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본 기술은 이종기판에 질화물 반도체 에피층을 성장시키는 과정에서 중간에 금속층으로 전환시킬 수 있는 중간 질화물 반도체 에피층을 삽입하고 그것을 금속층으로 전환시키는 방법에 의해 후속적으로 성장시키는 질화물 반도체 에피층의 내부 결함을 크게 낮추면서 응력 발생을 감소시키는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 중간 질화물 반도체 에피층으로부터 변환되어 생성된 금속층은 추후 질화물 반도체 에피층과 이종기판의 분리에 있어서도 선택적 식각 방법 등으로 쉽게 분리해낼 수 있다. 이 방법을 사용하는 경우 현재 2인치 이상의 대면적 기판 제조에 걸림돌이 되고 있는 기판 휨(warpage) 현상을 감소시킬 수 있다.
기존의 실시간 응력 측정 장치들이 갖고 있는 문제점을 개선하여 어떤 형태의 성장 장비에서건 활용될 수 있는 측정 방법에 관한 것으로 이를 위해 입사빔과 수평 방향, 수직 방향을 별도로 고려하는 보다 정확한 계산법을 통해서 정확하게 응력 측정 가능하다. 반도체 박막 특히 에피층 성장 시에 박막 내부에 발생하는 응력을 평행 레이저 어레이를 사용하여 실시간으로 관찰함으로써 박막의 두께, 응력, 조성 등을 알아낼 수 있다. 수평반응기에 장착한 레이저 어레이를 이용하여 박막 성장 도중의 박막에 인가되는 응력을 실시간으로 측정할 수 있으며 레이저 빔이 기판에 거의 수직으로 입사하는 경우 수평 형태의 MOCVD와 같은 상황에서는 응용이 불가능한데, 본 기술에서는 반응기의 옆면에 port를 마련하여 성공적으로 레이저 빔을 측정하였고, 그 분해능이 향상되는 것을 관찰할 수 있다.
본 기술은 반도체 양자점(quantum dot) 구조 형성 방법에 관한 것으로서 양자점 레이저, 증폭기, 광 스위칭 등의 광소자로 이용할 수 있는 양질의 양자점 구조 형성 방법에 관한 것이다. 본 기술에서는 반도체 기판 상에 양자점 층을 형성한 다음, 덮개층(capping layer)을 형성하기 전에, 격자 상수가 덮개층보다 작고 에너지 간격(band gap)은 덮개층보다 큰 이종 덮개층을 삽입하여 이 이종 덮개층의 두께를 변화시키면서 양자점의 발광 파장을 조절할 수 있다. 또한 양자점을 더욱 균일하게 변형시켜 발광 파장의 반가폭을 줄일 수 있고 본 기술에 따른 양자점 구조를 양자점 레이저, 증폭기, 광 스위칭 등의 광소자로 응용할 때 그 소자 특성이 개선될 가능성이 있다.
본 기술은 반도체 양자점 구조 형성에 관한 것으로서 양자점 층을 수직으로 적층하는 것에 관한 기술이다. 양자점을 형성하기 위한 여러 가지 방법 중에서 격자상수의 차이를 이용한 자발 형성방법에 의해 성장된 단층 양자점을 수직으로 적층하기 위해서는 양자점층 위에 형성되는 덮개층의 표면 균일도가 매우 중요하다. 수직으로 적층되는 양자점 각 층의 표면 형상을 각 층별로 언제나 일정하게 유지하기 위한 방법으로 양자점을 성장시킨 후 덮개층을 성장시키는 도중에 온도를 고온으로 상승시켜서, 즉 덮개층을 일정한 두께로 성장시킨 후 덮개층 성장온도를 높혀서 나머지 덮개층을 성장시키면 덮개층의 표면 균일도가 향상되며, 이 덮개층위에 형성되는 양자점층 또한 균일도를 향상시킬 수 있다.
