의해서 실현되었다. 이 기술은 아주 간단하고 저비용의 방법이다. 그리고 최소의 셋업 시간을 가지고 원료의 낭비 없이 많은 난해한 변수를 가지는 제작방법으로 만들어지는 샘플들도 쉽게 생산 할 수 있다.- 소형이다.- 유연한 것들도 함께 묶을수 있다.- 많은 금속에 사용될수 있다.- 플라즈마 플럭스의 정밀한 제어를 한다
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- 대일기업평가원
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- 2002-07-04
쇼어 경도 시험기 제작기술
휴대용으로 널리 쓰이는 쇼어 경도 시험기를 정밀하게 제작하는 기술이다. 쇼어 경도 시험기를 제작할 때 주의를 기울여 가공할 부분, 요구되는 가공 정밀도, 누르개가 튀어오르는 높이의 정밀측정 기술등과 관련된 기술이며 쇼어 경도시험기의 정밀도와 신뢰도를 높일 수 있다쇼어 경도시험기의 정밀도와 신뢰도를 높일 수 있다
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- 2003-01-25
복수의 회로기판을 물리적 및 전기적으로 결합시키기 위한 장치 및 방법
본 기술은 둘 또는 그 이상의 복수의 회로기판을 물리적 및 전기적으로 결합시키기 위한 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 BGA(Ball grid array), Micro BGA, 플립 칩(Flip Chip)등 공납을 이용하여 부품을 지지하거나 전기적 신호를 제공하는 전자 패키징 공정을 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 기술은 다수의 회로기판을 물리적 및 전기적으로 결합시키기 위한 장치에 있어서, 그 표면에 납을 수납하기 위한 다수의 홈을 가지며 어느한 회로기판에 구비된 패드에 비해 젖음성이 낮은 재질로 이루어진 금속판, 홈에 수납된 납을 공납으로 형성하며 패드에 공납을 전이시키기 위하여 금속판을 가열하는 가열수단, 어느한 회로기판의 패드와 금속판의 홈을 정렬시키기 위한 정렬수단으로 구성된다. 본 기술은 다수의 회로기판을 물리적 및 전기적으로 결합시키기 위한 방법에 있어서, 그 표면에 납을 수납하기 위한 다수의 홈을 가지며 어느한 회로기판에 구비된 패드에 비해 젖음성이 낮은 재질로 이루어진 금속판을 준비하는 단계, 금속판의 홈내에 납을 채우는 단계, 어느한 회로기판과 금속판을 서로 정렬시키는 단계, 금속판을 가열하여 납을 공납으로 형성하고 어느한 회로기판을 가압하여 공납의 일측을 패드에 전이 및 부착시키는 단계, 어느한 회로기판에 부착된 공납의 타측을 다른 회로기판에 구비된 패드에 부착시키는 단계로 구성된다. 본 기술은 금속패드를 구비한 회로기판에 공납을 부착시키기 위한 방법에 있어서, 그 표면에 납을 수납하기 위한 다수의 홈을 가지며 금속패드에 비해 젖음성이 낮은 재질로 이루어진 금속판을 준비하는 단계, 금속판의 홈내에 납을 채우는 단계, 어느한 회로기판과 금속판을 서로 정렬시키는 단계, 금속판을 가열하여 납을 공납으로 형성하고 어느한 회로기판을 가압하므로써 금속패드와 금속판의 젖음성 차이로 인하여 공납의 일측이 상기 패드에 전이 및 부착되도록 하는 단계로 구성된다.-개개의 패키지 기판의 수리 및 대량 생산에도 용이하게 적용-공납과 패키지 기판을 동시에 가열하는 종래방법에 비해 열전이 온도가 낮은 기판에서도 패키지 기판의 변형이 작아 높은 신뢰성을 갖음
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- 대일기업평가원
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- 2003-05-23
다층 금속배선 구조의 반도체 집적회로 제조방법
