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강자성 홀 센서 파라미터: 강자성필름 두께 1.5 -10nm, 작동 영역 크기 1x1 mm당0.2x0.2 mkm, 자기감도 300 W/T까지 (at I=10 mA, S=300mV/kG), 공칭 제어 전류0.1-10 mA, 입력 저항 0.1 - 2 kOm, 작동 온도 영역 -196 +180℃ 응용 분야: 다음은 홀센서의 많은 응용 분야 중 몇몇 사례이다.간단한 제조 기술 저렴한 비용 높은 공간세밀도 고감도 광범위한 작동온도 범위 마이크로전자공학 기술과 결합 가능
소스는 다음으로 구성된다. : 사례 1; 약극(리튬) 2 그리고 음극(황) 3 질량, 전선 도판6(마이너스)과 7 (플러스), 따라서 고형 열활성화 전해질(알루미노 규산염 유리)이 만들어짐 4; 불꽃 히터가 제공됨 5 고형 전해질의 열활성화를 위해. 본 소스로 결빙 온도하에서 여러 개별 전자 장비의 전원 공급이 가능하고 작동 준비 상태로 비치해야 하는 전기장비를 장기간 유지할 수 있다. 개선된 신뢰성과 수명(전자 부품의 전류가 미세하기 때문에)와 환경친화성이 특징이다. 광범위한 사용(방위 산업, 장비 제조, 공중 보건, 국민의 안전과 보호, 우주 무선 통신, 기술), 고형 전해질의 충격과 열 부하에 대한 안정성 증진, 가공 온도에서 전해질의 고정 모듈 조건 때문에. 본 소스는 무선 통신, 탄약의 전기뇌관, 엔진 시동 등과 같은 특수 수단에 사용 목적이 있다.
□ 기술개요이 기술은 덮개가 있거나 없는 다세포 냉각 가열로 제조공정 상태의 전극 장비를 위한 전극공장 근처의 환경 개선을 위해 사용될 것이다. 벤젠과 타르 에어로졸로부터 배기되는 오염된 가스의 고성능 정화는 낱알의 알루미나에 의해 이루어진다. 알루미나는 벤젠과 타르 물질의 가속 연소를 위해 용광로 속에 전극공정 제품들과 함께 들어가 순화하는 촉매 속에서 균등한 분포를 이룬다. 대략적으로 알루미나는 5 에서 10년의 주기를 가진다. □ 기술견적과 경제적 이익 용광로 속에서의 타르 물질의 연소는 가열 냉각을 위해 소비되는 전력을 감소시키고 전통적인 가열 냉각 방식의 일부로서의 가스 정화를 위한 비용을 절감하게 한다. 이 새로운 가스 정화 기술은 환경 개선을 내포함으로서 아날로그적 방식을 뛰어넘는 이점을 가져온다. 이 알루미나 비용은 5~10년의 알루미나 수명 덕분에 매년 회수되는데 이는 경제적으로도 건전하다. ● 가열 냉각로 속 자연적 가스의 10%의 소비 절감 ● 전력과 수증기 소비 절감과 전기적 타르 물질 필터의 철거로 인한 저 비용 ● 타르 물질과 화기로부터의 안전 유지 조절장치의 값싼 정화 ● 환경 오염 과태료 절감
□ 기술개요이 기술은 덮개가 있거나 없는 다세포 냉각 가열로 제조공정 상태의 전극 장비를 위한 전극공장 근처의 환경 개선을 위해 사용될 것이다. 벤젠과 타르 에어로졸로부터 배기되는 오염된 가스의 고성능 정화는 낱알의 알루미나에 의해 이루어진다. 알루미나는 벤젠과 타르 물질의 가속 연소를 위해 용광로 속에 전극공정 제품들과 함께 들어가 순화하는 촉매 속에서 균등한 분포를 이룬다. 