본 기술은 격자가 이완된 반도체 박막 형성 방법에 관한 것으로서, 반도체 박막의 격자를 이완시킴과 동시에 표면을 평탄하게 유지하게 한다. 본 기술에서는 반도체 기판 상에 격자 상수가 다른 물질로 이루어진 박막층을 성장한 다음, 화학적 제거가 가능한 막을 덮개층(capping layer)으로서 형성하고, 이를 열처리한다. 열처리 후, 덮개층을 화학적 식각을 통해 제거함으로써 평탄한 표면을 얻는다. 박막층의 두께를 변화시키면 격자의 이완정도를 조절할 수 있고, 덮개층에 의해 표면의 평탄도는 일정하게 유지된다." 본 기술에 의하여 얻은 박막 구조 위에 성장하여 얻는 박막의 격자는 임의로 조절이 가능하며, 이를 통해 소자 특성이 개선될 수 있다. 박막의 격자를 이완시키는 기존의 방법들이 가지고 있는 문제점을 극복하여 간단한 격자 이완 방법을 통해 실제의 소자 공정에 있어서 공정의 경제성을 향상시킨다."
본 기술은 TiCl4와 NH3를 사용하여 저온화학증착법으로 양질의 두꺼운 TiN막을 얻을 수 있는 방법에 관한 것으로, 본 기술에 의하면 좁은 기체관을 통하여 반응로내로 유입되는 TiCl4 기체가 반응로 내부에서 충분한 체류시간을 확보할 수 있도록 하여 줌으로써 반응기체의 불충분한 예열로 인한 TiN막내의 불순물 잔존 등에 따른 코팅층의 접착력의 악화등의 문제점을 극복할 수 있다. 본 기술은 700℃정도의 저온에서 양질의 두꺼운(2㎛이상)TiN막을 제조하는 것이 가능하여 이러한 공정을 공구재료의 코팅층 형성에 적용할 경우 에너지 절감은 물론 코팅후 상변태에 따른 후속 열처리 공정이 불필요하게 되어 대량생산에도 잇점이 있다.
본 기술은 화학적 기상 증착 시스템의 챔버 내에 반응 소스를 균일한 분포로 공급하는 가스 분사기와 기판 사이에 RFI 코일을 삽입하여 전자기장을 형성함으로써 가스 분사기들을 통하여 공급되는 가스를 플라즈마 상태로 변화시켜 코팅을 증착시키는 시스템에 대한 것이다. 본 기술은 화학적 기상 증착 시스템에 유도결합 플라즈마를 형성함으로써 증착 속도와 막의 경도를 높여 주면서 적은 양의 가스로도 최대효율을 올릴 수 있다. RFI 코일에 의해 형성된 유도결합 플라즈마 내에서 소스 가스의 분해가 활발하므로 저온 공정으로도 우수한 특성을 가진 막을 증착할 수 있어, 고온에서 증착이 불가능했던 기판(예를 들어 렌즈, 플라스틱)에 물리적 기상 증착법이 아닌 화학적 기상 증착법으로도 증착이 가능하다. 화학적 기상 증착법의 원리상 기판상에서 분해되는 유효한 소스 가스의 양은 화학적인 분해 반응을 플라즈마가 어떻게 효율화시키느냐 하는 문제이므로, 유도결합 플라즈마 화학적 기상 증착법은 환경적인 문제에서도 커다란 장점을 가지고 있다.
본 기술은 플라즈마 형성을 통하여 반응성을 높이고, 높은 이온(플라즈마) 밀도를 형성하여 증착 속도를 높이고, 플라즈마의 밀도와 기판에 입사되는 이온에너지를 독립적으로 조절하여 미세 조직을 정밀하게 제어하여 형성하고, 치밀한 조직을 형성할 수 있는 유도결합 플라즈마를 이용한 이온 플레이팅 시스템에 관한 것이다. 본 기술에서는 기판과 소스 사이에 유도 결합 플라즈마를 발생시킴으로써 증착 성능을 높여서 치밀한 조직으로 증착이 가능하고 증착 속도가 빠르며, 저온에서도 증착이 가능하다. 위 공정을 이용하여 내식 및 내마모 코팅을 공구, 금형, 다이 등에 증착하면 제품의 생산성 및 수명을 현격히 연장시켜 주는 효과를 제공할 수 있다.
