일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 반도체 웨이퍼 가공에 반드시 필요한 패드연마 공정에 사용되는 연마공구를 제작하는 방법으로서 다이아몬드와 합성수지를 이용하여 제작하는 방법으로서 현재 국내 개발특허가 출원 되어 있으며, 실용신안(이중출원)이 등록 되어있고 기술심사평가도 접수되어있는 우수 기술로서, 기존의 시장에 출시되고 있는 연마컨디셔너 보다 연마 수명이 우수 할 뿐만 아니라, 기존의 연마공구보다 설비투자도 적으며 생산성도 우수하며, 제조원가의 절감효과도 뛰어난 기술입니다.기존시장의 반도체 웨이퍼를 연마하는 공정의 연마공구는 표면층이 금속층으로 이루어져 있어 웨이퍼 연마시 사용되는 슬러리액(연마제)에 금속산화 반응이 일어나 연마공구로서의 재수명 역활을 못 해왔으나, 본 발명은 연마패드(Pad) 연마 시 일정 높이로 평탄도를 유지 하면서 장시간 연마가 가능하도록 할 수 있을 뿐만 아니라, 1차로 연마입자(다이아몬드)가 고정층에 의해 안정하게 고정 지지되도록 하고, 2차로 합성수지층을 이용하여 고정층이 슬러리액(Slurry)에 의해 산화 또는 부식되는 것을 방지할 수 있으며, 패드(Pad)의 슬러리액(Slurry)이 금속질 불순물 또는 유리질 불순물로 인해 오염되는 현상을 줄일 수 있다는 우수한 효과가 있으며. 연마공구로서의 성능이 우수할 뿐만 아니라 제조원가 절감의 효과도 볼수있으며 국내및 해외 시장성이 우수한 기술입니다.
- 등록일
- 2005-12-15
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
*원리 및 개요본 기술은 화학적 이전 처리 단계와 RuO2의 증착 단계 사이에 수소 또는 아르곤 ECR 플라즈마 이전 처리를 수행하여 TiN 막을 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 RuO2의 증착방법에 관한 기술이다.*중요성 및 독창성1) 본 기술에서 수소 또는 아르곤 ECR 플라즈마의 노출시간은 1～3 분이 바람직하며, 아르곤 ECR 플라즈마의 노출시간은 2 분이 가장 좋으며, 이때 핵생성이 가장 많이 된다.2) 아르곤 플라즈마 전처리는 매우 적은 노출시간에도 매우 효과적이다. 최적의 플라즈마 노출시간의 측면에서 볼 때 수소 플라즈마 이전의 처리에 비해 더 좁은 범위의 공정 단위를 갖는 것을 알 수 있다. 3) 수소 플라즈마 전처리의 경우 노출시간이 증가함에 따라 RuO2의 핵생성밀도가 증가하여 최대치에 이른다. 노출시간 3 분 이상에서 핵생성 밀도의 최대치를 계속 유지한다.4) 산소 ECR 플라즈마 전처리는 RuO2 핵생성을 막는 역할을 하였다.*특징 및 장점1) TiN 막 표면에 아르곤이나 수소 플라즈마 이전 처리를 수행함으로써 TiN막 표면의 산소와 질소원자를 제거하게 되며, TiN막 위에 더 쉽게 핵이 생성되어 쉽게 RuO2 막을 얻을 수 있다. 2) RuO2는 다양한 특성으로 주목할 만한 관심을 보이고 있는데 그 이점으로 보면, - 매우 뛰어난 캐패시턴스와 수명이 길기 때문에 고전압, 고에너지 밀도의 전기화학적 캐패시터에 대한 우수한 전극재료 - VLSI에서 RuO2 박막의 다양한 응용과 연구 - 고밀도의 DRAM과 VNRAM 소자에서 비휘발성 또는 고유전율 얇은 막 저장방식의 캐패시터에 대한 전극물질로 연구등으로 응용분야가 넓어지고 다양한 시장을 확보할 수 있을 것으로 기대된다.*응용분야 본 기술은 반도체 업체와의 협력을 통하여 사업화를 진행하거나, 본 기술이 반도체 박막 장비 기술을 보유하고 있는 반도체 장비업체에 대한 기술이전을 통하여 사업화 진행이 필요할 것이다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2006-01-18
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술의 ZnO 증착방법은 초기 발생되는 ZnO 막성장의 잠복기를 감소시키기 위한 것으로, ZnO 막 증착 전에 기판의 표면을 ECR 플라즈마 전처리를 진행한다. ECR 플라즈마 전처리는 기판이 로딩되어 있는 고밀도 플라즈마를 이용하는 ECR 플라즈마 챔버에 반응 가스를 공급하고, rf-전원 하에서 반응 가스 플라즈마를 형성하여 수행한다. 이때, rf-전원은 250～350 W이며, 플라즈마 노출시간은 5～15 분이다. rf-전원과 ECR 플라즈마의 노출시간의 범위를 초과할 경우 기판이 플라즈마에 의해 데미지를 입게 되어 기판표면이 손상을 입는 문제점이 발생하며, 범위 미만인 경우에는 ZnO 막성장의 잠복기를 감소시킬 수 있는 충분한 세정이 기판에 이루어지지 못하는 문제점이 발생한다. 본 기술에서 사용가능한 기판은 Si 또는 사파이어 기판이며, 반응 가스는 산소, 수소 또는 아르곤 가스를 사용한다. 산소 ECR 플라즈마 전처리를 수행한 경우, ZnO의 30 싸이클 증착이후 기판 표면에 막성장이 관찰되며, 또한 ECR 전처리를 하지 않은 경우 Si 에 비하여 사파이어 기판 상에서 막성장이 더 늦으나, 산소 ECR 플라즈마 전처리를 수행함으로써 Si과 사파이어 기판 상의 막성장이 시작이 거의 비슷하게 된다. 