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1. 기술의 개요본 기술은 송전선로의 아크사고 검출 및 고장거리 추정방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 송전선로에서 일시고장과 영구고장을 구분하여 일시고장 발생 시 재폐로를 수행하고, 특히 영구고장 발생 시에는 입력전압ㆍ전류신호의 고조파와 직류성분을 제거하며, 기본파 성분을 추출하는 필터링을 함으로써, 송전선로의 영구고장 시 보다 신속하고 정확하게 송전선로의 고장검출 및 고장거리를 추정할 수 있는 송전선로의 아크사고 검출 및 고장거리 추정방법에 관한 것임.2. 기술의 특징일시고장 또는 영구고장의 신호특성을 갖는 사고를 발생시키는 제 1단계와, 사고에 의해 발생된 고장신호에서 아크전압을 검출하고, 그 크기를 계산하여 일시고장과 영구고장을 판별하는 제 2단계와, 검출된 데이터가 일시고장일 경우 재폐로를 바로 수행하는 제 3단계와, 검출된 데이터가 영구고장일 경우 고조파 성분을 제거하기 위한 저역통과필터를 이용하여 필터링하는 제 4단계와, 필터링된 데이터의 직류 성분을 제거하기 위해 디시오프셋 제거 필터를 이용하여 필터링하는 제 5단계와, 직류 성분이 제거된 데이터의 기본파를 추출함과 아울러 그 임피던스를 계산하는 제 6단계와, 계산된 데이터를 이용하여 고장거리를 추정하는 제 7단계를 포함하여 이루어짐.
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- 성균관대학교
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- 2008-07-09
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전기·전자 > 기타 반도체
1. 기술의 개요거품기에 담긴 사이클로헥산을 포함하는 전구체를 증발시켜 기상으로 만드는 단계, 전구체를 거품기 밖으로 배출하는 단계, 거품기 밖으로 배출된 전구체를 플라스마 증착용 반응기에 유입시키는 단계, 반응기의 플라스마를 이용하여 반응기 내의 기판 위에 플라스마 중합된 전구체를 포함하는 박막을 증착하는 단계를 포함하는 저유전 플라스마 중합체 박막의 제조 방법에 관한 것이다.2. 기술의 특징백금 또는 규소 기판을 반응기의 받침대에 올려놓는다. 반응기의 외부에는 Ar 따위의 운반 기체가 담겨 있는 운반 기체 저장부와 유량 조절기, 사이클로헥산과 같은 전구체 용액이 담겨 있는 거품기가 있으며, 이들은 운송관을 통해 반응기와 연결되어 있다. 운반 기체 저장부의 운반 기체는 유량 조절기에 의하여 운송관을 따라 흐르고, 운송관을 따라 이동한 운반 기체는 거품기의 전구체 용액 속으로 유입되어 거품을 발생시키며 기상 전구체를 싣고 운송관을 통해 반응기로 들어간다. 반응기에 들어간 기상 전구체는 플라스마에 의하여 기판 위에 증착된다. 이와 같이 사이클로헥산을 전구체로 하여 증착된 PPCHex(plasma polymerized cyclohexane) 박막 위에 구리 박막을 증착한 후 열처리를 실시하면, 구리 박막의 구리가 PPCHex 박막으로 확산되지 않고 열적 안정성을 나타내며, PPCHex 박막과 구리 박막 사이에 배리어막을 둘 필요가 없으므로 금속 다층 박막을 제조하는데 있어서 공정을 간소화할 수 있다.
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- 2008-07-09
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1. 기술의 개요본 기술을 통해 게이트절연막의 초박막화에 따른 물리적, 전기적 특성 한계를 극복하여, 차세대의 고집적화된 MOS 전계효과 트랜지스터를 제공할 수 있음.2. 기술의 특징본 기술은, 반도체 실리콘 기판과 실리콘 기판 상에 배치되는 소스/드레인 영역과, 소스/드레인 영역과 이격하여 실리콘상에 배치하는 게이트 전극과, 기판과 게이트 전극사이에 개재하는 게이트절연막을 구비한 MOS 전계효과 트랜지스터에 관한 것으로서, 게이트절연막이 초격자 구조를 가진 고유전체막인 것을 특징으로 함.