본 기술은 광이미지 및 광메모리용 화합물로 사용할 수 있는 신규의 액정성 찰콘 화합물 제공 및 200 ℃ 이상에서 액정이 형성되는 신규 찰콘 화합물을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 액정 상태에서 정렬시킨 후 중합하는 방법으로 열에 의해 간단히 분자들의 정렬을 유도할 수 있고, 기존의 자기기록매체의 한계를 극복할 수 있는 광기록매체개발에 활용이 가능하다.
본 기술은 자기저항소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 비휘발성 메모리 소자로의 응용이 활발히 연구되고 있는 스핀밸브 자기저항 소자의 제조시에 재료 내에 별도의 외부자장의 인가없이 자기이방성을 유도하여 자기저항소자를 제조하는 방법에 관한 것이다 본 기술에 따르면 기울여 잘라진 Si 기판과 Cu 바닥층 위에서는 증착 중 외부자장의 인가 또는 후열처리 공정 없이도, 자성층 / 비자성층 / 자성층으로 구성된 스핀밸브 거대자기저항재료 내부에 강한 일축자기이방성이 유도되어 메모리용 소자 등의 제조에 응용가능한 매우 유용한 기술이다.
본 기술은 산화지르코늄타이타늄 박막을 강유전체 물질의 확산 방지막 또는 버퍼층으로 이용한 전계형 트랜지스터 소자에 관한 것으로서 반도체 실리콘 기판상에 산화지르코늄타이타늄(ZrTiO4)으로 이루어진 버퍼층과 버퍼층 상부에 형성되는 납-지르코늄-타이타늄 산화물(PZT) 강유전체 유전막을 포함하여 구성된다. 본 기술은 강유전체 유전막 PZT의 구성성분인 Zr,Ti으로 이루어진 고유전율의 산화지르코늄타이타늄 박막을 버퍼층으로 사용함으로서 PZT박막과 버퍼층간의 계면특성이 향상되고, 상기 PZT와 반도체 실리콘 기판사이의 반응이 효과적으로 억제되므로 전계형 트랜지스터 소자의 특성을 향상시킬수 있는 장점이 있다.
본 기술은 안과 병원에서 환자의 안구를 디지털 데이터 형태로 촬영하여 데이터베이스화하여 관리할 수 있는 안과용 현미경 영상 디지털 처리 시스템에 관한 것이다. 본 기술은 일반적으로 안과등에서 CCTV 및 비디오 프린터를 사용함으로써 발생하는 문제를 대중적인 디지털 카메라를 사용함으로써 해결할 수 있게 했으며, 환자들의 기록을 데이터베이스화하는데 매우 편리하다.
본 기술에서는 알루미늄 소스물질로서, 유기 알루미늄 화합물(DMEAA, Dimethylethylamine alane)을 이용하며 이를 운반기체(수소등)를 이용하여 증착하고자 하는 기판에 접촉시키고 화합물의 해리반응을 유도한다. 또한, 기판 상에 에너지 공급원을 도입하여 해리반응에 의해 기판에 흡착된 물질을 열분해 시켜 단층의 알루미늄막을 얻을 수 있으며, 위 과정을 반복함으로써 원하는 두께의 알루미늄 막을 얻을 수 있다. 산화알루미늄막을 얻기 위해서는 얻어진 알루미늄 막을 산화하기 위하여 산소함유기체를 도입하고 위에서와 마찬가지로 열에너지 공급원을 통해 열에너지를 공급함으로써 산화알루미늄 막을 얻을 수 있다. 본 기술은 고순도의 높은 전기저항 및 빛에 대한 높은 투명도를 갖는 산화알루미늄 막을 증착시킬 수 있고 자연발화성이 아니며, 쉽게 증발하고 비휘발성 잔류물을 남기지 않으며, 염소와 탄소 오염의 위험이 적은 알루미늄의 화학적 원료로부터 산화알루미늄을 증착하는 것이 가능하다. 본 기술은 플라즈마 에너지를 도입함으로써 반응기의 온도를 낮추는 것이 가능하며, 막의 두께제어 특성과 막의 균일성이 우수한 산화알루미늄을 증착하는 것이 가능하다.
