일반기술
전기·전자 > 무선통신소자
전형적인 초음파 기기은 트랜듀서를 사용하여 초음파를 여기시키고 이 초음파를 어떤 타겟 매질로 보내게 되는데, MHz 범위의 커다란 주파수 범위로 공기 중의 매질로 어떻게 보내느냐에 커다란 어려움이 있다. 이러한 문제점을 해결 하기 위하여 본 기술은, 주위를 에워싼 유체 매질(가장 접합하기로는 공기)로 초음파 에너지를 효과적으로 전달하기 위하여 제공된 것으로, 미세가공된 박판에서 최저급의 비대칭 램파(Lamb wave) 모드의 높은 에너지 누설을 사용하는 소자 및 그 제조기술에 관한 것이다. 이 소자로 MHz 주파수 범위의 광대역의 효율적 동작이 가능하다. 제조 방법은 현행 실리콘 미세가공 기술 및 IC 기술로도 가능하다.1. 광대역폭에서 고효율2. 미세가공 기술을 활용3. 높은 누설 효율 및 광대역폭은 낮은 오더의 비대칭 램파을 누설판에서 선택된 주파수로 다양한 엑추에이터를 사용하여 여기시킴으로써 달성된다.4. 누설파를 인터셉트하기 위해서는 리플렉터 구조물이 채용될 수 있으며, 누설파를 누설판의 평면과 수직인 빔으로 변형시킨다5. MHz 주파수 범위의 광대역의 효율적 동작이 가능하다. 6. 현행 실리콘 미세가공 기술 및 IC 기술로도 가능하다.
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- 2005-07-20
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술의 열전달 메카니즘 구성을 이용하여, 멀티존 열사이클링 모듈은 모노리소그래피 시퀀스에 채용된 포토리지스트의 소부 및 냉각(baking and chilling) 작업을 수행한다. 본 모듈은 다음과 같이 4개의 구성요소로 나누어진다. (1) 웨이퍼지지 기구, (2) 과도기 및 정상조건 동안 웨이퍼 온도의 소량의 신호공간변조를 위한 열전소자의 멀티존 구성, (3) 벌크 히팅 또는 냉각효과를 달성하기 위해 웨이퍼로의 도전성 열전달을 위한 열교환기, (4) 다양한 온도제어 전략.열전달 메카니즘 구성을 이용하여 모노리소그래피 시퀀스에 채용된 포토리지스트의 소부 및 냉각(baking and chilling) 작업을 수행함으로써 다음과 같은 특징을 가진다.1. 웨이퍼 온도의 불균일을 해소하기 위해 과도기 및 정상조건에서 모두 웨이퍼 온도의 공간적 제어.2. 선폭 균일성의 개선을 위해 바람직한 공간적 온도 프로파일.3. 동일한 모듈에서 소부 및 냉각을 동시에 실행하므로, 분리된 소부와 냉각 모듈 사이의 웨이퍼 이송이 불필요.4. 웨이퍼가 설정점까지 온도가 급상승하기 이전의 냉각된 상태에 있을 때, 센서의 정렬을 위해 deep-UV post-exposure 모니터와 연계하여 사용 가능.