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- 2008-07-09
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<기술의 개요>본 기술은 다양한 리튬 이차 전지용 망간계 활물질의 제조방법 및 이에 의해 제조된 양극 활물질에 관한것으로서 리듐염 및 망간염을 염기성 수용액상에서 환류반응 시키는 간단한 공정으로 저온에서 양극 활물질을 제조할 수 있는 리듐 이차 전지용 양극 활물질의 제조방법 및 이에 의해 제조된 양극 활물질에 관한 것이다.<기술의 특징>본 기술은 환류법을 이용하여 복잡한 실험과정이나 공정을 거칠 필요없이 한번의 저온 공정을 통하여 망간계 양극 활물질을 제조할 수 있다. 또한 다양하고 값싼 원료를 사용할 수 있으며 낮은 온도에서 양슥 활물질을 제조 할 수 있다. 반응 조건을 다양하게 변화시키기 용이하여 LiMnO2(orthorhombic), LiMn2O4(spinel), 층상구조의 σ-MnO2등 여러가지 양극 활물질을 동일한 방법을 활용하여 선택적으로 제조할 수 있다.
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- 2008-07-09
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1. 기술의 개요본 기술은 표면 플라즈몬 공명법 (Surface Plasmon Resonance, SPR)을 이용한 단백질 정량방법에 관한 것으로, 구체적으로는 시료내 표적 단백질을 SPR 센서로 정량하는 방법과 금나노입자와 효소침전반응을 통한 2차 증폭방법을 이용하여 SPR 신호의 민감도를 증가시키는 방법에 관한 것이다. SPR 센서에 도입함으로써 극소량의 단백질을 보다 신속하고 정확하게 정량할 수 있으며, 각종 암진단 및 다양한 질병을 진단하는 것이 가능하다. 2. 기술의 특징SPR (SURFACE PLASMON RESONANCE)칩의 금박막 표면에 자기조립단분자층 (SELF ASSEMBLED MONOLAYER)을 형성하는 단계, 자기조립단분자층에 표적 단백질에 대한 항체를 고정화시키는 단계, 고정된 항체에 표적 단백질을 포함한 시료를 반응시키는 단계, 고정된 표적 단백질에 AU-IGG-HRP 복합체를 반응시켜 SPR 신호를 1차 증폭시키는 단계, 고정화된 AU-IGG-HRP 복합체에 DAB/H2O2 기질 용액을 반응시켜 효소침전 반응을 일으켜 SPR 신호를 2차 증폭시키는 단계 및 SPR 칩의 금박막 표면에 고정화된 물질에 대한 굴절지수변화 관계를 이용하여 목적 단백질의 양을 환산하는 단계를 포함한다.
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- 2008-07-09
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1. 기술의 개요본 기술은 기판상에 특정 물질층을 식각 또는 증착하기 위해 사용되는 이온빔을 발생시키는 이온빔 소오스에 관한 것으로, 플라즈마 발생챔버로부터 높은 플럭스의 음(-)극성 이온빔을 추출하도록 된 개선된 이온빔 소오스 및 이온빔 추출방법에 관한 것이다.2. 기술의 특징본 기술은, 고주파의 고전압을 인가하여 주입된 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생챔버와, 플라즈마로부터 특정 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 통과시키는 그리드홀이 각기 대응하는 위치에 적어도 하나 이상 형성되어 있으며, 이온빔 통과 방향으로 일정 간격을 유지하며 이격되는 복수의 그리드로 이루어지는 그리드 어셈블리를 구비하여 구성되는 이온빔 소오스에 있어서, 플라즈마 발생챔버에 단속적으로 고주파의 고전압이 인가되는 것을 특징으로 한다.