대략적으로 알루미나는 5에서 10년의 주기를 가진다. □ 기술견적과 경제적 이익 용광로 속에서의 타르 물질의 연소는 가열 냉각을 위해 소비되는 전력을 감소시키고 전통적인 가열 냉각 방식의 일부로서의 가스 정화를 위한 비용을 절감하게 한다. 이 새로운 가스 정화 기술은 환경 개선을 내포함으로서 아날로그적 방식을 뛰어넘는 이점을 가져온다. 이 알루미나 비용은 5~10년의 알루미나 수명 덕분에 매년 회수되는데 이는 경제적으로도 건전하다. ● 가열 냉각로 속 자연적 가스의 10%의 소비 절감 ● 전력과 수증기 소비 절감과 전기적 타르 물질 필터의 철거로 인한 저 비용 ● 타르 물질과 화기로부터의 안전 유지 조절장치의 값싼 정화 ● 환경 오염 과태료 절감 □ 적용분야전기흑연 물질로부터의 전극 생산기구
□ 목적 및 응용 분야 전압 전류 분석기는 직/반전 전압 전류 방식을 사용하여 여러 대상의 샘플을 분석하는 동안 활성 원소의 질량 농도를 평가하기 위한 것이다. 다음과 같은 원소들과 물질들은 분석기에 의해 결정된다아연, 카드뮴, 납, 구리, 주석, 아연, 안티몬, 창연, 망간, 비소, 수은, 셀레늄, 코발트, 철, 니켈, 크롬, 인듐, 백금, 오스뮴, 이리듐, 로듐, 팔라듐, 루테늄, 금, 은, 줄, 퀴리, 브롬, 몰리브덴, 리튬, 칼륨, 나트륨, 바륨, 베릴륨, 우라늄, 바나듐, 텅스텐, 탈륨, 칼슘. 아닐린, 페놀 및 유도체, 비타민(B1, B2, B6, B12, C, E, PP) □ 기술개요전압 전류 분석기 TA-4는 내장형 UV소스와 세 개의 계량 채널이 장착된 자동화 탁상용 장치이다. 작동 원리는 분극 전압의 직류, 순차적, 차등 펄스, 분극 전압의 네모파 편향 전압의 직/반전 전압 전류에 기반을 둔다. □ 응용분야전압 전류 분석기 TA-4는 분석적, 생태학적, 조사, 검정, 연구, 그 외 다른 유형의 연구실 및 센터에서 사용이 가능하다. □ 장점 내장형 UV소스와 세 개의 계량 채널을 갖춘 다른 전압 전류 분석기들과 분석기 TA-4와의 가장 구별되는 특징은: 분석기 내 전극의 저장과 조립이며 전극 캡은 외장과 전극 표면과의 접속 보호를 위해 사용 된다; 분석기 내 전극을 고정시키는 모든 방법들은 간단하고, 편리하며 안전하다; 분석된 용액의 이중 보호: 전기 화학 전지는 각각의 덮개를 가지고 세 개의 전지들은 함께 덮혀있다. 이로 인해 결과의 재현성과 분석의 안전성이 증가된다; 내장형 UV 램프는 오존 형성을 예방한다; 카드뮴, 납, 요오드, 셀레늄 검출을 위한 신형 지시 전극(개선된 은 전극)은 수은과 염분이 필요 없다. □ 상용 단계 소량 생산, 생산 판매
□ 응용분야이 검사기는 케이블 생산 업체에서 싱글 절연 케이블 전도체와 싱글 및 멀티 절연 케이블 전도체 외장의 절연 작업 관리를 위해 사용된다.□ 기술개요이 검사기는 다음 사항에 상용 주파수의 높은 테스트 전압과 개선 사항을 제공한다.제어 케이블의 절연 표면, 테스트 주파수 진폭 측정과 표시, 테스트 전선 절연체 결함의 램프와 음향 신호, 결함 산정, 외부 자동화와 신호 장비를 위한 전기 신호“결함”, 두 개의 모드 작동“라인”과“다시 감기”, 테스트 주파수로부터의 세밀한 보호.□ 기술의 특성- 전압 방식 및 주파수: sin 50 Hz- 테스트 주파수 절연 범위 3...30 kV- 테스트 전선 지름의 허용치 30 mm- 전선 이동의 속도 허용치 300 m/min- 전극 조립의 적재 허용치 300 pF 3 MOhm- 고압 단말기의 총 길이 660 mm- 디딤대 포함 무게 72 kg- 테스트 타입“전송 모드”, EI-2□ 기술의 경쟁력- 저비용- 높은 신뢰도