- 본 기술은 반도체 집적회로의 제조방법에 관한 것임- 본 기술은 금속배선공정에서 금속 배선층 간의 절연물질의 유전상수를 최소화하여 저항(R)과 축전용량(C)의 곱(RC)으로 표현되는 지연시간(delay)을 감소시킴- 본 기술에서의 금속 배선층간 절연물질은 진공으로 하거나 공기 또는 불활성 기체를 이용하므로 이 경우 상대유전상수는 자연에서 존재하는 최소 값인 1.0 또는 이에 근접한 값을 갖게 됨- 본 기술에선 금속 배선층 사이에 바나듐 금속을 먼저 형성한 다음에 과산화수소(H2O2)를 이용하여 바나듐 금속을 용해하여 제거하는 단계를 거치게 됨- 배선 층간의 상대유전상수가 1.0으로 최소화됨- 집적회로의 정보전달 속도와 잡음마진이 크게 향상됨- 제작 과정에 어려움이 없음- 과산화수소와 수증기를 이용한 공정은 다른 재료를 이용한 경우보다 용이하며 집적회로 내의 주변물질과 반응을 일으키지 않아 보다 신뢰성 있는 방법임
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-06-30
비접촉 말단 표면 밀폐 가스 동력 측면 홈의 제조를 위한 기술 [Kr 1.102]
원심 분리기 펌프와 압축기에 사용되어지는 신속 절단 스틸, 경합금, 세라믹에서 얻어지는 비접촉 "드라이" 가스 밀페 고리의 작동 표면의 정밀 가스 동력 복합형 홈의 이온 에칭을 위한 기술과 파일럿 설비가 개발되었다. 파일럿 설비의 주요 요소는 정전기적 가속 시스템에 의해 산출되는 가스 배출 플라즈마에서 형성된, 비활성 가스(아르곤) 이온의 모노에너제틱 빔의 멀티-틈의 소스이다. 완성된 설비 세트는 이온 방사의 두가지 소스와 한번의 기술적 사이클에서 300mm의 직경을 가지는 4개의 고리 처리가 가능한 기술적 툴링을 통합시킨다.전통적(기계적, 화학적)기법과 비교하여 동 기술은 20미크론까지의 범위내에서 최소값의 5%의 깊이의 최대 허용 오차를 갖도록 생산된 홈의 고 정밀도에 의해 가스 층의 베어링 용적이 개선되었다. 또한, 신뢰도와 장비의 사용기간이 연장되도록 개선되었다.
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- 티알씨코리아
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- 2003-06-26
초저속 경사 회전 노광장치
본 기술은 노광장치에서 반도체의 웨이퍼가 회전을 하며 노광이 이루어지는 방법에 관한 것으로 미소기전소자(Micro Electro Mechanical System; MEMS) 기술을 이용하는 3차원의 미소 구조체를 제조 가능케 하며, 반도체 제조용 노광공정에서 가장 커다란 걸림돌로 되어 있는 undercut을 가지는 레지스트를 가장 손쉽게 제작할 수 있는 기술로 초저속으로 경사를 유지하면서 회전하는 노광장치의 제작에 관한 것이다.1. 경쟁기술 현황 반도체 제조공정에서 가장 핵심적인 노광장치는 일본의 Nikon, Canon, 네덜란드의 ASML에서 막대한 개발비를 들여서 개발을 진행하고 있으니 반도체 웨이퍼를 회전시키는 기술은 아직 개발된 바가 없음.2. 본 기술과의 비교가. 기술면 : 기존의 기술은 수직으로 노광이 이루어지므로 아래 부분을 오목하게 만들 수 없으나 반도체의 웨이퍼를 회전시킬 수 있으면 레지스트의 아래 부분을 더 많이 노광시켜서 아래 부분이 오목한 구조가 가능한 신개념의 노광장치 기술임.나. 가격면 : 가격면에서는 기존의 노광장치에 비하여 약간의 상승요인이 있으나 기존 기술로는 만들 수 없는 구조를 만들어 낼 수 있음 3. 본 기술의 경제적 수명10년정도 가능
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- 한국산업기술진흥원
- 등록일
- 2003-11-29
전자싸이크로트론 공명 플라즈마에서의 활성이온 및 활성분자(또는 활성원자) 생성율 제어방법
