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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
열전 (TE) 냉각기는 마이크로전자 열 관리와 낭비-열 회수에 유용한 장치이다. 그러나, 열전 냉각기는 낮은 동작 효율과 높은 생산 비용의 문제점을 가지고 있다. 콤푸레서를 기초로한 냉장고가 30% 이상의 효율을 나타내는 것에 비해 열전 냉각기는 6-8%의 캐롯 효율을 보인다. 또한, 기존의 열전 냉각기는 집적 회로를 이용하여 제조할 수 없다는 단점을 가지고 있다. 따라서, 열전 냉각기의 제조 단가가 상승하는 요인이 된다. 이와 같은 여러가지 문제점들 때문에 열전 냉각기는 효율이 크게 중요하지 않거나 부피를 크게 줄여야 하는 장치에 제한적으로 사용되어 왔다. 본 기술은 새로운 종류의 열전 냉각기를 개발한 기술이다. 본 기술의 냉각기는 높은 효율을 나타내고, AlGaAs, InGaAsP 또는 SiGe와 같은 물질의 헤테로구조에서 열이온 발산을 이용하여 동작한다. 증발에 의한 냉각은 경계층 위로 양극에서 음극까지 뜨거운 (hot) 전자의 선별적인 발산에 의해 이루어진다. 이와 같은 “열이온” 냉각기는 향상된 냉각 능력을 보이고, 일반적인 집적회로를 이용하여 제조할 수 있다. 본 기술은 실온에서 동작하는 작은 열이온 냉각기를 제조하는 과정에서 밴드갭 조절용 도핑을 사용하여 기존 냉각기의 문제점을 해결하였다. 본 기술은 적당한 물질과 형태를 사용하므로써, 매우 적은 비용을 들여 저온까지 냉각이 가능한 효율과 공간 활용이 우수한 열이온 냉각기를 제조한 기술이다. 한편, 본 기술의 냉각기는 빠른 반응 특성을 나타낸다. 본 기술은 두개의 반도체 층을 성장시킨다. 이와 같은 구조는 역으로 흐르는 전류 흐름을 막고, 음극에는 냉각 접합, 양극에는 뜨거운 접합을 이루는 높은 에너지 캐리어의 선별적인 발산이 가능하게 한다. 뜨거움과 차가움을 가지는 이와 같은 장치를 사용하므로써, 전해조는 열이온 발생기를 만들게 된다. 본 기술에 의하여 전자 냉각기 제조 비용을 크게 줄일 수 있으며, 보다 우수한 전자 냉각기 제조 기술을 확보하게 된다. 한편, 본 기술은 매우 낮은 온도까지 온도를 낮출 수 있으며 높은 효율과 빠른 반응 속도를 나타내는 냉각기에 관한 기술이다.높은 효율과 향상된 냉각 능력, 기존 냉각기에 비해 물질 선택의 폭이 넓음, 집적 회로로 제조가 가능, 제작 비용이 저렴함
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- 2003-01-24
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 집적 회로를 제조하기 위해, 독특한 투사를 이용한 X-선 회로 설계 기술이다. 컴퓨터로 발생된 홀로그램은 웨이퍼 위에 원하는 영상을 투영하기 위하여 사용되었다. 본 기술에서 홀로그램은 유일한 광학적 구성요소다. 또한, 본 기술에서 홀로그램은 기존의 마스크와 투영 광학 장치를 대신한다. 한편, 홀로그래피 영상에서 시스템 오동작을 일으키는 신호를 제거한 홀로그램을 제조하기 위하여 알고리즘이 사용되었다. 본 기술의 홀로그래피 영상은 X-선 근접 프린트를 위하여 사용된 소스와 동일하지만 크기가 1/20으로 줄어든 작은 밴드폭을 가진 기존의 X-선 소스를 사용하여 투영되었다. 마이크로회로의 제조에 있어서 본 기술의 잇점은 불순물 함유에 대해서 우수한 대응 능력을 가지고 있다는 것이다. 또한, 본 기술은 높은 분해능, 제조 공정의 자유로움, 초점의 조절이 용이함, 결정 구조의 결점에 대한 내성이 우수함, 그리고 웨이퍼의 대량 생산 능력 등의 특성을 가지고 있다.홀로그램을 이용한 회로 설계 기술, 불순물에 대한 우수한 대응 능력, 기존의 마스크나 투사용 광학 장치 불필요