□ 핵심기술- 비상구 유도 시스템을 내장한 화재감지기는 기본적으로 열, 연기, 불꽃감지기를 포함하는 복합형 구조에 자가 고장 진단 시스템을 내장- 무엇보다 공간 구조를 고려한 비상유도등으로 방향 지시형 레이저다이오드와 LED를 장착하여 화재 발생 시 시인성을 높이고, 공간 인테리어 효과도 있음- 방향 지시형 레이저다이오드 빔을 3m의 거리에 방향 표시를 구성하는 렌즈 기술- 자가 고장진단 알고리즘 기술□ 기술개발내용- 비상구 유도 시스템을 내장한 화재감지기 개발- 센서 피드백형 고장 진단 시스템 개발- 방향 지시형 레이저다이오드 모듈 개발
해당 기술은 관통전위를 줄이기 위해 많은 방법의 하나로 기판상에 꼭지점을 갖는 요철 구조를 형성하여 줌으로써 그 꼭지점 주위로 관통 전위를 집중시킨 후에 여러 가지 방법을 통하여 전위가 성장하는 것을 막아주어 관통전위가 적은 질화물을 이용한 발광소자에 관한 것이다.- 해당 기술의 질화물 반도체 발광소자는 꼭지점을 구비하도록 패커닝 된 기판을 포함하는 특징을 가지고 있다.- 해당 기술은 기판에 꼭지점을 갖는 요철 구조를 적용하여 관통전위를 줄이기 위한 것으로 관통전위가 적은 고품위 질화물계 발광소자를 제공한다.- 해당 기술은 기판상에 요철을 가지는 결함이 적은 질화물 박막을 사용하여 발광소자를 구현함으로써 기판상의 산란 회절 효과를 증대 시켜 광 추출효율을 증대 시킬 수 있으며 결함이 적어짐으로 인해 고신뢰성, 고휘도의 질화물계 발광 소자를 제공한다.- 기판상에 요철 구조를 가짐으로 인해 광의 산란, 회절 효과 등에 의하여 광 추출 효율이 증가하는 장점도 있다.
□ 기술개요 해당 기술은 발광소자에 대한 것으로 고반사층을 형성하여 발광손실을 최소화 하는 동시에 우수한 정전기방전(ESD) 특성을 갖는 플립칩형 질화물 반도체 발광소자에 대한 것이다.□ 기술의 특징- 해당 기술은 질화물 반도체 단결정 성장을 위한 투광성 기판과 상기 기판 상면에 순차적으로 형성된 제1질화물 반도체층, 활성층 및 제2질화물 반도체층을 포함한 플립칩 형태의 발광소자에서 제2질화물 반도체층의 부분에 제1굴절율을 갖는 제1절연체막과 제1굴절률보다 큰 제2굴절률을 갖는 제2절연체막이 교대로 적층되어 이루어진 절연체 반사막을 갖는 발광소자에 대한 것이다.- 해당 기술은 절연체 반사막의 고반사율 특성을 이용하여 발광 손실을 최소화 할 뿐만 아니라, 그 절연 특성으로 ESD 특성이 크게 개선된 질화물 반도체 발광 소자를 제공한다.- 절연체 반사막을 사용함으로써 원하지 않는 방향으로 손실 되는 광을 줄여 발광 효율을 높일 수 있으며 절연의 특성을 이용하여 보호막으로도 사용이 가능하다. 또한 스크라이브(scribr) 공정을 거친 후에 칩의 옆면에 까지 절연체 반사막을 형성 할 경우에는 소자의 ESD 특성 향상도 기대 할 수 있다.