본 발명은 플라즈마 발생시 생성되는 활성이온 및 활성분자(혹은 활성원자)의 생성율을 달리할 수 있는 방법으로서 가스펄스 전자 싸이크로트론 공명 플라즈마의 과도적 특성을 조사하여 서로 다른 플라즈마 종들의 과도적 광방출(transient optical emission) 모습으로부터 일정한 시간폭을 갖는 두 세 가지 다른 시간영역을 도입하는 것을 포함한다. 또한 가스펄스 도입시 의무주기의 변화에 따라서도 활성이온 및 활성분자(혹은 활성원자)의 생성율을 달리할 수 있는데 이는 가스펄스 플라즈마의 과도적 특성과 밀접한 관련이 있다. 즉 가스 펄스 도입시간 영역에서는 비교적 낮은 전자 온도(1.2 eV)가 관측되고 가스펄스 도입중단 후 약 0.65초 후의 시간영역에서는 비교적 높은 전자온도(2.5 eV)가 관측되는데 이는 플라즈마와 중성분자간의 재결합 충돌이 영향을 주므로써 나타나는 현상이다. 따라서 활성이온 및 활성분자(혹은 활성원자)의 생성율을 달리할 수 있는 적절한 시간영역 및 의무주기를 선택함으로서 플라즈마 관련 반도체 제조공정을 비롯한 산화물 및 질소화합물 등의 결정성장분야에서 유용하게 사용될 수 있다.가스 펄스 전자 싸이크로트론 공명 플라즈마에서 시간에 따라 변화되는 과도적 특성을 가지는 플라즈마 변수를 이용하여 활성이온 및 활성분자(또는 활성원자)의 생성율을 선택적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 가스 펄스 전자 싸이크로트론 공명 플라즈마에서의 활성이온 및 활성분자(또는 활성원자) 생성율 제어 방법.
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- 한국산업기술진흥원
- 등록일
- 2003-11-29
표면발광반도체 레이저 제작
- 광신호 병렬처리 및 광인터커넥션- CD 플레이어의 pick-up 광원- 특수산화막 제조공정- MOCVD 방법으로 표면발광 레이저 구조를 성장함- AlAs를 산화시켜 만든 산화막을 이용하여 전류를 활성 영역에 주입시키고 광 손실을 줄임- 활성층 영역 가까이에 p형 금속접촉을 만들고 레이저 반사경을 열저항이 낮은 2원소 화합물 반도체로 구성하여 레이저 구동시 발생되는 열을 효율적으로 외부로 빠지도록 함- AlAs를 외부환경으로 부터 보호하는 보호막을 표면 산화막 형성으로 만듬- 많은 양의 정보를 보다 빨리 처리하고자 하는 필요성은 현재의 시스템보다 더욱 효율적인 빛을 이용한 정보처리 시스템의 개발로 실현 될 수 있을 것이다. 이러한 새로운 정보의 병렬처리 및 광집적회로의 구성을 통한 정보처리 속도의 증가를 가져올 수 있을것으로 예상됨
- 등록일
- 2004-02-21
반도체형 가스센서 소자의 패키징 방법
본 기술은 센서 기술에 관한 것으로, 특히 반도체형 가스센서 소자의 패키징 기술에 관한 것이다. 본 기술은 패키지의 안정도를 확보하고 패키지 사이즈를 축소할 수 있는 반도체형 가스센서 소자의 패키징 방법을 제공하는데 그 목적이 있으며 그 일부에 홀을 구비하며, 홀 주위에 다수의 제1 전극 패드가 배치된 기판을 준비하는 단계, 절연성 기판과, 그 상부에 집적된 감지막, 다수의 제2 전극 패드를 구비하는 센서 유니트를 준비하는 단계, 및 전도성 페이스트를 사용하여 기판 상의 제1 전극 패드와 센서 유니트의 제2 전극 패드를 접속하는 단계를 포함하는 반도체형 가스센서 소자의 패키징 방법이 제공된다. 감지막, 히터, 전극 패드, 배선 등이 집적된 센서 유니트의 패키징을 위해 기존에 사용되어 온 와이어 본딩 기술을 배제하고, 전도성 페이스트를 이용하여 전극 패드를 전기적/기계적으로 접속하는 방식에 관한 것이다.- 종래에는 와이어 본딩을 통해 패키지를 형성하는 바, 와이어(130)를 수작업으로 접속하기 때문에 패키지의 사이즈를 줄이면 고정밀 공정이 어려운 어려운 문제점이 있었으며, 또한 구조적으로 패키지의 안정도가 떨어지는 문제점이 있었다 . 그러나 본 기술은 가스센서 패키지 구조를 보다 안정화하고 패키지의 사이즈를 줄일 수 있음- 인간의 오감을 대체 하는 센서 시스템 중 가장 뒤쳐진 부분이 인각의 후각을 모방하는 시스템임