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- 2005-07-20
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 기술은 구조물의 최상층에 미세한 홀을 형성하고 이어서 그 홀을 통해 희생층을 선택적으로 제거하는 에칭액에 노출시킴으로써 미세가공된 밀봉형 멤브레인을 제조하는 방법에 관한 것이다. 다음에 이들 홀들은 밀봉되고 밀봉된 멤브레인이 얻어진다. 이렇게 제조된는 멤브fp인은 도전성 기판과 이격된 밀봉형 멤브레인의 reproduction을 가능하게 하고, 멤브레인의 사이즈와 형태의 선택 및 액체나 기체 속에 침지된 상태로 동작 가능이 가능하게 한다. 한편, 본 기술의 밀봉형 멤브레인 응용은 정전기적으로 작동되는 초음파 트랜스듀서와 조절형 레이저 캐비티에 국한되는 것은 아니다1. 도전성 기판과 이격된 밀봉형 멤브레인의 reproduction 가능 2. 멤브레인의 사이즈와 형태의 선택 가능3. 액체나 기체 속에 침지된 상태로 동작 가능4. 도전성 기판, 하나 이상의 개구부를 가지는 다수의 질화규소 멤브레인, 기판 위의 각 멤브레인을 지지하는 절연 지지체, 부분적으로 개구부 속으로 연장되는 멤브레인에 CVD법에 의해 형성된 질회규소, 기판, 절연 지지체 및 밀봉된 멤브레인로 정의되는 개구부를 밀봉하여 형성되는 밀봉 캐비티, 질화규소 멤브레인의 외표면 상의 도전성 막으로 구성
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- 2005-07-20
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전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
본 기술의 대물렌즈는 고분해능과 저전압 전자빔을 얻을 수 있는 것으로, 종래의 스캐닝 전자현미경(SEM)에 사용될 수 있도록 설계제작된 것이다. 본 대물렌즈는 시료의 표면 전계를 최소화하기 위해 감속전극을 시료 바로 위에 두고 있으며, 검출부는 접지전극에 내장 되어있다. 감속부문은 a) 대물렌즈의 하강 및 b) 양호한 검출을 위한 2차전자의 가속이다. 전류게인(전류증폭도) 2100 및 17nm의 분해능을 가지며, 실리콘을 미세가공하여 만든 2차전자 검출부는 100eV의 랜딩(landing) 에너지로 달성될 수 있다.1. 초저 랜딩에너지 전자빔: 시료 손상과 시료에 가해지는 부하를 감소하고, 침투 깊이의 감소와 근접효과 달성.2. 시료 표면의 전계가 무시할 수준이고, 표면 정밀사진으로 인한 왜곡을 제거.3. 기존의 고전압 전자현미경에 별로 변형이 요구되지 않음: 시료 챔버에 간단히 추가하면 되고, 시료 스테이지만 재설계 요함.4. 감속전극은 10keV로부터 100eV까지 1차 빔의 에너지를 감소시키기 때문에 검출부 쪽으로 되돌아 오는 2차전자의 가속에 기여.
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 전기 센서나 광학 센서와 같은 전기소자나 광학소자를 고온의 금속 구조물에 안전하게 매설하는 방법으로서, 특히 전자적 혹은 광학적 구성요소를 고온의 금속에 매설되도록 하는 방법에 관한 것이다. 상기한 광학적 구성요소를 고온의 금속에 매설하는 방법에 있어서, 먼저 상기한 구성요소가 고온의 금속 표면에 매설된다. 그 다음으로 전기적 절연층, 저온 도전층, 고온 도전층, 그리고 프리머층이 순차적으로 상기한 구성요소가 매설된 고온의 금속 표면에 형성된다.본 발명의 매설방법은 기계적으로나 열적으로 견고한 하우징을 형성할 수 있으며, 또한 상기한 매설방법의 실행과정이 매우 단순하여 비용적 측면에서도 매우 효율적이라는 특징을 가지고 있다. 본 발명은, 기판 상에 전기소자를 위치시킨 후, 저온 전도체를 상기 전기소자에 도포하고, 상기 저온 전도체 상에 고온 전도체를 도포하되 상기 고온 전도체가 상기 기판에 접촉되도록 도포하고, 상기 고온 전도체 상에 고온 금속의 제1 금속층을 도포하고, 상기 제 1 금속층의 상부에 용융상태의 고온 금속 커버층을 도포하여 상기 전기소자가 기판과 커버층 사이에 놓이게 하는 것을 특징으로 한다.
