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X-레이 리소그래피 빔라인 기구는 포토리소크래피에서 미세 구조 스케일을 위해 X-레이를 유도하는 수단이다. 일정한 power distribution이 필수인 그런 작업의 섬세함은 산업에 있어서 X-레이 리소그래피의 실제적인 적용에 있어서 약점이다. 빔라인 기구는 -레이 소스로서 싱크로트론과 X-레이를 모으고 초점을 맞추는 두 개의 거울과 높고 낮은 X-레이의 에너지를 통제하기 위한 몇 개의 필터로 이루어져 있다. X-레이 리소그래피는 실리콘웨이퍼와 마이크로 전자공학의 전기회로의 제조업을 위해 보다 더 섬세한 도구를 제공한다.싱크로트론은 원하는 방사선의 어떤 주파수라도 맞출 수 있다.모듈의 광시스템은 사용자 환경으로 조절가능하고 2x1 면적의 타겟을 쓸 수 있다.각각의 요소가 진공의 체임버에 있으므로 모듈의 광 시스템이 더 쉽게 유지된다.평행광을 만드는 거울에 X-레이 각도을 조정하는 필터는 X-레이 리소그래피에서 일정한 power를 제공하는데 도움이 된다.
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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광촉매의 활성을 시킬수 있는 자외선 영역의 발광 다이오드 개발본상품은 350nm 의 파장의 자외선 LED Lamp로서 GaN 화합물반도체 칩 및 Viewing angle 30°를 갖는 자외선 투과 에폭시 몰딩으로 이루어진 자외선 LED Lamp이다. 정전류 20mA에서 정전압은 평균 3.6V이고 약 40㎼의 광출력 을 가진다. 이 제품은 TiO2등의 광촉매 코팅하므로써 광촉매를 활성화시켜 NO나 CO등의 유해물질을 안정한 물질로 변환시키는 작용을 한다.이러한 작용을 응용하여 환경오염 방지 제품(공기정화기, 정수기)등에 사용할 수 있다. 또한 자외선 Lamp는 의료분야, 화학분야, 각종 검사기 등에 사용될 수 있다.
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- (재)충남테크노파크
- 등록일
- 2002-05-17
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반도체 웨이퍼 메모리 테스터의 메모리 반도체 검사 과정 중 DC parameter의 특성을 검사하는 하드웨어의 보드 수준 개발상품화 응용이 가능하며, 실제 장비에 응용 가능한 실용화 기술임
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- (재)충남테크노파크
- 등록일
- 2002-05-20
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웨이퍼의 대구경화에 따른processing chamber의 개선이나 새로운 개념의 장비를 개발하는데 있어 비용 절감과 개발 장비의 성능 극대화챔버의 설계 잔계에서 장비의 성능을 예측 및 분석하여 설계 제작비의 절감 및 최적의 성능 도출 가능
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- (재)충남테크노파크
- 등록일
- 2002-05-20
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압전방식 잉크젯 헤드, 이동전화기용 마이크, 리씨버 등에서의 압전층 막의 최적 두께는 5~15㎛, 공정온도는 되도록 낮을 것이 요구되는 데에 비해 아직 선진국에서도 해당 막 형성 기술이 개발된 바 없음. 세계 최초 PZT의 저온 고속 증착 MOCVD 장비 개발 기술 보유세계 최초 PZT의 저온 고속 증착 MOCVD 장비 개발
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- (재)충남테크노파크
- 등록일
- 2002-05-21
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전기·전자 > 기타 반도체
MEMs 기술을 마이크로 냉각기 같은 특정한 응용으로 이용하려는 시도는 많았는데 예를 들면 잠재적인 열역학 과정, 구성요소, 기하학 확인 같은 것인데 구체적으로 마이크로 냉각기의 열전달과 기하학적인 모양, 마이크로 스케일 체제에서 위상변화의 물리학, 적절히 작용하는 액체를 가진 마이크로 냉각기를 장착하는 제작과정 그리고 마이크로 냉각기의 성능확인 등이다. 이 기술에서 MEMS 표준 제작 기술은 이미 MEMs 타입의 디바이스나 일렉트로닉 디바이스를 집적적으로 냉각시키기 위해 마이크로-CPL에 사용되었다. 물이 냉각수로 사용되었고 증발기와 응축기 그리고 액체와 증기 라인은 단일결정 실리콘 웨이퍼로 제작이 되었다. 실제로 운반 구조는 냉각되는 일렉트로닉 팩키지에 직접 에칭이 되어야 하지만 시제품의 운반 구조는 마이크로 CPL의 커버 플레이트로 에칭된 틀로 이루어져 있다. 칩에서 벗어난 기압이 조절된 저장기는 디바이스의 온도를 제어한다.수동으로 작동하거나 강화된 성능을 위해 마이크로 펌프와 집적할 수 있다.냉각될 일렉트로닉 팩키지에 직접 합쳐질 수 있다.종래의 열 파이프 보다 더 큰 열부하를 견딜 수 있다.표준 MEMs 기술에 의해 제조된다.칩 레벨의 온도 조절이 가능하다.일렉트로닉 팩키지에서 특정 열원을 효과적으로 냉각시킨다.