□ 기술개요 해당 기술은 칩 수준에서 열 방출에 있어 장벽층인 솔더 범프를 없이 열이 발생하는 발광 다이오드를 열 전도성이 높은 기판에 직접 실장하고, 플립 칩 하단에 형성되는 서브 마운트 없이도 와이어 본딩 만으로 신호 및 전력을 인입하는 배선부와 연결하여 발광 다이오드의 전기 연결부와 열 방출부를 분리하며, 플립 칩 본딩을 하지 않고도 패키징이 가능한 고방열 기판을 구비한 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.□ 기술의 특징- 해당 기술은 발광다이오드 소자의 접합 온도와 열 저항을 향상하여 열적인 피로의 감소 및 열 방출 특성을 향상시키며, 플립칩 본딩을 하지 않음으로써, 서브 마운트의 제작 비용 및 공정 비용을 줄일 수 있는 발광다이오드 패키징 기술이다.- 한 개 이상의 발광 다이오드 소자를 캐비티가 형성된 열 전도도가 높은 금속 및 비금속 고방열 기판 위에 실장하고, 고방열 배면에 배선 기판을 부착하여 캐비티 내로 와이어 본딩을 실시함으로써 플립칩 본딩에 대한 비용 감소와 발광다이오드 소자의 접합 온도와 열저항을 감소시키며, 열적인 피로를 감소시키고, 고신뢰성 및 우수한 열 방출과 고휘도 특성에 있어 탁월한 효과가 있다.
해당 기술은 지향각 및 배광분포 조정이 가능한 LED 용 조명시스템으로, 보다 상 세하게는 LED에서 방출되는 빛의 발산각을 조정해 줄수 있는 광학렌즈의 위치 를 광축방향에서 조정이 가능토록 하여 사용환경과 요구에 따라 배광패턴이나 LED 단품 모듈의 지향각 조정이 가능토록 한 구성이다.- 해당 기술은 LED 를 이용한 각종 조명기기에서 LED에서 발광되는 빛의 지향각이나 그 분포를 목적에 맞도록 변화시키기 위해 별도의 광학렌즈를 사용하는 경우에 그 광학렌즈의 광축방향의 위치를 변화시킬 수 있도록 광학렌즈와 기구물을 배치하여 광효율을 향상시킨 것이다.- 해당 기술을 적용하여 LED용 조명시스템을 제작할 경우에 single LED Lamp 의 배광형태 및 지향각의 임의 조정이 가능하고 모듈 제품의 경우에는 모듈 system 내의 single lamp의 위치별 배광조정을 통해 모듈전체의 배광을 자유롭게 조정할 수 있다.- 해당 기술과 같은 기구적인 구성의 적용을 통해 LED 광원을 사용하는 각종 조명시스템의 광효율등 광학 특성을 향상시키거나 하나의 제품 구성으로 다양한 용도의 조명요구에 대응 가능한 제품을 가능하게 할 수 있다.
해당 기술은 아발란치 광검출기의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 식각중지층을 이용하여 식각 깊이의 조절이 용이하고, 식각된 표면이 평탄하여 공정수율을 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라 1번의 확산 공정으로 가드링 영역과 본접합 영역을 형성하는 새로운 공정을 제시하여 신뢰성 있는 아발란치 광검출기 제조가 가능하도록 하는 것이다.- 해당 기술은 아발란치 광검출기 제조 공정에서 1번의 확산 공정으로 가드링 영역과 본접합 영역을 형성하는 새로운 방식으로서, 기판 상에 광흡수층과 식각중지층이 삽입된 클래드층을 구비하는 화합물 반도체 구조물을 준비하는 단계와, 상기 클래드층 상부에 형성될 본접합 영역의 식각중지층이 노출되도록 상기 식각중지층의 상측에 구비된 클래드층을 식각하는 단계와, 상기 전체 구조 상부에 확산물질층을 형성하되, 상기 본접합 영역과 가드링 영역 상부에 패턴이 잔류하도록 하는 단계와, 상기 클래드층의 식각깊이에 따라 상기 본접합 영역과 상기 부유 가드링 영역에서의 확산 깊이가 서로 다르도록, 상기 확산물질층을 확산시키는 단계와, 상기 확산물질층의 패턴 및 상기식각중지측의 상측에 구비된 클래드층을 제거한 후, 상기 본접합 영역 상에 형성된 식각중지층을 선택적으로 제거하는 단계를 포함함으로써, 식각 깊이의 조절이 용이하고, 식각된 표면이 평탄하여 공정수율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.- 식각중지층의 사용으로 인해 식각 깊이의 조절이 용이하고, 식각된 표면이 평탄하여 공정수율을 증가시킬 수 있는 이점이 있다.
