산업기술 통합검색
본 기술은 고분자 박막 안에 자발 형성된 다층 구조의 나노 입자층을 플로팅 게이트로 이용한 다중 준위 플래시 기억 소자와 그 제작 방법 및 그의 쓰기/읽기 동작 제어 방법에 관한 것이다. 본 기술은 반도체 기판의 전면 상에 고분자 박막 내에 균일하게 분산된 나노 입자층을 다층으로 형성하여 플로팅 게이트를 제작하고, 플로팅 게이트의 양측부에 소스 및 드레인을 형성한다. 본 기술에 따르면, 제작 과정을 단순화하고, 기억 소자의 기억 용량을 높일 수 있다.
본 기술은 발광 효율 및 색 안정성을 높일 수 있는 유기발광소자에 관한 것이다.본 기술의 한 측면에 따르면, 정공수송층과 전자수송층 사이에 구성물질의 도핑 농도를 달리하여 반복 적층되는 다중 이종 헤테로 구조를 가지는 정공속박층을 채택한 유기발광소자가 제시되어 있다.본 기술에 따른 유기발광소자는 다중 이종 헤테로 구조를 가지는 정공속박층을 채택하여 소자의 발광효율을 높이고, 다중 이종 헤테로 층의 종류, 개수, 위치 및 두께를 달리하여 발광 파장 영역을 조절함으로써 발광되는 노란색의 순도를 높일 수 있다.
본 기술은 전도성 폴리머를 재료로 하는 소자의 특성을 향상시키기 위해 금속 산화막의 형성에 있어 접착성을 향상하도록 플라즈마 원자층 증착법으로 저온에서 형성하게 하는 폴리머를 기판으로 하는 소자의 접착층 형성방법을 제공하는데 그 특징이 있다.또한, 본 기술은 기존의 이온빔 노출 방법을 통한 결정화도 향상 또는 스크린 프린팅 방법을 통한 실리콘 계열의 물질 도포 등의 방법을 통한 접착층 형성과는 다른 두께가 아주 얇은 금속층을 미세한 구조를 지닌 반도체 유기 소자와 같은 단차가 큰 구조물의 절연막 혹은 외부 산소 및 수분의 차단을 위한 수분투과 억제층의 접착성을 높이게 하는 폴리머를 기판으로 하는 소자의 접착층 형성방법을 제공하는데 있다.
본 기술은 회전자의 돌극 성형시 돌극 사이에 홈(빈 공간)을 파서 돌출형으로 만드는 것이 아니라 외주면 내측에 중공부를 형성하여 돌극을 형성함에 따라 회전자코어의 외주면에 원통을 씌운 것과 같은 형상으로 제조함으로써, 수지와 몰드부재를 충전하거나 이탈방지돌기를 형성하거나 하는 추가 공정을 제거할 수 있어 재료비의 상승 및 공정 비용의 증가를 막을 수 있는 스위치드 릴럭턴스 모터의 회전자 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 기술의 구성은 회전축, 및 중앙면에 회전축을 수용할 수 있도록 형성된 축공과, 축공을 중심으로 축공과 외주면 사이에 일정 크기와 간격으로 형성된 복수의 중공부와, 중공부와 중공부 사이에 각각 형성되며 축공의 외측과 외주면을 연결하는 자기철심으로 이루어진 회전자코어로 이루어져 있다.
본 기술은 절연체 박막의 형성과 저온에서의 열처리를 복수회 반복하여 절연체 박막을 적층함으로써 포밍과정없이도 정상적인 스위칭 동작이 가능하면서도 낮은 동작전압을 가지는 저항 메모리 소자를 제공한다.이를 위하여 본 기술에 의한 저항 메모리 소자의 제조방법은 먼저 기판을 준비하는 단계와, 기판 상에 하부전극을 증착하는 단계와, 하부전극 상에 절연체 박막을 증착하는 단계와, 제 1 열처리 단계로서 절연체 박막에서 상변화가 일어나지 않을 범위의 온도에서 열처리하는 단계와, 절연체 박막을 증착하는 단계 및 제 1 열처리 단계를 순차적으로 복수회 반복하여 원하는 두께의 절연체 박막을 적층하는 단계와, 제 2 열처리 단계로서 절연체 박막에 있어서 상변화가 일어나는 범위의 온도에서 열처리하는 단계와, 절연체 박막 상에 상부전극을 증착하는 단계로 이루어진다.