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2004-03-26
질화갈륨을 이용한 고안정성 가스센서 및 제조방법
본 기술은 질화갈륨을 이용한 고안정성 가스센서 및 제조방법에 관한 것으로, 사파이어기판 전면에 형성된 단결정 질화갈륨과, 질화갈륨 위에 마스크를 이용하여 부분적으로 형성한 전극과, 전극이 형성되지 않은 질화갈륨 위에 증착된 촉매와, 사파이어기판 뒷면에 티탄과 백금을 차례로 형성시켜 제작된 히터를 포함하여 구성됨을 특징으로 하여, 질화갈륨을 이용한 고안정성 가스센서 및 제조방법을 적용하면, 모재로 사용하는 화합물 반도체인 질화갈륨은 질화갈륨의 소재 특성인 갈륨원자의 결핍으로 인해 n형 반도체가 형성되어, 종래의 산화물 반도체에 비하여 안정성이 월등히 뛰어나고 또한 전도도 변화요인이 되는 환경 인자 즉, 가스 등의 원상복귀에 따른 전기 전도도 값의 복귀성이 뛰어나고 이들 성질로 인한 특성의 불안정성의 문제를 아울러 해결한 형태로 신뢰성 있는 첨단 가스센서에 관한 것이다.- 질화갈륨을 이용한 고안정성 가스센서 및 제조방법을 적용하면, 모재로 사용하는 화합물 반도체인 질화갈륨은 질화갈륨의 소재 특성인 갈륨(Ga)원자의 결핍으로 인해 n형 반도체가 형성되어, 종래의 산화물 반도체에 비하여 안정성이 월등히 뛰어남,- 전도도 변화요인이 되는 환경 인자 즉, 가스 등의 원상복귀에 따른 전기 전도도 값의 복귀성이 뛰어나고 이들 성질로 인한 특성의 불안정성의 문제를 아울러 해결한 형태로 신뢰성 있는 첨단 가스센서의 구현을 할 수 있음.
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2004-03-26
반도체형 가스센서용 감지막 형성방법 및 반도체형가스센서 어레이
본 기술은 센서 기술에 관한 것으로, 반도체형 가스센서 기술에 관한 것이다. 본 기술은 촉매제가 균일하게 첨가된 SnO2계 감지막을 얻을 수 있는 반도체형 가스센서용 감지막 형성방법을 제공하고, 반도체형 가스센서의 사이즈를 줄이고 제조 공정을 간소화할 수 있는 반도체형 가스센서 어레이를 제공하며, 목적을 달성하기 위한 기술은 반도체형 가스센서용 감지막 형성방법에 있어서, 기판 상에 주석 박막을 형성하는 단계, 주석 박막 상에 촉매제 박막을 형성하는 단계, 주석 박막 촉매체 박막을 열산화하여 촉매제가 첨가된 산화주석 박막을 형성하는 단계를 포함하는 반도체형 가스센서용 감지막 형성방법에 관한 것이다.- 구성된 종래의 가스센서 어레이는 다양한 종류의 감지막(10)을 기판 상에 집적하기 위한 공정이 복잡한 단점이 있으며, 가스센서의 사이즈가 큰 단점이 있으나, 본 기술은 가스센서의 감응도를 높이고, 센서 시스템의 크기를 축소하고, 제조 공정을 단순화할 수 있어 고기능 저가의 전자후각 모듈의 양산을 가능하게 하는 효과가 있음.- 인간의 오감을 대체 하는 센서 시스템 중 가장 뒤쳐진 부분이 인각의 후각을 모방하는 시스템임
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2004-03-26
폭발성가스 검지용 후막형 반도체 가스 센서어레이 및 그제조방법