본 기술은 원자막 증착법(Atomic Layer Deposition, ALE)을 이용한 ZnO 막을 증착하는 방법에 있어서, ZnO 증착전에 ECR 플라즈마 전처리를 수행하여 Si 또는 사파이어 기판을 세정하는 단계를 포함하는 특징이 있다. 본 기술에 의한 ZnO 막성장의 잠복기를 감소시켰고, 특히 기판 표면의 히드록시기 밀도를 증가시켜 막성장을 더욱 향상시킬 수 있으며, 또한, 처리되지 않은 사파이어 표면은 Si 표면보다 포화 히드록시 충진밀도가 낮기 때문에 사파이어 표면에서의 막 성장이 상대적으로 늦어지며, 따라서 ECR 산소 plasma의 효과는 사파이어 기판에서 더욱 두드러는 기술이다. ZnO는 우수한 전기적, 광학적 특성으로 인해 지난 수십년 동안 많은 연구가 수행되고 있는 재료로서, 최근에는 고품위 ZnO 박막을 토대로 한 LED, LD, 자외선 검출기 등의 광소자용 반도체 재료로서의 가능성 때문에 그 중요성이 크게 증가하여 많은 연구가 집중되고 있다. 이러한 광원의 국내시장 규모는 2003년 1.1조원, 생산규모는 6천억원 수준인 것으로 파악되고 있으며, 계속해서 성장할 것으로 예상되고 있다. 현재 유력한 발광물질로서 연구되어온 GaN는 일본의 니치아 화학에서 독보적인 기술개발로 LED 시장을 석권하고 있는 실정이다. 본 기술은 발광소자 칩 개발 및 생산능력을 보유하고 있는 삼성전기, LG이노텍, 나리지온 등의 업체와의 협력을 통하여 사업화를 진행하거나, 본 기술이 장비기술인 점을 감안하여 반도체 박막 장비 기술을 보유하고 있는 반도체 장비업체에 대한 기술이전을 통하여 사업화 진행이 필요할 것으로 판단된다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2006-01-18
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술은 표면실장 부품이 장착되는 회로기판에 크림 납(cream solder)을 사용하여 크림 납땜(cream soldering)할 때 사용되는 탄성을 갖는 메탈마스크에 관한 것이다. 이 기술을 통해 납땜불량을 방지하여 고품질의 납땜인쇄가 가능하다. 종래의 것보다 오래동안 사용할 수 있다. 작업공수와 원가를 절감할 수 있다. 탄성을 갖는 메탈마스크를 제공하기 위하여, 크림 납땜을 하기 위한 개구부가 형성된 메탈마스크와, 이 메탈마스크를 지지하기 위한 프레임과, 상기 메탈마스크의 가장자리 부근에 형성되어 상기 개구부에 탄성을 부여하기 위한 다수개의 탄성공을 구비하도록 하였다.본 기술은 크림 납땜을 하기 위한 개구부가 형성된 메탈마스크부와, 상기 메탈마스크부를 부착하여 지지하기 위한 프레임과, 상기 메탈마스크부의 가장자리 주위에 형성되어 상기 개구부가 형성된 메탈마스크부에 소정의 탄성을 부여하기 위한 다수개의 탄성공이 형성된 것을 특징으로 한다. 메탈마스크를 여러번 사용하여도 메탈마스크부의 탄성력에 변화가 없어 메탈마스크의 수명을 한층 더 연장시킬 수 있으며, 종래의 매쉬 스크린을 프레임에 부착하고 메탈마스크를 매쉬 스크린에 부착하는 작업공수와 매쉬 스크린의 원가를 절감할 수 있다.
- 보유기관
- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2006-03-15
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술에 의한 칩의 흡착헤드는, 하우징에 회전가능케 장착된 회전수단과, 상기 회전수단에 장착되어 칩을 흡착하는 흡착수단과, 상기 흡착수단을 업·다운시키는 노즐업다운수단과, 상기 회전수단의 하부에 장착되어 칩을 픽업하는 핀거수단과, 상기 핀거수단을 회동시키는 푸셔이동수단과, 상기 하우징과 흡착수단과의 사이에 연결고정되어 흡착수단의 상하작동을 안내하는 안내수단으로 이루어진 것을 특징으로 되어 있기 때문에 헤드교환방식이 아닌 노즐교환방식에 따라 각종칩을 용이하게 센터링할 수 있음과 동시에 교환작업 및 교환시간을 최대한으로 줄일 수 있는 간단한 구조를 갖는 효과가 있는 것이다.칩의 흡착헤드에 있어서, 하우징에 회전가능케 장착된 회전수단과, 상기 회전수단에 장착되어 칩을 흡착하는 흡착수단과, 상기 흡착수단을 업·다운시키는 노즐업다운수단과, 상기 회전수단의 하부에 장착되어 칩을 픽업하는 핀거수단과, 상기 핀거수단을 회동시키는 푸셔이동수단과, 상기 하우징과 흡착수단과의 사이에 연결고정되어 흡착수단의 상하작동을 안내하는 안내수단으로 이루어진 것을 특징으로 하는 칩의 흡착헤드. 하우징에 회전수단을 매개로 지지된 흡착수단과 핀거수단이 각각 제1실린더와 제2실린더에 각각 연결되어 상하 작동되면서 칩을 흡착 및 픽업하는 구조로 되어 있기 때문에 헤드교환방식이 아닌 노즐교환방식에 따라 각종칩을 용이하게 센터링할 수 있음과 동시에 교환작업 및 교환시간을 최대한으로 줄일 수 있는 간단한 구조를 갖는 효과가 있다.