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- 2008-07-09
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1. 기술의 개요본 기술에 따른 전압펄스 주입방식을 이용한 SRM의 센서리스 제어방법은, 전압펄스 주입방식을 이용하여 센서의 사용없이 SRM을 제어하기 위한 방법에 있어서, SRM의 각 상의 여자되지 않은 구간에 토크를 유발하지 않을 정도의 낮은 듀티를 갖는 고주파 전압펄스를 주입하여 각 상의 전류를 측정하고, 그것을 바탕으로각 상의 인덕턴스를 추정하므로, 종래와 같이 별도의 광센서를 사용하지 않아도 SRM의 정토크 영역인 인덕턴스 상승 구간에 전류를 흘려줌으로써 SRM의 센서리스 운전이 가능하다. 2. 기술의 특징SRM의 A,B,C 3상에 각각 고주파 전압펄스를 인가하여, 각 상에 흐르는 전류를 검출하고, 그것을 바탕으로 각 상의 인덕턴스를 구하는 단계 및 구해진 인덕턴스를 이용하여 SRM의 회전자의 위치를 추정하고, 그 추정된 회전자의 위치를 바탕으로 각 상에 인가되는 전압을 조정함으로써 SRM의 운전을 제어하는 단계를 포함하여 구성되며, 각 상에 흐르는 전류를 검출함에 있어서, 각 상의 전류를 필터를 거치게 하고, 필터를 거친 전류의 위상 지연에 따른 위상차를 상전이 회로에 의해 보상해 준다.
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- 2008-07-09
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1. 기술의 개요이온건의 구조를 변화시켜 동일한 가스 유량내에서 별도의 점화 장치없이 원활하게 플라즈마를 발생시킬 수 있는 플라즈마 발생장치 및 플라즈마 발생방법에 관한 것으로, 별도의 전원 장치가 필요하지 않으므로 이온건의 단가를 절감할 수 있다는 효과가 얻어진다. 2. 기술의 특징석영 컵으로 이루어진 플라즈마 발생부, 플라즈마 발생부의 외주에 마련된 RF인가용 안테나, 플라즈마 발생부의 외주에 마련된 냉각수 공급부 및 플라즈마 발생부와 직렬로 연통된 이그나이터를 포함하고, 플라즈마를 발생하기 위한 가스는 이그나이터로 공급되고, 이그나이터는 플라즈마 발생부보다 동일한 가스원의 유량에서 국부적으로 높은 압력을 갖는 구성을 마련한다.
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- 2008-07-09
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1. 기술의 개요본 기술은 단일벽 탄소 나노튜브를 이용한 SF6 GIS에서 발생하는 부분방전 검출 장치 및 방법으로, SWNT를 SF6 GIS의 부분방전 검출 센서로 활용함에 따라, GIS의 감시ㆍ진단 기능 및 고장 예측 뿐만 아니라, 고신뢰성의 미소 부분방전 측정으로 GIS의 운전 중 사고발생 방지가 가능하다.2. 기술의 특징검출 장치는, SF6 가스로 충진밀폐된 금속제 외함과, 이 금속제 외함 내에 마련되어 SF6 플라즈마 또는 SF6 가스 해리시 생성된 이온 및 기와 반응하여 전도도 변화에 대응한 신호를 발생시키는 SWNT 센서와, 이 SWNT 센서로부터 발생된 신호를 분석하여 부분방전 여부를 판단하는 신호 분석기를 포함한다. 따라서, SF6 가 충진된 GIS의 운전 중 부분방전에 의해 생성된 SF6 플라즈마 또는 SF6 가스 해리시 생성된 이온 및 기와 SWNT 센서와의 반응에 의해 SWNT 전도도 변화에 대응한 신호를 분석하여 부분방전을 검출한다.
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- 2008-07-09
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1. 기술의 개요본 기술은 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한것으로, 더욱 상세하게는 p형 GaN을 활성층 하부에 형성하고 n형 GaN을 활성층 상부에 형성하여 광학적 손실을 최소화한 수직방향 전극구조를 형성하고, 상부층 상부에 빛이 외부로 방출되는 효과를 극대화 하기 위해 러프니스(roughness)를 형성하며, 러프니스 상부에 발광다이오드의 동작전압을 감소시키기 위한 도전성 투명전도막(TCO)을 형성한 질화갈륨계 수직구조 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다. 2. 기술의 특징기판의 상부에 형성되며 P형 GAN으로 이루어진 하부층, 하부층의 상부에 형성되며 GAN으로 이루어진 활성층, 활성층의 상부에 적어도 N형 GAN층을 포함하여 이루어진 상부층 및상기 상부층 상부에 형성되는 도전성 산화박막층을 포함하여 구성되고, 도전성 산화박막은 (질화갈륨계 소자에서 생성되는 파장)×(2N-1)/4NTCO 의 두께로 이루어지며, N은 자연수이고, NTCO 는 도전성 산화박막의 굴절계수인 것을 특징으로 한다.