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 기술은 전기적으로 프로그래밍 가능한 상호접속 아키텍쳐에 사용하기 위한 스피드-업 회로에 관한 것으로, 종래의 회로보다 레이아웃 면적과 전파지연 시간의 감소를 이루는 speed-up 회로에 관한 것이다. 프로그래밍 가능한 수동 스위치에 의해 상호접속된 다수의 도전성 노드들로 구성된 프로그램 가능 상호접속 아키텍쳐에 있어서, 이 회로는, 무시할 정도의 추가 전파지연 및 드라이버 트랜지스터 수에 있어서의 최소한의 중복성을 가진 쌍방향 중계기(repeater)로서의 역할을 함으로써, 보다 신속하고 보다 area-efficient한 회로가 얻어진다.1. 종래의 회로보다 레이아웃 면적과 전파지연 시간의 감소2. 논리회로의 중간 노드에 모듈라 형태로 추가 가능.3. 쌍방향4. 스탠바이 공급노드, 시그널링 공급노드, 네트워크 노드 및 회로로 구성5. 회로는 네트워크 노드에서 스탠바이 로직 레벨로부터 시그널링 로직 레벨로 향하여 제1의 소정의 임계값을 초과하는 변화를 감지하는 수단을 제공6. 회로는 또한 이러한 변화가 발생하면 제1의 소정의 기간동안 네트워크 노드와 시그널링 노드 사이의 저임피던스 연결을 제공하기 위한 수단을 제공
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전기·전자 > 제어·자동화
본 기술은 배치 정밀도 측정기기 또는 기계부품의 정밀형상 측정에 사용되는 X-ray 스캐너 시스템의 2D 측정분야에서 배치왜곡(이상적인 장방형의 그리드에 대해)의 정확한 교정에 관한 것으로, 신속한 계산에 따른 정위치 설정이 용이하고 잡음에 둔감한 스테이지 교정 장치에 관한 것이다. 본 기술은 미지의 위치 마크를 가진 딱딱한(rigid) 가공물(여기서 딱딱하다는 의미는 측정 시역(視域) 위에서의 회전이나 이동시 가공물의 형상에 변형이 안 생긴다는 뜻임)을 사용하며, 측정기기의 반복정밀도와 동일한 수준의 정밀도로 측정기기의 측정 필드왜곡(field distortion: 視域歪曲)을 교정한다.1. 신속한 계산이 가능하고, 내(耐)노이즈성을 가지며, 셋업이 용이.2. 거의 모든 2D 배치왜곡 자가교정에 이용.3. 매핑 기능은, 피버팅 포인트 및 회전 각도의 측정을 왜곡함수의 측정과 분리하기 위하여 직교 Fourier 시리즈를 사용하는 일련의 작업에 의해서 수행. 이들 작업에는, 스테이지 위치의 2D 어레이와 Cartesian 좌표계 그리드 사이의 완전 및 불완전 non-4-fold 회전대칭 왜곡을 포함됨. 따라서, 2D 형상 또는 이미지 캡쳐링 시스템(예를 들면, 산업분야나 의료분야의 CT 스캐너, 메디컬 영상)에 효과적으로 활용될 수 있다.
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전기·전자 > 전기전자재료
본 발명의 기술은 스케일링된 L-C 섹션으로 이루어지는 비선형 임피던스 트랜스포머이다. 각 섹션의 임피던스는 입출력 임피던스의 값들 사이에서 로그눈금으로 스케일링된다. FET 드라이버는 비선형 임피던스 트랜스포머의 통합버전과 동일한 기판 상에 통합될 수 있다. 이런 경우, 제1섹션의 입력 입력 임피던스는 FET의 출력 임피던스로 설정된다. 각 L-C 섹션은 직렬의 인덕턴스와 전압 의존 가변 캐패시터를 구비하고, 각 섹션의 캐패시터는 역방향 Schottky varactor diode의 형태를 취하지만, 그 외의 다양한 형태를 취하는 것도 가능하다.본 발명에 따른 비선형 임피던스 트랜스포머는 다음과 같은 특징을 가진다. 1. 전력 트랜스퍼가 효과적2. 사이즈와 로스를 최소화3. 저속 입력 트랜지션 타임의 사용 가능.4. 디자인 이퀘이션(design equation)의 생성 가능5. 입력포트는 출력 임피던스를 구비한 신호원과의 연결6. 입력포트는 신호원으로부터 제1 및 제2 전압상태 사이에서 트랜지션을 가지는 스텝신호를 받음7. 출력포트는 입력 임피던스를 구비한 부하와 임피던스 트랜스포머를 연결
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- 2005-07-20
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 위상 지연을 발생시키는데 사용되는 링 오실레이터 회로에 관한 것으로, 입력 waveform에 대한 다양한 위상 지연 변형을 제공하기 위한 새로운 오실레이터에 관한 것이다. 본 발명은, 대칭부하 버퍼 스테이지는 낮은 지터 위상동기 루프 및 지연동기 루프의 구성을 가능하게 한다. 이들 버퍼 스테이지는 높은 서플라이 노이즈 이뮤니티와 베리 리니어 컨트롤 오버 프리퀀시를 제공한다. 그것들은 위상동기루프와 지연동기루프에서 요구되는 전압제어 링 오실레이터 및 전압제어 딜레이 라인에서 이상적으로 사용된다.본 발명은 입력 waveform에 대한 다양한 위상 지연 변형을 제공하기 위한 새로운 오실레이터에 관한 것으로, 1. 고도의 스태틱 및 다이내믹 서플라이, 그리고 매우 낮은 지터 동작에 대해서는 기판 노이즈 리젝션2. 수십년에 걸친 광역 주파수 범위를 가진 베리 리니어 컨트롤 오버 프리퀀시를 제공3. 공급전압 기준은 NMOS 및 PMOS 다이오드 드롭 시리즈 뿐이다4. 제어전압 이외의 외부 바이어스 전압을 필요로 하지 않는다.5. 초고주파 전압 제어 오실레이터를 생성할 수 있는 특징이 있다.