해당 기술은 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서 기 판상에 알루미늄을 포함하는 활성층과 클래드층을 메사형으로 형성하기 위한 식각 단계 이후에, 메사 측면으로 드러나는 활성층의 알루미늄 산화 를 방지하는 폴리머 보호막을 메사 측면에 형성하는 공정을 추가하고, 메 사 측면의 재성장 공정 전에 상기 폴리머 보호막을 진공장비 내에서 고 온으로 열분해하여 제거하는 공정을 추가하는 제조방법 이다.- 해당 기술은 InGaAlAs계 매몰이종접합구조형의 레이저 다이오드 제작 공정에 있어서 메사 형성을 위한 식각 후 식각 공정의 말단에 메사의 측면에 산화방지를 위한 보호막을 형성하는 공정과 재성장에 앞서 진공 장비에서 열분해를 이용하여 제거하는 공정을 추가하므로써 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 특성 및 신뢰성을 향상시키는 방법이다.- 해당 기술은InGaAlAs계 또는 GaAlAs계 활성층을 포함하는 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서 레이저 다이오드 제조과정에서 발생되는 메사 측면을 통한 알루미늄의 산화를 방지할 수 있으므로 레이저 다이오드의 특성이나 신뢰성이 우수한 제품을 제조할 수 있는 효과가 있다.- 해당 기술은 식각 단계 말미에 간단한 단계를 추가하는 것이어서 기존의 메사 활성층의 산화방지를 위해 사용되는 p형인듐인 커버구조 형성방법에 비하여 레이저 다이오드 제조 공정이 간편하며, 따라서 레이저 다이오드의 수율이 높아지는 효과가 있다.
□ 기술개요 해당 기술은 수직형 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 질화물 반도체 단결정 성장을 위한 기판과 상기 기판 상면에 순차적으로 형성된 제1질화물 반도체층, 활성층 및 제2질화물 반도체층을 포함한 발광소자에 웨이퍼 본딩을 통하여 뒷면의 성장을 위한 기판을 제거하는 것에 대한 것이다.해당 기술은 특히 웨이퍼 본딩공정에서 칩의 손상에 의한 수율 저하 방지와 반사메탈 면적을 늘려 주어 광 추출이 향상된 반도체 발광소자를 제공한다.□ 기술의 특징- 해당 기술은 웨이퍼 본딩 메탈 증착 전에 보호막을 형성 함으로써 칩의 단락을 방지하고 본딩 공정의 수율 향상과 반사 메탈을 증대시켜 발광소자의 광 추출 효율을 크게 증대 시킨다.- 해당 기술에의하면 본딩 전에 보호막을 형성 하여 줌으로써 본 공정이나 이후 칩 가공시에 발생 될 수 있는 칩의 단락문제를 해결 할 수 잇으며, 반사 메탈을 크게 할 수 잇어 광 추출을 증대 시킬수 있다. 특히 본딩 웨이퍼간에 발생되는 응력을 완화 할 수 있는 구조를 가지게 되어 본딩 공정에서 발생되는 웨이퍼의 손상을 방지하여 칩 수율을 향상 시킬 수 있다.
해당 기술은 실리콘 기반 질화물계 반도체 발광다이오드 제조방법 및 이에 따른 발광 다이오드에 관한 것으로서, 특히 실리콘 기판을 기용한 질화물계 발광다이오드 제작에 있어서 기판의 일부를 식각하여 금속 반사막을 증착함으로서 발광다이오드의 전기적 특성과 발광효율을 높이는 발광다이오드 제조방법에 관한 것이다.- 해당 기술의 실리콘기반 질화물계 발광다이오드 제작방법은 기판 상부에 질화물계 발광다이오드를 성장시키는 단계, 기판 하부에 반사막을 증착하는 단계를 포함한다. 실리콘 기반 질화물계 발광다이오드는 전력소모를 줄이고 고휘도 구현을 가능하게 한다.- 해당 기술은 값싸고 대형 사이즈가 가능한 실리콘 기판을 이용하여 질화물계 발광다이오드를 제조함으로서 저가형 발광다이오드를 제작가능한 발광다이오드 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.- 해당 기술은 고반사율 반사막에 의한 추출효율이 증가되고, 오믹 반사 금속에 의한 작동전압 감소한다.- 해당 기술은 실리콘과 질화물의 접합은 두 재료의 에너지 갭차이가 크므로 동작전압이 높게 되는데 질화물계 재료가 금속과 직접 전기접촉을 함으로서 전기저항을 낮추므로 동작전압의 감소효과도 볼 수 있다.