본 기술은 코아부는 니켈계 양극활물질, 쉘부는 열적 안정성 혹은 용량이 높은 전이금속혼합계 양극활물질로 이루어진 코아·쉘 구조를 갖는 리튬이차전지용 양극활물질에 관한 것이다. 본 기술에 따른 코아·쉘 구조를 가지는 리튬이차전지용 양극활물질의 구성에 의하면 용량과 충전밀도가 높고 수명특성이 개선되며 열적 안전성이 우수하다는 탁월한 효과가 있다.
본 기술은 비정질 자기구조를 선택적으로 결정화시켜, 부분적으로 강자성 구조로 변화시키는 결정화 방법과 이를 이용한 자기센서 및 ID 카드를 제작할 수 있는 기술에 관한 것이다.본 기술의 특징에 의하면, Co2MnSi 박막의 부분 결정화 방법은, 무선 주파수를 이용한 마크네트론 증착장비를 이용하여 상온 진공에서 비정질 Co2MnSi 박막을 형성하는 단계, 및 팜토 레이저를 이용하여 비정질 Co2MnSi 박막 구조를 부분 결정화시키는 단계를 포함한다.본 기술에 따른 팜토 레이저를 이용한 Co2MnSi 박막의 부분 결정화 방법을 이용하면, 팜토 레이저의 두 빔의 간섭현상을 이용하여 비정질인 Co2MnS 박막을 선택적으로 자기구조로 바꿀 수 있다. 이러한 주기적인 자기 구조의 변형을 통해 Co2MnSi 박막 재료를 선택적으로 결정화함이 가능해짐으로써 영구적인 자기센서 및 ID 카드로 이용하는 데 적용될 수 있다.
본 기술은 플라즈마를 발생하는 챔버, 챔버의 외측에 일정 간격으로 다수개 설치되며, 입출력이 챔버와 연통되도록 루프를 형성하는 다수개의 루프관, 루프관과 챔버의 경계에서 각 루프관을 완전하게 둘러싸는 자성코어 및 각 루프를 통하여 흐르는 전기장을 유도하는 자기장을 생성하도록 자성코어 전체에 직렬로 권취되는 안테나를 포함하는 유도결합 플라즈마 발생장치에 관한 것이다.
본 기술은 연속적으로 배치되는 적어도 2개 이상의 반응기를 사용하여 다중층(multilayered) 구조를 가지는 양극 활물질을 제조하는 방법에 관한 것이다. 양극 활물질은 니켈 함량이 높은 고용량의 제1 리튬-함유 화합물을 포함하는 코어와, 코어를 둘러싸며 니켈 함량이 낮은 제2 리튬-함유 화합물을 포함하는 외부 쉘을 포함한다. 쉘은 코어와 접촉하는 경계면에서 활물질 표면으로 연속적인 금속 농도 구배를 가질 수 있다. 다중층 구조를 가지는 리튬 이차 전지용 양극 활물질은 수명, 용량과 같은 전기화학적 특성과 열적 안정성이 우수하다. 또한 연속적인 2개 이상의 반응기를 사용하여 합성함으로써 와 같이 우수한 특성을 가지는 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 생산성을 향상시킬 수 있다.
이온 주입 후, 접합, 열처리에 의해 박리된 후의 접합 기판의 활성층의 표면을, 에칭작용을 갖는 용액에 의해 1㎚∼1㎛만 에칭하고, 최종활성층의 두께를 200㎚ 이하로 한다. SC-1액을 사용한다. 에칭의 전후에 연마, 수소 어닐링, 희생산화를 실시할 수도 있다. 이 박막 활성층의 막두께를 표면 전체에서 균일화 하고, 그 표면 거칠기를 저감할 수 있다.
본 기술은 플라즈마 발생장치에 관한 것으로, 특히 박막의 균일성을 향상시키고 박막의 품질을 향상시키는 플라즈마 발생 장치에 관한 것이다.챔버와 관련되어 설치되는 RF 안테나, 챔버 내 상부에 형성되며 다수의 플라즈마 발생가스 도입관이 균일하게 연통된 플라즈마 발생부, 플라즈마 발생부 하부에 설치되는 DC 바이어스 발생유닛, DC 바이어스 발생유닛의 하부에 설치되며, 다수의 제 1 플라즈마 안내공이 형성된 제 1 샤워헤드, 제 1 샤워헤드 하부에 설치되며, 소스/퍼지가스 안내공과 각각 제 1 플라즈마 안내공과 직접 연결되는 다수의 제 2 플라즈마 안내공이 형성된 제 2 샤워헤드를 포함하며, 제 1 샤워헤드와 제 2 샤워헤드 사이에는 소스/퍼지가스 도입부가 형성되고, 소스/퍼지가스 도입부에는 다수의 소스/퍼지가스 도입관이 연통되는 원거리 플라즈마 발생장치가 개시된다.본 기술에 따르면 플라즈마 발생가스를 기판에 균일하게 공급함으로써 형성되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있으며, 플라즈마 발생시 생성되는 양이온을 적절하게 제어하여 박막을 품질을 향상시킬 수 있다.