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- 2005-07-20
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 기술은 공급되는 전압을 넓은 부하 범위에 적합한 가변 출력 전압으로 변환시키는데 효과적인 가변 DC-DC 스위칭 레귤레이터에 관한 것 이다. 본 기술의 레귤레이터는 광범위한 출력부하 및 공급전압에 대해 고효율성을 얻기 위해 고정 펄스폭을 구비한 가변 스위칭 주파수를 채용한다. 고속 트래킹을 위한 비선형 피드백 루프 및 동기 정류를 달성하기 위한 어프로치가(nMOS 트랜지스터의 턴-오프시) 새로운 특징이다. 또한, 본 발명은 빠른 트래킹 속도와 출력 전압의 최소 리플을 나타내고, 안정된 저전력 소모를 나타내는 특징이 있다.본 기술은 넓은 부하 범위에 적합한 가변 출력 전압으로 변환 DC-DC 스위칭 레귤레이터에 관한 것으로, 1. 고속의 트래킹 2. 출력전압의 리플 최소화3. 저전력 시스템에서의 동작에 적합4. DC 전압 Vdd를 고정폭 펄스로 변환하기 위해 순간 스위칭률에 기반하여 동작하는 쵸핑수단. 5. 고정폭 펄스를 DC 출력전압 V.sub.OUT로 변환하기 위한 필터. 6. 원하는 주파수 f.sub.DES 의 시그널링을 위한 주파수 시그널링 수단을 특징으로 한다.
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- 2005-07-20
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전기·전자 > 무선통신소자
본 ESD 프로텍션 기술은 multi-GHz 체제 속으로의 고속 입출력을 가능하게 한다. 현재의 기술에 의하면, ESD 프로텍션의 용량성 부하는 대역폭을 심하게 제한하는 전송선로의 불연속을 초래한다. 전압 의존성이 큰 정전용량은 A/D 커버터의 분해능을 제한한다. 본 발명의 기술에 의하면, I/O 대역폭 및 정전용량 리니어리티(linearity)가 상당히 개선되어 ESD의 성능저하를 최소화시키고 있다. 프로토타입 칩이 CMOS 기술로 형성되어, 세라믹 DIP 및 LCC 페키지로 되어 있다. 이것들은 이미 HBM(human body model) 및 CDM(charge device model) 응력 테스트를 모두 완료한 상태이다.첫번째, 아날로그, 디지털 및 RF용의 고대역폭이 가능두번째, ESD 프로텍션의 전압 의존성 비선형 정전용량를 감소세번쩨, 표준 공정기술의 사용네번째, ESD 프로텍션 소자에 적용, 기업이 자체 소유의/특징이 있는 ESD 소자 사용 가능다섯번째, 공정기술 개선, 상호접속층 또는 상부 금속층의 증가로 성능 개선여섯번째, 수율의 개선, ESD 프로텍션을 포함 가능함으로써 고주파 설계의 신뢰도 개선.일곱번째, 고속 디지털 프로세서/메모리 및 DRAM/캐시 제어기 I/Os.