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2002-05-24
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종래의 액체를 섞는 방법은 보통 난류를 일으킨다. 그러한 방법은 microfluidic 디바이스에 난류가 그런 작은 스케일에서 이루어지기 매우 어렵기 때문에 적절하지 못한 것이다. 3차원 플로우 필드를 사용하는 microfluidic 혼합을 위한 이전 기술의 방법은 대부분의 마이크로 제작기술이 본질적으로 2차원이기 때문에 실현하기에는 비싸고 어렵다. 다른 2차원의 laminar 기술이 소개되어 왔으나 연속이 아닌 `batch`과정으로 늦고 비효율성의 문제가 있었다. 이 기술에서는 이상적으로 마이크로 스케일의 액체 디바이스에 알맞은 두가지 액체를 섞는 새로운 방법을 수치적으로 이러한 과정에는 난류와 3차원 흐름이 필요하지 않으며 작은 길이와 시간 스케일에서도 빠르게 혼합된다. 이러한 것들은 몇가지 방법으로 최적화 될 수 있었다.micro-electro-mechanical systems (MEMS) 의 표준 생산 기술에 적합하다.이상적으로 microfluidic 도구의 스케일에 알맞다.2차원의 laminar batch 혼합 과정보다 더 빠르고 효율적이다.
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- 대일기업평가원
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- 2003-01-27
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금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 기술은 오늘날의 지배적인 전자 디바이스 기술이다. 기능을 강화시키기 위해서는 주로 소자를 축척(scale)한다. 그러나 MOSFET은 100nm 이하의 채널 길이에 축척 되어 있어서 종래의 디바이스는 short channel effect와 게이트 컨트롤의 감소 같은 문제가 있다. 이 이중 게이트 MOSFET 소자는 채널의 양쪽 사이드에서부터의 게이트 컨트롤이 가능하고 쇼트 채널 효과를 감소시킨다. 게다가 디바이스가 양쪽의 게이트를 사용하게 될 때, 두 개의 전도층이 전류의 흐름을 증가시키기 좋게 형성된다. 이 기술은 종래의 MOSFET 제작과 호환성이 있는 제조 과정에 의해 이중 게이트 MOSFET과 CMOS 소자를 만드는 방법에 관한 것이다. 이 디바이스는 fin으로 사용되는 절연층으로부터 연장되는 디바이스와 함께 절연층 위에 있는 실리콘층 위에 제작된다. 이중 게이트는 전류 구동력을 강화하고 효과적인 쇼트 채널 효과를 억제한다. 두 개의 트랜지스터는 fin 위에 게이트를 공유하는 CMOS 트랜지스터 쌍을 만들 수 있게 쌓을 수 있다.이중 게이트 구조는 short channel effects를 줄인다.또한 강화된 drive current를 제공한다.
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2002-05-25
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액티브 매트릭스 액정 디스플레이(active matrix liquid crystal displays)와 전계 방출 디스플레이(FED, field emission displays) 유기 발광 다이오드 디스플레이 같은 플랫 패널 디스플레이는 광학 센서와 함께 투과성 기판 위에서 행해지는 높은 수준의 박막 트랜지스터(TFT) 제조법이 필요하다. 다중 실리콘 TFT(thin film transistor)성능의 균일함과 질을 개선하기 위해서는 좋은 질의 다중 결정 실리콘 필름이 필요한데 이때 조심스럽게 그레인(grain) 사이즈와 위치가 조절되어야 한다. 이 기술을 통해 결정 구조를 결정하는 냉각과 응결과정을 제어하기 위해 레이저 조사법을 사용하여 방향과 지역을 조절할 수 있는 커다란 다중 실리콘 그레인의 성장과 같이 TFT를 생산하기 위한 방법과 장치를 개발할 수 있다.결과물인 TFT의 전기적인 특성이 개선된다.비정질 실리콘 위에 마스크구조의 제작이 필요 없다.결정 성자의 길이와 방향성 모두 다 제어가 가능하다.