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- 2008-07-09
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1. 기술의 개요본 기술은 분석 장비로 분석이 어려운 저 농도의 샘플을 마이크로투석 원리를 이용하여 샘플의 농도를 증폭시켜 분석 장비의 측정을 용이하게 해줄 수 있는 미세유체 소자에 관한 것으로, 본 기술은 바이오 칩 제작을 위해 반도체 공정 중에 주요 공정중의 하나인 포토리소그래피 공정을 사용하여 유체의 흐름을 위한 채널을 형성한다. 2. 기술의 특징본 기술에 따른 칩은 상부 구조인 도너(donor) 측과 하부 구조인 억셉터(acceptor) 측으로 구성되고, 그 사이에는 막(Molecular Weight Cut-Off(분획분자량):3300; MWCO3300)을 넣어서 샌드위치 모양으로 제작되고, 억셉터(Acceptor) 측에는 샘플에 있는 수분을 제거할 수 있는 고농도의 PEG-20000(Poly ethylene Glycol:폴리에틸렌글리콜)을 흘려주었으며 도너(donor)측에는 농도를 증폭시키고자 하는 샘플을 흘려주는 구조를 가져, 도너 측에 있는 샘플 중 H2O 만 억셉터 측으로 확산되도록 하여 샘플의 농도를 증폭시키도록 한다.
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- 성균관대학교
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- 2008-07-09
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전기·전자 > 기타 전기/전자
1. 기술의 개요본 기술은 소형 로봇 등을 구동시킬 수 있을 뿐만 아니라, 소형 로봇 등의 움직임이는 동작 등이 끊김이 없는 동물의 근육과 같은 자연스러운 움직임을 구현시킬 수 있는 폴리머 액튜에이터에 관한 것임.2. 기술의 특징전극류가 각각 분리된 상태로 흐르도록 형성된 제 1 전극부 및 제 2 전극부와, 제 1 전극부 및 제 2 전극부가 서로 차단되게 나눠지도록 형성된 실리콘부와, 실리콘부가 휘어지도록 일체로 고정되며, 제 1 전극부 및 제 2 전극부의 전류 인가시 수축 및 인장되도록 맞닿음되게 형성된 전기 왜곡(ELECTROSTRICTIVE) 폴리머와, 전기 왜곡 폴리머를 자유롭게 운동시키기 위해 팽창시켜 늘린 상태로 외주측이 고정되며, 중심부는 비워진 형상을 갖도록 형성된 프레임과, 전기 왜곡(ELECTROSTRICTIVE) 폴리머의 하부측에 맞닿음되게 형성된 제 3 전극부로 구성됨.
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- 2008-07-09
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전기·전자 > 기타 반도체
1. 기술의 개요본 기술은 단백질칩 기판의 제조 방법에 있어서, 플라즈마 화학기상증착법으로 활성기를 기판상에 집적시키는 것을 특징으로 하는 단백질칩 기판의 제조 방법임.2. 기술의 특징본 기술에 따른 단백질칩 기판의 제조방법은 단백질을 고정화시키는 활성기를 대면적 기판의 표면에 고밀도로 균일하게 집적시킬 수 있고, 활성기 형성 시간이 짧아 대량생산에 유리하다는 장점을 가지고 있다. 또한, 본 기술의 제조방법으로 제조된 단백질칩 기판 및 단백질칩은 단백질 고정화 능력이 우수하다는 장점을 가지고 있어, 소량의 시료만으로도 항원 등 다양한 물질의 정성 분석 또는 정량 분석을 대량으로 빠르게 수행할 수 있으며, 다양한 질환에 대한 진단 및 특정 집단의 질환 프로파일 구축 등에 이용될 수 있음.
