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1. 기술의 개요본 기술은 탄소나노튜브를 구비하는 삼극관 전계방출소자의 하부기판 및 그 제조방법에 관한 것이다. 현재 사용하고 있는 액정화면디스플레이 백라이트는 냉음극 형광관을 발광체로 화면의 일부분에 위치시키고 투과성 재료인 도광판과, 빛을 화면에 골고루 분산시키고 집합시키기 위한 확산판, 프리즘을 사용하고 있다. 이러한 백라이트장치는 복잡한 구조와 높은 생산비에 비해 빛의 손실이 크고 화면 전체적인 휘도의 균일성을 얻기가 힘들다. 이에 따라, 탄소나노튜브를 사용하는 전계방출형 백라이트가 제안되었다.2. 기술의 특징유리기판위에 포토리소그래피를 사용하여 부분적으로 투명전극을 식각하는 과정과, 투명전극 식각후 유리기판을 소정 깊이로 과식각하는 과정, 과식각된 유리기판 부분에 게이트 금속을 증착하는 과정, 남아있는 투명전극 부분에 탄소나노튜브 에미터를 형성하는 과정을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 삼극관 전계방출소자의 하부기판의 제조방법을 제공한다.
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- 성균관대학교
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- 2008-07-11
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1. 기술의 개요본 기술은 박막 필터용 에어갭형 FBAR(film bulk acoustic resonator)에 관한 것으로, 구조적으로 간단하고 복잡한 기존의 공정을 단순화된 에어갭 타입 에프비에이알장치 및 그 제조방법에 관한 것이다2. 기술의 특징실리콘기판 위에 마그네슘의 희생층을 형성하는 제1단계, 마그네슘 희생층을 부분적으로 노출하면서 희생층 위에 실리콘나이트라이드 지지층을 형성하는 제2단계, 희생층을 노출하면서 지지층 위에 제1전극을 형성하는 제3단계, 희생층을 노출하면서 제1전극 위에 압전층을 형성하는 제4단계,희생층을 노출하면서 압전층 위에 제2전극을 형성하는 제5단계, 희생층을 에칭하여 에어갭을 형성하는 제6단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
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- 성균관대학교
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- 2008-07-11
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1. 기술의 개요본 발명은 플렉시블 유기물 기판의 금도금층 형성 방법과, 이를 이용한 유기물 반도체 소자 제조 방법에 관한 것이다.2. 기술의 특징본 기술은 플렉시블한 유기물 기판에 전기적 특성이 우수한 금도금층을 도금하기 위하여 유기물 기판과의 접착성이 우수한 접착층을 형성한 후에, 금도금층의 도금성을 높여 주는 씨드 레이어를 형성하고, 위와 같이 구성된 유기물 기판을 이용하여 전기적 특성이 우수한 유기물 반도체 소자를 제조할 수 있다.
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- 성균관대학교
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- 2008-07-11
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1. 기술의 개요본 기술은 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 발광소자는 기판과 기판 표면에 성장되는 중간층과, 기판과 중간층 상에 성장되는 박막을 포함하여 구성된다.2. 기술의 특징Μ-PD(MICRO PULLING DOWN)법으로 Β-GA2O3 단결정 기판을 성장시키는 단계와, 성장된 Β-GA2O3 단결정 기판 표면을 NH3 가스 분위기에서 열처리하여 아모노리시스(AMMONOLYSIS) 반응으로 산소와의 결합이 질소와의 결합으로 치환시켜 GAN 버퍼층을 성장시키는 단계와, 성장된 기판과 중간층 상에 GAN 박막을 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지며, 기판으로 사용될 물질과 GAN과의 격자상수 차와 열팽창계수의 차이를 줄여 고품질의 단결정을 성장시킬 수 있는 효과가 있다.