본 기술의 리튬 이차 전지용 양극 활물질은 내부 코아, 내부 코아를 둘러싸는 외부 벌크부 및 외부 벌크부를 둘러싸는 외부쉘을 포함하고, 내부 코아와 외부 벌크부의 접촉 경계면에서 외부 벌크부와 외부쉘의 접촉경계면까지 금속 조성이 연속적인 농도구배로 존재한다. 본 기술에 따른 리튬 이차 전지용 양극 활물질은 향상된 열적 안정성, 수명 특성 및 고용량 특성을 갖는다.
본 기술은 갈륨 나이트라이드 기판의 제조 방법을 개시한다. 본 기술은 원자층 증착법을 이용하여 단결정 실리콘 기판 상에 완충층인 하프늄 나이트라이드(HfN)층과 갈륨 나이트라이드(GaN)층을 저온에서 형성함으로써 양질의 갈륨 나이트라이드(GaN) 기판을 제공할 수 있다. 또한, 하프늄 나이트라이드층 내의 실리콘(Si), 하프늄(Hf) 및 갈륨(Ga)의 조성비를 상호 확산을 방지하기 위해 적절히 조절할 수 있다. 따라서, 본 기술은 하프늄 나이트라이드층과 갈륨 나이트라이드층의 상호 확산을 최소화시킬 수가 있다. 또한, 단결정 실리콘 기판이나 하프늄 나이트라이드층에 물리적 손상을 주지 않음과 아울러 단결정 실리콘 기판과의 상호 확산을 억제할 수 있다. 그러므로, 본 기술은 양질의 갈륨 나이트라이드 기판을 제공할 수 있다.
본 기술은 폴리머 비휘발성 메모리 소자의 소자간 절연 특성이 우수하며 전도성 폴리머의 열화 특성을 방지할 수 있는 외부 산소 및 수분의 차단 보호막을 원자층 증착법으로 저온에서 형성하게 하는 비휘발성 폴리머 메모리 소자의 특성을 향상시키기 위한 수분투과 억제층 형성방법을 제공하는데 그 특징이 있다.또한, 본 기술은 기존의 화학 기상 증착이나 물리적 기상 증착 방법을 통한 투습층 형성과는 다른 금속 산화막의 저온 증착에 의해 유기물을 주재료로 하는 미세한 구조를 지닌 반도체 유기 소자와 같은 단차가 큰 구조물의 투습층을 형성하게 하는 비휘발성 폴리머 메모리 소자의 특성을 향상시키기 위한 수분투과 억제층 형성방법을 제공하는데 있다.
본 기술은 반도체 기억 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서 금속 나노 입자층이 유기물 박막 안에 다층 구조로 형성되어 있는 유기 쌍안정성 기억 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.본 기술의 실시예에 따르면, 반도체 기판, 반도체 기판 상에 형성된 제1 전극, 제1 전극 상에 형성된 유기물층, 유기물층 내부에 각각 이격되어 형성된 N개(N은 2 이상의 자연수)의 나노 입자층, 및 유기물층 상에 형성된 제2 전극을 포함하는 유기 쌍안정성 기억 소자가 제공될 수 있다. 본 기술에 의하면 유기물 박막 내에 형성된 다층 구조의 금속 나노 입자를 기억 소자의 쌍안정성 특성 또는 다중 준위 특성의 구현을 위해 이용함으로써 고용량 및 고효율을 갖는 기억 소자를 제작할 수 있는 효과가 있다.
본 기술은 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로 소오스/드레인 영역과 채널 영역이 형성된 반도체 기판, 채널 영역 상에 형성된 터널 절연막, 터널 절연막 상에 형성되고 산화 인듐 나노 입자를 포함하는 부유 게이트, 부유 게이트 상에 형성된 컨트롤 절연막, 및 컨트롤 절연막 상에 형성된 게이트 전극이 구비된 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 나노 부유 게이트형 비휘발성 반도체 메모리 소자는 폴리이미드와 인듐간의 화학 반응을 통해 산화 인듐 나노 입자 양자점이 형성되며, 5 V의 낮은 동작 전압을 가지고, 전기적 정보의 읽기, 쓰기, 저장이 가능하다. 이뿐만 아니라 대용량, 고집적 특징을 가지는 동시에 저전력 및 고속 동작이 가능하다.