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
Si 쌍극 트랜지스터의 구조는 자발적 배열, 이중의 폴리실리콘, 트랜치-격리 기술 등으로 제조된다. 최근, 새로운 제조 과정의 개선과 물질들의 도입으로 제조 공정이 많이 향상되었지만, 트랜지스터는 가장 초기의 형태인 이중-확산 pn 접합인 Si 쌍극 장치와 유사한 형태에 기초하여 제조되고 있다. 측면 쌍극 트랜지스터 (LBT)로 알려진 다른 쌍극 구조는 수평의 전류가 흐르고 실리콘-온-인슐레이터 (SOI) 기술을 가지고 제조되어진다. 그러나, 이와 같은 트랜지스터는 실리콘 기질의 장치에 비하여 좋지 않은 고-주파수 특성을 나타낸다. Si-기질을 기반으로 하는 기술은 일부의 LBT를 제조하기 위하여 사용할 수 있지만, 이와 같은 경우에는 최적의 LBT를 제조하기 힘들고, 좋지 않은 전기적 특성을 나타낸다. 본 기술은 수평의 전류가 흐르는 쌍극 트랜지스터 (HCBT)라는 이름이 붙여진 특별한 트랜지스터 장치를 개발한 기술이다. 본 기술의 HCBT는 쌍극 장치를 포함하고 있는 집적 회로의 동작 특성을 향상시킬 수 있다. 한편, 본 기술은 쌍극 또는 BiCOMS 회로의 설계에 응용할 수 있다. 장치의 부피를 줄이고, IC 틀의 크기를 줄일 수 있음. 고-주파수 특성의 향상. 낮은 생산 단가와 제조 과정의 단순화. Si와 SiGe 기술에 적용 가능
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
물리, 천문학, 산업, 의학 등의 많은 응용분야에서 높은 양자 효율, 단광자 분해능 그리고 매우 적은 사(死)면적을 가진 광센서를 필요로 하고 있다. 반사형 광음극에 기초한 광 배율기 튜브 (PMT)가 개발되었지만, 사면적이 넓고 불균일한 흡수 때문에 응용분야가 제한적이다. 또한, 최근에 하이브리드 양자 디텍터 (HPD)가 개발되었지만, 이와 같은 디텍터는 복잡하고 제조 비용이 비싸며 영상 카메라가 6각형으로 빽빽하게 들어찬 화합물을 형성하기 어렵고 반응 시간이 느리다는 단점을 가지고 있다. 본 기술은 반응 모드에 광음극을 사용한 새로운 광센서를 개발한 기술이다. 본 기술의 장치와 같은 구조를 가지고 하이브리드 양자 디텍터에 있는 요소와 동일한 진공관 요소는 정확하게 들어오는 빛에 대한 농축기와 정확하게 초점을 맞추는 전자 렌즈로서의 역할을 한다. 본 기술은 기존의 PMT와 HPD가 사용되고 있는 영역에는 모두 응용할 수 있다.낮은 제조 비용으로 높은 양자 효율을 얻을 수 있음. 낮은 사(死)면적.광음극 표면에 대해 최적의 사용.빠르고 위치에 독립적인 시간 반응
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
다양한 조명과 디스플레이 응용분야에서GaN 발광 다이오드 (LED)의 수요는 급격히 증가하고 있다. 이와 같은 많은 응용분야에 있어서, 공명 캐비티 LED (RCLED)와 GaN 수직 캐비티 레이져 (VCSEL)는 다중 장치 시스템으로 결합하기 쉬운 형태 뿐만 아니라 낮은 비용의 배열과 수직적 발산 등이 가능하다는 잇점을 가지고 있다. 그러나, 지나친 접촉이 생성된 빛을 흡수하지 않는 활성 지역으로 주입된 전류를 p형으로 도프된 GaN의 저항성 특성이 보내기 어렵게 만든다. 