산업기술 통합검색
본 기술은 42V 전원 공급 시스템 자동차의 복합 기동-발전기(ISG, Integrated Starter and Generator, 이하 ISG 라 칭한다)의 3상 교류 권선의 중성점과 ISG와 자동차의 42V 배터리를 연결하는 인버터의 DC 링크, 예를 들어, 인버터의 양극 단자 또는 음극 단자 사이에 14V 전원 공급 시스템 자동차의 14V 배터리를 연결하여 42V배터리 또는 14V 배터리를 충전하는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 별도의 장치없이 기존의 14V 전원 공급 시스템 자동차의 전원을 이용하여, 배터리가 완전히 방전되어 기동이 불가능한 42V 전원 공급 시스템의 자동차를 기동할 수 있으며, 또한, 반대로 42V 전원 공급 시스템 자동차의 전원을 이용하여 14V 전원 공급 시스템 자동차를 기동할 수 있다. 향후 42V 승용차가 보급 될 경우 활용 가능성이 크다고 본다.
본 기술은 유도 전동기의 고성능 구동을 위한 센서리스 제어 방법에 관한 것으로서, 특히 유도 전동기에서 고주파 영역의 돌극성을 이용하여 자속각의 위치를 추정하는 것임을 특징으로 하는 유도 전동기의 자속 기준 제어 방법에 관한 것이다. 본 기술에 의한 유도 전동기의 자속 기준 제어 방법은 고주파 영역에서의 유도 전동기의 자속 생성으로 인한 돌극 현상만을 이용하기 때문에 유도 전동기의 정수를 이용한 종래의 제어 방법들에 비하여 안정된 제어를 수행할 수 있다. 또한, 본 기술에 의한 유도 제어기의 자속 기준 제어 방법은 검출기의 부착이 어렵고 고성능 운전 능력을 필요로 하는 분야의 저속에서의 자속 기준 제어와 속도 제어에 응용될 수 있다.
본 기술은 격자 센서 및 이를 이용한 스트레인 측정 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게 말하자면, 외부에서 인가되는 스트레인에 따라 반사 대역폭이 가변되는 광섬유 격자 센서 및 이를 이용한 스트레인 측정 장치에 관한 것이다. 본 기술에 따른 광섬유 격자 센서는 긴 간격 격자부와 짧은 간격 격자부가 형성되어 있는 코아를 포함하는 광섬유 및 긴 간격 격자부에 대응하는 광섬유의 외부를 감싸고 있는 차단 부재를 포함한다. 본 기술은 외부로부터 스트레인(strain)이 가해지면, 차단 부재가 외부로부터 가해지는 스트레인을 차단함에 따라 짧은 간격 격자부에 의한 반사 파장과 긴 간격 격자부에 의한 반사 파장이 서로 겹치게 되어 반사 대역이 줄어들게 되고, 전체적으로 반사되는 빛의 파워(power)가 감소된다. 이와 같이 광섬유 격자 센서로부터 반사되고 외부의 스트레인에 따라 파워가 가변되는 빛을 검출하여 외부에서 가해지는 스트레인을 용이하게 검출할 수 있으므로, 파장 분석 장비 등의 별도 장치가 필요하지 않게 되어 구조가 간단해진다. 또한 검출되는 빛의 파워는 온도에 무관하므로 온도의 영향을 배제한 광섬유 격자 스트레인 센서 시스템의 기능을 하게 된다.
본 기술은 양방향 전송 시스템에서, 한 쌍의 파장 다중화기(multiplexer) 및 역다중화기(demultiplexer)와 스위칭 가능한 거울을 이용한 새로운 구조의 광 크로스 커넥트에 관한 것이다. 본 기술은 한쌍의 파장다중화기(multiplexer) 및 역다중화기(demultiplexer)와 스위칭가능한 거울을 이용한 새로운 구조로 제1 및 제 2의 광서큘레이터와 제1 및 제 2의 다중화기, 스위칭부를 포함한다. 본 기술은 출력단에서 일정한 광세기를 가지도록 하기 위해OLA(optical limiting amplifier)등의 부가적인 광소자가 필요했던 기존의 구조에 비해 비교적 간단한 구조로 출력단에서 출력되는 광신호의 광세기가 모두 일정하다. 또한 종래의 광 크로스 커넥터에 비해 파장 다중화기 및 역다중화기의 개수를 반으로 줄일 수 있으므로, 제조 원가가 감소되며 구조가 보다 간단해 진다.