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- 성균관대학교
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- 2008-07-11
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1. 기술의 개요본 기술은, 실리콘 등으로 구성될 수 있는 피처리기판 상에 금속층 또는 절연층을 증착하는 제1증착공정, 금속층 또는 절연층 상에 PR층을 증착한 후, 다수의 트렌치 형상으로 패턴을 형성하여 잔류 PR층과 함께 금속층 또는 절연층이 노출되게 하는 공정, 및 애싱 공정을 통해 잔류 PR의 폭을 감소시켜 금속층 또는 절연층의 노출 면적을 증가시키는 공정을 구비한 나노 와이어 형성방법에 관한 것이다.2. 기술의 특징노출된 금속층 또는 절연층 위를 절연층 또는 도전성 재료로 증착(또는 충진)하는 제2 증착공정, 및 잔류 PR을 제거하여 트렌치를 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
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- 성균관대학교
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- 2008-07-11
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1. 기술의 개요중성빔 식각장치를 이용한 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 활성층 및 P형 질화물 반도체층에 많은 손상이 생기는 문제를 해소할 수 있다. 2. 기술의 특징기판, 기판 상에 형성된 N형 질화물 반도체층, N형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층, 활성층 상에 형성되며 그 상면에 소정 패턴의 홀이 형성된 P형 질화물 반도체층 및 N형 질화물 반도체층 및 P형 질화물 반도체층 상에 각각 형성된 N측 전극 및 P측 본딩전극을 포함하고, 소정 패턴의 홀은 중성빔 식각장치에 의해 형성되는 구성을 마련한다.
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- 성균관대학교
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- 2008-07-11
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본 기술은 단백질칩 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다. 플라즈마 중합된 싸이클로핵산(PPCHEX) 및 아민 기능성 그룹을 가진 플라즈마 중합된 에틸렌다이아민(PPEDA)을 유도 결합형 플라즈마 화학기상 증착법을 사용하여 증착하는 것을 특징으올 한다.아민 기능성 그룹을 가진 플라즈마 중합된 에틸렌다이아민(PPEDA)과 비특이성 흡착이 없는 플라즈마 중합된 싸이클로핵산(PPCHex)을 유도 결합형 플라즈마 화학기상법(Inductively Coupled Plasma-Chemical Vapor Deposition; ICP-CVD)을 사용하여 증착함으로써 슬라이드 표면에 발생하는 비특이성 흡착을 방지한다.
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- 성균관대학교
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- 2008-07-16
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본 기술은 인듐 주석 산화물을 포함하는 투명 전도성 전극을 증착할 때 발생하는 에너지에 의해 소자를 구성하는 유기물의 손상을 방지하기 위한 유기물 보호층을 이용한 전면발광 유기 전계 발광 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.기판을 마련하는 단계, 기판상에 고 반사 다층 양극 층을 진공 증착하여 형성하는 단계, 고 반사 다층 양극 상에 유기 층들로 구성된 유기 부를 형성하는 단계, 유기 부 상에 유기 층의 손상을 보호하는 유기물 보호층을 마련하는 단계, 유기물 보호층상에 투명 전도성 전극인 음극 층을 마련하는 단계 및 음극 층상에 굴절률 매칭 층을 마련하는 단계를 포함하고, 유기물 보호층은 하나 또는 둘 이상의 막이 단독 내지 순차적으로 구성되거나 어느 한 층 이상에 단독 또는 복수의 막이 도핑되는 구조로 마련되는 구성을 마련한다. 유기물 보호층을 이용한 전면발광 유기 전계 발광 표시소자 및 그 제조방법을 이용하는 것에 의해, 높은 생산성을 고려한 공정 수율, 공정시간의 단축, 패널의 신뢰성 향상, 효율의 증대 등을 할 수 있다.
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- 성균관대학교
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- 2008-07-16
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본 기술은 박막의 다심화를 통해 교류손실을 저감시킬 수 있는 YBCO 고온 초전도 선재의 제작에 관련된 것이다. 최종 제조된 전구 용액을 도포하는 방법은 박막 선재의 다심화를 위해서 마이크로노즐(micro-nozzle)을 이용하여 수 - 수백 ㎛의 간격의 다심 형태로 전구 용액을 분사하는 방법과 광리소그래피(photolithography) 공정을 이용하여 전구 용액을 선택적으로 분사하는 방법, 그리고 마지막으로 메탈마스크(metal mask)를 이용하여 전구 용액을 분사하는 방법 등 세 종류의 micro-printing 기술로 구성될 수 있다.