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- 성균관대학교
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- 2008-07-09
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전기·전자 > 기타 전기/전자
1. 기술의 개요본 기술은 실리콘 및 화합물 반도체의 이온빔 식각장치 및 방법에 관한 것임.2. 기술의 특징식각가스 밸브를 조절하여 샤워링을 통해 일정 시간동안 진공챔버 내에 식각가스를 유입시키는 단계와, 일정 시간후 식각가스 밸브를 닫고 진공챔버에 형성된 가스 배출구를 통해 진공챔버 내에 남아있는 식각가스를 제거하는 단계와, 셔터를 개방하여 아르곤(Ar) 이온빔을 조사시켜서 휘발성 식각 부산물의 형태로 식각하는 단계 및 진공챔버의 가스 배출구를 통해 식각 부산물을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지고, 각 단계들은 주기적이고 반복적으로 수행됨으로써 이루어짐.
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- 성균관대학교
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- 2008-07-09
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1. 기술의 개요본 기술은 티오펜(C4H4S)을 원료로 하는 유기 고분자 박막을 플라즈마 보조 화학 기상 증착법으로 고속증착시켜 반도체 집적 소자에 적용되는 층간 배선물질에 대한 저유전상수와 낮은 누설 전류 특성을 가지는 우수한 절연물질을 개발하는 것에 관한 것임.2. 기술의 효과첫째, 값싼 원료인 액상의 티오펜(C 4 H 4 S)을 사용함으로써 경제적 이득을 누릴 수 있으며, 둘째, 플라즈마 보조 화학 기상 증착 공정을 이용하고 짧은 증착 시간에도 낮은 유전상수(k<3)와 높은 열적 안정성 및 낮은 누설전류 특성(<10 -8 A/cm 2 )을 가지는 박막을 고속(최대 110 nm/min)으로 얻을 수 있다. 그러므로 반도체 소자에 적용되는 절연 물질에 적용될 경우, 현재 실용화되고 있는 다른 재료보다도 더욱 우수한 물성을 갖는 저유전물질을 더욱 경제적으로 제조할 수 있고 공정 시간도 단축할 수 있어서 큰 경제적인 효과를 얻을 수 있음.
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- 성균관대학교
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- 2008-07-09
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전기·전자 > 기타 전기/전자
1. 기술의 개요본 기술은 지지판과 차폐판 사이에 자석 및 절연체 등이 개재되고, 자기장을 생성하여 자성체 물질을 코팅하는 마그네트론 원에 대한 것임.2. 기술의 특징자성체 순금속 또는 자성체 화합물로 성형되어 지지판 상에 거치되고, 자기장의 인출부인 중앙부와 가장자리부가 제거되는 동시에 중앙부의 주위로 통기공을 구비하는 타겟, 타겟 표면에서의 전자의 흐름을 유도하도록 전기적으로 양극을 이루고, 지지판에서의 방전으로 인한 박막내의 불순물 유입을 방지하는 양극판 및 타겟의 통기공에 금속관을 개재하여 연결되어 Ar 등의 방전용 가스를 공급하는 가스주입기를 포함하여 이루어지고, 따라서, 자석부에서 타겟 표면에 인가되도록 인출되는 자기장이 자성체 물질인 타겟으로 흡수되는 현상을 최소화하여 타겟 표면으로 인출되는 자가장의 밀도와 세기를 증대시킴에 따라 타겟의 사용효율과 증착속도를 향상하는 효과가 있음.
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- 성균관대학교
- 등록일
- 2008-07-09
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전기·전자 > 기타 반도체
1. 기술의 개요상부에 성장기판이 안착되는 기판 지지대 상부에 자외선 광을 방사하는 유브이 램프(UV-LAMP)가 형성되어 방사된 자외선에 의해 기판의 박막 결정핵 형성을 조절하기 위해 자외선이 투과되어 집광되는 오목렌즈 형상의 집광부가 다수개 구비된 온도구배조절마스크 및 기판 지지대와 일정 거리를 유지하며, 유브이 램프 및 온도구배조절마스크를 고정시키고, 램프 이송 가이드부의 일측에 형성되어 이동하는 유브이램프(UV-LAMP) 이동수단을 구성되어 다면적의 결정화를 진행하는 것을 의미함.2. 기술의 특징ELA장비를 사용하지 않고, 유브이 램프를 이용하여 결정립을 얻음으로써 고속의 동작속도를 가지는 응용제품 개발과 아울러 고분자 플라스틱 기판위에 성장된 비정질 규소를 결정화 할 수 있으며, 고가의 로열티를 지불에 다한 국가경쟁력을 가질 수 있음.
