산업기술 통합검색
기술의 개요 - 본 기술은 반도체 레이저 다이오드 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 제1도전형 기판 위에 버퍼층, 제1도전형 클래드층, 활성층, 제2도전형의 1차 클래드층, 식각저지층, 제2도전형의 2차 클래드층, 전류주입층을 차례로 성장시켜 더불헤테로 구조를 형성하는 단계와, 더블헤테로 구조를 식각저지층까지 선택적으로 식각하여 릿지를 형성하는 단계, 릿지가 형성된 웨이퍼상에 전류차단층을 성장시키는 단계, 전류차단층을 선택적으로 식각하여 릿지상에 전류주입영역을 형성하는 단계, 결과를 전면에 캡층으로 형성하는 단계 등으로 구성되어 있는 것이 특징이다.
기술의 개요 - 본 기술은 고출력 반도체 레이저의 제조방법에 관한 것이다.기술의 효과 - 본 기술은 전류 제한층을 표면이 균일하도록 하는 유기금속 화학증착볍으로 성장시켜 정확한 공정조절을 용이하게 할 뿐만 아니라 수율 및 생산성을 향상시키고 재현성을 용이하게 하며, 또한 기판홈과 전류 제한층을 별도의 공정으로 각각 형성하여 전류제한층의 전기도통부 크기에 관계없이 독립적으로 출력광의 래미터널 모드를 조절하는 효과를 도출한다.
기술의 개요 - 본 기술은 반도체 레이저에 관한 것으로, AlGaAs와 밴드갭 에너지가 비슷하고 3쪽 원소의 조성을 변화시킴으로써 격자상수를 변화시킬 수 있는 InGaP와 InGaAlP를 배리어와 클래드층으로 이용한 830nm의 TM모드 발진 반도체 레이저에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 기판위에 버퍼층과 제1클래드층, 상, 하부에 각각 형성된 2개의 배리어층에 의해 텐사일 스트레인을 갖는 활성층, 제2클래드층 및 캡층이 차례로 형성되어 이루어진 반도체 레이저에 있어서, 기판과 일치하는 격자상수로부터 제1클래드층과 일치하는 격자상수를 갖는 조성으로 변화된 제1그레이디드층이 제1클래드층 하부에 형성되고, 제2클래드층과 일치하는 격자상수로부터 캡층과 일치하는 격자상수를 갖는 조성으로 변화된 제2그레이디드층이 제2클래드층 상부에 형성된 것을 특징으로 한다.
기술의 개요 - 본 기술은 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로, 반도체 레이저 다이오드의 활성층에 SCL을 적용함으로써 매우 낮은 문턱전류값을 갖는 고품질의 반도체 레이저 다이오드를 구현하기 위한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 제1도전형 기판상에 순차적으로 형성된 제1도전형 클래드층과, 제1광가이드층, 활성층과 반대방향의 스트레인을 가지는 SCL, 스트레인이 가해진 단일양자우물활성층, 활성층과 반대방향의 스트레인을 가지는 SCL, 제2광가이드층 및 제2도전형 클래드층으로 구성되어 있는 것이 특징이다.
기술개요 - 본 기술은 광 PCB, 광 PCB용 모듈과 광연결블럭에 관한 것으로서 광 PCB용 송수신 모듈과 PCB 내에 적층되어 있는 광도파로 간에 광접속을 이루기 위한 광연결 블럭간의 정렬이 수동적으로 이루어 질 수 있도록 하는 광 PCB, 광 PCB 용 송수신 모듈 및 광연결블록 연결구조에 관한 것이다. 기술특징 - 광 PCB 또는 광 PCB용 송수신 모듈과 광결합 효율이 높고 정밀하면서도 쉽게 조립 및 정렬되어 제조 공정을 단순하게 하며 제조 비용을 감소시키는 특징이 있다.