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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현재 유력한 차세대 노광기술로 연구되고 있는 EPL (electron projection lithography)용 마스크를 제작하는 기술로서, Si를 membrane으로 형성하여 deep etching하고 strut 등을 형성하는 일종의 MEMS기술을 응용하여 만들어진다.EPL 마스크를 제조하는데는 Si wet etching 기술, Si deep etching 기술 등의 공정기술과 strut 등의 형성을 위한 설계기술 등이 포함된다. 또한 마스크 사용시 일어날 수 있는 전자 빔의 trajectory와 이 전자 빔의 입사에 의한 마스크의 변형을 예측하여 수율 등을 추정할 수 있는 종합적인 simulation 기술이 표하된다.
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- 대학산업기술지원단
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- 2002-05-28
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전기·전자 > 기타 반도체
이 기술은 마이크로 팁을 대신한 나노튜브 이미터 층을 이용한 FED(field emission display) 소자와 박막정착이 아닌 thick film 프린팅 기술을 사용한 소자의 제조법과 포토리소그래피법을 제공한다. 소자속에서 나노튜브 이미터 물질층을 포함한 다양한 물질층은 유리판 위에 thick film 프린팅기법으로 형성될 수 있다. 나노튜브 이미터 물질은 카본과 다이아몬드 또는 다이아몬드 계열의 카본 물질의 나노튜브가 될 수 있는데 이러한 것들은 용매가 포함된 페이스트와 혼합되어있다. 이 페이스트는 thick film 프린팅 공정에 아주 적합한 농도를 가지고 있다. 나노튜브는 현재 소자로 사용 가능한 30nm에서 50nm의 직경을 가지고 있으며 스크린 프린팅이나 이 기술의 thick film 프린팅 기술은 박막정착과 포토리소그래피법보다 저비용으로 실현할 수 있다. 게다가 thick film 프린팅 기술은 박막정착 공정에서 사용되는 정착실 때문에 생기는 기판사이즈의 제한에 비교해서 크기의 제한이 없다. 특히 이 기술은 큰 사이즈의 FED 스크린을 제조하는데 적합하다.박막정착과 포토리소그래피법보다 저비용으로 실현할 수 있다. 기판사이즈의 제한이 없다.대형의 FED 스크린을 제조할 수 있다.이 페이스트는 thick film 프린팅 공 정에 아주 적합한 농도를 가지고 있다
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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전기·전자 > 기타 반도체
이 기술은 고비율의 aspect ratio(가로세로 비율)의 생산과 음활성(negative-acting)의 자외선 민감 포토리지스트(ultraviolet-sensitive photoresist)인 SU-8(negative photoresist)을 사용한 독립 마이크로 구조의 생산을 가능케 한다. 이 기술로 8:1의 가로세로 비율을 가지는 SU-8 마이크로 구조의 직경이 100미크론 이하가 되는 원통형 cavity를 생산할 수 있다. 이런 마이크로 구조는 gas avalanche microdetector 영역에 바로 적용할 수 있다. 이 프로세스는 flexible diaphragms, 주형 삽입물, 진공 정착을 위한 섀도우 마스크, 마이크로 채널 플레이트 디텍터 그리고 많은 MEMS 구조와 같이 여러 가지 타입의 마이크로 구조의 제조를 가능하게 한다. 이러한 타입의 높은 가로세로 비율의 마이크로 구조를 생산하는 공정은 LIGA(Lithographie; Lithography, Galvanoformung; Electroplating, Abformung; Plastic molding)프로세스인데 싱크로트론에서부터 나오는 고밀도로 집중된 X-ray가 X-ray sensitive 리지스트를 쪼이는데 사용된다. 이 기술은 자외선과 자외선 투과 마스크만이 필요하고 싱크로트론으로 접근이 필요가 없어서 LIGA 프로세스보다 더 경제적으로 실현이 가능하다.현재의 LIGA 프로세스보다 경제적이다. 자외선과 자외선 투과 마스크만이 필요하고 싱크로트론으로 접근이 필요가 없어서 LIGA 프로세스보다 더 경제적으로 실현이 가능하다8:1의 가로세로 비율을 가지는 SU-8 마이크로 구조의 직경이 100미크론 이하가 되는 원통형 cavity를 생산할 수 있다.