- 보유기관
- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2006-03-15
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
현재 육안 검사 위주로 되어 있는 반도체용 인쇄회로 기판(BGA Substrate)의 후공정을 특화된 자동 검사 장비의 운용과 전문적인 관리자의 관리로 내부 운용대비 3 ~ 10% 이상의 수율 향상 및 낮은 불량비용(Failure Cost)의 지출을 가능케 함으로써 궁극적으로 단순 외주 업체의 틀을 벗어나 후공정(Back-End) 및 출하 품질에 대한 대행을 목적으로 함.이외에도 부가적으로 고객이 필요로 하는 생산/품질 Data를 적시에 제공 함으로써 고객만족(Customer Satisfaction)을 이룸.반도체 인쇄회로 기판의 경우 생산 설비의 도입 금액등이 수백억대에 달하며 실제 20,000 sqM의 생산 Capa.를 가지기 위해서 600억 이상의 금액이 소요됨. 그러나 PCB 후공정(Back-End Process)의 경우 전체 판가의 10%정도가 공정 가격으로 책정 되는데 투자 비용의 경우 이보다 작은 비중으로 가능하게됨. 또한 투자에 대한 감가상각 기간을 2년 반으로 설정하고 있어 상대적으로 안정적이며 높은 수익율을 보장 함.광주의 경우 대단위 반도체 업체가 입주해 있고 이를 기반으로 숙련된 검사원 및 작업자의 양성이 어느부분 이루어져 있는 상태임. 광주 공항을 이용하여 궁극적으로 제주를 통한 일본,대만 및 직접 노선인 상하이 업체와의 안정적 거래가 가능함.
- 보유기관
- (재)광주테크노파크
- 등록일
- 2006-02-14
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
기판의 단층부에 위치된 포토리지스트패턴의 단면은 모서리가 형성된 다각형으로 형성되어 있기 때문에, 곡면으로 미소금형을 형성하기 위해서는 포토리지스트패턴이 위치된 기판을 포토리지스트가 녹을 때까지 가열하여 포토리지스트패턴이 액상이 되면, 단층부의 내측 부분까지 용융된 포토리지스트패턴이 스며들고, 포토리지스트패턴의 외부면은 용융된 상태이므로 둥근 곡면을 형성하게 되므로, 단층부 외측면 전체가 둥근 곡면을 형성하게 된다. 이렇게 고형으로 굳어진 포토리지스트패턴과 기판에 의해 보다 정교해진 원형 기판을 구현하게 되며, 포토리지스트패턴에 의해 곡면이 구현된 기판의 상측면에 물리, 화학적인 방법으로 금속층을 형성한 후, 금속층인 미소금형으로부터 기판 및 포토리지스트패턴을 제거하면, 미소금형이 완성된다. 본 기술은 식각에 의해 형성된 기판에 포토리지스트패턴을 이용하여 곡면을 구현하고 이 포토리지스트를 이용하여 곡선형 미소금형을 제조하는 특징이 있는 기술이다.본 기술은 곡률에 따라 알맞게 형성된 곡률조정구에 의해 곡면이 구현된 미소금형을 제조하여, 정밀한 반도체 및 인쇄 회로 기판을 생산할 수 있는 등의 효과가 있는 기술이다.MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 기술은 반도체 미세가공기술을 이용해, 미소한 기계 부품을 제작하는 기술이며, 금형성형기술은 현대의 대량생산 기술로 비용 절감효과가 매우 높은 중요한 제조기술이다. 현재, 이 금형성형기술을 MEMS에 이용해, 그 상업화를 목표로 하는 시도가 활발히 행해지고 있으며, MEMS 기술의 이용이 기대되는 분야로는, 광학 부품을 취급하는 Optical MEMS, 및 유체를 조작하는 Fluidic MEMS 혹은 Bio MEMS 등의 분야가 있다. 이 분야는 앞으로 큰 시장이 전망되고 있으며 다양한 미소 시스템 제품이 기대되고 있고, 본 기술과 같이 미소금형을 이용하여, 반도체 기판 및 인쇄 회로 기판 등을 사출성형 방법으로 제작하는 기술도 개발되고 있다.본 기술은 미소금형 제조방법에 관한 것으로 미소금형을 이용하여 반도체 기판 및 인쇄 회로 기판을 제작하기 위하여 연구개발중인 업체와의 기술협력 또는 기술이전을 통하여 사업화를 진행하는 것이 필요할 것으로 판단된다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2006-03-16
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