결합된 박막, 투명 접촉에 의한 전류 번짐은 전류 제한에 대한 대안으로서 조사되어 왔다. 그러나, LED 제조에 주로 사용된 박막 옴 접촉은 VCSEL에 사용하기에는 너무 많은 흡수 특성을 보인다. 인튬-주석 산화물 (ITO)과 같은 투명 박막 산화물은 전류 번짐에 대해 매력적인 옵션을 나타내지만, 그와 같은 물질들 또한 높은 전류 밀도에서 불확실한 특성을 나타내고 장치의 동작 특성을 감쇠시키는 쇼트키 특성을 보인다. 본 기술은 투명한 전류 번짐 접촉이 필요없는 RCLED와 VCSEL에 대한 특별한 제조 방법을 개발한 기술이다. 본 기술은 p형으로 도프된 GaN을 선택적으로 무질서하게 하기 위하여 이온 주입을 사용한 기술이다. 이온 주입을 하므로써 주입되지 않은 저-저항성 영역에 대해 전류를 제한한다. 결과적으로, 이와 같은 방법은 p-접촉 아래로 빛의 발산을 막음으로써 흡수를 줄이게 된다. 또한 본 기술은 이온 주입 후에 재성장된 p-GaN 층의 결합이 가능하다. 따라서, 손상된 측면 전도도의 통로와 연속적인 옴 접촉이 형성될 수 있도록 한다. 향상된 캐비티 특성과 향상된 장치의 동작 특성. 장치의 주입되지 않은 영역으로 빛이 발산되지 않도록 제한함. ITO 접촉 장치보다 더 긴 내구성
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
마이크로전자메카니즘 스위치 (MEMS)는 DC 정전계의 적용을 통해 변화하는 박막 금속성 멤브레인을 사용한다. 이와 같은 장치는 전기적인 시그널에 대해 높은 동작 특성을 필요로 하는 회로에 사용된다. 기존의 MEMS 설계는 이동성 멤브레인과 멤브레인 아래에 있는 절연 층 사이의 상호작용영역의 매끄러움에 의존한다. 그러나, 완벽한 매끄러움을 실현하기가 어렵기 때문에, 이와 같은 장치의 동작 특성은 제한 될 수 밖에 없다. 본 기술은 기존의 MEMS에 대해 향상된 기술을 개발한 것이다. 이와 같은 새로운 기술에 있어서, 이동성 멤브레인과 금속성 층 간의 접촉은 독창적 설계 제조방법을 통하여 매우 친밀하다. 또한, 절연층과의 접촉은 멤브레인의 형태와는 독립적이다. 따라서, 최적의 스위치 설계가 가능하다. 본 기술은 다양한 레이더나 통신 장비용 저손실 고특성의 마이크로파 회로를 개발할 수 있는 잠재력을 가지고 있다. MEMS는 콘덕터, 콘덕터 위에 배치된 절연 층, 절연 층 위에 배치된 금속 캡 그리고 금속 캡에 가장 가깝게 배치된 브리지로 구성되어 있다. 이와 같은 배치에서 브리지와 콘덕터 사이에 적용된 전기적인 포텐셜은 브리지가 찌그러지게 만들고 금속 캡과 접촉하게 한다. 금속 캡은 닫힘 또는 DOWN 상태에서 MEMS 스위치 캐패시턴스를 정확하게 제어하기 위하여 사용된 콘덕터에 가장 근접한, 안정되고 통제된 표면을 드러낸다. DOWM 상태에서, 브리지는 금속 캡과 접촉하고 금속 캡은 브리지와 콘덕터 사이의 효과적인 접촉을 뚜렷하게 한다. 본 기술은 안정되고 통제가능한 금속 캡을 조정하여 브리지와 콘덕터 사이의 매우 향상된, 효과적인 접촉을 만든다.멤브레인과 금속성 층 간의 접촉이 매우 완벽. 멤브레인과는 독립적인 절연층과의 접촉. 더 높은 절연파괴 전압. 향상된 신뢰성
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 청색과 UV의 광학 장치를 포함한 상업적 응용 장비에 거대한 잠재력을 가지고 있는 넓은 밴드갭을 나타내는 GaN 필름의 특성을 향상시킨 새로운 기술이다. 높은 이동도를 가지고 있고 n형과 p형을 위하여 도프될 수 있는 GaN 박막 필름을 제조할 수 있는 기술은 청색과 UV 영역에서 동작할 수 있는 발광 다이오드, 레이져 그리고 센서에 사용할 수 있다청색 발광 레이져나 다이오드 제조 가능. 높은 이동도. GaN에 n형, p형 도프 가능