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- 2005-07-20
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술은 잡적회로 제조 시스템, 방법 및 컴퓨터 프로그램에 관한 것으로, 집적회로 정렬(alignment) 검출 시스템에 관한 것이다. 본 정렬기술은 정렬신호의 아공간(亜空間) 분할에 기반하여 개발된 것이다. 정열신호의 구조는 한 세트의 트레이닝 신호(training signals)로부터 추출되며, 이어서 이 구조는 새로운 정렬신호의 위치 발견에 이용된다. 이 모델은 공정 파라미터의 변화로 인한 신호의 변화가 작다. 이 기술의 성능을 검증하기 위한 테스트 웨이퍼가 제작된 바 있다. 실험의 결과에 따르면, 일반 메치드 필터링(matched filtering)법에 비해 정렬 에러가 1/10 이상 감소한다.1. 리소그래피 장비에서 정렬 시스템의 성능 개선.2. 하드웨어의 변경이 요구되지 않아 구현이 용이하고 저비용.3. 적응성이 높아 공정변화의 조정능력을 구비.4. 다수의 샘플 정렬신호들로부터 정렬신호 모델을 생성함으로써, 샘플정렬 마크 및/또는 샘플정렬 마크에 형성된 코팅에서의 비대칭성은 새로운 정렬마크의 위치가 검출되면 참작될 수 있음.5. 반도체 제조의 리소그래피 단계에서 웨이퍼의 정렬.6. 반도체 공정의 안정성 감시 활용 가능
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전기·전자 > 영상·음향기기
본 기술은 저전력 동작을 만족시킬 수 있는 집적회된 이미지 센서 및 프로세서 아키텍춰를 제공하는 한편, 복잡한 연산을 수행할 수 있는 이미지 센서 및 프로세서를 제공한다. 본 기술의 디지털 신호처리 아키텍쳐는 저소비전력으로 이미지 데이터의 고도의 계산적인 강력한 처리를 가능하게 한다. 특히, 이 아키텍쳐는 이미지 데이터의 리얼타임 MPEG-2 또는 DVCPRO 엔코딩을 지원하도록 CMOS 이미지 센서와의 통합을 위해 설계된 것이다. 또한 이 아키텍쳐는 완전히 프로그램 가능하며, 사실상 모든 이미지 센싱 어플리케이션에서 CMOS 이미지와 통합할 수 있다.1. 저전력, 많은 처리량, 프로그래밍의 간단.2. 실시간 MPEG-2 또는 DVCPRO 엔코딩에 버금가는 알고리즘의 이미지 처리가 가능.3. 작은 프로세서의 면적이 작으며 센서 어레이의 약 1/3 수준.4. 단일 아키텍쳐, 멀티플 어플리케이션 제품을 위한 기타의 이미지 처리 알고리즘을 지원하는 프로그래밍 가능.5. 저전력 동작을 만족시킬 수 있는 집적회된 이미지 센서 및 프로세서 6. 복잡한 연산을 수행할 수 있는 이미지 센서 및 프로세서
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- 2005-07-20
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술은 갈륨비소(GaAs) 및 이와 관련된 화합물 반도체 광검출기를 실리콘 집적회로에 통합하는 방법에 관한 것이다. 이는 극소 정전용량의 회로 속에서 효율적인 광 상호접속을 가능하게 한다. 포토디텍터(photodetector)의 정전용량과 기타의 연결배선을 가능한 한 작게 하는 것이 고효율의 광 상호접속 생성의 핵심이다. 광 펄스를 전기적 신호로 변환하기 위하여 주기율표 Ⅲ-Ⅴ족 화합물의 이종 결정구조를 이용하는 저온공정에 의해 고효율의 광 상호접속이 실리콘 베이스의 IC 위에 직접 증착된다.1. 광 상호접속 검출기에서 정전용량을 최소화2. 급격한 전압변화에 대비3. 정전용량 방전을 위한 도전경로가 없다는 것은 회로 입력에 전압이 잔류하고 있다는 의미.4. 생성된 캐리어의 수명보다 더 짧은 기간동안 광빔을 펄싱(pulsing)하고, 그리고 대략 1미크론의 기능적 높이까지 구조적 체적의 감소 및 이어서 주기율표 Ⅲ-Ⅴ족 화합물의 내부 정전용량을 감소함으로서 높은 효율성이 확립하여, 정보 처리 시스템에서의 신호 전달의 안정성을 꾀할 수 있다.