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- 성균관대학교
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- 2008-07-16
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본 기술은 HEMT 소자의 게이트 리세스 식각 방법에 있어서, 식각 챔버 내부로 HEMT 소자를 로딩하는 제1단계, 식각 챔버 내부로 식각 가스를 도입하여 HEMT 소자의 피식각층 표면에 흡착시키는 제2단계, 흡착 단계 완료 후 여분의 식각 가스를 제거하는 제3단계, HEMT 소자의 피식각층에 중성빔을 조사하는 제4단계 및 중성빔 조사에 의해 발생된 식각 부산물을 제거하는 제5단계를 포함하고, 제4단계에서 스퍼터링(sputtering)을 방지하기 위해 중성빔의 에너지를 상기 피식각층의 결합세기(bond strength) 보다 작게 하는 것을 특징으로 한다. 본 기술에 따른 HEMT 소자의 게이트 리세스 식각 방법은 종래의 원자층 식각 방법에서 중성빔으로 사용하던 아르곤 입자보다 질량이 작은 네온을 중성빔으로 사용하여 피식각층에 조사되는 중성빔의 에너지를 피식각층의 결합세기보다 낮게 유지함으로써 식각 선택비를 향상시킬 수 있으며, 식각 공정 후 피식각층 표면의 손상을 최소화할 수 있다.
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- 성균관대학교
- 등록일
- 2008-07-16
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본 기술은 반도체소자 및 발광소자의 단결정 성장장치에 관한 것으로, 제1 보호막을 고정하며 중앙에 관통홀을 갖는 고정부재와, 제2 보호막을 구비한 반도체소자 및 발광소자의 단결정 성장장치에 관한 것이다.제1 보호막에 의해 보호되며 단결정을 성장시키기 위한 원료가 담긴 도가니와, 제2 보호막의 외주에 형성되어 도가니 내의 원료를 융해시키기 위한 고주파를 발생시키는 고주파 발생부와, 도가니의 하부에 형성되어 도가니 내의 융해된 융액을 분출하기 위한 노즐(NOZZLE)과, 노즐(NOZZLE)에 시딩(SEEDING)된 후 고정부재의 관통홀을 통해 이송되어 노즐(NOZZLE)에서 분출되는 융액으로 단결정을 성장시키는 시드(SEED)와, 시드(SEED)를 이송시키기 위한 시드 이송부를 포함하여 구성되며, 도가니의 하부에 형성된 노즐(NOZZLE)에 시드(SEED)를 시딩(SEEDING)시킨 후 도가니 내의 융액을 노즐(NOZZLE)을 통해 하강시켜 온도구배로 단결정을 성장시키게 되며, 도가니에 고주파 유도 가열방식으로 원료를 융해하고 도가니 하부에 있는 판상 형태로 제작된 노즐(NOZZLE)을 통하여 단결정을 성장시킴으로써 열 스트레인(STRAIN)에 의한 결정화 및 크랙(CRACK) 형성 등이 없는 고품질의 결정제조가 가능한 효과가 있다.
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- 성균관대학교
- 등록일
- 2008-07-16
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 저전압 바리스터-커패시터 복합소자 제조방법에 관한 것으로, 종래 SrTiO 3 바리스터는 비직선계수가 작고, 항복전압이 크기 때문에 이용범위에 제한이 많아 상용화가 용이하지 않은 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 기술은 SrTiO 3 시편을 제조하는 단계와, SrTiO 3 에 900℃의 온도에서 Bi 2 O 3 를 확산시키는 단계와, Bi 2 O 3 가 확산된 SrTiO 3 시편의 양측면에 은전극을 형성하는 단계로 구성되어 SrTiO 3 의 입계에 Bi 2 O 3 를 확산시켜, 저전압에서 동작하며, 항복전압이 낮고 비선형 계수를 증가시킨 저전압 바리스터-커패시터 복합소자를 형성할 수 있게 되어, 그 적용범위를 확대시켜 SrTiO 3 바리스터-커패시터를 상용화 할 수 있는 효과가 있다.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2008-07-21