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- 성균관대학교
- 등록일
- 2008-07-09
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전기·전자 > 기타 반도체
1. 기술의 개요본 기술은 플라즈마 보조 화학 기상 증착법으로 티오펜(C 4 H 4 S) 및 톨루엔(C 7 H 8 )등과 같은 유기물질들을 전구체로 이용하여 높은 내식성을 가지는 유기 고분자 박막을 고속 제조하는 방법에 관한 것임.2. 기술의 특징아르곤과 수소의 혼합 기체를 공급하면서 티오펜, 톨루엔, 사이클로헥산, 메틸사이클로헥산, 에틸사이클로헥산 또는 자일렌으로 이루어진 군에서 선택되는 유기 물질을 내식성 처리를 필요로 하는 소재위에 플라즈마 보조 화학기상증착시키는 것을 특징으로 함.
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- 성균관대학교
- 등록일
- 2008-07-09
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전기·전자 > 기타 전기/전자
1. 기술의 개요본 기술은 연료전지의 전극의 촉매 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 연료전지의 전극용 백금촉매 제조방법에 관한 것임.2. 기술의 특징기판 상에 백금(PT)막을 증착하는 제1단계와, 백금막을 에칭성 기체로 식각하여 백금막의 표면을 거칠게 하는 제2단계와, 백금막에 반응성 기체와 에칭성 기체를 공급하여 수십 NM 이하의 크기를 가지는 백금 촉매를 석출시켜 탄소나노튜브에 균일하게 흡착되도록 탄소나노튜브를 성장시키는 제3단계를 포함한다. 백금촉매를 수십 NM 이하의 크기로 작게 석출하여 탄소나노튜브에 균일하게 분산시켜 성장시킴으로써 연료전지의 전극의 반응성을 향상시켜 연료전지의 성능을 향상시킬 수 있음.
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- 성균관대학교
- 등록일
- 2008-07-09
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전기·전자 > 기타 전기/전자
1. 기술의 개요본 기술은 비디오카메라, 디지털 카메라, 카메라 핸드폰 등의 카메라로부터 얻은 영상의 품질을 히스토그램 평활화 알고리즘(HISTOGRAM EQUALIZATION ALGORITHM)을 이용하여 향상시키는 실시간 영상품질 보상장치에 관한 것임.2. 기술의 특징본 기술에 의한 히스토그램을 이용한 영상품질 보상장치는, 카메라로부터 영상 정보와 영상 신호를 받아서 영상 정보의 각 화소 레벨에 따라 분류하여 히스토그램(HISTOGRAM)을 매 프레임마다 생성한다. 이 히스토그램을 사용하여 누적 히스토그램(CUMULATIVE HISTOGRAM)을 생성하여 히스토그램 평활화의 연산을 수행하여 각 화소 레벨마다 변환 레벨을 갖는 룩업테이블(LOOKUP TABLE)을 생성한다. 이는 다음 프레임에서 히스토그램 평활화를 수행하는 기준이 된다. 카메라로부터 화소가 순차적으로 들어오면 히스토그램 생성부에서는 이를 받아 현재 영상의 히스토그램을 생성하며 평활화부에서는 이를 받아 이전에 생성된 히스토그램을 통하여 만들어진 각 화소 레벨마다 변환 레벨을 갖는 룩업테이블을 기준으로 해당 영상의 평활화를 수행하는 것을 특징으로 하여, 전체 영상에 대해 시간적인 지연 없이 실시간으로 히스토그램을 생성하며, 이에 따라 영상에 평활화를 수행하도록 하여 영상의 전체적인 콘트라스트를 향상시킬 수 있음.
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- 성균관대학교
- 등록일
- 2008-07-09
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