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
반도체 장치들이 마이크로화 되고 장치에서 조작 단계의 수가 증가함에 따라, 절연체의 평면 가공 (평평한 가공)은 다중 조작 단계가 상호연결된 장치의 제조시에 중요한 핵심이 되고 있다. 화학적-기계적 연마 (CMP)는 우수한 평면 물질을 얻어내기 위한 기술로 사용되고 있고, 차세대의 마이크로 장치에 유용한 기술로서 평가받고 있다. 그러나, CMP는 평면 가공에 있어서 끝부분을 정확하게 판단하기 어렵기 때문에, 허용 오차 내의 두께를 가진 산화물과 같은 절연 물질을 연마하기 힘들다는 단점을 가지고 있다. 끝부분을 감지하는 방법으로는 시간 소비, 레이버 인텐시브 그리고 물질에 대해 과도한 제거나 오히려 원하지 않은 부분의 제거 때문에 줄어진 공정 생산에 대한 프론 등이 있다. 본 기술은 반도체 장치의 제조에 적합하고 실시간 CMP 감지가 가능한 특별한 방법과 장치를 개발한 기술이다. 본 기술의 장치는 웨이퍼의 표면 상태에 대한 데이터를 얻고, CMP 제어 메커니즘에 다시 데이터를 전송하기 위하여 특별한 감각전달 모드를 사용한다. 본 기술은 매우 감각적이고 상대적으로 값이 저렴하다. 따라서, 기존의 CMP 기술의 심각한 문제점들을 해결할 수 있다. 본 기술은 0.5마이크로 정도의 절연 CMP를 제조하는데 유용한 기술로 사용될 것으로 기대된다.마이크로 단위의 절연 CMP 제조 가능. 저렴한 제조 단가. 데이터의 피드백 가능
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
LED는 기구의 패널, 건물 안팎의 디스플레이, 자동차 시그널 등을 포함한 조명 소스로서 중요한 역할을 한다. 최근 광학 분야의 발전은 다양한 색상이 발광되는 효율적인 LED를 만들어냈다. 그러나, 현재의 기술로 백색 발광 LED를 생산하는 것은 제조 공정이 까다롭고 제조 비용이 비싸기 때문에 매우 힘들다. 본 기술은 백색 또는 다양한 색상을 발광하는 LED에 대한 물질과 구조를 개발한 기술이다. 다른 기술과는 달리, 이와 같은 LED는 단순하고 저렴한 디자인을 사용한 효율적인 단일 장치이다. 본 기술은 혼용의 조명 소스를 이용한 기술이다. 본 기술의 혼용 조명 소스는 빛의 발광이 가능하고 전기적 전력을 가지며, 고체 상태이고 무기물인 조명 발광자를 포함하고 있다. 또한, 포토루미네센트 고분자 요소를 포함하고 있다. 전기적 전력을 가지고 고체 상태이며 무기물인 조명 발광자는 p-n 접합 다이오드를 포함하는 조명 발광자, p-n 접합 트라이오드를 포함하는 조명 발광자, p-n 접합 레이져 다이오드 발광자, 금속-절연체-반도체 (M-I-S)를 포함하는 조명 발광자 그리고 반도체 양자 캐스케이드 주입 소스 조명 발광자 등 다양한 장치에 이용될 수 있다. 본 기술은 높은 효율을 가진 고체 상태이고 무기물인 조명 발광 소스로부터 방사와 고분자 또는 유기 필름으로부터 포토루미네센트를 결합함으로써 매우 높은 효율의 백색 또는 다양한 색상의 소스를 제공한다. 무기물 조명 발광 소스가 3족 질화물에 기초한 LED 또는 레이져일 때, 그와 같은 장치 자체는 청색을 발광하고, 동시적으로 백색을 만들어내기 위하여 필요한 장파장 요소를 제공하기 위해 고분자 또는 유기 필름의 포토루미네센트를 여기시키기 위한 단파장 주입 소스로서 역할을 한다. 이와 같은 다양한 주입 소스는 효율적인 백색 발광을 발생시키는 장치로서 사용될 수 있다. 폴리머 또는 유기 필름은 LED나 레이져에 직접적으로 도포되어 제조할 수 있다.높은 효율을 나타냄. 백색 또는 다양한 색상의 발광 가능. 균일하고 신뢰성있게 색상의 발광 가능. 거대한 면적의 제조가 가능한 유연하고 경제적인 물질. 우수한 온도 안정성