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- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2005-07-20
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술은 실리콘 웨이퍼 내에 존재하는 미세결함의 검출방법에 관한 것으로, 실리콘 웨이퍼 상에 존재하는 미세 결함을 정밀하게 검출할 수 있는 방법을 제공한다. 이러한 고감도의 방법은 1 내지 3분 동안 CuSO4, 5H2O 등의 금속염을 첨가한 묽은 플루오르화 수소산 속에 미세결함을 지닌 실리콘 웨이퍼를 탐지한다. 이렇게 하여, 실리콘 웨이퍼에 존재하는 미세결함에 금속을 선택적으로 증착함으로써 달성된다. 결함들만 선택적으로 코팅되어 “파티클 카운터” 등의 종래의 방법으로 용이하게 검출될 수 있다.◦ 1. 현재의 방법보다 더 미세한 결함까지 검출 가능하며, 따라서 수율을 증가 시킬 수 있다.◦ 2. 준비공정이 용이하고 방사성 동위원소보다 비용 저렴◦ 3. 서브 미크론 레벨로 집적된 반도체 소자용 실리콘 웨이퍼의 결함을 최소화 한다◦ 4. 플루오르화 수소산의 농도는 0.01 w% 내지 10 w%이고, 금속염의 구리이온의 농도는 10 ppbw 내지 100 ppmw이다◦ 5. 미세결함 위에 금속이 증착되게 하는 선택성의 제어는 실리콘 웨이퍼의 전위를 조정하여 이루어진다.
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- 등록일
- 2005-07-20
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일반기술
전기·전자 > 영상·음향기기
본 발명은 이차원 이미지에서 열방출 물체, 생물학적, 화학적, 그리고 그 이외의 작용체를 제한적이면서 감각적으로 검출하기 위한 방법이다. 시변 스펙트럼 신호가 상기 이미지의 각 픽셀에 대해 발생된다. 상기한 시변 스펙트럼 신호는 다중 시변 신호를 획득하기 위해서 시변 기준신호와 반응하여 처리된다. 상기 시변 광 스펙트럼 신호의 다중화는 광영역이나 전기 영역에서 수행될 수 있다. 각 영역에서 다중화된 시변 신호를 통합하거나 시간 평균화하여 각 픽셀에 대한 처리된 출력을 발생한다.본 기술에 따른 2차원 이미지용 적응형 스펙트럼 센싱은, 입력 빛을 이용하여 적어도 하나의 픽처 엘리먼트를 조사하고, 시변 스펙트럼 신호를 구동하고, 시변 기준 신호를 이용하여 상기 시변 스펙트럼 신호를 처리하는 방법을 사용한다. 따라서, 본 기술은 다음과 같은 특징을 가진다.1. 협소한 스펙트럼 대역의 사용으로 인한 열방출 물체, 생물학적, 화학적, 그리고 그 이외의 작용체를 식별할 수 있다.2. 방출 스펙트럼, 반사 스펙트럼 또는 흡수 스펙트럼으로 물체에 대한 제한이 없다.3. 이차원 이미지에서 제한된 스펙트럼 감도를 획득할 수 있다.
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- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2005-07-20
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술은 비구면 솔리드 이머젼 렌즈(SILS; solid immersion lens)의 제작기술 및 표면 위에 렌즈를 포지셔닝하는 방법에 관한 것이다. 또한 미세가공된 솔리드 이머젼 렌즈를 사용한 부근 영역 광 스캐닝 시스템이다. 이러한 렌즈는 다양한 크기로 제작될 수 있으며, 이와 달리 극소형의 렌즈는 멀티플 어레이(multiple arrays)로 제작되기도 한다. 또한 이러한 렌즈는 캔티레버 상에 놓여져 기판에 대한 렌즈의 초정밀 위치결정 및 높이 제어를 가능케 한다.1. 포토리소그래피의 종래의 방법을 사용하여 비구면 솔리드 이머젼 렌즈의 제작 가능.2. 대량생산 및 렌즈의 멀티플 어레이가 가능.3. 실리콘 또는 질화규소제 솔리드 이머젼 렌즈는 얇고 플랙시블한 실리콘 또는 질화규소 지지대, 및 곡면의 맞은 편 포인트와 입사광 방사의 초점을 맞추기 위한 플랙시블한 지지대와 일체구조로 되고 곡면을 구비.4. 멀티플 어레이(multiple arrays)의 극소형 렌즈 제작 용이5. 렌즈의 초정밀 위치결정 및 높이 제어가능
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- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2005-07-20
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술은 반도체 공정장비에 있어서, 웨이퍼 이송을 위한 재사용 가능한 지지대를 제공한다. 이 웨이퍼 지지대는 처리 공정 중인 웨이퍼를 지지하는 딱딱한 재질의 디스크이다. 이것의 구조와 재질면에서 대부분의 에칭툴에서 불 수 있는 웨이퍼 클램핑기구와 함께 사용될 수 있도록 구성 되어 있다. 이것은 웨이퍼를 척(chuck)에 정확히 일치시키며, 후면 직접냉각은 선택사양으로 가능하다. 공정챔버 속으로 이송되는 동안 로봇 전달기구에 의해 홀드(hold)되는 환형의 돌출부는 디스크부재의 하부에 있다1. 이 웨이퍼 지지대는 딥-투-스루(deep-to-through) 웨이퍼 에칭과 관련하여 발생될 수 있는 많은 문제점들을 해소한다. 2. 공정 진행 중인 웨이퍼의 후면에 가해지는 제한이 거의 없기 때문에 공정의 유연성을 크게 향상시켜 수율의 증가에 기여하게 된다. 3. 이 웨이퍼 지지대가 정전식 및 기계식 클램프에 사용될 수 있도록 공정 중의 웨이퍼는 링으로 고정된다.4. 로봇 이송기구에 의해 홀드되는 돌출부는 표준 사이즈의 웨이퍼를 홀드하도록 설계된 공정장비에 맞춰져 있다.