*원리 및 개요본 기술은 SOG(Spin of Glass)와 불화유기막이 코팅된 PDMS 폴리머 마이크로웰 칩에 관한 것으로, 구체적으로 PDMS 표면 위에 SOG(Spin on Glass) 및 불화유기막으로 이루어진 그룹 중 하나 이상이 코팅되어 있는 마이크로웰 칩에 관한 것이다. *중요성 및 독창성1) SOG는 PDMS 위에 코팅되는 산화막으로서, PDMS의 보호막으로 작용하여 유기물에 대한 직접적인 반응을 억제한다. 2) PDMS의 표면에 액상의 SOG를 스핀-코팅한 후, 약 100℃의 오븐에서 15분 정도 가열하여 고체상의 산화막을 형성시킨다.3) 불화유기막은 CF4, CHF3 또는 C4F8 가스와 같은 공정가스, 또는 고주파 기체방전으로부터 쉽게 얻을 수 있으며, SOG와 PDMS의 접착특성을 개선시키고, SOG와 함께 유기용제와의 반응을 억제하는 역할을 수행한다.*특징 및 장점1) PDMS 표면 위에 불화유기막이 먼저 코팅되고, 그 위에 SOG가 코팅된 형태를 갖는다. 이 경우 불화유기막이 PDMS와 SOG의 접착특성을 개선하고, 두 층으로 형성되어 가장 안정적인 마이크로웰 칩 특성을 얻는다.2) PDMS 표면 위에 불화유기막 만이 코팅된 형태를 갖는다. PDMS의 보호막 역할을 한다.3) PDMS 표면 위에 SOG 만이 코팅된 형태를 갖는다. 이 경우 PDMS 마이크로웰 칩의 표면을 변하지 않고 물에 대한 친화력을 유지시킨다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2006-03-16
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
이 발명은 어드레스를 자동 증가시켜 롬을 억세스하는 방법 및 그 장치에 관한 것으로서, 데이터를 읽고 처리하는 중앙처리장치와 ; 중앙처리장치가 작업을 수행하는데 있어서 필요한 데이터가 이미 탑재되어 있는 롬과 ; 상기 중앙처리장치와 롬 사이에 연결되어 중앙처리장치의 선택에 따라 롬을 제어해주는 입출력포드부와 ; 상기 입출력포트부와 롬 사이에 연결되어, 읽고자 하는 연속적인 롬 데이터의 첫 번째 영역의 어드레스 입력을 받아 출력한 후, 상기의 어드레스를 계속 증가시켜 출력하여 롬 데이터 읽기가 연속적으로 수행되도록 하기 위한 자동증가회로부로 이루어지는데, 중앙처리장치가 다수의 롬에 저장되어 있는 데이터중에서 일부분의 데이터를 연속적으로 읽을 때, 연속적인 데이터의 첫 번째 영역의 어드레스만 주고 롬 데이터를 읽으면 다음 영역의 어드레스는 자동으로 증가되어 연속적으로 롬 데이터를 읽을 수 있으므로, 입출력포트를 억세스(access)하는 횟수가 줄고 그로 인해 수행 속도가 빨라지게 되어 전반적인 성능과 효율성이 향상되는 효과를 갖는다.데이터를 읽고 처리하는 중앙처리장치와; 상기 중앙처리장치가 작업을 수행하는데 있어서 필요한 데이터가 이미 탑재되어 있는 롬부와; 상기 중앙처리장치와 롬 사이에 연결되어 중앙처리장치의 선택에 따라 롬을 제어해 주는 입출력포트수단과; 상기 입출력포트수단과 롬 사이에 연결되어, 읽고자 하는 연속적인 롬 데이터의 첫 번째 영역의 어드레스 입력을 받아 출력한 후, 상기의 어드레스를 계속 증가시켜 출력하여 롬 데이터 읽기가 연속적으로 수행되도록 하기위한 자동증가수단으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 어드레스를 자동증가시켜롬을 억세스하는 장치.
- 보유기관
- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2006-03-06
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
뮤즈 신호를 수신하는 수신장치에 있어서 뮤즈 신호의 클램프 레벨을 정해진 레벨과 비교 판정하여 레벨조절 제어신호를 발생하는 레벨 판정부와 레벨 판정부의 레벨조절 제어신호를 뮤즈 신호의 클램프 구간에 응답하여 출력하는 클램프 신호구간 윈도우부와 클램프 신호구간 윈도우부를 통한 레벨조절 제어신호에 응답하여 수신된 클램프 레벨을 원하는 레벨로 조정하기 위한 레벨 조정부를 구비하여서는 입력되는 1125라인의 뮤즈신호 중 563, 1125라인에 실려 이는 클램프 레벨을 추출하여 지정된 레벨( )이 아닐 경우에는 카운터를 이용하여 제어함으로서 시스템의 안정성 및 클램프 레벨의 불안정으로 인한 화질열화를 방지할 수 있다.뮤즈신호를 수신하는 수신장치에 있어서, 상기 뮤즈신호의 클램프 레벨을 정해진 레벨과 비교판정하여 레벨 조절 제어신호를 발생하는 레벨 판정부와, 상기 레벨 판정부의 레벨 조절 제어신호를 뮤즈신호의 클램프 구간에 응답하여 출력하는 클램프 신호구간 윈도우부와, 상기 클램프 신호구간 윈도우부를 통한 레벨 조절 제어신호에 응답하여 수신된 클램프 레벨을 원하는 레벨로 조정하기 위한 레벨 조정부를 구비한 것을 특징으로 하는 클램프 레벨 자동조절회로.