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 광섬유 격자를 이용한 반도체 광증폭기의 이득조절 장치에 관한 것으로, 반도체 광스위칭 소자나 파장변환기에 사용되는 반도체 광증폭기를 광섬유 격자를 이용하여 그 이득을 용이하게 조절할 수 있는 광섬유 격자를 이용한 반도체 광증폭기의 이득조절 장치에 관한 것이다. 본 기술은 광신호를 입력받는 입력부와, 증폭된 광신호를 출력하기 위한 출력부와, 입력부 및 출력부에 연결되어 입력 광신호 및 출력 광신호의 경로 설정을 하기 위한 입력측 광 고립기 및 출력측 광고립기를 구비하는 광섬유 격자를 이용한 반도체 광증폭기의 이득조절 장치에 있어서, 입력측 광고립기에 연결되어, 반사 중심파장을 미세 조정할 수 있는 인장 조절 가능 광섬유 격자와, 인장 조절 가능 광섬유 격자와 연결되어, 광신호를 증폭시키는 반도체 광증폭기와, 반도체 광증폭기에 전원을 공급해주는 광증폭기 구동용 전원 공급기와, 반도체 광증폭기에 연결되어, 소정의 반사 중심파장을 가지는 광섬유 격자를 포함한다.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2008-07-21
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 스트레인 보상 다층양자우물을 이용하는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.기판, 기판 상에 형성되는 N형 클래딩층, N형 클래딩층 상에 형성되는 N형 SCH(SEPARATE CONFINEMENT HETEROSTRUCTURE)층, N형 SCH층 상에 형성되며 사전설정된 파장 대역의 광을 발생시키기 위한 다층양자우물, 다층양자우물 상에 형성되며 광을 구속하기 위한 P형 SCH층, P형 SCH층 상에 형성되며 광의 손실을 방지하기 위한 P형 클래딩층, P형 클래딩층 상에 형성되며 옴접촉을 조절하기 위한 오믹층, 및 광을 발생시키기 위한 전류를 다층양자우물로 주입하기 위한 전극을 포함하며, N형 클래딩층은 광의 손실을 방지하고, N형 SCH층은 광을 구속하며, 다층양자우물은 사전설정된 적층 주기로 교번하여 형성된 다수의 압축 스트레인 우물층 및 다수의 긴장 스트레인 장벽층에 의해 스트레인 보상되는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법을 제공한다.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2008-07-21
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 대면적 제작시 균일한 품질을 보이며, 대량생산시 균일한 품질을 얻을 수 있는 디지털 합금 다원 화합물 반도체의 분산 브랙 반사경에 관한 것이다.본 기술의 분산 브랙 반사경은 기판 및 기판 상에 다층으로 적층된 단위 분산 브랙 반사경(DBR) 층을 포함하며, 단위 DBR층이 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층/다원 반도체층 또는 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층/단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층의 다층 적층체로 이루어지고, 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층이 다원 반도체의 제1 층과 제1 층 상의 상이한 다원 반도체의 다층 적층체로 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 기술에 따른 디지털 합금 분산 브랙 반사경은 기존의 일반 분산 브랙 반사경에 비해 대면적 제작시 균일한 품질을 보이며, 대량생산시 균일한 품질을 얻을 수 있다.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2008-07-21
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 양자우물 구조를 갖는 반도체 광소자의 밴드갭 제어방법에 관한 것으로, 특히 유전체의 덮개층으로 사용되는 실리콘질화막(SiNx) 성장시 암모니아(NH 3 ) 가스의 유량비를 조절함으로써 양자우물 구조의 밴드갭을 제어하는 방법에 관한 것이다. 본 기술에 따르면, 양자우물 구조를 갖는 반도체 광소자의 밴드갭 제어를 위한 양자우물의 무질서화 공정에 있어서, 양자우물 구조를 갖는 기판을 성장시키는 과정과, 기판 상에 유전체 덮개층을 일반적인 반도체 공정인 리소그라피, 식각 및 유전체 도포 등의 과정을 연속적으로 사용하여 국부적으로 증착시키되 소정 가스의 유량비 조절을 통하여 성장한 특성이 다른 유전체 덮개층만을 국부적으로 증착시키는 과정과, 유전체 덮개층을 소정 시간동안 열처리하여 양자우물의 무질서도를 유기시킴으로서 기판을 국부적으로 다른 밴드갭을 갖도록 제어하는 과정을 포함하는 양자우물 구조를 갖는 반도체 광소자의 밴드갭 제어방법이 제공된다.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2008-07-21