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- 2005-07-20
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술은 실리콘 웨이퍼, 석영 레티클 및 평판 디스플레이를 포함한 반도체 기판의 열처리를 위한 것으로, 기판의 공간 온도 제어를 위한 개선된 방법을 제공한다. 예를 들면, 포토리지스트가 코팅된 실리콘 웨이퍼의 소부와 냉각을 연속해서 처리하는 통합적 방법에 사용될 수 있다. 이 모듈은 다음의 구성요소로 이루어진다. 웨이퍼지지 기구; 열적 전도성 가열요소; 냉각판; 다양한 온도제어 전략. 카트리지 히터 형태의 저항성 히터는 가열요소와 열적 접촉을 하고 있다. 또한, 본 기술은 히터의 열적 편향을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.본 기술은 실리콘 웨이퍼, 석영 레티클 및 평판 디스플레이를 포함한 반도체 기판의 열처리를 위한 것으로, 다음과 같은 특징을 제공한다.1. 기판 반경방향의 온도 불균일의 제거를 위한 온도 제어의 개선.2. 필요하다면, 동일 모듈에서 소부와 냉각을 하여 분리된 소부모듈과 냉각모듈 간의 웨이퍼 이송단계를 생략.3. 종래의 핫플레이트에 비해 소부(baking) 온도의 변경속도가 빠르다.4. 냉각판이 가열요소의 후측 부근에 위치하고 있어, 냉각이 필요할 때 상부 가열판과의 열적 접촉이 행해짐.5. 히터의 열적 편향 감소
- 보유기관
- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2005-07-20
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 기술의 엑티브 이미징법(AIM)은 제어되지 않은 주변 산란광 하에서도 제어된 광원으로부터의 이미지를 측정할 수 있다. 이 방법은 장면(scene)이나 물체로 향해 일시적으로 변조된 빛을 투광하는 투광부(emitter)와, 여기서 반사된 빛을 측정하는 검출부로 구성된다. 단순한 필터 등의 처리수단은 이 검출된 빛으로부터, 제어된 투광기로부터 오는 반사광을 주변의 산란광으로부터 오는 반사광과 구별한다. 이런 방식으로, AIM은 후속의 컬러 이미지 처리에 사용하기 위해 주변 조명 및 표면 반사율을 포함한 장면의 정확한 속성들을 계산한다.1. 주변 산란광으로 인한 영향을 제거2. 단일 이미지 시퀀스 내에서 얻어진 이미지 개조를 위한 모든 일자3. 흑백센서부터 컬러이미지을 얻을 수 있음.4. 장면 광원에 의해 조명된 장면 객체를 구성하는 장면의 물리적 성질을 예측. 5. 투광기에서 나오는 변조된 광으로 장면을 조명. 6. 변조된 광은 소정의 스펙트럼 전력 분포를 가짐.7. 검출기를 이용하여 장면에서 나오는 후방산란광을 검출.8. 후속의 컬러 이미지 처리를 위해, 주변 조명 및 표면 반사율을 포함한 장면의 정확한 속성 계산.
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- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2005-07-20
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