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
마이크로 전자 장치와 광학 장치의 신뢰성은 결합제의 기계적 강도에 크게 의존한다. 예를 들어, 플립 칩 결합제는 패킹 모듈에Si 칩을 결합시키기 위하여 사용된다. 그러나, 순환 열은 플립 칩에 피로 현상을 유발시킨다. 유사하게, 고정밀 장치와 광학 섬유 및 반도체 레이져에서 사용된 결합제의 장시간 신뢰성은 결합제 합금의 고유 저항에 의존한다. 본 기술은 높은 기계적 강도 뿐만 아니라 낮은 융점을 가지고, 납이 포함되지 않은 결합제를 개발한 기술이다. 본 기술은 마이크로 전자 장치나 광학 장치등의 제조에 응용할 수 있다.결합제에서 납을 제거. 저융점. 높은 기계적 강도
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
InGaN과 같은 3족 질화물의 합금들은 반도체 발광 다이오드에서 높은 효율을 나타내고 우수한 특성을 나타내며 중요한 역할을 한다. 그러나, InGaN 물질은 낮은 열적 안정성 때문에, GaN과 AlGaN보다 더 낮은 온도에서 성장되어야만 한다. 현재, InGaN은 1000oC 이상의 온도에서 성장되고 있다. 이와 같은 높은 온도에서, 제조 공정은 제조 단가가 상승하게 되고, 기질, 갈륨 질화물 층 그리고 최종 생산된 구조에 대해 손상을 주게 된다. 또한, 도펀트 확산과 좋지 않은 헤테로접합 형성의 문제도 발생시킨다. 본 기술은 3족 질화물 필름의 저온 성장을 위한 새로운 방법을 개발한 기술이다. 본 기술은 높은 성장 속도를 가지면서 열적으로 민감성 3-5족 반도체 합금의 저온 제조가 가능한 기술이다. 또한, 본 기술은 레드 쪽으로 3족 질화물의 밴드갭을 이동시키는 특별한 의미도 가지고 있다. 본 기술은 광학용 및 전자장치용 갈륨 질화물 필름과 이와 관련된 합금들의 제조 등에 유용하게 이용될 수 있다. 또한, 본 기술은 청색, UV, 풀 칼라 발광 장치의 제조에 사용될 수 있다. 본 기술은 전자 장치로 제조가 가능한 3족 질화물을 제조하기 위한 강력하고 매우 생산적인 시스템이다. 본 기술은 갈륨 질화물 성장을 돕기 위하여 수은과 제논 가스로부터 UV 방출을 사용한다. 이와 같은 UV의 사용은 에피탁시하게 성장하는 갈륨 질화물과 갈륨 질화물 합금을 위해 요구되는 성장 온도를 상당하게 낮추게 된다. 또한, UV의 사용은 인듐 갈륨 질화물의 성장 속도를 증가시키고, 금속-산화물 화학적 증착법 (MOCVD)의 성장 효율을 증가시킨다. 한편, 본 기술은 갈륨 질화물 층의 성장 온도를 더욱 낮추고자 하는 것이 연구의 가장 큰 목적이라 할 수 있다. 또한, 갈륨 질화물의 성장 속도를 증가시키고, 저렴하고 효율적으로 3족 질화물 장치를 제조하는 것이 본 기술의 목적이라 할 수 있다. 물질의 결정성, 광학적, 전자 특성 향상. 레드에서 그린까지 발광하는 질화물 반도체 생산 가능. 저온 성장에 의해 제조 단가가 저렴. 높은 성장 속도를 가짐
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- 2003-01-24
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