본 기술은 후막형 반도체 가스 센서어레이 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 기술은 백금페이스트를 이용해서 알루미나기판의 앞면에다 실크 스크린프린팅하여 다수의 전극을 형성함과 더불어 알루미나기판의 뒷면에는 히터를 형성시켜 800℃∼1200℃로 5분 내지 30분 정도 열처리 하고, 전극 상에 실크 스크린프린팅으로 다수의 감지물질을 형성한후 100℃에서 1시간 건조시킨 다음 700℃내지 900℃로 1시간 내지 4시간 범위에서 열처리 하며, 은페이스트를 이용하여 핀을 각 전극에다 고정시켜 상온에서 24시간 건조시킨 후 100℃내지 300℃에서 1시간 내지 3시간 동안 열처리하여 센서를 제조하는 방법에 관한 것이다.- 단일 가스센서가 갖고 있는 다른 종류의 폭발성가스에 대한 선택성의 결핍과 시간에 따른 신호변동으로 생기는 경보기나 계측기의 성능저하 및 오동작을 제거할 수 있을 뿐만 아니라 폭발성가스(부탄, 프로판, 메탄 등)를 선택적으로 인식 및 정량화할 수 있음.- 주변 소자 히터의 온도편차로 생기는 열적영향 및 공간적 외란을 제거하고, 센서의 공간적 분리로인하여 측정대상 가스의 공간적 불균일 또는 미소한 가스의 와류에 의한 센서신호의 변동 가능성을 배제하며, 안정하고 높은 감도를 가지면서 제작상의 공정이 용이한 선택성을 갖음
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2004-03-26
방전유지 전극 사이에 공극을 가지는 플라즈마 평판 표시기
본 기술은 교류 공면 플라즈마 평판 표시기(AC coplanar PDP)의 고휘도, 고효율화, 저소비전력화에 발 맞추어 기존의 상판 구조를 대체할 수 있는 방전유지 전극 사이에 공극을 가지는 플라즈마 평판 표시기에 관한 것이다. 교류 컬러 플라즈마 평판 표시기의 동작원리는 먼저 상판유리의 두 방전유지 전극간에 표면 방전이 발생하면 방전에 의해 생성된 진공 자외선이 하판유리위에 있는 형광체를 여기시켜 사람의 눈으로 볼 수 있는 가시광을 만들게 된다. 이것을 상판 유리쪽에 위치한 관측자가 관측하게 되는 원리이다. 본 기술은 교류 컬러 플라즈마 평판 표시기의 상판구조를 개선한 상판 방전유지 전극 사이에 공극을 가지는 플라즈마 평판 표시기의 단위 셀이다. 이 구조는 기존의 상판 구조를 개선하여 방전유지 전극 사이의 투명 유전체층을 제거한 구조이다. 기존의 상판 구조와 비교할 때, 방전유지 전극 사이의 강한 전장을 이용할 수 있어 플라즈마의 밀도를 최대화 할 수 있다. 따라서, 진공자외선을 최대한으로 이용할 수 있고, 기존의 상판 구조에서는 유전층 때문에 이용할 수 없는 전극 사이의 강한 전장을 이용하여 방전전압의 크기도 줄일 수 있어 휘도, 효율 및 방전늦음 현상의 향상을 기대할 수 있다.- 본 기술은 벽걸이 텔레비전 및 탁상용 모니터용으로 적합한 플라즈마 표시기의 상판 구조를 개선하기 위해 방전유지 전극 사이의 투명 유전체층을 제거하여 공극을 가지는 플라즈마 평판 표시기의 상판 구조로, 이 구조를 통하여 플라즈마 표시기의 휘도, 효율 뿐 아니라 방전늦음 현상까지 개선할 수 있음- 플라즈마 표시기의 품질 향상에 기여하여 대형 평판 디스플레이 시장에서 플라즈마 표시기가 다른 평판 디스플레이 기술보다 유리하게 됨
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2004-03-26
고집적 플래시 메모리 개발
플래시 메모리 기술은 사용분야에 따라 code flash memory와 data flash memory로 나누어지며, 데이터 플래시는 데이터를 쓰고 지우는 시간이 빠른 대신 block address단위로 access가 가능하여 데이터 저장 매체로 사용되고 있음. 최근 휴대기기의 보급에 따라 데이터 메모리 사용 사례가 증가하고 있으며, 동 기술은 고유의 반도체 제조공정을 이용하여 셀 크기를 대폭 축소하는 기술임기존 공정장비에 비해 셀 크기를 감소시키고 이미 양산중인 공정을 이용하기 때문에 수율을 향상하기 위한 노력이 필요 없으므로 제조 원가를 낮출 수 있을 것으로 사료됨.
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 등록일
- 2004-03-18