본 기술은 편광 빔 스플리터(이하 PBS)를 이용하여 편광에 따라 빛을 분리하고 거울과 1/4 파장판을 이용하여 반사되는 빛의 편광을 바꾸어서 PBS에서 반사된 빛은 통과시키고 통과된 빛은 반사되도록 하여 각각의 거울까지의 거리에 의해 서로 다른 시간지연을 갖게 된 두 빛을 합쳐주게 된다. 본 기술은 최소한의 PBS를 사용하고 거울 반사를 이용하여 광경로차 효과를 두배로 늘리며, 광 써큘레이터를 사용하지않기 때문에, 광 써큘레이터에 의한 삽입 손실과 비용을 줄일 수 있으며, 저가격, 고효율의 편광 모드 분산 보상기의 제작이 가능해져서 광통신 전송용량을 제약하는 편광 모드 분산에 의한 장벽을 극복할 수 있어서, 광통신을 통한 전송 용량이 증대될 수 있다.
본 기술은 마이크로 구조물의 잔류응력 테스트 패턴은 화살표 형상으로 서로 다른 방향으로 굽어져 교차하여 위치하는 두 쌍의 벤트 빔과 각 쌍의 벤트 빔의 중앙에 위치하여 각 쌍의 벤트 빔을 연결해 주는 두 개의 링크 빔과 두 개의 링크 빔을 연결하는 중앙 빔과 벤트 빔상의 양단에 위치해 형성되어 있는 전압 인가용 전극을 포함한다. 본 기술은 전기적 응력 평가는 테스트 패턴의 전압-전류 특성으로부터 쉽게 평가할 수 있는 장점이 있고, MEMS 디바이스 제작시에 쉽게 응력을 평가할 수 있으므로, 제작 기술 개발을 단축할 수 있다.
본 기술은 의료기기용 맥진 검출 센서 및 그 제조방법 그리고 이를 이용한 맥진 검출 장치에 관한 것으로, 특히 사람의 요골 동맥의 파형을 감지하여 체질을 파악할 수 있는 맥진 검출 센서 및 이를 이용한 맥진 검출 장치에 관한 것이다. 본 기술은 요골 동맥의 파형을 정확히 측정할 수 있는 맥진 검출 센서 및 그 제조방법 그리고 이를 이용한 맥진 검출 장치에 관한 것으로서, 본 기술에 따른 맥진 검출 센서는 압전 특성을 갖는 고분자 필름과, 고분자 필름의 양면에 형성되어 있는 금속전도층과, 금속전도층 상에 순차적으로 형성되어 있는 절연층 및 정전기 차단막을 포함하여 이루어지며, 그 제조방법은 소정 형상을 갖는 섀도우 마스크를 형성하는 단계와 섀도우 마스크를 이용하여 압전 특성을 갖는 고분자 필름의 양면 상에 금속전도층을 증착하는 단계와 금속전도층 상에 절연층 및 정전기 차단막을 순차적으로 형성하는 단계를 포함한다. 본 기술은 요골 동맥 파형 측정을 통하여 한의사의 주관적인 맥진 방법을 과학적으로 객관화할 수 있고, 연구 목적이 아닌 일반 한의원 등에서 체질 감별 및 검진을 할 수 있는 장치로 활용가능하다.
본 기술은 전계 방출 소자 및 그 제조방법 그리고 전계 방출 및 제어방법에 관한 것으로, 특히 전자빔 리소그래피(Electron Beam Lithography)에 적용되는 마이크로 히팅(Micro heating) 구조를 갖는 전계방출 소자 개발에 관한 것이다. 본 기술의 전계 방출 소자는 다중 전자빔 리소그래피 기술에 요구되는 전자빔원의 소형화와 안정성 향상에 기여할 수 있을 뿐만 아니라 마이크로 히터와 팁이 일체형으로 되어 있고 게이트 전극과 서로 분리되어 있으므로 열적 변형에 대해 구조적으로 안정하다. 마이크로 히터 양단에 인가된 전위차에 의해 열이 팁에 전달되어 팁은 주위 이온들에 의한 오염에 대해 안정적이고 게이트 전극에 가한 전위에 의해 팁에 형성된 강한 전계와 함께 안정적이고 높은 전류를 얻을 수 있다. 박막 히터의 온도제어는 히터 양단의 저항값을 측정함으로서 쉽게 제어할 수 있다.