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 접착제를 사용하지 않는 간단한 열처리 공정을 통해 상부 기판과 하부 기판간에 형성된 액정 공간을 밀봉할 수 있도록 한 박막형 액정 디스플레이 소자 밀봉 방법에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 밀봉제(접착제)를 이용하여 사이에 다수의 스페이서를 갖는 상부 기판과 하부 기판을 접착시켜 액정 주입 공간을 형성하는 종래 밀봉 방법과는 달리, 밀봉제(또는 접착제)를 사용하지 않고 간단한 열처리 수단을 이용하는 웰딩(welding) 공정을 통해 박막의 플라스틱 기판간을 직접 접착시켜 목표로하는 액정 주입 공간 형성함으로써, 박막의 액정 디스플레이 소자의 생산성 및 생산수율 향상은 물론 액정 디스플레이 소자의 제조원가를 대폭 절감할 수 있는 것이다.본 발명은 Plastic Film LCD에 기존 방식의 sealant 없이 leak-free seal 을 제작할 수 있으며, 장시간을 요하는 Seal 공정을 매우 간단하게, 단시간에 처리할 수 있고 보다 우수한 특성을 갖는 Plastic Film LCD의 제작을 가능케 한다.
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- 전자부품연구원
- 등록일
- 2002-06-11
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전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 패드 패턴이 형성된 유리 패널에 솔더 범프를 갖는 칩형소자를 실장하는 구조에 있어, 상기 패드 패턴상에 순차적으로 형성되어 있어 상기 패드 패턴상의 층간 물질층과 상기 솔더 범프가 접속되는 것을 특징으로 함. 활성층 및 층간물질층이 형성된 유리 패널의 패드 패턴 상에 칩형 소자의 솔더범프를 실장하는 칩형소자의 실장구조에 관하여 개시한다. 본 발명은 패드 패턴이 형성된 유리 패널에 솔더 범프를 갖는 칩형 소자를 실장하는 칩형소자의 실장구조에 있어서, 상기 패드 패턴 상에 순차적으로 활성층 및 층간물질층이 순차적으로 형성되어 있어, 상기 패드 패턴 상의 층간물질층과 상기 솔더 범프가 접속되는 것을 특징으로하는 칩형 소자의 실잘구조를 제공한다. 상기 활성층 및 층간물질층은 각각 아연층 및 니켈층이며, 상기 패드 패턴은 알루미늄 또는 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진다. 본 발명에 의하면, 칩형 소자의 솔더 범프가 층간절연막 상에 습윤성 있게 형성됨으로써 칩형 소자의 실장구조의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.LCD, PDP, FED, 유기 EL 등의 구동 IC 실장 기술
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- 전자부품연구원
- 등록일
- 2002-06-14
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전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 FED tip에서 방출되는 전자의 비월시간을 크게 함으로써 전자의 모멘텀 및 속도가 증가되도록소정의 제어전극을 부가하고 anode전극을 상기 제어전극방향으로 소정거리 이동시켜 구조를 개선한 것임. 본 발명은 필드에미션 디스플레이(Field Emissin display)의 팁에서 방출되는 전자의 비월시간을 크게함으로써 전자의 모멘텀 및 속도가 증가되도록 소정의 제어전극을 부가하고, 에노드전극을 상기 제어전극쪽으로 소정거리 이동시켜 구조개선한 필드에미션 디스플레이에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은, 기판과, 이 기판상에서 돌출되어 전자를 방출하는 다수의 필드에미터 팁과, 상기 필드에미터 팁에서 전자가 방출되도록 그 주변에 전기장을 형성시키는 다수의 게이트전극 및 상기 방출전자를 충돌에 의해 발광하는 형광체가 마련된 에노드전극을 구비한 필드에미션 디스플레이에 있어서, 상기 필드에미터 팁에서 방출되어 상기 에노드전극으로 진행하는 전자의 비월시간이 증가되도록상기 방출전자를 소정각도 편향시키는 제어전극을 상기 게이트전극의 일측부 상부에 더 설치하고, 상기 에노드전극을 상기 편향각도에 대응하는 소정거리만큼 수평이동시켜 구조개선함으로써, 에노드전극에서의 발광효율을 향상시킬 수 있다.비행 전자의 모멘텀 및 속도 증가를 위한 제어 전극을 구비한 FED
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- 전자부품연구원
- 등록일
- 2002-06-14
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
기존의 경량 컴퓨터나 핸드폰 PDA를 위한 칩이 고전력 소모나 사이즈가 큼으로서 생기는 단점을 보완하기 위해 새로이 디자인된 저전력 소모형 x86 PC용 칩.같은 효율성을 지니면서 기존의 칩보다 1/3 사이즈, 1/3 전기 소모율, ½의 생산 비용을 지님. 성능은 1.6Ghz Pentium 4.