디지털 시그널 프로세싱 (DSP)의 응용을 위한 배율기는 많은 부산물을 줄일 수 있기 때문에 이미 잘 알려진 것처럼 변형된 부스-암호 알고리즘을 많이 사용하고 있다. 상호연결부분의 과다한 전력 소비가 마이크로 단위의 디자인을 어렵게 만들기 때문에, 규칙적인 캐리-세이브 배열 구조는 부산물 축소를 위한 좋은 기술이라고 할 수 있다. 본 기술은 전력 소비를 줄이면서도 기존 캐리-세이브 배열의 모든 이점을 그대로 가지고 있는 “재조직된” 그리고 규칙적인 부산물 첨가 구조를 가지고 있는 새로운 기술이다. 본 기술은 디지털 시그널 프로세싱 응용을 위한 디지털 집적 회로의 디자인에 유용한 기술이다.전력 소비를 줄임. 외부 회로를 필요로하지 않음. 캐리-세이브의 규칙적인 배열
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
현재, 사용되는 물질들은ROM, WROM, 또는 파괴적인 (지워지지 쉬운) 저장 장치용 물질들만이 존재한다. 본 기술은 비 파괴적인 읽기 조판과 공정을 가진 쓰기, 읽기, 지우기 (W/R/E)가 가능한 물질을 개발한 기술이다. 본 기술은 고 밀도, 패러렐 어세스, 지우기가 가능한 컴퓨터 저장 장치, 광학 저장 디스크, 테이프, 큐브, DVD 등의 모든 형태에 응용 가능하다.광학적 방법으로 정보의 저장 가능. 정보의 선별적 지우기 가능
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- 2003-06-16
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
기존의 단일-극 이중-행정 (SPDT) 스위치는 두개의 다른 통로에 두개의 보상 단일-극 단일-행정 (SPST) 스위치를 가지고 있다. 각각의 SPST 스위치를 ON과 OFF로 구분하여 스위치 조작하므로써, 시그널은 하나의 통로로는 유도되고 다른 통로로는 차단된다. 이와 같은 구조의 문제점은 두개의 DC 바이어스를 필요로 한다는 것이다. 따라서, 이와 같은 구조는 형상 배열 안테나의 빔 조정자와 같이 많은 제어 바이어스를 필요로 하는 응용분야에 적용하기에 어렵다는 문제점을 가지고 있다. 본 기술은 두개의 단일-제어된 MEMS를 사용하는 단일-극 이중-행정 스위치 구조를 개발한 특별한 기술이다. 본 기술은 동작 특성의 불안정함 없이, 한 통로로부터 다른 통로까지 시그널을 스위치하는데 단지 하나의DC 제어 바이어스를 사용한다.단지 하나의 DC 제어 바이어스 사용. 낮은 주입 손실. 우수한 직진성과 핸들링 능력
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- 2003-06-16
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
혼합된-시그널 집적 회로는 휴대폰, 휴대용 전자기기, 고속 모뎀 그리고 컴퓨터 하드 드라이브와 같은 데이터 저장 장치에 사용하기 위하여 중요한 집적 회로의 형태로서 출현하였다. 노이즈를 가진 회로와 노이즈-민감성 회로는 같은 기질위에 종종 함께 제조된다. 그에 따라, 간섭과 접지의 문제가 장치의 동작 특성에 좋지 않은 영향을 미치게 된다. 본 기술은 반도체 기질 안으로 매우 높은 전도성 금속 영역을 결합시키기 위한 두 가지의 특별한 방법을 개발한 기술이다. 본 기술은 혼합된-시그널 집적 회로를 사용하는 많은 장치에 사용 가능하다. 높은 주파수 노이즈로부터 노이즈-민감성 회로를 보호. 낮은 임피던스 통로를 제공. 반도체 기질의 전도성을 매우 높게 함