- 보유기관
- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2006-03-06
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술은 다이아몬드상 카본막인 음극과 게이트를 근접시키기 위해서 위치 정렬을 용이하게 하는 방법이다. 다시 말해, 다이아몬드상 카본막이 각 단위 화소당 전자 방출원의 역할을 수행하고 여기에 게이트를 붙여 전계방출을 조절하는 삼극관 구조의 전계방출소자 제조방법이다. 본 제조 방법은 우선, 반도체 기판 상에 제1절연막, 제2절연막, 게이트 금속막 및 희생막을 차례로 형성하고, 희생막 상에 게이트 마스크 패턴을 구성하여 희생막을 식각한 후 게이트 마스크 패턴을 제거한다. 그리고 희생막의 식각으로 노출된 게이트 금속막을 식각하고, 제2절연막과 제1절연막을 차례로 식각하되, 식각되어 패터닝된 니켈막의 측벽과의 수직 연장선에서 제1절연막의 측벽이 더 식각되도록 한다. 이어서, 레이저 애블레이션 증착법으로 다이아몬드상 카본막을 형성하고, 패터닝된 니켈막과 그 상부의 다이아몬드상 카본막을 제거한다.기존의 전계방출소자의 몰리브데늄 또는 실리콘으로 바늘을 형성하는 방식은 복잡한 공정과 각각의 바늘 형태에 따른 불균일한 전계방출이 문제였으나, 전계방출 원인 음극의 형상을 바늘로 만들 필요가 없어 간단한 공정과정과 향상된 소자의 신뢰성을 갖춘 편평한 다이아몬드상 카본막을 전계방출소자로 이용하려는 연구가 활발해 졌다. 그러나 이 재료는 까다로운 패터닝으로 근접하게 게이트를 형성하기가 어렵고, 고전압을 걸어야만 전계방출 전류를 얻을 수 있기 때문에 제한적으로 이용되었다. 또한, 다이아몬드상 카본막을 형성하는 방법은 화학기상증착법이 일반적으로 이용되어 왔는데 원하는 소자 모양의 형성이 어려웠다. 그러나 본 기술의 전계방출소자 제조 방법은 다이아몬드상 카본막을 레이저 애블레이션 방법으로 증착하여 카본이 타겟 기판에 직선으로 날아가므로 새도우 마스크를 이용해 음극부분에만 다이아몬드상 카본막을 형성할 수 있다. 그리하여, 원하는 소자의 형태 그대로 각각의 화소로 패터닝이 가능하고, 게이트와 음극 부분이 단절되므로 소자의 성능을 향상시킬 수 있다. 또한, 마이크로미터의 거리에 게이트를 형성하여 낮은 전압이 게이트에 걸리더라도 전계방출 전류를 얻을 수있다. 즉, 본 기술은 다이아몬드상 카본막을 전계방출소자로 이용하여 실리콘 전계방출소자의 재료적인 단점을 보완하였고, 쉬운 공정으로 다이아몬드상 카본 음극에 게이트를 형성하여 낮은 전압으로 소자를 구동하며, 전계방출소자의 응용이 광범위해졌다. 또한, 다이아몬드상 카본막을 레이저 애블레이션 방법으로 증착하기 때문에, 다이아몬드상 카본막이 게이트 옆면에 붙지 않으므로 게이트와 음극 부분의 전기적 분리가 쉽다.
- 보유기관
- (주)케이티
- 등록일
- 2006-03-06
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술의 실리콘 팁형의 전계방출소자 제조 방법은 다이아몬드상 카본막이 코팅된 실리콘 팁의 음극과 게이트의 위치를 쉽게 정렬시킬 수 있는 전계방출소자 제조 방법이다. 우선, 팁을 형성할 부위의 반도체 기판 상에 마스크 패턴을 형성하여 노출된 반도체 기판을 등방성으로 부분식각하고 마스크 패턴 하부에 아래로 깎인 반도체 팁을 형성한다. 반도체 팁의 탑 부위를 날카롭게 하기 위해서 노출된 반도체 기판을 산화시켜 제1산화막을 형성하고, 게이트가 형성될 부위의 제1산화막 상부와 마스크 패턴의 상부에서 아래로 깎인 부위를 기준으로 분리 형성되는 게이트 절연막을 형성한다. 그리고 게이트 절연막 상에 게이트 금속막과 희생막을 차례로 형성하고, 제1산화막을 부분 식각하며, 레이저 애블레이션 방법으로 희생막 상부와 반도체 팁 부위에서 서로 분리되는 다이아몬드상 카본막을 형성한다. 마지막으로 희생막 상의 다이아몬드상 카본막과 희생막을 동시에 제거한다.반도체에 강한 전기장이 걸리면 전자가 전위 장벽을 뚫고 진공으로 방출되는 현상을 전계방출이라 한다. 기존의 전계방출소자로 서 이용된 소자들 중, 몰리브데늄 소자는 재질이 금속이지만 균일한 각 격자의 팁을 구성하는 것은 물론 공정에 어려움이 많았고, 실리콘 소자는 초미세 집적 공정을 응용할 수는 있으나, 실리콘 자체의 열전도가 나쁘고 재질이 약하여 수명이 짧았다. 또한, 실리콘을 섬세한 팁 모양의 음극으로 형성하기 위해서는 고도의 기술이 필요하며 게이트 금속막과 음극과의 미세한 위치 정렬을 위한 패터닝이 어려웠다. 그러나, 본 기술은 기존의 방식과는 달리 열전도가 향상되고 수명이 연장되며, 다이아몬드상 카본막 자체로서도 전계 방출이 일어난다. 따라서, 본 발명은 전계방출소자의 실리콘 팁에 다이아몬드상 카본을 화학기상증착법(CVD)으로 형성하지 않고 레이저 애블레이션 방법으로 형성하여 게이트 금속막과 실리콘 팁간의 미세한 위치 정렬 등 패터닝 공정을 단순화하였다. 또한, 옆면이 파인 절연막(SiO2)을 새도우 마스크로 이용하여 레이저 애블레이션으로 다이아몬드상 카본막을 형성하므로 음극 팁과 게이트 금속막이 전기적으로 분리되어서 소자가 전기적 아크(arc) 때문에 파괴되는 경우가 줄어들고, 다이아몬드상 카본은 자체 저항이 실리콘보다 크므로 전계방출 전류가 불안정할 때 전류 x저항에 의한 전계방출 전압 조절로 안정하게 피이드백할 수 있다.