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- InCue Corp
- 등록일
- 2002-06-14
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 FED의 Field Emitter Tip에서 방출되는 전자를 tip 중앙으로 집중시킥 위해 Emitter Tip에 ion을 주입하여 화소구동 유효전자의 방출갯수를 증가시킬 수 있는 field emitter tip구조 및 그 제조방법.본 발명은 필드 에미션 디바이스의 필드 에미터의 팁에서 방출되는 전자를 팁의 중앙으로 집중시키기 위해, 그 에미터 팁에 이온을 주입함으로써, 화소구동 유효전자의 방출갯수를 증가시킨 필드 에미터 팁의 구조 및 그 제조방법을 제공한다. 이를 위해, 본 발명에서는 상기 필드 에미터 팁의 일부분에 마스킹을 통해 실리콘이온을 주입한다. 바람직하게는 상기 필드 에미터의 팁의 첨두부분의 직하로 상기 기판까지의 부분을 제외한 부분에 마스킹을 통해 이온을 주입한다. 본 발명의 필드 에미터 제조방법은 기판 상에 상기 필드 에미터의 팁을 형성하는 과정, 상기 필드 에미터의 팁부분에 이온이 주입되는 부분을 제외하고는 포토레지스트를 입히는 마스킹 과정, 상기 포토레지스트가 입혀지지 않은 필드 에미터의 팁부분에 이온을 주입하는 과정, 상기 포토레지스트 부분의 상방에 광차단층을 입히는 단계 및 상기 포토레지스트를 제거하기 위하여 상기 광차단층위로 광을 조사하여 현상하는 과정을 포함한다.이온 주입 방법을 이용하여 전자 방출 Emitter를 제작한 FED 기술
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- 전자부품연구원
- 등록일
- 2002-06-14
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 디스플레이 패널에 잇어서, 상.하부 기판을 자외선수지를 이용하여 접합한 디스플레이 패널에 관한 것임.본 발명은 제1 유리가판 상에 표시(display) 소자들이 형성되어 있는 상부 패널과, 상기 상부 패널의 소자들에 대향하여 형성되고, 제2 유리기판 상에 형성된 형광체층을 구비하는 하부 패널과, 상기 상부 패널과 하부 패널을 접합하는 외부접합부로 이루어진 디스플레이 패널에 있어서, 상기 외부접합부는 자외선 수지로 이루어지거나 상기 상하부 패널의 두께가 두꺼울 경우 유리지지대와 자외선 수지로 이루어진다. 본 발명의 디스플레이 패널은 상온에서 상하부 패널을 접합하기 때문에 공정시간이 획기적으로 단축되고 공정장비 및 단게가 줄어들어 양산시 수율 향상 및 스루풋을 증가시킬 수 있다.자외선 수지를 사용하여 평판 디스플레이의 봉합 및 Sealing 기술
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- 전자부품연구원
- 등록일
- 2002-06-14
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
저비용의 최첨단 광네트워크 기술로서 전자와 광요소간의 인터피스상의 네트워킹 수준이 기존의 기술보다 우수한 결과를 나타내는 기술.WDM솔루션의 비용을 대폭 감소시키고, MAN (metro area network)상에서 광솔루션의 광범위한 설치를 가능케하는 정확한 생산공정 기술.
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- InCue Corp
- 등록일
- 2002-06-14
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 차동 용량형 압력센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 이 센서의 구조는 반도체 기판 상부면에 각각 소정 거리 이격되어 형성된 외측전극, 제 1하부전극 및 제 2하부전극과, 외측전극 및 제 1하부전극의 일측에 각각 수직으로 연결된 기둥과, 외부전극의 기둥에 연결되며 제 1하부전극과 평행으로 배치된 제 1상부전극, 제 1하부전극의 기둥에 연결되며 제 2하부전극과 평행으로 배치된 제 2상부전극을 포함한다. 그러므로, 본 발명은 두 개- MEMS 실리콘 압력센서, 완전 차동 용량형 임.- 온도특성 및 선형성이 뛰어난 차동 용량형 압력센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 단일 희생층을 이용하여 실리콘 상부표면에 두 개의 센서 콘덴서를 형성함으로써 용량 offset을 줄이고 제작공정을 간단하게 한다. 그리고 압력에 따른 두 콘덴서의 변화가 반대방향이므로 2배의 감도 및 선형구간을 증가시킨다.
- 보유기관
- 전자부품연구원
- 등록일
- 2002-06-14
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