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
레이져 다이오드에 의해 주입되는 고상 레이져의 효율은 매우 높다. 그러나, 이와 같은 레이져는 고상 레이져 결정 구조와 반도체 레이져를 결합시키는 것이 복잡하여 제조하기가 어렵다는 단점을 가지고 있다. 또한, 이와 같은 레이져는 수작업으로 제조되기 때문에 제조 단가가 높다. 본 기술은 집적 반도체 주입 장치를 가진 고상 레이져를 제조하기 위한 구조와 방법들을 설계한 기술이다. 본 기술에서와 같은 단일 구조는 기존의 반도체 공정 기술에 의해서 제조될 수 있고, 더 작고 더 싼 고상 레이져를 생산하기 위한 잠재력을 가지고 있다. 본 기술은 응용 장치의 크기를 줄일 수 있을 뿐만 아니라 제조 단가를 낮추고 제조를 쉽게 할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 본 기술의 특징은 자체적으로 주입할 수 있는 단일 고상 레이져를 제조할 수 있다는 것이다. 또한, 반도체나 절연체, 폴리머 제조 공정과 같은 제조 기술을 가지고 제조 될 수 있는 집적화된, 다이오드 레이져 주입, 고상 레이져이다. 본 기술은 기질, 주입 광을 제공하기 위하여 기질 위에 성장된 반도체 광 소스 그리고 기질 위에 성장된 고상 레이져 구조로 구성되어 있다. 고상 레이져 구조는 주입 광에 대해 투명한 주입 거울, 출력 거울, 주입과 출력 거울 사이에 증착되어 있는 도프된 반도체 층, 활성 금속 이온을 가지고 도프된 반도체/절연체/고분자 층으로 이루어져 있다. 본 기술은 고상 레이져용 주입 광의 소스로서 발광 다이오드나 반도체 레이져를 사용한다. 또한, 본 기술은 주입 소스로서 밴드폭이 넓은 물질 (갈륨 산화물)을 사용한다. 그러므로, 전 가시영역의 스펙트럼 (파랑, 초록, 빨강 등)이 주입될 수 있다.제조가 간편. 제조 단가가 저렴. 장치의 크기를 줄일 수 있음
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
평판 디스플레이 (FPD) 기술은 과거 10년동안 급속하게 향상하였다. 따라서, 고성능의 풀-칼라, 고화질 영상을 디스플레이하는 것이 가능하게 되었다. 현재의 FDP 기술로는 액상 디스플레이 (LCD), 전자발광 디스플레이 (ELD) 그리고 플라즈마 디스플레이 패널 (PDP) 등이 있다. 이와 같은 방법들은 높은 제조 비용, 색상 선명도의 부족, 많은 전력 소비와 같은 많은 단점을 가지고 있다. 본 기술은 다양한 색상을 만들어내는 양자 도트 (점 배열)의 모듈화를 위해 특별한 기술을 개발하였다. 또한, 본 기술은 다양한 색상을 만들어내기 위하여 양자 도트 (점 배열)의 밴드갭을 이동시키는 것이 가능하다는 잇점을 가지고 있다. 다양한 색상을 제조할 수 있음. 양자 도트의 모듈화
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 레이져 절제술을 사용하여 전이 물질, 알칼리토 그리고 알칼리 금속 산화물을 포함한 4원소 금속 산화물의 박막 필름을 개발한 것이다. 본 필름은 단일 금속 산화물, 여러가지의 배합 비율 또는 금속 요소의 다양한 화학 조성을 가진 2개의 금속 산화물을 포함하기 위하여 형성될 수 있다. 본 기술은 메탈의 분자화와 석탄의 가스화할 때 촉매화된 반응에 포함된 가스와 함께 반응 메커니즘과 반응 운동성의 세부적인 연구를 위한 기질로써; 촉매 반응자의 구성요소와 촉매 지지물에 대한 코팅으로써; 광학적 코팅으로써; 반도체와 관계된 전자 물질 그리고 환경 개선 물질로써 응용된다.다양한 조성의 박막 필름의 제조. 화학적 조성의 정확한 제어와 재현. 결정성 필름의 제조 가능. 원하는 화학 조성을 가진 박막 필름