기술의 개요 - 본 기술은 바이액셜 컴프레시브 스트레인을 이용하여 새로운 II-VI족 반도체 레이저 구조의 제안으로 광이득 특성의 개선을 통하여상온에서 실온화에 적당하도록 하는 데에 있다.기술의 특징 - 본 기술은 제 1 도전형 기판과, 기판위에 형성된 제 1 버퍼층, 제 1 버퍼층 위에 형성된 전자 공급층과, 전자공급층 위에 형성된 제 1 배리어 층, 제 1 베리어층 위에 형성된 II-VI족 반도체 화합물로 이루어진 스트레인된 활성층, 활성층 위에 형성된 제 2 배리어 층과, 제 2 배리어 층위에 형성된 정공 공급 층, 정공 공급 층위에 형성된 제 2 버퍼층, 제 2 버퍼 층위에 형성된 캡층으로 구성되어 있는 것이 특징이다.기술의 효과 - 본 기술은 스트레인 포텐셜-30mev일 때 스트레인이 없을 때보다 광학적 이득이 3배 이상 증가하는 효과를 도출한다.
기술의 개요 - 본 기술은 냉각장치 및 고품질의 양자우물 형성의 필요성을 단순화시키기에 적합하도록 한 델타 도핑된 반도체를 이용하는 적외선 광 검출기를 제공한다. 기술의 특징 - 본 기술은 GAAS, 또는 INGASP 또는 INP로 된 반도체 기판상에 양자 장벽을 형성하기 위해 복수개의 델타 도핑층으로 형성되는 델타 도핑 반도체층과, 델타 도핑 반도체층 위에 전위 장벽을 낮추기 위해 형성되는 고농도의 제1 도전형 반도체층, 반도체층 상에 형성된 캠용 고농도 제1 도전형 반도체층, 반도체층 상에 형성된 전극으로 구성되어 있는 것이 특징이다.기술의 효과 - 본 기술은 델타 도핑층의 도핑 농도를 조절함으로써 감지되는 효과를 도출한다.
기술의 개요 - 본 기술은 레이저 다이오드의 구동에 따른 광 출력 및 신뢰성을 향상하기에 적당하도록 한 화합물 반도체 레이저 다이오드를 제공하는 것을 목적으로 한다.기술의 특징 - 본 기술은 기판 상부 중앙에 양측이 경사진 삽입 홈을 형성하고, 전류를 좌우 방향으로 제한하도록 기판상에 성장시켜 기판의 삽입 홈 영역을 제외한 표면에 내측이 경사지도록 에칭한 전류제한층(Current Block Layer : CBL)을 형성하는 것을 특징으로 한다. - 노출된 진표면에 제1 클래드층을 형성하며, 제1 클래드층 전 표면에 액티브층, 컨파인층(Confinement Layer), 베리어층, 제2 클래드층, 콘택층을 차례로 형성하여 완성한다. 도면의 조성비는 X>Y>Z의 관계를 가지며, 액티브층의 Al조성비를 0.0-0.5로 하며 제1,2클래드층의 Al조성비는 0.2-0.8로 하고, 베리드층의 Al조성비를 0.0-0.8로 하는 것이 특징이다.
기술의 개요 - 본 기술은 반도체 레이저를 이용한 다기능센서에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 광원인 레이저를 발산하는 반도체 레이저와, 반도체 레이저로부터 발산하는 레이저를 일부는 통과시키고, 일부는 반사시키는 빔 스프리터, 빔 스프리터를 통과한 레이저가 측정 대상 매개체에 촛점이 맺히도록 레이저를 접속하는 렌즈, 측정 대상의 변형을 거리의 변화로 변환하여 측정하도록 렌즈에서 접속한 레이저를 반사하는 반사부, 빔 스프리터에서 접속한 기준광을 측정하는 기준측정용 광 검출기, 반사부에 의해 반사된 레이저가 빔 스프리터에 의해서 다시 반사되는 광을 접속하는 원통렌즈, 원통렌즈에서 접속한 광을 측정하는 포토 다이오드와, 포토 다이오드의 출력신호를 거리탐지신호로 변환시키는 촛점거리탐지 회로부와 기준광 측정용 광검출기의 기준광량과 촛점거리 탐지회로부의 반사광 양의비를 계산하여 반사광의 상대적 광량을 측정하는 정규화 회로부, 정규화 회로부에서 정규화된 측정량을 이용하여 각 목적에 필요한 제어신호를 발생하는 제어회로부로 구성되어 있는 것이 특징이다.