기술개요 - 자동 온도 보상기능을 갖는 레이저 다이오드 구동회로 및 그 구동방볍에 관한 것으로, 보다 상세하게는 레이저 다이오드의 온도에 따른 전류-전압 특성을 이용하여 레이저 다이오드의 온도를 보상할 수 있는 온도에 대한 전기-광 변환 효율을 보상기능을 갖는 레이저 다이오드 구동회로 및 그 구동방법에 관한 것이다. 기술특징 - 온도 변화에 따른 레이저 다이오드의 바이어스 전류와 변조 전류를 조절함으로써, 기존의 외부에 별도로 사용하던 레이저 다이오드 감지용 포토다이오드가 필요하지 않음
기술의 개요 - 본 기술은 초대규모집적회로 구현에 적합한 고차 에프아이알 필터에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 고선명티브이(HDTV)나 ATV등에 응용되는 고속 고차 FIR필터의 VLSI 구현시 게이트 수를 대폭적으로 줄이도록 하기 위하여, 입력데이타를 2bit 혹은 3bit씩 나눈 다음, 각기 서로 다른 시간 동안 지연출력하는 N개의 지연소자로 구성된 M개의 블록으로 구성된 지연부와, M개의 지연소자에서 각기 출력되는 신호 중에서 하나의 신호를 선택하는 M개의 다중화부, 각 다중화기에 의해 선택된 입력신호를 디코딩하는 M개의 디코더, 디코딩된 값에 의해 미리 저장된 필터계수를 시프트시키거나 반전시켜 곱셈연산을 수행하는 시프팅/반전부, 시프팅/반전부의 출력신호 중에서 하나를 선택하여 출력하는 M개의 다중화기, M개의 다중화기에서 곱셈연산되어 각기 출력되는 결과치를 트리구조의 덧셈기를 이용하여 전체 M개의 출력값을 모두 더하는 덧셈부, 그 출력값을 누적시키는 연산부와, 2bit 혹은 3bit씩 나눈 입력신호에 대응하는 정해진 갯수의 출력신호를 각기 정해진 만큼 자리이동시킨 후 모두 합산하는 회로로 구성되어 있는 것이 특징이다.
기술의 개요 - 본 기술은 고휘도 청색 발광소자에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술의 발광소자는 사파이어 기판과, 사파이어 기판위의 버퍼층 및 엔플러스형 에피층, 엔플러스형 에피층위의 마스크로 이용되는 산화막, 산화막 창내의 엔형 크래드 층, 그 위의 활성층과, 그 위의 피형 크래드 층, 피형 크래드 층 및 산화막에 걸치는 피형 오옴 접촉 금속, 엔형 크래드 층 및 산화막에 걸치는 엔형 오옴 접촉 금속, 사파이어 기판 뒷면의 반사기 금속으로 구성되어 있다. - 본 기술의 발광소자 제조방법은 사파이어 기판위에 버퍼층 및 엔플러스형 에피층을 성장시키는 공정과, 이후 산화막을 증착하는 공정, 이후 포토리소그래피 공정으로 창(Window)을 형성하는 공정, 이후 창내에 엔형 크래드 층, 활성층 및 피형 크래드 층을 순차적으로 성장시키는 공정, 이후 피형 크래드 층과 산화막에 걸치는 피형 오옴 접촉 금속 및 엔형 크래드 층과 산화막에 걸치는 엔형 오옴 접촉 금속을 형성하는 공정, 이후 사파이어 기판 뒷면에 반사기 금속을 제조하는 공정으로 되어 있는 것이 특징이다.
기술의 개요 - 본 기술은 팩키지 특성을 이용한 인덕터의 양호도(Quality Factor ; Q) 향상장치에 관한 것이다.기술의 효과 - 본 기술은 모놀리식 마이크로 웨이브 집적회로(MMIC) 구성시 사용되는 나선형 인덕터(Spiral Inducter)의 한쪽 포트와 팩키지의 소정 포트를 골드 와이어를 이용하여 직렬로 연결함에 의해 나선 특성을 갖는 새로운 인덕터를 형성함으로써, 인덕터의 양호도를 높여 MMIC의 성능을 향상시키는 효과를 도출한다.
기술의 개요 - 본 기술은 램(RAM)과 디지탈 로직 등으로 구성되는 집적회로(ASIC)를 포함하여 구성함으로써 구성회로가 간단하게 되어 제조하기가 쉽고 가격도 저렴하도록 한 발광다이오드(LED) 제어회로에 관한 것으로, 소정의 데이타를 인가받아 N개의 LED로 구성된 LED부를 구동제어하기 위한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 소정의 데이타를 인가받는 LED 제어데이타 수신회로부와, LED 제어데이타 수신회로부로부터 LED번호 및 제어방법 등이 포함된 신호를 인가받아 추후에 설명될 램(RAM)의 주소(ADDRESS)를 분류하는 디코더 로직, RAM 제어신호 발생회로부, RAM 제어신호 발생회로로부터 인가되는 제어신호에 따라 디코더 로직이 지정하는 주소에 LED 제어데이타 수신회로부로부터 인가되는 LED 제어데이타를 저장하거나 저장되어 있는 LED 제어데이타를 출력하는 램(RAM)과, 그 RAM에서 출력하는 신호에 따라 각각의 단자와 연결된 N개의 LED를 구동제어하는 LED 데이타버퍼(Buffer)로 구성되는 것을 특징으로 한다.