- 보유기관
- (주)케이티
- 등록일
- 2006-03-06
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
레이저 충격파 세정(laser shock cleansing) 기법은 건조상태에서 레이저 펄스에 의한 공기의 절연파괴(breakdown)효과를 이용하여 충격파를 발생시키고, 이를 제거력으로 사용하는 방식이다.레이저를 이용하는 또 하나의 세정 기법으로 액막 보조 레이저 세정 기법이 있는데, 얇은 액막이 도포된 세정물에 레이저 펄스를 직접 조사해서 불순물을 제거하는 세정 방법으로, 세정물과 불순물의 계면에서 발생한 증발 압력을 제거력으로 사용하는 방식이다.이에, 본 발명은 레이저를 사용해서 레이저 유기 충격파와 액막으로 유도되는 증발 압력을 동기화하여 이를 불순물의 제거력으로 사용하는 세정 방법 및 장치에 관한 발명이다.레이저를 사용해서 레이저 유기 충격파와 액막으로 유도되는 증발 압력을 동기화하여 이를 불순물의 제거력으로 사용하는 세정 방법 및 장치에 관한 발명으로서, 세정물에 액막을 도포하는 단계; 하나 이상의 광학부를 통과한 레이저 펄스를 상기 세정물위의 소정 거리로 떨어진 곳에서 포커싱(focusing)하여 플라즈마를 발생시켜 충격파를 생성하는 단계상기 액막이 도포된 세정물 표면에 레이저를 조사(照射)하여 액막을 기화시키는 단계상기 충격파가 상기 불순물에 도달되는 시간과 상기 세정물 위에서 액막의 증발이 일어나는 시간을 동기화하는 단계도달시간이 동기화된 증발압력과 충격파로 불순물을 제거하는 단계로 이루어진다
- 보유기관
- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술은 반도체 생산공정중에 사용되는 것으로, 반도체의 친적인 먼지(Partcle)을 제거하기 위해 순수물(D.I.WATER)로 세정공정을 거친 실리콘 웨이퍼(Si Wafer) 상에 잔존하고 있는 수분을 건조시키는 장치인 이소프로필 알콜증기 세정기에 관한 것이다.웨이퍼가 담긴 캐리어는 로보트암 재치부에 형성시킨 대봉과 소봉에 의해 일측으로 기울면서 웨이퍼가 경사지게 되므로 반도체 웨이퍼가 고집적도여서 선폭이 좁아도 골고루 반응할 수 있게 되고 반응된 혼합물의 배수가 잘되게 되어 건조시간이 짧아지고 생산량이 증가하게 되는 것이다.본 기술은 친수성과 고침투성을 갖는 유기용제의 일종인 이소프로필 알콜(ISO-PROPYL ALCOHOL)을 가열부로 가열하여 증기를 최단시간내에 다량 발생시켜 이 증기로 웨이퍼상에 잔존하는 수분과 반응하여 혼합물로 떨어지도록 한다. 이는 폐액회수용기에 모아 재 증발하는 것을 방지하면서 외부로 배수처리할 수 있도록 하므로서 화합물로부터 발생할 수 있는 먼지(PARTICLE)를 최소화함으로써 불량율을 최소화하고 용기상측에 냉각관과 개폐도어를 장설하여 이소프로필 알콜의 소모량을 줄이고 로보트암에 캐리어를 올려놓으면 웨이퍼가 기울어 반응도가 증대되고 배수가 잘 되도록 하고 이소프로필 증기가 웨이퍼에 골고루 접촉, 반응하므로 천적인 먼지(PARTICLE)을 최소화하고 수분을 최단시간내 건조시켜 불량율을 줄이고 생산성을 증가시킨다. 이소프로필 알콜증기 세정기의 쿼츠챔버 유입관으로 이소프로필알콜을 바닥면에서 높이 약 2-3㎝정도로 채운후 가열히터부의 히터로 간접가열을 하면 쿼츠챔버내에 이소프로필 알콜증기가 충만한 상태에서 개폐도어를 열어 생산라인에서 이송되온 웨이퍼가 담긴 캐리어를 로보트암 재치부위에 올려놓고 구동부를 구동시켜 로보트암을 하강 쿼츠챔버내 폐액회수용기 상측에 정지되도록 하고 개폐도어를 닫으면 웨이퍼에 잔존하던 수분이 이소프로필 알콜증기와 반응하게 되는데, 웨이퍼가 담긴 캐리어는 로보트암 재치부에 형성시킨 대봉과 소봉에 의해 일측으로 기울면서 웨이퍼가 경사지게 되므로 반도체 웨이퍼가 고집적도여서 선폭이 좁아도 골고루 반응할 수 있게 되고 반응된 혼합물의 배수가 잘되게 되어 건조시간이 짧아지고 생산량이 증가하게 되는 것이다
- 보유기관
- 한국산업기술평가원
- 등록일
- 2006-05-22
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
-발명의 목적 본 발명은 유리기판 상에 MEMS 공정기술을 이용하여 고효율의 보일링 표면 및 그 제작방법에 관한 것이다.- 종래의 기술 및 문제점MEMS에서 쓰이는 마이크로머시닝 기술은 크게 실리콘 벌크 에칭(bulk etching)에 의한 벌크 마이크로머시닝(bulk micro machining)과 실리콘 위에 다결정 실리콘, 실리콘 질화막 및 산화막, 금속막 등을 증착하고, 설계된 형상을 따라 식각하여 구조물을 제작하는 표면 마이크로머시닝(surface micromachining)으로 나눌 수 있다. 벌크 마이크로머시닝은 알칼리 용액이 결정의 방향에 따라 실리콘 단결정 웨이퍼를 식각하여 원하는 3차원 구조물을 구현할 수 있으며, 정확한 식각 깊이와 형상 제어가 핵심이다.