해당 기술은 저가형 대면적 갈륨 질화물 칩 제조 기술에 관한 것으로서, 특히 실리콘 기반 질화반도체의 웨이퍼 본딩 기술에 관한 것이다. 패터닝된 실리콘 기판위에 질화물 반도체를 성장시킨 후 웨이퍼 본딩 기술을 이용하여 결합시킨 후 질화반도체가 성장된 실리콘 기판을 제거하여 칩사이즈로 분리된 갈륨 질화물계 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.- 해당 기술은 패터닝된 실리콘 기반을 질화물 반도체 위에 오믹 및 반사 금속과 본딩 금속이 증착된 금속 박막을 이용하고, 캐리어 웨이퍼에 본딩 금속을 증착하여 두 개의 웨이퍼를 금속면이 마주보게 본딩하는 방법이다. 그 후에 질화물 반도체가 증착된 실리콘 기판을 제거함으로써 칩 사이즈로 분리 제작된 저가형 질화물 반도체 구현이 가능한 방법이다.- 해당 기술은 질화물 반도체에 전류 주입을 통한 발광에 있어서, 고반사 금속박막을 통해 발광되는 빛을 반사를 시킴으로써, 광출력 향상에 기여 할 뿐만 아니라, 질화물 반도체 발광소자의 외부추출효율을 향상시킬 수 있는 방법이다.
해당 기술은 평판 표시장치의 패널 전면으로 빛을 조사하기 위해 백라이트 유닛(BLU) 및 자동차 전조등용 탈부착이 용이한 발광 다이오드(LED, Light Emitting Diode) 패키지에 관한 것이다.- 해당 기술은 백라이트 유닛 및 수송기기기 등의 시스템에 탈착 및 부착이 용이하면서 열 방출이 가능하도록 하며, 솔더링 없이 발광 다이오드 패키지를 회전시켜서 결합함으로써 열 방출 효과가 높으면서, 시스템의 배면에 다른 부품에 대한 조립의 제한을 두지 않고, 결합이 용이하여 제조 공정에서 작업성이 뛰어나며, 불량 발생시 재작업이 용이하고, 배선 기판 및 발광 다이오드와 와이어 본딩되는 패드에 대한 솔더링 회수에 제한을 받지 않으며, 백라이트 유닛에 적용되는 표면실장형 소자(SMD, Surface Mount Device)와 같은 솔더링과 열 접착제(Thermal Paste)에 의한 방열판과 배열(Array)로 결합되는 기존 구조의 광학적 불균일도를 제거를 할 수 있으며, 탈, 장착이 용이하다.