기술의 개요 - 본 기술은 광 출력검지장치에 관한 것으로, 특히 일정한 방향으로 발광하는 레이터 다이오드(LD)의 출력을 검지하는데 적합한 광 출력검지장치에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 전면 발산광을 발생시키는 발광수단과, 전면 발산광을 1차 투과시키고 이 발산광의 일부를 2차 투과 또는 반사시키는 추출수단, 2차 투과광 및 반사광을 검지하는 검지수단, 검지수단의 출력을 증폭하여 발광체의 발산광을 일정하게 유지하는 구동 및 제어수단 등으로 구성되어 있는 것이 특징이다.
기술의 개요 - 본 기술은 고출력의 레이저 다이오드의 구현을 위해 소자의 저항을 낮춤으로써 광특성을 개선시키고 P-N 접합에 의한 손실을 감소시켜 광·전특성을 개선시킬 수 있는 레이저 다이오드의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 P형 기판상에 아일랜드 형태의 메사 구조를 형성하고 그위에 전체적으로 n형 전류제한층을 소정두께로 형성하는 스텝과, n형 전류제한층상에 릿지구조를 형성하고 이 릿지구조의 중앙 부위에 메사구조의 표면이 드러나도록 식각을 실시하여 V형 채널을 형성하는 스텝, P형 크래드층, P형 가이드층, 활성층, n형 한정층 및 n형 캡층을 차례로 형성하는 스텝, 산화막 마스크를 이용하여 소자의 양측 소정폭의 부위를 P형 크래드층까지 선택적으로 식각하여 제거하고 제거된 부위에만 선택적으로 반절연성 NAM층을 형성하는 스텝 등으로 구성되어 있는 것이 특징이다.
기술의 개요 - 본 기술은 발광소자 어레이 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술의 발광소자 어레이 구조는 육각형 피라미드 형태로 발광소자를 형성하고, 이와 같이 형성된 발광소자의 각 육면에서 나오는 광이 서로 중첩되도록 그 발광소자를 배치시킨 육각형의 어레이 구조로 되어 있다. - 그리고 본 기술의 어레이 구조 제조방법은 실리콘 카바이드 기판위에 버퍼층과 엔형 에피층을 성장시키는 공정과, 이후 마스크로 이용될 산화막을 증착하는 공정, 이후 포토리소그래피 공정으로 두 개의 창을 형성하는 공정과, 엔형 크래등층 환성층 및 피형 크래드 층을 순차적으로 성장시키는 공정, 이후 기판의 윗면에 피형 크래드 층을 형성하는 공정과, 이후 기판의 뒷면에 엔형 크래드 층을 형성하는 공정으로 구성되어 있는 것이 특징이다.기술의 효과 - 본 기술은 선택적으로 에피성장된 육각형 피라미드 구조의 발광소자를 육각형의 어레이 구조를 이룸으로써 광출력을 증가시켜 낮은 전류에서도 고휘도를 낼 수 있게 되어, 발광소자의 수명시간이 연장되는 효과를 도출한다.
기술의 개요 - 본 기술은 유기 전계 발광 소자(Organic Electroluminescence Device)에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 양극과 음극 사이에 유기발광층을 갖는 유기 전계 발광 소자의 외부 표면상에 형성되고 아크릴릭 모노머들이 결합하여 이루어진 호모-폴리머, 코-폴리머, 터-폴리머, 테트라-폴리머 등의 고분자물질들 중 어느 하나로 형성되는 제 1, 제 3 보호층과, 제 1, 제 3 보호층 사이에 형성되고 활성탄, 금속 산화물, 수산화물, 탄화물, 탄산염, 그의 혼합물 중 어느 하나로 형성되는 제 2 보호층으로 구성되어 있는 것이 특징이다.기술의 효과 - 본 기술은 물, 산소 등에 대해 우수한 차단 효과를 가지며, 휴대용 제품으로 적합하다.
기술의 개요 - 본 기술은 커패시터 구조에 관한 것으로, 커패시터의 전기적 특성(즉 유전율, 누설전류 등)을 개선하여 고집적소자에 적합하도록 한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 실리콘 기판과 그 위에 형성되고, pt 막과 RuO2-X(0X1) 또는 IrO2-X(0X1)의 1종으로 이루어지는 산화막을 포함하는 하부전극과, 하부전극상에 형성된 BaXSr1-XTiO3(0＜X＜1)막, BaXSr1-XTiO3막 위에 형성된 Pt막으로 구성되어 있는 것이 특징이다.