본 기술은 밀리미터파 대역에서 고출력 전력 증폭 모듈을 구성하기 위하여, 여러 개의 단위 증폭기의 출력 전력을 결합하는 전력 결합기/분배기에 관한 것이다. 본 기술은 앤티포달 핀라인(antipodal finline)-마이크로스트립 변환구조를 이용한 도파관 전력 결합구조이며 도파관-마이크로스트립 변환 구조를 이용한 전력 결합기는 다수의 전력 증폭기의 출력 전력을 결합할 수 있고, 정교한 밸런 구조를 사용하기 때문에 밀리미터파 대역에서 재현성과 결합 효율이 우수하다. 전력 결합기 n개를 나란히 배열하면 2n개의 단위 증폭기를 결합할 수 있는 2n-갈래 전력 결합기로 확장이 가능하며 m개의 동일한 기판을 도파관에 다층으로 쌓아 전체적으로 m x 2n개의 단위 증폭기를 결합할 수 있는 m x 2n-갈래 전력 결합기로 확장이 가능하다.
본 기술은 포토에칭(photo etching) 기술을 이용하여 저가의 대량 생산 공급으로 기존의 개방형 동축 프로브(open-ended coaxial probe)를 대체 할 수 있는 동축 개구면을 가진 평면 구조(planar structure)의 프로브에 관한 것이다. 본 기술은 포토에칭 기술을 이용한 저가의 대량 생산 공급이 가능하고 기존의 개방형 동축 프로브를 대체 할 수 있는 동축 개구면을 가진 평면구조의 프로브로, TEM 전자기파를 전송할 수 있는 완전 차폐된 코플라나 웨이브가이드 또는 스트립 라인과 샘플과 접촉 할 수 있는 수평면 상의 동축 개구면으로 구성되는데 특징이 있다.
본 기술은 MEMS와 micromachining기법을 이용한 동축 개구면을 가진 평면구조의 프로브에 관한 것으로서, TEM 전자기파를 전송할 수 있는 완전 차폐된 코플래나 웨이브가이드 또는 스트립 라인과 샘플과 접촉 할 수 있는 수평면 상의 동축 개구면으로 구성된다. 본 기술은 MEMS 기법과 Micromachining 기술을 이용하여 보다 정밀하고, 집적회로와의 결합이 가능한, 인체 in-vivo 측정에 부합할 수 있는 일회용, 저가 및 대량생산이 가능한 probe 개발에 중점을 두었다. MEMS와 micromaching을 이용한 대량생산이 가능하도록 함으로써 기존의 개방형 동축 프로브의 소형화에 따른 가격상승에 대한 문제점을 해결하고 마이크로파를 이용한 각종 생-의공학(bio-medical engineering)의 센서로 사용된다.
본 기술은 마이크로 기계구조를 이용한 코플래너 웨이브가이드 가변 인덕터에 관한 것으로서, 이 시스템은 마이크로 기계구조로 제작된 접촉식 스위치와 코플래너 웨이브가이드 및 코플래너 스트립라인으로 구성된다. 본 기술은 종래 기술에 따른 주파수 가변 마이크로파 인덕터의 문제점을 해결하기 위하여 마이크로 기계구조를 이용한 접촉식 스위치를 이용하여 높은 Q값을 가지면서 DC 전력을소모하지 않을 뿐만 아니라 모노리틱한 방법으로 제작이 가능한 소형의코플래너 웨이브가이드 형태의 가변 인덕터를 구현하고자 한다. 저손실 마이크로파 및 밀리미터파 가변 필터와 임피던스 변환기와 같은 주파수 변환이 가능한 수동 소자 및 시스템에 활용 가능하다.
본 기술은 I41를 제작할 수 있도록 기판상부에 활성층 및 화합물 막을 간단한 공정으로 쉽게 제조할 수 있는 방법에 관한 것이고, 기판상부에 활성층 및 화합물 막을 간단한 공정으로 동시에 제조할 수 있는 방법, 기판상부에 형성되는 활성층과 화합물 막간에 양호한 인터페이스가 얻어지도록 활성층 상부의 표면 거칠기를 적게 할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 기판상부에 활성층 및 화합물 막을 간단한 공정으로 쉽게 제조할 수 있음은 물론 활성층 및 화합물 막을 동시에 제조할 수 있는 장점이 있다. 또한, 활성층과 화합물 막간에 표면 거칠기가 매우 평탄하게 되어 양호한 인터페이스를 얻으므로 제작된 소자의 전기적 특성에 대한 신뢰성을 보장하는 효과가 있다. 재질면에서 그래스, 사파이어, 무결정 실리콘 또는 다결정 실리콘중의 어느것을 기판으로 사용하는 것이 가능하며, 응용면에서 박막 트랜지스터 뿐 만 아니라 일반적인 모스 트랜지스터에도 적용가능하다. 또한, 불순물 이온의 주입에 따라 산화막외의 질화막 또는 타의 화합물 막을 임의로 얻을 수 있다.