해당 기술은 서브마운트위에 플립-칩 본딩 방식으로 실장된 발과 다이오드 소자를 배선 기판과 연결시 서브마운트로부터 와이어 본딩 방식을 적용하지 않고 시편 본딩 방식에 관한 것이다.- 해당 기술은 고출력 발광 다이오드에서 발생된 고온의 열은 본딩 와이어와 서브-마운트로 전달되면서 열에 의한 응력으로 인하여 단선이 되는 문제점을 시편 접착 방식을 적용함으로써 신뢰성을 향상 시킬 수 있으며, 서브마운트에 실장된 플립-칩 발광 다이오드만을 가지고도 와이어 본딩 장비를 이용하지 않고 패키징을 할 수 있다.- 해당 기술은 시편 본딩 방식을 위하여 측벽이 도금된 서브마운트, 서브마운트 위에 솔더 범핑 또는 스터드 방식으로 실장된 플립칩 발광다이오드, 서브마운트와 배선 기판을 전기적 연결을 하는 본딩 시편, 본딩 시편에 연결된 배선 기판에 형성된 본딩 패드, 서브마운트를 배선 기판위에 실장하기 위한 열 전도성이 높은 접착제, 배선 기판 내에 열 전도성 접착제를 담기 위해 형성된 열접착제컵, 열접착제컵 내에 발광 다이오드의 양극과 음극 본딩 패드 간의 시편에 의해 발생될 수 있는 단락을 방지하는 댐을 가지는 것이 특징이다.- 해당 기술은 발광 다이오드로의 열 및 방출 과정의 장벽층에 의한 열 응력으로 인한 본드 와이어의 단선을 방지하여 패키지의 신뢰성을 향상시키며, 와이어 본딩 장비 없이 시편을 이용한 간단한 접합 방법을 적용함으로서 제작비용 및 공정비용을 줄일 수 있는 LED 패키지를 제공한다.
해당 기술은 갈륨 질화물의 성장 시 사용되는 기판의 재질 등을 개량하여 빛의 외부로의 방출 효율을 극대화시키는 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.- 해당 기술은 반도체 발광소자의 클래드층을 형성하는 갈륨질화물을 성장할 때 사용되는 기판으로 클래드층과 물성이 같은 동종기판을 사용하고 상기 기판의 표면에 요철을 형성하여, 기존 기판과 반도체층 사이의 광자의 산란 및 소자 경계면에서의 광자의 전반사를 줄여 발광 효율이 향상된 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.- 해당 기술은 반도체 클래드층과 기판 사이의 광자의 산란이 줄어들고, 광자가 전반사되지 않고 외부로 방출되는 확률이 커져 반도체 발광소자의 발광 효율이 향상된다.- 냉금물질의 부착으로 반도체 발광소자가 동작할 때 발생하는 열이 효율적으로 방열되어 반도체 발광소자의 신뢰성이 향상된다.-반도체 발광소자는 전자와 홀의 재결합에 기초하여 발광하는 반도체소자로서, 반응속도, 전력소모, 발열 등의 제반특성이 기존 기술의 광원에 비해 매우 우수하여 광통신, 전자기기에서 여러 형태의 광원으로 널리 사용되고 있다.
해당 기술은 발광다이오드와 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게 는 구조적으로 발광다이오드의 발광층에서 생성된 광자의 내부 전반사율 을 낮추고, 발광다이오드에서 바람직하지 못한 방향으로 방출된 광자를 다시 재반사하여 원하는 방향으로 방출되도록 유도함으로써 광추출효율을 향상시키는 고효율의 발광다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다.- 해당 기술은 발광다이오드와 그 제조방법에 관한 것으로서, 발광층에서 생성된 광자의 내부 전반사율을 낮추는 소정의 형상으로 성형된 칩을 포함하고, 상기 성형된 칩에서 탈출한 광자를 윗 방향으로 재반사하도록 상기 성형된 칩의 표면에 반사용 금속을 증착하는 것을 포함한다. 이를 위하여 기판 위의 에피택셜층을 식각할 때 칩을 일정한 각도로 기울인 상태에서 식각하여 기울어진 경사면이 포함된 칩 형상으로 구성하고 있다.- 해당 기술은 칩 형상의 경사진 변형을 통하여 발광층에서 방출된 광자의 칩 내부에서의 전반사율을 낮추고 옆면으로의 부분 투과율을 높여 전체적으로 광추출효율을 증가하는 효과가 있다.- 해당 기술은 투과방향이 불규칙하여 유실될 수 있는 광자를 반사용 금속을 사용하여 바람직한 방향으로 광자가 방출될 수 있도록 재반사함으로써 광추출효율을 증가하는 효과가 있다.- 해당 기술을 이용하여 생산되는 발광다이오드는 광추출효율이 증가되어 그 효율성과 품질의 면에서 향상된 고부가가치의 신뢰성 있는 제품을 제공하는 효과를 가지게 되는 것이다.