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-06-16
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
웨이퍼 위에 성장한 에피탁셜 구조에서 가로축의 커다란 변형은 헤테로-접합 광학-전자 장치 영역에서 고전적인 문제들이 많이 발생된다. 작은 변형을 수용하는 영역은 같은 기질 위에 다른 장치와 다른 장치 영역을 한꺼번에 제조할 수 있다. 에피탁셜 재성장과 웨이퍼 결합을 일렬로 정렬시키는 방법 등으로 이와 같은 문제를 해결하기 위한 기술들이 개발되어 왔다. 그러나, 이와 같은 방법들은 에피탁셜 영역에서 결합/재성장의 단계를 증가시킨다. 결합과 재성장 단계는 높은 온도의 열처리 과정에서 발생하는 웨이퍼의 손상과 물질의 손실을 발생시키기 때문에, 이와 같은 기술로 두개 이상의 에피탁셜 영역을 제조하는 것은 어렵게 된다. 본 기술은 기존의 문제점들을 해결하기 위하여 다중 에피탁셜 영역의 기질을 제조할 수 있는 특별한 기술을 개발하였다. 본 기술은 하나의 기질 위에 우수한 에피탁셜 특성과 높은 생산 효율을 가진 많은 수의 에피탁셜 영역을 제조할 수 있다. 본 기술은 반도체 레이져나 광학 디텍터 뿐만 아니라 헤테로-접합 광학전자 장치, WDM 배열, 광학 집적 회로 등의 제조에 이용할 수 있다.하나의 웨이퍼 기질 위에 다른 구조나 장치를 많이 제조 가능. 물질의 손실이나 기질의 손상을 막을 수 있음. 하나의 웨이퍼에 다기능의 장치 제조 가능
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-06-16
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
웨이퍼의 크기가 작은 소규모 장치는 웨이퍼의 규모에 비례하여 발생하는 기생적인 손실을 피하면서 반도체 레이져의 동작 특성을 향상시킬 수 있다. 산화물과 공기 애퍼쳐는 레이져의 규모, 특히 수평-캐비티 표면-발산 레이져 (VCSEL)의 규모를 작게 할 수 있도록 빛, 전류, 캐리어를 작은 부피로 제한 할 수 있다. 예전의 산화물-애퍼쳐 VCSEL은 1mm까지 애퍼쳐의 직경을 작게 하면서 빛과 전류를 제한할 수 있다. 그러나 캐리어는 제한하지 못한다. 선택적으로 애칭을 하므로써 활성 영역이 세가지의 요소를 모두 제한할 수 있는 애퍼쳐를 형성할 수 있게 한다. 그러나, 이와 같은 방법은 애퍼쳐의 직경이 10mm를 넘게 된다. 하나의 장치에 이와 같은 두가지 방법을 결합한 애퍼쳐는 빛, 전류, 캐리어를 제한 할 수 있고, 애퍼쳐의 직경을 5mm까지 줄일 수 있다. 한편, 기존 기술에서 발생되는 기생적인 손실을 줄일 수 있고, 기존 기술의 장점을 살릴 수 있다. 본 기술은 광학, 전류, 캐리어 제한하기 위하여 반도체 레이져에서 여러가지 모양과 크기의 다중 산화물 또는 공기 애퍼쳐를 제조하는 것이 가능한 특별한 기술을 개발하였다. 본 기술은 InP 위에 장-파장의 VCSEL에 유용하게 사용할 수 있다. 직경은 수 마이크로까지 제어할 수 있다.하나의 장치에서 빛, 전류, 캐리어의 제한이 가능. 수 마이크로까지 제조 가능. 직경의 크기에 비례하는 기생적 손실을 줄일 수 있음
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-06-16
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