본 기술은 추가의 제조공정을 수반함이 없이도 오프동작시 의 누설전류를 효과적으로 감소시킬 수 있는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 그리고 오프상태에서 오프셋 게이트 구조의 특성을 나타내고 온 상태에서 비오프셋 구조로서 동작가능한 폴리실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법, 온동작시의 온전류의 양을 비오프셋 게이트 구조로 이루어진 트랜지스터의 온전류의 양보다 저하시킴이 없이 오프동작시의 누설전류의 양을 오프셋 게이트 구조로 이루어진 트랜지스터의 누설 전류량보다 매우 많이 줄일 수 있는 폴리실리콘 박막 트랜지스터를 제공하며 턴온 동작시에는 충분한 게이트 구동능력을 가지도록 오프셋 영역이 동작적으로 소멸되며 턴오프 동작시에만 누설전류를 차단하도록 오프셋 영역이 동작적으로 형성되는 비오프셋 게이트 구조의 폴리실리콘 박막 트랜지스터, 비오프셋 구조의 폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정과 호환성을 가지며, 어떠한 부가적 마스크를 필요로 하지 않고서도 개선된 동작특성을 가지는 박막 트랜지스터 및 그에 따른 제조방법에 관한 기술이다. 본 기술은 아몰퍼스 실리콘을 재료로 사용하여 폴리실리콘 박막 트랜지스터를 만들 수 있음은 물론, 오프상태에서 오프셋 게이티드 구조의 특성을 나타내고 온 상태에서 비오프셋 구조로서 동작하는 새로운 폴리실리콘 박막 트랜지스터를 제공할 수 있게 된다. 이러한 폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정은 전형적인 비오프셋 폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정과 호환성이 있으며, 패턴이나 마스크의 형태만 다를 뿐 어떠한 추가적 마스크를 필요로 하지 않으므로, 제조의 비용절감 효과를 가져온다. 또한, 피엔 접합 게이트를 가지는 본 기술의 폴리실리콘 박막 트랜지스터의 온전류는 종래의 온전류와 거의 동일하지만, 누설전류는 종래의 누설전류보다 두등급 낮게되는 효과가 있으므로, 온오프 전류비 특성이 개선되는 장점이 있다. 재질면에서 무결정 실리콘 또는 다결정 실리콘 모두를 사용하는 것이 가능하며, 응용면에서 박막 트랜지스터 뿐 만 아니라 비교적 단 채널을 가지는 일반적인 모스 트랜지스터에도 적용가능하다. 또한, 불순물 이온의 주입에 따라 엔형 트랜지스터나 피형 트랜지스터가 선택적으로 제조될 수 있으며, 동일기판상에 엔형 및 피형 트랜지스터가 함께 형성되는 씨모스 구조에도 적용될 수 있다.
본 기술은 I41를 제작할 수 있도록 기판상부에 활성층 막을 간단한 공정으로 쉽게 제조할 수 있고, 양호한 전기적 특성을 얻을 수 있는 I41용 활성층 막 제조방법에 관한 것이다." 반도체 소자를 제작할 수 있도록 기판상부에 활성층을 제조하는 고상한 방법은 기판위에 비정질 실리콘 막을 형성하는 단계, 비정질 실리콘 막의 상부표면에 전자빔을 설정된 패턴으로 주사하는 단계, 막의 상부전체를 설정된 에너지 밀도를 가지는 레이저 빔으로써 어닐링하는 단계를 가짐에 의해 비정질 실리콘 막을 설정된 패턴에 기준한 결정구조를 가지는 폴리 실리콘 막으로 변화되게 함을 특징으로 한다. 기판상부에 활성층 막을 간단한 공정으로 쉽게 제조할 수 있음은 물론 전류 이동도 및 형성되는 막의 치밀도등의 전기적 특성이 개선되는 효과가 있다. 그리고 박막 트랜지스터 뿐 만 아니라 일반적인 모스 트랜지스터에도 적용가능하다. "
본 기술은 반도체 메모리 소자를 제작할 수 있도록 기판상부에 활성층 막을 간단한 공정으로 쉽게 콘트롤할 수 있는 방법, 리소그래피 기법과 엑사이머 레이저 어닐링에 의해 크기 및 위치가 정확히 제어되는 폴리실리콘 아일랜드를 이용하여 실온동작 싱글 일렉트론 메모리를 제조하는 고상한 방법에 관한 것이다. 본 기술은 엑사이머 레이저 방사에 의한 폴리실리콘 싱글 일렉트론 소자의 제조방법에 따르면, 기판위에 아몰퍼스 실리콘 막, 절연막, 버퍼막을 차례로 형성하는 단계와, 버퍼막을 사진식각하여 팁형상의 윈도우를 패턴하고 상기 아몰퍼스 실리콘을 결정화하기 위해 레이저 에너지를 방사하고 열처리하는 단계를 가짐에 의해, 적어도 하나의 폴리실리콘 그레인이 패턴된 윈도우 사이드로부터 성장 및 분리되게 하여 파인-그레인 라아지 폴리실리콘 양자 점을 얻는 것을 특징으로 한다.