표면 마이크로머시닝은 실리콘 기판 위에 구조층과 희생층을 증착하고 식각하는 공정을 통해 미세 구조물을 형성한다. 즉, 희생층과 구조층을 기판 위에 형성시킨 후 희생층을 식각하여 구조층만 남게 하는 방법이다. 현재, 표면 마이크로머시닝 기술에는 실리콘 산화막을 형성하는 열산화 기술, 실리콘에 불순물을 주입하는 이온 주입 기술, 금속 박막을 형성하는 금속 공정, 질화막이나 다결정 실리콘을 형성하는 화학 기상증착 등 고집적 회로의 제작에 사용되는 첨단의 반도체가공 기술이 응용되고 있다. 이러한 MEMS 기술은 기계, 금속, 반도체, 자동차 등 산업 전 분야에 걸쳐 점차 그 사용범위가 확장되고 있으나, 아직까지 보일링이 일어나는 표면에 액티브 뉴클리션 사이트 역할을 하게 될 오목한 형태의 캐비티를 배열하는데 이 기술을 적용하기 위한 표준적인 공정은 실용화되지 못하고 있다. - 발명의 구성① 유리기판 위에 제 1 금속 박막을 소정 두께로 증착하는 공정② 증착된 제 1 금속 박막을 포토-리소그라피 공정을 통해 열선과 패드를 형성하는 공정③ 열선 위에 제 1 음성 감광재를 소정 두께로 도포하고 노광하여 제 1 캐비티 구조물을 형성하는 공정④ 제 1 캐비티 구조물 위에 제 2 금속 박막을 소정 두께로 증착하는 공정⑤ 제 2 금속 박막 위에 제 2 음성 감광재를 소정 두께로 도포하고 패터닝하여 제 2 캐비티 구조물을 형성하는 공정⑥ 드러난 제 2 금속 박막을 식각하는 공정⑦ 제 2금속 박막의 식각을 통해 드러난 부분을 통해 제 1 음성 감광재를 현상하여 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.- 발명의 효과①본 발명에 따른 MEMS 공정을 이용한 고효율의 보일링 표면이 열공압식 구동기에 응용된다면 더욱 빨라진 구동 속도를 기대할 수 있다.②상변화에 의한 냉각 장치에 응용되어 열손실(heat sink)을 최대화 할 수 있다.
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-16
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
*원리 및 개요미세 U형 골 구조물의 제조방법에 관한 것이다.*구성1) 방사광 X-선을 이용하여 2번의 X-선 경사노광과 현상공정으로 기본적인 골 구조물을 만든 후2) 한번의 X-선 노광을 더 한 뒤, 열처리를 하여 미세 U형 골 구조물 성형틀을 만들고3) 2)의 미세 U형 골 구조물 성형틀위에 성형물을 굳혀서 미세 U형 골 구조물을 제조하는 방법에 관한 것이다.*특징 및 효과1) 아직까지 보고되지 않은 미세 U형 골구조물 제조방법을 제공함으로서 삼각 산맥형태보다 저항하는 힘의 감소효과가 더 좋다고 알려진 U형 골구조물의 제조가 가능하다. 2) 제조과정에서 생성된 미세 U형 골구조물 성형틀을 이용하면 쉽게 대량의 미세 U형 골구조물을 얻을 수 있다. 3) 제조과정에서 생성된 미세 U형 골구조물 성형틀에 PDMS와 같은 유연한 중합체(polymer: 분자가 중합하여 생기는 화합물)를 이용하여 골구조물을 만들면 평평한 부분뿐 아니라, 곡면에도 붙일 수 있어 그 적용범위가 더 넓어지게 된다.4) PDMS와 같은 투명한 중합체를 재료로 사용하면 실제로 적용하였을 때 본 물체의 표면상태를 관찰할 수 있다.
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
*원리 및 개요질화물 반도체의 이종접합 구조체 및 이를 포함하는 나노소자 또는 이들의 어레이에 관한 것이다.*중요성 및 독창성1) 질화물 반도체 박막 위에 수직 성장된 질화물 반도체 나노구조체로 구성됨을 특징으로 하며 나노구조체의 나노접합에 의해 터널링이 쉽게 일어나 발광이 잘 일어나므로 특성이 우수한 발광소자를 구현할 수 있다. 2) 질화갈륨을 이용한 지금까지의 발광소자는 사파이어 기판 위에 질화갈륨 박막이 올라간 구조를 가지고 있어,가격이 비싸고,대량 생산이 어려우며,이들의 효율을 증가시키기 위해 많은 노력이 기울여지고 있다. 따라서,본 기술은 기존의 문제점을 해결하여,터널링이 쉽게 일어나 발광 특성이 우수하여 대량생산이 가능한 새로운 구조의 나노소자를 제공한다.*특징 및 장점1) 박막 형태의 질화물 반도체 위에 수직 성장된 질화물 반도체 나노구조체로 구성되어 있다.2) 질화물 반도체의 박막과 나노구조체는 서로 다른 반도체 유형을 가지며,따라서 본 기술의 반도체 접합체는 p-n형 또는 n-p형의 이종접합체일 수 있다. 3) 질화물 반도체 박막은 기판없이 단결정 형태로 직접 이용될 수도 있고,기판 위에 예를 들면 통상의 유기화학증착법(MOCVD)에 의해 형성시킬 수도 있다. 4) 기판으로는 산화알루미늄(Al 2 O 3 ),실리콘(Si),유리(glass),석영(quartz)또는 실리콘카바이드(SiC)을 사용할 수 있다. 기판을 가열하고 그 위에 상압 이하의 조건에서 질화물의 유기금속 선구체 물질의 증기를 접촉시키는 통상의 유기금속화학증착법에 의해 기판위에 질화물 반도체 박막을 형성할 수 있다.