본 기술은 유리와 실리콘 기판의 저온 직접접합 방법에 관한 것으로써, 특히 웨이퍼 세척과 저온 열처리를 이용한 유리와 단결정 실리콘 기판의 저온 직접접합방법에 관한 것이다. 본 기술은 유리와 실리콘의 품질을 저하시키지 않고 접합 할 수 있는 방법을 제시함으로써 고품질의 각종 기판을 제작할 수 있다. 고품질, 그리고 공정 효율을 높이는 기술로써 여러 이종 재료의 접합에 응용할 수 있고, SOI를 기반한 ULSI 소자, Display에서의 FPD 응용, 그리고 MEMS 개발과 같은 여러 영역에 폭넓게 활용될 수 있다.
본 기술은 멤즈 소자의 밀봉 패키지 방법에 관한 것으로서, 특히 유리와 실리콘 기판의 저온 직접접합방법을 이용한 멤즈 소자의 가역적 밀봉 패키지 방법에 관한 것이다. 본 기술은 유리와 실리콘 기판의 저온 직접접합방법을 이용한 멤즈소자의 가역적 밀봉 패키지 방법에 관한 것으로서 멤즈소자의 제조방법중에서 1차 세정, 2차 세정한 후 유리와 실리콘 기판을 상온 대기중에서 직접 접합하여 400℃에서 열처리하여 접합할 뿐만 아니라 300℃ 이상의 온도에서 열처리하여 실리콘 상부에 접합된 유리 기판을 가역적으로 분리할 수 있는 방법을 제공함으로써, MEMS 분야에 있어서 종래의 양극접합을 이용한 밀봉 패키지를 대체할 수 있을 뿐만 아니라 표면 보호용 접합 기술등의 새로운 공정 기술로 유용하게 사용될 수 있다.
본 기술은 나노 튜브를 이용하여 커패시터의 전극 구조물을 형성함으로써, 수십 기가급 이상의 DRAM 소자에서 요구되는 단위 셀당 커패시턴스를 충분히 확보할 수 있는 커패시터 및 그 제조방법과, 이를 이용하여 수십 기가 이상의 저장 용량을 가지는 메모리용 I41 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 기술은 도전성 나노 튜브를 이용한 커패시터를 DRAM 소자와 같은 메모리 소자에 적용함으로써, 커패시터 제조 공정에 관련된 제반 문제를 획기적으로 개선할 수 있으며, 수십 기가급 이상의 저장 용량이 요구되는 메모리 소자의 경우에 충분히 채용가능 하다. 사진 식각 공정을 통하지 않고 미세한 구조의 나노 튜브들을 포함하는 커패시터를 형성할 수 있기 때문에 제조 원가를 절감할 수 있을 뿐만 아니라 공정 수율을 크게 향상시킬 수 있다.
본 기술에서는 다수의 접촉 감지점들을 소수의 라인형 접촉 감지선들로 새롭게 개선하여, 일련의 인체접촉 감지 메카니즘을 종래의 "개별 접촉 감지점들에 의한 디지털형 센싱 메카니즘"에서, "접촉 감지선들에 의한 아날로그형 센싱 메카니즘"으로 변경하고, 이를 통해, 소수의 라인형 접촉 감지선들 만으로도, 정상적인 인체접촉 감지과정이 이루어질 수 있도록 함으로써, 감지 회로부들의 개수 감소 및 이 감지 회로부들과 연결되는 신호처리 IC의 개별 핀 수 감소를 자연스럽게 유도한다. 본 기술의 실시에 의해 신호처리 IC의 개별 핀 수 감소가 자연스럽게 유도되는 경우, 해당 신호처리 IC는 예컨대, 패키지의 크기가 과도하게 커지는 문제점, 작은 패키지 면적에 많은 핀을 수용시키는 특수기술이 도입되어야 하는 문제점, 비용이 과도하게 증가하는 문제점 등을 일으키지 않게 되며, 결국, 이를 채용한 전자기기 역시, 고가의 제조비용을 수반하는 등의 단점을 나타내지 않게 된다.