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 화화물 반도체를 기반으로 하는 전계효과형 메타모픽(metamorphic) 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT : high electron mobility transistor)를 제작하는 방법에 있어, T-게이트를 기판상에 안정적으로 형성하는 방법에 관한 것으로서 기판 위에 복수의 레지스트를 순차적으로 적층하는 단계; 상기 적층된 레지스트에 전자빔 리소그래피를 이용하여 T형 패턴을 형성하는 단계; 상기 T형 패턴이 형성된 기판 위에 게이트 금속층을 형성하는 단계; 접착부재를 상기 적층된 레지스트의 최상층에 형성된 게이트 금속층과 접착되도록 한 후 상기 접착부재를 분리시킴으로써 상기 게이트 금속층을 제거하는 단계; 및 상기 적층된 레지스트를 모두 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 또한 기판 위에 복수의 에피텍셜층이 형성된 화합물 반도체에 있어서, 캡층의 하부에 형성된 식각방지층을 고농도로 도핑함으로써 반도체 소자의 기생 저항을 줄이는 것을 또 다른 특징으로 한다. 본 발명에 따르면 접착 부재를 이용한 금속 제거 기법을 이용하여 안정적으로 미세 게이트를 형성할 수 있으며, 고농도 도핑된 인듐인 식각 방지층을 도입한 에피 구조를 이용하여 기생 저항 성분을 줄임으로써 초고속 동작이 가능한 고전자 이동도 트랜지스터 제조 기법을 제공한다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2008-10-31
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
다중 게이트 전계 효과 트랜지스터를 형성하는 방법 중 채널을 둘러싸고 있는 폴리실리콘 영역을 제1게이트 제2게이트 부분으로 구분하고, 각각의 영역을 비대칭 도핑하여 문턱전압의 조절 및 누설 전류를 최소화하는 단계를 포함한다.
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- 인하대학교
- 등록일
- 2008-11-28
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명에서는 우리나라 자체의 시뮬레이터를 개발하는데 목적을 두고 광 및 에너지 분포를 구하여 deep ultraviolet resist인 화학 증폭형 resist나 resist에 따른 복잡한 공정을 처리할 수 있는 기본 툴을 만들어, 컴퓨터 계산 시간을 최소한으로 줄이고 Proximity 효과를 처리할 수 있는 툴을 만들고, 개발된 툴을 사용자가 쉽게 쓸 수 있도록 하면서 1GDRAM이상의 소자 양산에 적용할 수 있는 새로운 노광 방법을 개발하고자 한다. 또한 보다 나은 사용자의 편의를 위해 편리한 GUI환경을 구축한다.
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- 인하대학교
- 등록일
- 2008-11-28
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 유기EL(Organic Electroluminescence) 소자를 이용한 패시브 매트릭스(Passive Matrix) 방식의 유기 발광 다이오드(OLED ; Organic Light Emitting Diode)로 구성된 유기 EL 디스플레이 패널 의 계조표현을 하기 위한 유기 EL 디스플레이 드라이버에 관한 것으로서, 적은 회로의 부피나 소자로 구성하여서 많은 계조표현의 출력을 얻을 수 있도록 한 PWM(Pulse Width Modulation) 방식과 PAM(Pulse Amplitude Modulaton) 방식을 혼합하여 구동하는 혼합 계조표현을 위한 유기 EL 디스플레이 드라이버를 개시한다. 본 발명은 유기 EL 디스플레이를 구동하기 위하여 부품수를 최소화하면서도 더욱 많은 계조표현을 할 수 있도록 한 것으로, 이를 위하여 본 발명은 유기 발광다이오드(OLED)를 이용한 패시브 매트릭스 방식의 유기 EL 디스플레이 패널과 이를 구동할 수 있는 전원부와 픽셀에 공급하는 전류를 정 전류로 공급하기 위한 정전류 생성부와 PAM 및 PWM 방식의 전류 생성부와 PAM 과 PWM 전류 생성부를 제어할 수 있는 중앙 제어장치로 구성된 것이다. 이에 따라 본 발명은 회로의 부품수를 최소화하면서도 많은 계조표현을 할 수 있는 고성능의 드라이버 설계가 가능하게 되며, 회로의 부피를 줄일 수 있어서 제품의 소형화가 가능하고 제조 원가를 절감할 수 있게 되는 효과가 있는 것이다.
- 보유기관
- (재)충남테크노파크
- 등록일
- 2008-12-01
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