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-05-18
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 예를 들어 산화아연 반도체 나노막대의 특정 부위에 나노미터 크기의 금속을 선택적으로 증착시키고, 증착된 금속 물질의 일함수와 금속/산화아연의 계면 특성을 적절히 조절해 줌으로써, 접촉저항이 적은 오믹(OHMIC) 전극이나, 정류 특성을 보이는 쇼트키(SCHOTTKY) 전극을 형성시켜 이들 전극을 나노 크기의 쇼트키 다이오드를 포함한 다양한 전자 소자, 광소자 및 이들의 어레이에 적용할 수 있도록 한 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은, 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물에 있어서, 소정의 기재 위에 성장된 반도체 나노막대와; 상기 반도체 나노막대의 소정부위에 증착된 금속;을 포함하고, 상기 나노막대와 상기 금속 사이에서는 일함수 차이와 계면 특성에 따라 접촉 저항이 작은 오믹(OHMIC) 특성 또는 정류특성을 보이는 쇼트키(SCHOTTKY) 특성이 나타나도록 된 것을 특징으로 한다금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물에 있어서, 소정의 기재 위에 성장된 반도체 나노막대;상기 반도체 나노막대의 소정부위에 증착된 금속;을 포함하고, 상기 나노막대와 상기 금속 사이에서는 일함수 차이와 계면 특성에 따라 접촉 저항이 작은 오믹(OHMIC) 특성 또는 정류특성을 보이는 쇼트키(SCHOTTKY) 특성이 나타나도록 되고,상기 반도체 나노막대가 N-타입 반도체로서 상기 금속과 쇼트키 전극을 형성하는 경우, 상기 반도체 나노막대에 증착되는 상기 금속은, 일함수가 상기 반도체 나노막대의 전자 친화도(ELECTRON) 보다 큰 실리사이드 계열 금속이거나 또는 일함수가 상기 반도체 나노막대의 일함수 보다 작은 금속이고,상기 금속이 나노막대의 일함수 보다 작은 금속인 경우, 상기 금속 위에 금(AU) 또는 백금(PT)이 증착되는 것을 특징으로 하는 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물.
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술은 프린트 배선 기판(PCB-Printed Circuit Board)에 접점을 설치하는 장치에 있어서, 기판 위에 납(Pb, Lead)으로 된 미세한 크기의 볼(Ball)을 공급하는 장치에 관한 것이다. 종래의 접점 설치 장치는 버켓(Bucket)에 담긴 볼을 캐리어로 기판의 접점위치에 낙하시키도록 구성되어 있으나 본 기술에서는 별도의 캐리어를 설치하지 않고 버킷 자체의 저부에 볼 공급 구멍을 설치하여 캐리어를 버켓에 넣을 때 캐리어에 의한 충격으로 생기는 볼의 홈(Scratch)과 캐리어가 버켓에 쌓인 볼 중 캐리어의 이동 궤도 위치에 있는 볼들만을 수거하게 되는 결점을 개선할 수 있다.본 기술에 의한 볼 공급장치는 캐리어를 설치하지 않고 버켓 자체의 저부에 볼 공급 구멍을 설치하였다. 즉 버켓과 캐리어를 결합하여 버켓 내부의 볼이 버켓의 공급구멍으로 들어가게 하고, 버켓의 공급구멍에 들어간 볼을 기판상에 하락시키는 구조이다. 또한 볼이 버켓의 공급구멍에 들어가지 않는 일이 없도록 버켓의 진동크기를 확대시켜 구성하고, 버켓의 공급구멍에 들어간 볼을 하나씩 선출하여 배선 기판상에 하락시키는 선출판은 그 작동부만을 얇게 형성시켜 정형성을 확보할 수 있게 있게 하였다.
- 보유기관
- 한국산업기술평가원
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술은 광반응성 폴리이미드(photoactive polyimide)를 이용한 패시베이션(passivation) 방법에 대한 것으로써, 플라즈마(plasma)를 이용한 화학기상증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD) 방법에 비해 공정이 간단하고 소자의 성능 저하도 방지할 수 있으며, 저가격화가 가능한 광반응성 폴리이미드를 이용한 패시베이션방법이다.본 기술은 종래의 플라즈마를 이용한 화학기상증착 방법에 의한 패시베이션의 제반 문제점을 해소하기 위해, 광반응성 폴리이미드를 사용하여 한 번의 패턴 형성 작업으로 저유전율의 패시베이션 막을 제작함으로써 공정의 단순화 및 저가격화가 가능한 광반응성 폴리이미드를 이용한 패시베이션 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다. 광반응성 폴리이미드는 포토레지스트와 같이 405 nm 이하의 파장을 갖는 자외선에 반응하여 선택적인 패턴 형성이 가능한 장점을 가지고 있다. 또한 유전 박막 형성 및 식각을 위해 주입되는 소수의 기체 성분에 의해 소자 특성이 저하되는 현상을 방지할 수 있으며, 유전 박막을 형성하고 식각하기 위한 고가의 장비를 필요로 하지 않는다.본 기술에서는 광반응성 폴리이미드 유전 박막을 원하는 두께로 균일하게 도포할 수 있는 도포조건 및 적절하게 패터닝을 할 수 있는 굽기 조건, 또한 패터닝 이후에 유전막이 손상되지 않도록 실시하는 고온의 양생공정을 개발하여, 광반응성 폴리이미드를 반도체 기판에 회전 도포 한 후 선굽기를 수행하고, 패턴이 형성된 마스크와 광반응성 폴리이미드가 도포된 반도체 기판을 접촉시킨 후 405 nm 이하의 파장을 갖는 자외선에 노출시켜, 측정 와이어 본딩용 패드 등의 필요로 하는 부분만을 남기기 위한 노광과 노광된 광반응성 폴리이미드를 현상하여 필요로 하지 않는 부분을 제거한 후, 흡착력 강화와 광반응성 폴리이미드의 경화를 위한 현상과 후굽기(post-baking)로 구성된 광반응성 폴리이미드를 이용한 패시베이션 방법을 제공하고자 한다.
- 보유기관
- 효성특허법률사무소
- 등록일
- 2006-05-24
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