본 기술은 접촉압력 감지형 입력 디바이스에 관한 것으로, 본 기술에서는 사용자의 의지에 따라 변화하는 핸들링 도구의 접촉압력을 정밀하게 측정할 수 있는 일련의 모듈환경을 구축하고, 이를 통해, 전자기기의 입력 컨트롤 메카니즘이 종래의 '핸들링 도구 움직임 활용형 메카니즘'에서, '핸들링 도구 고정형 메카니즘'으로 변경될 수 있도록 유도함으로써, 디바이스가 핸들링 도구의 움직임 공간을 별도로 할애하지 않고서도, 자신에게 부여된 입력 컨트롤러로써의 역할을 정상적으로 수행할 수 있도록 하고, 이를 통해, 디바이스의 사이즈 최소화를 유도한다. 본 기술은 기존의 트랙볼이나 마우스와는 달리 기계적인 동작이 아니라 전자적으로 동작하는 센서를 이용하여 입력을 감지하므로, 마모등에 의한 기기의 수명 단축 현상이 없다. 사용자는 입력을 더 쉽고 정확하게 할 수 있다. 핸드폰이나 노트북등의 입력 인터페이스로 사용이 가능하며, 비슷한 기기인 마우스와는 달리 적은 공간에서도 편리하게 같은 동작을 할 수 있다.
본 기술은 보관 상태에 따라서 양태를 달리하는 표시자들을 사용하고, 이 표시자들을 시각적으로 관찰함에 의하여 보관물의 보관 상태를 확인할 수 있도록 한다. 시각적으로 용이하게 관찰 할 수 있는 표시자들의 양태의 변화로서, 온도에 따른 고체-액체 상변환에 따른 표시자들의 형상 및 색채의 변화를 관찰한다. 단일 표시자를 사용하여 보관 온도가 특정 온도 이상으로 올라간 사실이 있는지를 확인할 수 있을 뿐만 아니라, 다양한 녹는점(어는점)을 가지는 복수개의 표시자들을 사용하여 보관 온도를 더욱 세밀하게 추정할 수 있다. 냉동 보관 방법은 그 용도가 비단 식품을 저장하는데 한정되는 것은 아니고, 상온에서 활성을 가질 수 있는 약품을 비롯한 화학 물질 및 저온 저장되어야하는 생체 물질 등을 저장하고 이동하는 데에도 유용하게 사용된다. 냉동되어 보관된 냉동재가 임의의 경로에서 이동 또는 저장되는 동안 해동된 사실이 있었는지를 최종 사용자가 확인할 수 있고, 최종적인 냉동재의 양태로부터 해동된 정도, 즉 어느 온도에서 해동되었는지를 확인 할 수 있어 활용 가능성이 높다.
본 기술은 전도성 전자파장애 제거를 위한 능동형 공통모드 이엠아이 필터에 관한 것으로서, 증폭기의 전원으로서 시스템 동작 전압과는 무관한 별도의 전원을 사용하되, 저주파에서의 절연과 고주파에서의 폐회로 구성을 위하여 작동하는 커플링캐패시터에 의하여 누설전류를 내부에서 순환시키므로, 저전압의 증폭기 소자를 사용할 수 있다. 그 결과, 필터 회로보다 빠른 소자를 사용하는 것이 가능하고, 어떠한 직류단 전압의 크기와 관계없이 적용이 가능하다. 본 기술에서는 전류 검출 전류 보상 방식을 사용하면서도, 종래기술에 의한 능동형 이엠아이 필터에서, 증폭기의 pnp, npn 트랜지스터가 모두 전체 직류 전압을 감당하여야 하는 것으로부터 발생하는 문제점인 내전압이 큰 트랜지스터를 사용하여야 하는 문제점을 해결할 수 있다. 산업용 전동기 가변속 시스템에 능동형 필터 적용을 가능하게 한다. 가전, 산업용 전동기, 전기 자동차등에 활용 가능하다.