본 기술은 데이터 라인과 게이트 라인이 교차되는 영역에서의 유전용량을 감소시킬 수 있는 개선된 배선 방법 및 그 구조, 데이터 라인과 게이트 라인이 교차되는 영역에서 발생되는 신호지연 문제를 해소할 수 있는 개선된 배선 방법 및 그 구조에 관한 것이다. 본 기술은 박막 트랜지스터 액정 표시장치의 배선 방법에 관한 것이다. 본 기술에서는, 박막 트랜지스터를 구동시키는 게이트 라인과 데이터 라인을 형성함에 있어서, 게이트 라인과 데이터 라인이 교차되는 영역에 층간절연막 및 유전율이 낮은 공기층을 형성시킨다. 그 결과 배선의 유전용량이 감소되고, 이에 따라 신호지연 문제가 보다 개선되는 효과가 있다.
본 기술은 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 개선된 활성층 제조 방법 및 그 구조와 박막 트랜지스터의 턴-오프시 누설전류 흐름을 억제할 수 있는 개선된 활성층 제조 방법 및 그 구조, 박막 트랜지스터의 턴-오프시 동작특성을 향상시킴으로써, 박막 트랜지스터의 온/오프 상태에서의 전류비를 향상시킬 수 있는 개선된 활성층 제조 방법 및 그 구조에 관한 것이다. 본 기판 상부에 비정질 실리콘막을 형성한 후, 비정질 실리콘을 다결정 실리콘화시킬 수 있을 정도의 에너지를 가지는 빛을 비정질 실리콘에 국부적으로 조사한다. 그 결과, 비정질 실리콘막에는 부분적으로 다결정 실리콘막이 형성되어 비정질 실리콘과 다결정 실리콘의 중간 특성을 지니는 새로운 구조의 도전막이 형성되는데, 이를 박막 트랜지스터의 활성층으로 이용함으로써 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시킨다.
본 기술은 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 채널내에 그레인 경계의 밀도를 감소시키기 위해 그레인의 크기를 증가시키고 그레인 경계를 질서적으로 배열하는 엑시머 레이저 어닐링 방법을 이용하여 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다. 본 기술에 의해 그레인의 수평성장을 유도하기 위한 패턴형태로 된 금속과 같은 자외선 반사체를 한번의 사진 공정과 리프트오프 공정을 이용하여 박막 트랜지스터 소자의 소오스와 드레인 위에 정확히 정렬시킬 수 있어 소자를 쉽게 제작할 수 있다. 또한 종래의 수백 ㎚의 그레인 크기를 수 ㎛정도까지 증가시킴으로써 다결정 실리콘 박막내의 그레인 경계의 밀도를 현저히 감소시켜 전자의 흐름을 원활하게 하여 소자의 이동도 특성을 향상시킬 뿐만 아니라 누설 전류 억제에도 효과적이다.
본 기술은 드레인 접합부의 강한 수직 전계로 인해 발생하는 누설전류를 감소시키고 소자의 신뢰도를 향상시키기 위하여 에어-캐비티를 게이트 절연막의 일부로 사용함으로써, 드레인 접합에 유도되는 수직 전계를 완화시키고 종래의 소자와 동일한 구동전류를 나타내며 전계 효과 이동도를 증가시킬 수 있는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 기술은 드레인 접합 주변에 유도되는 수직 전계를 완화시켜 강한 전계에 의해 발생하는 누설전류를 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라 추가의 마스크 공정 없이 간단한 공정으로 제조할 수 있으며 온-오프 전류비를 향상시킬 수 있다.