기술의 개요 - 본 기술은 반도체 기판의 범프 에어리어 형성방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 반도체 기판의 전극패턴 위에 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 및 금(AU) 증착막을 차례로 형성하는 제1공정과, 제1공정 후 포토레지스트를 이용한 포토리소그래피(photolithography) 공정을 거쳐 금 증착막 위에 범프 에어리어를 형성하는 제2공정, 제2공정 후 상기 범프 에어리어에 남아 있는 포토레지스트가 제거되도록 반도체 기판을 금 에천트(etchant)에 침적시켜 금 증착막의 일부를 에칭하는 제3공정으로 구성되어 있는 것이 특징이다.기술의 효과 - 본 기술은 잔존 포토레지스트의 두께와 상관없이 잔존 포토레지스트를 완전히 제거할 수 있기 때문에 후공정인 범프 형성시 범프의 평탄도가 양호해지고, 장벽금속에 열 스트레스가 가해지지 않기 때문에 범프 형성시 범프와 장벽금속 간의 접착성을 강화시킬 수 있다.
기술의 개요 - 본 기술은 면발광 레이저 발진을 위한 레이저 다이오드와 그 제조방법에 관한 것으로, 종래 구조의 레이저 다이오드에서는 레이저빔 출력을 위한 활성층이 1개이므로 단일한 파장의 광만을 출력시킬수 있어 광신호 처리기기에 사용하기 위해서는 각각 다른 파장을 갖는 례이저 다이오드를 별도로 구비하여 사용해야 되므로 이에따른 기기구성의 어려움과 원가상승이 초래되는 단점을 해결하기 위한 것이다.기술의 효과 - 본 기술은 한 기판상에 복수의 활성층을 구성함으로써 단일한 반도체 소자에서 각각 상이한 파장의 레이저빔을 선택적으로 출력시킬수 있도록 하여, 여러 단점들을 해소하고 광신호 처리기기 구성에 편리를 도모하여 원가절감을 기할수 있도록 한다.
기술의 개요 - 본 기술은 할로겐 기상방막성장(HVPE)법으로 성장된 n-GaN 기판을 사용함으로써 격자부 정합 및 온도팽창계수에 기인된 결정결합이 배재된 청색 레이저 다이오드 및 그의 제조방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.기술의 특징 - 본 기술은 할로겐 기상박막 성장방법을 이용 동종 박막성장으로 성장한 n+형 GaN 기판을 준비하는 단계와, n+형 기판위에 실리콘이 각각 도핑된 n형 GaN층, n형 1nxGa1-xN층(0≤x≤1), n형 AlxGa1-xN층 및 n형 GaN층을 순차 성장시켜 형성하는 단계, n형 GaN층위에 ln0.2Ga0.8의 웰층과 ln0.05Ga0.95N층의 베리어층을 복수개 교대로 성장시켜 다중 양자우물층 구조의 활성층을 형성하는 단계와, 활성층상에 Mg가 각각 도핑된 P형 AlxGa1-xN층, P형 GaN층, P형 AlxGal-xN층 및 P형 GaN층을 형성하는 단계, 기판하부 및 P형 GaN층 상부에 각각 n형 오옴 접촉전극과 P형 오옴 접촉전극을 형성하는 단계로 구성되어 있는 것이 특징이다.
기술의 개요 - 본 기술은 기판과 이 기판 위에 형성하는 발광 소자와의 격자 부정합 및 온도팽창계수 차이에 따른 결정결함을 제거하기 위한 질화갈륨 발광 다이오드 및 그의 제조방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.기술의 특징 - 본 기술은 할로겐 기상박막성장법을 이용한 동종박막성장으로 성장한 후 살리콘을 도핑하여 얻어진 n+형 질화갈륨기판을 마련하는 단계와, n+형 질화갈륨 기판상에 순차적으로 유기금속 박막성장법으로 n형(GaxAl1-xN, InxGa1-xN 및 P형 GaxAl1-xN을 각각 성장시켜 N형 클래드층, 활성층 및 P형 클래드층을 형성하는 단계, P형 클래드층상 및 기판하부에 각각 P형 및 n형 전극을 형성하는 단계로 구성되어 있는 것이 특징이다.
기술의 개요 - 본 기술은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 효과 - 본 기술은 전극 형성시 공정이 복잡하고 비효율적인 문제점을 해결하기 위하여, n형 및 p형 에피택셜층상에 GaTi층, Al층, Au층으로 이루어진 전극을 동시에 형성하고, p형 에피택셜층상의 전극을 제외한 전면에 포토 레지스트를 형성한 후, 500~900℃의 온도와 NH3, N₂중 어느 하나의 분위기에서 열처리하여 n형 및 p형 전극을 형성함으로써, 공정이 단순하고 전도성이 향상된 발광 다이오드를 제작하는 효과를 도출한다.